JPS63252392A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS63252392A JPS63252392A JP62086023A JP8602387A JPS63252392A JP S63252392 A JPS63252392 A JP S63252392A JP 62086023 A JP62086023 A JP 62086023A JP 8602387 A JP8602387 A JP 8602387A JP S63252392 A JPS63252392 A JP S63252392A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明はキャラクタやグラフィックスなどの表示に用
いる薄膜ＥＬ素子に関するものであり、さらに詳しくは
発光特性が長期にわたって安定な薄膜ＥＬ＊子に関する
。
いる薄膜ＥＬ素子に関するものであり、さらに詳しくは
発光特性が長期にわたって安定な薄膜ＥＬ＊子に関する
。
従来の技術
従来より電場発光蛍光体を用いた固体映像表示装置とし
てＸ−Ｙマトリクス表示装置が知られている。この装置
は電場発光層の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群
とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極群に
接続された給電線により切換え装置を通して信号を加え
て両電極の交点部分の電場発光層（以下ＥＬ発光体層と
略称する）を発光させ（この交点の発光部分面を絵素と
称する）、発光した絵素の組み合わせによって文字記号
、図形等を表示させるものである。
てＸ−Ｙマトリクス表示装置が知られている。この装置
は電場発光層の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群
とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極群に
接続された給電線により切換え装置を通して信号を加え
て両電極の交点部分の電場発光層（以下ＥＬ発光体層と
略称する）を発光させ（この交点の発光部分面を絵素と
称する）、発光した絵素の組み合わせによって文字記号
、図形等を表示させるものである。
ここで用いられる固体映像表示装置の表示板としては、
通常ガラス等の透光性基板上に透明な平行電極群を形成
し、その上に第１誘電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体
層を順次積層し、さらにその上に背面平行電極群を下層
の透明平行電極群に直交する配置で積層して形成する。
通常ガラス等の透光性基板上に透明な平行電極群を形成
し、その上に第１誘電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体
層を順次積層し、さらにその上に背面平行電極群を下層
の透明平行電極群に直交する配置で積層して形成する。
一般に透明平行電極としては平滑なガラス基板上に酸化
錫を被着するなどにより形成される。これに直交し、対
向する背面電極としてはアルミニウムが真空蒸着などに
より形成される。
錫を被着するなどにより形成される。これに直交し、対
向する背面電極としてはアルミニウムが真空蒸着などに
より形成される。
第１誘電体層や第２誘電体層に用いる材料としては、誘
電率が太き（、絶縁破壊電界強度が大きい材料が低電圧
駆動に適している。前者は、主に透明電極および背面電
極により印加される電圧の、より多（の割合をＥＬ発光
体層に印加し、駆動電圧を低下させるためであり、後者
は主に絶縁破壊を起こさない安定な動作のために重要で
ある。このような低電圧で駆動ができ、安定性の優れた
薄膜ＥＬ素子を構成するための誘電体層としては誘電率
が大きな酸化物誘電体薄膜（特開昭５６−４５５９５号
公報参照〉の方が誘電率が小さな酸化珪素や窒化珪素（
特公昭５３−４２３９８号公報）より適しており、酸化
物誘電体薄膜を用いた薄膜ＥＬ素子が広く研究されてい
る。
電率が太き（、絶縁破壊電界強度が大きい材料が低電圧
駆動に適している。前者は、主に透明電極および背面電
極により印加される電圧の、より多（の割合をＥＬ発光
体層に印加し、駆動電圧を低下させるためであり、後者
は主に絶縁破壊を起こさない安定な動作のために重要で
ある。このような低電圧で駆動ができ、安定性の優れた
薄膜ＥＬ素子を構成するための誘電体層としては誘電率
が大きな酸化物誘電体薄膜（特開昭５６−４５５９５号
公報参照〉の方が誘電率が小さな酸化珪素や窒化珪素（
特公昭５３−４２３９８号公報）より適しており、酸化
物誘電体薄膜を用いた薄膜ＥＬ素子が広く研究されてい
る。
発明が解決しようとする問題点
マトリクス状電極を有する薄膜ＥＬ素子を、−斉反転方
式により線順次駆動（特公昭５５−２７３５４号公報）
し、１走査期間で２回の発光を行わせる場合、透明電極
と背面電極に挟まれた各絵素においては、正極性のパル
スが印加されてから逆方向のパルスが印加されるまでの
時間と、逆極性のパルスが印加されてから正極性のパル
スが印加されるまでの時間が異なる。このような正・逆
パルスの位相が異なる駆動法により従来技術による薄［
１１ＥＬ素子を長時間駆動した場合表示情報に応じて発
光させた絵素では、発光させなかった絵素と比較して、
発光開始電圧が数ボルト変動するという問題点があった
。
式により線順次駆動（特公昭５５−２７３５４号公報）
し、１走査期間で２回の発光を行わせる場合、透明電極
と背面電極に挟まれた各絵素においては、正極性のパル
スが印加されてから逆方向のパルスが印加されるまでの
時間と、逆極性のパルスが印加されてから正極性のパル
スが印加されるまでの時間が異なる。このような正・逆
パルスの位相が異なる駆動法により従来技術による薄［
１１ＥＬ素子を長時間駆動した場合表示情報に応じて発
光させた絵素では、発光させなかった絵素と比較して、
発光開始電圧が数ボルト変動するという問題点があった
。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、位相が異なる交
流パルスや正・逆方向の娠幅が異なる交流パルスで駆動
しても、長期間に渡り安定した動作が可能な薄膜ＥＬ素
子を提供することにある。
流パルスや正・逆方向の娠幅が異なる交流パルスで駆動
しても、長期間に渡り安定した動作が可能な薄膜ＥＬ素
子を提供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明においては、透光性基板上に、透明電極、第１誘
電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体層、および背面電極
を順次積層してなる薄膜ＥＬ素子において、第１誘電体
層および第２誘電体層とＥＬ発光体層の間に、セレン化
マグネシウム薄膜、セレン化カルシウム薄膜、セレン化
ストロンチウム薄膜、セレン化バリウム薄膜の内少なく
とも一つを形成する。
電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体層、および背面電極
を順次積層してなる薄膜ＥＬ素子において、第１誘電体
層および第２誘電体層とＥＬ発光体層の間に、セレン化
マグネシウム薄膜、セレン化カルシウム薄膜、セレン化
ストロンチウム薄膜、セレン化バリウム薄膜の内少なく
とも一つを形成する。
作用
発光開始電圧の変動は、ＥＬ発光体層と誘電体層との界
面に種々の深さのトラップ準位が形成されることや、Ｅ
Ｌ発光体層と誘電体層との反応により生じるものと考え
られる。ＥＬ発光体層と誘電体層との間にセレン化マグ
ネシウム薄膜、セレン化カルシウム薄膜、セレン化スト
ロンチウム薄膜、セレン化バリウム薄膜の内少なくとも
一つの薄膜を介在させることにより、上記の現象が抑制
され、長期間に渡り安定した動作が可能になったものと
考えられる。
面に種々の深さのトラップ準位が形成されることや、Ｅ
Ｌ発光体層と誘電体層との反応により生じるものと考え
られる。ＥＬ発光体層と誘電体層との間にセレン化マグ
ネシウム薄膜、セレン化カルシウム薄膜、セレン化スト
ロンチウム薄膜、セレン化バリウム薄膜の内少なくとも
一つの薄膜を介在させることにより、上記の現象が抑制
され、長期間に渡り安定した動作が可能になったものと
考えられる。
実施例
第１図は本発明のかかる薄膜ＥＬ素子の断面構造を示す
。図において、１はガラス基板であり、コーニング７０
５９ガラスを用いた。ガラス基板１上に、スパッタリン
グ法により厚さ２００ｎｍの錫添加酸化インジウム薄膜
を形成し、ホトリソグラフィ技術によりストライブ状に
加工し透明電極２とした。その上にチタンジルコン酸ス
トロンチウム［Ｓｒ （ＴｉｘＺｒ １−ｘ）０９ ］
を基板温度４００℃でスパッタリングすることにより厚
さ６００ｎ−の酸化物誘電体薄膜３を形成した。さらに
その上に、セレン化マグネシウムペレットを蒸発源とし
て基板温度３００℃で電子ビーム蒸着することにより厚
さ５０ｎ−のセレン化マグネシウム薄膜４を形成した。
。図において、１はガラス基板であり、コーニング７０
５９ガラスを用いた。ガラス基板１上に、スパッタリン
グ法により厚さ２００ｎｍの錫添加酸化インジウム薄膜
を形成し、ホトリソグラフィ技術によりストライブ状に
加工し透明電極２とした。その上にチタンジルコン酸ス
トロンチウム［Ｓｒ （ＴｉｘＺｒ １−ｘ）０９ ］
を基板温度４００℃でスパッタリングすることにより厚
さ６００ｎ−の酸化物誘電体薄膜３を形成した。さらに
その上に、セレン化マグネシウムペレットを蒸発源とし
て基板温度３００℃で電子ビーム蒸着することにより厚
さ５０ｎ−のセレン化マグネシウム薄膜４を形成した。
セレン化マグネシウム薄膜４の上には、共蒸着法により
、基板温度２００℃で、厚さ５００ｎｍのマンガン添加
硫化亜鉛薄膜からなるＥＬ発光体層５を形成した。真空
中で４５０℃、１時間熱処理の後、その上に再びセレン
化マグネシウムペレットを蒸発源として基板温度３００
℃で電子ビーム蒸着することにより厚さ５０ｎｗ＋のセ
レン化マグネシウム薄膜６を形成した。その上にタンタ
ル酸バリウム［ＢａＴａ２０５ ］焼結体を、基板温度
１５０℃でスパッタリングすることにより厚さ２００ｒ
ｖの酸化物誘電体薄膜７を形成した。最後にその上に厚
さ１５０１■のＡｔを真空蒸着し、ホトリソグラフィ技
術により、透明電極２とは直交する方向にストライブ状
の背面電極８を形成し、薄膜ＥＬ素子ａを完成した。
、基板温度２００℃で、厚さ５００ｎｍのマンガン添加
硫化亜鉛薄膜からなるＥＬ発光体層５を形成した。真空
中で４５０℃、１時間熱処理の後、その上に再びセレン
化マグネシウムペレットを蒸発源として基板温度３００
℃で電子ビーム蒸着することにより厚さ５０ｎｗ＋のセ
レン化マグネシウム薄膜６を形成した。その上にタンタ
ル酸バリウム［ＢａＴａ２０５ ］焼結体を、基板温度
１５０℃でスパッタリングすることにより厚さ２００ｒ
ｖの酸化物誘電体薄膜７を形成した。最後にその上に厚
さ１５０１■のＡｔを真空蒸着し、ホトリソグラフィ技
術により、透明電極２とは直交する方向にストライブ状
の背面電極８を形成し、薄膜ＥＬ素子ａを完成した。
本発明の薄膜ＥＬ素子すは薄膜ＥＬ素子ａと同様にガラ
ス基板上に、スパッタリング法により厚さ２００ｎ＊の
錫添加酸化インジウム薄膜を形成し、ホトリソグラフィ
技術によりストライブ状に加工し透明電極とした。その
上にタンタル酸バリウム［ＢａＴａ２Ｏ３］を基板温度
１５０℃でスパッタリングすることにより厚さ３００ｎ
−の酸化物誘電体薄膜を形成した。さらにその上に、セ
レン化カルシウムベレットを蒸発源として基板温度３０
０℃で電子ビーム蒸着することにより厚さ５Ｑｎｍのセ
レン化カルシウム薄膜を形成した。セレン化カルシウム
薄膜の上には、共蒸着法により、基板温度２００℃で、
厚さ５００ｎｍのマンガン添加硫化亜鉛薄膜からなるＥ
Ｌ発光体層を形成した。真空中で５００℃、１時間熱処
理の後、その上に再びセレン化カルシウムベレットを蒸
発源として基板温度３００℃で電子ビーム蒸着すること
により厚さ５０ｎｍのセレン化カルシウム薄膜を形成し
た。その上にタンタル酸バリウム［ＢａＴａ２Ｏ＠ｌ焼
結体を、基板温度１５０℃でスパッタリングすることに
より厚さ３００ｎ−の酸化物誘電体薄膜を形成した。最
後にその上に厚さ１５０ｒｖのＡ１を真空蒸着し、ホト
リソグラフィ技術により、透明電極とは直交する方向に
ストライブ状の背面電極を形成し、薄膜ＥＬ素子すを完
成した。
ス基板上に、スパッタリング法により厚さ２００ｎ＊の
錫添加酸化インジウム薄膜を形成し、ホトリソグラフィ
技術によりストライブ状に加工し透明電極とした。その
上にタンタル酸バリウム［ＢａＴａ２Ｏ３］を基板温度
１５０℃でスパッタリングすることにより厚さ３００ｎ
−の酸化物誘電体薄膜を形成した。さらにその上に、セ
レン化カルシウムベレットを蒸発源として基板温度３０
０℃で電子ビーム蒸着することにより厚さ５Ｑｎｍのセ
レン化カルシウム薄膜を形成した。セレン化カルシウム
薄膜の上には、共蒸着法により、基板温度２００℃で、
厚さ５００ｎｍのマンガン添加硫化亜鉛薄膜からなるＥ
Ｌ発光体層を形成した。真空中で５００℃、１時間熱処
理の後、その上に再びセレン化カルシウムベレットを蒸
発源として基板温度３００℃で電子ビーム蒸着すること
により厚さ５０ｎｍのセレン化カルシウム薄膜を形成し
た。その上にタンタル酸バリウム［ＢａＴａ２Ｏ＠ｌ焼
結体を、基板温度１５０℃でスパッタリングすることに
より厚さ３００ｎ−の酸化物誘電体薄膜を形成した。最
後にその上に厚さ１５０ｒｖのＡ１を真空蒸着し、ホト
リソグラフィ技術により、透明電極とは直交する方向に
ストライブ状の背面電極を形成し、薄膜ＥＬ素子すを完
成した。
本発明の薄膜ＥＬ素子ｃ１薄１１１ＥＬ素子ｄはマンガ
ン添加硫化亜鉛薄膜に接する誘電体薄膜の部分を薄膜Ｅ
Ｌ素子すのセレン化カルシウム薄膜からそれぞれセレン
化ストロンチウム薄膜、セレン化バリウム薄膜に置き換
えて作製した。その他の薄膜の作製方法は薄膜ＥＬ素子
すと同一である。
ン添加硫化亜鉛薄膜に接する誘電体薄膜の部分を薄膜Ｅ
Ｌ素子すのセレン化カルシウム薄膜からそれぞれセレン
化ストロンチウム薄膜、セレン化バリウム薄膜に置き換
えて作製した。その他の薄膜の作製方法は薄膜ＥＬ素子
すと同一である。
本発明の薄膜ＥＬ素子ａ１薄膜ＥＬ素子ｂ１薄膜ＥＬ素
子ｃ１薄膜ＥＬ素子ｄ１薄膜ＥＬ素子ａからマンガン添
加硫化亜鉛薄膜の両側のセレン化マグネシウム薄膜を除
いた従来の薄膜ＥＬ素子ｅ及び薄膜ＥＬ素子すからマン
ガン添加硫化亜鉛薄膜の両側のセレン化カルシウム薄膜
を除いた従来の薄膜ＥＬ素子ｆとに１２図に示すような
位相の異なる交流パルス電圧を印加し、発光開始電圧の
経時変化を測定した。印加電圧は素子ａ、ｅでは１３０
Ｖ、その他の素子では１５０ｖである。第３図に示す様
に、１００時間で、従来の薄膜ＥＬ素子ｅでは約６％発
光開始電圧が低下し、従来の薄膜ＥＬ素子ｆではで約４
％発光開始電圧が低下したのに対し、本発明の薄膜ＥＬ
素子はべて１％以下であった。
子ｃ１薄膜ＥＬ素子ｄ１薄膜ＥＬ素子ａからマンガン添
加硫化亜鉛薄膜の両側のセレン化マグネシウム薄膜を除
いた従来の薄膜ＥＬ素子ｅ及び薄膜ＥＬ素子すからマン
ガン添加硫化亜鉛薄膜の両側のセレン化カルシウム薄膜
を除いた従来の薄膜ＥＬ素子ｆとに１２図に示すような
位相の異なる交流パルス電圧を印加し、発光開始電圧の
経時変化を測定した。印加電圧は素子ａ、ｅでは１３０
Ｖ、その他の素子では１５０ｖである。第３図に示す様
に、１００時間で、従来の薄膜ＥＬ素子ｅでは約６％発
光開始電圧が低下し、従来の薄膜ＥＬ素子ｆではで約４
％発光開始電圧が低下したのに対し、本発明の薄膜ＥＬ
素子はべて１％以下であった。
本実施例ではセレン化マグネシウム薄膜、セレン化カル
シウム薄膜、セレン化ストロンチウム薄膜、ないしセレ
ン化バリウム薄膜をＥＬ発光体層の両側に形成したが、
第１誘電体層側だけに形成した場合でも、効果は多少落
ちるが有効であった。
シウム薄膜、セレン化ストロンチウム薄膜、ないしセレ
ン化バリウム薄膜をＥＬ発光体層の両側に形成したが、
第１誘電体層側だけに形成した場合でも、効果は多少落
ちるが有効であった。
セレン化マグネシウム薄膜、セレン化カルシウム薄膜、
セレン化ストロンチウム薄膜、ないしセレン化バリウム
薄膜の厚さは、Ｌｏｎｅより薄い場合は、発光開始電圧
の経時変化を抑制する効果が少なかった。
セレン化ストロンチウム薄膜、ないしセレン化バリウム
薄膜の厚さは、Ｌｏｎｅより薄い場合は、発光開始電圧
の経時変化を抑制する効果が少なかった。
ＥＬ発光体層５は活性物質を含む硫化亜鉛（ＺｎＳ）を
用いることができる。活性物質としてはＭｎ＊ ＣＯ
＊ Ａｇｅ ＡＬＩ−ＴｂＦ ｓ ｔ ＳｓＦ
３ ｒ Ｅｒ Ｆ ３ ｒＴｍＦｓ ＊ Ｄｙ
Ｆ＊ 、ＰｒＦ９．ＥｕＦ３などが適当である。ＥＬ発
光体層５は硫化亜鉛以外のものでもよ（、たとえば活性
物質を含むＳｒＳやＣａＳなどの電場発光を示すもので
あればよい。
用いることができる。活性物質としてはＭｎ＊ ＣＯ
＊ Ａｇｅ ＡＬＩ−ＴｂＦ ｓ ｔ ＳｓＦ
３ ｒ Ｅｒ Ｆ ３ ｒＴｍＦｓ ＊ Ｄｙ
Ｆ＊ 、ＰｒＦ９．ＥｕＦ３などが適当である。ＥＬ発
光体層５は硫化亜鉛以外のものでもよ（、たとえば活性
物質を含むＳｒＳやＣａＳなどの電場発光を示すもので
あればよい。
誘電体薄膜は比誘電率゛吉絶縁破壊電界強度の積が大き
いほど好ましい。このような誘電体薄膜としては、ペロ
ブスカイト組成酸化物［１とタングステンブロンズ組成
酸化物薄膜が適していた。その中でも５ｒＴｉＯｓ 、
ＳｒｘＭｇｓ−ｘＴｉｏｓ ｒ５ｒＴｉｘＺｒ １−Ｘ
Ｏ３１あるいはＳｒｘＭｇｔ−ｘＴｉｙＺｚ−ＹＯ３な
どのチタン酸ストロンチウム系の薄膜とＢａＴａ２０ｓ
、ＢａｘＳｒ ｔ−ｘＴａ２０６などのタンタル酸バ
リウム系薄膜は、硫化マグネシウム薄膜、セレン化カル
シウム薄膜、セレン化ストロンチウム薄膜、セレン化バ
リウム薄膜と反応等の相互作用もな（、これらを第１誘
電体層に用いれば極めて安定な薄膜ＥＬ素子を構成する
ことができた。又、タンタル酸バリウム系薄膜を第２誘
電体層に用いることにより、伝播性絶縁破壊を抑制する
ことができ、信頼性の高い薄膜ＥＬ素子を形成する事が
できた。
いほど好ましい。このような誘電体薄膜としては、ペロ
ブスカイト組成酸化物［１とタングステンブロンズ組成
酸化物薄膜が適していた。その中でも５ｒＴｉＯｓ 、
ＳｒｘＭｇｓ−ｘＴｉｏｓ ｒ５ｒＴｉｘＺｒ １−Ｘ
Ｏ３１あるいはＳｒｘＭｇｔ−ｘＴｉｙＺｚ−ＹＯ３な
どのチタン酸ストロンチウム系の薄膜とＢａＴａ２０ｓ
、ＢａｘＳｒ ｔ−ｘＴａ２０６などのタンタル酸バ
リウム系薄膜は、硫化マグネシウム薄膜、セレン化カル
シウム薄膜、セレン化ストロンチウム薄膜、セレン化バ
リウム薄膜と反応等の相互作用もな（、これらを第１誘
電体層に用いれば極めて安定な薄膜ＥＬ素子を構成する
ことができた。又、タンタル酸バリウム系薄膜を第２誘
電体層に用いることにより、伝播性絶縁破壊を抑制する
ことができ、信頼性の高い薄膜ＥＬ素子を形成する事が
できた。
発明の効果
以上のように本発明によれば、長時間の駆動によっても
発光開始電圧の変動が極めて小さい薄膜ＥＬ素子を再現
性良く形成することができ、コンピュータ端末などの薄
形、高品位ディスプレイなどに広く利用でき、実用的価
値が大きい。
発光開始電圧の変動が極めて小さい薄膜ＥＬ素子を再現
性良く形成することができ、コンピュータ端末などの薄
形、高品位ディスプレイなどに広く利用でき、実用的価
値が大きい。
第１図は本発明にかかる薄１１ＥＬ素子の構成を示す断
面図、第２図は薄膜ＥＬ素子の駆動電圧波形を示す図、
第３図は発光開始電圧の経時変化を示す図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、 ３．７・
・・酸化物誘電体薄膜、 ４．６・・・セレン化マグネ
シウム薄膜、 ５・・・ＥＬ発光体層、 ８・・・背
面電極。
面図、第２図は薄膜ＥＬ素子の駆動電圧波形を示す図、
第３図は発光開始電圧の経時変化を示す図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、 ３．７・
・・酸化物誘電体薄膜、 ４．６・・・セレン化マグネ
シウム薄膜、 ５・・・ＥＬ発光体層、 ８・・・背
面電極。
Claims (4)
- （１）透光性基板上に、透明電極、第１誘電体層、ＥＬ
発光体層、第２誘電体層、および背面電極を順次積層し
てなる薄膜ＥＬ素子において、前記第１誘電体層および
前記第２誘電体層と前記ＥＬ発光体層側の間に、セレン
化マグネシウム薄膜、セレン化カルシウム薄膜、セレン
化ストロンチウム薄膜、セレン化バリウム薄膜の内少な
くとも一種が形成されていることを特徴とする薄膜ＥＬ
素子。 - （２）第１誘電体層がペロブスカイト組成の酸化物誘電
体薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の薄膜ＥＬ素子。 - （３）ペロブスカイト組成の酸化物誘電体薄膜がチタン
酸ストロンチウム系薄膜で構成されたことを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の薄膜ＥＬ素子。 - （４）誘電体薄膜がタンタル酸バリウム系薄膜であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜ＥＬ素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62086023A JPS63252392A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62086023A JPS63252392A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63252392A true JPS63252392A (ja) | 1988-10-19 |
Family
ID=13875061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62086023A Pending JPS63252392A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63252392A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196184A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Tdk Corp | 無機ｅｌ用誘電体厚膜、無機ｅｌ素子および誘電体厚膜 |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP62086023A patent/JPS63252392A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196184A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Tdk Corp | 無機ｅｌ用誘電体厚膜、無機ｅｌ素子および誘電体厚膜 |
| JP4494568B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2010-06-30 | アイファイヤー アイピー コーポレイション | 無機ｅｌ用誘電体厚膜、無機ｅｌ素子および誘電体厚膜 |
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