JPS63254699A - 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子およびその製造方法Info
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- JPS63254699A JPS63254699A JP62089406A JP8940687A JPS63254699A JP S63254699 A JPS63254699 A JP S63254699A JP 62089406 A JP62089406 A JP 62089406A JP 8940687 A JP8940687 A JP 8940687A JP S63254699 A JPS63254699 A JP S63254699A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明はキャラクタやグラフィックスなどの表示に用
いる薄膜ＥＬ素子およびその製造方法に関するものであ
り、さらに詳しくは発光特性が長期にわたって安定な薄
膜ＥＬ素子およびその製造方法に関する。
いる薄膜ＥＬ素子およびその製造方法に関するものであ
り、さらに詳しくは発光特性が長期にわたって安定な薄
膜ＥＬ素子およびその製造方法に関する。
従来の技術
従来より電場発光螢光体を用いた固体映像表示装置とし
てＸ−Ｙマ） ｌ）クス表示装置が知られている。この
装置は電場発光層の両面に水平平行電極群と垂直平行電
極群とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極
群に接続された給重線により切換え装置を通して信号を
加えて両電極の交点部分の電場発光層（以下ＥＬ発光体
層と略称する）を発光させ（この交点の発光部分面を絵
素と称する）、発光した絵素の組み合わせによって文字
記号９図形等を表示させるものである。
てＸ−Ｙマ） ｌ）クス表示装置が知られている。この
装置は電場発光層の両面に水平平行電極群と垂直平行電
極群とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極
群に接続された給重線により切換え装置を通して信号を
加えて両電極の交点部分の電場発光層（以下ＥＬ発光体
層と略称する）を発光させ（この交点の発光部分面を絵
素と称する）、発光した絵素の組み合わせによって文字
記号９図形等を表示させるものである。
ここで用いられる固体映像表示装置の表示板としては、
通常ガラス等の透光性基板上に透明な平行電極群を形成
し、その上に第１誘電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体
層を順次積層し、さらにその上に背面平行電極群を下層
の透明平行電極群に直交する配置で積層して形成する。
通常ガラス等の透光性基板上に透明な平行電極群を形成
し、その上に第１誘電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体
層を順次積層し、さらにその上に背面平行電極群を下層
の透明平行電極群に直交する配置で積層して形成する。
一般に透明平行電極としては平滑なガラス基板上に酸化
錫を被着するなどにより形成される。これに直交し、対
向する背面電極としてはアルミニウムが真空蒸着などに
より形成される。
錫を被着するなどにより形成される。これに直交し、対
向する背面電極としてはアルミニウムが真空蒸着などに
より形成される。
第１誘電体層や第２誘電体層に用いる材料としては、誘
電率が大きく、絶縁破壊電界強度が大きい材料が低電圧
駆動に適している。前者は、主に透明電極および背面電
極により印加される電圧の、より多くの割合をＥＬ発光
体層に印加し、駆動電圧を低下させるためであり、後者
は主に絶縁破壊を起こさない安定な動作のために重要で
ある。このような低電圧で駆動ができ、安定性の優れた
薄膜ＥＬ素子を構成するだめの誘電体層としては誘７π
率が大きな酸化物誘電体薄膜の方が法が誘電率が小さな
酸化珪素や窒化珪素より適しており、酸化物誘電体薄膜
を用いた薄膜ＥＬ素子が広く研究されている。
電率が大きく、絶縁破壊電界強度が大きい材料が低電圧
駆動に適している。前者は、主に透明電極および背面電
極により印加される電圧の、より多くの割合をＥＬ発光
体層に印加し、駆動電圧を低下させるためであり、後者
は主に絶縁破壊を起こさない安定な動作のために重要で
ある。このような低電圧で駆動ができ、安定性の優れた
薄膜ＥＬ素子を構成するだめの誘電体層としては誘７π
率が大きな酸化物誘電体薄膜の方が法が誘電率が小さな
酸化珪素や窒化珪素より適しており、酸化物誘電体薄膜
を用いた薄膜ＥＬ素子が広く研究されている。
発明が解決しようとする問題点
マ） ＩＪクス状電極を有する薄膜ＥＬ素子を、−斉反
転方式により線順次駆動し、１走査期間で２回の発光を
行わせる場合、透明電極と背面電極に挾１れた各絵素に
おいては、正極性のパルスが印加されてから逆方向のパ
ルスが印加されるまでの時間と、逆極性のパルスが印加
されてから正極性のパルスが印加されるまでの時間が異
なる。このような正・逆パルスの位相が異なる駆動法に
より従来技術による薄膜ＥＬ素子を長時間駆動した場合
表示情報に応じて発光させた絵素では、発光させなかっ
た絵素と比較して、発光開始電圧が数ボルト変動すると
いう問題点があった。
転方式により線順次駆動し、１走査期間で２回の発光を
行わせる場合、透明電極と背面電極に挾１れた各絵素に
おいては、正極性のパルスが印加されてから逆方向のパ
ルスが印加されるまでの時間と、逆極性のパルスが印加
されてから正極性のパルスが印加されるまでの時間が異
なる。このような正・逆パルスの位相が異なる駆動法に
より従来技術による薄膜ＥＬ素子を長時間駆動した場合
表示情報に応じて発光させた絵素では、発光させなかっ
た絵素と比較して、発光開始電圧が数ボルト変動すると
いう問題点があった。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、位相が異なる交
流パルスや正・逆方向の振幅が異なる交流パルスで駆動
しても、長期間に渡り安定した動作が可能な薄膜ＥＬ素
子およびその製造方法を提供することにある。
流パルスや正・逆方向の振幅が異なる交流パルスで駆動
しても、長期間に渡り安定した動作が可能な薄膜ＥＬ素
子およびその製造方法を提供することにある。
問題点を解決するだめの手段
本発明においては、透光性基板上に、透明電極。
第１誘電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体層、および背
面電極を順次積層してなる薄膜ＥＬ素子において、前記
第１誘電体層と前記ＥＬ発光体層の間、前記第２誘電体
層と前記ＥＬ発光体層の間の少なくとも一方に厚さ１０
ｎｍ以上、２００ ｎ ｍ以下の硫化カルシウムを含む
混合膜からなる層を挿入して構成する。
面電極を順次積層してなる薄膜ＥＬ素子において、前記
第１誘電体層と前記ＥＬ発光体層の間、前記第２誘電体
層と前記ＥＬ発光体層の間の少なくとも一方に厚さ１０
ｎｍ以上、２００ ｎ ｍ以下の硫化カルシウムを含む
混合膜からなる層を挿入して構成する。
また製造工程においては、前記ＥＬ発光体層を４５０’
Ｃ以上、６００℃以下の温度で加熱処理する。
Ｃ以上、６００℃以下の温度で加熱処理する。
作 用
発光開始電圧の変動は、ＥＬ発光体層と誘電体層との界
面に種々の深さのトラップ準位が形成されることや、Ｅ
Ｌ発光体層と誘電体層との反応により生じるものと考え
られる。ＥＬ発光体層と誘電体層との間に１０ｎｍ以上
２００ ｎｍ以下の硫化カルシウムを含む混合膜からな
る層を介在させることにより、トラップ準位の形成が抑
制され、長期間に渡シ安定した動作が可能になったもの
と考えられる。
面に種々の深さのトラップ準位が形成されることや、Ｅ
Ｌ発光体層と誘電体層との反応により生じるものと考え
られる。ＥＬ発光体層と誘電体層との間に１０ｎｍ以上
２００ ｎｍ以下の硫化カルシウムを含む混合膜からな
る層を介在させることにより、トラップ準位の形成が抑
制され、長期間に渡シ安定した動作が可能になったもの
と考えられる。
実施例
第１図は本発明にかかる薄膜ＥＬ素子の製造方法の一実
施例により作製した薄膜ＥＩ、素子の断面構造を示す。
施例により作製した薄膜ＥＩ、素子の断面構造を示す。
図において、１はガラス基板であり、コーニング７０５
９ガラスを用いた。ガラス基板１上に、スパッタリング
法により厚さ２００ｎｍの錫添加酸化インジウム薄膜を
形成し、ホトリングラフィ技術によりストライプ状に加
工し透明電極２とした。その上にチタンジルコン酸スト
ロンチウム（Ｓｒ（ＴｉｘＺｒｌ−、）０３’：ｌを基
板温度４００℃でスパッタリングすることにより厚さ６
００ ｎｍの酸化物誘電体薄膜からなる第１誘Ｔ体層３
を形成したさらにその上に、硫化カルシウムと硫化亜鉛
が重量比１：１０で混合して焼成してなるペレ、トを蒸
発源として基板温度３００℃で電子ビーム蒸着すること
により厚さ５０ｎｍの硫化カルシウム混合層４を形成し
た。硫化カルシウム混合層４の上には、共蒸着法により
、基板温度２００’Ｃで、厚さ４００ ｎｍのマンガン
添加硫化亜鉛薄膜からなるＥＬ発光体層６を形成した。
９ガラスを用いた。ガラス基板１上に、スパッタリング
法により厚さ２００ｎｍの錫添加酸化インジウム薄膜を
形成し、ホトリングラフィ技術によりストライプ状に加
工し透明電極２とした。その上にチタンジルコン酸スト
ロンチウム（Ｓｒ（ＴｉｘＺｒｌ−、）０３’：ｌを基
板温度４００℃でスパッタリングすることにより厚さ６
００ ｎｍの酸化物誘電体薄膜からなる第１誘Ｔ体層３
を形成したさらにその上に、硫化カルシウムと硫化亜鉛
が重量比１：１０で混合して焼成してなるペレ、トを蒸
発源として基板温度３００℃で電子ビーム蒸着すること
により厚さ５０ｎｍの硫化カルシウム混合層４を形成し
た。硫化カルシウム混合層４の上には、共蒸着法により
、基板温度２００’Ｃで、厚さ４００ ｎｍのマンガン
添加硫化亜鉛薄膜からなるＥＬ発光体層６を形成した。
さらにその上に、硫化カルシウムと硫化亜鉛が重量比１
：１０で混合して焼成してなるペレットを蒸発源として
基板温度３００℃で電子ビーム蒸着することにより厚さ
５０ｎｍの硫化カルシウム混合層６を形成した。
：１０で混合して焼成してなるペレットを蒸発源として
基板温度３００℃で電子ビーム蒸着することにより厚さ
５０ｎｍの硫化カルシウム混合層６を形成した。
その後真空中５５０℃で１時間熱処理の後、その上にタ
ンタル酸バリウム［ＢａＴａ２Ｏ６：］焼結体を、基板
温度１００℃でスパッタリングすることにより厚さ２０
０ ｎｍの酸化物誘電体薄膜７を形成した。最後にその
上に厚さ１５０ｎｍのＡ７を真空蒸着し、ホトリソグラ
フィ技術によシ、透明電極２とは直交する方向にストラ
イプ状の背面電極８を形成し、薄膜ＥＬ素子を完成した
。
ンタル酸バリウム［ＢａＴａ２Ｏ６：］焼結体を、基板
温度１００℃でスパッタリングすることにより厚さ２０
０ ｎｍの酸化物誘電体薄膜７を形成した。最後にその
上に厚さ１５０ｎｍのＡ７を真空蒸着し、ホトリソグラ
フィ技術によシ、透明電極２とは直交する方向にストラ
イプ状の背面電極８を形成し、薄膜ＥＬ素子を完成した
。
本発明の一実施例にかかる薄膜ＥＬ素子と、本発明の一
実施例にかかる薄膜ＥＬ素子から硫化カルシウム混合層
４，６を除いた従来の薄膜ＥＬ素子とに、第２図に示す
ような位相の異なる交流パルス電圧を印加し、発光開始
電圧の経時変化を測定したところ、第３図に示すように
、従来の薄膜ＥＬ素子では１００時間で約６％発光開始
電圧が低下したのに対しく第２図ｂ）、本発明の薄膜Ｅ
Ｉ。
実施例にかかる薄膜ＥＬ素子から硫化カルシウム混合層
４，６を除いた従来の薄膜ＥＬ素子とに、第２図に示す
ような位相の異なる交流パルス電圧を印加し、発光開始
電圧の経時変化を測定したところ、第３図に示すように
、従来の薄膜ＥＬ素子では１００時間で約６％発光開始
電圧が低下したのに対しく第２図ｂ）、本発明の薄膜Ｅ
Ｉ。
素子では１．２％以下であった（第２図ａ）。
このような効果は硫化カルシウム混合層４．６から硫化
亜鉛を除いてもほとんど変わらないが、薄い硫化カルシ
ウム薄膜は剥離しやすく、とくにＥＬ発光体層５の上に
形成する硫化カルシウム薄膜は付着力が弱く、膜の端部
より剥離を生じることがある。もし端部より剥離を生じ
た場合には、この上に形成される第２誘電体層の剥離は
もちろん、背面電極の断線にもつながる。しかし硫化カ
ルシウム薄膜と、比較的付着力の強い硫化亜鉛薄膜とを
混合することで改善される。硫化亜鉛薄膜はＥＬ発光体
層５を形成するマンガン添加硫化亜鉛薄膜と主成分は同
一であり、したがって付着力は強い。
亜鉛を除いてもほとんど変わらないが、薄い硫化カルシ
ウム薄膜は剥離しやすく、とくにＥＬ発光体層５の上に
形成する硫化カルシウム薄膜は付着力が弱く、膜の端部
より剥離を生じることがある。もし端部より剥離を生じ
た場合には、この上に形成される第２誘電体層の剥離は
もちろん、背面電極の断線にもつながる。しかし硫化カ
ルシウム薄膜と、比較的付着力の強い硫化亜鉛薄膜とを
混合することで改善される。硫化亜鉛薄膜はＥＬ発光体
層５を形成するマンガン添加硫化亜鉛薄膜と主成分は同
一であり、したがって付着力は強い。
本実施例では硫化カルシウム混合層４，６の形成に電子
ビーム蒸着法を用いたが、他の方法例えばスパッタリン
グ法では膜が剥離を起こし易く、さらにＥＬ発光体層の
熱処理温度が５００℃以上では薄膜ＥＬ素子の発光開始
電圧の経時変化を抑制する効果が減少してあまり有効で
なかった。
ビーム蒸着法を用いたが、他の方法例えばスパッタリン
グ法では膜が剥離を起こし易く、さらにＥＬ発光体層の
熱処理温度が５００℃以上では薄膜ＥＬ素子の発光開始
電圧の経時変化を抑制する効果が減少してあまり有効で
なかった。
硫化カルシウム混合層４，６の厚さは、１０ｎｍより薄
い場合は、発光開始電圧の経時変化を抑制する効果が少
なく、２００ｎｍより厚くした場合は、硫化カルシウム
混合層の誘電率は小さいため、厚くするほど薄膜ＥＬ素
子を駆動するのに必要な電圧が高くなり、駆動用のＩＣ
が高価なものとなって好ましくない。
い場合は、発光開始電圧の経時変化を抑制する効果が少
なく、２００ｎｍより厚くした場合は、硫化カルシウム
混合層の誘電率は小さいため、厚くするほど薄膜ＥＬ素
子を駆動するのに必要な電圧が高くなり、駆動用のＩＣ
が高価なものとなって好ましくない。
硫化カルシウム混合層に硫化カルシウムとともに混合す
る材料としては、ＥＬ発光体層を構成する螢光体材料が
付着力の点で望ましいが、他の材料、例えば弗化物や窒
化物などでも多少効果は落ちるが有効である。
る材料としては、ＥＬ発光体層を構成する螢光体材料が
付着力の点で望ましいが、他の材料、例えば弗化物や窒
化物などでも多少効果は落ちるが有効である。
本実施例では、硫化カルシウム混合層４と硫化カルシウ
ム混合層６とを設けたが、どちらが一方例えば硫化カル
シウム混合層４のみを設けた場合は薄膜ＥＬ素子の発光
開始電圧の経時変化を抑制する効果が減少した。
ム混合層６とを設けたが、どちらが一方例えば硫化カル
シウム混合層４のみを設けた場合は薄膜ＥＬ素子の発光
開始電圧の経時変化を抑制する効果が減少した。
ＥＬ発光体層５としては活性物質を含む硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）を用いることができる。活性物質としではＭ ｎ
＋ Ｃｕ ＋ Ａ ｑ ｒ Ａ ｕ ＋ Ｔ ｂ Ｆ
３ 、 Ｓ ｍＦ ３．Ｅ ｒ Ｆ ３゜ＴｍＦ３．Ｄ
ｙＦ３．ＰｒＦ３．ＥｕＦ３などが適当である。
Ｓ）を用いることができる。活性物質としではＭ ｎ
＋ Ｃｕ ＋ Ａ ｑ ｒ Ａ ｕ ＋ Ｔ ｂ Ｆ
３ 、 Ｓ ｍＦ ３．Ｅ ｒ Ｆ ３゜ＴｍＦ３．Ｄ
ｙＦ３．ＰｒＦ３．ＥｕＦ３などが適当である。
ＥＬ発光体層６は硫化亜鉛以外のものでもよく、例えば
活性物質を含むＳｒＳやＣａＳなどの電場発光を示すも
のであればよい。
活性物質を含むＳｒＳやＣａＳなどの電場発光を示すも
のであればよい。
第１誘電体層に用いる酸化物誘電体薄膜の厚さは、第２
誘電体層より厚くした方が、絶縁破壊に対する安定性が
高い。厚い第１誘電体層を用いるには、酸化物誘電体薄
膜の比誘電率が大きいほど好ましく、実験結果からは１
５以上が好ましかった。比誘電率が１５より小さい場合
、１００〜１８０ｖの電圧で安定に駆動できる薄膜ＥＬ
素子を形成するのは困難であった。このような酸化物誘
電体薄膜としては、ペロブスカイト形の結晶溝道を含む
薄膜が、絶縁破壊電圧の而からも適していた。その中で
も５ｒＴｉ○３． Ｓ ｒ ｘＭｇｌ−ｘＴ ｉｏ３゜
５ｒＴｉｘＺｒ１−ｘＯ３，ＳｒｘＭｇｌ、ＴｉｙＺｒ
ｌ−ｙ０３等のチタン酸ストロンチウム系の薄膜を第１
誘電体層の酸化物誘電体薄膜に用いることにより、極め
て安定な薄膜ＥＬ素子を構成することができた。
誘電体層より厚くした方が、絶縁破壊に対する安定性が
高い。厚い第１誘電体層を用いるには、酸化物誘電体薄
膜の比誘電率が大きいほど好ましく、実験結果からは１
５以上が好ましかった。比誘電率が１５より小さい場合
、１００〜１８０ｖの電圧で安定に駆動できる薄膜ＥＬ
素子を形成するのは困難であった。このような酸化物誘
電体薄膜としては、ペロブスカイト形の結晶溝道を含む
薄膜が、絶縁破壊電圧の而からも適していた。その中で
も５ｒＴｉ○３． Ｓ ｒ ｘＭｇｌ−ｘＴ ｉｏ３゜
５ｒＴｉｘＺｒ１−ｘＯ３，ＳｒｘＭｇｌ、ＴｉｙＺｒ
ｌ−ｙ０３等のチタン酸ストロンチウム系の薄膜を第１
誘電体層の酸化物誘電体薄膜に用いることにより、極め
て安定な薄膜ＥＬ素子を構成することができた。
第２誘電体層の酸化物誘電体薄膜の一つとしては、比誘
電率が約２２のタンタル酸バリウム系薄膜が適しており
、タンタル酸バリウム系薄膜を用いることによシ、伝播
性絶縁破壊を抑制することができ、信頼性の高い薄膜Ｅ
Ｌ素子を形成する事ができた。
電率が約２２のタンタル酸バリウム系薄膜が適しており
、タンタル酸バリウム系薄膜を用いることによシ、伝播
性絶縁破壊を抑制することができ、信頼性の高い薄膜Ｅ
Ｌ素子を形成する事ができた。
発明の効果
以上のように本発明によれば、低電圧駆動が可能であり
、長時間の駆動によっても発光開始電圧の変動が極めて
小さい薄膜ＥＬ素子を再現性良く形成することができ、
コンピュータ端末などの薄形、高品位ディスプレイなど
に広く利用でき、実用的価値が大きい。
、長時間の駆動によっても発光開始電圧の変動が極めて
小さい薄膜ＥＬ素子を再現性良く形成することができ、
コンピュータ端末などの薄形、高品位ディスプレイなど
に広く利用でき、実用的価値が大きい。
第１図は本発明にかかる薄膜ＥＬ素子の一実施例の構成
を示す断面図、第２図は薄膜ＥＬ素子の駆動電圧波形を
示す図、第３図は発光開始電圧の経時変化を示すグラフ
である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３・・・・・・第１誘電体層、４・・・・・・硫化カル
シウム混合層、６・・・・・・ＥＬ発光体層、６・・・
・・・硫化カルシウム混合層、７・・・・・・第２誘電
体層、８・・・・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名笥１
図
を示す断面図、第２図は薄膜ＥＬ素子の駆動電圧波形を
示す図、第３図は発光開始電圧の経時変化を示すグラフ
である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３・・・・・・第１誘電体層、４・・・・・・硫化カル
シウム混合層、６・・・・・・ＥＬ発光体層、６・・・
・・・硫化カルシウム混合層、７・・・・・・第２誘電
体層、８・・・・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名笥１
図
Claims (8)
- （１）透光性基板上に、透明電極，第１誘電体層，ＥＬ
発光体層，第２誘電体層、および背面電極を順次積層し
てなる薄膜ＥＬ素子において、前記第１誘電体層と前記
ＥＬ発光体層の間、前記第２誘電体層と前記ＥＬ発光体
層の間の少なくとも一方に厚さ１０ｎｍ以上、２００ｎ
ｍ以下の硫化カルシウムを含む混合膜からなる層を設け
て構成したことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - （２）第１誘電体層を比誘電率が１５以上の酸化物誘電
体薄膜で構成し、第２誘電体層を酸化物誘電体薄膜で構
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄
膜ＥＬ素子。 - （３）第１誘電体層が酸化物誘電体薄膜を含んで構成さ
れ、その酸化物誘電体薄膜がペロブスカイト形構造の結
晶部分を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の薄膜ＥＬ素子。 - （４）第１誘電体層が酸化物誘電体薄膜を含んで構成さ
れ、その酸化物誘電体薄膜としてチタン酸ストロンチウ
ム系薄膜を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の薄膜ＥＬ素子。 - （５）第２誘電体層が酸化物誘電体薄膜を含んで構成さ
れ、その酸化物誘電体薄膜としてタンタル酸バリウム系
薄膜を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項，
第２項または第３項のいずれかに記載の薄膜ＥＬ素子。 - （６）硫化カルシウムを含む混合膜が、硫化カルシウム
と前記ＥＬ発光体層を構成する螢光体膜との混合膜から
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項，第２項，
第３項または第４項のいずれかに記載の薄膜ＥＬ素子。 - （７）ＥＬ発光体層がマンガンで活性化した硫化亜鉛膜
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項，第２項
，第３項または第４項のいずれかに記載の薄膜ＥＬ素子
。 - （８）少なくとも硫化カルシウムと硫化亜鉛を含む焼結
体ペレットを蒸発源として電子ビーム蒸着法にて硫化カ
ルシウムを含む混合膜を形成し、その上にＥＬ発光体層
を積層して形成する工程と、その上に少なくとも硫化カ
ルシウムと硫化亜鉛を含む焼結体ペレットを蒸発源とし
て電子ビーム蒸着法にて硫化カルシウムを含む混合膜を
形成する工程と、前記ＥＬ発光体層を４５０℃以上、６
００℃以下の温度で加熱処理する工程とを含むことを特
徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089406A JPS63254699A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
| EP87112823A EP0258888B1 (en) | 1986-09-05 | 1987-09-02 | Thin film electroluminescence display device |
| DE8787112823T DE3779977T2 (de) | 1986-09-05 | 1987-09-02 | Duennschicht-elektrolumineszenzanzeigevorrichtung. |
| US07/093,263 US4869973A (en) | 1986-09-05 | 1987-09-04 | Thin film electroluminescence display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089406A JPS63254699A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254699A true JPS63254699A (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13969761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62089406A Pending JPS63254699A (ja) | 1986-09-05 | 1987-04-10 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63254699A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121290A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製法 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP62089406A patent/JPS63254699A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121290A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製法 |
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