JPS6366895A - 薄膜el素子のエ−ジング方法 - Google Patents
薄膜el素子のエ−ジング方法Info
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- JPS6366895A JPS6366895A JP61209895A JP20989586A JPS6366895A JP S6366895 A JPS6366895 A JP S6366895A JP 61209895 A JP61209895 A JP 61209895A JP 20989586 A JP20989586 A JP 20989586A JP S6366895 A JPS6366895 A JP S6366895A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明はキャラクタやグラフィックスなどの表示に用
いる薄膜EL素子に関するものであり、さらに詳しくは
薄膜EL素子の発売時11および絶縁破壊特性などを安
定化するためのエージング方法に関する。
いる薄膜EL素子に関するものであり、さらに詳しくは
薄膜EL素子の発売時11および絶縁破壊特性などを安
定化するためのエージング方法に関する。
従来の技術
従来より電場発光蛍光体を用いた固体映像表示装置とし
てX−Yマトリクス表示装置が知られている。この装置
は電場発光層の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群
とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極群に
接続された給電線により切換え装置を通して信号を加え
て両電極の交点部分の電場発光層(以下EL発光体層と
略作する)を発光させ(この交点の発光部分面を画素と
称する)、発光した画素の組み合わせによって文字記号
、図形等を表示させるものである。
てX−Yマトリクス表示装置が知られている。この装置
は電場発光層の両面に水平平行電極群と垂直平行電極群
とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極群に
接続された給電線により切換え装置を通して信号を加え
て両電極の交点部分の電場発光層(以下EL発光体層と
略作する)を発光させ(この交点の発光部分面を画素と
称する)、発光した画素の組み合わせによって文字記号
、図形等を表示させるものである。
ここで用いられる固体映像表示装置の表示板としては、
通常ガラス等の透光性基板上に透明な平行電極群を形成
し、その上に片側、あるいは両側に誘電体層あるいは抵
抗体−を介してEL発光体層を順次積層し、さらにその
上に背面平行電極群を下層の透明平行電極群に直交する
配置で端層して形成する。一般に透明平行電極としては
平滑なガラス基板上に酸化錫を被着するなどにより形成
される。これに直交し、対向する背面電極としてはアル
ミニウムが真空蒸着などにより形成される。このような
薄膜EL素子は、通常素子の発光特性および絶縁破壊特
性などを安定化するために、透明電極と背面電極間に矩
形波交流電力を印加して素子を駆動し、数十時間程度の
エージングを行っている(特願昭55−85705号公
報)。
通常ガラス等の透光性基板上に透明な平行電極群を形成
し、その上に片側、あるいは両側に誘電体層あるいは抵
抗体−を介してEL発光体層を順次積層し、さらにその
上に背面平行電極群を下層の透明平行電極群に直交する
配置で端層して形成する。一般に透明平行電極としては
平滑なガラス基板上に酸化錫を被着するなどにより形成
される。これに直交し、対向する背面電極としてはアル
ミニウムが真空蒸着などにより形成される。このような
薄膜EL素子は、通常素子の発光特性および絶縁破壊特
性などを安定化するために、透明電極と背面電極間に矩
形波交流電力を印加して素子を駆動し、数十時間程度の
エージングを行っている(特願昭55−85705号公
報)。
発明が解決しようとする問題点
ところで、薄膜EL素子のエージングとしては、エージ
ングの時間は短いほど良(、時間を短縮するためには、
両電極間に印加する矩形波交流電力の周波数、パルス幅
、電圧などを大きくして加速することが考えられる。し
かし、これらを大きくすることは絶縁破壊の発生を増加
させる原因ともなる。薄膜EL素子の構成膜における絶
縁破壊は大きくわけて2種類ある。一つは自己回復形絶
縁破壊と呼ばれるもので、第2図に示すように絶縁破壊
した箇所11の周囲の上部電極12が放電エネルギーに
より数十μmの範囲で飛散し、上部電極12と下部電極
13が電気的に開放状態になるタイプである。ここで1
4は基板、15.16は誘電体層、17はEL発光体層
を示す。もう一つは自己回復形絶縁破壊しないタイプで
、第3図に示すように上部電極12が十分に飛散しない
で、絶縁破壊した箇所18を通して上部電極12と下部
電極13が電気的に短絡状態になる。この状態でさらに
電圧を印加していけば絶縁破壊は誘電体膜全体に広がる
事もあり、このタイプの絶縁破壊がおきれば、したがっ
て上下の電極の断線となり、この薄膜EL素子は使用不
能となり、致命的なものとなる。このタイプの絶縁破壊
は上部電極12の膜厚が薄いほどおこりに<(、このた
め薄膜EL素子においては上部電極すなわち背面電極を
抵抗が高(なりすぎて電極として好ましくならない程度
にできるだけ薄くしたり、あるいは誘電体層自身の材料
を自己回復形絶縁破壊するものにしたりしている。
ングの時間は短いほど良(、時間を短縮するためには、
両電極間に印加する矩形波交流電力の周波数、パルス幅
、電圧などを大きくして加速することが考えられる。し
かし、これらを大きくすることは絶縁破壊の発生を増加
させる原因ともなる。薄膜EL素子の構成膜における絶
縁破壊は大きくわけて2種類ある。一つは自己回復形絶
縁破壊と呼ばれるもので、第2図に示すように絶縁破壊
した箇所11の周囲の上部電極12が放電エネルギーに
より数十μmの範囲で飛散し、上部電極12と下部電極
13が電気的に開放状態になるタイプである。ここで1
4は基板、15.16は誘電体層、17はEL発光体層
を示す。もう一つは自己回復形絶縁破壊しないタイプで
、第3図に示すように上部電極12が十分に飛散しない
で、絶縁破壊した箇所18を通して上部電極12と下部
電極13が電気的に短絡状態になる。この状態でさらに
電圧を印加していけば絶縁破壊は誘電体膜全体に広がる
事もあり、このタイプの絶縁破壊がおきれば、したがっ
て上下の電極の断線となり、この薄膜EL素子は使用不
能となり、致命的なものとなる。このタイプの絶縁破壊
は上部電極12の膜厚が薄いほどおこりに<(、このた
め薄膜EL素子においては上部電極すなわち背面電極を
抵抗が高(なりすぎて電極として好ましくならない程度
にできるだけ薄くしたり、あるいは誘電体層自身の材料
を自己回復形絶縁破壊するものにしたりしている。
しかし、自己回復形絶縁破壊する薄膜EL素子において
も全(問題がないわけではない。すなわち薄膜EL素子
の表示面積を微細化高密度化しようとすればするほど背
面電極のピッチは小さくなり、背面電極の幅も狭(なっ
て(る。自己回復形絶縁破壊は、前述のように絶縁破壊
した箇所の周囲の背面電極が放電エネルギーにより数十
μmの範囲で飛散する。したがって背面電極の幅が1゜
Oμm程度になると、自己回復形絶縁破壊が発生した場
合で、背面電極の飛散が背面電極の幅より大きいときに
は背面電極の断線が生じる。また、背面電極の飛散が背
面電極の幅より小さいときでも、背面電極上の近接した
複数の箇所で絶縁破壊が発生した場合には、背面電極の
飛散部が連なり合って、やはり断線につながる。断線に
までは至らない場合でも、絶縁破壊による背面電極の飛
散面積が大きいと、画素の一部が非発光部となって薄膜
EL素子の表示素子としての品位を太き(阻害する。こ
れらの絶縁破壊は、薄膜EL素子の構成が同じ場合には
、両電極間に印加する矩形波交流電力の周波数、パルス
幅、電圧などを太き(するにつれて発生数が増大し、し
たがって大きな絶縁破壊も発生するようになり、特に周
波数を高くした時に顕著である。
も全(問題がないわけではない。すなわち薄膜EL素子
の表示面積を微細化高密度化しようとすればするほど背
面電極のピッチは小さくなり、背面電極の幅も狭(なっ
て(る。自己回復形絶縁破壊は、前述のように絶縁破壊
した箇所の周囲の背面電極が放電エネルギーにより数十
μmの範囲で飛散する。したがって背面電極の幅が1゜
Oμm程度になると、自己回復形絶縁破壊が発生した場
合で、背面電極の飛散が背面電極の幅より大きいときに
は背面電極の断線が生じる。また、背面電極の飛散が背
面電極の幅より小さいときでも、背面電極上の近接した
複数の箇所で絶縁破壊が発生した場合には、背面電極の
飛散部が連なり合って、やはり断線につながる。断線に
までは至らない場合でも、絶縁破壊による背面電極の飛
散面積が大きいと、画素の一部が非発光部となって薄膜
EL素子の表示素子としての品位を太き(阻害する。こ
れらの絶縁破壊は、薄膜EL素子の構成が同じ場合には
、両電極間に印加する矩形波交流電力の周波数、パルス
幅、電圧などを太き(するにつれて発生数が増大し、し
たがって大きな絶縁破壊も発生するようになり、特に周
波数を高くした時に顕著である。
そこで、本発明は上述の技術的課題を解決し、従来の薄
IIIEL素子のエージング方法に比べて絶縁破壊の起
こりにくい、安定な薄膜EL素子のエージング方法を提
供することを目的とする。
IIIEL素子のエージング方法に比べて絶縁破壊の起
こりにくい、安定な薄膜EL素子のエージング方法を提
供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、透光性基板上に、互いに直交する方向にマト
リクス状に複数本配列されたストライプ状の透明電極と
背面電極との間に、少なくとも背面電極側に誘電体層を
介してEL発光体層が設けられてなる薄膜EL素子のエ
ーシング方法であって、前記薄膜EL素子の素子温度を
80℃〜150℃の範囲に保ち、前記透明電極と前記背
面電極間に、周波数を50011z以下に定め、パルス
幅を、20μsec〜100μsecの範囲に定め、エ
ージング処理がなされていない薄膜EL素子がICd/
rlの輝度を得るときの発光開始電圧をVthとすると
き、電圧を、(Vth+20)V 〜(Vth+50)
Vの範囲に定めた矩形波交流電力を印加することを特徴
とする。
リクス状に複数本配列されたストライプ状の透明電極と
背面電極との間に、少なくとも背面電極側に誘電体層を
介してEL発光体層が設けられてなる薄膜EL素子のエ
ーシング方法であって、前記薄膜EL素子の素子温度を
80℃〜150℃の範囲に保ち、前記透明電極と前記背
面電極間に、周波数を50011z以下に定め、パルス
幅を、20μsec〜100μsecの範囲に定め、エ
ージング処理がなされていない薄膜EL素子がICd/
rlの輝度を得るときの発光開始電圧をVthとすると
き、電圧を、(Vth+20)V 〜(Vth+50)
Vの範囲に定めた矩形波交流電力を印加することを特徴
とする。
作用
本発明は、薄膜EL素子を適度な温度に加熱しなからエ
ージングをおこなうことによって、絶縁破壊の起こり易
い、高い周波数の矩形波交流電力を素子に与えることな
く、同様なエージング時間の短縮効果を得るものである
。
ージングをおこなうことによって、絶縁破壊の起こり易
い、高い周波数の矩形波交流電力を素子に与えることな
く、同様なエージング時間の短縮効果を得るものである
。
実施例
第1図は、本発明が実施されうる薄111EL素子1の
断面図である。この薄膜EL素子は、以下の手順で作製
した。市販の透明なガラス板2を基板とし、この上に電
子ビーム蒸着法にて基板温度300℃で膜厚200 n
mのITO膜を全面に形成し、写真食刻法を用いてス
トライプ状の所望のパターンに形成し、電極幅160μ
mの透明電極3を得る。次に基板温度400℃で600
nmの厚さにチタン酸化インジウム(SrTiO:+
)膜をスパッタリング法にて形成し、第1誘電体層4と
した。次に基板温度を250℃に保って、マンガン付活
硫化亜鉛(ZnS : Mn)をマンガンの濃度が1モ
ル%になるようして400nmの厚さに電子ビーム蒸着
してEL発光体層5を形成した。蒸着後、引き続いて真
空チャンバ内において550℃の温度で1時間熱処理を
施して、EL発光体層5の特性を向上させた。それから
、この上に50nmさに酸化イツトリウム(Y203>
膜を電子ビーム蒸着することにより、第2誘電体層6を
形成した。
断面図である。この薄膜EL素子は、以下の手順で作製
した。市販の透明なガラス板2を基板とし、この上に電
子ビーム蒸着法にて基板温度300℃で膜厚200 n
mのITO膜を全面に形成し、写真食刻法を用いてス
トライプ状の所望のパターンに形成し、電極幅160μ
mの透明電極3を得る。次に基板温度400℃で600
nmの厚さにチタン酸化インジウム(SrTiO:+
)膜をスパッタリング法にて形成し、第1誘電体層4と
した。次に基板温度を250℃に保って、マンガン付活
硫化亜鉛(ZnS : Mn)をマンガンの濃度が1モ
ル%になるようして400nmの厚さに電子ビーム蒸着
してEL発光体層5を形成した。蒸着後、引き続いて真
空チャンバ内において550℃の温度で1時間熱処理を
施して、EL発光体層5の特性を向上させた。それから
、この上に50nmさに酸化イツトリウム(Y203>
膜を電子ビーム蒸着することにより、第2誘電体層6を
形成した。
なお、このときの基板温度は200℃とした。さらにそ
の上に、アルミニウムを150nmの厚さに電子ビーム
蒸着法を用いて電極幅160μmの1X面電極7を形成
し、素子を完成した。
の上に、アルミニウムを150nmの厚さに電子ビーム
蒸着法を用いて電極幅160μmの1X面電極7を形成
し、素子を完成した。
ここでガラス板2の代わりに、アルミナまたはフォステ
ライトなど通常の薄膜用基板を用いることができる。透
明電極3としては酸化すず(Sn02)や酸化インジウ
ム(1n203)あるいは酸化すずインジウム(ITO
)のような透明導電性膜で形成する。
ライトなど通常の薄膜用基板を用いることができる。透
明電極3としては酸化すず(Sn02)や酸化インジウ
ム(1n203)あるいは酸化すずインジウム(ITO
)のような透明導電性膜で形成する。
第1誘電体層4、第2誘電体層6としては特に限定され
るものではないが、Be、Mg、Y、Ti。
るものではないが、Be、Mg、Y、Ti。
Zr 、Sr 、Hf * Nbr Ta 、Cr *
Mo、 W 、Zn。
Mo、 W 、Zn。
A1.Ga、Siまたはランタナイド元素の酸化物およ
び窒化物、フッ化物などが適しており、これらの混合物
または化合物でもよい。と(にペロブスカイト構造の酸
化物では高誘電率の誘電体層が得られる。
び窒化物、フッ化物などが適しており、これらの混合物
または化合物でもよい。と(にペロブスカイト構造の酸
化物では高誘電率の誘電体層が得られる。
EL発光体層5はたとえば活性物質を含む硫化亜鉛(Z
nS)を用いることができる。活性物質としてはMn、
Cu、Ag、Au、TbFり、5IIIFG 、ErF
s 、TnFり、DyF3 、PrFs + EuF3
などが適当である。EL発光体層4は硫化亜鉛以外のも
のでもよ(、たとえば活性物質を含むSrSやCaSな
どの電場発光を示すものであればよい。
nS)を用いることができる。活性物質としてはMn、
Cu、Ag、Au、TbFり、5IIIFG 、ErF
s 、TnFり、DyF3 、PrFs + EuF3
などが適当である。EL発光体層4は硫化亜鉛以外のも
のでもよ(、たとえば活性物質を含むSrSやCaSな
どの電場発光を示すものであればよい。
透明電極2と背面電極7との間に第4図に示すような波
形の矩形波交流電力を与える。このとき薄膜EL素子の
発光輝度がICd/イを得るときの電圧を発光開始電圧
Vthとすると、このVthはエージング時間とともに
第5図のように変化する。
形の矩形波交流電力を与える。このとき薄膜EL素子の
発光輝度がICd/イを得るときの電圧を発光開始電圧
Vthとすると、このVthはエージング時間とともに
第5図のように変化する。
すなわちVthはエージング時間の初期に比較的大きく
高電圧側へ変化し、ある時間後には安定となる。この時
間をエージング完了時間とすると、従来の条件(室温2
局波数1kllz、パルス幅30μ5ec)によるエー
ジングでは図中の(a)で示すように完了までに70時
間要したが、本発明のエージング方法にかかる条件(素
子温度100℃。
高電圧側へ変化し、ある時間後には安定となる。この時
間をエージング完了時間とすると、従来の条件(室温2
局波数1kllz、パルス幅30μ5ec)によるエー
ジングでは図中の(a)で示すように完了までに70時
間要したが、本発明のエージング方法にかかる条件(素
子温度100℃。
周波数6011z、パルス幅30μ5ec)では図中の
(b)で示すように20時間で完了した。このとき素子
温度のみ室温とした条件では100時間要した(c)。
(b)で示すように20時間で完了した。このとき素子
温度のみ室温とした条件では100時間要した(c)。
絶縁破壊についても、(1〕)と(c)は周波数の高い
(a)に比べて数がすくなく、大きさも小さかった。
(a)に比べて数がすくなく、大きさも小さかった。
透明電極3と背面電極7間に与えられる電力の周波数と
しては、500Hz以下が望ましくこれ以上になると素
子の絶縁破壊の数が急増し、また自己回復形でないモー
ドの絶縁破壊も発生するようになり、好ましくない。パ
ルス幅および電圧は薄膜EL素子の全表示部において所
望の発光s度が得られ、かつ絶縁破壊により素子が破壊
されない卓巨囲に定めな(ではいけないが、パルス幅に
ついては、20μsec以上であれば十分であり、10
0μsecより太き(なると、絶縁破壊が太き(なって
背面電極の断線が発生するようになるので好ましくない
。電圧については発光開始電圧Vthより20V以上高
ければ十分であり、50vを越えるようになると絶縁破
壊の数が増加してくるので効率的でない。素子温度につ
いては、本発明で最も特徴的なものであるが、80℃以
下ではエージング促進の効果が小さく、150℃を越え
ると素子の特性が劣化することがあり、好ましくない。
しては、500Hz以下が望ましくこれ以上になると素
子の絶縁破壊の数が急増し、また自己回復形でないモー
ドの絶縁破壊も発生するようになり、好ましくない。パ
ルス幅および電圧は薄膜EL素子の全表示部において所
望の発光s度が得られ、かつ絶縁破壊により素子が破壊
されない卓巨囲に定めな(ではいけないが、パルス幅に
ついては、20μsec以上であれば十分であり、10
0μsecより太き(なると、絶縁破壊が太き(なって
背面電極の断線が発生するようになるので好ましくない
。電圧については発光開始電圧Vthより20V以上高
ければ十分であり、50vを越えるようになると絶縁破
壊の数が増加してくるので効率的でない。素子温度につ
いては、本発明で最も特徴的なものであるが、80℃以
下ではエージング促進の効果が小さく、150℃を越え
ると素子の特性が劣化することがあり、好ましくない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、薄膜EL素子のエージン
グ方法において、薄膜EL素子を適度な温度に保ちなが
ら矩形波交流電力を与えることによってエージング時間
を短縮することができ絶縁破壊の少ない安定な薄膜EL
素子を提供するこ七ができ、効果が大きい。
グ方法において、薄膜EL素子を適度な温度に保ちなが
ら矩形波交流電力を与えることによってエージング時間
を短縮することができ絶縁破壊の少ない安定な薄膜EL
素子を提供するこ七ができ、効果が大きい。
第1図は本発明が実施されつる薄膜EL素子の構成を示
す断面図、第2図および第3図は薄膜EL素子の絶縁破
壊のタイプを説明するための薄膜2第4図は透明電極3
と背面電極7七の間に与えられる電圧波形を示す波形図
、第5図はエージング時間と発光開始電圧Vthとの関
係を示すグラフである。 1・・・薄膜EL素子、2・・・ガラス基板、3・・・
透明電極、4・・・第1誘電体層、5・・・EL発光体
層、6・・・第2誘電体層、7・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか12第 1 図 第 2U7JII 工邑へ艮七度り置したイ田戸i
第 40 第5図
す断面図、第2図および第3図は薄膜EL素子の絶縁破
壊のタイプを説明するための薄膜2第4図は透明電極3
と背面電極7七の間に与えられる電圧波形を示す波形図
、第5図はエージング時間と発光開始電圧Vthとの関
係を示すグラフである。 1・・・薄膜EL素子、2・・・ガラス基板、3・・・
透明電極、4・・・第1誘電体層、5・・・EL発光体
層、6・・・第2誘電体層、7・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか12第 1 図 第 2U7JII 工邑へ艮七度り置したイ田戸i
第 40 第5図
Claims (1)
- 透光性基板上に、互いに直交する方向にマトリクス状
に複数本配列されたストライプ状の透明電極と背面電極
との間に、少なくとも背面電極側に誘電体層を介してE
L発光体層が設けられてなる薄膜EL素子のエージング
方法であって、前記薄膜EL素子の素子温度を80℃〜
150℃の範囲に保ち、前記透明電極と前記背面電極間
に、周波数を500Hz以下に定め、パルス幅を、20
μsec〜100μsecの範囲に定め、エージング処
理がなされていない薄膜EL素子が1Cd/dの輝度を
得るときの発光開始電圧をVthとするとき、電圧を、
(Vth+20)V〜(Vth+50)Vの範囲に定め
た矩形波交流電力を印加することを特徴とする薄膜EL
素子のエージング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61209895A JPS6366895A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 薄膜el素子のエ−ジング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61209895A JPS6366895A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 薄膜el素子のエ−ジング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6366895A true JPS6366895A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16580421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61209895A Pending JPS6366895A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 薄膜el素子のエ−ジング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6366895A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5925963A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Ti合金冷延板の製造方法 |
JPH0410390A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | エレクトロルミネッセンスランプおよびその輝度安定化方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6041438A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-05 | Norin Suisansyo Shokuhin Sogo Kenkyusho | 冷凍栗の製造法 |
JPS6070694A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | 富士通株式会社 | 薄膜el装置の製造方法 |
JPS61151994A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | 株式会社日立製作所 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP61209895A patent/JPS6366895A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6041438A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-05 | Norin Suisansyo Shokuhin Sogo Kenkyusho | 冷凍栗の製造法 |
JPS6070694A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | 富士通株式会社 | 薄膜el装置の製造方法 |
JPS61151994A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | 株式会社日立製作所 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5925963A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Ti合金冷延板の製造方法 |
JPH0419298B2 (ja) * | 1982-08-02 | 1992-03-30 | Sumitomo Metal Ind | |
JPH0410390A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | エレクトロルミネッセンスランプおよびその輝度安定化方法 |
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