JPH01315993A - 薄膜エレクトロルミネセンス装置とその製造法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス装置とその製造法Info
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- JPH01315993A JPH01315993A JP63146421A JP14642188A JPH01315993A JP H01315993 A JPH01315993 A JP H01315993A JP 63146421 A JP63146421 A JP 63146421A JP 14642188 A JP14642188 A JP 14642188A JP H01315993 A JPH01315993 A JP H01315993A
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＯＡ機器の情報端末等に用いられる薄膜エレ
クトロルミネセンス装置に関する。
クトロルミネセンス装置に関する。
従来の技術
薄膜エレクトロルミネセンス（以下薄１１％ Ｅ Ｌ
ト陥す）装置を用いたデイスプレィとして以下に示すよ
うな方式、構成が提案されている。第２図は、発光体層
の両側に誘電体層を設け、さらにそれを透明電極と背面
電極で挟み込んだ構造をしている。
ト陥す）装置を用いたデイスプレィとして以下に示すよ
うな方式、構成が提案されている。第２図は、発光体層
の両側に誘電体層を設け、さらにそれを透明電極と背面
電極で挟み込んだ構造をしている。
発光体層として緑色発光するＺｎＳ： Ｔｂ、Ｆ。
黄橙色発光するＺｎＳ： Ｍｎを用いたＴＦＥＬデイス
プレイがある。
プレイがある。
第３図に典型的なＥＬデイスプレィの輝度の電圧依存性
を示している。印加電圧が発光開始電圧ｖｔｈを柁える
と発光し始めるがこのとき輝度は急激に立ち」二かる。
を示している。印加電圧が発光開始電圧ｖｔｈを柁える
と発光し始めるがこのとき輝度は急激に立ち」二かる。
このようなＴＦＥＬデイスプレィを用いて階調をイ」け
ようとすると輝度の電圧依存性の傾きをなだらかにして
電圧コントロールを容易にしなければならない。これを
実現しようとすると誘電体層の電気容量を低くしなけれ
ばならず消費電力は増加してしまう。
ようとすると輝度の電圧依存性の傾きをなだらかにして
電圧コントロールを容易にしなければならない。これを
実現しようとすると誘電体層の電気容量を低くしなけれ
ばならず消費電力は増加してしまう。
発明が解決しようとする課題
第２図に示した薄膜ＥＬデイスプレィでは、製法か容易
である利点ををし、電圧で変調するという簡便さもある
か、一方、第３図に示すように輝度−電圧特性が急に立
ち」二がっているために薄膜ＥＬを構成する薄膜の膜質
を均一にしなければ輝度むらが生しるために電圧制御に
よる輝度の階調かとりにくい欠点かある。デイスプレィ
全体を均一に階調を得るためには、誘電体層の電気容ｉ
ｌｌを低くし変調電圧の幅を広くしなければならす、結
果として駆動電力を増してしまう。
である利点ををし、電圧で変調するという簡便さもある
か、一方、第３図に示すように輝度−電圧特性が急に立
ち」二がっているために薄膜ＥＬを構成する薄膜の膜質
を均一にしなければ輝度むらが生しるために電圧制御に
よる輝度の階調かとりにくい欠点かある。デイスプレィ
全体を均一に階調を得るためには、誘電体層の電気容ｉ
ｌｌを低くし変調電圧の幅を広くしなければならす、結
果として駆動電力を増してしまう。
課題を解決するための手段
本発明では、第１誘電体層、発光体層、第２誘電体層を
順次積層し、その両側に電極を設け、その少なくとも一
方の面の電極に透明電極を設け、第１誘電体層および第
２誘電体層の少なくとも一方の層として発光取り出し面
内の一部分或は複数の局所的部分に不連続に異なる電気
容量をもつ誘電体層を設けた薄膜エレクトロルミネセン
ス装置とする。
順次積層し、その両側に電極を設け、その少なくとも一
方の面の電極に透明電極を設け、第１誘電体層および第
２誘電体層の少なくとも一方の層として発光取り出し面
内の一部分或は複数の局所的部分に不連続に異なる電気
容量をもつ誘電体層を設けた薄膜エレクトロルミネセン
ス装置とする。
作用
誘電体層に部分的に異なる電気容量を持つ複合誘電体層
が設定されることにより発光開始電圧が発光絵素内で異
なる部分ができ、輝度の階調をごくわずかな電圧変化で
つけることが可能となる。
が設定されることにより発光開始電圧が発光絵素内で異
なる部分ができ、輝度の階調をごくわずかな電圧変化で
つけることが可能となる。
実施例
実施例１
本発明の一実施例を図に基づいて説明する。
第１図は、本発明の薄膜エレクトロルミネセンス装置の
基本＋？、７成断面間断面図。
基本＋？、７成断面間断面図。
ガラス基板１の上にストライプ状に形成した■Ｔ○透明
電極２ａを成膜し、その」二に、誘電率ε３、膜厚ｄお
の誘電体ａを成膜する。次にストライプ状に形成したＩ
ＴＯ透明電極２ｂを成膜し、その上に、誘電率ε５、膜
厚ｄ、の誘電体すを成膜し、同様にＩＴＯ透明電極２ｃ
、 誘電体Ｃ順次積層し内部透明電極を設けた第１誘
電体屑３を形成した。次に、この上に発光体層４を成膜
し、第２誘電体層５を順に積層し、その上に１ＴＯ電極
と直交するようにストライプ状のアルミニウム電極６を
形成する。ここで第１誘電体層の単位面積当りの電気容
ＪｉＣｉ１は、第４図に示した領域ａ１領域１〕、領域
Ｃでそれぞれ異なる値を持つ。すなわち、領域ａでは、 （Ｊ１ａ＝ （ｄａ／ε、＋ａｂ／εｂ＋ｄ、／ε。）
−１と表され、領域すては、 Ｃ１１ｂ＝ （ｄ ｂ／εｂ＋ａ、、／ε。）−１と表
され、領域Ｃでは、 Ｃ１１ｃｍε。／ｄ０ て表され、各領域の単位当りの電気容量は、Ｃｌ１ａ
＜ Ｃ１１ｂ ＜ Ｃ１１ｃ の関係が成立する。第
２誘電体層には、電気容量Ｃｉ ２を持つ薄膜を用い、
発光体層には、発光開始しきい値電圧Ｖｚｔｈて発光す
る薄膜を用い、第４図に示すごとく」１下に形成された
ＩＴＯ透明電極とアルミニウム電極とで交差しててきた
ＥＬ発光部の各領域ａ、 ｂ、 ｃを第５図の輝度
−電圧特性のごとくとなる。 ここで、各領域の発光
開始しきい値電圧Ｖｔｈａ、Ｖｔｈｂ。
電極２ａを成膜し、その」二に、誘電率ε３、膜厚ｄお
の誘電体ａを成膜する。次にストライプ状に形成したＩ
ＴＯ透明電極２ｂを成膜し、その上に、誘電率ε５、膜
厚ｄ、の誘電体すを成膜し、同様にＩＴＯ透明電極２ｃ
、 誘電体Ｃ順次積層し内部透明電極を設けた第１誘
電体屑３を形成した。次に、この上に発光体層４を成膜
し、第２誘電体層５を順に積層し、その上に１ＴＯ電極
と直交するようにストライプ状のアルミニウム電極６を
形成する。ここで第１誘電体層の単位面積当りの電気容
ＪｉＣｉ１は、第４図に示した領域ａ１領域１〕、領域
Ｃでそれぞれ異なる値を持つ。すなわち、領域ａでは、 （Ｊ１ａ＝ （ｄａ／ε、＋ａｂ／εｂ＋ｄ、／ε。）
−１と表され、領域すては、 Ｃ１１ｂ＝ （ｄ ｂ／εｂ＋ａ、、／ε。）−１と表
され、領域Ｃでは、 Ｃ１１ｃｍε。／ｄ０ て表され、各領域の単位当りの電気容量は、Ｃｌ１ａ
＜ Ｃ１１ｂ ＜ Ｃ１１ｃ の関係が成立する。第
２誘電体層には、電気容量Ｃｉ ２を持つ薄膜を用い、
発光体層には、発光開始しきい値電圧Ｖｚｔｈて発光す
る薄膜を用い、第４図に示すごとく」１下に形成された
ＩＴＯ透明電極とアルミニウム電極とで交差しててきた
ＥＬ発光部の各領域ａ、 ｂ、 ｃを第５図の輝度
−電圧特性のごとくとなる。 ここで、各領域の発光
開始しきい値電圧Ｖｔｈａ、Ｖｔｈｂ。
Ｖｔｈｃは、それぞれ、
Ｖｔｈａ：＝ｖｚｔｈ−Ｃｚ−（ＣＩ２−’ ＋ Ｃ１
ａ−’）。
ａ−’）。
ｖｔｈｂ二Ｖｚｔｈ−Ｃｚ・（Ｃｌ２−’ ＋ Ｃ
１ｂ−’）。
１ｂ−’）。
ＶｔｈＣ＝ＶＺｔｈ−ＣＺ・（ＣＩ２−’ ＋ ｃ
＋ｃ−’）＋と表せるのて、Ｖｔｈｃ ＜ Ｖｔｈｂ
＜ Ｖｔｈａ ノ順になり、駆動電圧を徐々に上げて行
くと、領域Ｃ１ｂＮ ａの順序で発光した。この第１
図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置の電圧−輝
度特性は、第６図のようになり、駆動電圧を変えること
により発光体層の輝度を発光部の面積と輝度の絶対値の
両方を制御できることが確かめられた。また、従来に較
へてわずかな変調電圧の変化に対して輝度の階調がスム
ーズにつけられた。
＋ｃ−’）＋と表せるのて、Ｖｔｈｃ ＜ Ｖｔｈｂ
＜ Ｖｔｈａ ノ順になり、駆動電圧を徐々に上げて行
くと、領域Ｃ１ｂＮ ａの順序で発光した。この第１
図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置の電圧−輝
度特性は、第６図のようになり、駆動電圧を変えること
により発光体層の輝度を発光部の面積と輝度の絶対値の
両方を制御できることが確かめられた。また、従来に較
へてわずかな変調電圧の変化に対して輝度の階調がスム
ーズにつけられた。
さらに発光体層に用いる蛍光体材料としては黄橙色に発
光するＺｎＳ： Ｍｎのほかに、緑色発光するＺｎＳ：
Ｔｂ、ＦあるいはＺｎＳ： Ｔｂ＋ ＰＮ赤色発光
する ＣａＳ：Ｅｕｔ あるいはＺｎＳ：Ｓ ＩＴｈ
青色発光するＺｎＳ： Ｔｍを用いた。また、各第
１．２誘電体層としては、酸化イツトリウム膜、酸化タ
ンタル膜、酸化アルミニウム膜、酸化けい素膜、窒化け
い素膜や、チタン酸ストロンチウム膜で代表されるペロ
ブスカイト形酸化物誘電体膜を用いた。第１表に本発明
に用いた誘電体膜の特性を示した。
光するＺｎＳ： Ｍｎのほかに、緑色発光するＺｎＳ：
Ｔｂ、ＦあるいはＺｎＳ： Ｔｂ＋ ＰＮ赤色発光
する ＣａＳ：Ｅｕｔ あるいはＺｎＳ：Ｓ ＩＴｈ
青色発光するＺｎＳ： Ｔｍを用いた。また、各第
１．２誘電体層としては、酸化イツトリウム膜、酸化タ
ンタル膜、酸化アルミニウム膜、酸化けい素膜、窒化け
い素膜や、チタン酸ストロンチウム膜で代表されるペロ
ブスカイト形酸化物誘電体膜を用いた。第１表に本発明
に用いた誘電体膜の特性を示した。
第１表
木は、アモルファスのチタン酸バリウム。
実施例２
本発明の一実施例を図に基づいて説明する。
第７図は、本発明の薄膜エレクトロルミネセンス装置の
基本構成断面図である。
基本構成断面図である。
ガラス基板１１の上にストライプ状に形成したＩＴＯ透
明電極１２を成膜し、その上に誘電率ε８、膜厚ｄ８の
誘電体ａを成膜する。次に、図示したようにストライプ
状に形成した誘電率εｂ１ 膜厚ｄ、の誘電体すを成
膜し、同様にストライプ状の誘電率ε。、膜厚ｄ０の誘
電体Ｃを順次積層し部分的に異なる電気容量を持つ第１
誘電体層１３を形成した。次に、この上に発光体層１４
を成膜し、第２誘電体層１５を順に積層し、その上にＩ
ＴＯ電極と直交するようにストライプ状のアルミニウム
電極１６を形成する。ここで第１誘電体層の単位面積当
りの電気容量Ｃｉｌは、第８図に示した領域ａ１ 領域
ｂ１ 領域Ｃでそれぞれ異なる値を持つ。すなわち、領
域ａでは、 Ｃ４１ａ＝ Ｃａ ／ ｄ ａ と表され、領域すては、 ＣＨｂ＝ （ｄ ｂ／εｂ十ａ、ａ／εａ）−１と表さ
れ、領域Ｃでは、 ＣＨｃ＝ （ｄａ／ε、十ｄｂ／εｂ＋ｄ、／ε。）−
１で表され、各領域の単位当りの電気容量は、Ｃｕｅ
＜ Ｃ１１ｂ ＜ Ｃ１１ａ の関係が成立する。第
２誘電体層には、電気容量Ｃｉ２を持つ薄膜を用い、発
光体層には、発光開始しきい値電圧Ｖｚｔｈで発光する
薄膜を用いると第８図に示すごとく上下に形成されたＩ
ＴＯ透明電極とアルミニウム電極とで交差してできたＥ
Ｌ発光部の領域ａｌ ｂ、 ｃは、第９図の輝度−
電圧特性のごとくとなる。ここで、各領域の発光開始し
きい値電圧Ｖｔｈａ、 Ｖｔｈｂ 、Ｖｔｈｃは、
それぞれ、 Ｖｔｈａ＝Ｙｚｔｈ−Ｃｚ（Ｃｕ２−’ ＋ Ｃ１ａ−
’）。
明電極１２を成膜し、その上に誘電率ε８、膜厚ｄ８の
誘電体ａを成膜する。次に、図示したようにストライプ
状に形成した誘電率εｂ１ 膜厚ｄ、の誘電体すを成
膜し、同様にストライプ状の誘電率ε。、膜厚ｄ０の誘
電体Ｃを順次積層し部分的に異なる電気容量を持つ第１
誘電体層１３を形成した。次に、この上に発光体層１４
を成膜し、第２誘電体層１５を順に積層し、その上にＩ
ＴＯ電極と直交するようにストライプ状のアルミニウム
電極１６を形成する。ここで第１誘電体層の単位面積当
りの電気容量Ｃｉｌは、第８図に示した領域ａ１ 領域
ｂ１ 領域Ｃでそれぞれ異なる値を持つ。すなわち、領
域ａでは、 Ｃ４１ａ＝ Ｃａ ／ ｄ ａ と表され、領域すては、 ＣＨｂ＝ （ｄ ｂ／εｂ十ａ、ａ／εａ）−１と表さ
れ、領域Ｃでは、 ＣＨｃ＝ （ｄａ／ε、十ｄｂ／εｂ＋ｄ、／ε。）−
１で表され、各領域の単位当りの電気容量は、Ｃｕｅ
＜ Ｃ１１ｂ ＜ Ｃ１１ａ の関係が成立する。第
２誘電体層には、電気容量Ｃｉ２を持つ薄膜を用い、発
光体層には、発光開始しきい値電圧Ｖｚｔｈで発光する
薄膜を用いると第８図に示すごとく上下に形成されたＩ
ＴＯ透明電極とアルミニウム電極とで交差してできたＥ
Ｌ発光部の領域ａｌ ｂ、 ｃは、第９図の輝度−
電圧特性のごとくとなる。ここで、各領域の発光開始し
きい値電圧Ｖｔｈａ、 Ｖｔｈｂ 、Ｖｔｈｃは、
それぞれ、 Ｖｔｈａ＝Ｙｚｔｈ−Ｃｚ（Ｃｕ２−’ ＋ Ｃ１ａ−
’）。
Ｖｔｈｂ＝Ｖｚｔｈ−Ｃｚ・（Ｃ１０−’ ＋ Ｃ１ｂ
−’）。
−’）。
Ｖｔｈｃ＝Ｖｚｔｈ−Ｃｚ・（Ｃ１２−’ ＋ Ｃ１ｃ
−’）。
−’）。
と表せるのて、Ｖｔｈａ ｃ Ｖｔｈｂ ＜ Ｖｔｈｃ
の順になり、駆動電圧を徐々に上げて行（と、領域ａ１
ｂ１ｃの順序で発光した。この第７図に示した本発明の
一実施例の薄膜ＥＬ装置の電圧−輝度特性は、第１０図
のようになり、駆動電圧を変えることにより発光体層の
輝度を発光部の面積と輝度の絶対値の両方を制御できる
ことか確かめられた。また、従来に較へてわずかな変調
電圧の変化に対して輝度の階調がスムーズにつけられた
。
の順になり、駆動電圧を徐々に上げて行（と、領域ａ１
ｂ１ｃの順序で発光した。この第７図に示した本発明の
一実施例の薄膜ＥＬ装置の電圧−輝度特性は、第１０図
のようになり、駆動電圧を変えることにより発光体層の
輝度を発光部の面積と輝度の絶対値の両方を制御できる
ことか確かめられた。また、従来に較へてわずかな変調
電圧の変化に対して輝度の階調がスムーズにつけられた
。
さらに発光体層に用いる蛍光体制わ１としては黄橙色に
発光するＺｎＳ：Ｍｎのほかに、緑色発光するＺｎＳ：
Ｔ＋）、ＦあるいはＺｎＳ： Ｔ＋）、ＰＮ赤色発光
する ＣａＳ：Ｅｕ１ あるいはＺ ｎ Ｓ ：Ｓ ｆ
ｆｈ 青色発光するＺｎＳ：Ｔｍを用いた。また、各
第１．２誘電体層としては、酸化イツトリウム膜、酸化
タンタル膜、酸化アルミニウム膜、酸化けい素膜、窒化
けい素膜や、チタン酸ストロンチウム膜で代表されるペ
ロブスカイト形酸化物誘電体膜を用いた。第１表に本発
明に用いた誘電体膜の特性を示した。第１１図は、本発
明の一実施例の薄膜ＥＬ装置の基本構成断面図であり、
第２誘電体層の電気容量を局所的に変えた場合を示して
おり、前述の第１０図と同様の効果か確認された。
発光するＺｎＳ：Ｍｎのほかに、緑色発光するＺｎＳ：
Ｔ＋）、ＦあるいはＺｎＳ： Ｔ＋）、ＰＮ赤色発光
する ＣａＳ：Ｅｕ１ あるいはＺ ｎ Ｓ ：Ｓ ｆ
ｆｈ 青色発光するＺｎＳ：Ｔｍを用いた。また、各
第１．２誘電体層としては、酸化イツトリウム膜、酸化
タンタル膜、酸化アルミニウム膜、酸化けい素膜、窒化
けい素膜や、チタン酸ストロンチウム膜で代表されるペ
ロブスカイト形酸化物誘電体膜を用いた。第１表に本発
明に用いた誘電体膜の特性を示した。第１１図は、本発
明の一実施例の薄膜ＥＬ装置の基本構成断面図であり、
第２誘電体層の電気容量を局所的に変えた場合を示して
おり、前述の第１０図と同様の効果か確認された。
また、第１２図には、本発明の一実施例の薄膜Ｅ−Ｉ＋
− Ｉ、装置の基本構成断面図を示しているかこの＋Ｉ＋￥
成おいても前述の第１０図と同様の効果を確認した。
− Ｉ、装置の基本構成断面図を示しているかこの＋Ｉ＋￥
成おいても前述の第１０図と同様の効果を確認した。
さらに、それぞれの実施例に示した発光する領域ａ、
ｂ、 ｃは、できる限り近接したほうが視認性が向
」ニすることか確認された。
ｂ、 ｃは、できる限り近接したほうが視認性が向
」ニすることか確認された。
発明の効果
本発明によれば、赤、青、緑、黄橙色を明瞭に階調をイ
」けて発光する薄膜エレクトロルミネセンス装置がてき
、ＯＡ機器用端末、テレビジョン用画像表示装置として
のフラットデイスプレィが供給できる。
」けて発光する薄膜エレクトロルミネセンス装置がてき
、ＯＡ機器用端末、テレビジョン用画像表示装置として
のフラットデイスプレィが供給できる。
第１図は本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセン
ス装置の基本構成断面図、第２図は、従来例である薄膜
Ｅ Ｌ素子の断面構造図、第３図は、従来の薄膜Ｅ Ｌ
素子の動作原理を示す図、第４図は、本発明の一実施例
の薄膜エレクトロルミネセンス装置の正面部分図、第５
図は、本発明の一実施例の薄膜Ｅ Ｌ装置の任意の領域
の輝度−電圧特性を示す図、第６図は、本発明の一実施
例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の輝度と駆動電圧
の関係を示す図、第７図は本発明の一実施例の薄膜エレ
クトロルミネセンス装置の基本構成断面図、第８図は、
本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の
正面部分図、第９図は、本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装
置の任意の領域の輝度−電圧特性を示す図、第１０図は
、本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置
の輝度と駆動電圧の関係を示す図、第１１図は本発明の
一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の基本構成
断面図、第１２図は本発明の一実施例の薄膜エレクトロ
ルミネセンス装置の基本（・ＩＩｌ成断面断面図る。 １・・・・カラス基板、２ａ＞ ２ｂ、２ｃ・・・・
透明電極、、ａｂｃ誘電体、３・・・第１誘電体層、４
・・・・発光体層し、５・・・・第２誘電体層、６・・
・・アルミニウム電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名く閉 嶋 黴躬（汎較餠員） 第６図 印加電圧 ５印 ；１（鯵 → ト 区 豐豚（田−齋目 塚
ス装置の基本構成断面図、第２図は、従来例である薄膜
Ｅ Ｌ素子の断面構造図、第３図は、従来の薄膜Ｅ Ｌ
素子の動作原理を示す図、第４図は、本発明の一実施例
の薄膜エレクトロルミネセンス装置の正面部分図、第５
図は、本発明の一実施例の薄膜Ｅ Ｌ装置の任意の領域
の輝度−電圧特性を示す図、第６図は、本発明の一実施
例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の輝度と駆動電圧
の関係を示す図、第７図は本発明の一実施例の薄膜エレ
クトロルミネセンス装置の基本構成断面図、第８図は、
本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の
正面部分図、第９図は、本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装
置の任意の領域の輝度−電圧特性を示す図、第１０図は
、本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置
の輝度と駆動電圧の関係を示す図、第１１図は本発明の
一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の基本構成
断面図、第１２図は本発明の一実施例の薄膜エレクトロ
ルミネセンス装置の基本（・ＩＩｌ成断面断面図る。 １・・・・カラス基板、２ａ＞ ２ｂ、２ｃ・・・・
透明電極、、ａｂｃ誘電体、３・・・第１誘電体層、４
・・・・発光体層し、５・・・・第２誘電体層、６・・
・・アルミニウム電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名く閉 嶋 黴躬（汎較餠員） 第６図 印加電圧 ５印 ；１（鯵 → ト 区 豐豚（田−齋目 塚
Claims (3)
- （１） 第１誘電体層、発光体層、第２誘電体層を順次
積層し、その両側に電極を設け、その少なくとも一方の
面の電極に透明電極を設け、前記第１誘電体層および第
２誘電体層の少なくとも一方の層が、発光取り出し面内
の一部分或は複数の局所的部分において不連続に異なる
電気容量をもつ誘電体層を設けたことを特徴とする薄膜
エレクトロルミネセンス装置。 - （２） 第１誘電体層、発光体層、第２誘電体層を順次
積層し、その両側に電極を設け、その少なくとも一方の
面の電極に透明電極を設け、第１誘電体層および第２誘
電体層の少なくとも一方の層中に、発光取り出し面内の
一部分或は複数の局所的部分に内部透明電極層を設けた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜エレ
クトロルミネセンス装置。 - （３） 特許請求の範囲第１項または第２項記載の薄膜
エレクトロルミネセンス装置を製造する方法であって、
法第１誘電体層および第２誘電体層の少なくとも一方の
中に発光取り出し面内の一部分或は複数の局所的部分に
設ける内部透明電極層が、局所的部分からなる透明電極
膜と誘電体膜を交互に成膜されることを特徴とする薄膜
エレクトロルミネセンス装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63146421A JPH01315993A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 薄膜エレクトロルミネセンス装置とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63146421A JPH01315993A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 薄膜エレクトロルミネセンス装置とその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01315993A true JPH01315993A (ja) | 1989-12-20 |
Family
ID=15407307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63146421A Pending JPH01315993A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 薄膜エレクトロルミネセンス装置とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01315993A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100696490B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP63146421A patent/JPH01315993A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100696490B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
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