KR100608198B1 - 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법 및 화상 표시 장치 - Google Patents
메탈백이 달린 형광면의 형성 방법 및 화상 표시 장치 Download PDFInfo
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Abstract
이 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법은 형광면 상에 형성된 금속막의 소정 영역을, 그 금속막을 용해 또는 산화하는 액을 이용하여 용해 및 제거하거나 혹은 고저항화하는 공정을 갖는다. 금속막의 일부를 제거 혹은 고저항화한 후, 그 잔류 단부에 절연성 또는 고저항성의 무기 재료를 피착할 수도 있다. 또한, 용해 또는 산화액에 절연성 또는 고저항성의 무기 재료를 첨가하여, 금속막을 용해 및 제거 혹은 고저항화하는 처리를 행하는 동시에, 처리 단부에 무기 재료를 피착할 수도 있다. 이와 같이 하여, 방전에 의한 전자 방출 소자나 형광면의 파괴 및 열화가 방지된 메탈백이 달린 형광면을 얻을 수 있다.
페이스 플레이트, 광흡수층, 형광체층, 리어 플레이트, 지지 프레임
Description
본 발명은 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법 및 메탈백이 달린 형광면을 갖는 화상 표시 장치에 관한 것이다.
종래부터, 음극선관(CRT)이나 필드 이미션 디스플레이(FED) 등의 화상 표시 장치에 있어서는, 형광체층의 내면(페이스 플레이트와 반대측의 면)에 금속막이 형성된 메탈백 방식의 형광면이 널리 채용되어 있다.
이 금속막은, 메탈백층이라 불리우며, 전자원으로부터 방출된 전자에 의해 형광체로부터 발생된 빛 중에서, 전자원측으로 진행되는 빛을 페이스 플레이트측으로 반사하여 휘도를 높이는 것 및 형광체층에 도전성을 부여하여 애노드 전극의 역할을 담당하는 것을 목적으로 한다. 또한, 진공 케이싱 내 잔류 가스가 전리되어 발생하는 이온에 의해, 형광체층이 손상을 받는 것을 방지하는 기능을 갖고 있다.
그러나, 특히 FED에서는 형광면을 갖는 페이스 플레이트와 전자 방출 소자를 갖는 리어 플레이트 사이의 갭(간극)이 1 내지 수 ㎜ 정도로 좁고, 이 매우 좁은 간극에 10 ㎸ 전후의 고전압이 인가되어 강전계가 형성되기 때문에, 장시간 화상을 형성하면 방전(진공 아크 방전)이 발생되기 쉽다는 문제가 있었다.
그리고, 그와 같은 이상 방전이 발생하면 수 A 내지 수백 A에 이르는 큰 방전 전류가 순간적으로 흐르기 때문에, 캐소드부의 전자 방출 소자나 애노드부의 형광면이 파괴되거나 혹은 손상을 받을 우려가 있었다.
이상 방전이 발생된 경우의 손상을 완화하기 위해, 애노드 전극으로서 사용하고 있는 메탈백층(도전막)에 간극을 마련하고, 지그재그형(사행형)이나 스파이럴형(나선형)으로 형성하는 기술이 일본 특허 공개 제2000-311642호, 일본 특허 공개 제2000-251797호, 일본 특허 공개 제2000-326583호 등에 제안되어 있다. 그리고, 애노드 전극을 지그재그형 등으로 가공 및 형성하는 방법으로서, 레이저에 의한 절단이나 메탈 마스크에 의한 증착 방법이 개시되어 있다.
그러나, 상기한 화상 표시 장치에서는 애노드 전극을 절단 가공하기 위해, 레이저 발생 장치 등의 고가이면서 대규모인 장치를 요할 뿐만 아니라, 애노드부와 캐소드부 사이의 방전을 방지하는 효과가 충분하지 않다는 문제가 있었다.
본 발명은 이들 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 방전에 의한 전자 방출 소자나 형광면의 파괴 혹은 열화가 방지된 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법 및 휘도 열화가 억제되어 고휘도, 고품위의 표시가 가능한 화상 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법은, 페이스 플레이트 내면에 광흡수층과 형광체층이 소정의 패턴으로 배열된 형광면을 형성하는 공정과, 상기 형 광면 상에 금속막을 형성하는 공정과, 상기 금속막을 용해 또는 산화하는 액을 이용하여 상기 금속막의 소정 영역을 제거 혹은 고저항화하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 화상 표시 장치는 상기한 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법에 의해 형성된 메탈백이 달린 형광면을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 화상 표시 장치의 다른 태양은, 페이스 플레이트와 상기 페이스 플레이트에 대향 배치된 리어 플레이트를 갖는 케이싱과, 상기 리어 플레이트 상에 형성된 복수의 전자 방출 소자와, 상기 페이스 플레이트 상에 상기 리어 플레이트에 대향하여 형성되고, 상기 전자 방출 소자로부터 방출되는 전자선에 의해 발광하는 형광면을 구비하고, 상기 형광면이 상기한 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법에 의해 형성된 메탈백이 달린 형광면인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법에 있어서, 광흡수층 상에 위치하는 금속막 영역의 적어도 일부에, 상기 금속막을 용해 또는 산화하는 액을 피착할 수 있다. 그리고, 금속막을 용해 또는 산화하는 액으로서, pH가 5.5 이하인 산성액 또는 pH가 9 이상인 알칼리성액을 사용할 수 있다.
또한, 금속막의 일부를 제거 혹은 고저항화한 후, 상기 금속막의 잔류 단부에 결착성을 갖는 절연성 또는 고저항성의 무기 재료를 피착할 수 있다. 또, 금속막을 용해 또는 산화하는 액으로서, pH가 5.5 이하인 산성액 또는 pH가 9 이상인 알칼리성액에 결착성을 갖는 절연성 또는 고저항성의 무기 재료를 첨가하여 이루어지는 혼합액을 사용하고, 상기 혼합액이 도포된 부분의 금속막을 제거 혹은 고저항 화하는 동시에, 상기 금속막의 잔류 단부에 상기 무기 재료를 피착할 수 있다.
본 발명의 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법에 있어서는, 형광면 상에 형성된 금속막의 소정 영역에 대해 금속막을 용해 또는 산화하는 액을 이용하여 처리함으로써, 이 액에 의해 처리된 부분의 금속막이 용해되어 제거되거나 혹은 전기 저항치가 높은 산화물로 변성된다. 그 결과, 이 금속막을 애노드 전극으로 하는 화상 표시 장치에 있어서 방전의 발생이 억제되며, 방전이 발생한 경우 방전 전류의 피크치가 억제된다. 그리고, 이와 같이 방전시에 방출되는 에너지 최대치가 저감되는 결과, 전자 방출 소자나 형광면의 파괴 및 열화가 방지된다.
도1은 본 발명의 제1 실시 형태에서 형성되는 메탈백이 달린 형광면의 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도2는 제1 실시 형태의 메탈백이 달린 형광면을 애노드 전극으로 하는 FED의 구조를 도시하는 단면도이다.
도3은 제1 실시 형태의 메탈백이 달린 형광면을 갖는 FED에 있어서, 방전 전류의 시간 경과적 변화를 나타내는 그래프이다.
도4는 본 발명의 제1 실시예에서 형성된 메탈백이 달린 형광면을 구비한 컬러 FED를 도시하는 사시도이다.
다음에, 본 발명의 적절한 실시 형태에 대해 설명한다. 또, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 실시 형태에 있어서는, 우선 페이스 플레이트 내면에 흑색 안료로 이루어지는 소정의 패턴(예를 들어, 스트라이프형)의 광흡수층을 포토리소법에 의해 형성한 후, ZnS계, Y2O3계, Y2O2S계 등의 형광체액을 슬러리법 등으로 도포 및 건조하고, 포토리소법을 이용하여 패터닝을 행하고, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3색의 형광체층을 형성한다. 또, 각 색의 형광체층의 형성을 스프레이법이나 인쇄법으로 행할 수도 있다. 이러한 스프레이법이나 인쇄법에 있어서도, 필요에 따라서 포토리소법에 의한 패터닝을 병용할 수 있다.
다음에, 이와 같이 하여 형성된 형광면 상에 메탈백층을 형성한다. 메탈백층을 형성하기 위해서는, 예를 들어 스핀법으로 형성된 니트로셀룰로스 등의 유기 수지로 이루어지는 얇은 막 상에 알루미늄(Al) 등의 금속막을 진공 증착에 의해 형성하고, 또한 소성하여 유기물을 제거하는 방법을 채용할 수 있다. 또, 이하에 도시한 바와 같이 전사 필름을 이용하여 메탈백층을 형성할 수도 있다.
전사 필름은, 베이스 필름 상에 이형제층(필요에 따라 보호막)을 거쳐서 Al 등의 금속막과 접착제층이 차례로 적층된 구조를 구비하고 있고, 이 전사 필름을 접착제층이 형광체층에 접하도록 배치하여 압박 처리를 행한다. 압박 방식으로서는 스탬프 방식 및 롤러 방식 등이 있다. 이와 같이 하여, 전사 필름을 압박하여 금속막을 접착한 후에 페이스 필름을 박리함으로써, 형광면에 금속막이 전사된다.
계속해서, 이와 같이 하여 형성된 메탈백층(금속막)의 소정 영역에 이 금속막을 용해 또는 산화하는 액(이하, 용해 또는 산화액이라 나타냄)을 도포하고, 액 이 도포된 부분의 금속막을 용해하여 제거하거나 혹은 금속에 비해 전기 저항이 높은 산화물로 변성한다.
여기서, 금속막에 용해 또는 산화액을 도포하는 영역은 하층의 형광면에 있어서 광흡수층 상에 위치하는 영역의 적어도 일부인 것이 바람직하다. 이와 같이 구성한 경우에는, 용해 또는 산화액의 도포부에 있어서 금속막의 용해 혹은 고저항화에 의해 금속 본래의 반사성이 없어져도 반사성 저하에 의해 야기되는 휘도 저하의 영향을 최소한으로 억제할 수 있다.
또한, 금속막을 용해 또는 산화하는 액으로서는, pH가 5.5 이하인 산성액 또는 pH가 9 이상인 알칼리성액을 사용할 수 있다. 산성액으로서는 인산, 옥살산 등의 수용액을 예로 들 수 있고, 알칼리성액으로서는 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨 등의 수용액을 예로 들 수 있다.
이들 액을 도포하는 방법으로서는 잉크젯 방식에 의한 도포 방법 혹은 개공(開孔)을 갖는 마스크를 사용하여 스프레이 등으로 도포하는 방법 등을 이용할 수 있다.
이와 같이 하여, 상기한 용해 또는 산화액을 도포한 후 450 ℃ 정도의 온도로 가열 처리함으로써, 광흡수층에 대응하는 메탈백층(금속막) 영역의 적어도 일부가 제거되거나, 혹은 고저항의 산화물로 변성된다. 또, 용해 또는 산화액의 도포는 가열 처리에 의한 유기물의 제거 후라도 가능하며, 이 경우는 보다 약한 산성액 또는 알칼리성액을 이용하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하여 얻어지는 메탈백이 달린 형광면을 도1에 도시한다. 도면 중, 부호 1은 유리 기판(페이스 플레이트), 2는 광흡수층(차광층), 3은 형광체층, 4는 Al막과 같은 금속막(메탈백층), 5는 금속막의 용해 및 제거부 혹은 금속 산화물로 이루어지는 고저항부를 나타낸다.
이러한 메탈백이 달린 형광면을 애노드 전극으로 하는 FED를 도2에 도시한다. 이 FED에서는 메탈백이 달린 형광면(6)을 갖는 페이스 플레이트(7)와, 매트릭스형으로 배열된 전자 방출 소자(8)를 갖는 리어 플레이트(9)가 1 내지 수 ㎜ 정도의 좁은 갭(간극)(G)을 거쳐서 대향 배치되고, 페이스 플레이트(7)와 리어 플레이트(9)의 매우 좁은 간극(G)에 5 내지 15 ㎸의 고전압이 인가되도록 구성되어 있다.
페이스 플레이트(7)와 리어 플레이트(9)의 간극이 매우 좁기 때문에, 이들 사이에서 방전(절연 파괴)이 일어나기 쉽지만, 본 발명의 제1 실시 형태에서 형성된 메탈백이 달린 형광면을 갖는 FED에서는 이상 방전의 발생이 억제되는 데다가, 도3에 (a)로 나타낸 바와 같이 방전이 발생한 경우의 방전 전류의 피크치가 억제되어 에너지의 순간적인 집중이 방지된다. 그리고, 방전 에너지의 최대치가 저감되는 결과, 전자 방출 소자나 형광면의 파괴 및 손상이나 열화가 방지된다.
또한, 이 FED에서는 금속막의 용해 및 제거부 혹은 금속 산화물로 이루어지는 고저항부가 광흡수층에 대응하는 영역에 한정되어 있으므로, 메탈백층의 반사 효과가 거의 감소되지 않는다. 따라서, 발광 휘도의 실질적 저하가 발생되지 않는다.
또, 종래의 FED에 있어서의 방전 전류의 시간 경과적 변화를 도3에 (b)로 나타낸다. 종래의 FED에서는 방전 전류의 피크치가 커 방전 에너지가 방전된 순간에 집중하기 때문에, 전자 방출 소자나 형광체층(형광면)에 손상이 발생되기 쉽다.
그런데, 용해 또는 산화액의 도포에 의해 금속막이 용해 및 제거되거나 혹은 고저항화된 결과, 남은 금속막의 제거부 혹은 고저항부와의 경계 단부는, 예를 들어 톱니 모양이 되는 등 뾰족한 형상을 이루기 때문에, 이 부분에 전계가 집중되기 쉽다. 그리고, 이 예각부에 전계가 집중되어 방전이 유발되는 경우가 있다. 그 경우, 방전 에너지의 피크치는 저감되지만 방전 횟수는 오히려 증가해 버릴 우려가 있다.
이를 방지하기 위해, 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서는 메탈백층(금속막)에 용해 또는 산화액을 도포하여 도포부의 금속막을 용해 및 제거하거나 혹은 고저항 산화물로 변성한 후, 용해 및 제거 혹은 고저항화된 금속막의 잔류 단부에 결착성을 갖는 절연성 또는 고저항성의 무기 재료를 피착한다.
결착성의 절연성 무기 재료로서는, 플리트 유리, 실리카, 알루미나 등을 예로 들 수 있다. 또한, 메탈백층을 구성하는 금속보다 고저항성의 무기 재료로서는 흑연, 카본블럭, 도전성 금속 산화물 등을 예로 들 수 있다. 이들 재료를 스크린 인쇄, 스프레이 도포 등의 방법으로 도포하여 용해 및 제거되거나 혹은 고저항화되어 남은 금속막의 단부에 피복한다.
제2 실시 형태에서는 전계의 국부적 집중에 의한 방전을 방지하여, 보다 내전압성이 우수한 형광면을 얻을 수 있다. 그리고, 메탈백이 달린 형광면의 내전압 특성이 보다 안정적으로 향상되므로, 방전 횟수도 현저히 저감된다.
또한, 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서는 상기한 용해 또는 산화액에 결착 성을 갖는 절연성 또는 고저항성의 무기 재료를 첨가한 혼합액을 사용하고, 이 혼합액이 도포된 부분의 금속막을 용해 및 제거하거나 혹은 고저항화하는 동시에, 남은 금속막의 단부를 절연성 또는 고저항성의 무기 재료에 의해 피복한다.
제3 실시 형태에서는 내전압 특성이 보다 안정적으로 향상되고, 방전의 발생이 현저히 저감되는 메탈백이 달린 형광면을 최소의 공정수로 효율적으로 형성할 수 있다.
다음에, 본 발명을 화상 표시 장치(FED)에 적용한 구체적 실시예에 대해 설명한다.
<제1 실시예>
유리 기판에 흑색 안료로 이루어지는 스트라이프형 광흡수층(차광층)을 포토리소법에 의해 형성한 후, 차광부와 차광부 사이에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3색의 형광체층을 스트라이프형으로 각각이 인접하도록 포토리소법에 의해 패터닝하여 형성하였다. 이와 같이 하여 형광면을 형성하였다.
계속해서, 이 형광면 상에 메탈백층을 형성하였다. 즉, 형광면 상에 아크릴 수지를 주성분으로 하는 유기 수지 용액을 도포 및 건조하여 유기 수지층을 형성한 후, 그 위에 진공 증착에 의해 Al막을 형성하고, 이어서 450 ℃의 온도에서 30분간 가열 소성하여 유기분을 분해 및 제거하였다.
계속해서, 이 Al막 상에 광흡수층 상에 대응하는 위치에 개공을 갖는 메탈 마스크를 이용하여, 기판 온도를 50 ℃로 유지하여 수산화 나트륨(NaOH) 5 ％, 잔부 물로 이루어지는 용액을 스프레이에 의해 도포한 후, 450 ℃의 온도에서 10분간 베이킹을 행하였다.
이러한 액의 도포 및 베이킹에 의해, 액 도포부의 Al막이 산화되고 1010 Ω/□(단위 면적 ; 이하 동일) 대의 표면 저항율을 갖는 고저항층이 되었다. 그리고, 도전성의 Al막에 이 고저항 Al 산화물층의 스트라이프형의 패턴이 형성되었다.
다음에, 이러한 메탈백이 달린 형광면을 갖는 패널을 페이스 플레이트로서 사용하여 통상적인 방법에 의해 FED를 제작하였다. 우선, 기판 상에 표면 전도형 전자 방출 소자를 매트릭스형으로 복수 형성한 전자 발생원을 배면 유리 기판에 고정하여 리어 플레이트를 제작하였다.
계속해서, 이 리어 플레이트와 상기 유리 패널(페이스 플레이트)을 지지 프레임 및 스페이서를 거쳐서 대향 배치하고, 플리트 유리에 의해 봉착하였다. 이 때, 페이스 플레이트와 리어 플레이트와의 간극은 2 ㎜로 하였다. 계속해서, 진공 배기, 밀봉 등 필요한 처리를 실시하여 도4에 도시한 구조를 갖는 FED를 완성하였다. 또, 도면 중 부호 10은 리어 플레이트, 11은 기판, 12는 표면 전도형 전자 방출 소자, 13은 지지 프레임, 14는 페이스 플레이트, 15는 메탈백이 달린 형광면을 나타낸다.
이와 같이 하여 제1 실시예에서 얻어진 FED의 내압 특성을 통상적인 방법에 의해 측정 평가하였다. 방전에 이르지 않는 최대 전압(최대 내전압)은, 종래 구조의 것이 8 ㎸인 데 반해, 제1 실시예에서는 10 ㎸가 되었다. 또한, 탈락 입자에 의한 산발 방전 에너지의 최대치도 20 ％까지 감소되어 전자원의 손상이나 형광막의 박리를 방지할 수 있었다.
<제2 실시예>
제1 실시예와 마찬가지로 형광면에 Al막을 형성한 후, NaOH 5 ％, Na계 물 유리 1 ％, 잔부 물로 이루어지는 처리액을 사용하고, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 Al막 상으로의 도포 및 베이킹을 행하였다.
이러한 액의 도포 및 베이킹에 의해, 도포부의 Al막이 산화되고, 1010 Ω/□ 대의 표면 저항율을 갖는 고저항층이 되었다. 그리고, 도전성의 Al막에 이 고저항 Al 산화물층의 스트라이프형의 패턴이 형성되었다. 또한, 현미경 관찰에 의해 Al막의 단부(Al 산화물층과의 경계부)에 말림이 없는 것이 확인되었다.
다음에, 이러한 메탈백이 달린 형광면을 갖는 패널을 페이스 플레이트로서 사용하고, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 FED를 제작하였다.
이와 같이 하여, 제2 실시예에서 얻어진 FED의 내압 특성을 통상적인 방법에 의해 측정 평가하였다. 방전에 이르지 않는 최대 전압(최대 내전압)은 12 ㎸로 제1 실시예보다 향상되었다. 또한, 탈락 입자에 의한 산발 방전 에너지의 최대치도 20 ％로 제1 실시예와 동등하게 개선이 보이고, 보다 높은 전압에서의 동작이 가능해 전자원의 손상이나 형광막의 박리 방지 효과를 얻을 수 있다.
<제3 실시예>
제1 실시예와 마찬가지로 형광면에 Al막을 형성한 후, 이하에 나타내는 조성을 갖는 잉크 조성물을 광흡수층 상에 위치하는 Al막의 영역에 인쇄하여, 450 ℃에 서 30분간 베이킹을 행하였다.
처리 후 Al막의 표면 저항율을 측정한 바, 잉크가 인쇄되어 있지 않은 부분의 표면 저항율이 약 1 Ω/□인 데 반해, 인쇄된 부분의 표면 저항율은 105 Ω/□ 대이고 잉크의 인쇄 및 베이킹 의해 도포부의 Al막이 용해 및 제거된 것이 확인되었다.
다음에, 이러한 메탈백이 달린 형광면을 갖는 패널을 페이스 플레이트로서 사용하고, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 FED를 제작하였다.
이와 같이 하여, 제3 실시예에서 얻어진 FED의 내압 특성을 통상적인 방법에 의해 측정 평가하였다. 방전에 이르지 않는 최대 전압(최대 내전압)은 15 ㎸로 제1 실시예보다 향상되었다. 또한, 탈락 입자에 의한 산발 방전 에너지의 최대치도 15 ％로 제1 실시예와 동등 또는 그 이상의 개선이 보이고, 더 높은 전압에서의 동작이 가능해 전자원의 손상이나 형광막의 박리 방지 효과를 얻을 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 방전 전류의 피크치가 억제되기 때문에, 전자 방출 소자나 형광면의 파괴 혹은 열화가 방지된 메탈백이 달린 형광면을 얻을 수 있다. 따라서, 그와 같은 형광면을 갖는 화상 표시 장치에 있어서는, 내전압 특성이 대폭으로 개선되는 데다가 고휘도에서 휘도 열화가 없는 고품위의 표시를 실현할 수 있다.
Claims (9)
- 페이스 플레이트 내면에 광흡수층과 형광체층이 소정의 패턴으로 배열된 형광면을 형성하는 공정과,상기 형광면 상에 금속막을 형성하는 공정과,상기 금속막을 용해 또는 산화하는 액을 이용하여, 상기 금속막의 소정 영역을 제거 혹은 고저항화하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막에 있어서 상기 광흡수층 상에 위치하는 영역의 적어도 일부에 상기 금속막을 용해 또는 산화하는 액을 피착하는 것을 특징으로 하는 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속막을 용해 또는 산화하는 액으로서 pH가 5.5 이하인 산성액 또는 pH가 9 이상인 알칼리성액을 사용하는 것을 특징으로 하는 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막의 일부를 제거 혹은 고저항화한 후, 상기 금속막의 잔류 단부에 결착성을 갖는 절연성 또는 고저항성의 무기 재료를 피착하는 것을 특징으로 하는 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막을 용해 또는 산화하는 액으로서, pH가 5.5 이하인 산성액 또는 pH가 9 이상인 알칼리성액에 결착성을 갖는 절연성 또는 고저항성의 무기 재료를 첨가하여 이루어지는 혼합액을 사용하고, 상기 혼합액이 도포된 부분의 상기 금속막을 제거 혹은 고저항화하는 동시에, 상기 금속막의 잔류 단부에 상기 무기 재료를 피착하는 것을 특징으로 하는 메탈백이 달린 형광면의 형성 방법.
- 페이스 플레이트 내면에 제1항, 제2항, 제4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 형성된 메탈백이 달린 형광면을 구비하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
- 페이스 플레이트와, 상기 페이스 플레이트와 대향 배치된 리어 플레이트를 갖는 케이싱과, 상기 리어 플레이트 상에 형성된 복수의 전자 방출 소자와, 상기 페이스 플레이트 상에 상기 리어 플레이트에 대향하여 형성되고, 상기 전자 방출 소자로부터 방출되는 전자선에 의해 발광하는 형광면을 구비하고, 상기 형광체면이 제1항, 제2항, 제4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 형성된 메탈백이 달린 형광면인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
- 페이스 플레이트 내면에 제3항에 기재된 방법에 의해 형성된 메탈백이 달린 형광면을 구비하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
- 페이스 플레이트와, 상기 페이스 플레이트와 대향 배치된 리어 플레이트를 갖는 케이싱과, 상기 리어 플레이트 상에 형성된 복수의 전자 방출 소자와, 상기 페이스 플레이트 상에 상기 리어 플레이트에 대향하여 형성되고, 상기 전자 방출 소자로부터 방출되는 전자선에 의해 발광하는 형광면을 구비하고, 상기 형광체면이 제3항에 기재된 방법에 의해 형성된 메탈백이 달린 형광면인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
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