KR100607806B1 - 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법에 관한 것이다.
본 발명의 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법은 출력 이득의 균일도를 개선하기 위한 저항의 배치 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 저항 R1, R2, 소자분리층 및 능동 더미 형성 영역을 정의하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 상기 소자분리층을 형성할 영역 사이에 능동 마스크로 능동 더미 패턴을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 소자분리층을 형성하는 단계; 상기 소자분리층 상부에 폴리 저항 R1 및 R2를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법은 저항과 저항사이의 공간에 소자분리층 깊이 이상의 스페이스를 가지는 능동 더미(Active Dummy)를 적용함으로써 저항의 폭 균일도가 개선되는 장점이 있고, 이로 인한 DC 컨버터 출력 이득이 균일해지는 효과가 있으며, 소자의 신뢰성이 향상되고 제품의 수율이 향상되는 효과가 있다.
능동더미, 직류컨버터, 출력이득, 균일도

Description

직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법{Method for improving the output gain uniformity}
도 1은 종래의 DC-DC 컨버터의 저항 배치도.
도 2는 종래의 DC-DC 컨버터의 저항 단면도.
도 3은 본 발명의 저항 배치도.
도 4는 본 발명의 저항 형성 단면도.
도 5는 본 발명의 저항 형성 단면도.
본 발명은 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 DC 컨버터의 저항과 저항사이의 공간에 소자분리층 깊이 이상의 스페이스를 가지는 능동 더미(Active Dummy)를 적용하여 DC 컨버터 저항의 폭 균일도를 개선하고, 이로 인한 DC 컨버터 출력 이득이 균일해지도록 하는 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법에 관한 것이다.
일반적으로 수동소자를 제조함에 있어 아날로그 소자의 잡음(Noise) 마진(Margin)을 증가 시키기 위하여 넓은 STI(Shallow trench isolation) 상부에 배치하게 되는데, 이 때 STI 공정과정 중 STI 화학기계적연마(Chemical mechanical planarisation; 이하 CMP라 칭함)시 디싱(Dishing)이 발생하게 되고, 이로 인하여 상부에 형성되는 수동소자의 특성을 결정하는 라인(Line)의 폭(Width)이 변하게 되어 그 특성이 목표치(target)와 차이를 보이게 되어 원하는 회로(Circuit)의 특성에 문제를 야기하게 된다.
DC 컨버터(converter)의 경우 도 1과 같이 출력 이득(Output Gain)을 R1저항과 R2 저하의 비율에 의해서 결정되는데, 이득(Gain)은 (R1+R2)/R2와 같으며, 여기에 사용되는 수동소자 저항(Resistor)은 잡음 영향(Noise effect)을 제거하기 위하여 STI 상부에 위치하게 된다. 그런데, STI 공정(Process) 과정 중 STI 공정에서 넓은 STI의 경우 CMP 디싱이 도 2와 같이 발생하게 되고 이후 저항을 정의하는 과정에서 R1지역과 R2 지역의 저항 폭이 달라지면서 R1과 R2의 비율이 달라져서 결국 DC 컨버터의 출력 이득이 목표치와 달라지게 되고 또한 웨이퍼 내부에서의 디싱 정도에 따라서 이득 변동이 발생하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, DC 컨버터의 저항과 저항사이의 공간에 소자분리층 깊이 이상의 스페이스를 가지는 능동 더미(Active Dummy)를 적용하여 DC 컨버터 저항의 폭 균일도를 개선하 고, 이로 인한 DC 컨버터 출력 이득이 균일해지도록 하는 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 출력 이득의 균일도를 개선하기 위한 저항의 배치 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 저항 R1, R2, 소자분리층 및 능동 더미 형성 영역을 정의하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 상기 소자분리층을 형성할 영역 사이에 능동 마스크로 능동 더미 패턴을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 소자분리층을 형성하는 단계; 상기 소자분리층 상부에 폴리 저항 R1 및 R2를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법을 포함하여 이루어진 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 3은 본 발명의 저항 배치도를 나타낸 것이다. 즉, DC 컨버터의 수동소자로 사용되는 저항(100)을 형성하기 위한 배치도이다. 상기 배치는 STI CMP시 디싱을 방지하기 위하여 저항(100)과 저항(100)사이에 능동 더미(Active Dummy)(110) 패턴(Pattern)을 형성하게 하는 것이다. 이때 능동 더미(110)와 저항 (100)사이의 스페이스(space)(S)는 최소한 STI 깊이(Depth)보다는 크게 배치를 하여 능동 더미에 의한 커플링 잡음(Coupling noise)으로 인한 문제를 해결하는 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 저항 형성 단면도를 나타낸 것이다. 즉, 도 4는 도 3에 도시된 능동 더미(110)를 포함한 능동 마스크(Active mask)를 이용하여 STI 공정을 완료한 후의 단면도이다. 이때 수동소자가 형성되는 넓은 STI 지역은 능동 더미(110)로 인하여 CMP 디싱 현상이 발생하지 않게 된다.
도 5는 본 발명의 저항 형성 단면도로서, 도 4의 STI(130)상부위에 폴리(Poly) 저항(140) R1 및 R2를 형성한 후의 단면도이다. 이때 형성되는 폴리 저항은 STI(130)와의 겹침(Overlap)(S) 간격(Spacing)이 STI 깊이(Depth)(D)보다 크거나 같게 하여 수동소자가 능동 더미(110)로 인한 잡음을 줄여주는 것이 바람직하다.
본 발명의 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법은 다음과 같은 절차로 수행된다. 우선, 실리콘 기판상에 저항 R1, R2, 소자분리층 및 능동 더미 형성 영역을 정의하고, 상기 실리콘 기판 상에 상기 소자분리층을 형성할 영역 사이에 능동 마스크로 능동 더미 패턴을 형성하게 된다. 다음으로 상기 실리콘 기판 상에 소자분리층을 STI 공정을 통해 형성하게 된다. 마지막으로 상기 소자분리층 상부에 폴리 저항 R1 및 R2를 형성하는 단계를 거쳐 STI 공정과정 중 STI 화학기계적연마(CMP)시 디싱(Dishing)이 발생하게 되고, 이로 인하여 상부에 형성되는 수동소자의 특성을 결정하는 라인(Line)의 폭(Width)이 변동을 막아 저항 선폭의 균일도 및 그로 인한 출력의 균일도를 개선하게 된다.
상기와 같은 과정을 통해 수동소자의 선폭을 일정하게 하여 R1과 R2의 비율을 일정하게 하고, 이는 DC 컨버터의 출력 이득을 목표치에 맞추게 된다. 또한 웨이퍼 내부에서의 저항의 선폭 균일도를 개선함으로써 출력 이득의 균일도도 개선되 게 된다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
본 발명의 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법은 저항과 저항사이의 공간에 소자분리층 깊이 이상의 스페이스를 가지는 능동 더미(Active Dummy)를 적용함으로써 저항의 폭 균일도가 개선되는 장점이 있고, 이로 인한 DC 컨버터 출력 이득이 균일해지는 효과가 있으며, 소자의 신뢰성이 향상되고 제품의 수율이 향상되는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 출력 이득의 균일도를 개선하기 위한 저항의 배치 방법에 있어서,
    실리콘 기판상에 저항 R1, R2, 소자분리층 및 능동 더미 형성 영역을 정의하는 단계;
    상기 실리콘 기판 상에 상기 소자분리층을 형성할 영역 사이에 능동 마스크로 능동 더미 패턴을 형성하는 단계;
    상기 실리콘 기판 상에 소자분리층을 형성하는 단계;
    상기 소자분리층 상부에 폴리 저항 R1 및 R2를 형성하는 단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 능동 더미와 상기 폴리 저항사이의 간격은 상기 소자분리층의 깊이와 같은 것을 특징으로 하는 직류 컨버터의 출력 이득 균일도 개선 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11545480B2 (en) * 2018-06-29 2023-01-03 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with single level routing

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990012133A (ko) * 1997-07-28 1999-02-25 문정환 반도체소자의 격리영역 형성방법
KR20000000933A (ko) * 1998-06-05 2000-01-15 김영환 반도체 소자에서의 소자격리구조 및 그 격리방법
KR20010096353A (ko) * 2000-04-18 2001-11-07 박종섭 활성영역을 이용한 저항 형성구조
KR20020031491A (ko) * 2000-10-20 2002-05-02 윤종용 더미패턴을 이용한 더미 커패시터 및 그 형성방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6238993B1 (en) * 1999-04-27 2001-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Polysilicon load for 4T SRAM operation at cold temperatures
JP4982921B2 (ja) * 2001-03-05 2012-07-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7141485B2 (en) * 2003-06-13 2006-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Shallow trench isolation structure with low sidewall capacitance for high speed integrated circuits

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990012133A (ko) * 1997-07-28 1999-02-25 문정환 반도체소자의 격리영역 형성방법
KR20000000933A (ko) * 1998-06-05 2000-01-15 김영환 반도체 소자에서의 소자격리구조 및 그 격리방법
KR20010096353A (ko) * 2000-04-18 2001-11-07 박종섭 활성영역을 이용한 저항 형성구조
KR20020031491A (ko) * 2000-10-20 2002-05-02 윤종용 더미패턴을 이용한 더미 커패시터 및 그 형성방법

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