KR100577519B1

KR100577519B1 - 전기동 도금방법, 전기동 도금용 함인동 애노드 및 이들을사용하여 도금한 파티클 부착이 적은 반도체 웨이퍼

Info

Publication number: KR100577519B1
Application number: KR1020037008562A
Authority: KR
Inventors: 오카베타케오; 아이바아키히로; 세키구찌쥰노스케; 미야시타히로히또; 사와무라이치로
Original assignee: 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈
Priority date: 2001-10-22
Filing date: 2002-07-11
Publication date: 2006-05-10
Also published as: JP2003129295A; CN1529774A; KR20030063466A; TW562880B; EP1344849A4; WO2003035943A1; EP1344849B1; EP2019154A1; JP4076751B2; US20040007474A1; EP1344849A1; CN100343423C; US7138040B2

Abstract

전기동 도금을 행할 시에 애노드로서 함인동을 사용하며, 전해시의 양극 전류 밀도가 3A/d㎡ 이상인 경우에는 상기 함인동 애노드의 결정 입경을 10∼1500㎛로 하고, 전해시의 양극 전류 밀도가 3A/d㎡ 미만인 경우에는 상기 함인동 애노드의 결정 입경을 5∼1500㎛로 한 애노드를 사용하여 전기동 도금을 행하는 것을 특징으로 하는 전기동 도금방법에 관한 것이다.

도금액 중의 애노드측에서 발생하는 슬러지 등의 파티클의 발생을 억제하여, 반도체 웨이퍼에의 파티클의 부착을 방지하는 반도체 웨이퍼의 전기동 도금방법 및 전기동 도금용 함인동 애노드 및 이들을 사용하여 도금한 파티클 부착이 적은 반도체 웨이퍼를 제공하는 것이다.

전기동 도금방법, 전기동 도금용 함인동 애노드

Description

전기동 도금방법, 전기동 도금용 함인동 애노드 및 이들을 사용하여 도금한 파티클 부착이 적은 반도체 웨이퍼{ELECTROLYTIC COPPER PLATING METHOD, PHOSPHOROUS COPPER ANODE FOR ELECTROLYTIC COPPER PLATING METHOD, AND SEMICONDUCTOR WAFER HAVING LOW PARTICLE ADHESION PLATED WITH SAID METHOD AND ANODE}

본 발명은 전기동(電氣銅) 도금시에 도금 욕(浴) 중의 애노드(양극)측에서 발생하는 슬러지 등의 파티클의 발생을 억제하며, 특히 반도체 웨이퍼에의 파티클의 부착을 방지하는 전기동 도금방법, 전기동 도금용 함인동(含燐銅) 애노드 및 이들을 사용하여 전기동 도금을 한 파티클 부착이 적은 반도체 웨이퍼에 관한 것이다.

일반적으로 전기동 도금은 PWB(프린트 배선판)등에 있어서 동(銅)배선 형성용으로서 사용되고 있지만, 최근에는 반도체의 동배선 형성용으로서 사용되도록 되어 왔다. 전기동 도금은 역사가 길고, 많은 기술적 축적이 있어 오늘에 이르고 있지만, 이 전기동 도금을 반도체의 동배선 형성용으로서 사용하는 경우에는 PWB에서는 문제가 되지 않았던 새로운 문제점이 발생하였다.

통상 전기동 도금을 행하는 경우, 애노드로서 함인동이 사용되고 있다. 이것은 백금, 티타늄, 산화 이리디움 제 등의 불용성(不溶性) 애노드를 사용하는 경우, 도금액 중의 첨가제가 애노드 산화의 영향을 받아 분해하여 도금 불량이 발생하기 때문이며, 또한 가용성 애노드의 전기동이나 무산소 동을 사용한 경우, 용해시에 1가(價)의 동의 불균화반응(不均化反應)에 기인하는 금속동이나 산화동으로 이루어지는 슬러지 등의 파티클이 대량으로 발생하여 피도금물을 오염해버리기 때문이다.

이에 대하여 함인동 애노드를 사용한 경우, 전해에 의해 애노드 표면에 인화동(燐化銅)이나 염화동(鹽化銅) 등으로 이루어지는 블랙 필름이 형성되어 1가의 동의 불균화 반응에 의한 금속동이나 산화동의 생성을 억제하여 파티클의 발생을 억제하는 것이 가능하다.

그러나 상기와 같이 애노드로서 함인동을 사용하는 경우에도 블랙 필름의 탈락이나 블랙 필름의 엷은 부분에 금속동이나 산화동의 생성이 있기 때문에 완전하게 파티클의 생성이 억제되어지지는 아니한다.

그렇기 때문에 통상적으로 애노드 백(bag)이라고 불려지는 여과포로서 애노드를 둘러싸서 파티클이 도금액에 도달하는 것을 방지하고 있다.

그러나 이러한 방법을, 특히 반도체 웨이퍼에의 도금에 적용한 경우, 상기와 같은 PWB 등에의 배선 형성에서는 문제가 되지 않았던 미세한 파티클이 반도체 웨이퍼에 도달하여 이것이 반도체에 부착하여 도금 불량의 원인으로 되는 문제가 발생하였다.

(발명의 개시)

본 발명은 전기동 도금을 행할 시에, 도금액 중의 애노드측에서 발생하는 슬 러지 등의 파티클의 발생을 억제하며, 특히 반도체 웨이퍼에의 파티클의 부착을 방지하는 전기동 도금방법, 전기동 도금용 함인동 애노드 및 이들을 사용하여 전기동 도금한 파티클 부착이 적은 반도체 웨이퍼를 제공하는 것을 과제로 한다.

상기의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명자들은 예의 연구를 행한 결과 전극의 재료를 개량하여 애노드에서의 파티클의 발생을 억제하는 것에 의해 파티클 부착이 적은 반도체 웨이퍼 등을 안정하게 제조할 수 있다는 것을 알아내었다.

본 발명은 이 알아낸 것을 기초하여,

1. 전기동 도금을 행할 시에 애노드로서 함인동을 사용하며, 전해시의 양극 전류

밀도가 3A/d㎡ 이상인 경우에는 상기 함인동 애노드의 결정 입경(粒徑)을 10∼

1500㎛로 하고, 전해시의 양극 전류 밀도가 3A/d㎡ 미만인 경우에는 상기 함인

동 애노드의 결정 입경을 5∼1500㎛로 한 애노드를 사용하여 전기동 도금을 행

하는 것을 특징으로 하는 전기동 도금방법

2. 전기동 도금을 행할 시에 애노드로서 함인동을 사용하며, 전해시의 양극 전류

밀도가 3A/d㎡ 이상인 경우에는 상기 함인동 애노드의 결정 입경을 20∼700㎛로

하고, 전해시의 양극 전류 밀도가 3A/d㎡ 미만인 경우에는 상기 함인동 애노드

의 결정 입경을 10∼700㎛로 한 애노드를 사용하여 전기동 도금을 행하는 것을

특징으로 하는 전기동 도금방법

3. 함인동 애노드의 인 함유율이 50∼2000wt ppm인 것을 특징으로 하는 상기 1 또

는 2 기재의 전기동 도금방법

4. 전기동 도금을 행할 시에 애노드로서 함인동을 사용함과 동시에, 함인동 애노드

의 표면에 미리 결정 입경 1∼100㎛의 미세 결정층을 형성하는 것을 특징으로

하는 전기동 도금방법

5. 전기동 도금을 행할 시에 애노드로서 함인동을 사용함과 동시에, 함인동 애노드

하는 상기 1∼3의 각각에 기재된 전기동 도금방법

6. 함인동 애노드 표면에 인화동 및 염화동을 주성분으로 하는 두께 1000㎛이하의

블랙 필름층을 가지는 것을 특징으로 하는 상기 1∼3 또는 5의 각각에 기재된

전기동 도금방법

7. 전기동 도금을 행하는 애노드에 있어서 애노드로서 함인동을 사용하며, 이 함인

동 애노드의 결정 입경이 5∼1500㎛인 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인

동 애노드

8. 전기동 도금을 행하는 애노드에 있어서 애노드로서 함인동을 사용하며, 이 함인

동 애노드의 결정 입경이 10∼700㎛인 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인

동 애노드

9. 함인동 애노드의 인 함유율이 50∼2000wt ppm인 것을 특징으로 하는 상기 7 또

는 8 기재의 전기동 도금용 함인동 애노드

10. 전기동 도금을 행하는 애노드에 있어서 애노드로서 함인동을 사용함과 동시에,

함인동 애노드의 표면에 미리 형성된 결정 입경 1∼100㎛의 미세 결정층을 가

지는 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인동 애노드

11. 전기동 도금을 행하는 애노드에 있어서 애노드로서 함인동을 사용함과 동시에,

지는 것을 특징으로 하는 상기 7∼9의 각각에 기재된 전기동 도금용 함인동 애

노드

12. 함인동 애노드 표면에 인화동 및 염화동을 주성분으로 하는 두께 1000㎛이하의

블랙 필름층을 가지는 것을 특징으로 하는 상기 7∼9 또는 11의 각각에 기재된

전기동 도금용 함인동 애노드

13. 반도체 웨이퍼에의 전기동 도금인 것을 특징으로 하는 상기 1∼12의 각각에 기

재된 전기동 도금방법 및 전기동 도금용 함인동 애노드

14. 상기 1∼13의 각각에 기재된 전기동 도금방법 및 전기동 도금용 함인동 애노드

를 사용하여 도금한 파티클 부착이 적은 반도체 웨이퍼

를 제공하는 것이다.

(발명의 실시의 형태)

도 1에 반도체 웨이퍼의 전기동 도금방법에 사용하는 장치의 예를 나타낸다. 이 동도금 장치는 황산동 도금액 2를 가지는 도금조(槽) 1을 구비하고 있다. 애노드로서 함인동 애노드로 이루어지는 애노드 4를 사용하며, 캐소드에는 도금을 실시하기 위한, 예를 들면 반도체 웨이퍼로 한다.

상기한 바와 같이 전기(電氣) 도금을 행할 시에, 애노드로서 함인동을 사용하는 경우에는 표면에 인화동 및 염화동을 주성분으로 하는 블랙 필름이 형성되어, 이것이 상기 애노드 용해시의 1가의 동의 불균화 반응에 기인하는 금속동이나 산화동 등으로 이루어지는 슬러지 등의 파티클의 생성을 억제하는 기능을 가진다.

그러나, 블랙 필름의 생성속도는 애노드의 전류밀도, 결정 입경, 인 함유율 등의 영향을 강하게 받아 전류밀도가 높을수록, 결정 입경이 작을수록, 또 인 함유율이 높을수록 빠르게 되어, 그 결과 블랙 필름은 두껍게 되는 경향이 있는 것을 알았다.

반대로, 전류밀도가 낮을수록, 결정 입경이 클수록, 인 함유율이 낮을수록 생성속도는 느리게 되어, 그 결과 블랙 필름은 엷게 된다.

상기한 바와 같이 블랙 필름은 금속동이나 산화동 등의 파티클 생성을 억제하는 기능을 가지지만, 블랙 필름이 너무 두꺼운 경우에는 그것이 박리 탈락하여, 그 자체가 파티클 발생의 원인으로 되는 큰 문제가 발생한다. 반대로 너무 엷으면 금속동이나 산화동 등의 생성을 억제하는 효과가 적게되는 문제가 있다.

따라서 애노드에서의 파티클의 발생을 억제하기 위해서는 전류밀도, 결정 입경, 인 함유율의 각각을 최적화하여 적당한 두께의 안정된 블랙 필름을 형성하는 것이 극히 중요한 것을 알았다.

본 발명은 상기 최적치를 나타내는 함인동 애노드를 제안하는 것이다. 본 발명의 함인동 애노드는 전해시의 양극 전류밀도가 3A/d㎡ 이상인 경우에는 함인동 애노드의 결정 입경을 10∼1500㎛ 바람직하게는 20∼700㎛로 하고, 전해시의 양극 전류밀도가 3A/d㎡ 미만인 경우에는 상기 함인동 애노드의 결정 입경을 5∼1500㎛ 바람직하게는 10∼700㎛로 한다.

더욱이 함인동 애노드의 인 함유율은 파티클의 발생을 억제시키기 위한 적절한 조성비율로서 50∼2000wt ppm으로 하는 것이 바람직하다.

상기의 함인동 애노드를 사용하는 것에 의해 전기동 도금시에 함인동 애노드 표면에 인화동 및 염화동을 주성분으로 하는 두께 1000㎛ 이하의 블랙 필름층을 형성하는 것이 가능하다.

통상 전기동 도금을 행하는 경우의 양극 전류밀도는 1∼5A/d㎡이지만, 블랙 필름이 생성되지 않은 새로운 애노드로서 도금을 할 경우, 전해 초기부터 높은 전류밀도로서 전해를 행하면 밀착성이 좋은 블랙 필름이 얻어지지 않기 때문에 0.5A/d㎡ 정도의 낮은 전류밀도로서 수 시간에서 1일간 약(弱) 전해를 행하고 난 후, 본 전해에 들어가는 것이 필요하다.

그러나 이러한 공정은 비효율적인 것이므로 전기동 도금을 행함에 있어서 함인동 애노드의 표면에 미리 결정 입경 1∼100㎛의 미세 결정층을 형성한 후 전해를 행하면, 상기와 같은 장시간이 걸리는 약 전해의 시간을 단축하여 생산효율을 높일 수가 있다.

물론 미리 소정의 두께의 블랙 필름을 형성한 함인동 애노드를 사용하는 경우에는, 상기와 같은 약 전해에 의한 예비적 처리는 불필요하다.

이러한 본 발명의 함인동 애노드를 사용하여 전기동 도금을 행하는 것에 의해 슬러지 등의 발생을 현저하게 감소시키는 것이 가능하고, 파티클이 반도체 웨이퍼에 도달하여 그것이 반도체 웨이퍼에 부착되어 도금 불량의 원인이 되는 것은 없어졌다.

본 발명의 함인동 애노드를 사용한 전기동 도금은, 특히 반도체 웨이퍼에의 도금에 유용하지만 세선화(細線化)가 되고 있는 타 분야의 동도금에 있어서도 파티 클에 기인하는 도금 불량률을 감소시키는 방법으로서 유효한 것이다.

상기한 바와 같이 본 발명의 함인동 애노드는 금속동이나 산화동으로 이루어지는 슬러지 등의 파티클의 대량 발생을 억제하여 피도금물의 오염을 현저하게 감소시킨다는 효과도 있지만, 종래 불용성 애노드를 사용하는 것에 의해 발생하고 있는 도금액 중의 첨가제의 분해 및 이것에 의한 도금 불량의 발생도 없다.

도금액으로서 황산동 : 10∼70g/L(Cu), 황산 : 10∼300g/L, 염소이온 : 20∼100mg/L, 첨가제 (닛코 메탈 프레팅 회사제품 : 상품명 CC-1220) : 1 mL/L 등을 적당량 사용할 수 있다. 또, 황산동의 순도는 99.9% 이상으로 하는 것이 바람직하다.

기타 도금 욕온 15∼35℃, 음극 전류밀도 0.5∼5.5A/d㎡, 양극 전류밀도 0.5∼5.5A/d㎡, 도금 시간 0.5∼100hr로 하는 것이 바람직하다. 상기에 도금 조건의 가장 좋은 예를 나타냈지만 반드시 상기의 조건에 제한될 필요는 없다.

도 1은, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 전기동 도금방법에 있어서 사용하는 장치의 개념도이다.

다음에, 본 발명의 실시예에 관하여 설명한다. 또한, 본 실시예는 어디까지나 일례이고, 이 예에 제한되지 않는다. 즉 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 실시예 이외의 태양 혹은 변형을 전부 포함하는 것이다.

(실시예1∼4)

표1에 나타낸 바와 같이 애노드로서 인 함유율이 300∼600wt ppm의 함인동을 사용하고, 음극에는 반도체 웨이퍼를 사용하였다. 이들의 함인동 애노드의 결정 입경은 10∼200㎛이었다.

도금액으로서 황산동 : 20∼55g/L(Cu), 황산 : 10∼200g/L, 염소이온 : 60mg/L, 첨가제[광택제, 계면활성제](닛코 메탈 프레팅 회사제품 : 상품명 CC-1220 ) : 1 mL/L를 사용하였다. 도금액 중의 황산동의 순도는 99.99% 이었다.

도금 조건은 도금 욕온 30℃, 음극 전류밀도 1.0∼5.0 A/d㎡, 양극 전류밀도 1.0∼5.0 A/d㎡, 도금 시간 19∼96hr이다. 상기의 조건을 표1에 나타낸다.

도금 후, 파티클의 발생량 및 도금 외관을 관찰하였다. 그 결과를 동일하게 표1에 나타낸다.

또 파티클의 량은 상기 전해 후, 도금액을 0.2㎛의 필터로 여과하고, 이 여과물의 중량을 측정하였다.

또한 도금 외관은 상기 전해 후, 피도금물을 교환하여 3min의 도금을 행하여 이상도금, 흐림 얼룩, 부풀음, 이상석출, 이물부착 등의 유무를 눈으로 관찰하였다.

이상의 결과 본 실시예 1∼4에서는 파티클의 량이 1mg 미만이고 도금 외관은 양호하였다.

(실시예 5∼8)

표2에 나타낸 바와 같이 애노드로서 인 함유율이 500wt ppm의 함인동을 사용하고, 음극에는 반도체 웨이퍼를 사용하였다. 이들의 함인동 애노드의 결정 입경은 200㎛이었다.

도금액으로서 황산동 : 55g/L(Cu), 황산 : 10g/L, 염소이온 : 60mg/L, 첨가제[광택제, 계면활성제](닛코 메탈 프레팅 회사제품 : 상품명 CC-1220) : 1 mL/L 를 사용하였다. 도금액 중의 황산동의 순도는 99.99% 이었다.

도금 조건은 도금 욕온 30℃, 음극 전류밀도 1.0∼5.0 A/d㎡, 양극 전류밀도 1.0∼5.0 A/d㎡, 도금 시간 24∼48hr 이다.

상기 실시예 5∼8에서는 특히 사전에 애노드의 표면에 결정 입경 5㎛ 및 10㎛의 미세 결정층을 두께 100㎛로 형성한 것 및 블랙 필름을 100㎛ 및 200㎛ 형성한 예를 나타낸다.

상기의 조건을 표2에 나타낸다.

도금 후, 파티클의 발생량 및 도금 외관을 관찰하였다. 그 결과를 동일하게 표2에 나타낸다. 또 파티클 량 및 도금 외관의 관찰은 상기 실시예 1∼4와 동일한 수법에 의하였다.

이상의 결과, 본 실시예 5∼8에서는 파티클의 량이 1mg 미만이고 도금 외관은 양호하였다.

또 표2에 나타낸 바와 같이 실시예 1∼4에 비해 비교적 낮은 전류밀도에서도 단시간에 소정의 도금이 얻어졌다. 이것은 사전에 애노드의 표면에 결정 입경 5㎛ 및 10㎛의 미세 결정층을 두께 100㎛로 형성한 것 및 블랙 필름을 100㎛ 및 200㎛ 형성한 것에 의한 것이라고 생각되어진다.

따라서 함인동 애노드의 표면에 미리 형성한 결정 입경 1∼100㎛의 미세 결정층 또는 블랙 필름층을 형성하는 것은 파티클이 없는 안정된 도금피막을 단시간에 형성하기 위하여 유효한 것임을 알았다.

(비교예 1∼4)

표3에 나타낸 바와 같이 애노드로서 인 함유율이 500wt ppm의 함인동을 사용하고, 음극에는 반도체 웨이퍼를 사용하였다. 이들의 함인동 애노드의 결정 입경은 어느 것이나 본 발명의 범위 외인 3㎛ 또는 2000㎛의 것을 사용하였다.

도금 조건은 도금 욕온 30℃, 음극 전류밀도 1.0∼5.0 A/d㎡, 양극 전류밀도 1.0∼5.0 A/d㎡, 도금 시간 19∼96hr 이다. 상기의 조건을 표3에 나타낸다.

도금 후, 파티클의 발생량 및 도금 외관을 관찰하였다. 그 결과를 동일하게 표3에 나타낸다.

또 파티클 량 및 도금 외관은 상기 실시예와 동일한 조건으로 측정 및 관찰하였다. 이상의 결과, 비교예 1∼3에서는 파티클의 량이 425∼2633mg에 달하였으며, 또한 도금 외관도 불량이었다.

이러한 함인동 애노드의 결정 입경이 과도하게 큰 경우에도, 또한 너무 작은 경우에도 파티클의 발생이 증대한다라는 것을 확인할 수 있었다. 따라서 함인동 애노드의 최적화가 중요함을 알았다.

본 발명은 전기동 도금을 행할 시에 도금액 중의 애노드측에서 발생하는 슬러지 등에 의한 파티클의 발생을 억제하여 반도체 웨이퍼에의 파티클의 부착을 극히 감소할 수 있다는 우수한 효과를 가진다.

Claims

전기동 도금을 행할 시에 애노드로서 함(含)인동을 사용하며, 전해시의 양극 전류 밀도가 3A/d㎡ 이상인 경우에는 상기 함인동 애노드의 결정 입경을 10∼1500㎛로 하고, 전해시의 양극 전류 밀도가 3A/d㎡ 미만인 경우에는 상기 함인동 애노드의 결정 입경을 5∼1500㎛로 한 애노드를 사용하여 전기동(銅) 도금을 행하는 것을 특징으로 하는 전기동 도금방법
전기동 도금을 행할 시에 애노드로서 함인동을 사용하며, 전해시의 양극 전류 밀도가 3A/d㎡ 이상인 경우에는 상기 함인동 애노드의 결정 입경을 20∼700㎛로 하고, 전해시의 양극 전류 밀도가 3A/d㎡ 미만인 경우에는 상기 함인동 애노드의 결정 입경을 10∼700㎛로 한 애노드를 사용하여 전기동 도금을 행하는 것을 특징으로 하는 전기동 도금방법
제1항 또는 제2항에 있어서, 전기동 도금의 진행과 동시에 블랙 필름이 형성되는 전기동 도금방법
제3항에 있어서, 함인동 애노드 표면에 인화동 및 염화동을 주성분으로 하는 두께1000㎛ 이하의 블랙 필름을 가지는 것을 특징으로 하는 전기동 도금방법
전기동 도금을 행할 시에 애노드로서 함인동을 사용함과 동시에, 함인동 애노드의 표면에 미리 결정 입경 5∼100㎛의 미세 결정층을 형성하며, 다시 그 위에 전해에 의해 블랙 필름을 형성하는 것을 특징으로 하는 전기동 도금방법
제5항에 있어서, 함인동 애노드 표면에 인화동 및 염화동(鹽化銅)을 주성분으로 하는 두께 1000㎛이하의 블랙 필름을 가지는 것을 특징으로 하는 전기동 도금방법
제1항 또는 제2항에 있어서, 전기동 도금을 행할시 애노드로서 함인동을 사용함과 동시에, 함인동 애노드의 표면에 미리 결정 입경 5∼100㎛의 미세 결정층을 형성하며, 다시 그 위에 전해에 의해 블랙 필름을 형성하는 것을 특징으로 하는 전기동 도금방법
제7항에 있어서, 함인동 애노드 표면에 인화동 및 염화동을 주성분으로 하는 두께 1000㎛ 이하의 블랙 필름을 가지는 것을 특징으로 하는 전기동 도금방법
제1항, 제2항, 제4항, 제5항, 제6항, 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 함인동 애노드의 인 함유율이 50∼2000wt ppm인 것을 특징으로 하는 전기동 도금방법
전기동 도금을 행하는 애노드로서, 애노드로 함인동을 사용하며, 이 함인동 애노드의 결정입경이 5∼1500㎛인 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인동 애노드
전기동 도금을 행하는 애노드로서, 애노드로 함인동을 사용하며, 이 함인동 애노드의 결정 입경이 10∼700㎛인 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인동 애노드
제10항에 있어서, 전기동 도금의 진행과 동시에 형성되는 블랙 필름을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인동 애노드
제11항에 있어서, 전기동 도금의 진행과 동시에 형성되는 블랙 필름을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인동 애노드
전기동 도금을 행하는 애노드로서, 애노드로 함인동을 사용함과 동시에 함인동 애노드의 표면에 미리 형성된 결정입경 5~100㎛의 미세 결정층과 그 위에 전해에 의해 형성된 블랙 필름을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 도금용 함인동 애노드
제12항, 제13항 또는 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 함인동 애노드 표면에 인화동 및 염화동을 주성분으로 하는 두께 1000㎛ 이하의 블랙 필름층을 가지는 것을 특징으로 하는 전기동 도금 용 함인동 애노드
제10항에 있어서, 전기동 도금을 행하는 애노드에 있어서, 애노드로서 함인동을 사용함과 동시에 함인동 애노드의 표면에 미리 형성된 결정입경이 5~100㎛의 미세 결정층과 그 위에 전해에 의해 형성된 블랙 필름을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인동 애노드
제11항에 있어서, 전기동 도금을 행하는 애노드에 있어서, 애노드로서 함인동을 사용함과 동시에 함인동 애노드의 표면에 미리 형성된 결정입경 5~100㎛의 미세 결정층과 그 위에 전해에 의해 형성된 블랙 필름을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인동 애노드
제16항 또는 제17항에 있어서, 함인동 애노드 표면에 인화동 및 염화동을 주성분으로 하는 두께 1000㎛ 이하의 블랙 필름층을 가지는 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인동 애노드
제10항, 제11항, 제12항, 제13항, 제14항, 제16항 또는 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 함인동 애노드의 인 함유율이 50∼2000wt ppm인 것을 특징으로 하는 전기동 도금용 함인동 애노드
제9항에 있어서, 반도체 웨이퍼에 전기동 도금인 것을 특징으로 하는 전기동 도금 방법
제9항에 있어서, 전기동 도금방법을 이용하여 도금된 파티클 부착이 적은 반도체 웨이퍼
제19항에 있어서, 반도체 웨이퍼에 전기동 도금인 것을 특징으로 하는 전기동 도금 방법
제19항에 있어서, 전기동 도금용 함인동 애노드를 사용하여 도금된 파티클 부착이 적은 반도체 웨이퍼