KR100564900B1 - 세정제 조성물 - Google Patents
세정제 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100564900B1 KR100564900B1 KR1020027011591A KR20027011591A KR100564900B1 KR 100564900 B1 KR100564900 B1 KR 100564900B1 KR 1020027011591 A KR1020027011591 A KR 1020027011591A KR 20027011591 A KR20027011591 A KR 20027011591A KR 100564900 B1 KR100564900 B1 KR 100564900B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- formula
- alkyl group
- carbon atoms
- linear
- branched alkyl
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 239000003599 detergent Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 123
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 69
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims abstract description 48
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 34
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 58
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 44
- -1 phosphate ester Chemical class 0.000 claims description 43
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 22
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 8
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 28
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 22
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 7
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 7
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 7
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 6
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 5
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SVCRDVHXRDRHCP-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-1-hexanol Natural products CCCCCC(O)C1=CC=CC=C1 SVCRDVHXRDRHCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- NFJSYLMJBNUDNG-UHFFFAOYSA-N 1,3-dipropylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCN1CCN(CCC)C1=O NFJSYLMJBNUDNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 3
- NYCCIHSMVNRABA-UHFFFAOYSA-N 1,3-diethylimidazolidin-2-one Chemical compound CCN1CCN(CC)C1=O NYCCIHSMVNRABA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQRWWHIETAKIMO-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbutan-1-ol Chemical compound CCCC(O)C1=CC=CC=C1 HQRWWHIETAKIMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WAPNOHKVXSQRPX-UHFFFAOYSA-N 1-phenylethanol Chemical compound CC(O)C1=CC=CC=C1 WAPNOHKVXSQRPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQYSALLXMHVJAV-UHFFFAOYSA-M 3-heptyl-2-[(3-heptyl-4-methyl-1,3-thiazol-3-ium-2-yl)methylidene]-4-methyl-1,3-thiazole;iodide Chemical compound [I-].CCCCCCCN1C(C)=CS\C1=C\C1=[N+](CCCCCCC)C(C)=CS1 DQYSALLXMHVJAV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OVGORFFCBUIFIA-UHFFFAOYSA-N Fenipentol Chemical compound CCCCC(O)C1=CC=CC=C1 OVGORFFCBUIFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 2
- DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N Phenylpropanol Chemical compound CCC(O)C1=CC=CC=C1 DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- XPNGNIFUDRPBFJ-UHFFFAOYSA-N alpha-methylbenzylalcohol Natural products CC1=CC=CC=C1CO XPNGNIFUDRPBFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 229960005035 fenipentol Drugs 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 2
- 229920001521 polyalkylene glycol ether Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOSAWIQFTJIYIS-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloro-2,2,2-trifluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)(Cl)Cl BOSAWIQFTJIYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZLXQBNSOMJQEJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-di(propan-2-yl)imidazolidin-2-one Chemical compound CC(C)N1CCN(C(C)C)C1=O AZLXQBNSOMJQEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXCPLDHPNOXGOM-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibutylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCCN1CCN(CCCC)C1=O FXCPLDHPNOXGOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMILFFCHDFUZDB-UHFFFAOYSA-N 1,3-dipentylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCCCN1CCN(CCCCC)C1=O ZMILFFCHDFUZDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCUNLHZXPOZZJQ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methylpropyl)imidazolidin-2-one Chemical compound CC(C)CN1CCNC1=O SCUNLHZXPOZZJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMWDTAOVZVAFIS-UHFFFAOYSA-N 1-(3-methylbutyl)imidazolidin-2-one Chemical compound CC(C)CCN1CCNC1=O PMWDTAOVZVAFIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDHYEYINZBIBMY-UHFFFAOYSA-N 1-butyl-3-ethylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCCN1CCN(CC)C1=O MDHYEYINZBIBMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFPRAPMGYIQRIT-UHFFFAOYSA-N 1-butyl-3-methylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCCN1CCN(C)C1=O XFPRAPMGYIQRIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQUNEIHOCJVWPL-UHFFFAOYSA-N 1-butylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCCN1CCNC1=O MQUNEIHOCJVWPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZXXRFKXXJEKJA-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-3-methylimidazolidin-2-one Chemical compound CCN1CCN(C)C1=O UZXXRFKXXJEKJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTGAKJMNVQWOCW-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-3-propylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCN1CCN(CC)C1=O JTGAKJMNVQWOCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPYRFXQDUFQOM-UHFFFAOYSA-N 1-ethylimidazolidin-2-one Chemical compound CCN1CCNC1=O NSPYRFXQDUFQOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEHFCCNNIQSIO-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-3-pentylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCCCN1CCN(C)C1=O TXEHFCCNNIQSIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTXWBRFMGNZXBM-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-3-propylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCN1CCN(C)C1=O BTXWBRFMGNZXBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTPZTKBRUCILQD-UHFFFAOYSA-N 1-methylimidazolidin-2-one Chemical compound CN1CCNC1=O JTPZTKBRUCILQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYFADTFKQMNOQN-UHFFFAOYSA-N 1-pentylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCCCN1CCNC1=O LYFADTFKQMNOQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTPNQRLGWKMEEK-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylimidazolidin-2-one Chemical compound CC(C)N1CCNC1=O RTPNQRLGWKMEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMWOIURKQPTGNF-UHFFFAOYSA-N 1-propylimidazolidin-2-one Chemical compound CCCN1CCNC1=O GMWOIURKQPTGNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLSFZRGCINZSL-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-1-phenylpentan-1-ol Chemical compound CCCC(C)(C)C(O)C1=CC=CC=C1 NNLSFZRGCINZSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBVRFTBNIZWMSK-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-1-phenylpropan-1-ol Chemical compound CC(C)(C)C(O)C1=CC=CC=C1 YBVRFTBNIZWMSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIQBDPMYDMETFL-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethyl-1-phenylpentan-1-ol Chemical compound CCC(C)C(C)C(O)C1=CC=CC=C1 DIQBDPMYDMETFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMOXOVYJENYVRD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[dodecyl-[2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethyl]amino]ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCCCCCCCCCN(CCOCCO)CCOCCOCCO WMOXOVYJENYVRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYYQWQIEEXLXDX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)C(O)C1=CC=CC=C1 XYYQWQIEEXLXDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKMRXUUGAJOMFO-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpentan-1-ol Chemical compound CCCC(C)C(O)C1=CC=CC=C1 AKMRXUUGAJOMFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMDYDZMQHRTHJA-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropan-1-ol Chemical compound CC(C)C(O)C1=CC=CC=C1 GMDYDZMQHRTHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCWKVEYADSGEHI-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethyl-1-phenylbutan-1-ol Chemical compound CC(C)(C)CC(O)C1=CC=CC=C1 PCWKVEYADSGEHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWXSTAUVUZAMGW-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1-phenylbutan-1-ol Chemical compound CC(C)CC(O)C1=CC=CC=C1 KWXSTAUVUZAMGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHCFEAPMSDSNTE-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1-phenylpentan-1-ol Chemical compound CCC(C)CC(O)C1=CC=CC=C1 KHCFEAPMSDSNTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQGNELSSDLGEQT-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-phenylpentan-1-ol Chemical compound CC(C)CCC(O)C1=CC=CC=C1 CQGNELSSDLGEQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100256637 Drosophila melanogaster senju gene Proteins 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920001213 Polysorbate 20 Polymers 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHJMLBMJMRHDFU-UHFFFAOYSA-N [Pb].[Ni].[Zn] Chemical compound [Pb].[Ni].[Zn] SHJMLBMJMRHDFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000010730 cutting oil Substances 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 235000019197 fats Nutrition 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N imidazolidin-2-one Chemical compound O=C1NCCN1 YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 1
- 235000010486 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Nutrition 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/72—Ethers of polyoxyalkylene glycols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/86—Mixtures of anionic, cationic, and non-ionic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2003—Alcohols; Phenols
- C11D3/2006—Monohydric alcohols
- C11D3/2034—Monohydric alcohols aromatic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/28—Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
- C23G5/02—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
- C23G5/032—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents containing oxygen-containing compounds
- C23G5/036—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents containing oxygen-containing compounds having also nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/02—Anionic compounds
- C11D1/34—Derivatives of acids of phosphorus
- C11D1/345—Phosphates or phosphites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/42—Amino alcohols or amino ethers
- C11D1/44—Ethers of polyoxyalkylenes with amino alcohols; Condensation products of epoxyalkanes with amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
본 발명의 세정제 조성물은, 하기 화학식 1:
(화학식 1)
(식중, R1는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타내고, R2는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물(A) 및 비이온성 계면활성제(B)를 유효 성분으로서 함유하는 것이다. 본 발명의 세정제 조성물은, 우수한 세정성을 갖고 또한, 환경 특성, 악취 및 인화성 등의 점에서 만족할 수 있는 것이 된다. 또한, 이 세정제 조성물에 피세정물을 접촉시킴으로써, 상기 피세정물을 세정할 수 있다.
세정제 조성물, 비이온성 계면활성제,
Description
본 발명은, 세정제 조성물, 특히, 플립칩 실장 기판에서 사용되는 증점제(增粘劑) 및 요변성제(thixotropic agent)를 다량 포함하는 솔더 플럭스(solder flux) 의 제거, 및 금속 부품과 세라믹 부품 등의 탈지(脫脂) 세정에 사용되는 세정제 조성물 및 이러한 세정제 조성물의 사용 방법 등에 관한 것이다.
종래, 공업용 세정제로서는 트리클로로에틸렌, 트리클로로트리플루오로에탄 등의 할로겐화 탄화수소계의 세정제가 사용되었다. 최근에는, 오존층 파괴 등의 환경 오염의 문제로 인하여 사용할 수 없게 되었다.
이러한 상황하에서, 본 출원인은, 특정한 글리콜 에테르계 화합물, 비이온성(nonionic) 계면활성제 및 폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제를 필수 성분으로서 함유하는 비할로겐계의 세정제 조성물을 개발하여, 이 세정제 조성물의 발명을 이미 개시하고 있다(일본 특허1832450호). 각종 개발되고 있는 비할로겐계의 세정제는, 일반적으로 이온성 계면활성제 등을 함유하고 있고, 세정력, 독성, 악취, 인화성, 피세정물에의 영향 등의 점에서 우수하다.
그러나, 최근, 피세정물의 소형화 및 대용량화 등에 따라, 플립칩 실장 기판이 사용되게 되었다. 이 때문에, 기판상의 미세한 위치 제어를 가능하게 하기 위해서, 요변성제 및 증점제 등의 각종 첨가제가 다량 포함된 솔더 플럭스 등이 사용되게 되었다. 그것에 의해, 종래보다 우수한 세정성이 요구되게 되었다.
또한, 가공된 금속 부품 및 세라믹 부품 등의 세정의 경우에도, 종래부터의 가공유의 탈지에 더하여, 파티클, 숫돌 가루(grindstone particles) 및 이온 성분 등의 정밀한 세정이 필요하기 때문에 상기한 비할로겐계의 세정제로서는 충분히 대응할 수 없는 경우가 있다.
또한, 최근 개발되고 있는 각종의 비할로겐계 세정제는, 그 비할로겐계 세정제를 이용하여 피세정물을 세정한 후에, 물 세정 처리(일반적으로는, 피세정물로부터 오염 성분을 박리하기 위한 프리린스(prerinse) 처리 공정 및 이것에 계속되는 세정제 성분을 제거하기 위한 마무리 린스 처리 공정으로 이루어지는 처리를 말한다)를 수행함으로써, 우수한 청정도의 피세정물을 수득하는 것이 가능한 것이다.
그러나, 이러한 물 세정 처리에 있어서 세정수를 반복하여 사용하면, 세정수중에 포함되는 세정제의 성분 등(주로 이온성 계면활성제)의 농도가 높아지기 때문에, 세정수가 알칼리성 또는 산성이 되어, 그 결과, 피세정물을 구성하는 소재의 일부가 변색되거나, 부식되는 경우가 있다. 특히 이 변색 및 부식은, 물 세정 처리중, 피세정물로부터 오염 성분을 박리하기 위한 프리린스 처리 공정에서 현저하다. 예를 들면, 피세정물로서의, 차재용 또는 통신용 하이브리드 IC 등에 사용되는 후막 유리 코팅은, 산성 수용액 중에서 청열착색(bluing)을 일으키고, 알칼리성 수용 액 중에서 후막 유리가 용해되어 백화된다. 또한, 피세정물 표면의 니켈, 놋쇠, 솔더 등의 금속으로 이루어지는 부분은, 산 또는 알칼리에 의해 부식되거나 변색된다.
본 발명은, 고품위의 세정성을 만족할 수 있고, 더구나 환경에 대하는 특성, 악취 및 인화성 등의 점에서도 실질적으로 만족할 수 있는 세정제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자 등은 상기 목적을 달성하기 위해서 연구를 거듭하여, 이하의 조성을 가지는 세정제 조성물은, 고품질의 세정성을 만족할 수 있고, 더구나 환경에 대한 특성, 악취 및 인화성 등의 점에서도 실질적으로 만족할 수 있음을 발견했다.
(식중, R1는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타내고, R2는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물(A) 및 비이온성 계면활성제(B)를 유효 성분으로서 함유하여 이루어지는 세정제 조성물.
본 발명은 상기 견해에 기초하여 더욱 검토를 행하여 완성된 것이며, 이하의 세정제 조성물 및 피세정물의 세정 방법 등을 제공하는 것이다.
1. 하기 화학식 1:
(화학식 1)
(식중, R1는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타내고, R2는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물(A) 및 비이온성 계면활성제(B)를 유효 성분으로서 함유하여 이루어지는 세정제 조성물.
2. 상기 비이온성 계면활성제(B)가, 하기 화학식 2:
(식중, R3는 탄소수 6∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는, 탄소수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, m은 2∼20의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 폴리에틸렌 글리콜 에테르형의 비이온성 계면활성제인 1항에 기재된 세정제 조성물.
3. 하기 화학식 1:
(화학식 1)
(식중, R1는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타내고, R2는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물(A), 비이온성 계면활성제(B), 폴리옥시알킬렌인산 에스테르계 계면활성제(C) 및 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)를 함유하여 이루어지는 세정제 조성물.
4. 상기 비이온성 계면활성제(B)가, 하기 화학식 2:
(화학식 2)
(식중, R3는 탄소수 6∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는, 탄소수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, m은 2∼20의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 폴리에틸렌 글리콜 에테르형의 비이온성 계면활성제인 3항에 기재된 세정제 조성물.
5. 상기 폴리옥시알킬렌인산 에스테르계 계면활성제(C)가, 하기 화학식 3:
(식중, R4는 탄소수 5∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는 탄소수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, n은 0∼20의 정수를 나타내고, X는 수산기 또는 하기 화학식 4:
(식중, R5는 탄소수 5∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는 탄소수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, n은 0∼20의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 기를 나타낸다.)로 표시되는 폴리옥시에틸렌인산 에스테르계 계면활성제 또는 그 염인 3항 또는 4항에 기재된 세정제 조성물.
6. 상기 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)가, 하기 화학식 5:
(식중, R6는 수소 원자 또는 탄소수 1∼22의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기 또는 탄소수 2∼22의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐기를 나타내고, Y는 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 직쇄 또는 분지쇄의 아실기를 나타내고, p는 1∼15의 정수를 나타내며, q는 0∼15의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 폴리옥시에틸렌아민계 계면활성제인 3항, 4항 또는 5항에 기재된 세정제 조성물.
7. 화합물(A)이 0.1∼97중량%, 비이온성 계면활성제(B)가 0.1∼97중량%, 폴리옥시알킬렌인산 에스테르계 계면활성제(C)가 0.01∼85중량%, 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)가 0.01∼85중량% 배합된 3항 내지 6항 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물.
8. 하기 화학식 6:
(식중, R7는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물(E)을 더욱 함유하여 이루어지는 1항 내지 7항 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물.
9. 물을 더욱 함유하여 이루어지는 1항 내지 8항 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물.
10. 1항 내지 9항 중 어느 한 항에 기재된, 플립칩 실장 기판 세정용 세정제 조성물.
11. 1항 내지 9항 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물을 피세정물에 접촉시키는 공정을 포함하는 피세정물의 세정 방법.
12. 하기 화학식 1:
(화학식 1)
(식중, R1는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타내고, R2는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물(A)과 비이온성 계면활성제(B)의 혼합물을 포함하는 조성물의 세정제로서의 용도.
13. 1항 내지 9항 중 어느 한 항에 기재의 세정제 조성물을 세정제로서 사용하는 용도.
발명의 상세한 기술
1) 기본적 조성
본 발명의 세정제 조성물은, 하기 화학식 1:
(화학식 1)
(식중, R1는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타내고, R2는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물(A) 및 비이온성 계면활성제(B)를 유효 성분으로서 함유하는 것이다.
2) 화합물(A)
화합물(A)는, 오염 성분의 용해라는, 세정제로서의 주목적을 수행하는 성분이다. 화학식 1에서 표시되는 화합물(A)로서는, 예를들면, 2-이미다졸리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디프로필-2-이미다졸리디논, 1,3-디부틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디펜틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디이소프로필-2-이미다졸리디논, 1-이소프로필-2-이미다졸리디논, 1-이소부틸-2-이미다졸리디논, 1-이소펜틸-2-이미다졸리디논, 1-메틸-2-이미다졸리디논, 1-에틸-2-이미다졸리디논, 1-프로필-2-이미다졸리디논, 1-부틸-2-이미다졸리디논, 1-펜틸-2-이미다졸리디논, 1-메틸-3-에틸-2-이미다졸리디논, 1-메틸-3-프로필-2-이미다졸리디논, 1-메틸-3-부틸-2-이미다졸리디논, 1-메틸-3-펜틸-2-이미다졸리디논, 1-에틸-3-프로필-2-이미다졸리디논 및 1-에틸-3-부틸-2-이미다졸리디논 등을 들 수 있다. 이들의 화합물은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 적당히 조합하여 사용할 수 있다. 세정제 조성물의 수용성을 유지하고 양호한 물 세정성을 얻기 위해서는, 상기 화학식 1의 화합물 중에서도, R1 및 R2가 동일하던지 또는 다르고, 각각 탄소수 1∼3의 알킬기인 화합물이 바람직하다. 이들 화합물 중 세정력이 양호하다는 이유에서 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논 및 1,3-디프로필-2-이미다졸리디논이 바람직하다.
3) 계면활성제(B)
비이온성 계면활성제(B)는, 세정시, 오염 성분을 수중에서 유지하는 기능을 갖는다. 비이온성 계면활성제(B)로서는, 그 이온성이 비이온성인 한 특별한 제한은 없고, 각종 공지의 것을 채용할 수 있다. 그 구체예로서는, 폴리옥시알킬렌알킬(알킬기의 탄소수 6이상)에테르, 폴리옥시알킬렌페닐에테르, 폴리옥시알킬렌알킬페닐에테르 등의 폴리알킬렌글리콜에테르형 비이온성 계면활성제; 폴리알킬렌글리콜모노에스테르, 폴리알킬렌글리콜디에스테르 등의 폴리알킬렌글리콜에스테르형 비이온성 계면활성제; 지방산 아미드의 알킬렌옥사이드 부가물; 소르비탄 지방산 에스테르, 자당 지방산 에스테르 등의 다가알코올형 비이온성 계면활성제; 지방산 알칸올아미드 등을 들 수 있다. 이들 비이온성 계면활성제(B)는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬렌은, 에틸렌, 프로필렌 또는 부틸렌이다. 또한, 폴리옥시알킬렌은, 폴리옥시에틸렌, 폴리옥시프로필렌, 폴리옥시부틸렌 중 어느 것, 또는 에틸렌옥시드, 프로필렌옥시드 및 부틸렌옥시드 중 두가지 이상의 공중 합체이다.
이들 비이온성 계면활성제(B) 중, 세정력의 점에서, 폴리알킬렌 글리콜 에테르형 비이온성 계면활성제가 바람직하고, 그중에서도 폴리에틸렌 글리콜 에테르형 비이온성 계면활성제가 더욱 바람직하다. 더욱 보다 바람직한 비이온성 계면활성제는, 하기 화학식 2:
(화학식 2)
(식중, R3는 탄소수 6∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는 탄소수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, m은 2∼20의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 폴리옥시에틸렌알킬에테르이다. 특히, R3는 탄소수 6∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수 10∼16의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기인 것이 더욱 바람직하다. 특히, m은 3∼16의 정수인 것이 바람직하다.
4) 계면활성제(C) 및 계면활성제(D)
본 발명의 세정제 조성물은, 상기 화학식 1에서 표시되는 화합물(A) 및 상기 비이온성 계면활성제(B)에 더하여 폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제(C) 및 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)를 함유할 수 있다. 특히, 이 세정제 조성물에 폴리옥시알킬렌인산 에스테르계 계면활성제(C)가 함유되면, 물로 희석하여 사용할 때에 우수한 세정성 향상 효과가 있다. 그러나, 폴리옥시알킬렌 인산 에스테 르계 계면활성제(C)가 함유되는 경우에는 세정액이 산성이 되고, 피세정물에 따라서는 변색 등이 생길 우려가 있기 때문에, 필요에 따라서 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)를 pH조정제로서 첨가하는 것이 바람직하다.
폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제(C)로서는 각종의 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 공지의 폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제로서, 예를 들면 다이이치 공업 제약 주식회사제의 「플라이서프(PLYSURF)」시리즈 등을 들 수있다.
세정성, 환경 특성 및 인화성의 점에서는, 특히, 하기의 화학식 3:
(화학식 3)
(식중, R4는 탄소수 5∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는 탄소수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, n은 0∼20의 정수를 나타내고, X는 수산기 또는 
(식중, R5는 탄소수 5∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는 탄소수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, n은 0∼20의 정수를 나타냄)로 표시되는 기를 나타낸다.)로 표시되는 폴리옥시에틸렌 인산 에스테르계 계면활성제 또는 그 염이 바람직하다. 상기 염으로서는 나트륨염, 칼륨염 등의 금속염, 암모늄염 및 탄소수 1∼20의 알카놀아민염 등을 예시할 수 있다.
상기 화학식 3중의 R4 는 탄소수 5∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수 7∼16의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기인 것이 더욱 바람직하다. 또한 화학식 3중의 n은 3∼16의 정수인 것이 바람직하다. X가 상기 화학식 4로 나타내는 치환기인 경우에는, R5는 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼16의 알킬기인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 화학식 4 중의 n은 1∼8의 정수인 것이 더욱 바람직하다.
이들 폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제(C)는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
상기 화학식 3으로 표시되는 폴리옥시에틸렌 인산 에스테르계 계면활성제 또는 그 염의 시판품으로서는, 예를 들면 다이이치 공업 제약(주)제의「플라이서프」시리즈, 니뽄 뉴카자이(주)제의「N-1000 FCP」,「RA-574」,「RA-579」 등을 예시할 수 있다.
폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)로서는, 각종 공지의 것을 제한 없이 사용할 수 있다. 이러한 공지의 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제로서는, 예를 들면 라이온주식회사제의 「에소민」시리즈 등을 들 수 있다. 특히, 세정성, 환경 특성 및 인화성의 점에서는, 하기 화학식 5:
(화학식 5)
(식중, R6는 수소 원자 또는 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1∼22의 알킬기 또는 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 2∼22의 알케닐기를 나타내고, Y는 수소 원자 또는 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1∼4의 아실기를 나타내고, p는 1∼15의 정수를 나타내고, q는 0∼15의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 폴리옥시에틸렌아민계 계면활성제가 바람직하다.
특히, R6는 탄소수 8∼18의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기 또는 알케닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 14∼18의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기 또는 알케닐기인 것이 더욱 바람직하다. Y는 수소 원자인 것이 바람직하다. p와 q의 합이 2∼15의 정수인 것이 바람직하다.
이들 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
상기 화학식 5에서 표시되는 폴리옥시에틸렌알킬 아민계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 니뽄 뉴카자이(주)제의「Newcol 405」,「Newcol 410」, 다케모토 유지(주)제의 「Pionin D-3104」,「Pionin D-3110」, 라이온(주)제의 「ETHOMEEN T/15」,「ETHOMEEN T/25」 등을 예시할 수 있다.
5) 화합물(E)
본 발명의 세정제 조성물은, 거품 파괴성(foam breakability)을 향상시킬 목적으로, 하기의 화학식 6:
(화학식 6)
(식중, R7는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물(E)을 함유할 수도 있다.
화합물(E)의 구체예로서는, 벤질 알코올, 1-페닐에탄올, 1-페닐프로판올, 1-페닐부탄올, 1-페닐펜탄올, 1-페닐헥산올, 1-페닐-3-메틸부탄올, 1-페닐-3-메틸펜탄올, 1-페닐-4-메틸펜탄올, 1-페닐-2-메틸펜탄올, 1-페닐-2,3-디메틸펜탄올, 1-페닐-2,2-디메틸펜탄올, 1-페닐-2-메틸프로판올, 1-페닐-2-메틸부탄올, 1-페닐-3,3-디메틸부탄올, 1-페닐-2,2-디메틸프로판올 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 이들 상기 화학식 6에서 표시되는 화합물 중, 거품 파괴성이 양호한 등의 이유에서, 벤질 알코올, 1-페닐에탄올, 1-페닐프로판올, 1-페닐부탄올, 1-페닐펜탄올, 1-페닐헥산올 등이 바람직하고, 벤질 알코올이 더욱 바람직하다.
6) 각 성분의 배합 비율
상기 화합물(A) 및 비이온성 계면활성제(B)의 배합 비율은, 특별히 제한되 지 않지만, 통상은 화합물(A)이 0.1∼97중량%정도, 비이온성 계면활성제(B)가 0.1∼97중량%정도 배합되는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 화합물(A) 및 비이온성 계면활성제(B)를 0.5∼80중량%정도 및 0.5∼80중량%정도 배합하는 것이 바람직하다.
물 희석시의 세정성을 향상시키는 등의 이유에서, 폴리옥시알킬렌인산 에스테르계 계면활성제(C) 및 폴리옥시알킬렌알킬아민계 계면활성제(D)를 각각 0.01∼85중량%정도, 바람직하게는 각각 0.1∼60중량% 정도 배합하고, 본 발명의 세정제 조성물을, 상기 화합물(A), 비이온성 계면활성제(B), 폴리옥시알킬렌인산 에스테르계 계면활성제(C) 및 폴리옥시알킬렌알킬아민계 계면활성제(D)로 이루어지는 세정제 조성물로 하는 것도 가능하다.
또한, 거품 파괴성을 향상시키는 등의 이유에서, 상기 화학식 6에서 표시되는 화합물(E)을 85중량% 정도 이하의 범위(바람직하게는 10중량% 이상 80중량% 이하 정도의 범위)로 함유시켜, 본 발명의 세정제 조성물을, 상기 화합물(A), 비이온성 계면활성제(B), 폴리옥시알킬렌인산 에스테르계 계면활성제(C), 폴리옥시알킬렌알킬아민계 계면활성제(D) 및 화합물(E)로 이루어지는 세정제 조성물로 하는 것도 가능하다.
이하에, 각 성분의 배합 비율을 정리하여 설명한다.
6-1) 화합물 A
전술한 바와 같이, 화합물(A)은, 오염 성분의 용해라는, 세정제로서의 주목적을 수행하는 성분이다. 피세정물의 종류(오염의 종류)나, 세정 방식에 의해 필 요량의 폭이 있지만, 세정제 조성물에 대해 화합물(A)이 적어도 0.1중량% 포함되어 있는 것이 필요하다. 화합물(A)의 함유량은, 세정제 조성물에 대해 통상 0.1∼97중량%정도, 특히 0.5∼80중량% 정도 포함되는 것이 바람직하다. 특히 화합물(A)의 사용 비율이 65중량% 이상인 경우에는, 피세정물의 종류 및 세정 방식에 관계 없이 세정성이 좋다.
6-2) 계면활성제(B)
전술한 바와 같이, 비이온성 계면활성제(B)는, 세정시, 오염 성분을 수중에서 유지하는 기능을 가진다. 피세정물의 종류(오염의 종류)나 및 세정 방식에 의해 필요량의 폭이 있지만, 세정제 조성물중에 비이온성 계면활성제(B)가 적어도 0.1중량% 포함되어 있는 것이 필요하다. 세정제 조성물중에 비이온성 계면활성제(B)가 통상 0.1∼97중량%정도, 특히 0.5∼80중량% 정도 포함되어 있는 것이 바람직하다. 특히 비이온성 계면활성제(B)의 사용 비율이 4중량% 이상인 경우에는, 피세정물의 종류 및 세정 방식에 관계 없이 세정성이 좋다.
6-3) 계면활성제(C)
폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제(C)는, 특히 세정제를 물로 희석하여 사용할 때에, 우수한 세정성 향상 효과를 갖는다. 따라서, 본 발명의 세정제 조성물이 폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제(C)를 포함하는 경우에는, 계면활성제(C)가 세정제 조성물 중에 적어도 0.01중량% 포함되어 있는 것이 필요하다. 폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제(C)의 함유 비율은, 세정제 조성물에 대해 통상 0.01∼85중량%정도, 특히 0.1∼60중량% 정도인 것이 바람직하다. 계 면활성제(C)의 함유 비율이 85중량%을 초과하면, 그 이상으로 효과가 향상되지 않을 뿐만 아니라, 오히려 피세정물의 부식 등의 영향이 생기는 경우가 있다.
6-4) 계면활성제(D)
폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)는, 특히 세정제를 물로 희석하여 사용할 때에, 우수한 세정성 향상 효과를 갖는다. 따라서, 본 발명의 세정제 조성물이 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)를 포함하는 경우에는, 계면활성제(D)가 세정제 조성물에 대해 적어도 0.01중량% 포함되어 있는 것이 필요하다. 폴리옥시알킬렌알킬아민계 계면활성제(D)의 함유 비율은, 세정제 조성물에 대해 통상 0.01∼85중량%정도, 특히 0.1∼60중량% 정도인 것이 바람직하다. 계면활성제(D)의 함유 비율이, 85중량%을 초과하면, 그 이상으로 효과가 향상되지 않을 뿐만 아니라, 오히려 피세정물의 부식 등의 영향이 생기는 경우가 있다.
6-5) 화합물(E)
본 발명의 세정제 조성물이 화합물(E)을 포함하는 경우에는, 화합물(E)의 함유 비율은, 세정제 조성물에 대해 통상 85중량% 정도 이하, 특히 10중량% 이상 80중량% 이하 정도인 것이 바람직하다.
7) 수용액의 형태
본 발명의 세정제 조성물은, 그대로로 사용할 수도 있지만, 피세정물의 종류(오염의 종류) 또는 세정 방식에 따라서는, 물로 용해함으로써 수득하는 수용액으로서 사용할 수도 있다. 이 경우, 세정제 조성물에 인화할 위험성의 감소, 배수 처리 부하의 감소 등의 효과를 얻을 수 있다.
세정성의 관점에서는, 어느 조성의 경우에도, 세정제 조성물의 농도가 70∼98중량% 정도인 수용액으로 하는 것이 바람직하고, 이것에 의해 요변성제 및 증점제가 대부분 다량 포함된 솔더 플럭스에 대해서도 고도한 세정성을 얻을 수 있다. 금속 부품 및 세라믹 부품 등의 가공 유류의 제거를 목적으로 하는 세정 또는 파티클의 세정 등에 제공되는 경우에는, 유효 성분(화합물(A)과 비이온성 계면활성제(B)로 이루어진다)의 농도가 1중량% 정도에서도 효과가 있다.
본 발명의 세정제 조성물은, 이 세정제 조성물을 상기 유효 성분의 농도가 1중량%인 수용액으로 조정했을 때의 pH가 6∼8정도의 중성 부근이 되도록, 각 성분의 사용 비율을 조정하는 것이 바람직하다. 본 발명에서는, 이와 같이 세정제 조성물의 pH를 6∼8정도의 중성 부근으로 함으로써, 세정수 처리 공정(프리 린스조)에 있어서 세정수를 반복해서 사용해도, 세정수 중의 이온성 계면활성제의 농도의 향상에 따른, pH의 변동을 억제할 수 있기 때문에, 피세정물의 부식 및 변색을 방지할 수 있다.
본 발명의 세정제 조성물의 pH는, 주로 음이온성의 폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제(C)와 양이온성의 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)와의 비율에 의해 결정된다. 따라서, pH의 조정은 이들의 사용 비율을 적절히 조정함으로써 수행한다. 또, 세정제 조성물의 pH는, 사용되는 계면활성제의 종류에 따라서 다르지만, 일반적으로 중량비로, 폴리옥시알킬렌인산 에스테르계 계면활성제(C) 1에 대해, 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D) 0.1∼10 정도로 함으로써 수득되는 pH로 하면 좋다. 바람직하게는, 계면활성제(C) 1에 대해, 계면활성제(D) 0.2∼5정 도이다.
그러나, 피세정물에 따라서는, 굳이 세정제 조성물의 상기 유효 성분 농도가 1중량%인 수용액의 pH를 산성 또는 알칼리성으로 조정함으로써, 에칭 효과 등 각종 효과가 기대되는 경우도 있다. 본 발명의 세정제 조성물은, 1중량% 수용액의 pH가 중성 영역이 되는 것으로는 한정되지 않는다.
8) 첨가제
본 발명의 세정제 조성물은, 필요에 따라 소포제 또는 산화 방지제 등의 첨가제가 배합되어 있어도 좋다. 첨가제의 사용량은 세정제 조성물에 대해 0.1중량% 정도 이하가 된다.
9) 피세정물
본 발명의 세정제 조성물은, 각종의 가공된 금속 부품, 세라믹 부품, 전자 부품 등의 세정에 있어서 양호한 세정성을 나타내지만, 특히 요변성제나 증점제가 다량으로 사용되고 있는 플립칩 실장된 기판, 예를 들면 PGA, BGA, CSP, MCM, 특히, 솔더 페이스트(solder paste)의 인쇄법에 의해 제조된 웨이퍼 레벨 CSP, 인터포저(interposer) 등의 세정에 사용한 경우에, 기존의 글리콜 에테르계 세정제를 사용한 경우에 비해 매우 양호한 세정성을 나타낸다.
10) 사용 방법
본 발명의 세정제 조성물을 이용하여 피세정물을 세정함에 있어서는, 각종의 사용 방법을 채용할 수 있다. 이하에, 일반적인 사용 방법으로서, 피세정물인 전자 부품(특히 전자 부품상의 로진 플럭스)에 본 발명의 세정제 조성물을 접촉시키는 경우에 관해서 설명한다. 즉, 세정제 조성물에 전자 부품을 직접 침지시킴으로써 이 부품을 세정하는 방법, 세정제 조성물의 수용액을 스프레이 장치를 이용하여 플래시하는 방법 또는 기계적 수단에 의해 브러싱하는 방법 등을 적절히 선택하여 채용할 수 있다. 플립칩 실장 기판을 세정하는 경우에는, 50㎛ 이하의 빈틈에 세정제를 통과시켜야 하기 때문에, 다이렉트 패스 세정 장치(아라카와 화학공업 주식회사제, 상품명, 일본 특허 2621800호)를 이용하여 세정하는 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 세정제 조성물을 이용하여 세정할 때의 조건은, 세정제 조성물을 구성하는 각 성분의 농도, 상기 성분의 사용 비율, 제거해야 할 플럭스의 종류 등에 의해 적절히 선택하면 좋다. 일반적으로 제거해야 할 플럭스를 세정에 의해 제거하는데 효과적인 온도 및 시간의 조건하에서, 세정제 조성물을 플럭스에 접촉시킨다. 세정제 조성물의 사용시의 온도는 20℃∼80℃ 정도이다. 사용 온도가 20℃보다도 낮아지면 플럭스의 용해성이 나빠진다. 또한, 80℃보다도 높아지면, 세정성은 좋아지지만, 수분 등의 증발 속도가 빨라져, 인화가 발생하기 쉽고, 안전 관리가 어렵게 된다. 통상은 50℃∼70℃ 정도로 하는 것이 바람직하다. 전자 부품상의 플럭스를, 예를 들면 60℃ 정도의 온도에 있어서 침지법에 의해 제거하는 경우에는, 일반적으로 본 발명의 세정제 조성물에 솔더 플럭스를 가지는 전자 부품을 1∼20분간 정도 침지시키면, 솔더 플럭스를 양호하게 제거할 수 있다.
이렇게 해서 플럭스를 제거된 전자 부품에 대해, 통상, 마무리 처리로서, 프리 린스 처리 및 마무리 린스 처리로 이루어지는 물 세정 처리를 행하고, 잔류하고 있을 가능성이 있는 세정제 조성물을 완전히 또는 거의 완전히 제거하면 된다. 이 러한 수세 처리에 의해, 기판의 청정도는 매우 높은 것이 된다.
11) 본 발명의 효과
본 발명에 의하면, 이하의 효과가 발휘된다.
11-1) 본 발명의 세정제 조성물은, 고품위의 세정에도 충분히 대응할 수 있는 우수한 세정성을 가진다.
11-2) 본 발명의 세정제 조성물은, 요변성제 또는 증점제가 다량으로 사용되고 있는 플립칩 실장 기판의 플럭스의 세정에도 충분히 대응할 수 있는 우수한 세정성을 가진다.
11-3) 본 발명의 세정제 조성물은, 화합물(A)과 비이온성 계면활성제(B)로 이루어지는 유효 성분의 농도가 1중량% 정도의 희박 용액에서도 우수한 탈지 세정성을 가진다.
11-4) 본 발명의 세정제 조성물은 비할로겐계의 세정제이기 때문에, 프레온계 세정제에서 볼 수 있는 오존층 파괴의 문제는 없다. 또한, 본 발명의 세정제 조성물은, 그 밖의 환경 파괴, 인화성, 세정성 및 악취 등의 점에서도 충분히 만족할 수 있다.
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다.
실시예 1
이하의 배합 비율로 각 성분을 혼합함으로써 세정제 조성물을 조제하였다.
화합물(A): 1,3-디메틸이미다졸리디논 82중량%
계면활성제(B): 폴리에틸렌글리쿨알킬에테르형 비이온성 계면활성제(다이이치 공업제약(주)제, 상품명「NOIGEN ET-135」, 화학식 2에 있어서 R3는 탄소수 12∼14의 분지쇄 알킬기, m은 9이다) 10중량%
계면활성제(C): 폴리옥시에틸렌알킬에테르의 인산모노에스테르(화학식 3에 있어서 R4는 탄소수 12의 직쇄 알킬기, n은 16, X는 수산기이다.) 2중량%
화합물(E): 폴리옥시에틸렌알킬아민(화학식 5에 있어서 R6는 탄소수 12의 직쇄 알킬기, p + q는 10, Y는 수소 원자이다) 3중량%
순수(純水): 3중량%
실시예 2∼9 및 비교예
실시예 2∼9 및 비교예는, 실시예 1에 있어서 각 성분을 이하의 표1에 나타낸 바와 같이 변화시킨 것 외에는 실시예 1과 같이 조제했다.
| 각 성분의 종류 | 조성비 (중량%) | ||||||||||
| A | B | C | D | E | A | B | C | D | E | 물 | |
| 실시예 1 | a1 | b1 | c1 | d1 | - | 82 | 10 | 2 | 3 | 0 | 3 |
| 실시예 2 | a1 | b1 | c1 | d1 | - | 70 | 20 | 2 | 3 | 0 | 5 |
| 실시예 3 | a1 | b2 | c1 | d2 | - | 82 | 10 | 2 | 3 | 0 | 3 |
| 실시예 4 | a1 | b2 | c1 | d2 | - | 70 | 20 | 2 | 3 | 0 | 5 |
| 실시예 5 | a2 | b2 | c2 | d3 | - | 82 | 10 | 2 | 3 | 0 | 3 |
| 실시예 6 | a2 | b2 | c2 | d3 | - | 70 | 20 | 2 | 3 | 0 | 5 |
| 실시예 7 | a1 | b1 | c1 | d1 | - | 82 | 13 | 0 | 0 | 0 | 5 |
| 실시예 8 | a1 | b1 | c1 | d1 | - | 72 | 23 | 0 | 0 | 0 | 5 |
| 실시예 9 | a1 | b1 | c1 | d1 | e1 | 41 | 10 | 2 | 3 | 41 | 3 |
| 비교예 1 | a' | b1 | c1 | d1 | - | 82 | 10 | 2 | 3 | 0 | 3 |
표 1 중의 각 기호는 이하의 화합물을 나타낸다.
a1; 1,3-디메틸이미다졸리디논
a2; 1,3-디프로필이미다졸리디논
b1; 폴리에틸렌 글리콜 알킬에테르형 비이온성 계면활성제(다이이치 공업 제약(주)제, 상품명「NOIGEN ET-135」, 화학식 2에 있어서 R3는 탄소수 12∼14의 분지쇄 알킬기, m은 9이다)
b2; 폴리에틸렌 글리콜 아랄킬에테르형 비이온성 계면활성제(다이이치 공업 제약(주)제, 상품명「NOIGEN EA-120」, 화학식 2에 있어서 R3는 노닐페닐기이며, m은 5이다)
b3; 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노라우레이트(다이이치 공업 제약(주)제, 상품명「SORGEN TW20」, 에틸렌 옥시드 평균 부가 몰수 12)
c1; 폴리옥시에틸렌알킬 에테르의 인산 모노에스테르(화학식 3에 있어서 R4는 탄소수 12의 직쇄 알킬기, n은 16, X는 수산기이다)
c2; 폴리옥시에틸렌아랄킬 에테르의 인산 디에스테르(화학식 3에 있어서 R4는 노닐페닐기, n은 10, X는 화학식 4에 있어서 R5는 노닐페닐기, n은 10이다)
d1; 폴리옥시에틸렌알킬아민(화학식 5에 있어서 R6는 탄소수 12의 직쇄 알킬기, p+q는 10, Y는 수소 원자이다)
d2; 폴리옥시에틸렌알킬아민(화학식 5에 있어서 R6는 탄소수 18의 직쇄 알킬기, p+q는 7, Y는 수소 원자이다)
d3; 폴리옥시에틸렌 우지(牛脂)아민(화학식 5에 있어서 R6는 올레인산, 리놀산(linoleic acid), 미리스트산(myristic acid), 팔미트산 및 스테아린산 등의 혼합물로 이루어지는 우지의 잔기, p + q는 15, Y는 수소 원자이다)
e1; 벤질 알코올
a'; 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
실시예 1∼9 및 비교예에서 수득한 각종의 세정제 조성물을 이하의 시험에 제공 하였다.
하기 표 2에 기재된「솔더 볼의 탑재 방법」및 플럭스에 의해, 시험에 사용된 (i), (ii) 및 (iii)의 플립 칩 실장 기판을 제작했다.
| 솔더 볼의 탑재 방법 | 플럭스 | |||
| 용제 | 증점제 요변성제 | 점도 | ||
| (i) | 플럭스가 도포된 솔더 볼을 IC 칩에 전사 | 적음 | 많음 | 높음 |
| (ii) | 기판에 솔더 페이스트를 스크린 인쇄한 후, 인쇄 부분에 솔더 볼을 전사 | 적음 | 많음 | 높음 |
| (iii) | 솔더를 인쇄한후, 솔더를 용융 | 적음 | 많음 | 높음 |
(i) 규슈마쓰시타전기 주식회사제의 플립칩 실장용 시작품 플럭스
(ii) 다무라 카겐제의 플립칩 실장용 시작품 플럭스
(iii) 센쥬 금속제의 플립칩 실장용 시작품 플럭스
(1)세정성
(i), (ii) 및 (iii)의 기판을 70℃의 세정제 조성물에 10분간 침지하고, 플럭스의 제거의 정도를 이하의 판정 기준에 기초하여 육안으로 판정했다.
Ｏ: 양호하게 제거할 수 있다. △: 약간 잔존한다. Ｘ: 꽤 잔존한다.
결과를 하기 표 3에 나타낸다.
(2) 청정도
세정성의 시험을 행한 기판을 수세 및 건조한 후, 이온크로마토그래피 IC7000(YOKOGAWA사 제)를 이용하여, 기판의 청정도(잔류 이온량)을 측정했다. 결과를 하기 표 3에 나타낸다.
(3) 부식성
세정제 조성물의 농도가 5중량%인 수용액을 조제하고, 이 수용액을 40℃로 가온하여, 니켈, 아연, 납의 각 금속편을 1시간 침지했다. 침지 전후에 있어서의 금속 표면의 상태에 관해서 이하의 판정 기준에 기초하여 육안으로 판정했다.
Ｏ: 변화 없음. △: 금속 표면에 혼탁함을 볼 수 있음. Ｘ: 금속 표면에 심한 녹을 볼 수 있음.
결과를 하기 표 3에 나타낸다.
| 플럭스의 종류 | 세정성 (잔사) | 청정도 잔류 Cl량 (ng/㎠) | 부식성 | |||
| 니켈 | 아연 | 납 | ||||
| 실시예 1 | (i) (ii) (iii) | Ｏ Ｏ Ｏ | 1.1 2.2 2.0 | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ |
| 실시예 2 | (i) (ii) (iii) | Ｏ Ｏ Ｏ | 0.2 1.1 0.8 | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ |
| 실시예 3 | (i) (ii) (iii) | Ｏ Ｏ Ｏ | 2.5 4.4 4.2 | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ |
| 실시예 4 | (i) (ii) (iii) | Ｏ Ｏ Ｏ | 1.0 2.5 2.4 | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ |
| 실시예 5 | (i) (ii) (iii) | Ｏ Ｏ Ｏ | 3.8 5.1 4.6 | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ |
| 실시예 6 | (i) (ii) (iii) | Ｏ Ｏ Ｏ | 2.3 3.6 3.2 | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ |
| 실시예 7 | (i) (ii) (iii) | Ｏ △ △ | 1.4 2.9 2.9 | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ |
| 실시예 8 | (i) (ii) (iii) | Ｏ △ △ | 0.6 1.9 2.1 | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ |
| 실시예 9 | (i) (ii) (iii) | Ｏ Ｏ Ｏ | 0.8 1.2 1.3 | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ |
| 비교예 1 | (i) (ii) (iii) | Ｘ Ｘ Ｘ | 1.2 2.6 2.5 | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ | Ｏ Ｏ Ｏ |
(4) 희석 세정성
실시예 1∼9 및 비교예에서 수득한 각 세정제 조성물을 순수(純水)로 희석함으로써, 유효 성분(화합물(A)과 비이온성 계면활성제(B)로 이루어짐)의 농도가 1중량%가 되도록 조제한 수용액을, 이하의 시험에 제공하였다.
유성 절삭유(cutting oil)가 부착된 구리제 단자(피세정물A), 또는 그리스(grease)가 부착된 세라믹제 전자 부품(피세정물B)을 초음파 세정 장치 (40kHz, 600W) 내에 설치하고, 상기 유효 성분이 1중량%가 되도록 조제한 실시예 1∼7 및 비교예의 세정제 조성물에 의해 75℃로 5분간 세정한 후, 순수로 5분간 헹굼 처리를 했다. 더우기, 70℃로 5분간 열풍 건조했다. 기름의 제거의 정도를 육안에 의하여 이하의 판정 기준에 기초하여 육안판정 하였다.
Ｏ: 양호하게 제거할 수 있다. △: 약간 잔존한다. Ｘ: 꽤 잔존한다.
결과를 하기 표 4에 나타낸다.
| 피세정물의 종류 | 세정성 (잔사) | |
| 실시예 1 | A B | Ｏ Ｏ |
| 실시예 2 | A B | Ｏ Ｏ |
| 실시예 3 | A B | Ｏ Ｏ |
| 실시예 4 | A B | Ｏ Ｏ |
| 실시예 5 | A B | Ｏ Ｏ |
| 실시예 6 | A B | Ｏ Ｏ |
| 실시예 7 | A B | Ｏ Ｏ |
| 실시예 8 | A B | Ｏ Ｏ |
| 실시예 9 | A B | Ｏ Ｏ |
| 비교예 | A B | △ △ |
본 발명의 세정제 조성물은, 플립칩 실장 기판에서 사용되는, 증점제 및 요변성제를 다량 포함하는 솔더 플럭스의 제거, 및, 금속 부품 및 세라믹 부품의 탈지 세정 등에 사용되는 세정제로서 적합하게 이용할 수 있다.
Claims (15)
- 하기 화학식 1:(화학식 1)
(식중, R1는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타내고, R2는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄)로 표시되는 화합물(A),비이온성 계면활성제(B), 및하기 화학식 6:(화학식 6)
(식중, R7는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄)으로 표시되는 화합물(E)를 유효성분으로 함유하고, 잔량이 물로 이루어진 플립칩 실장 기판 세정용 조성물로서,상기 조성물은 화합물(A) 0.1∼80중량%, 비이온성 계면활성제(B) 0.1∼80중량%, 및 화합물(E) 10~85 중량%를 포함하는 플립칩 실장 기판 세정용 세정제 조성물. - 제1항에 있어서,상기 비이온성 계면활성제(B)가,하기 화학식 2:(화학식 2)
(식중, R3는 탄소수 6∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는, 탄 소수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, m은 2∼20의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 폴리에틸렌 글리콜 에테르형의 비이온성 계면활성제인세정제 조성물. - 삭제
- 삭제
- 하기 화학식 1:(화학식 1)
(식중, R1는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타내고, R2는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄)로 표시되는 화합물(A),비이온성 계면활성제(B),폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제(C),폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D), 및하기 화학식 6:(화학식 6)
(식중, R7는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄)으로 표시되는 화합물(E)를 유효성분으로 함유하고, 잔량이 물로 이루어진 플립칩 실장 기판 세정용 조성물로서,상기 조성물은 화합물(A) 0.1∼80중량%, 비이온성 계면활성제(B) 0.1∼80중량%, 폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제(C) 0.01∼85중량%, 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D) 0.01∼85중량% 및 화합물(E) 10~85 중량%를 포함하는 플립칩 실장 기판 세정용 조성물. - 제5항에 있어서,상기 비이온성 계면활성제(B)가,하기 화학식 2:(화학식 2)
(식중, R3는 탄소수 6∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는 탄소 수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, m은 2∼20의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 폴리에틸렌 글리콜 에테르형의 비이온성 계면활성제인세정제 조성물. - 제5항에 있어서,상기 폴리옥시알킬렌 인산 에스테르계 계면활성제(C)가,하기 화학식 3:(화학식 3)
(식중, R4는 탄소수 5∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는 탄소수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, n은 0∼20의 정수를 나타내고, X는 수산기 또는 하기 화학식 4:(화학식 4)
(식중, R5는 탄소수 5∼20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 페닐기, 또는 탄소수 7∼12의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 페닐기를 나타내고, n은 0∼20의 정수를 나타냄)로 표시되는 기를 나타낸다.)로 표시되는 폴리옥시에틸렌 인산 에스테르계 계면활성제 또는 그 염인세정제 조성물. - 제5항에 있어서,상기 폴리옥시알킬렌 아민계 계면활성제(D)가, 하기 화학식 5:(화학식 5)
(식중, R6는 수소 원자 또는 탄소수 1∼22의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기 또는 탄소수 2∼22의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐기를 나타내고, Y는 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 직쇄 또는 분지쇄의 아실기를 나타내고, p는 1∼15의 정수를 나타내고, q는 0∼15의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 폴리옥시에틸렌아민계 계면활성제인세정제 조성물. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 따른 세정제 조성물을 플립칩 실장 기판에 접촉시키는 공정을 포함하는 플립칩 실장 기판의 세정 방법.
- 하기 화학식 1:(화학식 1)
(식중, R1는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타내고, R2는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄)로 표시되는 화합물(A),비이온성 계면활성제(B), 및하기 화학식 6:(화학식 6)
(식중, R7는 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄)으로 표시되는 화합물(E)의 혼합물을 포함하는 조성물의 플립칩 실장 기판 세정제로서의 사용방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2001-00000303 | 2001-01-05 | ||
| JP2001000303A JP4025953B2 (ja) | 2001-01-05 | 2001-01-05 | 洗浄剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020075471A KR20020075471A (ko) | 2002-10-04 |
| KR100564900B1 true KR100564900B1 (ko) | 2006-03-30 |
Family
ID=18869116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020027011591A KR100564900B1 (ko) | 2001-01-05 | 2001-12-28 | 세정제 조성물 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7018964B2 (ko) |
| EP (1) | EP1295935B1 (ko) |
| JP (1) | JP4025953B2 (ko) |
| KR (1) | KR100564900B1 (ko) |
| CN (1) | CN100480365C (ko) |
| AT (1) | ATE357493T1 (ko) |
| DE (1) | DE60127405D1 (ko) |
| TW (1) | TWI246534B (ko) |
| WO (1) | WO2002055645A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160084038A (ko) | 2015-01-05 | 2016-07-13 | 황보기만 | 침출성 세제볼 및 그제법 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4154999B2 (ja) * | 2002-11-01 | 2008-09-24 | 東ソー株式会社 | 洗浄方法 |
| KR100516886B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
| US7238653B2 (en) * | 2003-03-10 | 2007-07-03 | Hynix Semiconductor Inc. | Cleaning solution for photoresist and method for forming pattern using the same |
| JP2007219009A (ja) | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Az Electronic Materials Kk | レジスト基板用処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法 |
| TWI424055B (zh) * | 2006-03-17 | 2014-01-21 | Arakawa Chem Ind | Lead-free solder flux removal detergent composition, lead-free solder flux removal rinse and lead-free solder flux removal method |
| KR101530321B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2015-06-19 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스의 제거 방법 |
| US8945280B2 (en) * | 2008-12-08 | 2015-02-03 | Huntsman Petrochemical Llc | Method to decrease decomposition products in solutions that absorb acidic gases such as carbon dioxide and the like in the presence of oxygen |
| US9221081B1 (en) | 2011-08-01 | 2015-12-29 | Novellus Systems, Inc. | Automated cleaning of wafer plating assembly |
| US9228270B2 (en) | 2011-08-15 | 2016-01-05 | Novellus Systems, Inc. | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
| US9988734B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-06-05 | Lam Research Corporation | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
| US10066311B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-09-04 | Lam Research Corporation | Multi-contact lipseals and associated electroplating methods |
| JP5696981B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-04-08 | 荒川化学工業株式会社 | はんだ付けフラックス用洗浄剤組成物 |
| DE102011082136B4 (de) * | 2011-09-05 | 2013-04-11 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Reinigungsmittelzusammensetzung sowie ein Verfahren zum Entfernen von ausgehärteten Gießharzen, Klebstoffen, Montageschäumen, Lackfilmen und Lackresten |
| CN104272438B (zh) * | 2012-03-28 | 2018-01-12 | 诺发系统公司 | 用于清洁电镀衬底保持器的方法和装置 |
| US9476139B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-10-25 | Novellus Systems, Inc. | Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating |
| CN102989712B (zh) * | 2012-10-17 | 2014-11-12 | 张志明 | 抽油烟机洗涤方法 |
| US9746427B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-08-29 | Novellus Systems, Inc. | Detection of plating on wafer holding apparatus |
| US10416092B2 (en) | 2013-02-15 | 2019-09-17 | Lam Research Corporation | Remote detection of plating on wafer holding apparatus |
| KR102135187B1 (ko) | 2013-12-26 | 2020-07-17 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 박리액 조성물 |
| US9637677B2 (en) | 2014-09-04 | 2017-05-02 | Ideal Energy Solutions IP Control, LLC | Aqueous cleaning composition and method |
| US10053793B2 (en) | 2015-07-09 | 2018-08-21 | Lam Research Corporation | Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking |
| CN106807117A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-06-09 | 广东中联邦精细化工有限公司 | 一种线路板清洗专用消泡剂 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3673099A (en) * | 1970-10-19 | 1972-06-27 | Bell Telephone Labor Inc | Process and composition for stripping cured resins from substrates |
| US4428871A (en) * | 1981-09-23 | 1984-01-31 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
| US4664721A (en) * | 1981-12-07 | 1987-05-12 | Intercontinental Chemical Corporation | Printing screen cleaning and reclaiming compositions |
| JPS6191299A (ja) | 1984-10-12 | 1986-05-09 | 川研ファインケミカル株式会社 | 硬質表面洗浄剤 |
| DK600484D0 (da) * | 1984-12-14 | 1984-12-14 | Cps Kemi Aps | Vaeske til fortynding og/eller fjernelse af trykkeri- og serigrafifarver |
| JPH0715110B2 (ja) | 1986-04-30 | 1995-02-22 | 花王株式会社 | 繊維類のしみおよび着色除去用組成物 |
| US4744834A (en) * | 1986-04-30 | 1988-05-17 | Noor Haq | Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide |
| JPH0715111B2 (ja) | 1986-05-01 | 1995-02-22 | 花王株式会社 | ガラスクリ−ナ−組成物 |
| JPS6350838A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 剥離液 |
| US4812255A (en) * | 1987-03-04 | 1989-03-14 | Gaf Corporation | Paint removing compositions |
| US5006279A (en) * | 1988-08-24 | 1991-04-09 | Grobbel William J | Water-based coating removers |
| EP0389829A1 (en) | 1989-03-13 | 1990-10-03 | BASF Corporation | Water based paint stripper and varnish remover for wood |
| US5024780A (en) * | 1989-08-30 | 1991-06-18 | A.G.P. Systems, Inc. | Cleaner for treating a surface |
| DE4004630A1 (de) | 1990-02-15 | 1991-08-22 | Beutelrock Geb Wehrmann Caroli | Mittel zur lackentfernung |
| JPH0434000A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-05 | Hitachi Ltd | フラックス洗浄剤およびそれを用いた半田付け電子部品の洗浄方法 |
| JPH0540000A (ja) | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | レドーム |
| WO1993016160A1 (en) | 1992-02-10 | 1993-08-19 | Isp Investments Inc. | Defluxing composition and use thereof |
| JPH06287596A (ja) | 1993-03-30 | 1994-10-11 | Kawaken Fine Chem Co Ltd | 衣料用洗浄剤組成物 |
| JP3208223B2 (ja) | 1993-05-19 | 2001-09-10 | 花王株式会社 | 硬表面用洗浄剤組成物 |
| JP2813862B2 (ja) * | 1994-07-05 | 1998-10-22 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| EP0698660B1 (en) * | 1994-08-22 | 2001-09-26 | Kao Corporation | Detergent composition for hard surface |
| JPH09311467A (ja) | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Nitto Denko Corp | レジスト剥離剤 |
| US5798323A (en) * | 1997-05-05 | 1998-08-25 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| JP4071845B2 (ja) | 1997-05-12 | 2008-04-02 | 三菱化学株式会社 | 熱可塑性樹脂成形体の溶解方法または洗浄方法 |
| US6103680A (en) * | 1998-12-31 | 2000-08-15 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition and method for removing photoresist and/or plasma etching residues |
| KR100286860B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2001-07-12 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 리무버 조성물 |
| JP2001232647A (ja) | 2000-02-23 | 2001-08-28 | Tosoh Corp | 洗浄用組成物 |
| JP2001355000A (ja) | 2000-06-14 | 2001-12-25 | Kao Corp | 農業施設用洗浄剤組成物 |
-
2001
- 2001-01-05 JP JP2001000303A patent/JP4025953B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 KR KR1020027011591A patent/KR100564900B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-12-28 AT AT01273201T patent/ATE357493T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-12-28 US US10/240,608 patent/US7018964B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-28 CN CNB018060943A patent/CN100480365C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-28 EP EP01273201A patent/EP1295935B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 WO PCT/JP2001/011618 patent/WO2002055645A1/ja active IP Right Grant
- 2001-12-28 DE DE60127405T patent/DE60127405D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-31 TW TW090133372A patent/TWI246534B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160084038A (ko) | 2015-01-05 | 2016-07-13 | 황보기만 | 침출성 세제볼 및 그제법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100480365C (zh) | 2009-04-22 |
| EP1295935A4 (en) | 2004-06-09 |
| KR20020075471A (ko) | 2002-10-04 |
| JP2002201492A (ja) | 2002-07-19 |
| CN1411502A (zh) | 2003-04-16 |
| US20030181349A1 (en) | 2003-09-25 |
| WO2002055645A1 (en) | 2002-07-18 |
| TWI246534B (en) | 2006-01-01 |
| EP1295935B1 (en) | 2007-03-21 |
| DE60127405D1 (de) | 2007-05-03 |
| JP4025953B2 (ja) | 2007-12-26 |
| US7018964B2 (en) | 2006-03-28 |
| EP1295935A1 (en) | 2003-03-26 |
| ATE357493T1 (de) | 2007-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100564900B1 (ko) | 세정제 조성물 | |
| CA2131001C (en) | Stabilization of silicate solutions | |
| TWI424055B (zh) | Lead-free solder flux removal detergent composition, lead-free solder flux removal rinse and lead-free solder flux removal method | |
| US5549761A (en) | Method for removing rosin soldering flux from a printed wiring board | |
| KR101729612B1 (ko) | 무연 땜납 수용성 플럭스 제거용 세정제, 제거 방법 및 세정 방법 | |
| US5431847A (en) | Aqueous cleaning concentrates | |
| KR100241565B1 (ko) | 송진-기재 땜납 융제 세척용 세제 및 방법 | |
| JP2652298B2 (ja) | 精密部品又は治工具類用洗浄剤組成物 | |
| KR102225717B1 (ko) | 땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물 | |
| KR102419315B1 (ko) | 무연 납땜 용제용 세정제 조성물, 무연 납땜 용제의 세정 방법 | |
| KR100972324B1 (ko) | 정밀 부품 세정용 세정제 조성물 | |
| JP2813862B2 (ja) | 洗浄剤組成物 | |
| US5575857A (en) | Aqueous alkaline metal descaling concentrate and method of use | |
| JP4603289B2 (ja) | 硬質表面用洗浄剤組成物 | |
| USRE35017E (en) | Method for removing soldering flux with alkaline salts, an alkali metal silicate and anionic polymer | |
| USRE35115E (en) | Low foaming effective hydrotrope | |
| JP2893497B2 (ja) | 精密部品又は治工具類用洗浄剤組成物 | |
| JPH06340892A (ja) | フラックス洗浄剤 | |
| JPH08231993A (ja) | 洗浄剤組成物 | |
| JP2752352B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2656450B2 (ja) | 乾燥方法 | |
| JPH08225797A (ja) | ハイブリッドｉｃ基板用洗浄剤組成物 | |
| JP2963406B2 (ja) | 非水系洗浄組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140220 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150224 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160218 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |