KR100558939B1 - 방전관, 그 제조방법, 및 이를 이용한 스트로보 장치 및카메라 - Google Patents

Abstract

방전관은 큰 전기 입력에도 견딜 수 있고, 소형화할 수 있다. 이 방전관은, 소형의 사진용 스트로보 장치 및 사진용 카메라를 실현한다. 이 방전관은, 희가스가 봉입된 두께가 0.2㎜∼0.6㎜인 유리 벌브와, 유리 벌브 내의 양단에 각각 설치된 한 쌍의 주 전극과 유리 벌브의 외표면에 형성된 트리거 전극과, 유리 벌브의 내면에 형성된 두께가 0.05㎛∼0.11㎛인 이산화규소로 이루어지는 피막을 구비한다. 주 전극 사이에 유리 벌브의 내용적을 기준으로 한 전력 0.90Ws/㎣ 이하의 전력이 입력된다.

Description

방전관, 그 제조방법, 및 이를 이용한 스트로보 장치 및 카메라{ELECTRIC DISCHARGE TUBE, METHOD OF MANUFACTURING THE TUBE, STROBOSCOPIC DEVICE USING THE TUBE, AND CAMERA}

본 발명은 사진 촬영용의 인공 광원으로서 사용되는 방전관에 관한 것으로, 특히 발광을 위한 전기 입력에 대한 내구성이 뛰어난 방전관 및 이를 이용한 스트로보 장치 및 카메라에 관한 것이다.

사진 촬영용의 스트로보 장치나 사진용 카메라에 내장되어 인공 광원으로서 사용되는 방전관은, 휴대성이 풍부한 것으로 하기 위해서 소형으로 발광량이 큰 것이 요구되고 있다. 이러한 방전관은, 유리관의 양단에 애노드 및 캐소드의 한 쌍의 주 전극이 봉지된 유리 벌브 내에 희가스가 봉입되고, 그 한 쌍의 주 전극 사이에 전기 입력을 공급함으로써 방전 발광한다.

그 발광량은 전기 입력이 클수록 커지는 것은 주지이고, 상기 요구를 만족하기 위해서는, 유리 벌브를 작게 하고 전기 입력을 크게 하면 좋다. 그러나, 유리 벌브에 대한 전기 입력에는 한계가 있고, 한계를 넘은 전기 입력을 인가하면 유리 벌브는 대단히 적은 발광 회수로 크랙이 발생하거나 파열하기 때문에 필요 이상의 전기 입력은 인가할 수 없다.

이러한 유리 벌브의 강도를 높여서 전기 입력에 대한 내구성을 강하게 한 방전관으로서 일본 특허의 특개소 62-206761호 공보에 개시된 것이 있다. 이 방전관은 유리 벌브 내외 표면에 형성된 이산화규소의 박막을 갖고, 이것에 의해서 유리 벌브로서 특히 고 강도의 석영관을 사용하지 않고도 발광을 위한 전기 입력에 대한 유리 벌브의 강도를 높이고 있다.

그러나, 방전관에 입력되는 전기 입력에 대한 강도에 대해서는, 다양한 인자가 생각되고 단지 유리 벌브의 내외 표면에 이산화규소의 박막을 형성하는 것 만으로는, 유리 벌브의 강도를 높인 방전관을 얻을 수 없다.

또한, 최근의 방전관은 소형화가 요구되고 있고, 유리 벌브의 강도가 향상하면 당연히 방전관은 소형으로 할 수 있으며, 또 이러한 방전관을 장착하여 사용하는 사진용 스트로보 장치나 사진용 카메라도 소형화할 수 있다.

방전관은 큰 전기 입력에도 견딜 수 있고, 소형화할 수 있다. 이 방전관은, 소형의 사진용 스트로보 장치 및 사진용 카메라를 실현한다. 이 방전관은, 희가스가 봉입된 두께가 0.2㎜∼0.6㎜인 유리 벌브와, 유리 벌브 내의 양단에 각각 설치된 한 쌍의 주 전극과 유리 벌브의 외표면에 형성된 트리거 전극과, 유리 벌브의 내면에 형성된, 두께가 0.05㎛∼0.11㎛인 이산화규소로 이루어지는 피막을 구비한다. 주 전극에는 유리 벌브의 내용적을 기준으로 한 전력 0.90Ws/㎣ 이하가 인가된다.

도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 의한 방전관의 단면도,

도 2는 실시 형태 1에 의한 방전관의 부분 확대 단면도,

도 3은 실시 형태 1에 의한 방전관의 주 전극의 확대 단면도,

도 4는 실시 형태 1에 의한 방전관 내면에 보호 피막을 형성하기 위한 실란올 용액의 피막을 도포하는 방법을 도시하는 단면도,

도 5는 실시 형태 1에 의한 방전관의 발광 시험 회로도,

도 6은 실시 형태에 의한 방전관과 종래의 방전관의 성능 비교 시험을 설명하기 위한 방전관 개략도,

도 7은 실시 형태 1에 의한 방전관을 장착하여 이루어지는 반사우산의 사시도,

도 8은 본 발명의 실시 형태 2에 의한 스트로보 장치의 사시도,

도 9는 본 발명의 실시 형태 3에 의한 카메라의 사시도,

도 10은 본 발명의 실시 형태 4인 방전관의 단면도,

도 11은 도 10에 도시하는 방전관의 11-11선의 종단면도,

도 12는 본 발명의 실시 형태 5에 의한 방전관의 단면도,

도 13은 도 12에 도시하는 방전관의 13-13선의 종단면도,

도 14A는 실시 형태 5에 의한 방전관에 관한 것으로, 유리관 내면에 트리거 전극을 형성하는 방법을 도시하는 단면도,

도 14B는 실시 형태 5에 의한 방전관에 관한 것으로, 유리관 내면에 트리거 전극의 도전성 피막 및 이산화규소의 보호 피막을 형성하는 방법을 도시하는 단면 도이다.

(실시 형태 1)

도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 의한 방전관의 단면도이다. 방전관은 붕규산의 경질 유리로 이루어지는 유리 벌브(1)와, 유리 벌브 양단부에 봉지(封止)되는 주 전극(2, 3)을 구비한다. 주 전극(2)은 후술하는 발광 에너지 공급의 주 방전 콘덴서의 저압측에 접속되는 캐소드 전극으로, 금속체(4)와 소결 금속체(5)로 구성된다. 주 전극(3)은 상기 주 방전 콘덴서의 고압측에 접속되는 애노드 전극이다. 금속체(4)는 유리 벌브(1)의 단부에 봉지되어 주 전극(2)을 구성하여 발광을 위한 전력이 입력되는 도입선이다. 소결 금속체(5)는 유리 벌브(1) 내에 위치하는 금속체(4)의 선단부에 코킹 또는 용접 등에 의해 장착되어 주 전극(2)을 구성한다. 비드 유리(6)는 금속체(4)를 유리 벌브 단부에 봉지한다. 비드 유리(7)는 유리 벌브 단부에 봉지되어 발광을 위한 전력이 입력되는 도입선인 동시에 주 전극을 구성하는 금속체(3)를 유리 벌브 단부에 봉지한다. 유리 벌브(1) 내에 형성되는 투광성이 좋은 이산화규소의 보호 피막(8)은 도 2에 도시하는 바와 같이, 유리 벌브(1)의 내면에 얇게 도포된 후 고온으로 소성되어 형성된다. 유리 벌브의 내부(9)에는 소정량의 예를 들면 크세논의 희가스가 봉입된다. 트리거 전극(10)은, 방전관의 방전을 여기하기 위한 고압의 트리거 전압이 공급되고, 공지의 주석 또는 인듐 등의 산화 금속으로 이루어지는 투명한 도전성 피막으로 형성되어 이루어진다.

주 전극(2)을 구성하는 소결 금속체(5)는, 예를 들면 탄탈과 니오브의 미분 말의 혼합 금속 분말을 프레스 성형하여 1500℃ 정도의 고온으로 소성하여 만들어진다. 금속체(4)는 텅스텐이나 코바(kovar) 등의 단일 금속이어도 좋지만, 도 3에 도시하는 바와 같이, 유리 벌브(1) 내에 위치하고 있는 부분(11)을 고융점 금속인 텅스텐으로 형성하고, 유리 벌브 바깥으로 돌출하여 전력이 인가되는 금속체(12)를 니켈 등의 가공하기 쉬운 금속을 용접에 의해 접합해도 좋다.

주 전극(3)도 텅스텐이나 코바 등의 단일 금속 또는 도 3에 도시한 것과 동일한 텅스텐과 니켈을 접합한 금속체로 구성해도 좋다.

그리고, 이상의 구성으로 이루어지는 방전관의 보호 피막(8)의 형성 방법에 대해서 도 4와 함께 설명한다.

보호 피막(8)은, 우선 용기(13)에 넣어진 실란올, 메탄올, 아세트산 에틸, 에탄올 등의 혼합액을 용기(13)에 넣은 실란올 용액(14)에 유리관(15)의 일단을 침지한다. 유리관(15)의 타단에 접속된 도시하지 않은 진공 펌프에 의해 실란올 용액을 화살표 위쪽 방향으로 흡인하여 주 전극(2, 3)의 어느 한 쪽의 주 전극이 봉지되는 부분을 제외하고 소정 위치까지 실란올 용액(14)을 상승시켜서 유리관(15)의 내면에 실란올 용액(14)을 도포한다. 그 후, 유리관(15)을 용액으로부터 취출하여 유리관(15) 내부의 실란올 용액을 배출하면, 유리관 내면에 이산화규소의 보호 피막이 되는 실란올 용액의 도포막(이하 실란올 피막이라고 한다)이 형성된다. 실란올 용액의 일례를 표 1에 나타낸다.

(표 1)

실란올 용액 중에 침지한 유리관(15)의 하단 부분은, 다른 쪽의 주 전극의 봉지 부분이기 때문에, 이 부분의 보호 피막을 제거할 필요가 있다. 그 다른 쪽의 주 전극이 봉지되는 상기 하단의 피막 형성 불요 부분에 있어서의 실란올 피막의 제거 방법은, 브러시에 의해 문질러도 좋지만, 다음의 방법으로도 제거 가능하다.

실란올 피막 도포 후에 에어 또는 질소를 유리관 내에 유입하여 실란올 피막을 건조한 후, 예를 들면 실란올 피막 제거제인 수산화나트륨의 30% 수용액 또는 수산화칼륨 30% 수용액 또는 불화수소산 2% 수용액에 유리관의 도포 피막 불요 부분을 단시간 예를 들면 수초 정도 침지한다. 또는 실란올 피막의 건조 후에 약 150℃의 온도로 실란올 피막을 가소성한 후, 상기 불요한 피막 부분을 불화수소산 5% 수용액 또는 불화암모늄 10% 수용액 중에 단시간, 예를 들면 2∼5초간 침지하여 제거하고 그 피막 제거 부분을 수세(水洗)하면 좋다.

이상과 같이 하여, 실란올 피막의 불요 부분을 제거한 후, 유리관(15)을 용기 내에 넣어 150℃까지 서서히 온도 상승시켜서 제1 단계의 150℃의 온도를 15분∼30분 정도 유지한다. 그 후, 다음 제2 단계의 약 300℃까지 서서히 온도 상승시 켜서, 300℃의 온도를 15분∼30분 정도 유지한 후, 제3 단계의 600℃∼650℃의 고온으로까지 서서히 상승시킨다. 600℃∼650℃의 온도를 예를 들면 약 30분 정도 유지하면 이산화규소의 피막이 소성되어 유리관에 보호 피막이 형성된다.

이와 같이, 보호 피막(8)은, 저온∼고온까지 단계적으로 온도를 상승시켜서, 제1∼제3 단계의 온도를 수십분 유지함으로써 소성되어 형성되는 것이 바람직하다. 갑자기 고온의 예를 들면 650℃의 고온 용기 내에 유리관을 넣어서 소성하는 것은, 실란올 피막에 균열이 발생하거나 하기 때문에 바람직하지 않다. 보호 피막(8)의 단계적인 소성 온도 및 각 단계에서의 온도 유지 시간은 실란올 피막의 두께 등에 의해서 적당히 조정한다.

이와 같이 하여 형성되는 이산화규소에 의한 보호 피막(8)의 막두께는, 예를 들면 실란올 용액의 농도를 변화시키거나, 실란올 피막의 도포 후에 유리관으로부터 배출되는 실란올 용액의 배출 속도를 조정함으로써 바꿀 수 있다.

실란올 피막의 도포는, 도시하지 않지만 고정하여 유지된 유리관과 실란올 용액을 넣은 용기를 결합관에 의해서 연결해 두고, 실란올 용액의 용기를 상하 이동함으로써 유리관 내의 실란올 용액을 상하시켜서 유리관에 도포해도 좋다.

이와 같이 하여 이산화규소의 보호 피막(8)이 형성된 유리관(15)은, 그 외표면에 예를 들면 투명한 주석 또는 인듐 등의 산화 금속에 의한 주지의 투명 도전성 피막으로 이루어지는 트리거 전극(10)이 형성된다. 그 중, 유리관(15)의 양 단부에 전술한 주 전극(2, 3)이 봉지되는 동시에 유리 벌브 내에 크세논 등의 희가스가 필요량 봉입되어 방전관이 완성된다.

이상의 구성으로 이루어지는 본 실시 형태의 방전관에는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 유리 벌브(1)에 내경(Φ1)이 3.0㎜Φ인 붕규산 유리 재료가 사용되고, 벌브(1) 내에 크세논 가스의 희가스가 100kPa 봉입된다. 유리 벌브(1)에 봉지되는 도 1에 도시한 주 전극(2, 3) 사이의 방전 간격(L)은 26㎜이다. 유리 벌브(1) 내면에 형성된 전술한 이산화규소의 보호 피막(8)이 형성되고, 유리 벌브(1) 외주면에는 트리거 전극(10)이 형성된다. 유리 벌브(1)의 두께(Φ2-Φ1/2)를 실용의 하한인 0.2㎜∼0.6㎜의 범위로 변화시킨 것과, 유리 벌브 내면에 형성하는 보호 피막의 이산화규소(SiO₂)의 막두께를 0.03㎛∼0.13㎛으로 변화시킨 것을 조합한 것을, 각 10개 제작하였다.

이들의 유리 벌브(1) 내에 형성되는 이산화규소의 피막의 막두께는, 유리관을 오제(Auger) 전자광 분석에 의해서 측정하고, 이산화규소 피막의 막두께 형성의 조건, 예를 들면 실란올 용액의 농도를 고정해 두고 동일한 두께의 유리관에 이산화규소의 막두께가 동일한 것을 제작하였다. 각각의 유리관으로 상술한 사양에 의한 방전관을 제작하였다.

한편, 본 실시 형태에서의 붕규산 유리 재료의 유리 벌브의 내면에 피막을 갖지 않는 종래의 방전관은, 벌브 내에 크세논 가스의 희가스가 100kPa 봉입된다. 유리 벌브에 봉지되는 본 실시 형태와 동일한 양 주 전극의 방전 간격은 26㎜으로 한다. 그리고 본 실시 형태와 동일 사양으로 각 10개 제작하였다.

그리고, 본 실시 형태 및 종래의 방전관을, 도 5에 도시하는 전기 회로도로 발광 시험을 행하였다. 도 5의 발광 회로는 사진용 스트로보 장치의 기본 회로이다. 주 방전 콘덴서(17)는 직류 전원(16)에 의해 충전되고, 평가를 위해서 측정되는 피방전관(X)에 발광 에너지인 전력을 공급한다. 트리거 회로(18)는 피방전관(X)을 방전 여기하기 위한 트리거 전압을 트리거 전극에 공급한다.

측정시에는, 주 방전 콘덴서(17)의 용량치를 1,540㎌로 고정하고 그 충전 전압을 가변함으로써 전기 입력을 변화시킨다. 또한 방전관에 발광 간격을 30초로 고정하여 2,000회의 발광을 행하게 하여, 초기 광량값에 대한 2,000회 발광 후의 광량의 변화를 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.

(표 2)

표 중, 종래품의 란에서 기재하고 있는 「측정 불능」은, 2,000회까지의 발광도중에 시료 10개 전부가 유리 벌브의 파손이나 크랙 등에 의해서 발광 불능이 되어 광량의 비를 측정할 수 없었던 것을 나타낸다. 또, 예를 들면 0.4㎜의 두께 의 유리 벌브로 0.85Ws/㎣인 입력 에너지의 경우에 광량의 비가 80(n=4)로 기재되어 있는 것은, 10개의 시료 중 6개는 2,000회의 발광 도중에 발광 불능이 되어, 4개만이 2,000회까지 발광할 수 있고, 그 평균치가 80%인 광량치의 비인 것을 나타낸다.

본 실시 형태의 광량의 비의 란에 n=6, 5 …의 수치를 기재하고 있는 것도 종래품과 동일한 것을 나타낸다. 즉 전기 입력이 0.92Ws/㎣인 경우에, 예를 들면 벌브 두께가 0.2㎜이고 이산화규소의 막두께가 0.03㎛인 것에서는 광량의 비를 75(n=6)로 기재하고 있다. 이것은 상기한 바와 같이 2,000회까지 발광한 시료수가 6개이고, 그 광량의 비의 평균치가 75%인 것을 나타내며, 따라서 4개가 2,000회까지의 발광에 있어서 발광 불량이 된 것을 나타낸다. 또, 광량의 비의 란의 수치의 옆에(n=…)의 기재가 없는 것은, 각 광량의 비의 수치가 시료수 n=10개의 평균치인 것을 나타낸다.

표 2로부터, 본 실시 형태의 방전관은, 입력 전력이 0.92Ws/㎣에 있어서는, 유리 벌브의 두께 0.2㎜, 이산화규소의 막두께 0.03㎛, 0.05㎛, 0.08㎛의 방전관으로 2,000회까지의 발광 도중에 발광 불량이 된 것이, 각각 4, 5, 2개 발생하고 있다. 유리 벌브의 두께 0.4㎜인 것에서는, 이산화규소의 막두께가 0.03㎛, 0.05㎛에서 2,000회까지 발광 불량이 된 것이, 각각 3, 2개 발생하고 있다.

그리고 입력 전력이 0.90Ws/㎣, 0.85Ws/㎣가 되면, 유리 벌브의 두께 0.2㎜∼0.6㎜인 방전관에서는, 이산화규소의 막두께가 0.03㎛로 얇아도 2,000회까지 완전히 발광하고 있다.

광량의 비는, 0.90Ws/㎣의 입력의 경우, 유리 벌브의 두께 0.2㎜의 방전관에서는, 이산화규소의 막두께가 0.03㎛, 0.13㎛인 것은 광량의 비가 87%, 90%로 다른 0.05㎛∼0.11㎛의 막두께의 것에 비해서 낮다. 이 경향은 두께가 0.4㎜, 0.6㎜인 유리 벌브의 것이라도 동일하고, 이산화규소의 막두께는 너무 얇아도 너무 두꺼워도 발광량에 대해서는 나쁜 결과가 되는 것을 나타내고 있다. 이 점에 대해서는, 전기 입력이 0.85Ws/㎣인 경우에도, 0.2㎜∼0.6㎜의 유리 벌브 전부에 대해서 동일하다.

방전관으로서는, 1,000, 2,000회의 다수회의 발광 후에도, 초기 값의 광량에 대한 광량의 비는, 사진용 스트로보 장치 및 사진용 카메라에 사용되는 방전관으로서는 초기 값에 대한 광량의 비는 90% 이상이면 실용상 문제없다.

이상의 것으로부터, 두께가 0.2㎜∼0.6㎜인 유리 벌브의 방전관에서의 전기 입력, 보호 피막인 이산화규소의 막두께의 실사용 상에서의 최적 조건치를 생각하면, 전기 입력이 0.92Ws/㎣인 경우에는, 유리 벌브 0.2㎜, 0.4㎜의 방전관에서 발광 불량이 발생하고 있고, 발광 수명에서 이 전기 입력은 실용상 바람직하지 않다. 따라서 발광 수명의 점에서 전기 입력으로부터는 0.90Ws/㎣ 이하가 그 입력 조건이라고 할 수 있다.

광량의 비로부터는, 전술한 2,000회 발광 후의 광량의 비가 90% 이상이라는 조건에서는, 이산화규소의 막두께는 0.05㎛∼0.11㎛이 바람직하다.

한편, 종래의 방전관은, 두께가 0.6㎜인 유리 벌브의 것만이, 간신히 0.90Ws/㎣ 이하에서 전체 시료가 2,000회 발광 가능하지만, 0.92Ws/㎣의 전기 입력 이 되면, 0.6㎜의 두께의 유리 벌브라도 시료의 전부가 2,000회까지 발광할 수 없다. 광량의 비는, 0.6㎜의 두께의 유리 벌브의 것에 0.90Ws/㎣를 입력한 것은 85%, 동일 벌브의 것에 0.85Ws/㎣를 입력한 것은 87%이다. 이들의 발광량의 비는 상기한 실제로 사용하는 경우 실용적인 광량치의 비인 90% 이하이고, 모두 동일 입력 조건의 본 실시 형태의 것에 비해서 광량의 비는 낮다.

이와 같이 본 실시 형태의 방전관은, 종래의 것에 비해서 발광 수명, 광량의 비의 어느 것에 있어서도 우수한 것을 확인할 수 있었다.

다음에, 본 실시 형태와 종래의 방전관에서 동등의 발광량을 얻기 위해서 어느 정도의 치수가 필요한지를 도 6의 방전관 개략도를 사용하여 설명한다.

표 3은 동등한 광량을 얻기 위해서 필요한 유리 벌브의 외경 및 내경, 전극간 거리, 전극간 거리 부분의 용적, 봉입 가스압 및 전기 입력을 나타낸다. 본 실시 형태의 방전관에서는, 유리 벌브의 내면에 형성되는 이산화규소의 막두께를 0.05㎛으로 하였다. 또한 전기 입력은, 유리 벌브의 단위 용적에 대한 값이 나타나 있다. 종래의 것으로의 전기 입력은 1,540㎌의 주 방전 콘덴서를 340V로 충전한 충전 에너지를 주 전극 사이에 인가하였을 때의 내용적에 대한 환산 전력을 나타낸다. 본 실시 형태의 그것은 1,540㎌의 주 방전 콘덴서를 355V로 충전한 충전 에너지를 주 전극 사이에 인가하였을 때의 내용적에 대한 환산 전력을 나타낸다.

(표 3)

표 3으로부터 명확하게 알 수 있는 바와 같이, 본 실시 형태의 방전관에서는, 두께 0.35㎜의 유리 벌브를 사용하고, 그 벌브 내에 0.05㎛의 이산화규소의 피막을 형성하여, 0.90Ws/㎣을 입력함으로써 종래의 방전관과 동등의 광량을 얻을 수 있다.

종래와 본 실시 형태의 주 전극 사이(거리(L))의 부분에서의 용적 V:

V=L×π×(Φ2/2)²

은 종래의 방전관이 283.7㎣인 것에 대하여 본 실시 형태의 방전관은 183.7㎣이다. 따라서 용적에 있어서 본 실시 형태의 방전관은 종래의 것의 64.8%로, 35.2% 작아 좋다. 이 용적비는, 방전관의 전극의 봉지부를 포함한 전체에 대해서도 동일하다. 전극 및 유리 벌브의 봉지 부분의 용적은, 방전관의 사양 및 생산 방법에 크게 의존하고, 종래의 방전관과 본 실시 형태의 것에서 그다지 차이가 생기지 않는다. 소형화에 관해서 중요한 것은 주 전극 사이의 부분의 용적이고, 따라서 본 실시 형태의 방전관은 종래의 것에 비해서 상당히 소형화할 수 있다.

방전관은, 사진용 스트로보 장치나 사진용 카메라에 장착시에, 내면이 반사광 효율이 좋은 반사우산에 우선 장착된다. 도 7은 방전관을 장착하여 이루어지는 반사우산의 사시도이다. 알루미늄이나 수지제의 반사우산(19)의 방전관(20)이 장착되는 내면에는 광을 효율적으로 반사하기 위해서 예를 들면 은 증착에 의한 광 반사층이 형성되어 있다. 반사우산(19)의 전면에는 방전관(20)으로부터의 발광 특성을 조정하기 위해서 광 투과성 수지제의 발광 패널(21)이 장착된다.

반사우산(19)의 크기는 장착되는 방전관(20)의 크기에 관련되어 있고, 따라서 상술한 소형화된 본 실시 형태의 방전관이 장착되는 반사우산도 방전관이 소형화된 용적분만큼 확실하게 소형화된다. 또한 그들을 장착하여 사용하는 스트로보 장치나 카메라도 방전관 및 반사우산이 소형화된 부분만큼 소형화할 수 있다.

(실시 형태 2)

도 8은 본 발명의 실시 형태 2에 의한 사진용 스트로보 장치(22)의 사시도이다. 스트로보 장치(22)에는, 도 5의 발광 시험 회로에서의 직류 전원, 주 방전 콘덴서, 트리거 회로 등의 방전관을 발광시키기 위해서 필요한 회로나 부품 및 도 7에 도시하는 방전관과 반사우산이 장착된다. 본 실시 형태에 있어서의 사진용 스트로보 장치는, 전술한 바와 같이 방전관 및 반사우산이 소형이기 때문에, 그것에 부수하여 소형화할 수 있다. 스트로보 장치(22)는, 도 7에서 도시한 발광 패널(21)과, 사진용 카메라에 장착하기 위한 장착부(23)를 구비한다.

(실시 형태 3)

도 9는, 본 발명의 방전관을 장착하여 이루어지는 실시 형태 3에 의한 사진용 카메라의 사시도이다. 카메라(24)는 렌즈(25)와, 방전관을 장착한 반사우산의 전면에 장착되는 전술한 발광 패널(26)과, 파인더(27), 셔터 버튼(28), 도시하지 않은 다른 조작 스위치 및 전기 회로 등을 구비한다. 이 카메라는, 은염 필름을 사용하는 카메라 및 CCD 등의 전자 기록 매체에 전자 기록되는 소위 디지털 스틸 카메라 중 어느 하나이어도 좋다.

도 8, 도 9의 사진용 스트로보 장치 및 사진용 카메라는, 방전관 및 반사우산이 소형이 된 부분만큼 소형화할 수 있고, 보다 휴대성이 뛰어나다.

또, 새로운 기능 추가를 위해서 스페이스를 요하는 경우에도 스트로보 장치나 사진용 카메라 본체의 용적을 크게 할 필요는 없다. 이 카메라에서는 방전관 및 반사우산이 소형화된 용적분에 상당하는 용적 스페이스를 확보할 수 있기 때문에 그 스페이스를 유효하게 활용할 수 있다.

(실시 형태 4)

도 10은, 본 발명의 실시 형태 4에 관한 방전관의 단면도이다. 도 11은, 도 10의 방전관의 11-11선에 있어서의 단면도이다. 이들의 도면에서, 실시 형태 1의 방전관과 동일 번호의 것은 동일 기능의 것으로, 그 설명은 생략한다.

도 10 및 도 11에 도시하는 본 실시 형태의 방전관은, 유리 벌브(1)의 외주면에 형성된 전술한 투명한 도전성 피막인 트리거 전극(29)과, 트리거 전극(29)의 외표면을 덮는 이산화규소의 보호 피막(30)을 구비한다.

트리거 전극(29) 및 이산화규소의 보호 피막(30)은 구체적으로는 이하와 같이 형성된다.

우선 캐소드 전극인 주 전극(2)과 애노드 전극인 주 전극(3)이 봉지되는 유리관의 봉지 부분의 내외면에, 알루미노 규산염광물과 물의 혼합액 또는 산화알루 미늄과 물의 혼합액으로 이루어지는 절연성의 마스킹 재료를 도포하여 건조한다. 그 후에, 이 마스킹 재료가 도포된 유리관은 약 600℃의 고온 화로에 장전되고, 이 고온 화로 내의 가열 상태의 유리관을 향하여, 주석과 에탄올의 염화 용액 또는 인듐과 에탄올의 염화 용액을 안개 형상으로 분사한다. 이것에 의해서 유리관의 외주면의 소정 범위(애노드 전극(3) 및 캐소드 전극(2)의 봉지 부분에 대응한 위치를 제외한 부분)에 투명한 산화 주석 또는 산화 인듐의 도전성 피막의 트리거 전극(29)이 형성된다.

다음에, 유리관 내에 실란올 용액이 들어가지 않도록 유리관의 하단부를 폐색한다. 상기 마스킹 재료가 장착된 상태로 트리거 전극(29)이 형성된 유리관을, 표 1의 실란올 용액 내에 폐색된 하단부부터 침지하여, 상단부의 마스킹 위치까지 침지한다. 그 후 유리관을 실란올 용액으로부터 끌어 올려서 실란올 피막을 트리거 전극(29)의 외주면에 도포한다.

다음에, 전술한 바와 같이 실란올 피막이 형성된 유리관을 고온 화로에 넣고, 온도를 단계적으로 상승시켜서 실란올 피막을 소성하고, 트리거 전극(29)을 덮어서 보호 피막(30)을 형성한다.

다음에, 고온 화로로부터 인출되어 보호피막(30)이 형성된 유리관의 전극(2, 3)의 봉지 부분에 형성되어 있는 마스킹 재료를 브러시 조작 등에 의해서 제거하고, 유리관(1)의 외주면에 트리거 전극(29)과 보호 피막(30)으로 이루어지는 2층 구조의 피막이 형성된다.

그 후, 유리관의 일단에 캐소드 전극(2)과 트리거 전극(29)과 보호 피막(30) 을 갖는 유리 벌브(1)는, 비드 유리(7)를 장착한 애노드 전극(3)이 다른 쪽의 개구로부터 끼워져 삽입된 상태로, 소정의 배기·봉지 용기에 장전된다. 캐소드 전극(2)이 봉지되어 애노드 전극(3)이 끼워져 삽입되었을 뿐인 유리관은, 그 속의 불순 가스가 흡인 제거된 후에 크세논 가스가 필요 압력 도입되고, 내부에 크세논 가스가 충만된다. 이 상태로, 애노드 전극(3)이 비드 유리(7)를 통해서 유리 벌브(1)의 개구 부분에 융착되어 봉지되고, 본 실시 형태에 관한 방전관이 완성된다.

트리거 전극(29)과 이산화규소의 보호 피막(30)은 이하와 같이 형성되어도 좋다. 캐소드 전극(2)과 애노드 전극(3)의 양 주 전극이 유리 벌브에 봉지되어 희가스가 봉입된 유리 벌브(1)에서의 트리거 전극(29) 및 이산화규소의 보호 피막(30)의 불요 부분인 양 주 전극(2, 3)의 봉지 부분을 상기 마스킹 재료로 도포한다.

다음에, 먼저 유리 벌브(1)의 외주면에 투명한 도전성 피막으로 이루어지는 트리거 전극(29)이 형성된다. 또한 트리거 전극(29)을 덮어서 이산화규소로 이루어지는 보호 피막(30)이 적층된다. 그리고 주 전극(2, 3)의 봉지 부분의 마스킹 재료가 제거된다. 따라서 실시 형태 1의 방전관과 동일하게, 실시 형태 4의 방전관에서는 유리 벌브(1)의 직경을 가늘게 하고, 두께를 얇게 해도 보호 피막(30)에 의해서 유리 벌브(1)의 크랙의 발생을 억제할 수 있다. 또 가령 미소 크랙이 발생해도 보호 피막(30)에 의해 크랙이 확대하는 것을 억제할 수 있어서, 종래와 같이 크랙의 발생이 즉시 유리 벌브(1)의 파손으로 이어지는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 따라서 유리 벌브(1)의 강도를 현저하게 향상시킬 수 있기 때문에, 방전관의 수명을 길게 할 수 있고 또한 소형화할 수 있다.

실시 형태 4의 방전관에 있어서는, 실시 형태 1과 동일하게, 캐소드 전극인 주 전극(2)은 금속체와 소결 금속체로 구성되지만, 애노드 전극(3)과 동일한 금속체 만으로 구성해도 좋다.

또, 실시 형태 4에 의한 방전관을 사진용 스트로보 장치 및 사진용 카메라에 사용함으로써, 스트로보 장치 및 카메라를 소형화 할 수 있다.

실시 형태 4의 방전관에 있어서는, 실란올 용액으로의 유리관의 침지와 이것에 계속되는 고온 소성에 의해, 유리 벌브(1)의 트리거 전극(29)의 표면으로 보호 피막(30)이 형성된다. 보호 피막(30)은 상기의 방법에 한정되지 않고, 소위 화학적 증착(CVD)법으로, 실란올 용액의 증기 분위기 내에 유리관을 놓아 둠으로써 트리거 전극(29)층의 표면에 실란올의 박막을 적층시키고, 계속해서 전술한 소성 처리를 행하는 것으로 형성해도 좋다.

(실시 형태 5)

도 12는 실시 형태 5에 의한 방전관의 단면도이고, 도 13은 도 12의 방전관의 13-13선에서의 단면도이다. 실시 형태 1, 4에 관한 방전관과 동일한 번호를 붙인 것은 동일한 기능을 갖고, 그 설명은 생략한다.

실시 형태 4의 방전관에서는 트리거 전극과 보호 피막이 유리 벌브 외주면에 적층하여 형성되지만, 실시 형태 5에 관한 방전관에서는, 유리 벌브(1)의 내주면에 트리거 전극(31)과 보호 피막(32)이 적층하여 형성된다.

트리거 전극 및 보호 피막의 형성 방법에 대해서 설명한다. 도 14A와 도 14B는, 트리거 전극(31) 및 이산화규소의 보호 피막(32)을 형성하는 방법의 설명도이다. 도 14A는 유리 벌브(1)의 내주면에 트리거 전극(31)을 형성하는 방법, 도 14B는 트리거 전극(31)의 상면을 덮어서 이산화규소의 보호 피막(32)을 형성하는 방법을 각각 도시한다.

먼저, 유리관(33)의 예를 들면 애노드 전극(3)이 봉지되는 부분에, 전술한 절연성의 마스킹 재료의 피막을 도포한다.

다음에, 마스킹 재료를 도포한 유리관(33)을, 애노드 전극(3)이 봉지되는 단부를 아래쪽으로 하고 도14A에 도시하는 바와 같이, 제1 용기(34) 내에 넣어진 주석 또는 인듐과 에탄올의 염화 용액(35) 내에 침지한다. 이 상태로, 유리관의 상부와 결합된 도시하지 않은 진공 펌프에 의해서 유리관(33) 내를 감압한다. 그리고 도14A에 도시하는 바와 같이, 제1 용기(34) 내의 염화 용액(35)을 유리관(33) 내에 상승시켜서, 캐소드 전극(2)이 봉지되는 부분의 위치까지 유리관(33)의 내주면을 염화 용액(35)에 침지한다.

다음에, 유리관(33) 내를 상압으로 되돌려서 염화 용액(35)을 강하시키고, 내주면에 염화 용액(35)의 박막을 도포한다. 그 후 유리관(33)을, 약 600℃의 고온 화로 내에 장전하여 염화 용액(35)의 박막에 소성 처리를 행함으로써, 유리관(33)의 내주면의 소정 범위에 투명한 산화 주석 또는 산화 인듐의 피막으로 이루어지는 트리거 전극(31)이 형성된다.

내주면에 트리거 전극(31)이 형성된 유리관(33)을, 제2 용기(36)에 채워진 표 1의 실란올 용액(37) 중에, 마스킹 재료가 장착된 상태의 유리관(33)의 애노드 전극(3)측을 침지한다. 계속해서, 유리관에 접속된 도시하지 않은 진공 펌프에 의한 흡인 처리를 함으로써, 도 14B에 도시하는 바와 같이 실란올 용액(37)을, 트리거 전극(31)을 덮도록, 캐소드 전극(2)이 봉지되는 부분의 윗쪽까지 유리관(33) 내를 상승시킨다.

다음에, 유리관(33) 내의 실란올 용액(37)은 유리관(33) 내를 상압으로 되돌림으로써 강하하고, 이것에 의해서 유리관(33) 내주면에 형성된 트리거 전극(31)을 덮어서, 실란올 피막이 도포된다. 실란올 피막이 도포된 유리관(33)을 고온 화로에 장전하여, 실시 형태와 동일하게 단계적으로 승압하여 소성하면, 이산화규소에 의한 보호 피막(32)이 형성된다.

다음에, 고온 화로로부터 취출된 유리관(33)의, 애노드 전극(3)이 봉지되는 단부에 형성되어 있는 마스킹의 도포막을 브러시 등에 의해서 제거한다. 이렇게 하여 형성된 보호 피막(32)은, 도 12 및 도 13에 도시하는 바와 같이, 트리거 전극(31) 전체를 덮고 있기 때문에, 애노드 전극(3) 및 캐소드 전극(2)과 트리거 전극(31)의 사이에, 보호 피막(32)이 확실하게 형성된다.

그 후, 캐소드 전극(2)이 비드 유리(6)를 통해서 유리관(33)의 단부(5)에 봉지되고, 트리거 전극(31)및 보호 피막(32)이 형성된 유리관(33)은, 비드 유리(7)를 장착한 애노드 전극(3)이, 다른 쪽의 개구로부터 끼워져 삽입된 상태로, 소정의 배기·봉지 용기 내에 장전된다. 배기·봉지 용기에서는 그 속의 불순 가스가 흡인 제거된 후에 크세논의 희가스가 소정 압력 도입됨으로써 내부에 크세논 가스가 충 만된다. 이 상태로, 애노드 전극(3)이 비드 유리(7)를 통해서 유리관(33) 개구 부분에 융착 봉지됨으로써, 도 12에 도시하는 실시 형태 5에 관한 방전관이 완성된다.

실시 형태 5에 관한 방전관에서는, 이상 서술한 바와 같이, 내부에 소정 압력의 크세논 등의 희가스가 봉입된 유리 벌브(1)의 내주면에, 투명한 도전성 피막으로 이루어지는 트리거 전극(31)이 형성된다. 유리 벌브(1)의 양단에 서로 대향한 한 쌍의 주 전극(애노드 전극(3) 및 캐소드 전극(2))이 설치된다. 트리거 전극(31)의 내주면에 절연성이 뛰어난 이산화규소로 이루어지는 보호 피막(32)이 또한 적층되어 있기 때문에, 유리 벌브(1)가 강화된다. 따라서 발광을 위한 전기 입력이 인가되었을 때의 충격에 의한 유리 벌브(1)의 크랙의 발생이 억제되어, 가령 미소 크랙이 발생해도 확대되는 것이 억제되어 유리 벌브(1)의 파손으로 이어지는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 따라서 유리 벌브가 강화된 본 실시 형태의 방전관은 종래의 방전관에 비해서 소형화할 수 있고, 직경을 세밀화할 수 있다.

상기에 더하여 실시 형태 5에 관한 방전관에서는, 유리 벌브 내에 트리거 전극(31)이 설치되고, 또한 그것이 보호 피막(32)으로 피복된다. 따라서 고압의 트리거 전압이 공급되었을 때에 유리 벌브 상에 형성된 트리거 전극과 주 전극의 사이에서의 단락을 완전히 방지할 수 있다. 따라서 그 단락에 기인한 방전관의 불발광을 확실하게 방지할 수 있다.

실시 형태 5의 방전관에 있어서는, 보호 피막(32)은, 실란올 피막이 트리거 전극(31)에 형성된 유리관(33)을 실시 형태와 동일하게 소정 온도로 가열 처리함으 로써 형성된다. 이것에 의해 간단한 조작으로 트리거 전극(31)을 덮는 보호 피막(32)이 형성된 방전관(1)을 제조할 수 있다.

실시 형태 5의 방전관에서는, 캐소드 전극의 주 전극(2)은 금속체와 소성 금속체로 형성되지만, 주 전극(3)인 애노드 전극과 동일한 금속체만으로 형성되어도 좋다.

실시 형태 5에 관한 방전관을 사용하여 이루어지는 사진용 스트로보 장치에서는, 고압의 트리거 전압이 공급되었을 때에 트리거 전극과 애노드 전극 또는 캐소드 전극의 사이에서 방전하여 단락하지 않기 때문에, 방전관의 불발광에 의해 정상적으로 촬영할 수 없게 되는 문제가 확실하게 방지된다.

이상 서술한 실시 형태 1, 4, 5에 관한 방전관에 있어서는, 유리 벌브의 내부 또는 외부에 형성되는 보호 피막은, 실란올 용액으로 유리 벌브를 형성하는 유리관을 침지하여 실란올액의 피막을 도포한 후, 이 피막을 단계적인 승온에 의해서 소성한다. 유리 벌브에 형성되는 이산화규소의 보호 피막은, 상기의 방법에 한정되지 않고, 실란올 용액의 증기 분위기 내에 유리관을 놓아 둠으로써, 유리관의 내외면에 실란올의 박막을 적층시키는, 소위 화학적 증착(CVD)법에 의해서 실란올 피막을 도포해도 좋다. 실란올 피막에 전술한 소성 처리를 행함으로써, 유리 벌브에 보호 피막을 형성할 수 있다.

실시 형태 1에 있어서 이산화규소의 보호 피막의 형성 상태는 그 두께로 나타내지만, 두께가 아니라 그 중량에 의해서도 나타낼 수 있다. 표 4에 이산화규소의 피막의 두께와 중량의 대비를 나타낸다. 보호 피막을 형성하지 않은 유리관 또 는 유리 벌브의 중량을 측정하고, 다음에 그 유리관 또는 유리 벌브에 형성된 보호 피막의 두께를 전술한 오제 전자 분석에 의해서 측정하는 동시에, 그 유리관 또는 유리 벌브의 중량을 계측하면 산화규소의 보호 피막의 두께에 대응한 중량을 산출할 수 있다.

(표 4)

본 발명에 의한 방전관은, 희가스가 봉입된 두께가 0.2㎜∼0.6㎜인 유리 벌브와, 유리 벌브 내의 양단에 각각 형성된 한 쌍의 주 전극과 유리 벌브의 외표면에 형성된 트리거 전극과, 유리 벌브의 내면에 형성된, 두께가 0.05㎛∼0.11㎛인 이산화규소로 이루어지는 피막을 구비한다. 주 전극 사이에는 유리 벌브의 내용적을 기준으로 한 전력 0.90Ws/㎣ 이하의 전력이 입력된다.

이 방전관은, 상기 조건에서의 보호 피막을 갖기 때문에, 상기 전기 입력에 대해서 크랙의 발생을 억제할 수 있고, 가령 크랙이 발생해도 크랙이 확대하는 경우가 없다. 또한 이 방전관은 2,000회 정도 다수회의 발광에도 충분히 견딜 수 있고, 이 만큼의 다수회의 발광에서도 초기 발광량에 비해서 거의 발광량이 저하하지 않고 안정하게 발광할 수 있다.

또, 유리 벌브를 실용성 높게 강화할 수 있기 때문에, 종래의 방전관에 비해서 전체의 용적을 상당히 저감할 수 있다. 또한 이 방전관을 사용한 사진용 스트로보 장치나 사진용 카메라도 소형으로 할 수 있고, 보다 한층 실용성이 높은 사진용 스트로보 장치 및 사진용 카메라를 제공할 수 있다.

Claims (24)

1. 희가스가 봉입된, 두께가 0.2㎜∼0.6㎜인 유리 벌브와,

   상기 유리 벌브 내의 양단에 각각 설치된 한 쌍의 주 전극과,

   상기 유리 벌브의 외표면에 형성된 트리거 전극과,

   상기 유리 벌브의 내면에 형성된, 두께가 0.05㎛∼0.11㎛인 이산화규소로 이루어지는 피막을 구비하고,

   상기 주 전극 사이에 상기 유리 벌브의 내용적을 기준으로 한 전력 0.90Ws/㎣ 이하의 전력이 입력되는 것을 특징으로 하는 방전관.
2. 희가스가 봉입된, 두께가 0.2㎜∼0.6㎜인 유리 벌브와,

   상기 유리 벌브 내의 양단에 각각 설치된 한 쌍의 주 전극과,

   상기 유리 벌브의 외면에 형성된 트리거 전극과,

   상기 트리거 전극의 외면을 덮어서 형성된, 두께가 0.05㎛∼0.11㎛인 이산화규소로 이루어지는 피막을 구비하고,

   상기 주 전극 사이에 상기 유리 벌브의 내용적을 기준으로 한 전력 0.90Ws/㎣ 이하의 전력이 입력되는 것을 특징으로 하는 방전관.
3. 희가스가 봉입된, 두께가 0.2㎜∼0.6㎜인 유리 벌브와,

   상기 유리 벌브 내의 양단에 각각 설치된 주 전극과,

   상기 유리 벌브의 내면에 형성된 트리거 전극과,

   상기 트리거 전극을 덮어서 형성된, 두께가 0.05㎛∼0.11㎛인 이산화규소로 이루어지는 피막을 구비하고,

   상기 주 전극 사이에 상기 유리 벌브의 내용적을 기준으로 한 전력 0.90Ws/㎣ 이하의 전력이 입력되는 것을 특징으로 하는 방전관.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 피막의 중량은 0.35㎍/㎟∼0.60㎍/㎟인 것을 특징으로 하는 방전관.
5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 주 전극의 적어도 한 쪽은,

   적어도 일부가 상기 유리 벌브에 봉지된 텅스텐 금속체와,

   상기 텅스텐 금속체에 접속된 니켈 금속체와,

   상기 유리 벌브의 내부에 위치하는, 상기 텅스텐 금속체의 선단에 배치된 소결 금속체를 갖는 것을 특징으로 하는 방전관.
6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 피막은, 상기 유리 벌브를 봉지하기 전의 유리관 상에 실란올 피막을 형성하고, 또한 상기 실란올 피막을 소성하여 형성된 것을 특징으로 하는 방전관.
7. 제6항에 있어서,

   상기 피막은, 상기 실란올 피막을 제1의 온도에서 제2의 온도까지 단계적으로 상승시켜서 소결하여 형성된 것을 특징으로 하는 방전관.
8. 제6항에 있어서,

   상기 피막은, 상기 실란올 피막의, 상기 유리 벌브의 상기 주 전극이 봉지되는 부분을 실란올 제거액에 침지하여 세정하고 제거하여 형성된 것을 특징으로 하는 방전관.
9. 제8항에 있어서,

   상기 실란올 제거액은, 수산화나트륨과 수산화칼륨과 불화수소산과 불화암모늄 중 어느 하나의 수용액인 것을 특징으로 하는 방전관.
10. 제2항에 있어서,

    상기 피막은, 상기 유리 벌브에 상기 주 전극의 봉지 부분을 제외하고 실란올 피막을 도포하고, 또한 상기 유리 벌브의 온도를 단계적으로 상승시켜서 상기 실란올 피막을 소성하여 형성된 것을 특징으로 하는 방전관.
11. 유리관의 외표면에 트리거 전극을 형성하는 공정과,

    상기 유리관 상에 실란올 피막을 형성하는 공정과,

    상기 실란올 피막을 갖는 상기 유리관의 온도를 제1의 온도부터 상기 제1의 온도보다 높은 제2의 온도까지 상승시켜서 상기 실란올 피막을 소성하여 이산화규소로 이루어지는 피막을 형성하는 공정과,

    상기 유리관의 양단에 한 쌍의 주 전극을 각각 봉지하여 유리 벌브를 형성하고 상기 유리 벌브에 희가스를 봉입하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 방전관의 제조 방법.
12. 제11항에 있어서,

    상기 피막을 형성하는 공정은, 상기 실란올 피막을 상기 제1의 온도에서 상기 제2의 온도까지 단계적으로 상승시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
13. 제11항에 있어서,

    상기 실란올 피막의, 상기 유리관의 상기 주 전극이 봉지되는 부분을 실란올 제거액에 침지하여 세정하고 제거하는 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 방법.
14. 제13항에 있어서,

    상기 실란올 제거액은, 수산화나트륨과 수산화칼륨과 불화수소산과 불화암모늄 중 어느 하나의 수용액인 것을 특징으로 하는 방법.
15. 제11항에 있어서,

    상기 주 전극의 적어도 한 쪽은, 텅스텐 금속체와 니켈 금속체를 접속하여 이루어지는 금속체와, 상기 텅스텐 금속체의 선단부에 형성된 소결 금속체를 갖고,

    상기 유리관의 양단에 봉지하는 공정은, 상기 소결 금속체를 상기 유리 벌브의 내부에 위치시키고, 상기 텅스텐 금속체의 적어도 일부를 상기 유리 벌브에 봉지하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
16. 내부에 희가스가 봉입되어 양단에 봉지된 한 쌍의 주 전극을 갖는 유리 벌브의 외표면에, 상기 주 전극의 봉지 부분을 제외하고 트리거 전극을 형성하는 공정과,

    상기 트리거 전극을 덮는 실란올 피막을 형성하는 공정과,

    상기 실란올 피막을 갖는 상기 유리 벌브의 온도를 상승시켜서 상기 실란올 피막을 소성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 방전관의 제조 방법.
17. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 방전관과,

    상기 방전관이 장착되어, 상기 방전관이 발하는 광을 반사하는 반사우산과,

    전원에 의해 충전되어, 상기 방전관에 에너지를 공급하는 콘덴서와,

    상기 방전관에 트리거 전압을 공급하는 트리거 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 스트로보 장치.
18. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 방전관과,

    상기 방전관이 장착되어, 상기 방전관이 발하는 광을 반사하는 반사우산과,

    전원에 의해 충전되어, 상기 방전관에 에너지를 공급하는 콘덴서와,

    상기 방전관에 트리거 전압을 공급하는 트리거 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 카메라.
19. 제17항에 있어서,

    상기 피막의 중량은 0.35㎍/㎟∼0.60㎍/㎟인 것을 특징으로 하는 스트로보 장치.
20. 제17항에 있어서,

    상기 주 전극의 적어도 한 쪽은,

    적어도 일부가 상기 유리 벌브에 봉지된 텅스텐 금속체와,

    상기 텅스텐 금속체에 접속된 니켈 금속체와,

    상기 유리 벌브의 내부에 위치하는, 상기 텅스텐 금속체의 선단에 배치된 소결 금속체를 갖는 것을 특징으로 하는 스트로보 장치.
21. 제17항에 있어서,

    상기 피막은, 상기 유리 벌브를 봉지하기 전의 유리관 상에 실란올 피막을 형성하고, 또한 상기 실란올 피막을 소성하여 형성된 것을 특징으로 하는 스트로보 장치.
22. 제18항에 있어서,

    상기 피막의 중량은 0.35㎍/㎟∼0.60㎍/㎟인 것을 특징으로 하는 카메라.
23. 제18항에 있어서,

    상기 주 전극의 적어도 한 쪽은,

    적어도 일부가 상기 유리 벌브에 봉지된 텅스텐 금속체와,

    상기 텅스텐 금속체에 접속된 니켈 금속체와,

    상기 유리 벌브의 내부에 위치하는, 상기 텅스텐 금속체의 선단에 배치된 소결 금속체를 갖는 것을 특징으로 하는 카메라.
24. 제18항에 있어서,

    상기 피막은, 상기 유리 벌브를 봉지하기 전의 유리관 상에 실란올 피막을 형성하고, 또한 상기 실란올 피막을 소성하여 형성된 것을 특징으로 하는 카메라.

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