KR100541370B1

KR100541370B1 - 반도체메모리소자

Info

Publication number: KR100541370B1
Application number: KR1020040070846A
Authority: KR
Inventors: 최준기; 김용규
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2004-09-06
Filing date: 2004-09-06
Publication date: 2006-01-10
Also published as: US7668034B2; US20080175088A1; US7349282B2; US20060050589A1

Abstract

본 발명은 레저바 캐패시터의 사이즈의 증가없이 노이즈로부터 전원전압의 레벨을 안정적으로 유지하여 공급하는 전원 공급장치를 구비하는 반도체메모리소자를 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명으로 제1 전원전압을 공급하기 위한 제1 전원전압 공급라인; 제2 전원전압을 공급하기 위한 제2 전원전압 공급라인; 제1 또는 제2 전원전압 공급라인에 연결되어 전원전압의 레벨을 안정적으로 유지시키기 위한 레저바 캐패시터; 및 상기 제2 전원전압의 소모 없이, 상기 제1 전원전압이 소모되는 경우 상기 제1 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키며, 상기 제2 전원전압의 소모 구간에서는 상기 제2 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키는 레저바 캐패시터 제어부 를 구비하는 전원 공급장치를 제공한다.

레저바 캐패시터, 중복, 전원전압, 사이즈, 공유

Description

반도체메모리소자{SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE}

도 1은 종래기술에 따른 전원 공급장치를 구비하는 반도체메모리소자의 블록 구성도.

도 2는 도 1의 반도체메모리소자의 동작 파형도.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전원 공급장치의 개념도

도 4는 도 3에서 도시한 전원 공급장치를 사용하는 반도체메모리소자의 블록 구성도.

도 5는 도 4의 동작 파형도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

120 : VDD 전원전압 공급라인

220 : VPP 전원전압 공급라인

140, 340 : 레저바 캐패시터

320 : 레저바 캐패시터 제어부

본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로, 특히 안정적으로 전원을 공급하는 전원 공급장치를 구비하는 반도체메모리소자에 관한 것이다.

현재 DRAM의 고속화 및 저전력화가 진행되고 있다. 특히 저전압 공정에서 Vt(트랜지스터의 문턱전압)의 변화 및 크기는 회로의 안정화를 크게 결정하는 척도가 되므로, 공급전압원의 안정화가 절실히 요구된다.

따라서, 반도체메모리소자 내의 전원 공급장치는 외부로부터 전원을 인가받아 원하는 레벨의 전원을 생성하는 전원 생성부와, 전원 생성부의 출력노드에 연결되어 노이즈로부터 전원전압의 레벨을 안정적으로 유지시켜 주기 위한 레저바 캐패시터를 구비한다.

도 1은 종래기술에 따른 전원 공급장치를 구비하는 반도체메모리소자의 블록 구성도이다.

도 1를 참조하면, 종래기술에 따른 반도체메모리소자는 메모리셀어레이블록(10)과, 메모리셀어레이블록의 비트라인 쌍(BL, /BL)의 전압레벨을 감지 및 증폭하기 위한 비트라인 감지증폭기블록(20)과, 전원전압 VPP을 공급하기 위한 VPP 전원전압 공급부(30)와, 액티브신호(ACT)에 응답하여 메모리셀어레이블록의 워드라인(WL)을 전원전압 VPP로 구동하기 위한 워드라인 구동부(40)와, 전원전압 VDD을 공급하기 위한 VDD 전원전압 공급부(50)와, 전원전압 VCORE을 공급하기 위한 VCORE 전원전압 공급부(60)와, 액티브신호(ACT)를 인가받아 BLSA 구동제어신호(SA_ACT)를 생성하기 위한 BLSA 구동제어신호 생성부(70)와, 구동제어신호(SA_ACT)를 인가받아 오버드라이빙 제어신호를 생성하기 위한 오버드라이빙 제어신호 생성부(80)와, BLSA 구동제어신호(SA_ACT)를 인가받아 비트라인 감지증폭기의 전원라인 RTO을 전원전압 VCORE로 구동하되, 오버드라이빙 제어신호에 응답하여 전원전압 VDD로 오버드라이빙하기 위한 BLSA 전원라인 구동부(90)를 구비한다.

참고적으로, 전원전압 공급부(30, 50, 60)는 출력되는 전원전압의 레벨을 노이즈로부터 안정화시키기 위한 레저바 캐패시터(Reservoir Capacitor, 도면에 도시되지 않음)를 출력노드에 구비한다.

도 2는 도 1의 반도체메모리소자의 동작 파형도로서, 이를 참조하여 동작을 살펴보도록 한다.

먼저, 워드라인 구동부(40)가 액티브신호(ACT)에 응답하여 메모리셀어레이블록(10)의 워드라인(WL)에 전원전압 VPP를 공급하므로서, 워드라인(WL)에 연결된 메모리셀의 데이터가 비트라인 쌍(BL, /BL)에 미세전압으로 유입된다.('A' 구간)

또한, BLSA 구동제어신호 생성부(70)가 액티브신호(ACT)에 응답하여 소정시간 이후 BLSA 구동제어신호(SA_ACT)를 활성화시키며, 오버드라이빙 제어신호 생성부(80)는 BLSA 구동제어신호(SA_ACT)의 활성화 시점으로 부터 소정시간 동안 오버드라이빙 제어신호를 활성화시킨다. BLSA 전원라인 구동부(90)는 BLSA 구동제어신호(SA_ACT)에 응답하여 비트라인 감지증폭기를 전원전압 VCORE를 공급하므로써 액티브시키되, 오버드라이빙제어신호의 활성화 구간 동안에는 전원전압 VDD로 비트라인 감지증폭기의 전원라인 RTO를 오버드라이빙한다. 따라서, 비트라인 감지증폭기 가 비트라인 쌍(BL, /BL)에 실린 전압을 감지 및 증폭한다.

이후, 프리차지 커맨드(PCG)가 입력되면, 워드라인(WL)이 비활성화되며 비트라인 쌍(BL, /BL)이 프리차지 된다.('C' 구간)

참고적으로, 도면에 도시된 'B'구간은 오버드라이빙제어신호에 의해 비트라인 감지증폭기의 전원라인 RTO에 전원전압 VCORE보다 높은 레벨의 전원전압 VDD가 인가되는 구간이다.

전술한 바와같이 반도체메모리소자는 액티브신호가 인가되어 선택된 하나의 워드라인을 구동하기 위해 전원전압 VPP를 사용하며, 이후 비트라인 감지증폭기의 센싱 동작의 초기에 전원전압 VCORE 공급단과, 전원전압 VDD 공급단을 쇼트(short)시켜 레저바 캐패시터에 더 많은 전하를 공급하므로써, 비트라인의 전압레벨을 보다 높은 전위로 끌어올리므로, tRCD 및 tWR의 향상을 도모한다.

참고적으로, tRCD(RAS tO CAS Delay)는 액티브 커맨드를 인가하고 이어 읽기커맨드 또는 쓰기 커맨드를 인가하기까지 걸리는 시간을 의미하며, tWR은 액티브커맨드가 인가되어 데이터가 메모리셀에 저장되기 까지 걸리는 시간을 의미한다.

한편, 비트라인 감지증폭기의 초기 센싱동작 시에는 동일 워드라인에 연결된 수천개의 메모리셀이 활성화되어 인가된 비트라인 쌍의 데이터를 일시에 감지 및 증폭하기 때문에 전원전압 VDD의 소모가 가장 많이 발생한다. 따라서, 전원전압 VDD의 레벨 강하가 많이 발생된다.

따라서, 비트라인 감지증폭기의 초기 구동시 전원전압 VDD의 레벨 안정화시키기 위해, VDD 전원전압 공급부의 레저바 캐패시터의 크기를 증가시킬 수 있다. 그러나 전원전압 VDD의 소모가 가장 큰 경우를 기준으로 레저바 캐패시터의 사이즈를 조절하게되면, 이는 면적적 손실이 된다.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 레저바 캐패시터의 사이즈의 증가없이 노이즈로부터 전원전압의 레벨을 안정적으로 유지하여 공급하는 전원 공급장치를 구비하는 반도체메모리소자를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 전원 공급장치는 제1 전원전압을 공급하기 위한 제1 전원전압 공급라인; 제2 전원전압을 공급하기 위한 제2 전원전압 공급라인; 제1 또는 제2 전원전압 공급라인에 연결되어 전원전압의 레벨을 안정적으로 유지시키기 위한 레저바 캐패시터; 및 상기 제2 전원전압의 소모 없이, 상기 제1 전원전압이 소모되는 경우 상기 제1 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키며, 상기 제2 전원전압의 소모 구간에서는 상기 제2 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키는 레저바 캐패시터 제어부를 구비한다.

본 발명의 다른 측면에 따른 반도체메모리소자는 외부에서 인가받아 비트라인 감지증폭기의 구동 초기에 비트라인 감지증폭기의 전원라인을 오버드라이빙 하 기 위한 VDD 전원전압공급라인; 워드라인을 상기 외부에서 인가받은 전원전압 VDD 보다 고전위레벨로 구동하기 위한 VPP 전원전압 공급라인; 및 상기 VPP 전원전압 공급라인에 레저바 캐패시터를 연결시키되, 상기 오버드라이빙 구간을 포함하는 구간 동안에는 상기 VDD 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키는 레저바 캐패시터 제어부를 구비한다.

본 발명의 또 다른 측면에 따른 반도체메모리소자는 메모리셀어레이블록; 상기 메모리셀어레이블록의 비트라인 쌍의 전압레벨을 감지 및 증폭하기 위한 비트라인 감지증폭기블록; 제1 전원전압을 생성하기 위한 제1 전원전압 생성부와, 제1 전원전압 생성부의 출력노드에 연결된 레저바 캐패시터를 구비하는 제1 전원전압 공급수단; 액티브신호에 응답하여 상기 메모리셀어레이블록의 워드라인을 제1 전원전압으로 구동하기 위한 워드라인 구동수단; 제2 전원전압을 공급하기 위한 제2 전원전압 공급수단; 제3 전원전압을 공급하기 위한 제3 전원전압 공급수단; 상기 액티브신호를 인가받아 프리-구동제어신호 및 비트라인감지증폭기 구동제어신호를 생성하기 위한 비트라인 감지증폭기 구동제어신호 생성수단; 상기 프리-구동제어신호를 인가받아 상기 레저바 캐패시터를 제1 전원전압 생성부의 출력노드 또는 상기 제2 전원전압 공급수단의 출력노드에 선택적으로 연결시키기 위한 레저바 캐패시터 제어수단; 상기 비트라인감지증폭기 구동제어신호를 인가받아 오버드라이빙 제어신호를 생성하기 위한 오버드라이빙 제어신호 생성수단; 및 상기 비트라인감지증폭기 구동제어신호를 인가받아 비트라인 감지증폭기의 제1 전원라인을 제3 전원전압으로 구동하되, 상기 오버드라이빙 제어신호의 활성화 구간 동안 상기 제1 전원라인을 제2 전원전압으로 오버드라이빙하기 위한 비트라인 감지증폭기 전원라인 구동수단을 구비한다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전원 공급장치의 개념도이다.

도 3를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전원 공급장치는 전원전압 VDD를 공급하기 위한 VDD 전원전압 공급라인(120)과, VDD 전원전압 공급라인(120)에 연결된 레저바 캐패시터(140)와, 전원전압 VPP를 공급하기 위한 VPP 전원전압 공급라인(220)과, 전원전압 VPP의 소모 없이 전원전압 VDD가 소모되는 경우 VDD 전원전압 공급라인(120)에 레저바 캐패시터(340)를 연결시키며, 전원전압 VPP의 소모 구간에서는 VPP 전원전압 공급라인(220)에 레저바 캐패시터(340)를 연결시키는 레저바 캐패시터 제어부(320)를 구비한다.

그리고 레저바 캐패시터 제어부(320)는 전원전압 VPP의 소모 없이 전원전압 VDD가 소모되는 경우에 활성화되는 제어신호(CAPC)에 응답하여 VDD 전원전압 공급라인(120)에 레저바 캐패시터(340)를 연결시키기 위한 스위치(sw1)와, 제어신호(CAPC)에 응답하여 VPP 전원전압 공급라인(220)에 레저바 캐패시터(340)를 연결시키기 위한 스위치(sw2)를 구비한다.

간략히 동작을 살펴보면, 제어신호(CAPC)가 논리레벨 'L'를 갖는 구간에서는 VPP 전원전압 공급라인(220)에 레저바 캐패시터(340)가 연결되며, 제어신호(CAPC) 가 논리레벨 'H'를 갖는 구간에서는 VDD 전원전압 공급라인(120)에 레저바 캐패시터(340)가 연결된다.

따라서, 제어신호(CAPC)가 논리레벨 'H'를 갖는 구간에서 VDD 전원전압 공급라인(120)은 레저바 캐패시터 140 및 340을 가지므로, 보다 안정적인 전원전압을 공급한다.

이와같이, 본 발명에 따른 전원 공급장치는 전원전압의 가장 큰 소모가 발생하는 동작구간이 중복되지 않는 경우, 제어신호를 통해 레저바 캐패시터를 공유하도록 한다. 따라서, 레저바 캐패시터의 사이즈를 증가시키기 않고도 더욱 안정적인 전원전압을 공급할 수 있다.

도 4는 도 3에서 도시한 전원 공급장치를 사용하는 반도체메모리소자의 블록 구성도이다.

도 4를 참조하면, 반도체메모리소자는 메모리셀어레이블록(10)과, 메모리셀어레이블록의 비트라인 쌍(BL, /BL)의 전압레벨을 감지 및 증폭하기 위한 비트라인 감지증폭기블록(20)과, 전원전압 VPP을 생성하기 위한 VPP 전원전압 생성부(420)와, 레저바 캐패시터(440)를 구비하는 VPP 전원전압 공급부(400)와, 액티브신호(ACT)에 응답하여 메모리셀어레이블록의 워드라인(WL)을 전원전압 VPP로 구동하기 위한 워드라인 구동부(40)와, 전원전압 VDD을 공급하기 위한 VDD 전원전압 공급부(500)와, 전원전압 VCORE을 공급하기 위한 VCORE 전원전압 공급부(60)와, 액티브신호(ACT)를 인가받아 프리-구동제어신호(SA_ACT_PRE) 및 BLSA 구동제어신호(SA_ACT)를 생성하기 위한 BLSA 구동제어신호 생성부(70)와, 프리-구동제어신호 (SA_ACT_PRE)를 인가받아 레저바 캐패시터(440)를 VPP 전원전압 생성부(420)의 출력노드 또는 VDD 전원전압 공급부(500)의 출력노드에 선택적으로 연결시키기 위한 레저바 캐패시터 제어부(600)와, 구동제어신호(SA_ACT)를 인가받아 오버드라이빙 제어신호를 생성하기 위한 오버드라이빙 제어신호 생성부(80)와, BLSA 구동제어신호(SA_ACT)를 인가받아 비트라인 감지증폭기의 전원라인 RTO을 전원전압 VCORE로 구동하되, 오버드라이빙 제어신호에 응답하여 전원전압 VDD로 오버드라이빙하기 위한 BLSA 전원라인 구동부(90)를 구비한다.

그리고 레저바 캐패시터 제어부(600)는 프리-구동제어신호(SA_ACT_PRE)의 활성화에 응답하여 제어신호(CAPC)를 활성화시키며, 오버드라이빙 제어신호의 활성화구간을 포함하는 활성화구간을 갖도록 제어신호(CAPC)를 생성하는 제어신호 생성부(620)와, 제어신호(CAPC)에 응답하여 VPP 전원전압 생성부(420)의 출력노드, 또는 VDD 전원전압 공급부(500)의 출력노드에 선택적으로 레저바 캐패시터(440)를 연결시키기 위한 스위칭부(640)를 구비한다.

도 5는 도 4의 동작 파형도로서, 이를 참조하여 메모리셀 데이터의 액세스 과정 및 이에 따른 레저바 캐패시터의 공유에 대해서 살펴보도록 한다.

도면에 도시된 바와같이, 워드라인 구동부(40)는 액티브신호(ACT)에 응답하여 워드라인(WL)에 전원전압 VPP를 인가하므로서, 선택된 워드라인(WL)에 연결된 메모리셀의 데이터가 비트라인(BL, /BL)에 미세전압으로 유입되도록 한다('A'구간). 또한, BLSA 구동제어신호 생성부(70)는 액티브신호(ACT)에 응답하여 비트라인(BL, /BL)에 메모리셀의 데이터가 유입되도록 보장한 뒤, 프리-구동제어신호 (SA_ACT_PRE)를 활성화시키며, 소정시간 이후 BLSA 구동제어신호(SA_ACT)를 활성화시킨다.

이어, BLSA 전원라인 구동부(90)는 BLSA 구동제어신호(SA_ACT)에 응답하여 비트라인 감지증폭기의 전원라인 RTO에 전원전압 VCORE를 공급하여 구동시키되, 오버드라이빙 제어신호의 활성화 구간동안에는 전원전압 VDD로 비트라인 감지증폭기의 전원라인 RTO를 오버드라이빙 한다. 이때, 오버드라이빙 구간('B' 구간)을 포함하는 구간('D' 구간)에서 VDD 전원전압 공급부(500)는 레저바 캐패시터(440)를 더 구비하는데, 이는 제어신호 생성부(620)가 프리-구동제어신호(SA_ACT_PRE)의 활성화에 응답하여 제어신호(CAPC)를 활성화시키고 이를 오버드라이빙 구간('B' 구간)을 포함하는 구간('D' 구간)동안 유지시키기 때문이다.

이후, 프리차지신호(PCG)가 인가되어 워드라인(WL)이 비활성화되고, 비트라인 쌍(BL, /BL)이 프리차지전압(VBLP)으로 프리차지된다.('C'구간)

한편, 본 발명에 따른 반도체메모리소자는 레저바 캐패시터(440)를 비트라인 감지증폭기의 오버드라이빙 구간('B' 구간)에서는 VDD 전원전압 공급부(500)의 출력노드에 연결시켜주므로써, 비트라인 감지증폭기의 초기 구동시 발생하는 다량의 전류소모로 인한 전원전압 VDD의 레벨 하강을 방지한다. 또한, 오버드라이빙 구간의 종료 후에는 다시 VPP 전원전압 생성부(420)의 출력노드에 레저바 캐패시터(440)를 연결시켜주어 프리차지 동작에 의한 전원전압 VPP의 소모를 준비한다.

이와같이, 본 발명에서 VPP 전원전압 생성부의 레저바 캐피시터를 VDD 전원전압 공급부와 공유하는데, 이는 워드라인이 턴온/오프되는 경우와 같이 실질적으 로 전원전압 VPP가 소모하는 경우에만 전원전압 VPP의 레벨이 불안정할 뿐, 이외 비트라인 감지증폭기의 동작 구간에서는 전원전압 VPP의 레벨이 불안정하지 않기 때문이다.

그러므로, 전술한 본 발명에 따른 전원 공급장치를 구비하는 반도체메모리소자는 전원전압의 사용구간이 중복되지 않는 경우, 전원 공급부 내 레저바 캐패시터를 공유할 수 있으므로 레저바 캐패시터를 보다 효율적으로 운용한다. 따라서, 노이즈로 부터 전원전압의 레벨을 안정적으로 유지하여 신뢰성 높은 동작을 수행한다.

한편, 전술한 본 발명에서는 VDD 전원전압 공급부가 VPP 전원전압 공급부의 레저바 캐패시터를 공유하는 경우를 예시하였으나, 이는 전원전압 VDD와 VPP의 사용 구간이 중복되지 않기 때문으로, 전술한 바와 같이 전원전압 사용 구간이 중복되지 않는 전원 공급부에 적용 가능하다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

전술한 본 발명은 전원전압의 사용구간이 중복되지 않는 경우, 전원전압 공급부 내 레저바 캐패시터를 공유하므로써, 효율적으로 레저바 캐패시터를 운용한 다. 따라서, 레저바 캐패시터의 사이즈의 증가없이 노이즈로 부터 전원전압의 레벨을 안정적으로 유지할 수 있으며, 이로 인해 신뢰성 높은 동작을 수행한다.

Claims

제1 전원전압을 공급하기 위한 제1 전원전압 공급라인;

제2 전원전압을 공급하기 위한 제2 전원전압 공급라인;

제1 또는 제2 전원전압 공급라인에 연결되어 전원전압의 레벨을 안정적으로 유지시키기 위한 제1 레저바 캐패시터; 및

상기 제2 전원전압의 소모 없이, 상기 제1 전원전압이 소모되는 경우 상기 제1 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키며, 상기 제2 전원전압의 소모 구간에서는 상기 제2 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키는 레저바 캐패시터 제어부

를 구비하는 전원 공급장치.
제1항에 있어서,

상기 레저바 캐패시터 제어부는,

상기 제2 전원전압의 소모 없이, 상기 제1 전원전압이 소모되는 경우에 활성화되는 제어신호에 응답하여 상기 제1 전원전압 공급라인에 상기 제1 레저바 캐패시터를 연결시키기 위한 제1 스위치와,

상기 제어신호의 비활성화에 응답하여 상기 제2 전원전압 공급라인에 상기 제1 레저바 캐패시터를 연결시키기 위한 제2 스위치

를 구비하는 전원공급장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제1 전원전압 공급라인에 항상 연결되어 전원전압의 레벨을 안정적으로 유지시키기 위한 제2 레저바 캐패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전원공급장치.
외부에서 인가받아 비트라인 감지증폭기의 구동 초기에 비트라인 감지증폭기의 전원라인을 오버드라이빙 하기 위한 VDD 전원전압공급라인;

워드라인을 상기 외부에서 인가받은 전원전압 VDD 보다 고전위레벨로 구동하기 위한 VPP 전원전압 공급라인;

상기 VPP 전원전압 공급라인에 레저바 캐패시터를 연결시키되, 상기 오버드라이빙 구간을 포함하는 구간 동안에는 상기 VDD 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키는 레저바 캐패시터 제어부

를 구비하는 반도체메모리소자.
제4항에 있어서,

상기 레저바 캐패시터 제어부는,

상기 오버드라이빙구간을 포함하는 구간동안 활성화되는 제어신호를 생성하기 위한 제어신호 생성부와,

상기 제어신호에 응답하여 상기 VPP 전원전압 공급라인, 또는 상기 VDD 전원전압 공급라인 중 어느 하나에 상기 레저바 캐패시터를 선택적으로 연결시키기 위한 스위칭부

를 구비하는 반도체메모리소자.
제5항에 있어서,

상기 스위칭부는,

상기 제어신호의 활성화에 응답하여 상기 VDD 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키기 위한 제1 스위치와,

상기 제어신호의 비활성화에 응답하여 상기 VPP 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키기 위한 제2 스위치

를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리소자.
메모리셀어레이블록;

상기 메모리셀어레이블록의 비트라인 쌍의 전압레벨을 감지 및 증폭하기 위 한 비트라인 감지증폭기블록;

제1 전원전압을 생성하기 위한 제1 전원전압 생성부와, 제1 전원전압 생성부의 출력노드에 연결된 레저바 캐패시터를 구비하는 제1 전원전압 공급수단;

액티브신호에 응답하여 상기 메모리셀어레이블록의 워드라인을 제1 전원전압으로 구동하기 위한 워드라인 구동수단;

제2 전원전압을 공급하기 위한 제2 전원전압 공급수단;

제3 전원전압을 공급하기 위한 제3 전원전압 공급수단;

상기 액티브신호를 인가받아 프리-구동제어신호 및 비트라인감지증폭기 구동제어신호를 생성하기 위한 비트라인 감지증폭기 구동제어신호 생성수단;

상기 프리-구동제어신호를 인가받아 상기 레저바 캐패시터를 제1 전원전압 생성부의 출력노드 또는 상기 제2 전원전압 공급수단의 출력노드에 선택적으로 연결시키기 위한 레저바 캐패시터 제어수단;

상기 비트라인감지증폭기 구동제어신호를 인가받아 오버드라이빙 제어신호를 생성하기 위한 오버드라이빙 제어신호 생성수단; 및

상기 비트라인감지증폭기 구동제어신호를 인가받아 비트라인 감지증폭기의 제1 전원라인을 제3 전원전압으로 구동하되, 상기 오버드라이빙 제어신호의 활성화 구간 동안 상기 제1 전원라인을 제2 전원전압으로 오버드라이빙하기 위한 비트라인 감지증폭기 전원라인 구동수단

을 구비하는 반도체메모리소자.
제7항에 있어서,

상기 레저바 캐패시터 제어수단은,

상기 프리-구동제어신호를 인가받아 상기 비트라인 감지증폭기블록의 감지 및 증폭 동작 동안 제어신호를 활성화시키는 제어신호 생성부와,

상기 제어신호를 인가받아 제1 전원전압 생성부의 출력노드, 또는 제2 전원전압 공급수단의 출력노드를 선택적으로 상기 레저바 캐패시터에 연결시키기 위한 스위칭부

를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리소자.
제8항에 있어서,

상기 스위칭부는,

상기 제어신호의 활성화에 응답하여 상기 VDD 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키기 위한 제1 스위치와,

상기 제어신호의 비활성화에 응답하여 상기 VPP 전원전압 공급라인에 상기 레저바 캐패시터를 연결시키기 위한 제2 스위치

를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리소자.