KR100537274B1 - 반도체 소자 - Google Patents

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KR100537274B1
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Abstract

본 발명은 전류 구동시 채널의 분배를 통해 전류 구동 능력을 향상시키도록 한 반도체 소자에 관한 것으로서, 원형 형태의 제 1 필드영역과, 상기 제 1 필드영역의 주위에 링 형태로 형성되는 액티브 영역과, 상기 링 형태의 액티브 영역 주위에 형성되는 제 2 필드영역과, 상기 링 형태의 액티브 영역을 가로지르면서 일정한 간격을 갖고 복수개로 나누어져서 제 1 필드영역에서 서로 연결되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측의 액티브 영역에 형성되는 공통 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자{semiconductor device}
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 전류(Current) 구동능력을 향상시키어 소자의 특성을 향상시키는데 적당한 반도체 소자에 관한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 반도체 소자를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 반도체 소자를 나타낸 평면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 박스(Box) 형태를 갖는 액티브 영역(11)과 상기 액티브 영역(11)을 감싸면서 소자 격리를 위한 필드영역(12)이 형성되어 있는 반도체 기판(도시되지 않음)과, 상기 필드영역(12)에는 소자 격리용 필드 산화막이 형성되어 있다.
이어, 상기 액티브 영역(11)을 일방향으로 가로지르면서 게이트 전극(13)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극(13) 양측의 액티브 영역(11)에는 소오스 영역(14)과 드레인 영역(15)이 형성되어 있다.
그리고 상기 게이트 전극(13)과 소오스 영역(14) 및 드레인 영역(15)의 소정부분에 연결되는 금속배선(도시되지 않음)이 형성되어 있다.
상기와 같이 구성된 종래의 반도체 소자는 전류 구동 능력을 향상시키고자 할 때는 동일 채널 길이(Channel Length)로 채널 폭(Channel Width)을 증가시키면 된다.
그러나 상기와 같은 종래의 반도체 소자에 있어서 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 드레인 영역과 소오스 영역 사이에는 하나의 채널만 존재하게 되고, 이 채널을 통해 전류가 흘러가게 되므로 전류의 구동 능력을 증가시키게 하려면 디자인(Design)시 채널의 폭을 증가시키는 방법을 사용하면 되겠지만 이는 공정 디파인(Define)시 숏 채널(Short Channel)이 생기고, 채널 폭이 증가할수록 게이트 전극과 기판 사이의 형성된 게이트 산화막의 균일도에 불량이 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 전류 구동시 채널의 분배를 통해 전류 구동 능력을 향상시키도록 한 반도체 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 소자는 원형 형태의 제 1 필드영역과, 상기 제 1 필드영역의 주위에 링 형태로 형성되는 액티브 영역과, 상기 링 형태의 액티브 영역 주위에 형성되는 제 2 필드영역과, 상기 링 형태의 액티브 영역을 가로지르면서 일정한 간격을 갖고 복수개로 나누어져서 제 1 필드영역에서 서로 연결되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측의 액티브 영역에 형성되는 공통 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 반도체 소자를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 의한 반도체 소자를 나타낸 평면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 링(Ring) 형태를 갖는 액티브 영역(21)과 상기 액티브 영역(21)을 감싸면서 소자간 격리를 위한 필드영역(22)이 형성된 반도체 기판(도시되지 않음)과, 상기 필드영역(22)에는 소자 격리용 필드 산화막이 형성되어 있다.
그리고 상기 링 형태의 액티브 영역(21)을 가로지르면서 일정한 간격을 갖고 복수개로 나누어져 상기 액티브 영역(21)의 내측에 형성된 필드영역(22)에서 서로 연결되는 게이트 전극(23)이 형성되어 있고, 상기 게이트 전극(23) 양측의 링 형태의 액티브 영역(21)에는 공통 소오스 영역(24)과 드레인 영역(25)이 형성되어 있다.
여기서 상기 게이트 전극(23)의 복수개로 갈라진 부분은 굴절된 모양으로 액티브 영역(21)을 가로질러 형성된다.
상기와 같이 구성된 각 소오스 영역(24) 및 드레인 영역(25)과 게이트 전극(23)에 금속 배선(도시되지 않음)을 이용하여 공통(Common)으로 묶어 하나의 트랜지스터로 동작하게 된다.
따라서 상기 하나의 트랜지스터로 동작되는 시점에서 드레인 영역(25)으로부터 소오스 영역(24)으로 빠져나가는 채널의 분배를 통해 전류의 구동 능력을 증가시키어 오퍼레이션 스피드(Operation Speed)를 향상시킨다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 소자는 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 전류가 드레인으로부터 소오스로 빠져나가는 동안 채널의 분배를 통해 전류의 구동 능력을 증가시켜 오퍼레이션 스피드를 향상시킴으로서 종래 보다 더 안정적으로 소자를 동작시킬 수 있다.
도 1은 종래의 반도체 소자를 나타낸 평면도
도 2는 본 발명에 의한 반도체 소자를 나타낸 평면도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : 액티브 영역 22 : 필드영역
23 : 게이트 전극 24 : 소오스 영역
25 : 드레인 영역

Claims (2)

  1. 원형 형태의 제 1 필드영역과,
    상기 제 1 필드영역의 주위에 링 형태로 형성되는 액티브 영역과,
    상기 링 형태의 액티브 영역 주위에 형성되는 제 2 필드영역과,
    상기 링 형태의 액티브 영역을 가로지르면서 일정한 간격을 갖고 복수개로 나누어져서 제 1 필드영역에서 서로 연결되는 게이트 전극과,
    상기 게이트 전극 양측의 액티브 영역에 형성되는 공통 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극의 갈라진 부분은 액티브 영역을 굴절 형태로 가로지르면서 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자.
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