KR100510312B1 - 칼라액정디스플레이패널, 그 제조방법 및 액정디스플레이 - Google Patents

칼라액정디스플레이패널, 그 제조방법 및 액정디스플레이 Download PDF

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Abstract

TFT기판상에 형성된 흑매트릭스 및 칼라필터를 갖는 CF-온-TFT구조의 칼라액정디스플레이패널에서, 외부광의 화소전극ITO로부터의 반사광의 파장을 더 짧은 파장쪽으로 이동시키도록 하기 위해 감속도(△nd) 및 광투과도 간에 존재하는 파장의존성을 조사하여 CF-온-TFT패널의 갭(d) 및 액정재료의 굴절계수이방성(△n)을 선택하여 제어함으로써 반사광이 감소된다.

Description

칼라액정디스플레이패널, 그 제조방법 및 액정디스플레이{Color liquid crystal display panel, manufacturing method of the same, and liquid crystal display}
본 발명은 칼라액정디스플레이패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비정질실리콘을 사용하여 복수의 박막트랜지스터들이 그 위에 형성된 투명절연기판으로 이루어진 칼라액정패널의 TFT(Thin Film Transistor)기판 상에, 흑매트릭스 및 칼라필터를 형성함으로써 제조되는 칼라액정디스플레이패널(이후, 'CF-온-TFT패널'이라 함)과 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 CF-온-TFT패널을 칼라액정디스플레이패널로서 채용하는 액정디스플레이에도 관련된다.
도 1은 기존의 액정디스플레이패널의 단면도이다. 이 도면에 보인 것처럼, 기존의 액정디스플레이패널은 (1) 각각이 게이트전극(2), 게이트절연막(4), 반도체층(5), 소스전극(6) 및 드레인전극(7)으로 이루어진 박막트랜지스터들(TFT들)과 같은 스위칭소자들, 전극들(2, 6 및 7)의 각각을 위한 배선층(미도시), TFT에 일대일 대응으로 제공되는 각 화소의 화소전극(12), 모든 전술한 구성요소들을 덮는 패시베이션막(8), 정렬막(18a), 및 외부회로에 대한 전기접속으로서 사용되는 단자(3)를 갖는 제1기판(1)(이후, 'TFT기판'이라고도 함), 및 (2) 흑매트릭스(9), 세 가지 색들인 적(R), 녹(G) 및 청(B)의 각각을 위한 칼라필터들인 11R, 11G(미도시) 및 11B, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명공통전극(17), 및 정렬막(18b)을 갖는 제2기판(16)을, 기판들(1 및 16)의 주변부에 적용되는 밀봉재(19)를 통해 서로 적층시켜, 제1 및 제2기판들을 이것들 각각의 막형성표면들이 서로 대향하고 구형상의 이격기들(20)이 기판들(1 및 16) 사이에 갭을 일정간격으로 유지하도록 기판들 사이에 제공되게 조립함으로써 제조된다.
액정재료(21)를 위한 알려진 액정재료충전법들로는 두홀(two-holes)법 및 진공충전법이 있다. 전자의 방법은 패널을 관통하는 두 홀들을 소정의 위치들에 마련하는 단계와, 두 홀들중의 하나를 통해 공기를 빼내면서 다른 하나의 홀을 통해 액정재료(21)를 채워, 액정재료(21)가 패널속으로 들어가게 되는 단계를 포함한다. 후자의 방법은 하나의 충전포트를 가진 속이 빈 패널을 마련하는 단계, 액정재료(21)를 어떤 진공도(1 ×10-2 내지 1 ×10-4Torr)로 되게 하여 액정재료(21)가 충전포트에 들러붙을 수 있게 하는 단계, 및 이어서 그 압력을 점차로 대기압까지 복원하여, 액정재료(21)가 액정패널의 내부 및 외부간의 압력차에 의해 패널 속으로 채워지게 하는 단계를 포함한다. 현재, 후자의 방법이 대부분의 상황들에 사용되고 있다.
액정이 채워진 후, 충전포트는 밀봉된다. 그 후, 편광판들(24a 및 24b)이 기판들(1 및 16)의 외부표면들에 각각 적층되어, 백라이트로부터 방출되어 제1기판 및 제2기판을 통과하는 광에 의해 조사될 수 있는 액정패널이 완성되게 한다.
고선명도를 이루기 위해, 이 유형의 액정패널은 화소밀도를 증가시켜야 한다. 그러나, 칼라필터(11) 및 흑매트릭스(9)를 대항기판상에 갖고 있는 기존의 액정은 제조공정동안의 위치정렬시에 에러를 야기하기 때문에, 허용오차가 있어야 하고, 이는 가능한 한 큰 화소개구의 영역(개구수)을 보장하기 어렵게 한다.
반면, 칼라필터 및 흑매트릭스를 TFT들과 같은 스위칭소자들이 형성된 능동매트릭스기판상에 형성하는 방법 즉, 이른바 CF(Color Filter)-온-TFT가 일본공개특허공보 평8-122824호 및 평9-292633호에서 제안되었다.
이러한 공보들의 어느 것에서나, 칼라필터 및 흑매트릭스는 CF-온-TFT기판상에 형성되기 때문에, 위치정렬에 허용오차가 필요하지 않고, 그래서 화소의 개구수를 증가시키면서도 제조공정을 단순화되게 한다.
그러나, CF-온-TFT구조의 패널로는, 외부광의 반사가 기존의 액정디스플레이패널보다 더 크게되고, 그래서 디스플레이품질이 밝은 외부광 환경 하에서 나빠진다는 문제가 발생한다.
도 2a 및 도 2b는 액정디스플레이패널들의 외부광 반사메커니즘들을 보여주는 설명도들이다. 위의 문제를 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한다. ITO가 정렬막들(18a 및 18b)의 굴절계수(n)(n=약 1.6) 및 유리기판의 굴절계수(n=dir 1.4) 보다 큰 굴절계수(n=약 2.0)를 가지기 때문에, 외부광의 반사된 성분들은 주로 대향기판상의 ITO 및 화소전극(12)의 ITO로부터 반사된다.
또한, 주사선들 또는 신호선들로부터의 반사가 현저하다. 도 2a에 보인 것처럼, 반사광이 기존의 TFT와 CF 분리형 액정디스플레이패널의 RGB칼라필터(11)를 두 번 통과하기 때문에, 반사광은 만족할만큼 감쇠된다. 반면에, 도 2b에 보인 것처럼, 반사된 광은 CF-온-TFT구조의 액정디스플레이패널의 칼라필터(11)로는 감쇠되지 않고, 반사광의 량은 기존의 패널에서 반사된 광의 량보다 크게 된다.
특히, CF-온-TFT구조의 패널은 λ= 550㎚ 정도의 파장을 갖는 녹색광의 반사광이 밝은 외부광환경 하에서 특히 현저하다는 문제를 가진다.
부연하면, 반사방지막이 일반적으로 반사를 줄이기 위해 제공되고, 일본공개특허공보 평6-214252호 및 평10-154817호는 대향전극의 ITO 위와 아래에 반사방지막을 제공함으로써 반사광을 효과적으로 없애고, 그래서 반사형 액정 광벌브의 반사효율이 증가되는 기법을 개시한다.
그러나, 이 경우에는, 반사방지막이 반사광을 효과적으로 없애기 위해 사용되고, 이 때문에, 디스플레이영상인 반사광의 위치에 대한 의존도가 커지게 되어 고품질디스플레이성능은, 반사방지막의 굴절계수 및 막두께가 정확히 제어되지 않는 한 달성될 수 없게 된다. 그러므로, 반사방지막은 스퍼터링 등에 의해 무기재료로 만들어져야 하고, 이는 추가적인 단계가 액정디스플레이의 제조공정에 부가되어야하는 문제를 발생시킨다.
논의되었으며 도 2b에 보여졌던 것처럼, TFT기판상에 형성된 칼라필터(11)를 갖는 CF-온-TFT구조의 액정디스플레이패널에서는, 대향기판상의 ITO 및 화소전극(12)의 ITO로부터의 외부광의 반사는 기존의 TFT와, 도 2a에 보여진 TFT와 CF 분리형 액정디스플레이패널과 비교하면 현저하고, 고밀도구조의 고품질영상의 최근의 요구에 부합하기 위하여, 특히 주사선들 및 신호선들로부터의 반사에 의해 야기된 영상품질의 저하가 방지되어야 한다.
게다가, ITO 위와 아래에 반사방지막을 제공하여 영상품질의 저하를 방지하기 위하여, 소정의 굴절계수 및 막두께를 갖는 무기재료로 된 막이 스퍼터링 등에 의해 형성되어야 하고, 이는 추가적인 단계가 액정디스플레이패널의 제조공정에 추가되어야 하는 문제가 생기게 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 외부광의 적은 반사로 우수한 디스플레이품질을 갖는 CF-온-TFT구조의 패널, 그 제조방법 뿐 아니라 액정디스플레이를 제공함에 있다.
본 발명의 칼라액정디스플레이패널은, 제1기판; 상기 제1기판 상에 형성되며 개개의 화소들을 구성하는 화소전극들; 상기 제1기판 상에 형성되며 개개의 화소들을 위한 스위칭소자들로서 역할을 하는 막박트랜지스터들; 상기 박막트랜지스터들을 덮도록 형성된 패시베이션막; 상기 패시베이션막 위에 형성된 흑매트릭스 및 칼라필터; 상기 흑매트릭스 및 칼라필터를 덮도록 형성된 오버코트층; 상기 제1기판에 대향하도록 제공된 제2기판; 상기 제2기판 상에 형성된 투명공통전극; 상기 제1기판 및 제2기판을 그것들의 개별 프레임부분들에서 밀봉 적층하기 위한 밀봉재; 상기 제1기판 및 제2기판 사이의 공간에 채워진 액정재료; 및 입사광의 반사된 광의 파장을 더 짧은 파장으로 이동(shifting)시키기 위한 기계부품 또는 부재를 구비한다.
바람직하게는, 이동기계부품 또는 이동부재는 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 공간간격의 감속도와 상기 공간에 채워진 액정재료의 굴절계수이방성을 청색에 가깝게 설정한다.
또, 내면이격기가 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 공간간격을 유지시키는데 이용될 수 있다.
게다가, 투명레지스트막이 제1기판 및 상기 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간간격을 유지시키도록 내면에 형성될 수 있다.
더욱이, 칼라필터의 축적부가 제1기판 및 상기 제2기판 사이에 끼어있는 공간간격을 유지시키도록 내면에 형성될 수 있다.
그에 더하여, 예를 들면, 불소액정혼합물이 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 공간을 채우는 액정재료로서 사용된다.
또한, 내면에 형성된 투명레지스트막은 제1기판상에 형성될 수 있다.
더욱이, 내면에 형성된 칼라필터의 축적부는 예를 들면 제1기판상에 형성된다.
본 발명에 따른 칼라액정디스플레이패널의 제조방법은, 복수의 박막트랜지스터들 및 배선층을 제1기판상에 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터들 및 배선층을 덮도록 패시베이션막을 상기 제1기판의 전체 위에 형성하는 단계; 흑매트릭스를 적어도 상기 박막트랜지스터들의 반도체층 및 상기 기판의 주변부의 프레임에 형성하는 단계; 칼라필터층을 형성하는 단계; 상기 흑매트릭스 및 칼라필터층을 덮도록 오버코트층을 상기 제1기판 전체 위에 형성하는 단계; 상기 오버코트층에 접촉관통홀을 제공함으로써 화소전극을 형성하는 단계; 상기 제1기판의 박막트랜지스터표면상의 주변부에 밀봉재를 제공하는 단계; 투명공통전극이 제공된 제2기판을 상기 밀봉재를 갖는 상기 제1기판에, 상기 투명공통전극이 상기 제1기판의 박막트랜지스터표면과 대면하는 방식으로 적층하는 단계; 및 액정재료를 상기 적층된 기판들 사이의 공간에 채우는 단계를 포함한다.
이 경우, 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 공간 간격의 감속도와 상기 공간을 채우는 액정재료의 굴절계수이방성은 청색에 가깝게 설정되는 것이 바람직하다.
또한, 예를 들면, 내면이격기들이 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 공간의 간격을 유지하도록 제1기판 및 제2기판 사이의 공간에 흩어져 있게 된다.
게다가, 투명레지스트막이 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 공간의 간격을 유지하도록 제1기판상의 내면에 포토리소그래피에 의해 형성될 수 있다.
또, 칼라필터층의 축적부는 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간간격을 유지하도록 제1기판상의 내면에 포토리스그래피, 인쇄, 또는 전기증착에 의해 형성될 수 있다.
또한, 불소액정혼합물이 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간에 채워지는 액정재료로서 사용될 수 있다.
본 발명의 액정디스플레이는 전술의 칼라액정디스플레이를 사용하여 영상을 디스플레이한다.
또, 본 발명의 다른 액정디스플레이는 칼라액정디스플레이패널의 제조방법에 의해 제조된 칼라액정디스플레이패널을 사용하여 영상을 디스플레이한다.
본 발명의 본질, 원리, 및 유용성은 유사한 부분들이 유사한 참조번호들 또는 문자들로 표시된 첨부 도면들에 관련하여 이해될 다음의 상세한 설명으로부터 보다 명확하게 될 것이다.
이하, 첨부 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다.
[제1실시예]
(1) 구성 설명
도 3 내지 도 8은 흑매트릭스 및 칼라필터를, 비정질실리콘을 사용하여 복수의 박막트랜지스터들이 그 위에 형성된 투명절연기판으로 이루어진 칼라액정디스플레이패널의 TFT기판상에 형성함으로써 제조되는 본 발명의 패널(CF-온-TFT)의 제1실시예를 보여준다.
도 3은 흑매트릭스(9) 및 칼라필터(11)가 칼라액정디스플레이패널의 TFT기판(1)상에 형성된 패널(CF-온-TFT)의 끝부분도 보여준다. 도 4는 본 발명의 CF-온-TFT구조의 전체 패널을 보여주는 평면도이고, 도 5 및 도 6은 이 패널의 화소부를 보여주는 평면도들이다. 또한, 도 3은 도 5의 라인p-p를 따라 취한 패널가장자리부들을 가로지르는 단면도이다. 그에 더하여, 도 7a 내지 7c 및 도 8a 내지 8d는 본 발명의 칼라액정디스플레이패널의 제조방법의 순서를 보여주는 단면도들이다.
도 3에서, 스위칭TFT가, 제1기판상에 형성된 게이트전극(2) 및 게이트절연막(4)과, 게이트절연막(4)상에 형성된 소스전극(6) 및 드레인전극(7)으로 구성된다. 패시베이션막(8)이 스위칭TFT 위에 형성된 후, 흑매트릭스(9)가 형성되고 칼라필터들(11B 및 11R)이 흑매트릭스(9)를 부분적으로 덮도록 투명레지스트막의 음화형 감광칼라레지스터로부터 형성된다. 오버코트층(15)이 칼라필터들(11B 및 11R) 및 흑매트릭스(9) 위에 형성된다. 게다가, 화소전극을 TFT의 소스전극(6)에 전기적으로 접속시키는 접촉관통홀(13)이 제공되고, 화소전극(12)이 형성된 후, 폴리이미드정렬막(18a)이 형성되어, CF-온-TFT구조의 제1기판(1)이 제조된다. 한편, 다른 기판인 제2기판(16)(이후, '대향기판'이라고도 함)에는 대향투명공통전극(17)이 제1기판과 면하는 표면상에 제공된다. 폴리이미드정렬막(18b)이 투명공통전극(17) 위에 형성된다. 제1기판(1)과 제2기판(16)은, 스위칭TFT 및 투명공통전극(17)이 서로 대면하는 방식으로 액정패널을 형성하고, 구형상의 이격기(20)로써 두 기판들(1 및 16)간에 일정간격을 유지하면서 밀봉재(19)를 액정패널 주변에 사용함으로써 액정재료(21)가 액정패널 속에 밀봉된다. 편광판들(24a 및 24b)이 기판들(1 및 16)의 외부표면들상에 각각 제공된다.
도 4는 시각적으로 인식하는 측(액정패널관람측)으로부터 본 액정패널의 평면도이며, 제1기판(1)의 주변부의 수평끝단 및 수직끝단에 각각 제공된 단자들(3H) 및 단자들(3V), 제2기판(16), 제1기판(1) 및 제2기판(16)을 접속시키는 밀봉재(19), 액정충전포트(22), 및 UV경화성 아크릴수지 등으로 만들어지며 액정충전포트(22)를 막기 위한 끝단밀봉제(23)를 보여준다. 그에 더하여, 화소개구들(14R,14G 및 14B)이 흑매트릭스(9)에 제공되고 주변부에 형성된 흑매트릭스(10)에도 제공된다. 도 4는 도 3의 단면도에서의 흑매트릭스들(9 및 10)의 부분의 평면도를 개략적으로 보여준다.
도 5는 한 화소의 평면도이며, 게이트전극(2) 위쪽의 반도체층(5), 소스전극(6), 및 화소전극(12)을 소스전극(6)에 전기적으로 접속시키는 관통홀(13)을 보여준다. 드레인전극(7) 및 게이트전극(2)은 서로 교차하고 대부분의 화소전극(2)은 디스플레이영역에 있다. 단색필터(11)(도 5에 보여지진 않으나, 도 6에는 보여짐)가 화소전극(12) 아래쪽에 형성되고, 흑매트릭스(9)(도 6 참조)는 반도체층(5) 위쪽에 형성된다.
도 6은 흑매트릭스(9)의 형상을 도시하는 하나의 화소를 보여주는 평면도이며, 흑매트릭스(9), 화소전극(12), 화소전극(12)을 위한 관통홀(13), 반도체층(5), 및 화소전극(12)에 대응하는 칼라필터(11)를 보여준다.
전술한 구성의 액정디스플레이패널에서는, 디스플레이스크린에 입사하는 광의 반사광을 줄이기 위하여, 액정재료(21)의 굴절계수와 제1기판(1) 및 제2기판(16)간의 갭이 중요하다. 이는 아래에서 보다 상세히 설명될 것이다.
(2) 제조방법의 설명
전술한 구성의 액정패널에서는, 사용된 액정재료(21)의 굴절계수이방성(△n)과 제1기판(1) 및 제2기판(16)간의 간격(d)이 디스플레이스크린에 입사하는 광의 반사광에 대해 중요하고, 다음의 설명은 본 발명의 액정패널의 제조방법을 상세히 설명할 것이다.
우선, 도 3 및 도 7a에서, 게이트전극(2), 소스전극(6), 및 드레인전극(7)으로 이루어진 TFT는 투명절연재료, 이를테면 0.7㎜ 또는 1.1㎜ 두께의 알칼리를 함유하지 않은 유리로 만들어진 제1기판(1)상에 형성된다. 이 TFT를 형성하기 위하여, 금속재료 이를테면 알루미늄(Al) 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)으로 된 막이, 100 내지 400㎚ 범위의 막두께로 제1기판(1)상에 예를 들어 스퍼터링에 의해 형성되고, 소망된 형상의 게이트전극(2) 및 도 4에 보여진 V측 단자들(3V)이 포토리소그래피에 의해 패터닝된다.
도 7a에 보인 것처럼, 축적막, 이를테면 질화실리콘막(SiN)이 약 100 내지 200㎚ 범위의 막두께로 게이트전극(2) 및 제1기판(1) 위에 게이트절연막(4)으로서 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등에 의해 형성된다. 그 후, 약 400㎚ 두께의 비정질실리콘의 막이 게이트절연막(4)위에 반도체층(5)으로서 형성되고 소망된 형상으로 패터닝된다.
다음으로, 금속재료, 이를테면 Al, Mo 또는 Cr의 막이 100 내지 400㎚ 범위의 막두께로, 예를 들면 스퍼터링법에 의해 형성되고, 소스전극(6), 드레인전극(7), 및 도 4에 보여지며 데이터단자부로서 역할을 하는 H측 단자들(3H)로 만들어지도록 포토리소그래피에 의해 소망된 전극형상으로 패터닝된다.
게다가, 대략 100 내지 200㎚ 범위의 막두께를 갖는 질화실리콘으로 된 막이 모든 전술한 구성요소들을 덮는 패시베이션막(8)으로서 형성된다. 질화실리콘과 같은 무기재료 이외에, 패시베이션막(8)은 투명수지재료들, 이를테면 에폭시수지 또는 아크릴수지로 만들어질 수 있다.
다음으로, 도7b에 보인 것처럼, 다음의 설명은 TFT기판상에 형성되는 흑매트릭스(9) 및 칼라필터(11)의 구성 및 제조방법을 설명할 것이다.
반도체층(5)으로의 빛을 차단하기 위하여, 흑매트릭스(9)는 TFT기판위에 패터닝된다. 동시에, 프레임흑매트릭스(10)가 패널의 주변을 통해 빛이 세는 것을 방지하도록 패널 주변의 게이트절연막(4) 위에 형성된다. 흑매트릭스들(9 및 10)은 차광염료가 분산된 음화형 감광아크릴수지(예를 들면, JSR유한회사의 OPTMER CR시리즈로서 상업적으로 알려진 것) 또는 탄소레지스트막을 코팅하고, 흑매트릭스들을 노광, 현상 및 굽기(baking)에 의해 소망된 형상으로 패터닝함으로써 형성된다. 여기서, 그 막은 대략 1 내지 3㎛ 범위의 막두께를 가지도록 만들어진다. 바람직한 흑매트릭스들(9 및 10)에 요구되는 성질들은 3 이상의 광학적 밀도(OD값)와 1010Ω/sq. 이상의 시트저항값이다.
흑매트릭스들(9 및 10)의 코팅시의 스핀코딩회전속도는 레지스트의 점도에 따라 변하며, 이 실시예에서는, 1 내지 3㎛ 범위의 막두께를 갖는 막이 5 내지 10cP 범위의 점도를 갖는 레지스트를 사용하여 500 내지 1500rpm 범위의 회전속도로 대략 10초 동안 회전시키는 스핀코팅에 의해 얻어진다.
레지스트코팅 후에, 미리굽기가 핫플레이트상의 레지스트에 90℃에서 2분 동안 적용되어 레지스트로부터 용제를 제거한다. 기(ghi)가 혼합된 광선들(UV광선들)이 노광을 위해 300 내지 500mJ/㎠ 범위의 노광량으로 사용된다.
노광 후, 현상이 계면활성제를 포함하는 0.4 질량퍼센트 TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide)현상제로 수행되어, 레지스트는 소망된 형상으로 패터닝된다. 현상제는 평상온도에서 사용되고 현상은 60 내지 120초 동안의 스핀현상에 의하여 수행된다.
다음으로, 흑매트릭스들(9 및 10)은 깨끗한 오븐 속에서 220℃로 60분 동안의 굽기에 의해 경화된다. 코팅법이 전술한 스핀코팅으로 한정되지 않고, 다른 코팅법들 이를테면 슬릿스핀법, 바코트법, 및 오프셋인쇄법도 채용될 수 있음이 이해되어져야 한다.
또한, 흑매트릭스들(9 및 10)의 코팅의 전처리로서, TFT기판은 UV광선들 또는 O3으로 헹구어질 것이다. 이 전처리를 이용함으로써, 기판의 표면상의 유기재료가 분해되고 흑매트릭스들(9 및 10)의 응착력이 더욱 향상됨이 쉽사리 이해될 것이다. 게다가, 홀이 패터닝에 의해 칼라필터(11R)의 부분을 관통하게 만들어지고, 그래서 이 홀은 관통홀(13)로서 사용될 수 있게 될 것이다.
다음으로, 도 7c에 보인 것처럼, R, G 및 B의 칼라필터(11)가 각각의 화소에 형성된다. 예를 들면, 적색(R)염료가 분산된 아크릴수지로 만들어진 음화형 감광칼라수지(예를 들면, JSR유한회사의 OPTMER CR 시리즈로서 상업적으로 알려진 것)가 스핀코팅에 의해 흑매트릭스들(9 및 10)에 동일한 방식으로 기판위에 코팅된다. 스핀회전속도는 막두께가 대략 1.0 내지 1.5㎛의 범위가 되도록 조절된다.
다음으로, 미리굽기 및 노광에 이어서, 현상이 수행되어, 소망된 적색필터(11R)가 화소부에 형성된다. 여기서, 개구가, 소스전극(6)을 화소전극에 전기적으로 접속시키는 접촉관통홀(13)이 나중의 단계에서 형성될 영역에 마련된다. 이 개구는 적어도 관통접촉홀(13)을 포함할 만큼 충분히 커야 한다.
다음으로, 적색필터(11R)는 굽기에 의해 경화된다. 이어서, 녹(G)색필터(11G) 및 청(B)색필터(11B)가 동일한 방식으로 형성된다. 각각의 색으로만 된 이 칼라필터들(11)은 흑매트릭스들(9 및 10)에 연속적으로 인접하게 형성되어야 하나, 형성순서는 각별히 제한되지는 않는다. 각각의 색으로만 된 칼라필터들(11)과 흑매트릭스들(9 및 10)의 형성순서는 어느 것도 각별히 제한되지는 않는다.
도 4의 전체 도면에서, 세 가지 색들을 위한 화소개구들은 각각 14R, 14G 및 14B로 표시되었다.
다음으로, 도 8a에 보인 것처럼, 흑매트릭스들(9 및 10)과 칼라필터들(14R, 14G 및 14B)을 평탄화하기 위하여, 오버코트층(15)이 노블락음화형 감광레지스트(예를 들면, JSR유한회사의 OPTMER PC 시리즈로서 상업적으로 알려진 것)에 의해 코팅되며, 접촉관통홀(13)부분에 개구를 갖는 패턴으로 노광 및 현상에 의해 성형되고, 220℃에서 60분 동안 굽기를 행하여 경화됨으로써 형성된다. 오버코트층(15)은 칼라필터(11) 및 주변부의 흑매트릭스(10)와 실질적으로 동일한 두께를 가지며, 그 때문에 패턴들에 따라 오버코트층(15)을 분할하는 단계를 생략하였다.
다음으로, 도 8b에 보인 것처럼, 투명전도막, 이를테면 ITO가 오버코트층(15)과 접촉관통홀(13)에서 노출된 소스전극(6) 위에 스퍼터링에 의해 형성되고, 그 투명전도막은 화소전극(12)을 형성하도록 패터닝된다. 투명전도막의 막두께가 두꺼워질수록, 피복성(coverage)이 더 좋아지게 된다. 이것은 소스전극(6)과의 전기접촉을 안정화시키나, 투명전도막으로서 사용된 ITO막의 작업특성이 고려된다면, 적절한 막두께는 60 내지 120㎚의 범위에 있다. 이런 식으로, 흑매트릭스(9) 및 칼라필터(11)는 TFT기판상에 형성되는 이른바 CF-온-TFT기판이 제조된다.
다음으로, 대향기판(16)의 구성 및 제조방법을 설명한다. 대향기판(16)은 ITO로 만들어지며 예를 들어 80 내지 150㎚ 범위의 막두께를 갖는 대향투명공통전극(17)을 알칼리를 함유하지 않은 유리와 같은 투명절연막으로 만들어지며 0.7㎜ 또는 1.1㎜의 두께를 갖는 제2기판(16)상에 스퍼터링에 의해 형성함으로써 형성된다.
다음으로, 전술한 방식들로 각각 형성된 것들인 대향기판(16)에 CF-온-TFT기판을 적층함에 의한 CF-온-TFT패널의 구성 및 제조방법을 설명한다.
도 8d에 보인 것처럼, 폴리이미드정렬막(18a)(예를 들면, 닛산화학산업유한회사의 SUNVER시리즈로서 또는 JSR유한회사의 OPTMER AL 시리즈로서 상업적으로 알려진 것)이 CF-온-TFT기판의 제1기판(1)의 전체 표면상에 40 내지 70㎚ 범위의 막두께를 가지도록 스핀코팅 또는 오프셋인쇄에 의해 도포되고, 220℃의 온도조건에서 60초 동안 구워진다.
다음으로, 문지름(rubbing)이 소망된 프리틸트(pre-tilt)각을 얻도록 형성된 정렬막(18a)의 표면층에 대해 한 방향으로 적용된다. 이 문지름은 비스코스레이온과 같은 전도성합성섬유로 싸여진 문지름롤(roll)을, 이 롤의 회전속도, 회전방향 및 각을 조절하면서 정렬막(18a)과 물리적으로 접촉하게 함으로써 적용된다.
다음으로, 도 8c에 보인 것처럼, 밀봉재(19)가 기판(10)의 주변부에 스크린인쇄, 디스펜서코팅 등에 의하여 형성된다.
예컨대, 에폭시수지접착제(예를 들면, 미추이(Mitsui)화학의 STRUCTBOND 시리즈로서 상업적으로 알려진 것)가 밀봉재(19)로서 사용될 수 있다. 밀봉재(19)의 폭은 대향기판(16)과의 충분한 적층강도를 이루고 채워진 액정의 누출을 방지하기에 충분한 폭인 한 특별히 규제되지는 않는다. 여기서, 대략 1.5㎜가 최종 두께로서 주어진다. 또한, 5 내지 7㎛ 범위의 직경을 가지고 마이크로로드라고 하는 막대유리섬유로 만들어진 주변의 이격기들(미도시)이 밀봉재(19)에 분산된다.
다음으로, 도 8d에 보인 것처럼, 에폭시수지로 만들어지고 은 분말을 포함하는 이송자(transfer)(미도시)가 밀봉재(19)의 네 코너들의 각각에 분산되고, 밀봉재(19)는 별개로 형성된 대향기판(16)에 적층되고, 그 후에 열처리가 밀봉재(19)를 경화시키도록 적용된다. 기판(10)에서처럼 정렬막(18b)이 대향기판(16) 위에 형성되고 문지름이 정렬막에 적용된다. CF-온-TFT구조의 기판(10)과 대향기판(16)이 적층될 때, 내면(in-plane) 이격기들(20)은 대향기판(16) 위에서 흩어지게 되어, 소정의 갭이 기판들(1 및 16) 사이에 보장된다.
여기서, 이른바 디비닐벤젠 교차결합된 중합체로 만들어진 구형상의 마이크로퍼얼이 내면 이격기들(20)로서 사용된다.
감속도(retardation)(△nd) 및 광투과도와 같은 광학적 성질들의 관계를 고려하면, △nd=0.42 정도가 기판들(1 및 16) 사이의 갭(패널갭)에 주어진다. 즉, 사용된 액정재료의 굴절계수이방성(△n)이 대락 0.076이라면, 최적의 패널갭(d)은 (△nd/△n=) 대략 5.5㎛이다.
그러나, 감속도(△nd=△n ×d) 및 광투과도간에는 명백한 파장의존성이 있다. 게다가, 일본공개특허공보 평11-142877호에 개시된 것처럼, 인간에 의해 지각가능한 각 칼라의 색조(hue)와 광세기(시각적 성질)도 의해 광의 파장에 의존한다. 예를 들면, 녹색의 투과광 또는 반사광은 청색의 투과광 또는 반사광 보다 더욱 눈에 띈다.
그러므로, CF-온-TFT구조의 패널의 경우, 화소전극ITO(12)로부터의 외부광의 반사가 더 현저하여, 반사광억제수단이 반사광의 파장을 더 짧은 파장쪽으로 이동(shifting)시킴으로써 실현되고, 그래서 인간의 지각(perception)에 의해 쉽사리 인식되지는 않는다.
본 실시예에서, 감속도(△nd)는 0.2 내지 0.4의 범위로 설정된다. 보다 상세하게는, △n=0.076을 갖는 액정재료가 사용되는 경우, 대략 0.3이 감속도(△nd)로서 주어진다. 즉, 대략 4.0㎛가 패널갭으로서 주어진다.
다음으로, 기판들(1 및 16) 둘 다는 소망된 패널사이즈로 절단된다. 여기서, 도 4의 전체 도면에서 보여진 것처럼, 대향기판(16)은 제1기판(1)보다 작게 절단되어, 수평끝의 H측 단자들(3H)과 수직끝의 V측 단자들(3V)이 노출될 것이다. 그러나, ITO로 만들어진 투명공통전극(17)이 절단선상에 형성된다면, ITO로부터의 절단먼지들이 제1기판(1)상에 형성된 단자들(3H 및 3V)에 붙게 되어, 단자들을 가로질러 원하지 않는 단락을 야기한다.
그래서, 투명공통전극(17)이 절단선상에 형성되지 않는 방식으로 패터닝을 적용하는 것이 바람직하다. 액정재료(21)는 이 방식으로 제조된 액정패널에 채워진다. 액정패널은 소망된 진공정도를 실현할 수 있는 진공컨테이너에 놓여진 다음, 이 액정패널은 도 4의 전체도면에서 보여진 바와 같이 밀봉재(19)로 덮이지 않는 충전포트(22)와 긴밀하게 접촉되도록 공기가 비워지고, 압력이 점차 대기압으로 복원되는 진공충전에 의해 액정은 채워진다.
이 실시예에서, 카이소(chisso)페트로케미컬 유한회사의 LIXON 시리즈로서 상업적으로 알려진 것과 같은 불소화합물이 액정재료로서 사용되고, 압력은 약 1 ×10-4Torr의 진공정도로부터 점차적인 질소가스의 도입에 의해 대기압까지 복원된다. 액정의 충전 후, 충전포트(22)는 UV경화성 아크릴수지 등으로 만들어진 끝단밀봉제(23)로서 막아진다.
끝으로, 편광판들(24a 및 24b)이 기판들(1 및 16)의 외부표면들에 각각 적층되어, 도 3에 보인 것 같은 CF-온-TFT패널이 완성된다. 요오드화물의 편광막(예를 들면, 니토덴코유한회사의 NPF 시리즈로서 상업적으로 알려진 것)이 편광판들(24a 및 24b)로서 사용된다.
본 실시예는, 화소전극ITO(12)로부터의 외부광의 반사가, 감속도(△nd) 및 광투과도 간에 존재하는 파장의존성을 조사하여 CF-온-TFT패널의 갭(d) 및 액정재료의 굴절계수이방성(△n)을 제어함으로써 감소된다는 것을 특징으로 한다. 결과적으로, 반사방지막을 제공함 없이 적은 반사량의 CF-온-TFT구조의 액정디스플레이를 얻는 것이 가능하게 되었다.
감속도(△nd)는 액정재료의 굴절계수이방성(△n)에 CF-온-TFT패널의 갭(d)을 곱한 값으로 표현되고, 액정재료(21)의 굴절계수(n)는 일반적으로 대략 1.6이고 굴절계수이방성(△n)은 전술한 바처럼 △n=0.076으로 표현된다. 0.076이 불소화합물의 액정재료의 △n으로 주어짐에도 불구하고, 0.1만큼 값이 △n에 주어지는 경우, 갭(d)은 더 작게될 수 있고, 0.05만큼 작은 값이 △n에 주어진다면, 갭(d)은 더 크질 수 있고, 이 때문에 영상품질을 반사광을 제어함으로써 향상시키는 것이 가능하게 된다.
더욱이, CF-온-TFT패널의 갭(d)은 액정재료(21)의 밀봉두께에 대응하고, 도 3의 경우, 하나의 구형상의 내면 이격기(20)의 직경에 대응한다. 따라서, 액정재료(21)가 점성이 높다면, 공간의 갭은 복수의 내면이격기들(20)의 흩어짐에 의해 보장되어, 정렬막들(18a 및 18b)의 주 표면들 사이의 거리로서 정확한 갭길이를 실현하게 한다.
갭길이(d)와 굴절계수이방성(△n)으로는, 세가지 색들(R, G 및 B)의 각각의 입사광이 외부광의 입사광에 대한 반사광의 파장의존성에 의해 UV광선영역에서 반사광으로 바뀌게 되고, 그래서 시각적인 인식이 악영향을 받지 않는다.
전술한 칼라액정디스플레이패널의 개별 화소들의 R, G 및 B를 구동회로에 의해 따로따로 구동함으로써, 밝은 외부광환경 하에서 입사광의 반사된 광으로부터의 어떠한 악영향 없이 고품질의 칼라영상을 디스플레이할 수 있는 액정디스플레이를 제공하는 것이 가능하게 된다. 게다가, 액정재료(21)와 갭길이의 관계를 고려하여 0.2 내지 0.4의 범위로 설정된 감속도((△nd)를 갖는 칼라액정디스플레이패널을 제조하여, 데이터영상신호 또는 RGB신호를 입력하는 구동회로에 접속시킴으로써, 고선명도 및 고품질의 영상을 디스플레이할 수 있는 액정디스플레이가 제공될 수 있다.
현재 본 발명의 바람직한 실시예들로서 간주되는 실시예가 설명되었으나, 다양한 변형들이 만들어질 수 있음과, 첨부의 청구항들은 본 발명의 정신 및 범위에 있게 되는 모든 변형들을 포괄하도록 의도되었음이 이해될 것이다.
본 발명의 칼라액정디스플레이패널 및 그 제조방법에 의하면, TFT기판상에 형성된 흑매트릭스 및 칼라필터를 갖는 CF-온-TFT구조의 칼라액정디스플레이패널에서는, 외부광의 화소전극ITO로부터 반사된 광이, CF-온-TFT패널의 갭(d) 및 액정재료의 굴절계수이방성(△n)을, 감속도(△nd) 및 광투과도 사이에 존재하는 파장의존성을 조사하여 선택하여 제어함으로써, 감소된다. 결과적으로, 반사방지막을 제공함 없이 적은 반사의 CF-온-TFT구조의 액정디스플레이가 제공될 수 있다.
도 1은 기존의 액정디스플레이패널의 단면도,
도 2a 및 2b는 액정디스플레이패널들의 외부광 반사메카니즘들을 보여주는 설명도들,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정디스플레이패널의 단면도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정디스플레이패널의 전체도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정디스플레이패널의 화소부를 보여주는 평면도,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정디스플레이패널의 화소부를 보여주는 상세 평면도,
도 7a 내지 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정디스플레이패널의 제조공정을 보여주는 단면도들,
도 8a 내지 8d는 도 7에 후속하는 제조공정의 단계들을 보여주는 단면도들,
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 16 : 기판 8 : 패시베이션막
9 : 흑매트릭스 11 : 칼라필터
12 : 화소전극 15 : 오버코트층
17 : 투명공통전극 19 : 밀봉재
21 : 액정재료

Claims (16)

  1. 제1기판;
    상기 제1기판 상에 형성되며 개개의 화소들을 구성하는 화소전극들;
    상기 제1기판 상에 형성되며 개개의 화소들을 위한 스위칭소자들로서 역할을 하는 막박트랜지스터들;
    상기 박막트랜지스터들을 덮도록 형성된 패시베이션막;
    상기 패시베이션막 위에 형성된 흑매트릭스 및 칼라필터;
    상기 흑매트릭스 및 칼라필터를 덮도록 형성된 오버코트층;
    상기 제1기판에 대향하도록 제공된 제2기판;
    상기 제2기판 상에 형성된 투명공통전극;
    상기 제1기판 및 제2기판을 그것들의 개별 프레임부분들에서 밀봉 적층하기 위한 밀봉재;
    상기 제1기판 및 제2기판 사이의 공간에 채워진 액정재료; 및
    입사광의 반사된 광의 파장을 더 짧은 파장으로 이동(shifting)시키기 위한 기계부품 또는 부재를 포함하는 칼라액정디스플레이패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이동기계부품 또는 이동부재는 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 공간간격의 감속도와 상기 공간에 채워진 액정재료의 굴절계수이방성을 청색에 가깝게 설정하는 칼라액정디스플레이패널.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간간격을 유지시키는 내면이격기를 포함하는 칼라액정디스플레이패널.
  4. 제2항에 있어서, 내면에 형성되어 상기 제1기판 및 상기 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간간격을 유지시키는 내면투명레지스트막을 포함하는 칼라액정디스플레이패널.
  5. 제2항에 있어서, 내면에 형성되어 상기 제1기판 및 상기 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간간격을 유지시키는 상기 칼라필터의 축적부를 포함하는 칼라액정디스플레이패널.
  6. 제2항에 있어서, 상기 제1기판 및 상기 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간을 채우는 상기 액정재료는 불소액정혼합물을 담고있는 칼라액정디스플레이패널.
  7. 제4항에 있어서, 내면에 형성된 상기 투명레지스트막은 상기 제1기판상에 형성되는 칼라액정디스플레이패널.
  8. 제5항에 있어서, 내면에 형성된 상기 칼라필터의 상기 축적부는 상기 제1기판상에 형성되는 칼라액정디스플레이패널.
  9. 복수의 박막트랜지스터들 및 배선층을 제1기판상에 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터들 및 배선층을 덮도록 패시베이션막을 상기 제1기판의 전체 위에 형성하여 단계;
    흑매트릭스를 적어도 상기 박막트랜지스터들의 반도체층 및 상기 기판의 주변부의 프레임에 형성하는 단계;
    칼라필터층을 형성하는 단계;
    상기 흑매트릭스 및 칼라필터층을 덮도록 오버코트층을 상기 제1기판 전체 위에 형성하는 단계;
    상기 오버코트층에 접촉관통홀을 제공함으로써 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 제1기판의 박막트랜지스터표면상의 주변부에 밀봉재를 제공하는 단계;
    투명공통전극이 제공된 제2기판을 상기 밀봉재를 갖는 상기 제1기판에, 상기 투명공통전극이 상기 제1기판의 박막트랜지스터표면과 대면하는 방식으로 적층하는 단계;
    액정재료를 상기 적층된 기판들 사이의 공간에 채우는 단계; 및
    입사광의 반사된 광의 파장을 더 짧은 파장으로 이동시키기 위한 기계부품 또는 부재를 구비하는 단계를 포함하는 칼라액정디스플레이패널 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 공간 간격의 감속도와 상기 공간을 채우는 액정재료의 굴절계수이방성은 청색에 가깝게 설정되는 칼라액정디스플레이패널 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 내면이격기들이 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간의 간격을 유지하도록 상기 제1기판 및 제2기판 사이의 상기 공간에 흩어져 있는 칼라액정디스플레이패널 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 투명레지스트막이 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간간격을 유지하도록 상기 제1기판상의 내면에 포토리소그래피에 의해 형성되는 칼라액정디스플레이패널 제조방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 칼라필터층의 축적부는 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간간격을 유지하도록 상기 제1기판상의 내면에 포토리스그래피, 인쇄, 또는 전기증착에 의해 형성되는 칼라액정디스플레이패널 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 불소액정혼합물이 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 끼어있는 상기 공간에 채워지는 액정재료로서 사용되는 칼라액정디스플레이패널 제조방법.
  15. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 칼라액정디스플레이패널을 사용하여 영상을 디스플레이하기 위한 액정디스플레이.
  16. 제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 칼라액정디스플레이패널의 제조방법으로써 제조된 칼라액정디스플레이패널을 사용하여 영상을 디스플레이하는 액정디스플레이.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100855884B1 (ko) * 2001-12-24 2008-09-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 얼라인 키
TWI302996B (en) 2002-07-25 2008-11-11 Toppoly Optoelectronics Corp Method for forming a self-aligned pixel electrode of lcd
WO2004013060A2 (en) * 2002-08-02 2004-02-12 Chelix Technologies Corp. Flexible electrically switchable glazing structure and methods of forming same
JP4057871B2 (ja) * 2002-09-19 2008-03-05 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
KR20040080778A (ko) 2003-03-13 2004-09-20 삼성전자주식회사 4색 구동 액정 표시 장치 및 이에 사용하는 표시판
KR100935670B1 (ko) 2003-04-04 2010-01-07 삼성전자주식회사 액정표시장치, 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
JP2005156717A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Sony Corp 液晶表示素子及び液晶表示装置
KR100752950B1 (ko) * 2004-04-30 2007-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 씨오티구조 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4519602B2 (ja) * 2004-10-19 2010-08-04 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置
KR101549963B1 (ko) * 2008-11-28 2015-09-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101615926B1 (ko) * 2009-07-28 2016-04-28 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
CN102566182B (zh) * 2009-12-28 2014-04-16 友达光电（苏州）有限公司 一种液晶显示面板及其触控侦测方法
US9019459B2 (en) 2010-02-26 2015-04-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel
US9105615B1 (en) 2014-06-12 2015-08-11 Amazon Technologies, Inc. Substrate vias for a display device
CN104090406B (zh) * 2014-07-17 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其彩色滤光片基板
KR20160047032A (ko) * 2014-10-21 2016-05-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JPWO2019151458A1 (ja) * 2018-02-05 2021-02-25 日東電工株式会社 光制御システム
CN111830755B (zh) * 2019-04-16 2023-08-15 京东方科技集团股份有限公司 反射式液晶显示面板、显示装置及其控制方法
JP7247797B2 (ja) * 2019-07-12 2023-03-29 セイコーエプソン株式会社 投射型表示装置
CN111430444B (zh) * 2020-04-30 2023-06-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 量子点显示面板及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930004788A (ko) * 1991-08-08 1993-03-23 김광호 액정표시장치의 칼라 필터 제조방법
JPH06132017A (ja) * 1992-10-16 1994-05-13 Seiko Epson Corp 発光装置
JPH06186544A (ja) * 1992-12-22 1994-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型液晶表示装置
KR950024006A (ko) * 1994-01-17 1995-08-21 김광호 액정표시소자용 칼라필터 기판 및 그 제조방법
KR960018709A (ko) * 1994-11-04 1996-06-17 김광호 액정 디스플레이용 칼라 필터 기판 및 그 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06214252A (ja) 1992-08-25 1994-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ライトバルブ装置およびそれを用いた投写型表示装置
US5682218A (en) * 1994-02-18 1997-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device having specific polymerized columnar spacers and method for forming the same
JP2547523B2 (ja) * 1994-04-04 1996-10-23 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置及びその製造方法
JP3240858B2 (ja) * 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
JPH09292633A (ja) 1996-02-27 1997-11-11 Canon Inc カラー液晶表示装置の製造方法
US6211928B1 (en) * 1996-03-26 2001-04-03 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display and method for manufacturing the same
JPH10154817A (ja) 1996-09-27 1998-06-09 Hoshiden Philips Display Kk 反射型液晶表示素子
JP3949759B2 (ja) * 1996-10-29 2007-07-25 東芝電子エンジニアリング株式会社 カラーフィルタ基板および液晶表示素子
JP3287288B2 (ja) * 1996-11-22 2002-06-04 チッソ株式会社 ポリハロアルキルエーテル誘導体とそれらを含む液晶組成物及び液晶表示素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930004788A (ko) * 1991-08-08 1993-03-23 김광호 액정표시장치의 칼라 필터 제조방법
JPH06132017A (ja) * 1992-10-16 1994-05-13 Seiko Epson Corp 発光装置
JPH06186544A (ja) * 1992-12-22 1994-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型液晶表示装置
KR950024006A (ko) * 1994-01-17 1995-08-21 김광호 액정표시소자용 칼라필터 기판 및 그 제조방법
KR960018709A (ko) * 1994-11-04 1996-06-17 김광호 액정 디스플레이용 칼라 필터 기판 및 그 제조 방법

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Publication number Publication date
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