JP4608861B2 - 液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置および電子機器 - Google Patents
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また、低コストで表示品質に優れた液晶表示装置および電子機器の提供を目的とする。
硬化前の光硬化材料は自在に変形しうるので、光硬化材料の混合比が光分解材料の混合比より大きい感光材料を採用することにより、感光材料を簡単に塗布することができる。そして、上述したように露光部には光硬化材料が残留するので、反射表示領域を露光することにより、反射表示領域に液晶層厚調整層の厚膜部を形成することができる。
上述したように、露光部には光硬化材料が残留し非露光部には光分解材料が残留するので、光硬化材料および光分解材料の混合比を厚膜部および薄膜部の膜厚比に一致させることにより、液晶層厚調整層および絶縁膜を所定の膜厚比に形成することができる。
この構成によれば、入射光を効率的に利用することが可能になり、明るい画像表示を得ることができる。
この構成によれば、着色層の電気絶縁性が不十分であっても、液晶層厚調整層の形成と同一工程で透過表示領域に絶縁膜を形成することにより、画像表示領域全体の電気絶縁性を確保することができる。
この構成によれば、反射表示領域に対する液晶層厚調整層の形成と同一工程で、透過表示領域に絶縁膜を形成することができる。
この構成によれば、入射光を効率的に利用することが可能になり、明るい画像表示を得ることができる。
この構成によれば、着色層の電気絶縁性が不十分であっても、液晶層厚調整層の形成と同一工程で透過表示領域に絶縁膜を形成することにより、画像表示領域全体の電気絶縁性を確保することができる。
この構成によれば、低コストで表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
実施形態にかかる液晶表示装置について、図1ないし図3を用いて説明する。本実施形態の液晶表示装置は、図3に示すように、上基板25および下基板10により液晶層50を挟持した液晶表示装置100である。なお、上基板25がスイッチング素子基板とされ、下基板10がカラーフィルタ基板とされている。その下基板10には光透過用の窓部を有する反射膜20が形成され、その反射膜20の上方に液晶層厚調整層26が形成されて、半透過反射型の液晶表示装置100が構成されている。そして、その液晶層厚調整層26が、本発明の液晶表示装置の製造方法を使用して形成されている。なお以下には、スイッチング素子として薄膜ダイオード(Thin Film Diode, 以下、TFDと略記する)を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例にして説明する。
図1は、液晶表示装置100の等価回路図である。この液晶表示装置100には、走査信号駆動回路110により駆動される複数の走査線13と、データ信号駆動回路120により駆動される複数のデータ線9とが、格子状に配置されている。その各走査線13と各データ線9との交点付近には、それぞれTFD素子40および液晶表示要素(液晶層)160が配置されている。そしてその各TFD素子40および各液晶層160は、各走査線13と各データ線9との間に直列接続されている。
図2は、各基板に形成される電極の平面構造の説明図である。液晶表示装置を構成する一方の基板には、複数のデータ線9が平行に形成されて、対向電極が構成されている。また、液晶表示装置を構成する他方の基板には、複数の走査線13が平行に形成されている。さらに、他方の基板には複数の画素電極31が形成され、各画素電極31は各データ線9と各走査線13との交点付近にマトリクス状に配置されている。その各画素電極31は、TFD素子40を介して各走査線13に接続されている。このTFD素子40は、基板表面に形成されたTaを主成分とする第1導電膜と、その第1導電膜の表面に形成されたTa2O3を主成分とする絶縁膜と、その絶縁膜の表面に形成されたCrを主成分とする第2導電膜とによって構成されている(いわゆるMIM構造)。そして、第1導電膜が走査線13に接続され、第2導電膜が画素電極31に接続されている。これによりTFD素子40は、画素電極31への通電を制御するスイッチング素子として機能する。そして、画素電極31と対向電極9とが対向配置され、その間に挟持された液晶層に電界を印加しうるようになっている。これにより、各画素電極31の形成部分が画像表示単位となってドット領域を構成している。
次に、図3に基づいて本実施形態の液晶表示装置100の画素構成について説明する。図3は、本実施形態の液晶表示装置の側面断面図である。なお図3では、理解を容易にするため、上基板25におけるTFD素子および各種配線の記載を省略している。
次に、本実施形態の液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図5は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図5において、符号3000は携帯電話本体を示している。この携帯電話は、本実施形態の液晶表示装置を用いた表示部を備えているので、明るく高コントラストな表示が可能になっている。
Claims (7)
- 一対の基板間に液晶層が挟持されて画像表示領域が形成され、前記画像表示領域は透過表示領域および反射表示領域を備え、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さより小さくするための液晶層厚調整層が形成された液晶表示装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうち少なくともいずれかの基板の着色層上に、光硬化材料および光分解材料が混合された感光材料の被膜を形成する工程と、
前記透過表示領域または前記反射表示領域のいずれか一方において、前記感光材料の被膜を露光する工程とを有し、
前記反射表示領域に前記液晶層厚調整層の厚膜部を形成するとともに、前記透過表示領域に前記液晶層厚調整層の薄膜部を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記感光材料の被膜を形成する工程では、前記光硬化材料の混合比が前記光分解材料の混合比より大きい感光材料の被膜を形成し、
前記感光材料の被膜を露光する工程では、前記反射表示領域において前記感光材料の被膜を露光することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記感光材料における前記光硬化材料および前記光分解材料の混合比は、形成すべき前記液晶層厚調整層の前記厚膜部および前記薄膜部の膜厚比に概略一致させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記光硬化材料は、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 一対の基板間に液晶層が挟持されて画像表示領域が形成され、前記画像表示領域は透過表示領域および反射表示領域を備え、
前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さより小さくするための液晶層厚調整層を有し、
前記一対の基板のうち少なくともいずれかの基板の着色層上において、前記反射表示領域には前記液晶層厚調整層の厚膜部が形成されるとともに、前記透過表示領域には前記液晶層厚調整層の薄膜部が形成され、
前記液晶層調整層は、光硬化材料および光分解材料が混合された感光材料によって形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記光硬化材料は、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 請求項5または請求項6に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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WO1999000705A1 (fr) * | 1997-06-26 | 1999-01-07 | Dainippon Printing Co., Ltd. | Procedes de formation de motifs creux et en relief et utilisation de ces motifs dans la fabrication de filtres de couleur d'ecrans a cristaux liquides |
JP2001221995A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および電子機器 |
JP2003107436A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-04-09 | Seiko Epson Corp | 液晶装置用基板、液晶装置、及び、電子機器 |
JP2005077941A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | 感光材料およびパターン形成方法 |
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