KR100508610B1 - 고체촬상장치및그구동방법과카메라 - Google Patents

고체촬상장치및그구동방법과카메라 Download PDF

Info

Publication number
KR100508610B1
KR100508610B1 KR1019970047681A KR19970047681A KR100508610B1 KR 100508610 B1 KR100508610 B1 KR 100508610B1 KR 1019970047681 A KR1019970047681 A KR 1019970047681A KR 19970047681 A KR19970047681 A KR 19970047681A KR 100508610 B1 KR100508610 B1 KR 100508610B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solid
state imaging
signal charge
imaging device
period
Prior art date
Application number
KR1019970047681A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980024753A (ko
Inventor
이사오 히로따
히로아끼 다나까
Original Assignee
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 소니 가부시끼 가이샤
Publication of KR19980024753A publication Critical patent/KR19980024753A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100508610B1 publication Critical patent/KR100508610B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • H01L27/14818—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers
    • H01L27/14843—Interline transfer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14887—Blooming suppression
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
    • H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/625—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of smear
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

센서부가 수직 오버플로우 드레인 구조(OFD)를 갖는 CCD 촬상 소자에 있어서, 기판 바이어스 제어 신호는 적어도 신호 전하 판독 기간 중에 트랜지스터를 턴온하기 위해 저항을 통해 쌍극성 트랜지스터의 베이스에 인가된다. 그 결과, 클램핑 회로를 구성하는 쌍극성 트랜지스터의 베이스 전위는 강하되고, 기판 바이어스 발생 회로로부터 출력되는 기판 바이어스는 강하된다. 따라서, 센서부 내의 오버플로우 장벽의 전위는 감소된다.

Description

고체 촬상 장치 및 그 구동 방법과 카메라{SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, DRIVING METHOD THEREFOR, AND CAMERA}
본 발명은, 고체 촬상 장치과 그 구동 방법, 및 촬상 소자로서 고체 촬상 소자를 이용한 카메라에 관한 것으로, 특히 오버플로우 드레인(OFD) 구조를 갖는 CCD(Charge Coupled Device)형 고체 촬상 소자(이하, CCD 촬상 소자라 칭함)를 이용한 고체 촬상 장치와 그 구동 방법, 및 기계적 셔터과 같은 차광 수단을 구비한 카메라에 관한 것이다.
CCD 촬상 소자의 판독 방식으로서, 도 1에 도시한 바와 같이, 각 화소에 있어서 1/60초(1필드 상당 기간) 동안만 신호 전하를 축적하고, 각 화소로부터 판독한 신호 전하를 수직 CCD 중에 있어서 수직 방향으로 인접하는 2화소간에서 혼합하고, 또한 혼합하는 수직 2화소의 조합을 홀수 필드 및 짝수 필드에서 바꿈으로써 인터레이스 주사를 실현하는 소위 필드 판독 방식과, 도 2에 도시한 바와 같이 1/30초의 축적 시간으로 홀수 라인의 신호 전하와 짝수 라인의 신호 전하를 필드마다 교대로 판독하는 소위 프레임 판독 방식과, 도 3에 도시한 바와 같이 각 화소의 신호 전하를 수직 CCD 내에서 혼합하지 않고서 동일한 시각에 독립적으로 판독하는 소위 전 화소 판독 방식이 있다.
이들 판독 방식 중, 필드 판독 방식은 각 화소에 있어서의 신호 전하의 축적시간이 1/60초이고, 축적 시간이 1/30초인 프레임 판독 방식과 비교하여 절반으로 동화상의 촬상을 양호하게 행할 수 있기 때문에 비디오 카메라 등에는 적합하다. 그 반면, 수직 방향에 있어서 2화소간에서 신호 전하를 혼합하고 있기 때문에 수직 해상도가 낮다는 결점이 있다. 이 때문에, 수직 해상도도 요구되는 전자 스틸 카메라에서는 기계적 셔터를 사용한 프레임 판독 방식, 혹은 전 화소 판독 방식이 이용되고 있다.
그런데, 프레임 판독 방식에서는 1장(1프레임)의 화상을 얻기 위해서는, 2개의 필드의 신호가 필요하다. 이에 대해 전자 스틸 카메라와 같이 1회의 노광으로 1장의 화상을 얻는 경우에는, 2개의 필드 사이에서 화상을 변화시키지 않도록 할 필요가 있고, 그 때문에는 노광 완료 후에 기계적 셔터 등의 차광 수단을 이용하여 차광할 필요가 있다.
그러나, 오버플로우 드레인 구조를 갖는 CCD 촬상 장치에서 노광 완료 후에 차광한 경우, 신호 전하의 일부는 다음과 같은 방식으로 오버플로우 드레인에 방출된다. 즉, 열 변동으로 인해, 축적되어 있는 신호 전하의 페르미 준위보다 높은 에너지를 갖는 신호 전하가, 시간의 경과에 따라 페르미 준위가 주어진 값으로 될 때까지 오버플로우 장벽을 넘게 된다.
이 때문에, 기계적 셔터를 폐쇄하고 나서 신호 전하를 판독할 때까지의 동안에, 시간의 경과에 따라 포화 신호 전하량 Qs가 감소한다. 제2 필드에서, 기계적 셔터를 폐쇄하고 나서 신호 전하를 판독할 때까지의 기간이 제1 필드의 경우보다도 1필드 상당 기간만큼 더 길기 때문에, 포화 신호 전하량 Qs가 더욱 감소한다. 따라서, 제1 필드와 제2 필드의 포화 신호 전하량 Qs에 단차(level difference)가 생기게 된다. 이들 포화 신호 전하량 Qs의 감소는, S/N이나 다이내믹 레인지 등의 특성을 악화시키기 때문에 바람직하지 못하다.
본 발명은 상기 과제에 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 노광 완료로부터 신호 전하의 판독까지의 기간에 발생하는 포화 신호 전하량의 감소에 의한 S/N이나 다이내믹 레인지 등의 특성의 악화를 방지한 고체 촬상 장치 및 그 구동 방법 및 카메라를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 고체 촬상 장치는, 오버플로우 드레인 구조를 갖는 행렬형으로 배열된 복수의 센서부 및 이들 센서부에서 판독된 신호 전하를 전송하는 전하 전송부를 갖는 고체 촬상 소자와, 소정의 동작 모드시에 적어도 신호 전하의 판독 기간동안 고체 촬상 소자의 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키도록 구동하는 구동 시스템을 구비한 구성으로 되어 있다.
오버플로우 드레인 구조를 갖는 행렬형으로 배열된 복수의 센서부 및 이들 센서부로부터 판독된 신호 전하를 전송하는 전하 전송부를 갖는 고체 촬상 소자를 구비한 고체 촬상 장치에 있어서, 소정의 동작 모드시에 적어도 신호 전하의 판독 기간동안 고체 촬상 소자의 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키도록 한다.
본 발명에 따른 카메라는, 오버플로우 드레인 구조를 갖는 행렬형으로 배열된 복수의 센서부 및 이들 센서부로부터 판독된 신호 전하를 전송하는 전하 전송부를 갖는 고체 촬상 소자와, 소정의 동작 모드시에 적어도 신호 전하의 판독 기간동안 고체 촬상 소자의 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키도록 구동하는 구동 시스템을 구비한 고체 촬상 장치와, 고체 촬상 소자의 촬상 영역에 대해 입사광을 유도하는 광학계와, 이 광학계에 의한 고체 촬상 소자의 촬상 영역에의 빛의 입사를 차단하여 노광 기간을 결정하는 차광 수단을 구비한 구성으로 되어 있다.
상기한 구성에 있어서, 차광시에는, 센서부의 신호 전하의 일부가 시간의 경과와 함께 오버플로우 드레인으로 방출된다. 따라서, 이러한 현상을 방지하기 위해, 적어도 신호 전하의 판독 기간동안 이 신호 전하의 감소를 기대하여 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시킨다. 이에 따라, 포화 신호 전하량(차광시에 시간의 경과에 따라 감소하기 전의 값)을 그 감소분을 기대하여 증가시킬 수 있다. 그 결과, 원하는 포화 신호 전하량을 확보할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또, 본 실시 형태에서는 인터라인 전송(Interline Transfer, IT) 방식의 CCD 촬상 소자에 적용한 경우를 예에 채용하여 설명하도록 한다.
도 4는, 본 발명에 따른 고체 촬상 장치의 일례를 도시한 개략 구성도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 행(수직) 방향 및 열(수평) 방향으로, 즉 행렬형으로 배열되고, 또한 입사광을 그 광량에 따른 전하량의 신호 전하로 변환하여 축적하는 복수의 센서부(11)와, 이들 센서부(11)의 수직 열마다 설치되고, 각 센서부(11)로부터 판독 게이트부(12)에 의해서 판독된 신호 전하를 수직 전송하는 복수 라인의 수직 CCD(13)에 의해서 촬상 영역(14)이 구성되어 있다.
이 촬상 영역(14)에 있어서, 센서부(11)는 예를 들면 PN 접합의 포토다이오드로 이루어져 있다. 이 센서부(11)에 축적된 신호 전하는, 판독 게이트부(12)에 후술하는 판독 펄스 XSG가 인가됨으로써 수직 CCD(13)에 판독된다. 수직 CCD(13)은, 예를 들면 4상의 수직 전송 클럭 V??1 내지 V??4에 의해서 전송 구동되고, 판독된 신호 전하를 수평 블랭킹 기간의 일부에서 1주사선(1라인)에 상당하는 부분씩 순차적으로 수직 방향으로 전송한다.
여기서, 수직 CCD(13)에 있어서, 1상째 및 3상째의 전송 전극은, 판독 게이트부(12)의 게이트 전극을 겸하고 있다. 따라서, 4상의 수직 전송 클럭 V??1 내지 V??4중, 1상째의 전송 클럭 V??1과 3상째의 전송 클럭 V??3이 저레벨, 중간 레벨 및 고레벨의 3가지 값을 채용하도록 설정된다. 3번째 값 레벨, 즉 고레벨의 펄스가 판독 게이트부(12)에 제공되는 판독 펄스 XSG로 된다.
촬상 영역(14)의 하부측에는, 수평 CCD(15)가 배치되어 있다 (도 4 참조). 이 수평 CCD(15)에는, 복수 라인의 수직 CCD(13)로부터의 신호 전하들이, 한번에 1라인에 해당하는 신호 전하가 전송되도록 순차적으로 전송된다. 수평 CCD(15)는, 예를 들면 2상의 수평 전송 클럭 H??1, H??2에 의해서 전송 구동되고, 수직 CCD(13)로부터 전송된 신호 전하들을, 이전의 수평 블랭킹 기간 후의 수평 주사 기간에 1라인에 해당하는 신호 전하가 전송되도록 순차적으로 수평 방향으로 전송한다.
수평 CCD(15)의 전송처의 단부에는, 예를 들면 플로우팅·디퓨젼·증폭기 구성의 전하 전압 변환부(16)가 설치되어 있다. 이 전하 전압 변환부(16)는, 수평 CCD(15)에 의해서 수평 전송되어 온 신호 전하를 순차 전압 신호로 변환하여 출력한다. 이 전압 신호는, 출력 회로(도시하지 않음)를 통과한 후, 피사체로부터의 빛의 입사량에 따른 CCD 출력 신호 OUT으로서, 출력 단자(17)로부터 외부로 출력된다.
상술한 센서부(11), 판독 게이트부(12), 수직 CCD(13), 수평 CCD(15) 및 전하 전압 변환부(16) 등은 반도체 기판(이하, 단순히 기판이라 칭함: 18) 상에 형성된다. 이상으로부터, 인터라인 전송 방식의 CCD 촬상 소자(10)가 구성되어 있다. 이 CCD 촬상 소자(10)를 구동하기 위한 4상의 수직 전송 클럭 V??1 내지 V??4 및 2상의 수평 전송 클럭 H??1, H??2는, 타이밍 발생 회로(19)로부터 발생된다.
4상의 수직 전송 클럭 V??1 내지 V??4는, 기판(28) 상에 형성된 단자(패드) 22-1 내지 22-4를 통해 수직 CCD(13)에 공급된다. 2상의 수평 전송 클럭 H??1, H??2는, 단자 23-1, 23-2를 통해 수평 CCD(15)에 공급된다. 또한, 타이밍 발생 회로(19)는 이들 전송 클럭 신호 외에, 센서부(11)에 축적된 신호 전하를 기판(18)으로 소출하기 위한 셔터 펄스 (??SUB) 등의 각종의 타이밍 신호도 적절하게 발생시킨다.
기판(18) 상에는 또한, 상기 기판(18)을 바이어스하는 바이어스 전압(이하, 기판 바이어스라 칭함, Vsub)을 발생시키는 기판 바이어스 발생 회로(20)도 형성되어 있다. 이 바이어스 전압 발생 회로(20)에서 생성된 기판 바이어스(Vsub)는, 트랜지스터 Q1을 통해 기판(18)에 인가된다. 이 기판 바이어스(Vsub)의 작용에 대해서는, 후에 상술한다.
도 5는, 각 센서부(11) 및 그 주변의 기판 깊이 방향의 구조를 도시한 단면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 예를 들면 N형의 기판(18)의 표면에 P형의 웰 영역(31)이 형성되어 있다. 이 웰 영역(31)의 표면에는 N+형의 신호 전하 축적 영역(32)이 형성되고, 또한 그 위에 P+형의 정공 축적 영역(33)이 형성됨으로써, 소위 HAD(정공 축적 다이오드) 구조의 센서부(11)가 구성되어 있다.
이 센서부(11)에 축적되는 신호 전하 e의 전하량은, 도 6의 전위 분포도에 도시한 바와 같이 P형의 웰 영역(31)으로 구성되는 오버플로우 장벽 OFB의 전위 장벽의 높이에 의해서 결정된다. 즉, 이 오버플로우 장벽 OFB는, 센서부(11)에 축적되는 포화 신호 전하량 Qs를 결정하는 것이다. 축적 전하량이 이 포화 신호 전하량 Qs를 넘은 경우에, 그 넘은 쪽의 전하가 전위 장벽을 넘어서 기판(18)측으로 소출된다.
소위 수직 오버플로우 드레인 구조의 센서부(11)가 상기한 바와 같이 구성되어 있다. 수직 오버플로우 드레인 구조에서, 기판(18)은 오버플로우 드레인으로서 기능한다. 이 센서부(11)에 있어서, 포화 신호 전하량 Qs는, 디바이스의 S/N 특성, 수직CCD(13)의 취급 전하량 등에 의해서 결정되지만, 제조 변동에 의해, 오버플로우 장벽 OFB의 전위가 변동되게 된다. 이 오버플로우 장벽 OFB의 전위는, 전술한 기판 바이어스(Vsub)에 의해서 제어 가능하다.
센서부(11)의 가로 방향에는, 판독 게이트부(12)를 구성하는 P형 영역(34)을 통해 N+형의 신호 전하 전송 영역(35) 및 P+형의 채널 스토퍼 영역(36)이 형성되어 있다. 신호 전하 전송 영역(35)의 하부에는, 스미어 성분의 혼입을 방지하기 위한 P+형의 불순물 확산 영역(37)이 형성되어 있다. 또한, 신호 전하 전송 영역(35)의 상측에는, 게이트 절연막(38)을 통해 예를 들면 다결정 실리콘으로 이루어지는 전송 전극(39)이 배치됨으로써, 수직 CCD(13)가 구성되어 있다. 전송 전극(39)은, P형 영역(34)의 상측에 위치하는 부분이, 판독 게이트부(12)의 게이트 전극을 겸하고 있다.
수직 CCD(13)의 상측에는, 전송 전극(39)을 덮도록 하고 층간막(40)을 통해 Al(알루미늄) 차광막(41)이 형성되어 있다. 이 Al 차광막(41)은, 센서부(11)에 있어서 선택적으로 에칭 제거되어 있고, 외부에서의 빛 L은 이 에칭 제거에 의해서 형성된 개구(42)를 통해서 센서부(11) 내에 입사한다. 그리고, 기판(18)에는, 상술한 바와 같이 센서부(11)에 축적되는 신호 전하의 전하량을 결정하는, 즉 오버플로우 장벽 OFB의 전위를 결정하는 기판 바이어스(Vsub)가 인가되도록 되어 있다.
기판 바이어스(Vsub)는, 도 4에 도시한 기판 바이어스 발생 회로(20)에 있어서, 디바이스 각각의 제조 변동에 따른 센서부(11)에서의 오버플로우 장벽 OFB(도 3을 참조)의 전위의 변동을 고려하여 칩마다 최적치로 설정된다. 그리고, 바이폴라 트랜지스터 Q1에서 임피던스 변환된 후, 기판(18)에 제공된다. 이 바이폴라 트랜지스터 Q1도, 기판 바이어스 발생 회로(20)와 함께 기판(18) 상에 형성되어 있다.
한편, 전자 셔터 동작시에 타이밍 발생 회로(19)로부터 발생되는 셔터 펄스 (??SUB)는, 커패시터 C에서 직류 컷트된 후, 단자(24)를 통해 바이폴라 트랜지스터 Q1의 에미터에 인가된다. 바이폴라 트랜지스터 Q1은, 셔터 펄스(??SUB)의 저레벨을 기판 바이어스(Vsub)의 직류 레벨에 클램프하기 위한 클램프 회로(21)를 구성하고 있다. 단자(24)와 그라운드와의 사이에는, 저항 R1이 접속되어 있다.
또한, 외부로부터 제공되는 기판 바이어스 컨트롤 신호(VsubCont.)는, 저항 R2를 통해 바이폴라 트랜지스터 Q2의 베이스로 인가된다. 이 바이폴라 트랜지스터 Q2의 에미터는 접지되어 있고, 그 콜렉터는 저항 R3을 통해 단자(25)에 접속되어 있다. 단자(25)에는, 바이폴라 트랜지스터 Q1의 베이스가 접속되어 있다. 바이폴라 트랜지스터 Q2 및 저항 R2, R3에 의해, 기판 바이어스 컨트롤 신호(VsubCont.)에 기초하여 기판 바이어스(Vsub)를 일시적으로 강하시키도록 구동하는 구동 시스템(26)이 구성되어 있다.
즉, 이 구동 시스템(26)에 있어서, 기판 바이어스 컨트롤 신호(VsubCont.) 가 저레벨일 때에는, 바이폴라 트랜지스터 Q2가 오프 상태에 있기 때문에, 기판 바이어스 발생 회로(20)에서 생성된 기판 바이어스(Vsub)는 그대로 바이폴라 트랜지스터 Q1을 통해 기판(18)에 인가된다. 한편, 기판 바이어스 컨트롤 신호(VsubCont.) 가 고레벨로 되면, 바이폴라 트랜지스터 Q2가 온 상태로 되어 바이폴라 트랜지스터 Q1의 베이스를 저항 R3을 통해 접지하기 때문에, 기판 바이어스 발생 회로(20)에서 생성된 기판 바이어스(Vsub)가, 저항 R3의 저항치에 따른 전위만큼 저하한다.
도 7은, 상기 구성의 본 실시 형태에 의한 고체 촬상 장치를 촬상 디바이스로서 이용한, 본 발명에 따른 카메라의 개략 구성도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 피사체(도시하지 않음)로부터의 빛은, 렌즈(51) 등의 광학계 및 기계적 셔터(52)를 거쳐서CCD 고체 촬상 소자(53)의 촬상 영역에 입사한다. 기계적 셔터(52)는, CCD 고체 촬상 소자(53)의 촬상 영역에의 빛의 입사를 차단하여 노광 시간을 결정하기 위한 것이다.
CCD 고체 촬상 소자(53)에서는, 전술한 본 실시 형태에 따른 CCD 고체 촬상 소자가 이용된다. 이 CCD 고체 촬상 소자(53)는, 상술된 타이밍 발생 회로(19)나 구동 시스템(26) 등을 포함하는 CCD 구동 회로(54)에 의해서 구동된다. CCD 고체 촬상 소자(53)의 출력 신호는, 다음 단의 신호 처리 회로(55)에 있어서, 자동 화이트 밸런스 조정 등의 여러가지 신호 처리가 행해진 후, 촬상 신호로서 외부로 도출된다. 기계적 셔터(52)의 개폐 제어, CCD 구동 회로(54)의 제어, 신호 처리 회로(55)의 제어 등은, 시스템 컨트롤러(56)에 의해서 행해진다.
다음에, 상기 구성의 카메라의 기본적인 동작에 대해 도 8의 타이밍차트를 이용하여 설명한다.
우선, 셔터(도시하지 않음)가 눌러지면, 이것에 응답하여 수 ㎳의 펄스폭의 트리거 펄스 TRIG.가 발생한다. 그 기간에 있어서 셔터 펄스(??SUB)가 수개 발생함으로써, 모든 센서부(11)의 신호 전하가 기판(18)으로 소출된다. 그리고, 어떤 일정한 노광 기간이 경과하면, 기계적 셔터(52)가 폐쇄하고, 예를 들면 프레임 판독에 의해서 전 화소의 신호 전하를 판독하는 전 화소 판독 기간에 들어 간다.
이 전 화소 판독 기간에 있어서, 우선, 수직 CCD(13)의 고속 전송 구동에 의해서 수직 CCD(13) 중의 전하가 소출된다. 그리고, 수직 전송 클럭 V??1에 판독 펄스 XSG가 발생함으로써 제1 필드의 각 화소의 신호 전하가 판독된다. 제1 필드의 신호 전하의 판독 후, 다시 고속 전송 구동에 의해서 수직 CCD(13) 중의 전하가 소출된다. 계속해서, 수직 전송 클럭 V??3에 판독 펄스 XSG가 발생함으로써 제2 필드의 각 화소의 신호 전하가 판독된다.
그 후, 기계적 셔터(52)가 개방되고, 고속 촬상 기간으로 이행한다. 이 고속 촬상 기간에서는, 촬상 중의 화상을 모니터에 영출하는 모니터링이나, 아이리스(도시하지 않음)의 개방도를 제어함으로써 노광을 조정하는 자동 아이리스 제어나, 렌즈(51)의 광축 방향의 위치를 제어함으로써 촛점을 조정하는 자동 포커스 제어나, 화이트 밸런스를 취하는 자동 화이트 밸런스 제어 등의 각종 자동 제어가 행해진다.
그런데, 종래 기술 부분에서 진술한 바와 같이, 노광 완료로부터 신호 전하의 판독까지의 사이에는, 센서부(11)의 포화 신호 전하의 일부가 시간의 경과와 동시에 방출됨으로써 포화 신호 전하량 Qs가 감소한다. 이 노광 완료로부터 신호 전하의 판독까지의 기간과 포화 신호 전하량 Qs의 관계를 도 9에 도시한다. 이 포화 신호 전하량 Qs의 감소에 의한 S/N이나 다이내믹 레인지 등의 특성의 악화를 막기 위해서는, 포화 신호 전하가 시간의 경과와 동시에 포화되지 않을 만큼의 충분한 전위 장벽차를 확보하는 것이 바람직하다. 그러나, 이 포화 신호 전하량 Qs는, CCD 고체 촬상 소자(10)의 수직 CCD(13)의 취급 전하량이나 블루밍 특성 등에 의해서 결정되기 때문에, 상기 전위 장벽차를 확보하는 것은 곤란하다.
또한, 상술된 기판 바이어스(Vsub)를 강하시켜서, 포화 신호 전하량 Qs(시간의 경과에 따라 감소하기 전의 값)를 그 감소분을 기대하여 미리 증가시킴에 의해서도, 포화 신호 전하량 Qs의 감소에 의한 S/N 및 다이내믹 레인지 등의 특성의 악화를 막을 수 있다. 도 8을 참조하여, 기판 바이어스(Vsub)를 모든 기간에서 바꾼 경우에 대하여 고찰한다. 전 화소 판독 기간에서는, 노광 기간에 수직 CCD(13)의 취급 전하량 이상의 신호나 블루밍 등의 성분이 발생하더라도, 해당 전하는 소출 기간동안 소출되어지고, 또한 기계적 셔터(52)가 폐쇄되기 때문에, 상기 성분이 신호 출력 중에 나타나지 않기 때문에, 문제가 발생하지 않는다.
이에 대해, 모니터링이나 자동 아이리스 제어/자동 포커스 제어/자동 화이트밸런스 제어 등의 자동 제어 등에 이용하는 고속 촬상 기간에서는 문제가 발생한다. 기계적 셔터(52)가 개방하고 있어서, 수직 CCD(13)의 취급 전하량 이상의 신호나 블루밍 등의 성분이 발생하고, 이것을 소출시키는 기간도 없기 때문이다. 이러한 관점에서, 본 발명에서는 적어도 신호 전하의 판독 기간, 즉 전 화소 판독 기간에 있어서 기판 바이어스(Vsub)를 내림으로써, 포화 신호 전하량 Qs를 그 감소분을 기대하여 미리 증가시키도록 하고 있다.
이 기판 바이어스(Vsub)를 강하시키기 위한 제어 신호, 즉 전술한 기판 바이어스 컨트롤 신호(VsubCont.)는, 예를 들면 시스템 컨트롤러(56)로부터 출력된다. 기판 바이어스 컨트롤 신호(VsubCont.)를 타이밍 발생 회로(19)로부터 출력하는 것도 가능하다. 이 기판 바이어스 컨트롤 신호(VsubCont.)가 바이폴라 트랜지스터 Q2의 베이스로 저항 R2를 통해 인가되는 경우 (도 4 참조), 상술된 바와 같이 저항 R3의 저항치에 따른 전위만큼 기판 바이어스(Vsub)가 저하한다. 이 저하분은, 센서부(11)에 있어서의 오버플로우 장벽 OFB(도 3을 참조)의 차광시의 전위 저하분을 기대하여 설정된다.
이와 같이, 적어도 전 화소 판독 기간에 있어서, 기판 바이어스(Vsub)를 내림으로써 그 저하한 분만큼 센서부(11)에 있어서의 오버플로우 장벽 OFB의 전위가 얕게 되어, 차광시에 시간의 경과와 동시에 감소하기 전의 포화 신호 전하량 Qs를 그 감소분을 기대하여 증가시킬 수 있기 때문에, 포화 신호 전하량 Qs를 향상시킬 수 있다. 따라서, 포화 신호 전하량 Qs의 감소에 의한 S/N이나 다이내믹 레인지 등의 특성의 악화를 막을 수 있다.
이하에, 기판 바이어스(Vsub)를 하강시키는 개시 타이밍의 4개의 구체예에 관해서, 도 11 내지 도 14의 타이밍차트를 이용하여 설명한다.
우선, 도 11에 도시한 구체예 1에서는 기판 바이어스(Vsub)를 하강시키는 개시점을 노광 개시전으로 하고 있다. 이에 의하면, 노광 기간도 포함시킨 모든 기간에서의 포화 신호 전하량 Qs의 감소를 보충하는 것이 가능해진다. 따라서, 스트로브광과 같은 노광 기간 중의 일부의 기간에서 포화하여 버리는 신호에도 대응 가능해진다. 또, 도 11에 있어서 기판 바이어스 컨트롤 신호(VsubCont.)를 노광 완료 전으로부터 수㎳ 전에 인가하고 있는 것은, 도 10에 도시한 바와 같이 기판 바이어스 컨트롤 신호(VsubCont.)가 인가되고 나서 기판 바이어스(Vsub)가 실제로 강하하는 데에 있어서, 도 1의 저항 R1의 저항치와 컨덴사 C의 용량치로 결정되는 시상수에 의해서 수 ㎳의 시간이 필요하기 때문이다 (도 4 참조).
다음에, 도 12에 도시한 구체예 2에서는, 기판 바이어스(Vsub)를 하강시키는 개시점을 노광 기간 중으로 하고 있다. 이것에 의하면, 기계적 셔터(52)를 폐쇄하고 있는 기간에서의 포화 신호 전하량 Qs의 감소를 보충하는 것이 가능해진다. 여기서, 도 11의 경우와는 달리, 기판 바이어스(Vsub)를 하강시키는 개시점을 노광 개시전으로하고 있지 않기로 함에 따른 이점은, 도면 중의 트리거 신호 TRIG.가 ON한 상태(카메라의 셔터가 눌러진 상태)로부터의 기계적 셔터(52)가 폐쇄하기(노광 완료)까지의 기간이 짧아지는 것이다 (도 12 참조).
도 13에 도시한 구체예 3에서는 기판 바이어스(Vsub)를 하강시키는 개시점을 제1 필드의 신호 전하의 판독으로부터 제2 필드의 신호 전하의 판독까지의 기간내로 하고 있다. 이에 의하면, 제1 필드의 신호 전하를 판독하기까지 포화 신호 전하량Qs가 감소하여 버리고, 제2 필드의 포화 신호 전하량 Qs의 감소를 막을 수 있다. 따라서, 종래 기술에서 문제로 되어 있는 제1 필드와 제2 필드의 포화 신호 전하량Qs의 차이(단차)를 없애는 것이 가능해진다.
도 14에 도시한 구체예 4에서는, 기판 바이어스(Vsub)를 하강시키는 개시점을 노광 완료로부터 신호 전하의 판독까지의 기간 내로 하고 있다. 이에 의하면, 일부 포화 신호 전하량 Qs가 감소하여 버리는 기간이 있고, 노광 기간 중에 있어서 기판 바이어스(Vsub)를 내림으로써 발생하는 블루밍 등의 성분이 감소하고, 노광 완료 직후에 행하는 소출 기간에서의 소출이 보다 하기 쉬어진다.
또, 상기 실시 형태에 있어서는, 프레임 판독 방식을 예로 들어 설명하였지만, 신호 전하의 판독 방식은 필드 판독 방식이나 전 화소 판독 방식으로도 상관없다. 또한, 차광 수단으로서 기계적 셔터(52)를 이용하였지만, 기계적 셔터(52)에 한정되는 것이 아니라 액정 셔터 등의 다른 차광 수단이어도 좋고, 또한, 예를 들면 스트로브광과 같이 광원이 한번 빛나고 나서 일정 기간에 걸쳐 어두워지는 것을 촬상할 때와 같이, 차광하지 않는 경우에도 본 발명을 적용하여도 좋다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 기판 바이어스 발생 회로(20) 및 클램프 회로(21)가 CCD 고체 촬상 소자(10)의 내부에 설치된 경우에 있어서, 클램프 회로(21)의 입력단(바이폴라 트랜지스터 Q1의 베이스)을 저항 R3을 통해 접지하는지의 여부를 기판 바이어스 컨트롤 신호(VsubCont.) 에 의해서 선택적으로 전환함으로써, 적어도 신호 전하의 판독 기간에서 기판 바이어스(Vsub)를 하강시키는 구성으로 하였지만, 기판 바이어스 발생 회로(20) 및 클램프 회로(21)가 CCD 촬상 소자(10)의 외부에 설치된 경우에도 마찬가지로 적용하는 것이 가능하다.
이 경우의 구성을 도 15에 도시한다. 도 12에 있어서, CCD 촬상소자(10')의 기본적인 구성은 앞에서의 실시 형태에 관한 CCD 촬상 소자(10)와 동일하다. 이 CCD 촬상 소자(10')의 외부에는, 기판 바이어스(Vsub)를 발생하는 기판 바이어스 발생 회로(27)가 설치된다. 이 기판 바이어스 발생 회로(27)에서 발생된 기판 바이어스(Vsub)는, 클램프 회로(28)를 구성하는 바이폴라 트랜지스터 Q3의 베이스로 인가된다.
바이폴라 트랜지스터 Q3의 콜렉터는 단자(29)에 접속되고, 그 에미터는 저항 R4를 통해 접지되어 있다. 이에 따라, 기판 바이어스(Vsub)는, 바이폴라 트랜지스터 Q1에서 임피던스 변환된 후, 단자(29)를 통해 기판(18)에 제공된다. 한편, 타이밍 발생 회로(19)에서 발생되는 셔터 펄스(??SUB)는, 컨덴사 C에서 직류 컷트된 후, 바이폴라 트랜지스터 Q3의 에미터에 인가된다. 이 때, 셔터 펄스(??SUB)는 바이폴라 트랜지스터 Q3에 의해서 그 저레벨이 기판 바이어스(Vsub)의 직류 레벨에 클램프된다.
이와 같이, 기판 바이어스 발생 회로(27) 및 클램프 회로(28)가 CCD 촬상 소자(10')의 외부에 설치된 고체 촬상 장치에 있어서, 기판 바이어스(Vsub)를 내리기 위해서는, 기판 바이어스 발생 회로(27)에 대해 기판 바이어스(Vsub) 자체를 일정 기간만큼 내리기 위한 타이밍 신호를 제공함과 동시에, 이 타이밍 신호가 부여되면 기판 바이어스 발생 회로(27)로부터 통상보다도 일정한 전위만큼 낮은 기판 바이어스(Vsub)가 상기 일정 기간에 걸쳐 출력되는 구성으로 하면 좋다. 또한, 기판 바이어스(Vsub)를 하강시키는 개시 타이밍에 대해서는 상술된 실시 형태에 관한 구체예 1 내지 4의 경우와 마찬가지로 설정하면 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 센서부가 오버플로우 드레인 구조를 갖는 고체 촬상 소자에 있어서, 적어도 신호 전하의 판독 기간에 있어서 고체 촬상 소자의 기판 바이어스를 내리도록 함으로써 차광 시간에 시간의 경과와 동시에 감소하기 전의 포화 신호 전하량을 그 감소분을 기대하고 증가시킬 수 있기 때문에, 노광 완료로부터 신호 전하의 판독까지의 기간에 생기는 포화 신호 전하량의 감소에 의한 S/N이나 다이내믹 레인지 등의 특성의 악화를 방지하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명에 관한 고체 촬상 장치의 개략 구성도.
도 2는 센서부 주변의 단면 구조도.
도 3은 센서부의 기판 깊이 방향의 전위 분포도.
도 4는 본 발명에 관한 카메라의 개략 구성도.
도 5는 기본적인 동작을 설명하기 위한 타이밍차트.
도 6은 노광 완료로부터 판독까지의 기간과 포화 신호 전하량 Qs와의 관계를 도시한 특성도.
도 7은 기판 바이어스 제어시의 타이밍도.
도 8은 구체예 1의 경우의 타이밍도.
도 9는 구체예 2의 경우의 타이밍도.
도 10은 구체예 3의 경우의 타이밍도.
도 11은 구체예 4의 경우의 타이밍도.
도 12는 본 발명의 변형예를 도시한 개략 구성도.
도 13은 필드 판독 방식의 설명도.
도 14는 프레임 판독 방식의 설명도.
도 15는 전 화소 판독 방식의 설명도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10, 10' : CCD 촬상 소자
11 : 센서부
13 : 수직 CCD
14 : 촬상 영역
15 : 수평 CCD
16 : 전하 전압 변환부
18 : 반도체 기판
19 : 타이밍 발생 회로
20, 27 : 기판 바이어스 발생 회로
21, 28 : 클램프 회로
52 : 기계적 셔터
56 : 시스템 컨트롤러
(??SUB) : 셔터펄스
(Vsub) : 기판 바이어스
(VsubCont.) : 기판 바이어스 컨트롤 신호

Claims (11)

  1. 오버플로우 드레인 구조를 가지며 행렬형으로 배열된 복수의 센서부, 및 상기 센서부로부터 판독된 신호 전하를 전송하기 위한 전하 전송부를 갖는 고체 촬상 소자; 및
    노광 완료후에 상기 고체 촬상 소자의 촬상 영역에의 광의 입사를 차광한 상태에서 신호 전하를 판독하는 동작 모드에서 적어도 신호 전하의 판독 기간 동안에 상기 고체 촬상 소자의 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키도록 구동하는 구동 시스템
    을 포함하는 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 구동 시스템에서 상기 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키는 개시점은 노광 개시 이전으로 설정되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 구동 시스템에서 상기 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키는 개시점은 노광 기간 중으로 설정되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 구동 시스템에서 상기 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키는 개시점은 제1 필드의 신호 전하의 판독으로부터 제2 필드의 신호 전하의 판독까지의 기간 중으로 설정되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 구동 시스템에서 상기 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키는 개시점은 노광 완료로부터 신호 전하의 판독까지의 기간 중으로 설정되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  6. 오버플로우 드레인 구조를 가지며 행렬형으로 배열된 복수의 센서부, 및 상기 센서부로부터 판독된 신호 전하를 전송하기 위한 전하 전송부를 갖는 고체 촬상 소자를 포함하는 고체 촬상 장치의 구동 방법에 있어서,
    노광 완료후에 상기 고체 촬상 소자의 촬상 영역에의 광의 입사를 차광한 상태에서 신호 전하를 판독하는 동작 모드에서 적어도 신호 전하의 판독 기간 동안에 상기 고체 촬상 소자의 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키는 개시점은 노광 개시 이전으로 설정되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키는 개시점은 노광 기간 중으로 설정되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키는 개시점은 제1 필드의 신호 전하의 판독으로부터 제2 필드의 신호 전하의 판독까지의 기간 중으로 설정되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 오버플로우 드레인 바이어스를 강하시키는 개시점은 노광 완료로부터 신호 전하의 판독까지의 기간 중으로 설정되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  11. 오버플로우 드레인 구조를 가지며 행렬형으로 배열된 복수의 센서부 및 상기 센서부로부터 판독된 신호 전하를 전송하기 위한 전하 전송부를 갖는 고체 촬상 소자와, 노광 완료후에 상기 고체 촬상 소자의 촬상 영역에의 광의 입사를 차광한 상태에서 신호 전하를 판독하는 동작 모드에서 적어도 신호 전하의 판독 기간 동안에 상기 고체 촬상 소자의 기판 바이어스를 강하시키도록 구동하는 구동 시스템을 포함하는 고체 촬상 장치;
    입사광을 상기 고체 촬상 소자의 촬상 영역으로 유도하는 광학 시스템; 및
    상기 입사광이 상기 고체 촬상 소자의 촬상 영역에 도달하는 것을 방지하기 위해, 상기 입사광을 차단하여 노광 기간을 결정하기 위한 차광 수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라.
KR1019970047681A 1996-09-20 1997-09-19 고체촬상장치및그구동방법과카메라 KR100508610B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-249652 1996-09-20
JP24965296 1996-09-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980024753A KR19980024753A (ko) 1998-07-06
KR100508610B1 true KR100508610B1 (ko) 2005-10-21

Family

ID=17196213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970047681A KR100508610B1 (ko) 1996-09-20 1997-09-19 고체촬상장치및그구동방법과카메라

Country Status (3)

Country Link
EP (6) EP2282529A3 (ko)
KR (1) KR100508610B1 (ko)
TW (1) TW351041B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4506684B2 (ja) * 2006-02-15 2010-07-21 ソニー株式会社 負荷を駆動する駆動方法および駆動装置、並びに電子機器
US7508432B2 (en) 2006-07-19 2009-03-24 Eastman Kodak Company CCD with improved substrate voltage setting circuit

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4963980A (en) * 1987-02-06 1990-10-16 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing device
JPH0666449B2 (ja) * 1992-08-26 1994-08-24 ソニー株式会社 半導体イメージセンサー
JP3579993B2 (ja) * 1995-10-24 2004-10-20 ソニー株式会社 固体撮像装置
JPH1013748A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Sony Corp 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに固体撮像装置を用いたカメラ

Also Published As

Publication number Publication date
EP2282527A3 (en) 2011-06-22
EP0831641A3 (en) 1999-10-20
KR19980024753A (ko) 1998-07-06
EP2282527A2 (en) 2011-02-09
EP2282528A2 (en) 2011-02-09
EP2282529A3 (en) 2011-06-22
EP2264998A3 (en) 2011-06-22
EP2259568A3 (en) 2011-06-22
EP2264998A2 (en) 2010-12-22
EP2282528A3 (en) 2011-06-22
EP2282529A2 (en) 2011-02-09
EP2259568A2 (en) 2010-12-08
EP0831641A2 (en) 1998-03-25
TW351041B (en) 1999-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3440722B2 (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラ
US8513710B2 (en) Solid-state imaging device and control method for same
JPH11122532A (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法
US6778215B1 (en) Driving method of solid-state image pickup device and image pickup system
JP3878575B2 (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2002064196A (ja) 固体撮像装置
KR100508610B1 (ko) 고체촬상장치및그구동방법과카메라
JPH07284026A (ja) 固体撮像装置
JPH1013748A (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに固体撮像装置を用いたカメラ
JPH0446504B2 (ko)
JP4001904B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JP2003153084A (ja) 固体撮像素子の制御装置および制御方法
JP4296025B2 (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JP4001841B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JP4306701B2 (ja) 固体撮像装置、およびその駆動方法、並びにカメラ
JP3847820B2 (ja) 撮像装置
JPH10271395A (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法
JP2010161730A (ja) 固体撮像装置及びカメラ
JP2000101929A (ja) 固体撮像素子の制御方法
JP2007142696A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
JPS5912674A (ja) 撮像装置
JPS61219271A (ja) インタ−ライン転送型ｃｃｄの駆動方法
JP2006270635A (ja) 基板バイアス回路、固体撮像装置およびカメラ
JPH06261254A (ja) 固体撮像素子の駆動装置
JPH10200087A (ja) Ｃｃｄ撮像素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120730

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130726

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140801

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160729

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170728

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term