KR100486181B1 - 개선된 저지 대역 억제를 나타내는 리액턴스 필터 타입의 ｓａｗ-필터 및 상기 저지 대역 억제를 최적화하기 위한 방법 - Google Patents

개선된 저지 대역 억제를 나타내는 리액턴스 필터 타입의 ｓａｗ-필터 및 상기 저지 대역 억제를 최적화하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 2 개의 병렬 분기 내에 적어도 2 개의 SAW 공진기(R2, R3)를 포함하고, 1 개의 직렬 분기 내에 1 개의 SAW 공진기(R1)를 포함하는 리액턴스 필터 타입의 SAW(표면 탄성파) 필터에 관한 것이다. 본 발명에 따라, 상기 병렬 분기 내 두 SAW 공진기(R2, R3)의 접지 측면들(12-6, 12-7)의, 기판 상에 형성되는 전기적 연결은, 상기 병렬 분기와 연관된 극 위치가 더 낮은 주파수에 도달할 수 있도록 하우징으로의 연결(12-5)이 수행되기 전에 제공된다.

Description

개선된 저지 대역 억제를 나타내는 리액턴스 필터 타입의 ＳＡＷ-필터 및 상기 저지 대역 억제를 최적화하기 위한 방법{SURFACE ACOUSTIC WAVE(SAW) FILTER OF THE REACTANCE FILTER TYPE EXHIBITING IMPROVED STOP BAND SUPPRESSION AND METHOD FOR OPTIMIZING THE STOP BAND SUPPRESSION}
본 발명은 표면 탄성파(OFW 또는 영어로 SAW) 필터, 특히 개선된 저지 대역 억제를 나타내는 리액턴스 필터 타입의 SAW-필터 및 상기 저지 대역 억제를 최적화하기 위한 방법에 관한 것이다.
리액턴스 필터는 종래의 필터 기술에 공지되어있다. 개별 공진기에 대한 개별적인 요소(인덕턴스, 커패시턴스) 대신 SAW 공진기가 사용되는 경우, 리액턴스 필터 타입의 SAW-필터가 고려된다.
리액턴스 필터 타입의 SAW-필터에서는 임피던스 요소로서 SAW-공진기가 사용된다. 도 1은 공지된 공진기의 개략도를 도시한 것이다. 상기 공진기는 압전 기판의 표면 상에 금속 구조물을 포함하며, 전기 에너지를 음향 에너지로 변환하기 위한 교차형 변환기(interdigital transducer)(1-4)가 접속되는 단자 쌍(1-1 및 1-2)을 갖는다. 상기 교차형 변환기(1-4)의 양측에는 음향 에너지가 누설되는 것을 막기 위해 음향축의 종방향으로 각각 1 개의 리플렉터(reflector)(1-3 및 1-5)가 배치된다.
도 2의 좌측에는 SAW 공진기(R)에 대한 등가 회로도가, 우측에는 공진기를 나타내는 기호가 도시되어있다. 병렬 회로의 제 1 분기에는 동적 인덕턴스(L1), 동적 커패시턴스(C1) 및 동적 저항(R1)으로 이루어진(손실을 고려할 때) 직렬 공진회로가, 그리고 제 2 분기에는 교차형 변환기의 정적 커패시턴스(C0)가 배치된다. 상기 직렬 공진회로는 공진시, 즉 공진 주파수(fr)의 범위 내에서 공진기의 특성을 재생한다. 정적 커패시턴스는 f<<fr 및 f>>fr의 주파수 범위 내에서 특성을 재생한다. 동적 커패시턴스(C1)는 교차형 변환기의 정적 커패시턴스(C0)에 비례한다.
C1 ~ C0 (1.1)
1 개의 공진기는 1 개의 공진 주파수(fr) 및 1 개의 반공진 주파수(fa)를 가진다. 공진 주파수(fr)의 경우, 다음 식이 적용된다.
(1.2)
공진기의 반공진 주파수(fa)의 경우, 다음 식이 적용된다.
(1.3)
SAW 리액턴스 필터의 기본 유닛은 도 3에 도시된 바와 같이 소위 기본 회로(basic element)이다. 상기 기본 회로는 병렬 분기 내 공진 주파수(frp) 및 그에 관련된 반공진 주파수(fap)를 가진 제 1 공진기(R1)와 직렬 분기 내 공진 주파수(frs) 및 그에 관련된 반공진 주파수(fas)를 가진 제 2 공진기(R2)로 구성된다. 도 4에는 병렬 분기에서 상기 공진기 (R1)의 어드미턴스(Yp)의 주파수 파형 및 직렬 분기에서 상기 공진기 (R2)의 임피던스(Zs)의 주파수 파형이 도시되어있다. 중심 주파수(middle frequency)(f0)를 가진 대역 통과 필터를 형성하기 위해 상기 두 공진기의 공진 주파수들이 다음의 상관 관계를 갖는다.
fap frs fo (1.4)
각각의 기본 회로는 원칙적으로 게이트 1의 단자(3-1 및 3-2) 및 게이트 2의 단자(3-3 및 3-4)를 포함하는 2-포트 네트워크(two-port network)로서 간주된다(도 3 참조). 동시에 단자 (3-1)은 직렬 공진기의 입력부이고, 단자 (3-3)은 직렬 공진기의 출력부이다. 병렬 공진기의 입력부는 상기 단자 (3-1)에 연결된다. 단자 (3-2) 및 (3-4)는 비대칭 동작시 기준 접지를 나타낸다. 기준 접지를 향하는 병렬 공진기의 출력부(3-5)는 하기에서 병렬 공진기의 출력측 내지는 접지측으로 표기된다. 병렬 공진기의 출력측과 기준 접지 사이에 놓이는 인덕턴스(Lser)는 실제 구조에서 하우징 접지로의 접속을 나타낸다.
리액턴스 필터 타입의 SAW 필터의 선택 레벨(slection level)은 한 편으로는 병렬 분기 내 정적 커패시턴스(C0p)와 직렬 분기 내 정적 커패시턴스(C0s)의 관계식(C0p/C0s)를 통해 결정되고, 다른 한 편으로는 연달아 접속된(계단식) 기본 회로들의 개수에 의해 결정된다.
기본 회로들은 캐스케이딩의 경우 일반적으로 정합(matching) 접속된다. 즉, 각각 반사(mirror)된다. 도 5 및 도 6은 각각 2 개의 기본 회로가 캐스캐이드 접속되어있는 리액턴스 필터의 2 개의 예를 나타낸다. 제 1 기본 회로의 출력 임피던스 5-1(Zout) 또는 6-1(Zin)는 제 2 기본 회로의 입력 임피던스(5-2 또는 6-2)와 동일하기 때문에 부정합(mismatching)으로 인한 손실이 최소화된다. 상기 기본 회로의 개수 및 배열에 관하여 리액턴스 필터의 경우 수많은 구조가 가능하거나 이미 공지되어있다.
바로 연달아 배치된 동일한 타입의 공진기들(직렬 공진기 또는 병렬 공진기)은 각각 하나로 통합될 수도 있는데, 이 경우 전체 용량 효과는 같게 유지된다. 도 7에 따라 1개의 필터를 연결하는 것은 도 8에 따른 1 개의 필터의 효과와 동일하다.
도 9 및 10은 세라믹 하우징(9-0) 내 압전 기판(9-1) 상에 형성된 SAW 필터의 전형적인 실제 구조 및 본딩 와이어(9-8 내지 9-12 또는 10-9)를 이용한 전형적인 연결 기술을 도시한 것이다.
병렬 공진기(R1, R3 및 R5)는 출력측(9-15 내지 9-17)에서 본딩 와이어(9-9, 9-10 및 9-12)를 통해 하우징 접지 패드(9-4, 9-5 및 9-7)에 연결된다.
전형적인 실장 기술(도 9 및 10 참조)을 통해, 병렬 분기를 접지에 접속할 때 예컨대 기판(칩) 상의 병렬 공진기(R5)의 출력측(9-17)과 외부 하우징 핀(9-4)에 인가되는 접지(10-5) 사이의 직렬 인덕턴스를 얻을 수 있다. 여기에는 칩 상의 스트립 선로의 유도(inductive) 성분, 본딩 연결부(9-9)의 인덕턴스 및 하우징 부싱(10-3)의 인덕턴스가 속한다.
상기 직렬 인덕턴스는 통과 대역에서 뿐만 아니라 저지 대역에서도 필터의 동작 특성에 영향을 미친다. 통과 대역의 경우 f ~ f0이 적용된다. 공진 주파수 및 그에 따라 공진기의 대역폭이 공지된 것처럼 공진기에 종속된 외부 회로에 의해 변동될 수 있다. 공진기와 직렬인 인덕턴스는 유효 동적 인덕턴스를 증가시키고, 그로 인해 공진 주파수(fr)가 낮아진다. 반공진 주파수(fa)는 극히 소폭만 변위되기 때문에 직렬 인덕턴스를 가진 공진기의 대역폭(△f=fa-fr)이 확대된다. 병렬 공진기의 경우에는 SAW 필터의 대역폭도 확대된다.
저지 대역의 경우 f<<f0 및 f>>f0이 적용된다. 이 경우, 직렬 공진 회로가 f0을 벗어나 매우 높은 임피던스 상태에 있고, 이는 무부하 상태에 상응하기 때문에, 공진기의 등가 회로도는 그의 정전 용량(C0)까지 감소된다. 공진기에 대한 직렬 인덕턴스(Lser)는 도 11에 도시된, 다음의 공진 주파수를 갖는 직렬 공진 회로를 제공한다. :
(1.5)
병렬 공진기에 대한 직렬 인덕턴스의 경우 이는, 주파수 fpol에서 필터의 에너지가 접지 쪽으로 직접 유출될 수 있으며, 필터 특성 곡선에 소위 극 위치(pole point)가 형성됨을, 즉 저지 대역에서의 억압이 더욱 강해짐을 의미한다. 저지 대역 내 극 위치의 개수는 직렬 인덕턴스를 갖는 병렬 분기의 개수에 상응한다. 주파수가 상이할 수 있는 극 위치(fpol1 및 fpol2)는 곱(product) " 1=Lser1*C01"과 " 2=Lser2*C02"이 상이한 경우에만 주어진다. 상기 곱이 같으면 극 위치는 동일한 주파수에 놓이고, 단일 극 위치에서보다 더 높은 억압을 수반하는 이중 극 위치(fpo1=fpol1=fpol2)가 얻어진다.
도 11b는 인덕턴스(Lser)가 병렬 공진기의 출력측에 직렬로 연결되어있는 병렬 분기 내에서의 공진기의 감쇠 특성을 나타낸다. 도 11b에서와 같이, 극 위치를 명확히 도시하기 위해 f0과 동일한 공진 주파수(frp)를 갖는 공진기의 직렬 공진 회로가 생략되었다. 극 위치의 주파수(fpol)의 경우 일반적으로 fpol > f0이 적용되고, 이 때 f0은 필터의 공진 주파수와 같다. 이 때, 극 위치에서 큰 감쇠가 일어난다.
리액턴스 필터 타입의 SAW 필터는 통과 대역에서 매우 적은 손실을 나타내기 때문에, 주로 이동 무선 통신 분야에서 HF-필터로서 사용된다. 그 외에도 이동 무선 통신 분야에 사용되는 HF-필터로서 리액턴스 필터 타입의 SAW 필터는 통화시 바람직하지 않은 혼변조 성분(mixing product)을 방지하기 위해, 한 편으로는 듀플렉스 대역(즉, 송신 필터에서는 수신 대역, 그리고 반대로 수신 필터에서는 송신 대역)을 억압해야 하고, 다른 한 편으로는 국부 발진기 주파수(LO) 및/또는 이미지 주파수에서 신호를 억압해야 한다.
국부 발진기는 필터의 중심 주파수(f0)의 상부 또는 하부에 놓인다. 중심 주파수(f0)까지의 거리는 신호 처리에 사용된 중간 주파수(intermediate frequency, IF)에 상응한다. 이미지 주파수(image frequency)는 중심 주파수(f0)까지 2*IF의 거리를 가진다. 100-400 MHz의 범위 내에서는 일시적으로 IF-주파수가 사용되기 때문에, SAW 필터는 f0 ±100-800 MHz의 범위 내에서 사용됨에 따라 일반적으로 30dB 이상의 좋은 감쇠 특성을 나타낸다.
LO- 및/또는 이미지 주파수의 범위 내에서 충분한 감쇠를 달성하기 위한 방법은 여러가지가 있다. 제 1 방법 A는 일반적인 선택 레벨(이 경우 척도로서 대략 f0/2에서 통과 대역 미만의 최소 감쇠가 적용됨)을 적절한 크기로 만드는 것이다. 그러나 이 경우 선택 레벨이 점차 증가될수록 통과 대역에서의 손실도 증가한다는 큰 단점이 있다. 이는 대부분의 경우 통화시 신호 처리를 위해 허용될 수 없다. 제 2 방법 B는, 종래의 실장 기술에서 병렬 공진기에 대해 직렬을 이루는 인덕턴스가 LO-주파수 또는 이미지 주파수에서 일직선으로 놓이는 극 위치를 형성한다는 전술한 사실로부터 도출된 것이다. 이 경우, 사용된 IF-주파수에서의 스펙트럼이 클 때에는 발생한 극 위치를 약 700 MHz의 범위 이상으로 변동시키기 위한 방법이 제공되어야 한다.
병렬 분기 내 정적 커패시턴스(C0p)는 필터 성능(통과 대역, 정합 및 선택 레벨)을 결정하는데 중요하게 작용하기 때문에, 주어진 필터 요구조건에서 저지 대역 내 극 위치도 동시에 변동될 정도로만 매우 소폭 변동될 수 있다. 마찬가지로 병렬 공진기의 출력측과 접지 사이의 직렬 인덕턴스의 크기에 대한 자유도가 제한된다. 소형화의 필연성 및 비용으로 인해 사용되는 칩이 점점 더 작아지고, 그 결과 칩 상의 스트립 선로의 유도 성분이 제한적으로만 변동될 수 있다. 본딩 접속의 길이 및 그와 상호 관련된 인덕턴스도 마찬가지로 하우징 내부에서 계속해서 소형화가 진행되고 있는 중에는 결코 변동될 수 없다. 또한 하우징 부싱으로부터 제공되는 인덕턴스는 주어진 하우징을 위해 고정된다.
계속해서 소형화되고 있는 하우징 내 리액턴스 필터 타입의 SAW 필터의 경우, f0 + 100-800 MHz의 큰 주파수 범위 이상에서 적절하게 세팅된 극 위치에 걸친 LO-억압 및/또는 이미지 억압을 보증하기 위해서는 상기 방법 B도 충분치 못하다. 특히 본딩 와이어 대신 범프 접속이 사용되는 추후 접속 기술인 '플립-칩 기술'에서는 비교적 낮은 주파수에서, 즉 중심 주파수(f0) 상위로 100 MHz의 범위 내에서 극 위치를 형성하는 것이 불가능하다. 왜냐하면 상기 실장 기술에서는 병렬 공진기의 출력측에 대한 직렬 인덕턴스가 너무 작고(공식 1.5 참조), 50Ω에서 필수적인 자기 정합(self-matching)때문에 병렬 분기의 정적 커패시턴스도 역시 충분한 크기로 선택될 수 없기 때문이다.
도 1은 단일 게이트 SAW 공진기이다.
도 2는 등가 회로도 및 SAW 공진기를 나타내는 기호이다.
도 3은 리액턴스 필터 타입의 SAW 필터의 기본 회로이다.
도 4는 병렬 공진기와 직렬 공진기의 상호 작용을 나타낸 것이다.
도 5는 2 개의 기본 회로의 캐스캐이드(연속 접속)이다.
도 6은 2 개의 기본 회로의 캐스캐이드(연속 접속)이다.
도 7은 리액턴스 필터의 다이어그램이다.
도 8은 축소된 구조(s-p-s-p)를 가진 리액턴스 필터의 다이어그램이다.
도 9는 커버가 없는 하우징 내 SAW 필터의 평면도이다.
도 10은 하우징 내 SAW 필터의 횡단면도이다.
도 11a는 극 위치를 나타낸 도면이다.
도 11b는 병렬 분기의 감쇠 특성에 대한 등가 회로도이다.
도 12는 필터의 등가 회로도이다.
도 13은 SAW 필터의 감쇠 특성에 대한 등가 회로도이다.
도 14는 △Lser과 극 위치간의 상관관계를 나타내는 다이어그램이다.
도 15는 극 위치의 주파수 위치와 정적 커패시턴스의 관계를 나타낸 도면이다.
도 16은 3 개의 기본 회로로 구성된 필터를 나타낸다.
도 17은 상기 필터(도 16)의 저지 대역에서의 등가 회로도이다.
도 18은 상기 필터(도 16)의 감쇠 특성을 나타낸 도면이다.
도 19는 4 개의 기본 회로로 구성된 필터를 나타낸다.
도 20은 상기 필터(도 19)의 저지 대역에서의 등가 회로도이다.
도 21은 상기 필터(도 19)의 감쇠 특성을 나타낸 도면이다.
도 22는 4 개의 기본 회로로 구성된 필터를 나타낸다.
도 23은 상기 필터(도 22)의 저지 대역에서의 등가 회로도이다.
도 24는 상기 필터(도 22)의 감쇠 특성을 나타낸 도면이다.
도 25는 4 개의 기본 회로로 구성된 필터를 나타낸다.
도 26은 상기 필터(도 25)의 저지 대역에서의 등가 회로도이다.
도 27은 상기 필터(도 25)의 필터 특성곡선이다.
도 28은 4 개의 기본 회로로 구성된 필터를 나타낸다.
도 29는 상기 필터(도 28)의 저지 대역에서의 등가 회로도이다.
도 30은 범프 접속에 의한 필터 구조이다.
도 31은 본딩 접속에 의한 필터 구조이다.
본 발명의 목적은 중심 주파수(middle frequency) 근방의 100 내지 800 MHz의 가능한 범위에 걸쳐서 특정 LO-주파수 및 이미지 주파수를 위한 개선된 저지 대역 억제가 달성될 수 있도록 필터를 형성할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따라 청구항 제 1항에 따른 필터에 의해 달성된다. 바람직한 실시예 및 극 위치를 이동시키기 위한 방법이 그 외 청구항에 제시되어있다.
본 발명에 따르면 칩 상에 각각 1 개의 공진기를 포함하는 병렬 분기의 접지측 출력측을 연결함으로써 병렬 분기들의 커플링이 형성되고, 그로 인해 연관된 극 위치(또한 '결합된 극 위치(coupled pole point)'로도 표기됨)의 주파수 위치가 크게 변동될 수 있다. 그럼으로써 기존 구조로 인한, 공식 (1.5)에 따른 인덕턴스를 가진 병렬 분기의 기존 직렬 배선에 의해 도달될 수 있었던 것보다 낮은 주파수에서 극 위치를 갖는 SAW 필터가 형성될 수 있다. 또한 지금까지 제공된 필터에서 가능했던 것보다 더 넓은 주파수 범위에 걸쳐 제공된 필터에서 하나 이상의 극 위치가 이동될 수 있다. 따라서 본 발명에 의해 큰 선택성이 요구되는 주파수, 예컨대 임의의 LO-주파수 또는 이미지 주파수에서 극 위치가 정확하게 형성될 수 있다.
따라서 국부 발진기 주파수에서의 신호 억압(LO-억압) 및/또는 이미지 주파수에서의 신호 억압(이미지 억압)을 위한 선택 요건이 매우 작은 구조에 국한된 인덕턴스를 갖는 초소형 하우징 내에서도 여전히 충족될 수 있다. 그러므로 기존의 본딩 인덕턴스, 도체 인덕턴스 또는 하우징 부싱 인덕턴스의 경우 직렬 인덕턴스를 증가시키지 않고도 하나 이상의 극 위치가 바람직한 주파수로 이동될 수 있다.
그밖에도 제공된 접지 접속의 개수가 사용된 병렬 분기의 수와 상관없이 설정될 수 있기 때문에 필요 공간이 적어진다. 특히 새로운 접속 기술(본딩 접속 대신 범프 접속) 및 새로운 하우징 기술의 관점에서 본 발명에 따른 실시예들은 소형화된 하우징에서 전술한 선택 요건을 달성하기 위한 유일한 방법이라는 것을 의미한다.
하기에는 본 발명에 따라 극 위치를 이동시키는 원리가 실시예 및 관련 도면을 참고로 더 자세히 설명된다. 이어지는 구체적인 실시예들은 리액턴스 필터 타입의 SAW 필터에서 응용되는 예시들이다.
도 12에는 추가 기본 회로를 갖춘 확대된 필터 구조의 부분일 수 있는, 본 발명에 따른 간단한 필터 구조가 등가 회로도로서 부호에 의해 도시되어있다. 병렬 공진기(R2 및 R3)를 포함하는 적어도 2 개의 병렬 분기에서는 본 발명에 따라 이미 칩(기판, 12-8) 상에서 출력측들(12-6 및 12-7)이 서로 전기적으로 연결된다. 이어서 먼저 예컨대 본딩 접속(12-5)을 포함하는 하우징 접지 패드(12-4)로의 연결부가 따른다.
도 13에는 각각의 공진기에서 그의 정적 커패시턴스(C0)만이 작용하는 주파수 범위(f<<f0 및 f>>f0)에 대한 등가 회로도가 도시되어있다. 리액턴스 필터 타입의 SAW 필터의 선택 특성은 주로 그와 같은 축소된 등가 회로도에 의해 기술될 수 있다. 인덕턴스(Lser)는 칩 상의 병렬 공진기의 연결부와 하우징 접지 핀(= 하우징의 접지용 접속부) 사이의 인덕턴스에 상응한다.
칩 상에서 이미 전기적으로 연결된 2 개의 병렬 분기의 커플링이 이루어진다. 이는 저지 대역에서 극 위치의 주파수 위치 변동을 야기시킨다. 2-포트 네트워크(Z)를 나타내는 도 13의 등가 회로도에 따라 결합된 극 위치의 주파수 위치가 결정될 수 있다. 2-포트 네트워크(Z)는 접지에 대한 임피던스가 0이 될 때 1 개의 극 위치를 갖는다. :
Z21 = 0
여기서 Z21은 임피던스 행렬의, 체계적으로 표기된 하나의 배열 요소이다. Z21을 규정하기 위해 2-포트 네트워크(Z)는 2-포트 네트워크 (Z')와 (Z")의 직렬 회로로 분할될 수 있다. 2-포트 네트워크 (Z')는 3 개의 커패시턴스(C0p1, C0p2 및 C0s)로 구성된 П- 회로를 포함한다. 2-포트 네트워크 (Z")는 인덕턴스(Lser)만을 포함한다. 따라서 다음의 식이 주어진다. :
(2.1)
(2.2)
여기서 j는 허수를 나타내고, ω= 2πf이고,
(2.3)
에 의해 다음 식,
(2.4)
이 성립된다.
(2.4)의 식의 분자가 0이면, 즉
(2.5)
이면, Z21은 0이다. 이로부터 결합된 극 위치의 주파수 위치에 대해 다음의 식을 얻을 수 있다. :
(2.6)
칩 상에 병렬 분기가 결합되지 않은 채 얻어진 기존의 극 위치와 비교해볼 때, 공식 (1.5),
(2.7)
및
(2.8)
에 따라 추가의 커패시턴스량 및 Cop2 내지는 C0p1은 인덕턴스가 같을 때 결합된 극 위치를 더 낮은 주파수로 이동시킨다는 것이 명백히 증명된다.
계산예 : 공지된 리액턴스 필터 타입의 SAW 필터의 경우, 1 개의 극 위치의 주파수(fpol)는 로 산출된다.
이 때 직렬 인덕턴스(Lser) 및 정적 커패시턴스(C0p)의 경우 일반적인 값, 1nH 및 4pF로 가정되었다.
2 개의 병렬 분기가 결합되면, Lser와 C0p의 경우 가정된 값이 동일할 때 및 C0s가 4pF일 때 공식 (2.6)에 따라 가 주어진다.
1 개의 필터가 다수의 병렬 분기를 포함하면, 다수의 병렬 분기도 접지측에서 서로 연결될 수 있으며, 이들 병렬 분기는 '결합된 병렬 분기"로도 표기된다. 결합된 극 위치의 주파수 위치에 있어서, 연결된 병렬 분기들의 개수 및 그들의 결합이 결정적인 역할을 하며, 극 위치의 바람직한 주파수 위치를 위한 필터 구조의 선택시 고려된다.
도 14는 결합된 극 위치의 상태와 인덕턴스(Lser)의 크기의 관계를 보여준다. 2 개의 특성곡선(14-1 및 14-2)은 동일한 필터의 필터 특성을 나타내고, 이 때 Lser만 상이하게 선택된다. Lser에 따라 극 위치의 상이한 주파수 위치가 제공되고, 이 때 fpol1에 속하는 인덕턴스(Lser1)가 Lser2보다 작다. 인덕턴스(Lser)가 더 클수록 더 낮은 주파수로의 극 위치의 이동이 더 커진다.
결합된 병렬 분기의 정적 커패시턴스들의 곱,
ΠCp = C0p1 * C0p2 (2.9)
이 변동됨으로써 극 위치의 주파수 위치가 더 소폭으로 조정될 수 있다. 통과 대역에서의 필터 특성 및 일반적인 선택 레벨이 변동되지 않도록 하기 위해, 이러한 병렬 분기 내 정적 커패시턴스들의 곱의 변동이 그들의 합,
∑Cp = Cop1 + Cop2 = constant(일정함) (2.10) 이 유지된다는 조건하에서만 수행될 수 있다.
하기의 방법이 사용될 수 있다.: 결합된 제 1 병렬 공진기의 정적 커패시턴스(C0p1)가, 결합된 제 병렬 공진기의 정적 커패시턴스(C0p2)가 감소되는 값,
C0p2(new) = C0p2 - Cconst (Cconst < C0p2) (2.12) 과 동일한 값(Cconst)만큼 증가되고,
C0p1(new) = C0p1 + Cconst (2.11)
그 결과 곱(∑Cp)은 변동되나, 정적 커패시턴스들의 총합은 동일하게 유지되고,
∑Cp = C0p1(new) + C0p2(new) = Cop1 + Cop2 = constant (2.13)
통과 대역 또는 일반적인 선택 레벨의 변동이 감수되어야 할 필요가 없다.
결합된 극 위치의 더 큰 주파수 오프셋이 필요한 경우, 연관된 정적 커패시턴스(C0p1, C0p2 또는 C0s)가 변동될 수 있다. 결합될 2 개의 병렬 공진기보다 많은 병렬 공진기가 존재할 경우 총합(C0p1 + C0p2)이 증가(또는 감소)될 수 있고, 균형을 위해 결합되지 않은 병렬 공진기의 정적 커패시턴스가 감소(또는 증가)됨에 따라 병렬 분기 내 모든 정적 커패시턴스의 총합이 같게 유지될 수 있다. 그로 인해 일반적인 선택 레벨이 유지된다.
도 15는 인덕턴스(Lser)가 일정할 때 결합된 병렬 분기의 정적 커패시턴스의 합(C0p1 + C0p2)이 팩터 (1.2)만큼 감소됨으로써 결합된 극 위치의 주파수가 얼마나 증가되는지를 나타낸다.
결합된 극 위치를 이동시키기 위한 또 다른 방법은 1 개의 병렬 공진기(P)를 서로 병렬을 이루는 각각 2 개의 공진기(P', P")로 분할하는 것으로서, 이 때 분할된 각 공진기의 커패시턴스의 총합은 최초 커패시턴스(C0p)와 같다. :
C0p = C'0p + C"0p
상기 병렬 공진기(P')가 병렬 공진기 (P")가 아닌 또 다른 병렬 공진기에 연결되면 C'0p만이 결합된 극 위치의 주파수 위치에 영향을 미치기 때문에, 결합된 극 위치의 주파수 위치는 분할된 병렬 공진기(P' 및 P")의 정적 커패시턴스의 분할비 에 따라 조정될 수 있다.
결합된 병렬 분기들 사이에는 하나 이상의 직렬 공진기가 배치될 수 있다. 결합된 병렬 공진기들 사이에 놓이는 정적 커패시턴스(C0s)의 크기도 공식 (2.6)에 따라 결합된 극 위치의 주파수 위치에 영향을 미칠 수 있기 때문에 하기의 방법에 의해 역시 결합된 극 위치의 주파수 위치가 이동될 수 있다.
결합된 병렬 분기들 사이에 놓이는 직렬 공진기(들)(S) 외에 추가의 직렬 공진기(Sn)가 존재하는 경우, 그의 정적 커패시턴스(C0s)가 증가(또는 감소)될 수 있고, 균형을 위해 결합된 병렬 공진기들 사이에 놓이지 않는 직렬 공진기들(Sn)의 정적 커패시턴스가 감소(또는 증가)됨으로써 상기 직렬 분기 내 모든 정적 커패시턴스의 총합이 같게 유지될 수 있다. 그로 인해 일반적인 선택 레벨은 유지되고 결합된 극 위치의 주파수 위치가 변동된다.
전술한 바와 같이, 병렬 분기 내 정적 커패시턴스(Cp) 및 (칩 상의 병렬 분기의 연결부와 하우징의 외부 접속부 사이의) 직렬 인덕턴스(Lser)의 변동을 위한 범위는 제한되어있다. 따라서 극 위치가 이동될 수 있는 주파수 범위도 역시 제한된다. 그러나 종래 기술에 공지된 방법에 비해 본 발명에 따라 도달된 극 위치의 주파수 위치의 변동 범위는 매우 소형화된 하우징의 경우에도 HF-필터로서 무선 통신 분야에 사용되기 위해 필요한 LO-억압 및 이미지 억압을 수행하는 SAW 필터의 제조를 가능하게 한다.
하기에는 본 발명에 따른 필터의 구체적인 실시예가 제시된다.
제 1 실시예 (도 16 내지 18 참조) :
3 개의 기본 회로로 구성된 구조를 사용할 수 있다. 입력 포트(16-1)에는, 병렬 분기뿐만 아니라 직렬 분기도 상기 입력 포트로의 연결부를 포함하는 방식으로 제 1 기본 회로가 접속된다. 제 2 기본 회로는 매칭 요건(Zout = Zin)에 따라 접속된다. 제 3 기본 회로도 동일한 방식으로 접속된다. 따라서 출력 포트에는 입력 포트에서와는 달리 단 1 개의 직렬 분기만 직접 연결된다. 입력부로부터 출력부 쪽으로 공진기를 위해 순서(p-s - s-p - p-s)가 주어지고, 이 때 p는 병렬 공진기를, s는 직렬 공진기를 의미한다. 원칙적으로는 필터 특성을 변경하지 않아도 입력 포트 및 출력 포트를 교환할 수 있으며, 이 경우 s-p-p-s-s-p의 순서가 주어진다.
공지된 것처럼 같은 종류의 공진기들이 그들의 용량 효과를 유지하면서 결합될 수도 있다. 따라서 최소 개수의 공진기로 구성된 하기의 구조가 형성된다. :
p-s-p-s 또는 s-p-s-p
그러나 공진기들이 부분적으로 결합된 중간 형태도 가능하다. :
p-s-p-p-s 또는 s-p-p-s-p
p-s-s-p-s 또는 s-p-s-s-p
편의상 하기의 실시예들은 입력 포트와 출력 포트의 교환 가능성에 대한 추가적 지침 없이 최소 개수의 공진기에 따라서만 설명되고 도면에 도시된다. 그러나 본 발명은 바로 앞서 설명한 실시예에 따른 개선예도 포함한다.
도 16에는 제 1 실시예의 구조가 부호로 도시되어있다. 2 개의 병렬 분기가 먼저 칩 상에서 전기적으로 서로 연결된 다음 하우징에 연결된다. f<<f0 및 f>>f 0의 범위 내에서의 선택 특성에 대한 등가 회로도가 도 17에 도시되어있다. 인덕턴스(Lser)는 칩 상의 병렬 공진기들의 연결부와 외부 하우징 접지 핀 사이의 인덕턴스에 상응한다.
필터는 도 18에서 곡선 18-1로 표시되어있는 필터 특성 곡선을 갖는다. 필터 곡선 18-2(도 8에 도시된 필터에 해당)와 비교해보면 칩 상의 병렬 분기들이 연결됨으로써 전형적인 인덕턴스(Lser = 1.0nH)를 갖는 저지 대역에서 극 위치의 주파수 위치가 얼마나 변위되는지를 명확히 알 수 있다. 수직선들 사이의 주파수 범위(낮은 IF-주파수에서 LO-억압 및 이미지 억압을 위한 전형적인 주파수 범위)에서는 선택성이 10 dB 이상 증가된다.
제 2 실시예 (도 19 내지 21 참조) :
도 19에는 본 발명에 따른 제 2 실시예의 구조가 부호에 의해 도시되어있다. 여기서는 4 개의 기본 회로로 이루어진 구조가 사용된다. 입력 포트(19-1)에는 병렬 분기뿐만 아니라 직렬 분기도 상기 입력 포트에 연결되는 방식으로 제 1 기본 회로가 접속된다. 제 2 기본 회로는 매칭 요건(Zout = Zin)에 따라 접속된다. 제 3 및 제 4 기본 회로도 동일한 방식으로 접속된다. 따라서 출력 포트에는 입력 포트에서와 마찬가지로 병렬 분기뿐만 아니라 직렬 분기도 직접 연결된다. 입력부로부터 출력부 쪽으로 볼 때 공진기들의 순서는 다음과 같다. :
p-s-p-s-p
이 때 p는 병렬 공진기를, s는 직렬 공진기를 나타낸다. 동일 타입의 공진기들은 이미 결합되어있다.
3 개의 병렬 분기 중 2 개가 먼저 칩 상에서 전기적으로 서로 연결된 다음, 인덕턴스(Lser2)를 통해 하우징에 연결된다. 나머지 병렬 분기는 그와 상관없이 인덕턴스(Lser1)를 통해 하우징에 연결된다. f<<f0 및 f>>f0의 범위 내에서의 선택 특성에 대한 등가 회로도가 도 20에 도시되어있다. 인덕턴스(Lser2)는 칩 상의 병렬 공진기들의 연결부(19-4)와 외부 하우징 접지 핀 사이의 인덕턴스에 상응한다.
도 21에서 곡선 21-1은 도 19의 필터의 필터 특성 곡선을 나타낸다. 칩 상의 병렬 분기들이 연결되어있지 않은 필터 곡선 21-2와 비교해보면, 이 경우 칩 상의 3 개의 병렬 분기들 중 2 개가 연결됨으로써 전형적인 인덕턴스(Lse2r = 1.0nH)를 갖는 저지 대역에서 극 위치의 주파수 위치가 더 낮은 주파수로 얼마나 변위되는지를 명확히 알 수 있다. 수직선들 사이의 주파수 범위(낮은 IF-주파수에서 LO-억압 및 이미지 억압을 위한 전형적인 주파수 범위)에서는 선택성이 약 10 dB 이상 증가된다.
제 3 실시예 (도 22 내지 24 참조) :
도 22에는 본 발명에 따른 제 3 실시예의 구조가 부호에 의해 도시되어있다. 여기서는 4 개의 기본 회로로 이루어진 구조가 사용된다. 입력 포트(22-1)에는 직렬 분기만 상기 입력 포트에 연결되는 방식으로 제 1 기본 회로가 접속된다. 제 2 기본 회로는 매칭 요건(Zout = Zin)에 따라 접속된다. 제 3 및 제 4 기본 회로도 동일한 방식으로 접속된다. 따라서 출력 포트에는 입력 포트에서와 마찬가지로 1 개의 직렬 분기만 직접 연결된다. 입력부로부터 출력부 쪽으로 볼 때 공진기들의 순서는 다음과 같다. :
s-p-s-p-s
이 때 p는 병렬 공진기를, s는 직렬 공진기를 나타낸다. 동일 타입의 공진기들은 이미 결합되어있다. 2 개의 병렬 분기가 먼저 칩 상에서 전기적으로 서로 연결된 다음, 하우징에 연결된다. f<<f0 및 f>>f0의 범위 내에서의 선택 특성에 대한 등가 회로도가 도 23에 도시되어있다. 인덕턴스(Lser)는 칩 상의 병렬 공진기들의 연결부와 외부 하우징 접지 핀 사이의 인덕턴스에 상응한다. 도 22의 필터는 도 24에서 곡선 24-1로 도시된 필터 특성 곡선을 갖는다. 칩 상의 병렬 분기들이 연결되어있지 않은 필터 곡선 24-2와 비교해보면, 칩 상의 2 개의 병렬 분기가 연결됨으로써 전형적인 인덕턴스(Lser2 = 1.0nH)에서 저지 대역 내 극 위치의 주파수 위치가 얼마나 변위되는지를 명확히 알 수 있다. 수직선들 사이의 주파수 범위(높은 IF-주파수에서 LO-억압 및 이미지 억압을 위한 전형적인 주파수 범위)에서는 선택성이 8 dB 이상 증가된다.
제 4 실시예 (도 25 내지 27 참조) :
도 25에는 본 발명에 따른 제 4 실시예의 구조가 부호에 의해 도시되어있다. 여기서는 4 개의 기본 회로로 이루어진 구조가 사용된다. 입력 포트(25-1)에는 공진기(RS1)를 포함하는 직렬 분기만 상기 입력 포트에 연결되는 방식으로 제 1 기본 회로가 접속된다. 제 2 기본 회로는 매칭 요건(Zout = Zin)에 따라 반사되도록 접속된다. 제 3 및 제 4 기본 회로도 동일한 방식으로 접속된다. 따라서 출력 포트(25-3)에는 입력 포트에서와 마찬가지로 1 개의 직렬 분기만 직접 연결된다. 입력부로부터 출력부 쪽으로 볼 때 공진기들의 순서는 다음과 같다. :
s-p-s-p-p-s
동일 타입의 공진기들은 이미 결합되어있다. 그러나 제 3 실시예와 달리 1 개의 병렬 분기가 의도적으로 다시 분할된다. 분할은 각각의 병렬 공진기(Rp2, Rp3)가 고유의 전기적 입력부 및 출력부를 가진 고유의 2-포트 네트워크를 형성하도록 이루어진다. 공진기(RP1)를 가진 결합된 병렬 분기는 결합되지 않은 2 개의 병렬 분기(Rp2)에 먼저 칩 상에서 (25-2) 지점에서 전기적으로 서로 연결된 다음, Lser1을 통해 하우징에 연결된다. 남은 병렬 분기(Rp3)는 그와 상관없이 하우징에 연결된다. f<<f0 및 f>>f0의 범위 내에서의 선택 특성에 대한 등가 회로도가 도 26에 도시되어있다. 인덕턴스 (Lser1)은 칩 상의 병렬 공진기들(RP1 및 Rp2)의 연결부와 외부 하우징 접지 핀 사이의 인덕턴스에 상응하고, 인덕턴스 (Lser2)는 칩 상의 병렬 공진기(RP3)와 외부 하우징 접지 핀 사이의 인덕턴스에 상응한다.
도 25의 필터는 도 27에서 곡선 27-1로 도시된 필터 특성 곡선을 갖는다. 칩 상의 병렬 분기들의 출력측이 연결되어있지 않은 필터 곡선 27-2와 비교해보면, 칩 상의 3 개의 병렬 분기 중 2 개가 연결됨으로써 전형적인 인덕턴스(Lser1 = 1.0nH)에서 저지 대역 내 극 위치의 주파수 위치가 얼마나 변위되는지를 명확히 알 수 있다. 수직선들 사이의 주파수 범위(높은 IF-주파수에서 LO-억압 및 이미지 억압을 위한 전형적인 주파수 범위)에서는 선택성이 일반적으로 5 dB 이상 증가된다. 높은 LO-억압 아니면 이미지 억압이 요구되면, 선택 이득은 10 dB보다 훨씬 더 높다.
제 5 실시예 (도 28 내지 30 참조) :
도 28에는 본 발명에 따른 제 5 실시예의 구조가 부호에 의해 도시되어있다. 여기서는 4 개의 기본 회로로 이루어진 구조가 사용된다. 입력 포트(28-1)에는 직렬 분기만 상기 입력 포트에 연결되는 방식으로 제 1 기본 회로가 접속된다. 제 2 기본 회로는 매칭 요건(Zout = Zin)에 따라 접속된다. 제 3 및 제 4 기본 회로도 동일한 방식으로 접속된다. 따라서 출력 포트(28-3)에는 입력 포트에서와 마찬가지로 1 개의 직렬 분기만 직접 연결된다. 입력부로부터 출력부 쪽으로 볼 때 공진기들의 순서는 다음과 같다. :
s-p-s-p-p-s
동일 타입의 공진기들은 이미 결합되어있다. 그러나 제 3 실시예와 달리 1 개의 병렬 분기가 의도적으로 다시 분할된다. 그러나 서로 독립적인 2 개의 병렬 공진기로 분할되는 것이 아니라, 쓰리-포트의 형태로 분할된다. 2 개의 병렬 공진기용 입력부는 여자된 교차형 핑거가 놓이는 공통의 단자대(terminal strip, 28-4)로 구성된다. 출력부의 단자대는 2 개의 버스 바아(28-5 및 28-6)로 분할되고, 이 때 각각의 버스 바아는 2 개의 병렬 공진기 중 하나의 출력부에 상응한다.
공진기(RP1)를 가진 병렬 분기는 먼저 칩 상에서 결합되지 않은 병렬 분기들 중 하나(Rp2)에 접지 출력부(28-2)에서 전기적으로 서로 연결된다. 그리고 나서 하우징에 연결된다. f<<f0 및 f>>f0의 범위 내에서의 선택 특성에 대한 등가 회로도가 도 29에 도시되어있다. 상기 등가 회로도는 도 26의 등가 회로도와 기본적으로 유사하다. 인덕턴스 (Lser1)은 칩 상의 병렬 공진기들(RP1 및 Rp2)의 연결부와 외부 하우징 접지 핀 사이의 인덕턴스에 상응하고, 인덕턴스 (Lser2)는 결합되지 않은 공진기(RP3)와 외부 하우징 접지 핀 사이의 인덕턴스에 상응한다.
도 28의 필터는 도 26의 필터와 다르지 않은, 따라서 도 27에 곡선 27-1로 도시된 필터 특성 곡선을 갖는다. 여기서는 제 4 실시예에 비해 병렬 공진기의 다른 형태의 분할이 도시되어있으며, 상기 형태는 선택 특성에 미치는 작용에서 차이가 나는 것이 아니라 레이아웃에서 차이가 난다.
도 31은 본 발명에 따른 필터 구조를 기판 위에서 바라본 개략적인 모습으로서 단편적으로 도시한 것이다. 공진기(R)가 교차형 변환기로서 도시되어있다. 병렬 분기 내 결합된 2 개의 공진기(Rp1 및 Rp2)는 기판 상에서 서로 전기적으로 연결되고, 인덕턴스(Lser)의 한 부분을 나타내는 본딩 와이어(31-2)에 의해 접지 단자면(31-3)에 연결되는 하나의 공통 접지 접속(31-1)부를 포함한다. 여기서는 기판에의 결합이 스트립 선로에 의해 구현된다. 그러나 본딩 와이어도 포함할 수 있다. 여기서는 단 2 개의 결합된 공진기만 도시되어있지만, 본 발명에는 2 개 이상의 결합된 공진기를 가진 필터도 포함된다.
제 6 실시예 :
이제 도 30에 단편적으로 도시되어있는, 본 발명에 따른 제 6 실시예를 설명한다. 여기서는 적어도 2 개의 병렬 분기를 가진 리액턴스 필터 타입의 SAW 필터가 사용된다. 존재하는 모든 병렬 분기들 중 적어도 2 개(R2 및 R3)의 경우, 칩 상에서 먼저 병렬 공진기들의 출력측(30-3 및 30-4)이 서로 전기적으로 연결된다. 그런 다음 이어서 하우징으로의 연결(30-5)이 실시된다. 남은 병렬 분기는 그와 상관없이 하우징에 연결된다. 하우징에 칩(30-1)이 결합되는 것은 지금까지 본딩 접속으로서 구현된 것과는 달리 범프 접속(30-5)에 의해 이루어진다.
f<<f0 및 f>>f0의 범위 내에서의 선택 특성에 대한 등가 회로도는 일반적인 실시예에 비해 변동된 바 없고, 도 13에 도시되어있다. 인덕턴스 (Lser)은 칩 상의 병렬 공진기들의 연결부와 외부 하우징 접지 핀 사이의 인덕턴스에 상응한다. 범프 기술에 따른 구조에서는 본딩 와이어를 이용한 구현에 비해 인덕턴스 (Lser)의 값이 상당히 감소된다. 왜냐하면 범프 접속 자체가 본딩 접속에 비해 인덕턴스를 거의 갖지 않기 때문이다. 칩 상에는 여전히 스트립 선로의 유도 성분이 남게 되고, 외부 하우징 접지 핀까지 하우징 부싱 인덕턴스가 남는다.
지금까지 도시된 모든 실시예, 및 칩 상에서 먼저 출력측이 전기적으로 연결된 적어도 2 개의 병렬 분기를 가진 4 개 이상의 기본 회로로 이루어진 실시예는 원칙적으로 범프 기술과 결합되어 구현된다. 필터 특성들은 기본적으로 유사하기도 하지만, 직렬 인덕턴스(Lser)의 경우 도달 가능한 값은 더 낮다. 예컨대 LO-억압 및/또는 이미지 억압의 범위 내에서 요구되는 선택성을 달성하기 위해서는 저지 대역을 목적한 대로 변동시키기 위한 본 발명에 따른 방법을 사용하는 것이 더욱 필요하다. 또한 본 발명은 필요한 접지 범프의 개수가 감소되고, 그에 따라 접지 단자용 칩 면적도 감소된다는 장점을 제공한다. 그로 인해 전체 SAW 필터는 더욱 소형화될 수 있다.

Claims (13)

  1. 병렬 분기 내에 정적 커패시턴스(C0p1)를 가진 제 1 SAW 공진기(R2)를 포함하고, 직렬 분기 내에 제 2 SAW 공진기(R1)를 포함하며, 압전 기판(12-8) 상에 형성된 적어도 하나의 기본 회로(R1, R2), 및
    추가 병렬 분기 내에 정적 커패시턴스(C0p2)를 가진 추가의 제 1 SAW 공진기(R3)를 포함하는 리액턴스 필터 타입의 SAW 필터로서,
    상기 제 2 SAW 공진기는 상기 제 1 병렬 분기와 상기 추가의 제 1 병렬 분기 사이에 배치되고, 상기 제 1 병렬 분기와 상기 추가의 제 1 병렬 분기는 상이한 전기 노드에서 상기 직렬 공진기에 접속되며, 상기 병렬 분기들은 기준 전위에 접속되고,
    상기 제 1 SAW 공진기(R2)의 접지측과 상기 추가의 제 1 SAW 공진기(R3)의 접지측이 서로 직접 접속되며, 이러한 전기 접속이 하우징으로의 연결(12-5, 12-4) 이전에 이루어짐에 따라 변동된 주파수 위치에서 극 위치가 생성되고, 상기 극 위치의 주파수는 상기 정적 커패시턴스들(C0p1, C0p2)의 합과 곱으로부터 결정되며,
    상기 정적 커패시턴스들(C0p1 및 C0p2)이 상이하게(C0p1≠C0p2) 선택됨에 따라 원하는 주파수 위치에 극 위치의 주파수가 조절되고,
    상기 제 1 공진기(R2) 및 추가의 제 1 공진기(R3)의 전기적으로 서로 연결된 접지측(12-6, 12-7)의 하우징 접속부가 범프 접속부(30-5)로 이루어지는 SAW 필터.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전기 연결부는 기판 상의 스트립 선로를 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  3. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    상기 전기 연결부는 기판 상의 2 개의 패드간의 본딩 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  4. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    상기 제 1 공진기는 2 개의 개별 병렬 공진기(Rp2, Rp3)로 분할되고, 상기 개별 병렬 공진기들의 접지측들은 서로 직접적으로 연결되지 않으며, 출력측에 있는 상기 개별 병렬 공진기 중 하나(Rp2)는 접지측에서 추가 개별 공진기(RP1)와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  5. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    상기 제 1 병렬 분기 및 또 다른 제 1 병렬 분기 외에 적어도 하나의 추가 제 1 병렬 분기가 제공되고, 상기 추가 제 1 병렬 분기 내에는 병렬 공진기가 배치되며, 상기 병렬 공진기의 접지측은 상기 제 1 병렬 분기 및 또 다른 제 1 병렬 분기와 직접적으로 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  6. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    플립-칩-기술을 통해 하우징 내에 장착되는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  7. 제 6항에 있어서,
    전체 필터 크기가 2.5 x 2.0 ㎟ 이하인 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  8. 제 1항 또는 2항에 따른 SAW 필터 내에서 극 위치를 이동시키는 방법으로서,
    전기적으로 연결되어 결합된 적어도 하나의 제 1 공진기의 정적 커패시턴스(C0p)가 증가 또는 감소되고, 보상을 위해 결합된 병렬 분기들 및 결합되지 않은 병렬 분기들 내에 배치된 모든 병렬 공진기들의 정적 커패시턴스의 총합(C0p)이 같게 유지되는 방식으로 추가의 제 1 병렬 분기 또는 추가의 제 1 병렬 분기들 내에 배치된 하나 이상의 공진기들의 정적 커패시컨스들이 감소되거나 증가되는 SAW 필터 내의 극 위치 이동 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    직렬 분기 내에서 상기 병렬 분기와 추가의 병렬 분기 사이에 적어도 하나의 또 다른 제 2 공진기가 제공되고,
    상기 제 2 공진기의 정적 커패시턴스(C0s)가 출력값에 비해 증가 또는 감소되고, 직렬 분기 내에서 결합된 제 1 공진기들 사이에 놓이는 적어도 하나의 또 다른 제 2 공진기의 정적 커패시턴스가 모든 제 2 공진기들의 정적 커패시턴스의 총합(C0s)이 같게 유지되는 방식으로 감소 또는 증가되는 것을 특징으로 하는 SAW 필터 내의 극 위치 이동 방법.
  10. 제 8항 또는 9항에 있어서,
    상기 제 1 공진기가 서로 병렬을 이루는 2 개의 공진기(P' 및 P")로 분할되고, 이 때 상기 개별 병렬 공진기들의 접지측이 서로 전기적으로 간접적으로 연결되며, 상기 개별 병렬 공진기들 중 하나(Rp2)는 접지측에서 또 다른 제 1 공진기(Rp1)와 전기적으로 연결되고, 상기 2 개의 병렬 공진기(P' 및 P")의 정적 커패시턴스의 분할비의 변동에 의해 또 다른 제 1 공진기와 결합된 병렬 공진기의 정적 커패시턴스(C0p)가 변동됨에 따라 결합된 극 위치의 주파수 위치가 조정되는 것을 특징으로 하는 SAW 필터 내의 극 위치 이동 방법.
  11. 제 8항 또는 9항에 있어서,
    접지측에서 서로 전기적으로 연결된 제 1 공진기들의 정적 커패시턴스(C0p1 및 C0p2)의 곱(ΠC0p)은, 또 다른 제 1 공진기의 정적 커패시턴스(C0p2)가 감소되는 것과 같은 값(Cconst)만큼 상기 제 1 공진기의 정적 커패시턴스(C0p1)가 증가됨에 따라 변동되어서, 상기 정적 커패시턴스들의 총합(C0p1 및 C0p2)이 같게 유지되는 것을 특징으로 하는 SAW 필터 내의 극 위치 이동 방법.
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