KR100461849B1 - 에칭 공정 폐액을 이용한 고농도 인산 정제 시스템 및인산 정제 방법 - Google Patents

에칭 공정 폐액을 이용한 고농도 인산 정제 시스템 및인산 정제 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 에칭 공정에서 대량 발생하는 반응 폐액을 정제하여 인산의 함량을 높인 고농도의 인산을 정제하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 정제된 고농도의 인산을 이용하여 알루미늄 등의 금속 표면에 스크래치가 발생하는 것을 억제하고 표면에 광택을 부여하는 등의 화학 연마 또는 세정제의 수계 분산체의 주성분으로 사용할 수 있다.

Description

에칭 공정 폐액을 이용한 고농도 인산 정제 시스템 및 인산 정제 방법{System of Refining High Concentrated Phosphoric Acid Using Deserted Liquid from Etching Process and Method of Refining the Same}
본 발명은 고농도 인산의 정제 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에칭 공정 폐액으로부터 고농도 인산 정제 시스템 및 그 정제 방법에 관한 것이다.
인산은 도금, 인산염 및 축합인산 염류의 원료, 금속 표면 처리, 의약(스트렙토마이신, 페니실린, 비타민C), 염색, 치마용 인산칼슘, 직물공업(목석 캬라코의 염색, 비단의 염색), 경수의 연화, 유리제조, 철의 녹제거 및 청정제, 치과용 시멘트, 고무유액의 응고, 석판법, 조각, 표백제, 과산화수소의 합성, 에틸렌가스의 제조, 모래와 설탕공업, 단백질 유도체의 제조, 분석 시약, 세라믹, 비료, 농약(파티온제제), 각종 엽료 중간생성물의 제조, 백열등 필라멘트의 제조, 전극 연마제 등 다양한 용도로 사용되고 있다.
특히, 인산이 80 ~ 85 중량%를 포함하고 있는 고농도의 인산은 반도체 제조공정의 게이트 회로 설계에서 사용되는 질화규소의 에칭액 또는 광학렌즈와 세라믹용 알루미나 및 기타 금속 재질의 에칭 공정 및 반도체 또는 액정표시소자의 세정 공정 및 금속 재질의 표면을 연마하여 표면에 스크래치가 생기는 것을 억제하고, 표면에 광택을 부여하기 위한 화학 연마, 전해 연마 등의 연마 공정 또는 세정제용 수계 분산체의 주성분으로 사용되고 있다.
산업적으로 인산을 제조하는 방법은 크게 원소 상태의 인을 연소와 수화(hydration)에 의하여 제조하는 건식법과, 인광석의 황산 분해에 의해서 제조되는 습식법으로 구별된다. 건식법에서는 전기로 또는 용광로에 인광석, 규석 및코크스의 혼합물을 가열, 환원시켜 생성되는 기체상의 황인을 공기와 함께 연소시켜 오산화인을 제조하고 물에 흡수시켜 수화함으로써 인산을 제조한다. 그러나, 건식법에 의한 인산 제조 공정에서는 과도한 에너지를 소모하게 되고, 장비 역시 고가이므로 바람직하지 않다.
한편, 습식법에서는 인광석을 황산으로 분해하여 인산을 제조하는 데, 종래 인산을 제조하는 방법을 간단하게 기술하면 다음과 같다.
한국특허 등록공고 제 1981-000330호에서는 인광석을 인산 및 황산을 사용하여 분해하는 공정 중에 활성 실리카를 공급하여 생성된 응집성이 양호한 반수석고를 생성시켜 고농도 인산을 반수석고로부터 용이하게 분리할 수 있는 고농도 인산의 제조 방법을 공개하고 있다.
한편 한국특허 공개공보 제 1988-007358호에서는 인광석을 황산과 인산을 포함하는 혼합산으로 분해시켜 생성된 인산과 반수석고의 슬러리를 여과시켜 생성된 고농도 인산과 반수석고의 일부를 재순환시킴으로써 고농도의 인산을 제조하는 방법을 기술하고 있다. 또한, 한국특허 공개공보 제 1985-000121호에서는 인산염 광석을 산처리하여 생성된 슬러리로부터 여과된 인산을 농축하고, 생성된 인산의 일부 및 플루오르 규산 용액을 회수 처리하여 생성된 다른 슬러리를 여과하여 플루오르와 실리카 화합물로 구성된 고체로부터 인산을 분리하는 것을 특징으로 하는 인산 제조 방법을 개시하고 있다.
그러나, 상기에서 기술된 참증들은 모두 인산염 광석을 산처리하여 인산을제조하는 과정에서 특수한 처리를 하여 인산을 용이하게 분리시키거나 또는 생성된 인산의 일부를 재순환시켜 고농도의 인산을 제조하는 방법으로서, 최종적으로 생성된 인산의 함량은 50% 미만이다. 따라서, 이와 같은 농도의 인산 용액으로는 후술하는 것과 같은 반도체 또는 액정표시소자 등의 에칭 공정, 화학적, 전기적 연마 공정 등에 사용하기 곤란한 문제가 있다.
한편 한국특허공개공보 제 2003-0075069호에서는 인산원료를 일정농도로 농축시키고, 냉각 결정화에 의하여 인산결정을 제조, 분리한 뒤에 부분용융에 의하여 인산 결정을 용융시켜 결정의 표면에 부착되어 있는 불순물을 제거하는 인산의 정제하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 상기 공개공보 제 2003-0075069호에 개시되어 있는 공정에서는 공정의 진행 정도에 따라 급격한 온도 변화가 요구될 뿐 아니라, 비교적 정제하기 쉬운 건식법에 의하여 제조된 인산을 농축, 재결정, 부분용융에 따라 고순도로 정제하는 것이기 때문에 반도체 또는 액정표시소자의 에칭 공정 등을 통하여 부산물로 생성되는 에칭 폐액으로부터 고농도의 인산 용액을 정제하는 것과는 무관한 기술이다.
최근, 전자산업의 급속한 발전으로 인하여 대용량의 정보를 고속으로 처리하기 위한 고밀도집적회로(LSI) 또는 초고밀도집적회로(VLSI)와 같은 반도체 집적회로가 실용화되고 있다. 아울러, 정보화 시대로 사회가 진전됨에 따라, 소비전력이 낮고, 경량이며 휴대성이 우수한 평판표시장치의 필요성이 대두되고 있는데, 이중액정표시소자(LCD)는 해상도, 컬러표시, 화질 등에 있어 우수하여 노트북, 컴퓨터모니터, 휴대폰 등에 활발하게 적용되고 있다.
특히, 최근에는 반도체 소자 등이 점차 경량화, 초박막화됨에 따라 트랜지스터와 같은 단위소자를 형성하는 전극이나 선로 등 역시 소형화되고 있으며, 트랜지스터 역할을 수행하는 PN 접합부와 전극과의 거리 및 선로간 최소 선폭은 서브-미크론에 이어 거의 나노 수준에 근접하는 정밀도를 요구하고 있다. 따라서, 반도체 또는 액정표시소자의 제조 과정에서 사용되는 물질로서 초고순도의 화학제(chemcal)가 요구되고 있고, 이에 따라 초고농도 화학제의 저장 및 재활용기술 개발 역시 시급한 실정이다.
특히, 반도체 제조 공정에서 사용되는 질화규소막 제거를 위한 에칭액으로 고농도의 인산 용액이 사용되고 있다. 또한, 고농도의 인산은 알루미늄 등을 포함하는 금속재질의 습식 에칭과 세정제로 사용되고 있다.
반도체 에칭액 및 세정액으로 사용되고 잔류되는 폐액에는 인산 외에도 다른 유해 성분을 다량 포함하고 있음에도, 에칭 공정에서 사용된 반응 폐액은 재래식 폐수 처리 방법에 의하여 방출되거나 위탁 처리되고 있다. 즉, 통상적으로 반도체 에칭 공정에서 발생되는 반응 폐액을 알카리 등으로 폐수를 중화처리한 후 하수도를 통하여 방류하는데, 이 때 방류되는 폐수는 비록 화학적 산소요구량(COD) 및 생물학적 산소요구량(BOD)가 낮기는 하나, 금속성분과 산을 포함한 각종 유해성분이 잔류하고 있기 때문에, 수생태계에서 서식하는 생물에 악영할을 줄 수 있고, 특히 폐수에 다량 포함되어 있는 인으로 인하여 하천 및 해양의 부영영화의 중요한 원인이 되는 등 심각한 수질오염을 초래하고 있는 실정이다.
따라서, 반도체 또는 액정표시소자 등의 에칭 공정 또는 세정공정에서 부생하는 공정 폐액 중에 포함된 인산을 고순도로 정제할 수 있도록 하는 시스템 및 고순도 인산을 정제하여 재활용할 수 있는 방법이 요구되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 또는 액정표시소자의 제조 공정 등에서 부산물로 생성되는 공정 폐액으로부터 고농도의 인산 용액을 정제하고, 이를 금속, 기계 장치와 같은 산업분야의 에칭 또는 세정 공정 등에 재사용토록 하여 공정의 효율성 및 경제성을 도모할 수 있는 인산 정제 시스템 및 인산 정제 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 종래 폐수처리 방법에 의하여 방출되는 공정 폐액으로 인한 토양 및 수질 오염을 방지하여 그 공정 폐액을 효율적으로 이용할 수 있는 인산 정제 시스템 및 인산 정제 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 에칭 공정 폐액으로부터 고농도 인산을 정제하기 위한 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101 : 반응폐액 저장부 102 : 진공농축 반응부
104 : 진공펌프 105 : 인산 저장부
107 : 응축기 108 : 부산물 저장부
110 : 폐기물 저장부 202 : 교반수단
204 : 온도 제어부
상기한 목적을 위하여, 본 발명은 인산 50 ~ 70 중량%, 초산 10 ~ 30 중량%, 질산 5 ~ 10 중량%, 나머지 물을 포함하는 에칭 공정 폐액을 90 ~ 118 ℃의 온도에서 진공 농축시켜 상층 부산물과 하층 농축 인산 용액으로 분리시키는 단계와; 상기 하층 농축 인산 용액을 추출하는 단계를 포함하는 에칭 공정 폐액을 이용한 인산 정제 방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 에칭 공정 폐액은 300 ~ 760 mmHg의 압력에서 농축되며, 최종 정제된 상기 농축 인산 용액 중에는 인산이 75 ~ 85 중량%로 포함되어 있으므로, 에칭 공정 및 세정 공정 또는 금속재질의 화학적 연마 공정 등에 사용될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 관점에 따르면, 인산 50 ~ 70 중량%, 초산 10 ~ 30 중량%, 질산 5 ~ 10 중량%, 나머지 물을 포함하는 에칭 공정 폐액을 이용한 인산 정제 시스템으로서, 상기 에칭 공정 폐액을 저장하는 공정 폐액 저장부와; 상기 공정폐액 저장부로 급송된 에칭 공정 폐액을 90 ~ 118 ℃의 온도 및 압력 300 ~ 760 mmHg에서 압축시켜 하층 고농도 인산 용액과 상층 부산물로 분리하는 진공농축 반응부와; 상기 진공농축 반응부에서 생성된 하층의 고농도 인산 용액을 추출하여 이를 저장하는 인산용액 저장부를 포함하는 에칭 공정 폐액을 이용한 인산 정제 시스템을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 진공농축 반응부에는 진공펌프 및 온도 제어부가 구비되어 있으며, 상기 진공농축 반응부에서 생성된 상층의 부산물을 액화시키는 응축기와, 상기 액상의 부산물을 저장하는 부산물 저장부를 더욱 포함함으로써, 진공농축 반응부에서의 반응에 의하여 부산물로 생성된 부생가스를 처리할 수 있도록 구성된다.
이하, 첨부하는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
반도체 제조과정에서 생성된 질화규소막(SiNx) 등을 선택적으로 식각 또는 에칭하는 데 통상 고농도의 인산 수용액이 사용되고 있다. 이와 같은 에칭 공정을통해서 부산물로 생성되는 에칭 폐액은 대부분 인산, 질산, 초산(아세트산) 등의 여러 가지 산이 혼합된 혼산 형태이다. 즉, 에칭 공정에서의 반응 조건 및 반응 상태에 따라 구성 성분의 차이가 있기는 하지만, 반도체 박막의 에칭 공정 후에 생성되는 상기 에칭 폐액에는 평균적으로 인산 50 ~ 70 중량%, 초산 10 ~ 30 중량%, 질산 5 ~ 10 중량%, 나머지는 물 또는 에칭 공정에서 에칭액에 용출된 반도체 재료물질 등으로 포함되어 있다.
이와 같이 인산의 함량이 60%에 미달한 에칭 폐액으로는 높은 정밀도 또는 고농도의 인산 함량이 요구되는 금속류 또는 기계장치 등에 대한 에칭 공정, 세정 공정 또는 금속재료의 화학적 연마 등에 사용될 수 없기 때문에, 현재까지는 이를 전량 폐수처리 등을 통하여 방류하고 있었다. 이에 본 발명자들은 이와 같이 반도체 등의 에칭 공정 등을 통하여 잔류하는 에칭 공정 폐액으로부터 고농도의 인산을 정제하는 새로운 시스템 및 방법을 고안하게 되었다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 반도체 또는 액정표시소자의 에칭 공정 등에서 부산물로 발생되는 공정 폐액으로부터 고농도의 인산을 정제하기 위한 시스템을 개략적으로 도시한 것이다.
우선, 반도체 에칭 공정을 통하여 부산물로 생성되는 공정/반응 폐액은 반응폐액 저장부(101)에 저장된다. 상술한 것과 같이, 반응폐액 저장부(101)의 내부로 유입된 반응 폐액은 인산 50 ~ 70 중량%, 초산 10 ~ 30 중량%, 질산 5 ~ 10 중량%, 나머지는 대부분 물 또는 에칭 용액에 용출되어 있는 반도체 재료물질, 예컨대 질화규소 등이 포함되어 있다. 상기 반응폐액 저장부(101)에 저장된 반응 폐액은 정량펌프(미도시) 등을 통하여 진공농축 반응부(102)로 이송된다. 상기 진공농축 반응부(102)로 반응 폐액이 이송되면, 상기 진공농축 반응부(102)로 스팀을 가하고 냉각수를 순환시켜 상기 진공농축 반응부(102)의 내부 온도는 약 120 ℃로 승온되는데, 상기 진공농축 반응부(102)의 온도를 조절하기 위하여 상기 진공농축 반응부(102)에는 온도 제어부(202)가 부착될 수 있다.
이어서 소정의 온도로 승온된 진공농축 반응부(102) 내부를 대기압보다 낮은 조건으로 감압하여 진공 농축이 진행되는데, 이를 위하여 상기 진공농축 반응부(102)에는 진공펌프(104)가 연결되어 있다. 이와 같은 농축 단계에서 상기 진공농축 반응부(102)의 내부 압력은 300 ~ 760 mmHg로 유지하는 것이 바람직하고, 바람직한 실시예에 따르면 500 ~ 700 mmHg의 감압 또는 진공 조건에서 반응이 수행된다.
특히, 이와 같은 진공 또는 감압 상태에서, 상기 진공농축 반응부(102)의 반응 온도를 90 ~ 150 ℃, 바람직한 실시예에 따르면 90 ~ 118 ℃의 온도에서 농축 반응을 대략 7 ~ 8 시간에 걸쳐 진행시키면, 반응 폐액은 상층과 하층이 대략 8 : 2의 비율로 구성되는 2개의 층으로 분리된다. 이 때, 상기 진공농축 반응부(102)의 내부 또는 외부로 교반수단(202)을 구비하면, 상층과 하층이 보다 균일하게 분리될 수 있다.
상술한 것과 같이, 반응폐액 저장부(101)로부터 진공농축 반응부(102)로 이송된 에칭 공정 폐액에는 다량의 인산, 초산, 질산이 혼산 용액이다. 따라서, 본 발명에 따른 진공농축 반응부(102)에서 상기와 같은 온도 조건 및 압력 조건에서비중 및 비등점이 높은 인산은 하층에서 액상으로 존재하는 반면에, 초산 및 질산은 상층에서 기체 상태의 부산물, 또는 부생가스로 구별될 수 있는 것이다. 즉, 진공 농축 반응에 따라 분리된 상층 기상 부산물에는 초산 30 ~ 35 중량%, 질산 1 ~ 5 중량%, 기타 수증기로 구성되고, 하층은 인산 75 ~ 85 중량%, 초산 0.5 ~ 1.5 중량%, 질산 1 중량% 미만, 기타 물의 액상으로 구성된다.
상술한 것과 같이, 진공농축 단계에서의 반응은 90 ~ 150 ℃, 바람직한 실시예에 따르면 90 ~ 118 ℃ 사이의 온도 범위에서 수행될 수 있다. 만약, 진공농축 단계에서 반응온도가 90 ℃ 미만인 경우에는 상기한 것과 같은 층 분리가 제대로 일어나지 않기 때문에, 인산을 고순도로 정제하는 것이 곤란하고, 반응온도가 150 ℃를 초과하면 층 분리 향상효과는 향상되지 않기 때문에, 인산의 순도가 그 이상으로 높아지지 않고 에너지 소모비용만 과다하게 소요되기 때문이다.
이와 같은 진공 농축 과정을 통하여 공정 폐액이 상층과 하층으로 분리되면, 상기 진공펌프(104)를 통하여 진공농축 반응부(102)의 압력을 대기압 수준으로 상승시킨다. 이어서, 인산이 다량 함유되어 있는 하층 용액은 상기 진공농축 반응부(102)로부터 추출하여 인산저장부(105)로 이송된다. 상술한 것과 같이, 진공농축 과정을 통하여 분리된 하층 용액에는 인산이 75 중량% 이상 포함되어 있는 수계 분산체이다. 따라서, 최종적으로 정제된 인산 용액은 금속 또는 기계장치 산업분야에서의 에칭 공정, 세정 공정, 금속재질의 화학 연마용은 물론이고, 폐수 약품의 영양제 등에 재사용될 수 있다.
한편, 상기 진공농축 반응부(102)에서의 진공 농축 반응에 따라 인산을 포함하지 않고, 그보다 비중 및 비등점이 낮은 초산 및 질산을 다량 포함하는 상층 기체상의 부산물은 응축기(107)로 이송되어 액상의 부산물로 전환되고, 액화 부산물은 부산물 저장부(108)를 경유하여 폐기물 저장부(110)로 이송되어 저장된다. 이 때, 상기 액상으로 전환된 부산물에는 질산 및 초산 등이 다량 함유되어 있으므로, 이를 그대로 폐수 처리하기 전에 알칼리 등으로 중화처리를 하는 것이 바람직하다.
결국, 본 발명에 따른 인산 정제 시스템에서는 반도체 에칭 공정 등에서 발생하는 공정/반응 폐액 중에서 고농도의 인산을 정제하여 재사용할 수 있기 때문에, 인산을 포함하는 공정 폐액이 그대로 방출되는 것으로 야기될 수 있는 수질 오염 및 영양화 등의 문제를 해결할 수 있는 것이다.
이하, 예증적인 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
실시예 1
반도체 에칭 공정에서 부산물로 생성된 인산 52 중량%, 초산 12 중량%, 질산 6 중량% 기타 첨가제 및 물로 구성된 폐액을 반응폐액 저장탱크로부터 진공농축기 상부로 투입하였다. 진공농축기의 온도는 90 ℃로 승온, 유지하고, 진공펌프를 이용하여 진공농축기의 압력을 500 mmHg을 유지하면서 5 시간 반응시켜, 공정 폐액을 기체상태의 상층 부산물과 액상의 하층 용액으로 분리하였다. 분리된 하층 용액을인산 모액 저장조로 이송하여, 조성비를 통상의 절차를 통하여 확인하였다. 하층 용액의 조성은 인산 70 중량%, 초산 11 중량%, 질산 4 중량%, 잔량은 물로 구성되는 수계 분산체 용액이었다.
실시예 2
본 실시예에서는 진공농축 반응에서 진공농축기의 온도를 110 ℃로 승온, 유지하고, 진공압력을 600 mmHg로 한 것을 제외하고는 실시예 1의 절차를 반복하였다. 진공 농축 반응 시간은 6 시간이었다.
분리된 하층 용액 중의 주성은 인산 75 중량%, 초산 8 중량%, 질산 1 중량%, 잔량은 물로 구성되는 수계 분산체 용액이었다.
실시예 3
본 실시예에서는 진공농축 반응에서 진공농축기의 온도를 118 ℃로 승온, 유지하고, 진공압력을 700 mmHg로 한 것을 제외하고는 실시예 1의 절차를 반복하였다. 진공 농축 반응 시간은 7 시간이었다.
분리된 하층 용액 중의 주성은 인산 85 중량%, 초산 1 중량%, 질산 0.5 중량%, 잔량은 물로 구성되는 수계 분산체 용액이었다.
비교예 1
반도체 에칭 공정에서 부산물로 생성된 인산 52 중량%, 초산 12 중량%, 질산6 중량% 기타 첨가제 및 물로 구성된 폐액을 반응폐액 저장탱크로부터 정량펌프를 사용하여 15 mL/min의 유량으로 박막 유하식 농축기 상부로 투입하였다.
박막 유하식 농축기의 온도는 140 ℃로 승온, 유지하고 20초간 농축시켜 하층 용액을 분리하였다. 분리된 하층 용액 중의 주성은 인산 75 중량%, 초산 5 중량%, 질산 1 중량%, 잔량은 물로 구성되는 수계 분산체 용액이었다.
비교예 2
본 비교예에서는 박막 유하식 농축기의 온도를 130 ℃로 승온, 유지한 것을 제외하고는 비교예 1의 절차를 반복하였다. 분리된 하층 용액 중의 주성은 인산 70 중량%, 초산 8 중량%, 질산 2 중량%, 잔량은 물로 구성되는 수계 분산체 용액이었다.
비교예 3
본 비교예에서는 박막 유하식 농축기의 온도를 120 ℃로 승온, 유지한 것을 제외하고는 비교예 1의 절차를 반복하였다. 분리된 하층 용액 중의 주성은 인산 65 중량%, 초산 10 중량%, 질산 2 중량%, 잔량은 물로 구성되는 수계 분산체 용액이었다.
하기 표 1에서는 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 통하여 에칭 공정 폐액으로부터 측정 결과를 표시하였다.
표 1. 공정 조건 및 최종 정제된 인산 용액의 인산 농도
실시예 반응 온도(℃) 반응 압력(mmHg) 최종 인산 농도(%)
1 90 500 70
2 110 600 75
3 118 700 85
비교예 1 140 박막 유하식 75
비교예 2 130 박막유하식 70
비교예 3 120 박막 유하식 65
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 기술하였으나, 이는 어디까지나 예시에 불과한 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 대해서는 다양한 변형과 변경이 가능하며, 그와 같은 변형과 변경은 본 발명의 권리범위에 속한다는 사실은 첨부하는 청구의 범위를 통하여 보다 분명해질 것이다.
본 발명에서는 반도체 에칭 공정 및 세정 공정 등을 통하여 대량 발생되는 반응 폐액 중에 포함된 인산 성분을 고농도로 정제하여 이를 다시 재사용할 수 있도록 구성하여, 인산 폐액의 폐기물 비용을 절감할 수 있다.
또한, 반응 폐액으로부터 고농도의 인산 용액을 정제함으로써, 금속류, 또는 기계 장치와 같은 산업분야의 에칭 공정 및 세정 공정은 물론, 알루미나와 같은 금속재질의 화학 연마 등의 공정에 활용될 수 있다.
특히, 폐기처분되는 폐자원을 재활용함으로써, 폐기처분에 따라 야기될 수 있는 수질 오염과 같은 환경 오염 문제를 동시에 해결하였다.

Claims (6)

  1. 인산 50 ~ 70 중량%, 초산 10 ~ 30 중량%, 질산 5 ~ 10 중량%, 나머지 물을 포함하는 에칭 공정 폐액을 90 ~ 118 ℃의 온도에서 진공 농축시켜 상층 부산물과 하층 농축 인산 용액으로 분리시키는 단계와;
    상기 하층 농축 인산 용액을 추출하는 단계를 포함하는 에칭 공정 폐액을 이용한 인산 정제 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 에칭 공정 폐액은 300 ~ 760 mmHg의 압력에서 농축되는 것을 특징으로 하는 인산 정제 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 농축 인산 용액에 인산이 75 ~ 85 중량%로 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 인산 정제 방법.
  4. 인산 50 ~ 70 중량%, 초산 10 ~ 30 중량%, 질산 5 ~ 10 중량%, 나머지 물을 포함하는 에칭 공정 폐액을 이용한 인산 정제 시스템으로서,
    상기 에칭 공정 폐액을 저장하는 공정 폐액 저장부와;
    상기 공정폐액 저장부로 급송된 에칭 공정 폐액을 90 ~ 118 ℃의 온도 및 압력 300 ~ 760 mmHg에서 압축시켜 하층 고농도 인산 용액과 상층 부산물로 분리하는 진공농축 반응부와;
    상기 진공농축 반응부에서 생성된 하층의 고농도 인산 용액을 추출하여 이를 저장하는 인산용액 저장부를 포함하는 에칭 공정 폐액을 이용한 인산 정제 시스템.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 진공농축 반응부는 진공펌프와 온도 제어부를 구비하고 있는 인산 정제 시스템.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 진공농축 반응부에서 생성된 상층의 부산물을 액화시키는 응축기와, 상기 액화된 부산물을 저장하는 부산물 저장부를 더욱 포함하는 인산 정제 시스템.
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