KR100443507B1 - 임베디드 디램의 리던던시 회로 - Google Patents
임베디드 디램의 리던던시 회로 Download PDFInfo
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
Claims (8)
- 임베디드 디램의 리던던시 회로에 있어서,M 비트의 입출력 라인을 각각 갖는 N개의 셀 어레이 블록과,상기 N개의 셀 어레이 블록 각각에 일대일 대응하는 N 개의 리던던시부와,상기 N 개의 리던던시시부에 각각에 일대일 대응하는 N 개의 서브 리던던시부를 구비하며,상기 각 셀 어레이 블록의 상기 입출력 라인에 발생한 결함 입출력 라인의 수가 2 개 이내인 경우, 그에 대응하는 상기 각 리던던시부에 의하여 상기 결함 입출력 라인이 대체되며,상기 각 셀 어레이 블록의 상기 입출력 라인에 발생한 결함 입출력 라인의 수가 3 개 이상인 경우, 그에 대응하는 상기 각 리던던시부에 의하여 2 개의 결함 입출력 라인이 대체되고, 나머지 결함 입출력 라인은 상기 서브 리던던시부에 의하여 대체되는 것을 특징으로 하는 임베디드 디램의 리던던시 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 N개의 리던던시부는 각각 2개의 퓨즈 회로부를 구비한 것을 특징으로 하는 임베디드 디램의 리던던시 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 리던던시부는,노멀 동작시 메모리 셀 어레이 쪽으로부터 전송된 물리적 입/출력 신호를 글로벌 입/출력 라인 쪽으로 전송하는 센터 경로와,결함 입/출력 라인이 발생시 상기 센터 경로를 차단하고, 결함이 발생된 제 1 결함 입/출력 라인을 제 1 리던던시 입/출력 라인으로 대체하기 위해 상기 제 1결함 입/출력 라인을 기준으로 왼쪽에 있는 입/출력 라인을 하나씩 시프트시켜 글로벌 입/출력 라인으로 연결시켜 주는 레프트 경로와,결함 입/출력 라인이 발생시 상기 센터 경로를 차단하고, 결함이 발생된 제 2 결함 입/출력 라인을 제 2 리던던시 입/출력 라인으로 대체하기 위해 상기 제 2 결함 입/출력 라인을 기준으로 오른쪽에 있는 입/출력 라인을 하나씩 시프트시켜 글로벌 입/출력 라인으로 연결시켜 주는 라이트 경로를 구비한 것을 특징으로 하는 임베디드 디램의 리던던시 회로.
- 제 3 항에 있어서,상기 센터 경로와 레프트 경로 및 라이트 경로는 각각 다른 제어 신호에 의해 스위칭되는 N모스 트랜지스터의 동작에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 임베디드 디램의 리던던시 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 N개의 서브 리던던시부는 각각 1개의 퓨즈 회로부를 구비한 것을 특징으로 하는 임베디드 디램의 리던던시 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 서브 리던던시부는,결함이 발생된 제 3 결함 입/출력 라인을 제 3 리던던시 입/출력 라인으로 대체하기 위해 사용되지 않는 인접한 셀 어레이 블록의 리던던시 입/출력 라인을사용하여 리페어하는 것을 특징으로 하는 임베디드 디램의 리던던시 회로.
- 제 6 항에 있어서,상기 결함이 발생된 제 3 결함 입/출력 라인을 사용되지 않는 인접한 셀 어레이 블록의 리던던시 입/출력 라인을 사용하기 위해 상기 제 3 결함 입/출력 라인을 기준으로 왼쪽에 있는 입/출력 라인을 하나씩 시프트시켜 글로벌 입/출력 라인으로 연결시켜 주는 레프트 경로와,상기 결함이 발생된 제 3 결함 입/출력 라인을 사용되지 않는 인접한 셀 어레이 블록의 리던던시 입/출력 라인을 사용하기 위해 상기 제 3 결함 입/출력 라인을 기준으로 오른쪽에 있는 입/출력 라인을 하나씩 시프트시켜 글로벌 입/출력 라인으로 연결시켜 주는 라이트 경로를 구비한 것을 특징으로 하는 임베디드 디램의 리던던시 회로.
- 제 7 항에 있어서,상기 레프트 경로 및 라이트 경로는 각각 다른 제어 신호에 의해 스위칭되는 N모스 트랜지스터의 동작에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 임베디드 디램의 리던던시 회로.
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KR100855961B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2008-09-02 | 삼성전자주식회사 | 데이터 리던던시 메모리 셀 어레이와 로컬 리던던시 메모리셀 어레이를 모두 구비하는 반도체 메모리 장치 및 상기반도체 메모리 장치의 리던던시 방법. |
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2001
- 2001-11-30 KR KR10-2001-0075146A patent/KR100443507B1/ko active IP Right Grant
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