KR970051449A - 반도체 메모리 소자의 워드라인 리페어 장치 - Google Patents
반도체 메모리 소자의 워드라인 리페어 장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리의 리페어 장치에 관한 것으로서, 로우 어드레스9RA2-12)에 RA0와 RA1을 추가하고, 해당 어드레스에 대한 퓨즈를 끊음으로서 로우 리던던시 인에이블 신호를 생성하는 류즈박스; 상기 로우 리던던시 인에이블 신호를 받아 정상적인 워드라인은 시그에이블시키고 여분이 워드라인 인에이블 신호(PSWR)를 생성하는 로우 리던던시 디코더; 상기 PSWR 신호를 받아 여분이 워드라인을 인에이블하여 데이타를 읽기/쓰기를 함으로써 불량 워드라인을 리페어(Repaire)하는 PSWEIB 생성기; 및 로우 어드레스 RA1과 RA0을 코딩하여 리페어된 여분의 워드라인 SWL0내지 SWL3을 선책하며, 전압을 승압시키는 승압기를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하며, 각각의 워드라인 리페어가 가능함에 따라 고집적 DRAM의 디자인 룰로 설계된 소지에서 발생될 수 있는 하나, 둘, 셋 및 네개의 워드라인 불량에 대해 능동적으로 대처할 수 있게 되어 수율 향상에 크게 기여할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 구성에 대한 블록도이다.
제3도는 불량 발생 워드라인에 대해 SWD에 의해 워드라인 및 여분의 워드라인 인에이블되는 어레이 구조를 도시한 것이다.
Claims (1)
- 반도체 메모리 장치의 워드라인 리페어 장치에 있어서, 로우 어드레스 (RA2-RA12)에 RA0와 RA1을 추가하고, 해당 어드레스에 대한 퓨즈를 끊음으로서 로우 리던던시 인에이블 신호를 생성하는 퓨즈박스; 상기 로우 리던던시 인에이블 신호를 받아 정상적인(normal) 워드라인은 디스에이블시키고 여분의 워드라인 인에이블 신호(PSWR)를 생성하는 로우 리던던시 디코더; 상기 PSWR신호를 받아 여분의 워드라인을 인에이블하여 데이타를 읽기/쓰기(Read/Write)함으로써 불량 워드라인을 리페어(Repair)하는 PSWEIB생성기; 및 로우 어드레스 RA1과 RA0 을 코딩하여 리페어된 여분의 워드라인 SWL0 내지 SWL3을 선택하며, 전압을 승압시키는 승압기르 ㄹ포함함을 특징으로 하는 반도체 메모리의 워드라인 리페어 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950067006A KR970051449A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리 소자의 워드라인 리페어 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950067006A KR970051449A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리 소자의 워드라인 리페어 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970051449A true KR970051449A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66637319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950067006A KR970051449A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리 소자의 워드라인 리페어 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970051449A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443507B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 임베디드 디램의 리던던시 회로 |
| KR20190114736A (ko) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치, 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950067006A patent/KR970051449A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443507B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 임베디드 디램의 리던던시 회로 |
| KR20190114736A (ko) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치, 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
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