KR100421224B1 - 반도체 레이저 다이오드 분리 방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드 분리 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 레이저 다이오드 분리 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 분리 방법은 기판 상에 n형 화합물 반도체층을 형성하는 제1 단계, 상기 n형 화합물 반도체층을 포함하는 복수의 반도체 레이저 다이오드를 상기 n형 화합물 반도체층 상에 형성하되, 상기 각 레이저 다이오드의 레이저 방출영역이 서로 연결되도록 형성하는 제2 단계, 상기 각 레이저 다이오드 및 이들을 연결하는 상기 레이저 방출영역 둘레에서 상기 n형 화합물 반도체층과 상기 각 레이저 다이오드를 구성하는데 사용된 물질층을 제거하는 제3 단계, 상기 각 레이저 다이오드사이의 상기 기판 저면에 상기 레이저 방출영역과 수직하게 가로지르는 기준 절개선을 형성하는 제4 단계 및 상기 기준 절개선을 따라 양측의 레이저 다이오드를 분리하는 제5 단계를 포함한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 활성층에 수직하고 표면이 깨끗한 레이저 방출면을 얻을 수 있고, 레이저 다이오드 분리 과정에서의 불량 발생을 최소화할 수 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드 분리 방법{Method of isolating semiconductor laser diode}
본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 레이저 발진층에 수직하고 표면이 깨끗한 레이저 방출면을 확보할 수 있는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법에 관한 것이다.
정보기록의 고밀도화에 대한 필요성이 증대되면서 가시영역의 광을 방출하는 반도체 발광소자에 대한 수요도 더불어 증가되고 있다. 이에 따라, 가시영역의 레이저를 방출할 수 있는 다양한 형태의 반도체 레이저 다이오드(Laser Diode, 이하 LD)가 등장하고 있고, 그 중에서도 III-V족 질화물 반도체 레이저 다이오드는 천이 방식이 레이저 발진 확률이 높은 직접 천이형이고 청색 레이저 발진이 가능하다는특성 때문에 특히 주목되고 있다.
일반적으로, 문턱 전압이 낮으면서 고출력인 반도체 레이저 다이오드를 만들기 위해 반도체 레이저 다이오드의 레이저 방출면이 발진층에 대하여 수직하면서 그 표면이 깨끗하도록 반도체 레이저 다이오드를 커팅해야 한다.
반도체 레이저 다이오드를 커팅하는 과정에서 레이저 방출면이 발진층에 대하여 수직하지 않고 표면이 거칠어진 경우, 레이저의 휘도가 현저히 저하되고 방출면에서 레이저가 산란된다. 이러한 이유로 레이저 방출면이 발진층에 대해 직각이 아니면서 표면이 거칠어지게 반도체 레이저 다이오드가 커팅되는 경우, 반도체 레이저 다이오드의 임계전류와 임계전압이 모두 증가하게 된다.
상기한 반도체 레이저 다이오드의 커팅과 관련하여 종래 기술에 의한 반도체 레이저 다이오드의 분리 방법을 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.
먼저, 사파이어 기판(2) 상에 n형 GaN계 화합물 반도체층(4), 레이저 방출이 일어나는 GaN계 활성층(6), p형 GaN계 화합물 반도체층(8)이 순차적으로 형성된다. 소정의 식각공정으로 p형 전극이 형성되는 리지영역(10), 지지대(12) 및 n형 전극부(14)를 갖는 복수의 반도체 레이저 다이오드가 형성된다. 이어서, 리지영역(10) 및 n형 전극부(14) 상에 각각 p형 전극(16)과 n형 전극(18)이 형성된다. 이후 사파이어 기판(2) 저면에 반도체 레이저 다이오드를 분리하는 과정에서 기준이 되는 기준 절개선이 그려진다. 상기 기준 절개선은 다이아몬드 팁을 이용하여 반도체 레이저 다이오드를 분할하는 가상 분할선(L)을 따라 그려진다. 기판(2) 저면에 상기 기준 절개선이 그려진 후, 세라믹 칼로 가상 분할선(L) 상의 리지 영역(10)에 압력을가함으로써, 도 2에 도시된 바와 같은 레이저 방출면(20)을 갖는 반도체 레이저 다이오드(22)가 형성된다.
이러한 종래 기술에 의한 반도체 레이저 다이오드 분리 방법은 N-전극과 P-전극사이의 단차가 크다. 그리고 사파이어 기판 상에 존재하는 두꺼운 n형 화합물 반도체층, 레이저 방출이 일어나는 활성층 및 p형 화합물 반도체층을 절개해야 하기 때문에, 가상 분할선(L) 상의 리지 영역(10)에 큰 힘을 가해야 한다. 이러한 경우에 사파이어 기판의 주 평면(major plane)을 따라 레이저 방출면이 형성되지 못하고 상기 사파이어 기판과 주 평면이 다른, 상기 사파이어 기판 상에 형성된 화합물 반도체 층의 주 평면을 따라 상기 화합물 반도체층이 절개되는 빈도가 높아진다.
상기 사파이어 기판 상에 형성된 상기 화합물 반도체층이 상기 사파이어 기판의 주 평면과 다른 결정면을 따라 절개되는 경우, 공진기의 길이가 달라지고 레이저 방출면이 레이저 방출방향에 대해 수직하지 못하고 경사지게 되어 레이저 출력이 저하된다. 그리고 재현성도 낮아져서 반도체 레이저 다이오드 분리 과정의 전체 수율이 낮아지게 된다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 작은 힘으로 레이저 다이오드를 커팅하면서 레이저 방출 방향에 수직하고 표면이 깨끗한 레이저 방출면을 얻을 수 있고 재현성도 높일 수 있는 반도체 레이저 다이오드의 분리 방법을 제공함에 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체 레이저 다이오드 분리 방법을 설명하기 위한 반도체 레이저 다이오드의 평면도이다.
도 2는 종래 기술에 의한 반도체 레이저 다이오드 분리 방법을 설명하기 위한 반도체 레이저 다이오드의 단면도이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 분리 방법에 대한 기본 개념을 단계별로 보여주는 사시도들이다.
도 8 내지 도 10은 도 3 내지 도 7에 도시한 기본 개념을 적용한 본 발명의 실시예에 의한 반도체 레이저 다이오드 분리 방법을 단계별로 보여주는 사시도(도 8) 및 평면도(도 9 내지 도 10)이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 레이저 다이오드 분리 방법에 따라 분리된 리지형 반도체 레이저 다이오드를 보여주는 사시도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
40, 70:기판 42, 72:n형 화합물 반도체층
44, 88:반도체 레이저 다이오드 42a:n형 화합물 반도체층의 노출된 부분
46:레이저 방출 방향 50, 90:연결부
52:기판의 주 평면 54:기준 절개선
56:연결부에 인가되는 힘 74:활성층
76:p형 화합물 반도체층 78:n형 전극부
78a:n형 전극 80:지지대
82:리지부 84:p형 전극
86:리지 M, M1:마스크 패턴
W, W1:연결부 폭 Wd:반도체 레이저 다이오드 폭
Ws:기판의 폭 H 및 I:식각에 의해 노출된 면
G:레이저 방출면(G1)을 포함하는 절개면
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 상에 n형 화합물 반도체층을 형성하는 제1 단계와, 상기 n형 화합물 반도체층을 필수구성요소의 하나로 포함하는 복수의 레이저 다이오드를 상기 n형 화합물 반도체층 상에 형성하되, 상기 각 레이저 다이오드의 레이저 방출영역이 서로 연결되도록 형성하는 제2 단계와, 상기 각 레이저 다이오드 및 이들을 연결하는 상기 레이저 방출영역 둘레에서 상기 n형 화합물 반도체층과 상기 각 레이저 다이오드를 구성하는데 사용된 물질층을 제거하는 제3 단계와, 상기 각 레이저 다이오드사이의 상기 기판 저면에 상기 레이저 방출영역과 수직하게 가로지르는 기준 절개선을 형성하는 제4 단계 및 상기 기준 절개선을 따라 양측의 레이저 다이오드를 분리하는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법을 제공한다.
상기 제2 단계는 상기 n형 화합물 반도체층 상에 상기 레이저 방출 방향으로 스트라이프 형태의 리지 영역을 구비하고, 상기 리지 영역의 리지 상에 p형 전극을 구비하는 p형 화합물 반도체층이 구비된 복수의 레이저 다이오드를 형성하는 단계를 더 포함한다.
또한 상기 제2 단계는 상기 리지 영역과 인접한 상기 n형 화합물 반도체층의 소정 영역 상에 n형 전극을 구비하는 복수의 레이저 다이오드를 형성하는 단계를 더 포함한다.
또한 상기 제2 단계는 상기 p형 화합물 반도체층의 상기 리지 영역과 이격된 소정 영역 상에 레이저 다이오드를 패키지할 때 발생되는 스트레스 완화를 위한 패드층이 구비된 복수의 레이저 다이오드를 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기 활성층은 InXAlYGa1-X-YN(0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1 그리고 x+y ≤1)층으로 형성하거나, 다중양자우물구조(MQW)의 InXAlYGa1-X-YN층으로 형성한다.
한편, 상기 제3 단계는 상기 제2 단계의 결과물 상에 상기 복수의 레이저 다이오드 및 상기 레이저 방출 방향으로 상기 복수의 레이저 다이오드를 연결하는 부분을 덮는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 마스크가 형성된 결과물을 상기 기판이 노출될 때까지 식각하는 단계 및 상기 마스크를 제거하는 단계를 더 포함한다.
이러한 본 발명을 이용하면, 레이저 방출방향과 수직하고 표면도 깨끗한 레이저 방출면을 얻을 수 있고, 재현성도 높아져서 반복되는 레이저 다이오드 분리 과정에서 레이저 다이오드의 레이저 방출면이 기판의 절개면과 다른 방향으로 절개되는 빈도, 곧 불량 발생 빈도가 극히 낮아진다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 반도체 레이저 다이오드 분리 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 레이저 다이오드 분리 방법의 기본 개념을 단계별로 설명하기 위한 사시도이다.
도 3을 참조하면, 기판(40) 상에 n형 화합물 반도체층(42)을 형성한다. n형 화합물 반도체층(42) 상에 n형 화합물 반도체층(42)과 n형 전극, 레이저 발진층, p형 전극 등으로 구성되는 반도체 레이저 다이오드(44)를 복수개 형성한다. 이 과정에서 레이저 다이오드(44)의 레이저 방출 부분, 보다 구체적으로 레이저 발진영역이 레이저가 방출되는 방향(46)으로 서로 연결되게 형성한다. 이때, 인접한 반도체 레이저 다이오드(44)를 서로 연결하는 연결부(50)는 기판(40)의 주 평면(major plane)에 가능한 수직하게 형성하는 것이 바람직하다. 이하 편의 상, 연결부(50)를 수직하게 가로지르는 가상 선(52)을 기판(40)의 주 평면으로 간주한다.
다음에, 레이저 다이오드(44) 및 연결부분(50)을 도 4에 도시한 바와 같이 마스크 패턴(M)으로 덮는다. 마스크 패턴(M)을 식각 마스크로 사용하여 n형 화합물 반도체층(42)의 노출된 부분(42a)을 기판(40)이 노출될 때까지 식각한다. 상기 식각은 이방성 건식 식각이 바람직하다. 식각후, 마스크 패턴(M)을 제거한다.
이 결과 도 5에 도시한 바와 같이 복수의 레이저 다이오드(44)와 이들의 연결부(50)만이 기판(40) 상에 남게 된다.
이후, 도 6에 도시한 바와 같이 기판(40)의 저면에 다이아몬드 팁(tip)을 사용하여 연결부(50)에 수직하게 레이저 다이오드(44)사이를 지나는 기준 절개선(54)을 형성한다.
이어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 연결부(50)의 기준 절개선(54)에 대응되는 선상에 소정의 힘(56)을 가하여 인접한 레이저 다이오드(44)를 서로 분리시킨다. 이때, 연결부(50)는 두께가 기판(40)에 비해 훨씬 얇고 상기 식각에 의해 폭(W)도 기판(40)에 비해 훨씬 좁아졌기 때문에, 작은 힘으로도 반도체 레이저 다이오드(44)를 서로 분리시킬 수 있고, n형 화합물 반도체층(42)의 연결부(50)도 기판(40)의 주 평면(52)과 동일한 방향으로 절개되어 레이저 다이오드(44)의 절개면,곧 레이저가 방출되는 레이저 방출면의 방향이 기판의 주 평면(52)과 동일하게 된다. 이러한 분리 과정을 통해서 레이저 방출 방향에 수직하면서 표면이 깨끗한 레이저 방출면을 갖는 레이저 다이오드가 얻어진다.
다음에는 이러한 기본 개념을 리지형 반도체 레이저 다이오드를 분리하는 과정에 적용한 경우를 설명한다.
도 8 내지 도 10은 상부에 리지부를 갖는 반도체 레이저 다이오드의 분리 방법을 단계별로 보여주는 평면도이다.
도 8을 참조하면, 기판(70) 상에 n형 GaN계 화합물 반도체층(72), 레이저 방출이 일어나는 GaN계 활성층(74), p형 GaN계 화합물 반도체층(76)을 순차적으로 형성한다. 기판(70)은 사파이어 기판으로 형성하는 것이 바람직하다. n형 및 p형 GaN계 화합물 반도체층(72, 76)은 GaN계열의 III-V족 질화물 반도체층으로 형성한다. 이어서, 소정의 식각 공정을 통해서 p형 GaN계 화합물 반도체층(76)의 일부를 제거하고, 이 결과 노출되는 GaN계 활성층(74)을 제거하고, 그 아래의 n형 GaN계 화합물 반도체층(72)의 일부도 소정 두께만큼 제거한다. 이렇게 해서, p형 GaN계 화합물 반도체층(76)과 n형 GaN계 화합물 반도체층(72)의 노출된 영역사이에 소정의 단차가 형성된다. 이후, p형 GaN계 화합물 반도체층(76) 상에 p형 전극이 형성되는 리지부(82) 및 지지대(80)를 형성하고, n형 GaN계 화합물 반도체층(76)의 노출된 영역 상에 n형 전극부(78)를 형성한다. 이렇게 해서 상부에 리지부(82)를 갖는 반도체 레이저 다이오드(88)가 기판(70) 상에 복수개 형성된다. 이 과정에서 반도체 레이저 다이오드의 리지부(82)는 인접한 다른 반도체 레이저 다이오드의 리지부와연결되도록 스트라이프 형태로 형성하는 것이 바람직하다. 지지대(80)는 반도체 레이저 다이오드(88)를 커팅하여 패키지할 때, 리지부(82)가 받는 스트레스를 완화시키기 위해 형성된 것으로, 리지부(82)에 형성된 리지(86)와 같은 깊이로 형성하는 것이 바람직하다. 또 레이저 발진층인 GaN계 활성층(74)은 소정의 GaN계열의 III-V족 질화물 반도체층, 예컨대 InXAlYGa1-X-YN(0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1 그리고 x+y ≤1)층으로 형성한다. 이때, 활성층(74)은 InXAlYGa1-X-YN층의 단일층이거나 다중 양자 우물구조(MQW:Multi Quantum Well)를 갖도록 형성할 수 있다.
상기 반도체 레이저 다이오드(88)는 구성 요소를 최소화한 구조로써, 실지로는 활성층(74)과 n형 또는/및 p형 GaN계 화합물 반도체층(72, 76)사이에 각각 GaN계 화합물 반도체층으로 형성되는 도파층과 클래드층이 더 형성될 수 있다.
계속해서 리지부(82) 및 n형 전극부(78) 상에 각각 p형 전극(84)과 n형 전극(78a)을 형성한다.
이후, 도 8의 사시도는 평면도로 대체한다.
도 9를 참조하면, 기판(70) 상에 복수의 반도체 레이저 다이오드(88) 및 이들을 연결하는 연결부(90)는 덮고 나머지 부분은 노출시키는 마스크 패턴(M1)을 형성한다. 마스크 패턴(M1)을 식각 마스크로 사용하여 상기 노출된 부분을 상기 기판(70)이 노출될 때까지 이방성 식각한다. 상기 이방성 식각으로써 유도 결합된 플라즈마를 이용한 반응성 이온 식각(ICP-RIE:Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etch)을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 식각후, 마스크 패턴(M1)을제거한다.
상기 이방성 식각에 의해 도 10에 도시한 바와 같이 반도체 레이저 다이오드(88) 및 이들의 연결부(90) 둘레의 n형 및 p형 화합물 반도체층(72, 76)과 활성층(74)이 모두 제거되고, 기판(70) 상에는 복수의 반도체 레이저 다이오드(88) 및 이들을 연결하는 연결부(90)만 남게 된다.
도 10을 참조하면, 연결부(90)의 폭(W1)은 기판(70)의 폭(Ws)이나 반도체 레이저 다이오드(88)의 폭(Wd)에 비해 훨씬 좁다는 것을 알 수 있다. 따라서 n형 및 p형 화합물 반도체층(72, 76)의 상기 연결부(90) 아래에 형성된 부분의 폭 또한 기판(70)의 폭(Ws)이나 반도체 레이저 다이오드(88)의 폭(Wd)에 비해 훨씬 좁다는 것은 자명하다.
한편, 복수의 반도체 레이저 다이오드(88)를 하나씩 커팅하여 분리하기 전에, 상기 커팅을 매끈하게 하기 위해 반도체 레이저 다이오드(88)사이의 기판(70) 저면에 상기 연결부(90)를 수직하게 가로지르는 기준 절개선(L1)을 형성한다. 기준 절개선(L1)은 다이아몬드 팁을 사용하여 기판(70) 저면을 스크라이빙하여 형성한다. 이러한 기준 절개선(L1)은 각각의 반도체 레이저 다이오드(88)사이에 형성된다.
이와 같이 기판(70) 저면에 기준 절개선(L1)을 형성한 후, 연결부(90)의 기준 절개선(L1)에 대응하는 부분에 소정의 도구, 예컨대 세라믹 칼 등을 사용하여 소정의 힘을 가한다. 이러한 힘이 가해지면서 기판(70)은 기준 절개선(L1)을 따라 절개된다. 이때 상기 연결부(90)는 폭(W1)이 좁고 두께도 기판(70)에 비해 훨씬 좁기 때문에 기준 절개선(L1)과 일치하는 가상의 선을 따라 정확히 절개된다. 이렇게 절개된 상기 연결부(90)의 절개면은 레이저가 방출되는 반도체 레이저 다이오드(88)의 레이저 방출면으로서 레이저 방출 방향과 수직하고 표면이 깨끗하다.
도 11은 상기한 과정에 따라 분리된 리지형 반도체 레이저 다이오드를 보여주는 사시도이다. 참조부호 H 및 I는 각각 상기 식각에 의해 노출된 면을, G는 상기 커팅에 의해 노출된 연결부(90)의 제1 절개면을 나타낸다. 참조번호 G1은 제1 절개면(G) 중에서 레이저가 방출되는 영역을 나타낸다. 제1 절개면(G)의 반대쪽으로 노출된 제2 절개면은 반사면으로써 유전체막으로 코팅된다.
상기한 바와 같은 본 발명에 의한 분리 방법으로 기판 상에 형성된 복수의 반도체 레이저 다이오드를 분리하는 경우, 기준 절개선(L1) 상에 존재하는 p형 GaN계 화합물 반도체층(76), GaN계 활성층(74) 및 n형 GaN계 화합물 반도체층(72)은 폭이 좁은 리지부으로 한정되고, 종래의 경우에 비해 n형 전극과 p형 전극사이의 단차도 적기 때문에, 적은 힘으로도 기판에 형성된 기준 절개선(L1)과 일치하는 레이저 방출면, 곧 벽개면이 형성된다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상술한 본 발명의 분리 방법을 리지형이 아닌 다른 형태의 반도체 레이저 다이오드, 예를 들면 기판의 하부에 n형 전극 요소를 구비하거나 열 방출 요소를 구비하는 반도체 레이저 다이오드들을 분리하는 공정에 적용할 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드 분리 방법은 레이저 다이오드를 분리하기 전에 레이저 다이오드 및 이들을 연결하는 연결부 둘레에서 p형 및 n형 화합물 반도체층과 활성층을 모두 제거한다. 이 결과, n형 화합물 반도체층의 두께가 기판에 비해 훨씬 얇은데다, n형 및 p형 화합물 반도체층과 활성층의 절개되는 부분의 폭이 기판의 폭에 비해 훨씬 좁아져서 기판의 절개면과 n형 및 p형 화합물 반도체층과 활성층의 절개면, 곧 레이저 방출면은 일치하게 된다. 이것은 레이저 다이오드의 레이저 방출면이 레이저 방출 방향과 수직하고 표면도 깨끗함을 의미한다. 이와 함께 본 발명의 분리 방법을 이용하면, 재현성도 높아져서 반복되는 레이저 다이오드 분리 과정에서 레이저 다이오드의 레이저 방출면이 기판의 절개면과 다른 방향으로 절개되는 빈도가 극히 낮아진다. 곧, 레이저 다이오드 분리 과정에서 불량 발생을 최소화할 수 있다.

Claims (13)

  1. 기판 상에 n형 화합물 반도체층을 형성하는 제1 단계;
    상기 n형 화합물 반도체층을 포함하는 복수의 반도체 레이저 다이오드를 상기 n형 화합물 반도체층 상에 형성하되, 상기 각 레이저 다이오드의 레이저 방출영역이 서로 연결되도록 형성하는 제2 단계;
    상기 각 레이저 다이오드 및 이들을 연결하는 상기 레이저 방출영역 둘레에서 상기 n형 화합물 반도체층과 상기 각 레이저 다이오드를 구성하는데 사용된 물질층을 제거하는 제3 단계;
    상기 각 레이저 다이오드사이의 상기 기판 저면에 상기 레이저 방출영역과 수직하게 가로지르는 기준 절개선을 형성하는 제4 단계; 및
    상기 기준 절개선을 따라 양측의 레이저 다이오드를 분리하는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 단계는 상기 n형 화합물 반도체층 상에 상기 레이저 방출 방향으로 스트라이프 형태의 리지부를 구비하고, 상기 리지부의 리지 상에 p형 전극을 구비하는 p형 화합물 반도체층이 구비된 복수의 레이저 다이오드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 단계는 상기 리지부와 인접한 상기 n형 화합물 반도체층의 소정 영역 상에 n형 전극을 구비하는 복수의 레이저 다이오드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제2 단계는 상기 p형 화합물 반도체층의 상기 리지부와 이격된 소정 영역 상에 레이저 다이오드를 패키지할 때 발생되는 스트레스 완화를 위한 지지대가 구비된 복수의 레이저 다이오드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층은 GaN계열의 III-V족 질화물 반도체층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 n형 화합물 반도체층은 GaN계열의 III-V족 질화물 반도체층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 복수의 레이저 다이오드의 상기 p형 전극 아래에 형성되는 활성층은 GaN계열의 III-V족 질화물 반도체층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 활성층은 InXAlYGa1-X-YN(0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1 그리고 x+y ≤1)층인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 활성층은 다중양자우물구조(MQW)의 InXAlYGa1-X-YN(0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1 그리고 x+y ≤1)층인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 제3 단계는,
    상기 제2 단계의 결과물 상에 상기 복수의 레이저 다이오드 및 상기 레이저 방출 방향으로 상기 복수의 레이저 다이오드를 연결하는 부분을 덮는 마스크를 형성하는 단계;
    상기 마스크가 형성된 결과물을 상기 기판이 노출될 때까지 식각하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 마스크가 형성된 결과물은 ICP-RIE를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 분리 방법.
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