JP2004363582A - 半導体レーザー素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザー共振層130、共振層上下部のクラッド層122、141を含む多重の半導体物質層によるメサ構造物の上部に電流注入リッジ141a及び電流注入リッジ両側の力分散リッジ141bがメサ構造物の表面から突出形成されている構造を有する半導体レーザー素子であり、電流注入リッジ141a及びその両側の力分散リッジ141bは、クリービング時のスクライビングフォースを噴射させ、きれいな劈開面を得られるようにする。また、フリップチップボンディングの時の力の分散により電流注入リッジの損傷が防止される。
【選択図】図5
Description
100…前記基板、
120…下部物質層、
121…化合物半導体層、
121a…弧形角部、
122…下部クラッド層、
130…共振層、
130…前記共振層、
131…下部導波層、
132…活性層、
133…上部導波層、
140…上部物質層、
141…上部クラッド層、
141a…電流注入リッジ、
141b…力分散リッジ、
142…化合物半導体層、
151A…コンタクト孔、
151…パッシベーション層、
152…型上部電極、
153…型下部電極。
Claims (16)
- 基板上にレーザー共振層、共振層上下部のクラッド層を含む多重の半導体物質層によるメサ構造物が形成されている半導体レーザー素子において、
前記メサ構造物の下部に形成された湾曲した弧形角部と、
前記メサ構造物の上部に前記メサ構造物の表面から突出して形成された電流注入リッジと、
前記メサ構造物の上に形成され、前記電流注入リッジの頂上面に対応する位置にコンタクト孔を具備するパッシベーション層と、
を有することを特徴とする半導体レーザー素子。 - 前記上下部クラッド層は、それぞれp−GaN/AlGaN及びn−GaN/AlGaN層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザー素子。
- 前記共振層は、
前記下部クラッド層上に積層され、前記下部クラッド層より屈折率が大きい下部導波層と、
前記下部導波層上に積層され、レーザー光が生成される活性層と、
前記活性層上に積層される上部導波層と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザー素子。 - 前記上下部導波層は、前記活性層より屈折率が小さく、GaN系列のIII−V族化合物半導体層であることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザー素子。
- 前記活性層は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、かつx+y≦1)であるGaN系列のIII−V族窒化物化合物半導体層であることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザー素子。
- 前記電流注入リッジは、前記上部クラッド層に形成され、中央の電流注入リッジの上面に第2化合物半導体層が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザー素子。
- 前記第2化合物半導体層は、p−GaN系列のIII−V族窒化物半導体層であることを特徴とする請求項6に記載の半導体レーザー素子。
- 前記基板は、上面にn型電極をさらに具備し、ガリウムナイトライドによる半導体物質層が形成されたサファイア基板またはフリースタンディングガリウムナイトライド基板であることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザー素子。
- 基板上にレーザー共振層、共振層上下部のクラッド層を含む多重の半導体物質層によるメサ構造物が形成されている半導体レーザー素子において、
前記メサ構造物の下部に形成された湾曲した弧形角部と、
前記メサ構造物の上部に形成された電流注入リッジと、
前記電流注入リッジ両側でメサ構造物の表面から突出して形成された力分散リッジと、
前記メサ構造物の上に形成され、前記電流注入リッジの頂上面に対応する位置にコンタクト孔を具備するパッシベーション層と、
を有することを特徴とする半導体レーザー素子。 - 前記上下部クラッド層は、それぞれp−GaN/AlGaN及びn−GaN/AlGaN層であることを特徴とする請求項9に記載の半導体レーザー素子。
- 前記共振層は、
前記下部クラッド層上に積層され、前記下部クラッド層より屈折率が大きい下部導波層と、
前記下部導波層上に積層され、レーザー光が生成される活性層と、
前記活性層上に積層される上部導波層と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体レーザー素子。 - 前記上下部導波層は、前記活性層より屈折率が小さく、GaN系列のIII−V族化合物半導体層であることを特徴とする請求項11に記載の半導体レーザー素子。
- 前記活性層は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、かつx+y≦1)であるGaN系列のIII−V族窒化物化合物半導体層であることを特徴とする請求項11に記載の半導体レーザー素子。
- 前記電流注入リッジは、前記上部クラッド層に形成され、中央の電流注入リッジの上面に第2化合物半導体層が形成されることを特徴とする請求項11に記載の半導体レーザー素子。
- 前記第2化合物半導体層は、p−GaN系列のIII−V族窒化物半導体層であることを特徴とする請求項14に記載の半導体レーザー素子。
- 前記基板は、上面にn型電極をさらに具備し、ガリウムナイトライドによる半導体物質層が形成されたサファイア基板またはフリースタンディングガリウムナイトライド基板であることを特徴とする請求項11に記載の半導体レーザー素子。
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