KR940004906A - 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로 종래에는 웨이퍼상부에 보호막을 증착하지 않아 소자분리시 스트레스에 의해 다크라인디펙트(Dark Line Defect)가 발생하여 소자수명측정시에 단시간에 소자가 파괴되는 문제점과, 소자표면을 코팅할시 절연막이 소자표면으로 침투하는 문제점과 웨이퍼를 핸들링할시 이물질에 의해 소자표면이 오염이 되는 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 웨이퍼에 보호막을 증착함으로서 스트레스에 의해 소자가 파괴되는 것을 방지하여 소자의 신뢰성을 증대할 수 있고, 표면코팅시 절떨막의 침투를 방지하며, 웨이퍼의 표면이 보호되어 있으므로 핸들링이 용이하게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가) 내지 (라)는 본 발명 레이저 다이오드 제조공정도.
Claims (5)
- 성장이 완료된 웨이퍼(1)상부에 보호막(7)을 증착한 후 전극형성을 위해 에칭하는 단계와, 상기 보호막(7)위에 금속을 증착한 후 패터닝하여 상부전극(2)을 형성한 다음 상기 웨이퍼(1)하부에 하부전극(3)을 증착하는 단계와, 상기 상부전극(2) 가장자리에 형성된 상기 보호막(7)을 에칭하는 단계와, 소자분리를 위해 상기 상부전극(2) 가장자리가 에칭된 부분의 반대편에서 절단기(6)로 절단하는 단계로 제조됨을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 보호막(7)은 0.5-l0㎛의 두께로 증착됨을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상부전극(2) 가장자리 부분에 형성된 보호막(7)의 에칭깊이를 1-10㎛로 함을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 보호막(7)은 소자분리를 위한 에칭시 스트레스(Stress)를 방지함과 아울러 칩바(Chip bar)의 단면코팅시 절연막이 소자표면에 침투하는 것을 방지함을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 보호막(7)은 웨이퍼(1)의 핸들링(handling)을 용이하게 함을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920014696A KR940004906A (ko) | 1992-08-14 | 1992-08-14 | 레이저 다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920014696A KR940004906A (ko) | 1992-08-14 | 1992-08-14 | 레이저 다이오드 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940004906A true KR940004906A (ko) | 1994-03-16 |
Family
ID=67401184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920014696A KR940004906A (ko) | 1992-08-14 | 1992-08-14 | 레이저 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940004906A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100421224B1 (ko) * | 2001-12-17 | 2004-03-02 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 분리 방법 |
| KR101118789B1 (ko) * | 2005-10-19 | 2012-03-20 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법 |
-
1992
- 1992-08-14 KR KR1019920014696A patent/KR940004906A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100421224B1 (ko) * | 2001-12-17 | 2004-03-02 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 분리 방법 |
| KR101118789B1 (ko) * | 2005-10-19 | 2012-03-20 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법 |
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