KR100397227B1 - 전기화학적 제조를 위한 전기도금 물품, 방법 및 장치 - Google Patents

전기화학적 제조를 위한 전기도금 물품, 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

a) 제1기판(2)을 기판 및 기판에 소정의 패턴으로 배치된 정합가능한 마스크를 포함하는 제1전기도금 물품(4)에 접촉시키는 단계와, b) 금속이온의 소스인 전기도금조(58)로부터 제1금속을 정합가능한 마스크 패턴의 보충물에 대응하는 제1패턴으로 제1기판 상에 전기도금하는 단계와, c) 제1기판으로 부터 제1물품을 제거하는 단계를 포함하는 전기화학적 제조방법이 개시된다. 이 방법은 소형화된 디바이스의 미세구조에 사용될 수 있다. 전기도금 물품들 및 전기도금 장치들 또한 개시된다.

Description

전기화학적 제조를 위한 전기도금 물품, 방법 및 장치{Electroplating article, method and apparatus for electrochemical fabrication}
미세구조 공정(microfabrication processes; 또한 미세가공으로도 언급함)들은 기계 및 기구를 포함하는 복합 디바이스의 제조에 대한 궁극적인 적용을 위하여 개발되고 개선되어져 왔다. 이들 공정들은 수 미크론(micron) 범위 및 어떤 경우에 서브미크론(submicron) 범위의 외형(feature)을 갖는 소형 디바이스의 기계류 생산에 관련되었으며, 이들중 일부는 현재 거시적 규모(macroscopic scale)로 존재한다.
미세구조 공정들은 기판의 영역들로부터 재료가 제거되는 벌크(bulk) 미세가공 공정과; 얇은 정합형 구조적 막과 하나 이상의 희생막들이 기판 상에 증착되는 표면미세가공 공정과; 싱크로트론 처리된(synchrotron-processed) 두꺼운 포토레지스트의 개구 내에서 전착된 금속들 주변에 재료를 몰딩함으로써 2.5-D 압출형상을 발생시키는 LIGA를 포함한다. 이들 공정들은 단순한 기하학적 구조(geometries, 예를 들어 이들은 1-4개의 상이한 횡단면들에 의하여 한정될 수 있다)의 구조체를 생산하기 위하여 사용되며, 보통 각각의 응용에 적합하게 주문생산된다.
급속 원형제작(rapid prototyping)으로도 언급되는 고체의 자유형상 제조(solid freeform fabrication)는 한번에 하나의 막을 생성함으로써 수백개의 막으로 이루어진 거시적 부품(macroscopic parts)을 제조하는데 사용된다. 이 프로세스들은 일반적으로 50-150㎛ 이상의 두꺼운 막들을 이용하여 폭이 50-100㎛ 보다 넓은 외형(features)을 생산한다. 이러한 프로세스는 전형적으로 막을 연속하여 생성한다. 이 프로세스들은 제조되는 부품들을 지지하기 위한 구조체들을 이용한다. 이 지지 구조체들은 부품에 맞추어 주문생산된다.
본 발명은 전기화학증착(electrochemical deposition)에 의하여 구조체를 형성하는 것에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 전기도금 물품 단면을 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 전기도금 물품 단면을 나타낸 도면.
도 3은 전기도금 물품을 형성하기 위한 방법의 제1실시예의 도면.
도 4는 전기도금 물품을 형성하기 위한 방법의 제2실시예의 도면.
도 5는 전기도금 물품을 형성하기 위한 방법의 제3실시예의 도면.
도 6은 전기도금 물품을 형성하기 위한 방법의 제4실시예의 도면.
도 7은 전기도금 물품을 형성하기 위한 방법의 제5실시예의 도면.
도 8은 전기도금 물품을 형성하기 위한 방법의 제6실시예의 도면.
도 9는 전기도금 물품을 형성하기 위한 방법의 제7실시예의 도면.
도 10은 본 발명의 전기화학적 제조방법에 따른 증착물 형성 방법의 도면.
도 11은 본 발명의 전기화학적 제조방법의 제1실시예에 따른 방법의 도면.
도 12는 본 발명의 전기화학적 제조방법의 제2실시예에 따른 방법의 도면.
도 13은 집적 회로 상에 소자를 제조하기 위한 방법의 도면.
도 14는 함께 제조된 소자들을 조립하는 방법의 도면.
도 15는 본 발명의 전기화학적 제조방법의 일 실시예에 따라 제조된 소자의 도면.
도 16a 내지 16d는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 소자들의 횡단면을 따라 절취한 도면.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기화학적 제조장치의 도면.
도 18은 전기도금 물품과 접촉하는 기판의 횡단면을 따라 절취한 도면.
도 19는 본 발명의 전기화학적 제조장치의 일부 평면도.
도 20은 본 발명의 전기화학적 제조장치의 제3실시예에 따른 전기화학적 제조장치의 일부분의 평면도.
도 21은 본 발명의 전기화학적 제조장치의 제4실시예에 따른 전기화학적 제조장치의 일부분의 평면도
도 22는 본 발명의 전기도금 물품 홀더의 일 실시예의 횡단면을 따라 절취한 도면.
도 23은 본 발명의 전기화학적 제조장치의 제2실시예의 횡단면을 따라 절취한 도면.
도 24는 도 23의 전기화학적 제조장치의 정위치에서 기판의 횡단면을 따라 절취한 확대 도면.
도 25는 본 발명의 전기화학적 제조장치의 일부분의 제3실시예의 횡단면을 따라 절취한 도면.
도 26은 도 25의 전기화학적 제조장치의 다른 부분의 횡단면을 따라 절취한 도면.
도 27은 횡단면선이 표시된 3차원 물체(2차원으로 도시됨)의 도면.
도 28은 3차원 구조의 횡단면을 계산하고 본 발명의 전기화학적 제조장치를 구동하기 위하여 구성된 컴퓨터 시스템의 기능 블록도.
도 29는 마스크 패턴 파일 및 장치 제어 파일 생성 방법을 설명하는 흐름도.
도 30은 3차원 물체 제조방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 31은 전자석 모터의 횡단면도.
도 32는 본 발명의 전기도금 물품의 제3실시예에 따라 하나 이상의 물품의 이용한 전기화학적 제조방법의 도면.
한 관점에서, 본 발명은 a) 제1지지체와 상기 제1지지체 상에 소정의 패턴으로 배치된 제1정합가능한 마스크로 이루어진 제1물품과 기판을 접촉시키는 단계와; b) 상기 제1정합가능한 마스크 패턴의 보충물에 대응하는 제1패턴으로 제1금속이온 소스로부터 제1금속을 상기 기판 상에 전기도금하는 단계와; c) 상기 기판으로부터 제1물품을 제거하는 단계와; d) 제2금속이온 소스로부터 제2금속을 상기 기판 상에 전기도금하는 단계를 포함하는 전기화학적 제조방법을 특징으로 한다.
한 실시예에서, 상기 제2금속을 전기도금하는 단계는, a) 제2지지체와 상기 제2지지체 상에 소정의 패턴으로 배치된 제2정합가능한 마스크로 이루어진 제2물품과 상기 기판을 접촉시키는 단계와; b) 상기 제2물품의 상기 제2정합가능한 마스크 패턴의 보충물에 대응하는 제2패턴으로 상기 기판 상에 상기 제2금속을 전기도금하는 단계와; c) 상기 기판으로부터 상기 제2물품을 제거하는 단계를 포함한다. 이 방법은 추가 막들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한 실시예에서, 본 발명은 패터닝된 정합가능한 마스크와 기판을 접촉시키는 단계와; 상기 정합가능한 마스크 패턴의 보충물에 대응하는 패턴으로 상기 기판 상에 금속이온 소스로부터의 제1금속을 전기도금하는 단계와; 상기 기판으로부터 상기 마스크를 제거하는 단계와; 이미 증착된 막에 부착된 다수의 막들을 형성하도록 상기 a)~c) 단계를 여러번 반복하여 3차원 구조를 형성하는 단계로 이루어진 전기화학적 제조방법을 특징으로 한다.
다른 실시예에서, 본 발명은 상술한 전기도금 방법에 따라 막들을 반복적으로 형성함으로써 다중막 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 소자제조방법을 특징으로 한다.
다른 관점에서, 본 발명은 제1주요면을 갖는 기판과, 기판의 제1주요면 상에 소정의 패턴으로 배치된 정합가능한 마스크를 포함하는 전기도금 물품을 특징으로 한다. 물품은 상기 물품이 금속이온 소스에 직면하는 전극과 접촉하는 상태로 위치하고 전기장을 받을 때 상기 전극 상에 정합가능한 마스크의 패턴에 대응하는 금속의 패턴을 전기도금할 수 있다.
다른 관점에서, 본 발명은 제1금속이온을 포함하는 전해액과, 전해액과 접촉하는 애노드와, 전해액과 접촉하는 캐소드 및 전해액과 접촉하는 제1물품(예를 들어, 상술한 전기도금 물품)을 포함하는 전기화학적 제조장치를 특징으로 한다.
한 실시예에서, 전기화학적 제조장치는 제1도금조에 배치되고 제1금속 이온을 포함하는 제1전해액과 상기 제1전해액과 접촉하는 애노드와 상기 제1전해액과 접촉하는 캐소드와 상기 제1전해액과 접촉하는 물품(예를 들어 상술된 물품)을 포함하는 제1전기도금조와, 제2도금조에 배치되고 제2금속 이온을 포함하는 제2전해액과 상기 제2전해액과 접촉하는 애노드를 포함하는 제1전기도금조를 포함한다.
다른 관점에서, 본 발명은 전기화학적 제조에 사용하기 위한 전기도금 물품을 제조하는 방법을 특징으로 한다. 이 방법은 a) 제1기판에 정합가능한 마스크 재료를 도포하는 단계-상기 제1기판 상에 패터닝된 레지스트가 배치됨-와; b) 상기 정합가능한 마스크 재료가 상기 레지스트의 상기 패턴에 대응하는 패턴을 얻도록 상기 정합가능한 마스크 재료를 제2기판에 접촉시키고 상기 정합가능한 마스크 재료를 경화시키는 단계와; c) 상기 경화된 정합가능한 마스크 재료로부터 상기 제1기판을 분리시키는 단계-상기 제2기판과 상기 경화된 정합가능한 마스크 재료가 전기도금 물품을 형성하도록 상기 정합가능한 마스크 재료는 상기 제2기판에 부착된 상태로 잔류함-로 이루어진다.
일 실시예에서, 전기화학적 제조에 사용하기 위한 전기도금 물품을 제조하는 방법은 a) 제1표면을 갖는 다공성 매체를 제공하는 단계와; b) 적어도 하나의 비다공성 영역들을 형성하기 위하여 상기 다공성 매체를 처리하는 단계와; c) 상기 다공성 매체의 제1표면에 필름을 붙이는 단계와; d) 상기 다공성 매체 상에 정합가능한 재료의 패터닝된 마스크를 형성하기 위하여 상기 필름을 패터닝하는 단계; 및 e) 상기 패터닝된 정합가능한 재료와 다공성 매체로부터 전기도금 물품을 형성하기 위하여 상기 하나 이상의 비다공성 영역들의 적어도 일부분을 제거하는 단계를 포함한다.
다른 관점에서, 본 발명은 3차원 물체의 기하학적 단면구조를 반영하는 패터닝된 마스크를 생성하고 전기도금 방법에 사용하기 위하여 상기 기하학적 단면구조의 계산, 저장 및 검색에 관한 것이다. 본 발명의 데이터 및 제어 프로세스들은 다용도 컴퓨터 시스템에서 실행되는 소프트웨어 응용 프로그램에 의하여 실행될 수 있다.
본 발명의 데이터 및 제어 프로세스는 응용 프로그램을 통하여 실행되는 전기화학적 제조방법과 제조물품에서 프로세서에 의한 실행 즉시 상기 방법을 수행하기 위하여 배열된 응용 프로그램 코드를 저장하는 데이터 저장매체의 형태로 구체화될 수 있다.
전기화학적 제조방법 및 물품은 예를 들어, 금속, 폴리머, 세라믹 및 반도체 등과 같은 재료의 박막으로부터 디바이스들의 제조를 허용한다. 전기화학적 제조방법들은 층간 접합 없이 비교적 균질(homogeneous)하고 등방성(isotropic)인 소자(예를 들어, 디바이스)를 제조한다. 전기화학적 제조방법들은 낮은 온도에서 수행될 수 있어 집적회로 및 실리콘 웨이퍼와 같은 기판이 도금기판으로서 사용되는 것을 허용한다.
본 발명의 전기화학적 제조방법들은 종횡비(aspect ration)가 큰 디바이스, 내적 특징을 갖는 중공형 디바이스, 외팔보 형태(cantilevered) 및 "샹들리에 (chandelier)"의 기하학적 구조를 갖는 디바이스와, 상호연결된 정적 또는 가동 부품으로 이루어진 기능성 조립체(즉, 조립된 상태로 구성된 디바이스)들을 포함하는 자유형상의 기하학적 구조(freeform geometry)의 디바이스를 구성하는데 이용될 수 있다. 전기도금 물품, 장치 및 방법들은 또한 디바이스의 대량 생산에 특히 유용한다.
본 발명의 다른 특징과 이점들은 후술할 바람직한 실시예들의 설명과 청구범위로부터 명백해질 것이다.
본 발명은 복합 구조체를 갖는 소자들의 제조를 가능하게 하는 전기화학적 제조방법, 장치 및 물품을 특징으로 한다. 전기화학적 제조방법은 구조적 재료(예를 들어, 금속)과 지지(희생적) 재료들을 포함하는 막들을 선택적으로 전기도금하는 단계와 지지 재료들을 연속해서 (예를 들어, 식각, 용융 또는 전해 용해에 의해)제거하는 단계를 포함한다. 지지 재료들의 제거 후에 잔류하는 구조적 재료는 마이크로스코픽 (microscopic) 또는 메소스코픽(mesoscopic) 디바이스와 같은 소자를 규정한다. 전기화학적 제조방법은 전극 또는 다공성 매체와 같은 지지체에 임의로 부착된 패터닝된 정합가능한 마스크를 포함하는 전기도금 물품(articles)을 이용한다.
일반적으로, 본 발명은 전기화학적 제조방법에 사용하기 위한 전기도금 물품들을 특징으로 한다. 전기화학적 제조방법은 전해액이 채워져 있는 전기도금조, 애노드 및 캐소드를 포함하는 전기화학적 제조장치 내에서 진행된다. 전해액은 금속 이온들과 임의의 다른 첨가제를 함유한다. 애노드는 후술하는 바와 같이 전기도금 물품의 일부가 될 수 있거나 또는 물품로부터 이격된 거리에 위치할 수 있다. 본 명세서 전체에서는 도금되어질 기판은 다른 특정한 설명이 없는 한 캐소드로 작용한다. 설명의 간단화를 위하여 재료들은 금속으로서 언급되며 유사한 부재들은 동일한 참고 번호로 나타낸다.
전기도금 물품(electroplating article)
도 1을 참조하면, 본 발명의 전기도금 물품(4)은 지지체(8; support)에 부착된 패터닝된 정합가능한 마스크(6; conformable mask)를 포함한다. 전기도금 물품이 또한 패터닝된 정합가능한 마스크일 수도 있다. 지지체는 다공성 매체(porous medium; 예를 들어 필터), 애노드 및 그 조합체일 수 있다. 물품은 단일 지지체 상에 다수의 상이한 마스크 패턴들을 포함할 수 있다. 다중막 소자를 형성할 수 있도록 각각의 금속층이 접촉된 마스크 패턴의 보충물에 대응하는 패턴을 갖는 다수의 금속막들을 연속적으로 도금하기 위하여 상이한 마스크 패턴들은 설정된 순서로 기판에 의하여 접촉될 수 있다. 도 2를 참고하면, 전기도금 물품(4)은 도금되어질 금속을 한정하기 위하여 물품의 외부면 상에 하나 이상의 엣지 마스크(13)를 포함할 수 있다.
전기도금 물품과 도금되어질 기판 사이의 접촉은 잘 조절된 균일한 압력을 이용하여 패터닝된 마스크를 기판에 대해 가압함으로써 이루어진다. 적절한 마스킹 압력은 플래시(flash; 즉, 마스크로 덮여진 영역에 금속증착)을 방지하며, 마스크에 의하여 한정된 외형의 왜곡을 방지한다. 전기도금 물품이 기판과의 접촉으로부터 이탈될 때, 마스크는 전기도금 물품에 부착된 상태를 유지한다.
지지체로부터 마스크의 적층분리를 방지하기 위하여 도금되어질 기판으로부터 마스크를 이탈시키기 위한 다양한 방법, 예를 들어 둔한날을 이용하여 전기도금 물품(만일 유연하다면)을 기판으로부터 점차적으로 벗겨내고, 비점착/윤활 성분을 전해액에 첨가하고, 비점착 화합물(예를 들어, 스퍼터된 폴리테트라플루오로에틸렌)을 마스크 표면에 코팅하고, 진동(예를 들어, 초음파)시키는 방법들을 이용할 수 있다.
패터닝된 정합가능한 마스크
패터닝된 정합가능한 마스크는 마스크와 기판 사이의 접촉을 최대화시키고 마스크와 기판 사이의 간격을 최소화(바람직하기는 제거)하기 위하여 도금되어질 기판의 표면에 대한 마스크의 정합을 허용하기에 충분하게 변형가능(예를 들어, 탄성적으로 변형가능)하다. 마스크와 기판 사이의 최대 접촉은 잠재적인 플래시 형성을 최소화한다. 마스크는 또한 반복 사용(즉, 기판과의 접촉 및 기판으로 부터의 제거)을 가능하도록 하기에 충분한 내구성이 있다. 마스크는 마스킹 압력으로 인한 마스크 외형(즉, 마스크 패턴의 밀폐부와 개방부를 각각 형성하는 음각외형 및 양각외형(negative and positive features)의 변형을 방지하기에 충분한 강성(rigid)을 가지며 얇다. 마스크는 그 정점(peak)과 저점(valley)의 거칠기와 도금되어질 기판의 곡률에 비해서 상대적으로 두껍다.
마스크는 바람직하게 매우 높은 전기적 저항값(예를 들어, 10-14Ohm-cm)을 나타내고, 전해액의 이온에 대한 매우 낮은 침투성을 가지며, 도금공정이 진행되는 온도에서 도금 전해액과 화학적으로 비반응성이다. 마스크는 친수성(hydrophilic) 또는 소수성(hydrophobic)으로 이루어질 수 있으며, 친수성이 바람직하다. 친수성인 경우, 마스크 물질의 습식을 보장하기 위하여 비교적 많은 양의 습윤제가 전해액 내에 포함될 수 있다.
마스크는 마스크 제조공정, 마스크의 정상 취급 또는 도금되어질 기판으로부터 마스크 재료의 분리에 의하여 작은(예를 들어, 15X15 ㎛) 절연성 양각외형(positive feature)이 적층분리되지 않도록 지지체에 대한 강한 결합(예를 들어, 화학적 또는 기계적 결합)을 형성할 수 있다.
패터닝된 마스크는 실질적으로 평면이고 도금되어질 기판에 대한 정합을 가능하게 하도록 부드럽다. 마스크는 다양한 규격(예를 들어, 초미세와 같이 10 내지 25 ㎛ 이하)의 음각외형 및 양각외형으로 패터닝될 수 있고, 바람직하게는 마스크 잔류물이 마스크 패턴의 음각외형을 차단하지 않는 것이 바람직하다. 마스크의 패턴은 마스크 두께를 통하여 연장되고 하나 이상의 마스크 측벽들에 의하여 한정된 개구(즉, 음각외형)을 포함한다. 마스크 외형은 실질적으로 편평한 벽형태를 갖고 증착물에 직면하는 기판에 마스크를 재접촉시키는 약간의 벽 경사각(wall angle; 예를 들어, 도금되어질 기판을 향하여 다소 넓어지는)을 갖는다.
마스크는 하나 이상의 재료막들, 예를 들어 비교적 강성인 막(즉, 높은 종횡비의 포토레지스트, 예를 들어 마이크로켐 코포레이션의 상업적으로 입수가능한 SU-8 및 싱크로트론 처리된 폴리메틸메타크리레이트(synchrotron-processed polymethyl methacrylate) 및 정합가능한 막을 포함하도록 조성될 수 있다. 유용한 강성인 막의 다른 예는 패터닝된 정합가능한 막을 통하여 자외선에 노출시킴으로써 패터닝될 수 있는 클라리언트 AZ4620과 같은 포지티브 포토레지스트(positive photoresist)이다.
유용한 마스크 성분들의 예는, 예를 들어 다우 코닝사의 상표 실가드 (Sylgard; 예를 들어 실가드 182 및 184) 및 질레트사의 상표 RMS-033으로 상업적으로 입수가능한 폴리디메틸실록산(즉, 실리콘 러버)와 같은 탄성중합체를 포함한다.
다공성 매체(porous medium)
다공성 매체는 서로 연결된 기공(pores)들을 가지며, 전해질 성분에 존재하는 이온들 및 첨가제에 대한 침투성이 있다. 다공성 매체는 다양한 기공도를 갖는 하나 이상의 막들을 가질 수 있다. 바람직하게는 다공성 매체는 마스크의 최소 음각외형보다 현저하게 미세한 기공크기를 갖는다. 바람직하게 기공들은 개방된 영역, 예를 들어 매체의 20 평방㎛의 개방 영역에서 1% 정도로 균일하다. 특히, 유용한 다공성 매체는 필터로서 사용될 때, 0.3 내지 3 ㎛의 입자 보유도(retention rating)를 갖는다. 다공성 매체는 다공성 다중막들을 포함하고, 다공성 매체가 상술한 특성을 나타내는 도금되어질 기판과 매우 인접한 상태에서 각각의 다공성 막은 기공도와 기공크기면에서 다양하다. 도금되어질 기판에 접촉하는 부착된 마스크의 표면이 또한 편평하고 유연하다는 것을 보장하기 위하여 마스크에 접촉하는 다공성 매체의 표면들은 충분히 편평하고 완만해야 한다.
다공성 매체는 전해액조의 작동 온도에서 전해 용액과 화학적으로 비활성이다. 바람직한 다공성 매체들은 친수성이다. 전기도금 공정시 발생하는 가스 기포의 배출을 위하여 다공성 매체가 가스에 대해 침투가능한(permeable) 것이 바람직하다.
다공성 매체는 벗겨짐(shedding)으로부터 자유(즉, 주변의 유체로 그의 일부를 방출하지 않음)이고, 수차례의 전기도금 공정들을 견딜 수 있도록 충분히 내구적이다. 적절한 다공성 매체 물질들의 예들은 강성이고 친수성인 슬립 캐스트 세라믹 디스크 다공성 매체(rigid, hydrophilic, slip cast ceramic disk porous medium; 쿠어스 세라믹스 사의 상업적으로 입수가능함)인, 예를 들어 폴리프로필렌(겔만 사의 상표명 GH로 상업적으로 입수가능함), 폴리비닐리데네플로우라이드(polyvinylidenefluoride; 밀리포어 사의 상표명 "유라포어"로 상업적으로 입수가능함) 및 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene; 밀리포어 사의 상표명 LCR로 상업적으로 입수가능함)으로부터 제조된 친수화된(hydrophilized) 멤브레인 다공성 매체를 포함한다. 강성의 다공성 매체는 그들의 모서리(edge)에 의해서만 지지될 때 마스킹 압력을 제공할 수 있다.
특히 유용하고 높은 침투성의 다공성 매체들은 비교적 얇고 유연한 다공성 멤브레인들(porous membranes)을 포함한다. 다공성 멤브레인들은 보다 강성의 다공성 매체와 결합할 수 있으며, 이 매체는 마스킹 응용(masking application)을 위해 필요한 압력을 제공하기 위하여 백킹(backing)으로서 작용한다. 다공성 멤브레인은 보다 강성인 다공성 매체와 마스크 사이에 끼워질 수 있고, 다공성 매체는 도금 공정을 위해 필요한 마스킹 압력을 제공하기 위하여 사용될 수 있다. 보다 강성인 다공성 매체는 마스크와 직접적인 접촉에 유용한 다공성보다 비교적 거친(즉, 넓은) 기공도를 갖는다. 다공성 멤브레인들은 마스크 성분과 일체화(또는 마스크로 변형)될 수 있다.
취급을 돕기 위하여 다공성 멤브레인들은 후술할 드럼헤드 고정체에 설치될 수 있거나, 접착성분(예를 들어, 드라이 필름 포토레지스트)으로 강성의 평면 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 글래스)에 일시적으로 부착될 수 있다. 다공성 멤브레인들은 기판에 부착되는 동안 그리고 공정 후에 처리될 수 있고, 접착제를 용해시킴으로써 제거된다.마스킹 압력은 후방으로부터 멤브레인에 충돌하는 전해액의 흐름 또는 제트모멘트에 의해서 임의적으로는 전해질에 합체된 고밀도 입자 및 예를 들어 폴리머의 첨가에 의한 전해액의 점도증가와 함께 다공성 멤브레인에 가해질 수 있다. 마스킹 압력은 또한 전기도금 시스템의 탱크의 벽에 대하여 멤브레인을 밀봉함으로써 멤브레인에 인가될 수 있고 이 후에 전해액을 가압하여 멤브레인이 도금되어질 기판에 대해 눌려지도록 야기시킨다. 도금되어질 기판이 다공성 매체보다 소형일 때 더미(dummy) 기판은 멤브레인이 부풀어오르는 것을 방지하기 위하여 사용될 수 있다.
다공성 멤브레인을 사용한 전기도금 방법의 일 예는 멤브레인에 대하여 상대적으로 강성인 다공성 매체를 가압하는 단계와, 전류를 인가하는 단계와, 일정시간동안 금속을 증착하는 단계와, 전류를 차단하는 단계와, 멤브레인과의 접촉으로부터 강성의 다공성 매체를 회수하는 단계와, 상대적으로 강성인 다공성 매체를 그 자신의 평면(예를 들어, 오비탈 또는 선형 상태)으로 옮기는 단계와, 상기 주기를 반복하는 단계를 포함한다. 각 주기동안 상대적으로 강성인 다공성 매체를 옮기는 단계는 강성의 다공성 매체의 다른 부분이 멤브레인과 접촉하는 것을 허용한다. 바람직하게, 마스크/멤브레인은 상대적으로 강성인 다공성 매체가 멤브레인으로부터 분리되는 동안 마이크로볼륨(micorvolume)과 벌크(bulk) 전해액 사이의 유체 교환을 위하여 도금되어질 기판으로부터 분리된다.
다른 멤브레인 도금방법은 과립상(granular) 매체, 소형구체(tiny spheres), 또는 롤러를 예를 들어 강성 스크린을 사용하는 멤브레인에 대하여 가압하는 단계를 포함한다. 롤러/구체의 기공구조에서 국부적인 비균일성을 균등화시키기 위하여 소형구체와 롤러들은 소정의 패턴(예를 들어, 선형 이동을 이용한 선형패턴 또는 오비탈 이동을 이용한 원형패턴)으로 멤브레인 상에서 연속적 또는 간헐적으로 회전될 수 있다. 바람직하게, 이동 폭은 구체 또는 실린더의 직경과 동일하다(더욱 바람직하게는 수배 크다). 구체/실린더들은 상대적으로 작고 멤브레인은 상대적으로 두껍다. 구체/실린더들은 도금되려는 금속으로 이루어질 수 있다.
애노드(anode)
전기도금 물품은 애노드상의 패터닝된 마스크로 이루어질 수 있다. 애노드는 가용성(soluble) 또는 비가용성(insoluble), 강성 또는 유연성, 다공성 또는 비다공성일 수 있으며, 부식되지 않는 도전성 재료(예를 들어, 도금된 티타늄)에 의하여 지지된 부식가능한 막(예를 들어, 금속막)을 포함할 수 있다. 애노드는 박형의 가요성 금속시트를 포함하는 어떠한 규격도 될 수 있다.
가용성 애노드는 사용시 부식되는 경향이 있게 된다. 애노드는 애노드의 극성 변환 및 마스크의 음각외형을 통한 애노드상의 금속 후면도금에 의하여 주기적으로 "재생(redressed)"할 수 있다. 과다한 금속은 예를 들어, 전자제품 제조에 사용되는 관통 마스크(through-mask) 도금 공정에 따른 다른 애노드와 관련된 전해액에 의하여 공급될 수 있다. 마스크가 다공성 매체에 물리적으로 지지되고 부착되며 애노드가 멤브레인 바로 뒤에 위치하는 시스템에서, 애노드를 이동시키는 것은 애노드의 국부적인 부식을 방지한다.
전기도금 물품 제작
일반적으로, 전기도금 물품을 제작하는 방법은 고체 마스크 또는 액체 마스킹 성분을 지지체 즉, 애노드, 다공성 매체 및 그 결합체에 도포하는 단계를 포함한다. 고체 마스크는 지지체에 대한 부착 전 또는 이 후에 패터닝될 수 있다. 액체 마스킹 성분(예를 들어 불활성 재료 또는 용해되거나 용융될 수 있는 재료)은 비다공성 기판(플라스틱, 래커 또는 저융점 합금의 기판) 상에 패터닝되거나, 지지체에 경화(cured; 즉, 교차결합, 중합, 고화(hardened), 응고, 교질화 및 그들의 조합)되고 부착되거나 또는 지지체에 직접 패터닝되고 응고될 수 있다.
지지체의 준비
마스크를 수용하기에 적합한 완만하고 편평한 표면을 제공하기 위하여 마스크를 수용할 지지체의 표면을 평탄화시키는 것이 바람직하다. 애노드에 마스크를 부착할 때, 마스크에 대한 접착도를 극대화시키기 위하여 애노드 평면을 먼저 준비하는 것이 바람직하다. 유용한 애노드 표면 준비 방법의 예들은 표면에서 파우더의 얇은 막을 화학적 미세에칭(chemical microetching), 랩핑(lapping), 샌드블라스팅 (sandblasting) 및 소결(sintering)하는 단계를 포함한다. 화학적 접착 조촉매 (promotor; 예를 들어 실가드 프라임 코트(Sylgard Prime Coat))가 또한 사용될 수 있다.
다공성 매체에 대한 마스크의 접착을 유지하거나 향상시키기 위하여 다양한 방법들이 이용될 수 있다. 이들 방법은 다공성 매체의 기공과 마스크의 기계적 상호결합(mechanical interlocking)을 발생시키도록 다공성 매체에 마스크를 가압하는 동안 마스크를 용융하는 단계와, 마스크와 다공성 매체 사이에 접착성분을 도포하는 단계를 포함한다. 다공성 매체에 대한 마스크의 부착은 용융가능한 재료(예를 들어, 글라스)인 접착제를 사용함으로서 향상될 수 있으며, 용융가능한 재료는 패터닝된 마스크의 표면상에서 건식 증착(예를 들어, 스퍼터링)될 수 있다. 접착성분을 사용할 때, 마스크와 지지체 사이에 위치하는 영역에 대하여 접착 성분을 제한하는 방법을 사용(즉, 접착제가 수 미크론(microns)의 폭을 갖는 음각외형을 연결하는 것을 방지)하는 것이 바람직하다.
액체 마스킹 성분은 다공성 매체의 기공들 내로 스며드는(즉, 제어불가능하게 흡수되는) 경향을 갖는다. 다공성 매체의 영역으로 "스며듦"을 방지해서 기공상태를 유지시키기 위하여 다양한 방법들이 사용될 수 있다. 스며듦을 방지하기 위한 적절한 방법들의 예들은 다공성 매체의 일측에 가압공기를 공급하는 단계와; 기공으로 침투하여 채워한 후 액체 마스킹 성분의 침투에 대한 베리어(barrier)를 형성하기 위하여 응고하는 임시 충진성분으로 다공성 매체를 처리하는 단계; 및 액체 마스킹 성분과 혼합되지 않고 액체 마스킹 성분 보다 밀도가 높은 임시 충진성분으로 다공성 매체를 처리하는 단계를 포함한다. 미도포되고 미충진된 표면들을 노출시키기 위하여 다공성 매체의 표면은 기공을 충진성분으로 충만시킨 후에 연마되어 이 지지체에 대한 마스크의 직접 부착을 허용한다. 액체 마스킹 성분들이 고체로 경화된 후에 충진성분들은 용해되거나 또는 다공성 매체로부터 다른 방식으로 제거될 수 있다.
유용한 충진성분들의 예는 아세톤-용해가능한(acetone-soluble) 왁스(waxes) 및 랙커(lacquers), 인베스트먼트 주조 코어(investment casting cores)용 용해가능한 왁스, 수용성 소금, 겔, 크리스탈 본드 509, 수용성 열가소성 물질 및 위상 변화재료[예를 들어, 얼음, 일렉트로레올로지칼 유체(electrorhelogical fluids)]를 포함한다.
도 3을 참고하면, 충진성분을 사용하여 일시적으로 비다공성인 다공성 매체를 제공하는 방법의 한 예는 상대적으로 편평한 표면(131; 예를 들어 실리콘 웨이퍼) 상에 액체 충진성분(132)의 얇은 막(바람직하게, 충진성분 막의 두께는 다공성 매체의 기공을 설정된 높이까지 충진시키기 위하여 조절된다)을 회전시키는 단계와, 다공성 매체(130)의 제1표면(136)을 회전하는(spun-on) 충진성분(132)에 접촉시키는 단계(도 3a)와, 충진성분(132)이 다공성 매체의 구멍에 설정된 깊이까지 스며들도록 허용하는 단계(도 3b)와, 충진성분(132)을 응고시키는 단계와, 충진성분(132)이 다공성 매체(130)로 유입되는 제1표면의 반대쪽 다공성 매체(130)의 제2표면(138)에 충분한 양의 액체 마스킹 성분(134)을 (예를 들어, 회전에 의하여) 도포하는 단계를 포함한다. 액체 마스킹 성분(134)은 다공성 매체의 표면상에 소정 두께의 마스킹 성분의 막을 형성하기 위하여 공급된다. 마스킹 성분(134)의 나머지는 단지 응고된 충진제(132)의 표면까지만 (접착 목적을 위하여) 다공성 매체로 스며들 수 있다. 이 방법은 마스킹 성분(134)을 경화시키는 단계와, 응고된 충진제(132)를 제거하는 단계와, 적어도 응고된 충진제(132)가 존재하는 깊이까지 마스킹 성분(134)이 충분히 스며드는 다공성 매체(130)의 막을 통하여 마스크의 음각외형을 식각하는 단계를 더 포함한다.
스며듦(soak in)을 방지하거나 제한하는 다른 방법들은 다공성 매체에 도포되는 액체 마스킹 성분의 체적을 다공성 매체의 기공체적의 일부까지만 제한하여 유체가 기공들을 부분적으로 충진시키도록 야기시키는 단계를 포함한다. 이러한 방법의 하나는 분사 패턴의 유량 및 속도를 주의깊게 조절하면서 다공성 매체 상에 액체 마스킹 성분을 분사하는 단계를 포함한다. 다른 방법은 균일한 얇은 막을 얻기 위하여 비흡수성 시트 상에 액체 마스킹 성분을 회전 코팅하는 단계와, 회전하는 액체 마스킹 성분와 접촉하도록 다공성 매체를 위치시키는 단계를 포함한다. 다공성 매체가 시트로부터 벗겨져 나가거나 또는 시트가 용해 또는 용융될 때 마스킹 성분의 얇은 코팅은 다공성 매체로 이전(transfer)된다(즉, 마스킹 성분은 다공성 매체에 부착된 상태로 남는다). 액체 마스킹 성분은 시트의 제거 전 또는 후에 경화될 수 있다.
스며듦을 방지하기 위한 다른 방법은 다공성 매체가 고속으로 회전하는 동안 액체 마스킹 성분을 다공성 매체에 도포하는 단계를 포함하여 원심력은 마스킹 성분이 과도하게 스며들기 전에 마스킹 성분을 얇은 막으로 분포시킨다.
스며듦을 방지하는 다른 접근방식은 다공성 매체에 또는 그 근처에 베리어 막(barrier layer)을 형성하는 단계를 포함한다. 공정 후에, 다공성 매체의 기공을 노출시키기 위하여 베리어 막(그리고 임의적으로는 다공성 매체의 일부)은 마스크의 음각외형로부터 제거된다. 임의적으로, 지지체에 대한 마스크의 접착도를 향상시키기 위하여, 마스크의 양각외형에 대응하는 베리어 막의 영역들은 마스크의 적용(application) 전에 제거될 수 있다. 베리어 막은 (예를 들어, 열가소성 기저 베리어에 적합한) 예를 들어, 화학적 식각, 건식 식각, 이온 밀링(ion milling), 레이저 가공 및 용융기술을 포함하는 다양한 기술을 사용하여 제거될 수 있다. 베리어 막은 또한 다공성 기판의 표면에 다른 물질을 도포, 예를 들어 다공성 매체 상에 건식 필름(dry film) 포토레지스트와 같은 고체 재료의 필름을 적층시키는 단계와; 스며들는 체적을 제한하는 상술된 기술들중 하나를 이용하여 바람직하게는 매우 높은 점도의 액체 베리어 막을 도포하는 단계와; 비다공성 코팅막을 형성하기 위하여 분말의 얇은 막으로 다공성 매체를 코팅하고 분말 막을 용융시키는 단계와; 진공 증발, 스퍼터링, 화학기상증착(CVD) 또는 다른 공정으로 베리어 필름을 증착시키는 단계; 및 이들의 조합에 의해서 형성될 수도 있다.
다공성 애노드의 경우에 있어서, 스며듦은 다양한 방법들을 사용하여 방지될 수 있으며, 이들 방법들은 다공성 애노드의 표면에 비다공성 막을 도포하고, 마스크를 패터닝한 후에 애노드를 노출시키기 위하여 마스크의 음각 영역에서 비다공성 막을 제거하는 단계와; 몰드에서 부분적으로 압축된 파우더를 소결하고, 마스크를 패터닝하고, 애노드의 금속을 부식시키는 식각용액에 구조체를 침지시켜서 (마스크되지 않은 영역에서) 소결된 애노드 재료의 외부의 비다공성 막을 용해하는 단계와; (예를 들어, 화염 또는 고온 표면과의 접촉에 의해서) 애노드의 표면을 용융시키는 단계와; 표면 기공들을 재료, 예를 들어 다공성 표면에 전기증착된 금속으로 일시적으로 충진(filling)하는 단계와; 마스크와 애노드 사이에 비다공성 베리어 막을 도포시키는 단계를 포함한다.
전기도금 물품의 패터닝 및 제조
전기도금 물품을 패터닝하기 위한 다양한 방법들이 사용될 수 있다. 도 4를 참고하면, 전기도금 물품 형성 방법을 도시한다. 이 방법은 기판(144; 예를 들어 실리콘 웨이퍼)에 레지스트(예를 들어, 마이크로 켐 코포레이션으로부터 상표명 SU-85로 상업적으로 입수가능한 포토레지스트)의 막(142)을 (예를 들어, 스피닝에 의해) 코팅함으로서 마이크로몰드(micromold; 140)를 형성하는 단계를 포함한다. 바람직하게는, 포토레지스트 막은 최종 마스크의 소정 두께보다 두꺼운 수 미크론 (micron)의 두께를 갖는다. 포토레지스트는 포토마스트를 사용하고 광패턴가능한 (photopattenable) 레지스트 성분인 경우 광원(예를 들어, 자외선 광원)을 사용하여 패터닝될 수 있다. 레지스트의 양각외형은 마스크의 음각외형에 대응한다. 임의적으로, 마이크로몰드는 폴리테트라플루오로에틸렌 또는 폴리프로필렌과 같은 비 점착성(not-stick) 재료로 제조될 수 있고, 예를 들어 활성이온 식각 또는 엑시머 융제(excimer ablation)에 의해서 형성되거나 또는 컴팩트 디스크 제조에 사용되는 공정과 유사한 공정에 따라 마스터 몰드(master mold)로부터 마이크로몰드된 패턴을 포함할 수 있다.
포토레지스트와 기판을 포함하는 마이크로몰드 표면은 마이크로몰드를 예를 들어 (트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로옥틸)-1-트리클로로실란(유나이티드 케미칼 테크놀로지스로부터 상업적으로 입수가능함)의 증기에 노출되도록 허용함으로써 부동태화(passivated)될 수 있다. 그 후, 액체 마스킹 성분(146)은 패터닝된 포토레지스트에 의해 한정된 융기된 패턴 상에 부어진다. 그 뒤 지지체(148)가 마이크로몰드(140)에 대하여 가압된다. 균일한 압력이 공급되어 액체 마스킹 성분(146)은 레지스트 패턴의 융기부(즉, 양각외형)와 지지체(148)의 표면 사이에 위치한 영역(150)의 밖으로 밀려진다. 바람직하게는, 액체 마스킹 성분(146)은 레지스트(142)의 양각외형에 대응하는 영역(150)의 밖으로 완전하게 짜여진다. 액체 마스킹 성분이 경화될 때까지 조립체(152) 전부는 이러한 결합관계를 유지한다. 열 경화성 마스킹 성분에 있어서, 조립체는 오븐(oven)으로 이송되어 경화될 수 있다.
경화 후에, 지지체(148) 주변의 과도한 마스크 재료(154)는 제거된다. 오븐에서 경화된 마스크의 경우에, 지지체와 몰드 사이의 상이한 열수축을 최소화하기 위하여 신속하게 조립해제된다. 지지체와 경화된 마스크(156)는 몰드(140)로부터 분리되어 경화된 마스크(156)는 마이크로몰드(140)로부터 분리되지만 지지체(148)에 부착된 상태로 유지된다. 마스크(156)는 마이크로몰드(140)의 패턴과 반전된 패턴을 보인다. 마이크로몰드(140)는 재사용될 수 있다. 필요한 겨우, 마이크로몰드 (140)는 마스크 잔류물을 제거하기 위하여 세정될 수 있다. 유용한 실리콘 세정성분의 일 예는 실리콘 스트리퍼(stripper), 예를 들어 암텍스 CCR(암텍스 케미칼 코포레이션사으로부터 상업적으로 입수가능함)이다.
마스크(156)의 음각외형(158)에 잔류하는 마스킹 성분의 잔류막은 건식 에칭(예를 들어, O2와 CF2의 혼합가스를 이용한 반응성 이온 식각)을 사용하여 제거될 수 있으며, 이는 또한 마스크의 양각외형의 두께를 감소시킬 수도 있다. 지지체의 모서리까지 이어지는 균일한 식각은 유사한 성분의 "더미(dummy)" 기판으로 지지체를 둘러쌈으로써 수행될 수 있어 엣지 효과로 인한 비균일성은 고려되지 않는다.
마스크가 다공성 매체에 부착될 때, 다공성 매체 내에 존재하는 베리어 막을 마스크의 음각외형으로부터 제거하기 위하여 식각은 계속될 수 있으며, 또한 다공성 기판의 기공부가 제거될 때까지 계속될 수도 있다. 만일 다공성 매체의 기공들이 채워지거나 또는 존재하지 않게 되면, 기공들은 예를 들어 반응성 이온식각에 의하여 다시 형성되거나 형성된다.
전기도금 물품을 형성하기 위한 다른 방법이 도 5에 도시되어 있다. 이 방법은 최종 마스크용으로 요구된 근사 두께까지 지지체(148; 즉, 다공성 매체 또는 준비된 애노드) 상의 포토레지스트(142)를 패터닝하는 단계를 포함한다. 레지스트 (142)에 의하여 점유된 지지체(148)의 영역은 금속이 증착될 수 있는 마스크의 음각외형에 대응한다. 베리어를 포함하는 다공성 매체의 패터닝시, 다공성 매체는 레지스트에 의하여 덮여지지 않은 다공성 매체의 영역으로부터 베리어 막을 제거하도록 식각될 수 있다. 이 방법은 지지체(148)에 액체 마스킹 성분(146)을 도포하는 단계와, 임의적으로 마스킹 성분을 진공 디가싱(vacuum degassing)시키는 단계를 더 포함한다. 그 후, 편평하고 부드러우며 비점착성(예를 들어, PTFE)인 시트(160)는 지지체(148)에 평행하게 레지스트(142)와 액체 마스킹 성분(146)에 가압되고, 액체 마스킹 성분(146)을 레지스트(142)와 시트(160) 사이로부터 짜내기 위하여 압력이 공급된다. 그 뒤, 마스킹 성분(146)은 경화되고, 시트(160)는 제거되며, 또한 식각(예를 들어 O2와 CF2의 혼합가스를 이용한 반응성 이온 식각)에 의하여 레지스트상에 겹쳐진 잔류 마스킹 성분은 제거된다. 레지스트에 의하여 이미 점유된 지지체의 영역을 노출시키기 위하여 레지스트(142)는 그후 제거된다. 다공성 매체가 패터닝될 때, 인접하는 양각외형으로부터 마스크의 음각외형으로 스며든 마스크 물질은 마스크와 다공성 매체를 원하는 깊이까지 식각함으로써 제거된다. 다공성 매체의 기공들이 채워지거나 존재하지 않을 경우, 구멍들은 재형성되거나 형성된다.
도 6을 참고하면, 전기도금 물품을 형성하기 위한 다른 방법은 광패턴가능한 액체 마스킹 성분(146), 예를 들어 포토이니시에이터[photoinitiator; (예를 들어, 2,2-이메스옥시-2페닐 아세토페논(폴리사이언시스 인크.로부터 상업적으로 입수가능함))와 조합된 RMS-033(겔리스트로부터 상업적으로 입수가능함]의 막을 지지체(148)에 (예를 들어, 회전에 의해) 도포하는 단계를 포함한다. 액체 마스킹 성분(146)은 얇은 산소-불침투성 필름[예를 들어, 밀라(Mylar)]로 덮혀져서 산소와의 접촉으로부터 보호될 수 있다. 그 뒤 마스크 성분을 선택적으로 경화시키기 위하여 마스킹 성분(146)은 패터닝된 광선[예를 들어, 포토마스크(162)를 통해 조사된 자외선광]에 노출된다. 필름은 제거되고 광패턴가능한 마스킹 성분은 (예를 들어, 크실렌(xylene)을 이용한 용해에 의해서) 현상되어 경화되지 않은 마스킹 성분(146)을 제거한다. 비다공성 베리어 막이 존재하면, 이는 마스크(156)의 음각외형으로부터 (예를 들어, 건식 식각에 의해서) 제거된다. 필요한 경우 기공들을 형성한다. 네가티브 작용(negative working)을 하는 광패턴가능한 마스킹 성분의 경우에, 소정의 두께를 갖는 마스킹 성분의 표면막이 존재할 때까지 다공성 매체에는 마스킹 성분이 완전히 스며들 수 있다. 광 패터닝후, (기공 내의 성분을 포함하여)노출되지 않은 마스킹 성분재료는 현상기(developer) 내에서 용해된다.
다공성 매체를 패터닝할 때, 결이진(textured) 표면으로부터 산란된 광량을 감소시키기 위하여 다공성 매체는 어두운 색으로 칠해지거나 또는 비반사 성분으로 코팅될 수 있다.
도 7을 참고하면, 전기도금 물품을 제조하기 위한 다른 방법이 도시된다. 이 방법은 지지체(148)에 액체 마스킹 성분(146; 또는 고체 마스크)을 부착하는 단계와; 고화된 마스크(156)를 형성하기 위하여 액체 마스킹 성분을 경화시키는 단계와; 두꺼운 레지스트(164) 또는 얇은 금속막(미도시) 상에 배치된 얇은 레지스트로 마스크(156)를 코팅하는 단계와; 레지스트(164)를 패터닝하고, 금속막의 경우 [예를 들어, 식각 또는 들뜸(lift off)에 의해] 금속막을 패터닝하기 위하여 패터닝된 레지스트를 이용하는 단계와; 두꺼운 레지스트(164; 및 존재한다면 금속 막)를 마스크로 이용하여 마스크(156)를 제거[습식식각, 건식식각 또는 이온밀(ion mill)]하는 단계와; 기판이 다공성 매체인 경우 기공을 개방하기 위하여 다공성 매체의 상부막을 제거하는 단계; 및 잔여 레지스트(164; 만일 사용된다면 금속막)을 예를 들어, 스트리핑에 의해 제거하는 단계를 포함한다.
도 8을 참고하면, 전기도금 물품 형성방법이 도시되고, 상기 방법은 소정 두께까지 액체 마스킹 성분(146; 또는 고체 마스크)을 지지체(148)에 도포하는 단계와; 고화된 마스크(156)를 형성하기 위하여 (만일 액체인 경우) 마스킹 성분을 경화시키는 단계와; 마스크 및 지지체 재료를 융제(ablating)하기 위한 적절한 강도와 파장의 패터닝된 자외선 광, 예를 들어 엑시머 레이저 빔에 고체 마스크(156)를 노출시키는 단계와; 지지체(148)가 노출될 때까지 마스크(156)를 융제시키는 단계와; 및 다공성 매체를 패터닝할 때 기공을 개방시키기 위하여 (만일 존재한다면)베리어 막(170) 및 필요하다면 다공성 매체의 상부 막을 융제시키는 단계를 포함한다.
릴리이프 인쇄(relief printing)에 사용되는 방법과 유사한 방법이 전기도금 물품 제조에 사용될 수 있다. 이러한 방법의 일 예는 AZ4620 또는 SU-8과 같이 큰 종횡비(aspect ratio)의 포토레지스트를 패터닝하여 생산될 수 있는 릴리이프 패턴에 액체 마스킹 성분을 도포하는 단계와; 마스킹 성분이 지지체에 부착하도록 지지체에 대하여 릴리이프 패턴/마스킹 성분 구조체를 가압하는 단계; 및 릴리이프 패턴을 제거하는 단계를 포함한다. 제조된 전기도금 물품은 릴리이프 패턴의 역 패턴(inverse pattern)으로 패터닝된 마스크를 구비한 지지체를 포함한다.
이러한 방법의 다른 예는 지지체의 식각 또는 영구성의 포토레지스트(예를 들어, SU-8)를 도포함으로써 지지체 상에 릴리이프 패턴을 형성하는 단계와; 얇고 균일한 액체 마스킹 성분으로 편평하고 완만한 시트를 코팅하는 단계와; 지지체/레지스트와 마스킹 성분을 신속하게 결합 및 결합해제하기 위하여 코팅된 시트에 대하여 지지체/레지스트를 (바람직하게는 지지체와 시트가 평행하게 유지된 상태로) 스탬핑(즉, 스탬프와 인크 패드와 같이)하는 단계; 및 액체 마스킹 성분을 경화시키는 단계를 포함한다.
도 9를 참고하면, 다공성 매체(148)의 표면막에는 액체 마스킹 성분이 요구된 마스크의 두께까지 스며들어 있는 전기도금 물품의 형성 방법이 도시된다. 액체 마스킹 성분은 고화되어 고체 마스크(156)와 다공성 매체(148)의 매트릭스(174)를 형성한다. 그 뒤 매트릭스(174)는 매트릭스 "막"의 깊이와 적어도 동일한 깊이까지 예를 들어, 식각 또는 매트릭스의 선정된 영역을 융제시킴으로써 패터닝되어 전기도금 물품을 형성한다. 대안적으로, 이 방법은 전체 다공성 매체에 액체 마스킹 성분을 침투시키는 단계와, 액체 마스킹 성분을 패턴경화시키는 단계와, 경화되지 않은 마스킹 성분을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
전기도금 물품을 형성하는 다른 방법은 스크린 인쇄, 스텐실 인쇄 및 인크 제트 인쇄와 같은 공정에 의해서 지지체에 마스킹 성분을 선택적으로 도포하는 단계와; 다공성 매체에 있어서 다공성 매체의 표면막을 용융시키는 단계 및 다공성 매체의 기공을 노출시키고 릴리이프 패턴을 형성하기 위하여 용융된 막을 통한 식각/융제에 의해 다공성 매체의 표면에 음각외형을 형성하는 단계를 포함한다. 전기도금 물품을 형성하기 위한 방법은 또한 전기도금 물품의 릴리이프의 양을 증가시키기 위하여 마스크 패턴의 음각외형(즉, 윈도우)를 식각하는 단계를 포함할 수 있다. 다공성 매체 및 인쇄된 실리콘 마스크인 경우, 식각은 산소 플라즈마에 의하여 수행될 수 있다.
전기도금 방법
본 발명은 도금되려는 기판을 본 발명의 전기도금 물품과 접촉시키는 단계와; 제1금속, 예를 들어 지지체 또는 희생 금속을 선택적으로 전기도금하는 단계와; 제2금속, 예를 들어 구조금속을 전기도금하는 단계를 포함하는 전기도금 방법을 특징으로 한다. 제2금속을 전기도금하는 단계는 선택적으로 제2금속을 본 발명의 전기도금 물품을 사용하여 전기도금하거나 또는 제2금속을 블랭킷(blanket) 증착하는 단계를 포함한다. 전기도금 방법은 금속의 단일 막을 도금하기 위하여 사용될 수 있고, 또는 이 방법은 부가적인 금속이 이미 도금된 금속막 상에 도금되어 다중막 구조를 형성하도록 반복될 수 있다. 설정된 수의 막(들)이 도금된 후에 지지 금속의 적어도 일부는 예를 들어, 식각에 의해 제거될 수 있다. 잔류하는 구조 금속은 마이크로스코픽 또는 메소스코픽 디바이스를 한정한다.
이 방법은 또한 한 금속의 단일막을 도금하기 위하여 2개의 전기도금 물품을 이용할 수 있다. 도 10을 참고하면, 제1금속이 제1패턴(230)으로 도금되고 이 후에 동일 금속이 제2패턴(232)으로 도금되어 도금된 금속막(234)을 형성한다. 제2패턴(232)은 제1패턴(230)에 겹쳐질 수 있다.
본 발명의 전기도금 방법의 일 예가 도 11에 도시된다. 이 방법은 마스크(6)와 지지체(8)를 포함하는 제1물품(4)과 도금될 기판(2)을 접촉시키는 단계와, 제1금속 이온 소스[즉, 전해액 및 애노드(10)]의 존재하에서 제1금속(12; 예를 들어 희생 금속)을 증착하는 단계와, 마스크(16)와 지지체(18)을 포함하는 제2물품(14)과 기판(2)을 접촉시키는 단계와, 제2금속 이온 소스[즉, 전해액 및 애노드(22)]의 존재하에서 제2금속(20; 예를 들어, 구조 금속)을 증착하는 단계와, 임의적으로 막을 평탄화시키는 단계와, 상이하게 패터닝된 전기도금 물품(4a, 4b, 14a, 14b)을 사용하여 상기 방법을 반복하는 단계를 포함하고, 모든 희생 금속(12)을 식각한 후에 소자(26)가 되는 다중막 구조체(24)를 생성한다. 제2물품은 과대한 양각외형을 갖는 마스크를 포함할 수 있어 마스크의 하나 이상의 양각외형의 표면 영역은 제1도금금속의 대응하는 표면을 넘어서 연장한다.
전기도금 과정에서 제조된 소자는 기판에 부착된 상태로 남아있거나 기판으로부터 제거될 수 있다. 소자를 제거하기 위한 한 방법은 식각단계에서 기판에 대한 소자의 부착소스가 제거되도록 기판상에 지지 재료의 제1막을 도금하는 단계를 포함한다.
다른 전기도금 방법이 도 12에 도시된다. 전기도금 방법은 전기도금 물품(미도시)을 도금될 기판(2)과 접촉시키는 단계와, 제1금속(12; 즉, 구조 금속 또는 지지 금속)을 선택적으로 증착하는 단계와, 제2금속(20; 도 12b)을 블랭킷 증착하는 단계와, 정밀한 두께의 편평하고 완만한 막(도 12b)을 얻기 위하여 증착된 막을 기계적으로 평탄화시키는 단계를 포함한다. 평탄화된 표면은 표면 상에 존재하는 연마입자를 제거하도록 세정될 수 있다. 양호하게는, 지지 금속은 선택적으로 도금되며 구조 금속은 블랭킷 증착된다.
유용한 평탄화 방법의 예들은 기계적(예를 들어, 다이아몬드 랩핑 및 실리콘 카바이드 랩핑), 화학적-기계적 또는 비기계적(예를 들어, 전기방전 가공)인 평탄화 공정을 포함한다. 다이아몬드 랩핑은 특히 바람직한 평탄화 공정이다. 다이아몬드 랩핑은 단일 등급, 예를 들어 약 1-6마이크론의 다이아몬드 연마제 또는 다양한 등급의 다이아몬드 연마제를 사용하여 수행될 수 있다. 상이한 등급의 연마제를 사용한 랩핑은 개별적인 랩핑 플레이트들을 사용하거나, 단일 플레이트의 상이한 영역에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 거친 다이아몬드 연마제는 회전하는 원형 랩핑 플레이트의 외곽 영역에 도포되고, 미세한 다이아몬드 연마제는 내부 영역에 도포될 수 있다. 격리도(segregation)를 증가시키기 위하여 분리가능한 원형 벽은 내부와 외곽 영역 사이에 제공될 수 있다. 평탄화될 막은 플레이트의 외곽 영역에 먼저 접촉하고, 거친 연마제를 제거하기 위하여 임의적으로 세정되며, 그 후 플레이트의 내부 영역으로 이동된다. 평탄화된 막으로부터 연마제 및 연마된 입자들을 제거하기 위하여 평탄화된 표면은 용액, 예를 들어 물-기저 또는 전해질-기저 용액을 사용하여 세정될 수 있다. 연마제 슬러리(slurry)는 쉽게 제거, 예를 들어 수용성이다. 막의 두께, 평탄도 및 완만함 정도는 예를 들어, 광학 엔코더, 마모 저항 스톱 (wear resistant stops) 및 알려진 압력 하에서 막을 정밀 평면 금속 플레이트 (precision flat metal plate)와 결합하는 방법 및 플레이트-막 결합부를 가로지르는 저항을 측정하는 것에 의하여 탐지될 수 있다. 도금된 금속의 두께는 도금된 금속 패턴에 상보적인 패턴을 가지며 변위를 측정하는 마스크와 도금된 금속을 접촉시킴으로써 측정할 수 있다.
바람직한 평탄화 공정의 한 예는 작업물, 즉 평탄화될 막을 갖는 기판이 랩핑 플레이트 상의 "컨디션닝 링(conditioning ring)" 내에서의 회전을 허용하는 단계를 포함한다. 랩핑은 또한 작업물의 회전 또는 이탈없이 전기도금 장치의 X/Y 모션 스테이지(motion stage)를 이용하여 랩핑 플레이트의 표면 주변에서 작업물을 이동시킴으로써 수행될 수 있다. 이러한 방식에서, 기판과 관련한 플레이트의 접선 이동은 360° 회전한다. 슬러리 분배(delivery) 시간은 기판의 이동과 동기화되어 슬러리가 플레이트에 공급되도록 한다. 작업물의 이동은 식 r=r0+AsinBθ의 사인파형 오비탈을 갖는 경로를 포함하는 원형이외의 경로로 이루어진다.
도금될 기판은 도전성 표면 또는 도전막을 구비한 비도전성 표면을 포함할 수 있다. 도금될 기판은 평면 또는 비평면일 수 있다. 도금될 기판은 또한 이미 전기도금되거나 증차된 금속 또는 적어도 하나의 금속(들)을 포함하는 막일수 있다.
전기도금 방법은 예를 들어, 집적회로 상에서 실시될 수 있다. 집적회로 상에서 실시되는 전기도금 방법의 일 예가 도 13에 도시된다. 도금시, 전기적 접촉을 허용하기 위하여, 알루미늄 패드(pad)는 원거리 콘택트 패드들에서 종단하는 도전체들과 연결될 수 있으며, 이 패드들은 버스(bus)에 의하여 일시적으로 서로 연결될 수 있다. 도 13을 참고하면, 전기도금 방법은 얇은 구리 디스크(36) 상에 폴리이미드의 막(34)을 회전코팅하는 단계와; 알루미늄 패드(40), 좁은 도전체(42), 콘택트 패드(41) 및 보호막(44; passivation layer)을 포함하는 실리콘 웨이퍼(38)의 바닥 표면에 구리 디스크(36)를 부착하는 단계와; 공정 후 다이의 분리를 돕기 위하여 웨이퍼(38)를 부분적으로 절단하는 단계와; 후속 식각공정동안 알루미늄 패드(40, 41)를 보호하고 절단라인(46)을 채우기 위하여 웨이퍼(38)의 상부 표면에 감광성 폴리이미드(35)를 회전코팅하는 단계와; 도금될 패드(40)와 전기적 콘택트용 패드(41)를 노출시키기 위하여 폴리이미드를 패터닝하는 단계와; 웨이퍼를 디그리싱(degreasing)하는 단계와; 구조체를 아연 도금용액에 담그는 단계와; 버스를 형성하기 위하여 포토레지스트를 도포하고 패터닝하는 단계와; 전기도금을 위하여 패드(41)와 접촉하는 버스(48)를 형성하기 위하여 구리의 스퍼터링에 의하여 콘택트 패드(41)를 연결하는 단계와; 니켈이 버스(48) 상에 증착하는 것을 방지하기 위하여 버스(48) 위의 레지스트를 패터닝하는 단계와; 평탄화를 허용하기 위하여 알루미늄 패드(40) 상에 니켈(50)을 충분히 도금하는 단계와; 레지스트(35)를 제거하는 단계와; 도금된 금속과 전기적 접촉을 형성하는 단계와; 평탄화를 허용하기 위하여 평면부를 스퍼터링하고 전체 웨이퍼 표면에 걸쳐서 충분한 양의 구리(52)를 도금하는 단계와; 니켈(50)을 노출시키기 위하여 표면을 평탄화시키는 단계와; 미세구조의 막들을 전기도금하는 단계와; 버스(48)를 포함하는 구리(51 및 52)와 구리 디스크(36)를 식각하는 단계와; 폴리이미드(34)를 제거하는 단계를 포함하여 웨이퍼(38; 즉, 집적 회로)에 부착된 미세구조 디바이스(54)(도 13i)를 한정한다.
전기도금 방법은 증착된 금속막의 균일도를 향상시키기 위하여 순환 도금 (cyclic plating) 방법을 사용할 수 있다. 순환 도금방식은 전극에 인가되는 전류를 매우 간단하게 차단함과 동시에 도금될 기판으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하며, 전해액 첨가제를 동시에 공급하며, 가스를 배출하고, 미립자들을 배출하며, 지지체와, 도금될 기판 및 마스크에 의하여 한정되는 미세부피(micorvolume)로부터 첨가제를 브레이크-다운(break-down)한다. 그 뒤, 전류는 마스크가 기판과 접촉(즉, 재결합)됨과 동시에 재인가된다. 이 방법은 금속의 소정 두께가 증착될 때까지 반복될 수 있다. 마스크의 벽은 불완전한 두께의 증착 하에서 마스크와 기판의 반복적인 접촉을 용이화시키기 위하여 약간 테이퍼(taper)지거나 수직(draft; 마스크에 의하여 한정된 음각외형들이 기판과 접촉하는 마스크의 측부에서 다소 큼)이다.
도금된 금속막의 균일성은 전기도금 물품의 지지체의 국부적인 두께와 임의적으로는 국부적인 기공도를 제어하여 외형이 인접하는 베이스 상에서 전류밀도를 제어하고 전류밀도를 조절함으로써 향상될 수 있다. 균일한 도금은 기판상에 도금된 금속의 원하는 두께를 제공하기 위하여 계산된 두께를 갖는 얇은 가용성 코팅막을 갖는 불용성 애노드를 지지체로 사용함으로써 달성될 수 있다. 마스크와 코팅막과 기판에 의하여 한정된 영역 내의 전해액의 체적에서 제한된 양의 이온들이 도금되면 도금은 중단된다. 코팅의 두께가 균일할수록, 도금된 금속의 두께는 균일할 것이다.
수소기포 형성은 전류 효율을 증가시키기 위하여 낮은 전류 밀도를 이용하고; 전해액에 수소의 용해도를 증가시키기 위하여 온도 감소 및/또는 벌크(bulk) 내의 전해액을 가압하거나; 전해액에 대해서는 불투과성이나 가스에 대해서는 투과성인 마스크 재료(예를 들어, 소수성 미세다공(hydrophobic microporous) 재료)를 사용하고; 마스크 외형으로부터 가스 기포가 배출되도록 진공 하에서 전기도금을 실시하고; 기판에 대한 가스 기포들의 부착을 감소시켜 피트(pits)의 형성을 최소화하기 위하여 반피팅(antipitting) 약품(예를 들어, 니켈 설파메이트 전해질용 SNAP)을 사용하고; 감소된 마이크로볼륨으로 인하여 전해액 압력을 국부적으로 증가시켜 용액 내에 수소를 보유하는 국부적인 영역 내의 전해액에 큰 압력을 가하도록 마스킹 압력을 증가시키고; (예를 들어, 액체 마스킹 성분에 미세 분말을 혼합함으로써) 마스크 재료에 수소 게더링 약품을 합체시킴으로써 최소화될 수 있다.
니켈 구조체로부터 구리를 선택적으로 제거하기 위한 유용한 식각 조성물은 CMOS 디바이스에 부착된 구조체를 식각하기에 바람직한 암모니움 수산화물 및 구리 황산염의 용액과, 암모니움 수산화물 및 나트륨 클로라이트의 용액과, 엔톤 OMI로부터 상업적으로 입수가능한 엔스트라이프 C38이다. 식각공정은 또한 진동, 예를 들어 전해액 또는 도금된 기판에 가해지는 초음파, 식각되어질 금속과 접촉하는 가압된 식각용액 분사체 및 계면활성제(surfactant)의 제공으로 수행될 수 있다. 구조금속 표면으로부터 연장된 얇은 돌기들(projections) 형태로 구조 금속 상에 나타나는 플래쉬(flash)는 예를 들어 산성 식각 또는 전기 연마에 의하여 제거된다.
전기도금 방법은 복합 미세구조와 부재들 간의 인접한 간극들을 갖는 소자들을 제조하기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어 부품들사이의 간격이 약 1 내지 5㎛ 사이인 인접한 간극들에 끼워맞추어지는 부품들을 갖는 소자를 제조하기 위한 방법은 조립되지 않은, 바람직하기는 정렬되기 전 상태에서 디바이스의 부품들을 전기도금하는 단계를 포함한다. 제조되면, 개별적인 부품들은 서로의 작동 관계로 이동될 수 있다. 도 14를 참고하면, 기어(192; gear) 및 지지 클립(200; retaining clips)을 갖는 샤프트(192)를 포함하는 디바이스(188)의 제조방법은 상술한 전기도금 방법을 포함한다. 조립 고정대(194)는 기어(190)와 미리정렬된 위치에서 도금된다. 지지 재료(198)이 식각될 때, 척(chuck, 196; 예를 들어 전자석 또는 진공)은 조립 고정대 부재들을 고정한다. 식각시, 기어(190)는 샤프트(192)와 접촉하도록 낙하한다. 그 뒤, 척(196)은 하강되어 조립 고정대(194)가 샤프트(192)상의 지지 클립들(200)에 대하여 기어(190)를 가압하게 되며 도 14c에 도시된 바와 같이 최종 위치로 된다. 도 14d-e에 도시된 바와 같이, 그 후 척(196)은 상승되어 완성된 디바이스(188)로부터 조립 고정대(184)를 제거한다.
전기도금 방법은 밀폐된 구조 재료가 제거 공정동안 식각되지 않도록 지지금속의 적어도 일부가 구조 금속으로 둘러싸인 소자를 제조하도록 사용될 수 있다. 도 15를 참고하면, 식각 용액에 의하여 영향받기 쉬운 지지 금속(238)이 제거된 후 지지금속(238)이 구조 금속(240) 내에 둘러싸여진 상태로 남아 있는 형태로 도금된 소자(236)의 단면이 도시된다.
전기도금 공정들은 몰딩(예를 들어, 사출몰딩, 금속사출몰딩, 반응사출몰딩, 열성형(thermoforming), 블로우 몰딩 및 다이 캐스팅)용 기구를 제조하도록 사용될 수 있다. 몰드 인서트(mold insert)는 부품의 방출 축(ejection axis)이 막들의 스택킹 축(stacking axis)과 평행하고 몰드될 부품의 구분 표면(parting surface)이 최종의 증착막으로 되도록 2개의 몰드 인서트를 배향시킴으로써 제조될 수 있다. 전기도금 방법은 도 16a에 도시된 바와 같이 언더컷(undercuts)을 포함하는 부품과, 도 16b에 도시된 바와 같이 드래프트(draft)가 없는 부재과, 언더컷은 없으나 구조 재료의 증착층들에 의한 드래프트를 갖는 몰드들을 형성하기 위하여 사용될 수 있으며, 구조 금속의 후속적으로 도금된 막 각각은, 도 16c 및 16d에 도시된 바와 같이, 임의적으로 지지 재료의 사용 없이 구조 금속의 이미 증착된 막[예를 들어 막(801-805)]의 경계부 내에 모든 놓여진다. 도 16c를 참고하면, 막(800)은 막(801) 전에 증착된다.
전기도금 장치(electroplating apparatus)
전기도금 방법은 다양한 전기도금 장치 내에서 진행될 수 있다. 전기도금 방법을 실행하기 위해 특히 유용한 하나의 장치가 도 17에 도시되어 있다. 장치(56)는 2개의 도금조(baths; 58, 60, 예를 들어, 니켈 도금조 및 구리 도금조) 및 검사 스테이션(62; inspection station)을 포함한다. 각 도금조(58, 60)는 상이한 금속을 전기도금할 수 있도록 구성된다. 각 도금조(58, 60)는 전해액, 애노드(59, 67) 및 전기도금 물품(4, 14)을 포함한다. 도시된 바와 같이, 장치(56)는 도금되어질 단일 기판(2)을 수용한다. 장치는 도금되어질 다수의 기판들 및 다수의 전기도금 물품들을 수용하도록 제작될 수 있다. 각 물품(4, 14)은 적어도 하나의 패터닝된 공형 마스크(6, 16)를 포함하고 금속의 패턴을 증착시킬 수 있다.
전기도금 방법의 기계적 및 전기화학적 제어는 컴퓨터에 의하여 제어될 수 있다. 도금되어질 기판(2)은 도금조(58, 60)와 세정 스테이션(66) 사이에서 DC 서보 모터, 스텝 모터 또는 그 결합장치와 정밀 엔코더(precision encoder)가 장착된 정밀 이송스테이지(64x, 64y, 64z)에 의하여 운반된다. 척(68)에 매달려진 기판(2)은 제1화학 도금조(58)로 유입되고, 마스크(6) 위에 위치하여, 마스크(6)에 접촉해서 도금을 실시한다. 미리 정해진 두께의 금속이 기판(2)에 도금된 후, 기판(2)은 도금조(58)로부터 분리되고 세정되어 제2도금조(60)로 이송되며, 제2도금조에서 제2마스크(16)에 접촉되어 설정된 두께(바람직하기는, 제1증착 금속의 두께와 동일)까지 도금이 진행되며, 세정된 후 제1도금조(58)로 복귀된다. PC 프레임 그래버(frame grabber)를 구비한 고해상도 비디오 마이크로스코프 시스템을 포함하는 검사 스테이션(62)은 증착막들의 화상을 하드디스크에 자동적으로 기록하기 위하여 제어 소프트웨어와 함께 사용될 수 있다. 바람직하게, 장치(56)는 밀봉된 챔버 내에 놓여지며, 마스크를 디가스(degas)하기 위한 진공 시스템을 구비한다.
기판에 제어된 균일한 압력을 제공하기 위한 유용한 매커니즘은 (예를 들어, 공압 또는 유압 실린더를 통한) 유체 압력을 제공하는 수단을 포함한다. 원형 기판을 가로질러 균일한 압력을 제공하기 위해 특히 바람직한 하나의 방법은 볼 조인트 [ball joint; 예를 들어, 실린더 또는 그의 연장부와 기판 사이에서 샌드위치되고 각각의 카운터 싱크(countersink)에 의하여 지지된 볼]를 통하여 기판의 중심에 압력을 공급하는 단계를 포함한다. 볼은 마스크 표면에 정합하도록 요구될 때 기판을 경사지게 허용하고 압력이 균일하게 분배되는 균형 위치를 파악하게 한다. 기판은 일단부가 이송부재에 고정된 단단하게 끼워진 유연한 튜브와 함께 기판 주변에 의하여 볼에 대해 지지될 수 있다.
매우 경직되고 정밀한 기계적 슬라이드(예를 들어, 교차 롤러 베어링이 결합된 기계적 슬라이드)는 결합된 기판의 반복가능한 위치를 제공하기 위하여 사용될 수 있다. 증착막의 평면에서 이동하는 스테이지들, X/Y 스테이지들은 클램프(예를 들어, 전자석 브레이크)에 의하여 위치에 고정될 수 있다.
도금되어질 기판을 이송하는 디바이스(예를 들어, 척)는 금속막들이 기판에 추가됨에 따라 위치로 이동하는 슬라이딩 절연튜브를 포함할 수 있다. 도 17 및 도 18을 참고하면, 지지체(14)상의 엣지 마스크(244)와 접촉하고 기판(2) 및 도금된 금속막(250)을 둘러싸는 슬라이딩 절연튜브(67)가 단면상태로 도시된다.
전기도금 장치는 물품을 도금되어질 기판에 접촉하기 직전에 물품의 음각외형에 의하여 한정된 체적으로 전해액을 분사할 수 있는 장치를 포함하도록 변형될 수 있다.
전기도금 장치는 장치 내의 입자 오염을 제어하기 위한 여과 시스템을 포함할 수 있다. 전기도금 물품들 및 기판(들)이 전기도금 장치에 선적된 후, 장치는 가압 세정, 초음파 교반(agitation) 및 여과로 이루어지는 자기-크리닝(self-cleaning) 싸이클을 수행할 수 있다. 장치 내의 공기는 여과 시스템, 예를 들어 헤파(HEPA) 여과 시스템에 의하여 정화된다. 공기 및 전해액 여과공정들은 전기도금 공정 전체에 걸쳐 연속적으로 진행될 수 있다. 전해액 여과시스템은 가열 및 펌핑 시스템에 결합될 수 있어 균일한 농도 및 일정한 온도를 유지하기 위하여 전해액을 연속적으로 순환시키고 데우게 된다.
도금된 금속과 도금된 금속막의 두께는 예를 들어, 설정된 시간동안의 금속의 증착률 및 도금율을 측정하고; 도금 효율성을 위한 조정, 계산된 마스크 영역을 위한 정상화 및 도금 두께의 계산을 수행하고; 및 폐루프 두께 제어(closed loop thickness control)에 의하여 제어될 수 있다. 폐루프 시스템은 전기도금 방법을 제어하는 소프트웨어로 측정된 금속 도금 비율을 기초로 한 평가치를 입력하는 단계와; 제1금속을 소정의 두께보다 얇게 도금하고 제2전기도금 물품에 대하여 기판을 가압하여 전기도금 물품의 마스크를 도금된 제1금속에 접촉시키는 단계와; 도금막의 두께에 동일한 양만큼 지지체로부터 기판을 강제이송시키는 단계와; 기판 척에 연결된 고해상도(예를 들어, 0.1㎛) 엔코더를 이용하여 도금된 제1금속의 두께를 판독하는 단계와; 제1금속에 대한 저장된 비율값을 갱신하기 위하여 소프트웨어에 이 데이터를 입력하는 단계와; 제1금속막의 잔여 두께를 도금하는 단계를 포함한다. 이 공정과 도금된 제2금속의 도금두께 측정을 위한 그 보충 방법은 모든 막들에 대하여 반복될 수 있다.
기판과 전기도금 장치의 구동축(후술하기로 함)에 대한 전기도금 물품의 마스크의 위치와 방향은 도금되어질 기판 상의 역전된 영역과 정렬패턴을 각각 갖는 적어도 2개의 이격분리된 마스크를 사용하는 정렬과정에 의하여 결정된다. 기판에 마스크를 정렬시키기 위하여 금속의 얇은막은 기판의 정렬패턴 상에 도금되고, 기판에 대한 마스크의 회전 및 이송 오정렬은 예를 들어, 비디오 마이크로스코프에 의하여 측정되고 보정된다. 정렬의 정확성은 도금된 패턴들의 제거 및 새로운 패턴들의 재도금에 의하여 확인될 수 있다. 정렬은 필요한 경우 전기도금 방법을 통해서 반복될 수 있다.
유용한 정렬방법의 다른 예는 제1피치를 갖는 미세 라인 패턴이 상이한 피치를 갖는 라인의 제2패턴 상에 증착되는 버니어(vernier) 패턴을 사용한다. 현존하는 패턴과 비교하여 증착된 패턴의 피치 간격은 정렬 에러의 지시를 제공한다.
도 19를 참고하면, 제1금속 이온들을 함유하는 도금조(68), 예를 들어 니켈 도금조, 제2금속 이온들을 함유하는 도금조(70), 예를 들어 구리 도금조 및 다수의 전기도금 물품(72a-f 및 74a-f)을 포함하는 다른 전기도금 장치(66)의 일부분이 도시되어 있다. 도금되어질 각 기판(2; 2a-e로 붙여짐)은 도금조(68)의 좌측단(76)에서 장치(66)로 유입되고 물품(72a)에 접촉하여, 물품(72a)의 마스크의 패턴으로 제1금속이 도금되고, 세정(도시되지 않음)된 후 도금조(70)로 이송되고 물품(74a)에 접촉하여, 물품(74a)의 마스크의 패턴으로 제2금속이 도금되며, 세정(도시되지 않음)된 후 물품(72b)로 이송되어 도금조(68)에서 마찬가지이다. 도시된 바와 같이, 기판(2a)은 제1의 3개 막과 4번째 막의 제1금속부에 적합하게 제1금속과 제2금속의 증착을 수용한다. 기판(2b)은 기판(2a)보다 하나의 막이 아래에 있고, 기판(2c)은 웨이퍼(2a)보다 2개의 막이 아래에 있다.
수십 또는 수백개의 증착막을 요구하는 소자(예를 들어, 디바이스)에 있어서, 전기도금 시스템은 전기도금 물품들이 링형태로 배치되고 개별적인 전기도금 물품이 도금되어질 기판 각각과 접촉한 후에 대체되는 환형으로 배열될 수 있다. 전기도금된 구조체를 다량으로 생산하기 위한 장치의 한 예가 도 20에 도시된다.
장치(78)는 8인치 직경의 기판(2)을 24개 처리하도록 구성되어 있다. 장치 (78)는 설계상 동심(concentric)이며, 2개의 외부링(80, 82)과 하나의 중앙 디스크(85)를 포함한다. 외부링(80)은 제1금속을 선택적으로 도금하기 위한 전해질 조(84)와 전기도금 물품(도시되지 않음)을 포함한다. 내부링(82)은 제2금속을 블랭킷-도금하기 위한 전해질조(86)를 포함한다. 내부링(82)은 제2금속을 선택적으로 도금하기 위한 전기도금 물품을 포함할 수 있다. 도금된 금속막을 평탄화시키기 위한 회전하는 랩핑(lapping) 플레이트(85; 요구되는 경우)는 장치(78)의 중앙에 위치한다. 모든 공정들(선택적 도금, 블랭킷 또는 선택적 도금 및 임의적인 평탄화)은 단일 싸이클 동안 발생하지만, 다른 기판들(2) 상에서도 실시된다. 싸이클의 종기에서, 도금을 수행하는 기판들은 부분적으로 화살표로 도시된 패턴으로 이동한다. 시스템 내에서 모든 싸이클이 종료되고 개시위치에 도착한 후에 8개의 막이 증착된다. 제1도금 물품에 제1기판이 도착되기 전에, 제1도금 물품은 새로운 도금 물품로 교체될 수 있다. 마찬가지로, 다른 도금 물품들이 각 기판에 접촉한 후, 그들은 교체될 수 있으며, 기판(2)은 장치(78)주변을 계속 이동하며 제조된 장치를 위하여 요구되는 수만큼의 막들을 수용한다.
세정 스테이션은 도시되지 않았지만 도금 물품들 사이의 공간에 위치될 수 있다. 이러한 장치는 약 500 평방 마이크론 X 200 마이크론(500 micron square by 200 microns tall)인 약 250만개 디바이스들을 8시간 동안 동시에 제조하는 것을 가능하게 한다.
전기도금 장치는 또한 적어도 2개의 금속들(예를 들어, 첨가된 구리 황산염을 갖는 와트조(Watt bath))이온들을 함유한 단일 도금조를 포함할 수 있다. 이들 이온들의 공통 도금조로부터 2개의 금속들을 선택적으로 증착하는 방법은 J. Material Sci., 22권 494쪽(1987 발행)에 나타난 에이취. 야할롬 및 오. 쟈도크의 "전자증착에 의하여 성분적으로 모듈레이트된 합금의 형성"에 설명되어 있다. 도금조는 적어도 2개의 전기도금 물품들을 포함하며, 그 하나는 금속들중 하나를 도금하는데 사용된다. 물품들은 단일 마스크 패턴 또는 지지체의 표면상에 나란히 배열된 상태인 다수의 마스크 패턴들을 포함할 수 있다. 다수의 마스크 패턴들을 갖는 물품인 경우, 3차원적 구조를 형성하기 위하여 주기판은 설정된 순서로 다른 마스크 패턴에, 대안적으로 제2물품 상에서 마스크 패턴(들)과 접촉할 수 있다. 도 21을 참고하면, 2개의 금속 이온, 예를 들어 니켈과 금속 이온들을 포함하는 단일 도금조(90), 제1금속 도금용 물품(92), 제2금속 도금용 물품(94) 및 기판(2a-e)을 포함하는 전기도금 장치(88)가 도시된다.
각 기판(2)은 도금조(90)의 좌측단(96)에서 장치(88)로 유입하여 전기도금 물품(92a)과 접촉해서, 전기도금 물품(92a)의 마스크 패턴으로 제1금속이 도금되며, 물품(94a)로 이송되어 접촉해서, 전기도금 물품(94a)의 마스크의 패턴으로 제2금속이 도금되며, 전기도금 물품(92b)로 이송되어 마찬가지 과정을 거친다. 도시된 바와 같이, 기판(2a)은 미세구조의 제1의 3개의 막과 4번째 막의 제1금속부분을 위해 제1금속과 제2금속의 증착을 수용한다. 기판(2b)은 기판(2a) 보다 한 막의 아래이고, 기판(2c)은 웨이퍼(2a) 보다 2개 막의 아래이다.
공통 도금조 전기도금 시스템에서 구리 증착률을 향상시키기 위하여, 예를 들어, 도금전류 펄싱단계(pulsing)와, 온도 증가단계(예를 들어, 레이저 여기도금; laser enhanced plating)와, 전기도금 물품의 지지체를 통한 도금액 펌핑단계과, 초음파 진동단계과, 구리 디스크 근처에서의 구리 함유량의 증가단계를 포함하는 다양한 방법이 사용될 수 있다. 구리 농도를 국부적으로 증가시키기 위한 방법은 더미 기판 상에서 도금하는 동안 구리 애노드의 전기정적(galvanostatic) 용해를 포함한다. 약 20-50mA/㎠의 밀도로 전류 펄스를 공급함으로써 니켈과 구리 모두는 막(약 1-2mm의 두께)을 형성하기에 충분한 구리가 애노드와 기판 사이에 위치한 전해액 내에 발생할 때까지 더미 기판 상에 증착된다. 이러한 점에서, 더미 기판은 실제 기판으로 대체되며 애노드는 니켈 애노드로 교체된다. 그 뒤, 구리는 잠정적 (potentionstatically)으로 증착된다.
구리의 농도를 국부적으로 증가시키는 또다른 방법은 도 22에 도시된 바와 같이 전기도금 물품 홀더(98)를 사용하는 것을 포함한다. 전기도금 물품 홀더(98)의 체적(volume)은 구리가 풍부한 전해액을 포함하고, 실린더의 측벽(100)과, 공형 마스크(104)를 갖는 다공성 지지체(102)와, 애노드(106; 예를 들어 백금과 합금된 불용성 타타니움 애노드)에 의하여 한정된다. 전기도금 물품 홀더(98)는 전해액을 이송하기 위한 유입포트와 배출포트를 포함한다. 전기도금 물품 홀더(98)는 니켈 도금조 내에 잠겨질 수 있으며, 임의적으로 기판이 간헐적으로 통과되어지는 베리어에 의하여 분리될 수 있다.
일반적으로, 전기도금 물품과의 접촉상태에 있지 않는 동안 기판상에 자연적인 증착의 위험성이 있을 때, 기판은 바람직하게 기판이 구리 전기도금 물품과 접촉할 때까지 구리 감소가 발생하는 위치에서의 전위보다도 더 양전위(more positive potential)인 위치에서 바이어스(biased)되며, 전류는 인가된다. 유사하게, 전류가 제거되면, 기판이 전해액으로부터 제거되거나 다른 물품로 공급될 때까지 기판은 바람직하게 다시 바이어스(bias)되며, 전류는 다시 공급된다.
다른 전기도금 장치가 도 23에 도시되어 있다. 장치(260)는 도금조(262, 264; 예를 들어 니켈 도금조와 구리 도금조), 검사 스테이션(266) 및 랩핑 스테이션(268; lapping station)을 포함한다. 각 도금조(262, 264)는 상이한 금속을 도금할 수 있도록 구성된다. 각 도금조(262, 264)는 전해액 및 애노드(270, 272)를 포함한다. 도금조(264)는 또한 제1금속을 선택적으로 증착하기 위한 전기도금 물품 (274)를 포함한다. 도금조(262)는 제2금속을 블랭킷(blanket) 증착하기 위하여 사용된다. 도금조(262)는 기판(2) 상에 구성된 소자의 측면을 절연하기 위한 마스크(276)를 포함하여 금속이 소장의 양측면에 도금되는 것을 방지한다. 도 24를 참고하면, 기판이 전기도금조(262) 내에 위치하고 부분적으로 마스크(276)에 의해서 절연되어 있는 전기도금 장치의 일부분이 도시된다. 기판(2)은 선택적 증착막(278)과 블랑킷 증착막(280)을 포함한다.
도 25를 참고하면, 다공성 멤브레인을 포함하는 전기도금 물품을 포함하는 전기도금 장치의 일 예가 도시된다. 도금되어질 기판(2)과 접촉하는 전기도금 물품(108)은 비교적 강성인 다공성 매체(110)를 포함하며, 이 매체는 비교적 거친 기공도와 비교적 얇고 유연한 멤브레인(112)을 가지며, 이 멤브레인은 비교적 미세한 기공도 및 멤브레인(112)에 부착된 패터닝된 마스크(114)를 구비한다. 패터닝된 마스크(114)는 기판(2)과 접촉된 상태이며, 애노드(116)는 다공성 매체(110)를 넘어서 배치된다. 금속 증착물(118)은 마스크(114)에 의하여 한정된 개구(즉, 음각외형) 내에 형성된다.
도 26을 참고하면, 다공성 멤브레인(112)을 사용하는 전기도금 장치(120)의 다른 예가 도시되어 있다. 취급 및 공정을 허용하고, 기판에 대한 멤브레인(112)의 위치를 유지하고 또한 다공성 멤브레인(112)과 접촉하는 강성의 다공성 매체(110)를 통해서 압력이 다공성 멤브레인(112)에 작용되어지는 것을 허용하는 방식으로 다공성 멤브레인(112)은 드럼 헤드(122) 상에 장착된다. 다공성 멤브레인(112)은 동심의 O-링들(124) 사이에서 클램프되며, 조임 나사(128)에 의해 강성의 다공성 매체 또는 도시된 바와 같이 중공형 원통의 "배럴"(126; barrel) 이상으로 팽팽하게 당겨진다. 만일 배렐이 사용된다면, 멤브레인(112)의 일측과 접촉을 이루기 위하여 강성의 다공성 매체(110)는 배렐(126) 내에 위치한다. 도금기판(2)은 다공성 멤브레인(112)의 다른 측면과 접촉한다. 마스크와 도금기판(2) 사이에 보다 균일한 접촉압력을 제공하기 위하여 유연한 중간물질(intermediate compliant material; 도시되지 않음), 예를 들어 개방형 기공폼(open pore foam)은 다공성 멤브레인(112)과 강성의 다공성 매체(110) 사이에 배치될 수 있다.
자동화된 공정
본 발명은 또한 3차원 구조를 위한 매우 얇은 횡단면의 마스크 패턴을 형성하기 위한 방법 및 3차원 구조를 형성하기 위하여 예정된 순서로 발생된 마스크 패턴들을 갖는 전기도금 물품들을 접촉시키는 단계를 포함하는 자동화된 전기도금 방법을 특징으로 한다.
이 방법은 주어진 기하학적 구조에 적합한 마스크의 수를 최적화하기 위하여 자동 마스크 최소화 알고리즘을 이용한다. 도 27에 도시된 디바이스(602)와 같은 밸브(valve)에 대한 방법의 적용은 디바이스(602)의 횡단면을 나타내는 점선(A-D)을 참고로 하여 설명될 수 있다. 횡단면 B와 C는 동일하며, 횡단면 A와 D는 동일하다. 단일 마스크는 횡단면 B와 C를 위하여 사용될 수 있고 다른 마스크는 횡단면 A와 D를 위하여 사용될 수 있다. 알고리즘은 동일 디바이스 또는 다른 디바이스를 형성하기 위하여 사용가능한 것과 동일 금속용으로 이미 계산된 횡단면과 새로 계산된 횡단면을 비교한다. 만일, 두 단면들간의 차이가 설정된(사용자가 특정한) 공차를 초과한다면 새로운 마스크가 발생된다. 이는 마스크의 수가 최소화되는 것을 허용하며, 다수의 전기도금 물품들로부터 제조되는 막들의 수를 최대화하는 것을 허용한다. 프로그램은 전기도금 장치를 제어하는 소프트웨어를 지시하는 장치 제어 파일을 발생하여 예정된 순서로 전기도금 장치 내에서 마스크 위치에 대응하는 마스크들을 선정하며, 막을 도금한다. 시스템은 또한 제조되려는 부품의 제1횡단면을 나타내는 레이아웃 파일을 전송하여 CMOS 인터페이싱용 패드 설계가 표준 레이아웃 편집기를 이용하도록 허용한다. 시스템은 또한 에러 점검을 허용하기 위하여 계산된 횡단면을 사용자에게 나타낸다.
도 28은 본 발명의 실시예에 따른 3차원적 구조의 횡단면의 계산을 위한 예시적인 컴퓨터 시스템의 기능적 블록도이다. 도 28에 도시된 바와 같이, 시스템(610)은 프로세서(612), 메모리[614; 예를 들어 랜덤 억세스 메모리(RAM)와, 프로그램 메모리(예를 들어, 플래쉬 ROM과 같이 기록가능한 읽기전용 메모리(ROM)], 입력장치(616) 및 출력장치(618)를 포함한다. 프로세서(612)는 PC, 매킨토시 또는 워크스테이션과 같은 범용 컴퓨터의 일부를 형성하는 중앙 처리 유니트(CPU)를 포함한다. 메모리(614)는 조작 시스템 모드와 응용 프로그램 코드를 포함하는 프로세서(612)에 의한 실행용 프로그램 코드를 저장하며, 일반적으로 프로세서(612)에 의하여 억세스된 랜덤 억세스 메모리와 협력하여 마그네틱 하드 드라이버 또는 다른 저장 장치를 나타낸다. 한 예로서, 메모리(614)는 응용 프로그램 코드를 수반하는 제거가능한 저장 매체와 접촉하는 저장 드라이브에 의하여 부분적으로 구현될 수 있다. 입력장치(616)는 키보드, 마우스 등과 같은 사용자 입력용 매체를 포함한다. 출력장치(618)는 그래픽 출력을 제공하는 뷰 스크린, 예를 들어, CRT 또는 플랫 패널 모니터, 프린터(예를 들어, 데스크 탑 프린터, 잉크젯 프린터, 레이저 프린터, 포토플롯터 등), 본 발명의 전기도금 장치 및 리노트로닉 (linotronic) 프린터 등을 포함하는 디스플레이 장치를 포함한다.
도 29는 마스크 기하학적 형상을 발생시키기 위한 방법 및 3차원 구조의 제작을 위한 기계 제어 파라메터(parameter)를 예시하는 흐름도이다. 참고번호 620으로 지시된 바와 같이 사용자가 응용 프로그램을 시작할 때, 프로세서(612)는 블록 622로 지시된 바와 같이 입력 장치(616)로부터 횡단면 처리될 구조의 3차원적 기하학적 형상에 대응하는 입력을 받아 처리한다. 프로세서(612)는 블록 623으로 지시된 바와 같이 3차원적 구조의 전체적인 기하학적 형상의 막 평면 내에서의 범위를 결정한다. 프로세서(612)는 블록 624로 지시된 바와 같이 막(하나 이상의 횡단면을 포함함)의 갯수 M을 1로 설정하고, M번째 막에 적합한 횡단면을 발생시킨다. 프로세서(612)는 블록 625로 지시된 바와 같이, 예를 들어, 마스크 최소화를 위한 3차원적 지오메트리의 스케일링(scaling), 막 두께, 마스크 규격, 사본(copies)의 수, 간격, 공차 등을 포함하는 각 마스크 지오메트리에 관련된 입력을 판독한다. 프로세서(612)는 블록 616으로 지시된 바와 같이 M번째 막에 대응하는 마스크의 지오메트리를 만들며, 블록 628과 630으로 지시된 바와 같은 마스크 패턴 파일로 횡단면의 지오메트리를 서입하며, 블록 628과 632로 지시된 바와 같이 기계 제어 파일로 M번째 막을 위한 마스크 식별 번호를 서입한다. 메모리(614)는 블록 630에 지시한 바와 같이 마스크 패턴 파일 내에 마스크 패턴을 저장한다. 메모리(614)는 블록 632에 지시된 바와 같이 기계 제어 파일 내에 위치 정보를 저장한다. 프로세서(612)는 블록 634로 지시된 바와 같이 3차원 구조의 지오메트리를 완성하기 위하여 부가적인 횡단면들이 필요한지를 문의한다.
만일 그렇다면, 프로세서(612)는 M을 하나씩 증가시키며, 블록 636에 지시된 바와 같이 M번째 막을 위한 횡단면을 발생시킨다. 프로세서(612)는 블록 638 및 640으로 지시된 바와 같이, M번째 막을 위한 마스크의 지오메트리를 만들며 N을 0(zero)로 설정한다. 프로세서(612)는 블록 642 및 646으로 지시된 바와 같이, 설정된 공차 값 내에서 M번째 막을 위한 마스크의 지오메트리가 M-N번째 막을 위한 마스크의 지오메트리와 동일 또는 유사한지를 문의한다.
만일 그렇다면, 프로세서(612)는, 블록 648에 지시된 바와 같이, M번째 막의마스크 지오메트리를 M-N번째 막의 지오메트리로 교체한다. 프로세서(612)는 막 M을 위한 마스크 식별 번호를 기계 제어 파일(블록 650 및 652로 지시된 바와 같이)로 서입하며, 마스크 지오메트리를 마스크 패턴 파일에 서입한다.
만일 그렇지 않다면, 블록 654에 지시된 바와 같이, 프로세서(612)는 M-N이 1보다 큰지 아니면 동일한지를 문의한다.
만일 그렇다면, 프로세서(612)는 N을 하나씩 증가시키며 블록 642에 지시된 바와 같이 M번째 막을 위한 마스크의 지오메트리를 M-N번째 막을 위한 마스크의 지오메트리와 비교한다. 만일 프로세서(612)가 M번째 막의 지오메트리가 이전의 각 마스크의 지오메트리와 비교하여 지오메트리가 일치되지 않는다는 것을 계산하면, 프로세서(612)는 그 뒤 블록 656에 지시된 바와 같이, M번째 막을 위한 마스크의 지오메트리를 생성한다. 그 후, 프로세서(612)는 M번째 막을 위한 지오메트리를 마스크 패턴 파일(블록 658에 지시된 바와 같이)에 서입하며, 마스크 패턴 파일로 출력을 전송(블록 660으로 지시된 바와 같이)하며, M번째 막을 위한 마스크 식별 번호를 기계 제어 파일에 서입(블록 650 및 652에 의하여 지시된 바와 같이)한다.
프로세서(612)는 부가적인 횡단면들이 3차원 대상물을 만들기 위하여 필요한지를 문의(블록 634에 의하여 지시된 바와 같이)한다.
만일 그렇다면, 프로세서(612)는 M을 하나씩 증가시키며 프로세스를 다시 계속한다.
만일 그렇지 않다면, 프로세스는 종료한다.
도 30은 3차원적 대상물의 횡단면 슬라이스(slice)를 나타내는 패터닝된 마스크를 이용하여 기판 상에 금속을 전기도금하는 방법을 설명하는 흐름도이다. 참고 번호 720에 의하여 지시된 바와 같이, 사용자가 응용 프로그램을 시작하면, 블록 722에 의하여 지시된 바와 같이, 프로세서(612)는 기계 초기화를 위하여 전기도금 장치에 신호를 보내고 0(zero)과 동일한 도금된 막들의 수 M을 설정한다. 프로세서(612)는 M을 하나씩 증가(블록 724에 의하여 지시된 바와 같이)시키고, 1과 동일한 P(즉, 도금되어질 다른 금속들의 수)를 설정하며, 임의적으로 금속의 자발적인 증착을 방지하기 위하여 기판을 바이어스(biased)한다. 프로세서(612)는 어떠한 막이 도금되어질지를 결정하기 위하여 기계 제어 파일을 독출(블록 730에 의하여 지시된 바와 같이)하며, 도금되어질 마스크 패턴의 위치를 계산(블록 728에 의하여 지시된 바와 같이)하기 위하여 마스크 위치 파일을 독출(블록 732에 의하여 지시된 바와 같이)한다. 막 M의 재료 P를 위한 마스크로 도금되어질 기판을 정렬하고 마스크에 기판을 접촉시키기 위하여 프로세스(612)는 전기도금 장치를 제어한다. 필요한 경우, 블록 734에 의하여 지시된 바와 같이 프로세서(612)는 임의적으로 막의 두께를 측정한다. 프로세서(612)는 기판이 마스크와 접촉한 상태라는 입력을 받아, 블록 736에 의하여 지시된 바와 같이, 기판 바이어스(만일 턴 온 상태이면)를 턴 오프(turned off)시킨다. 프로세서(612)는, 블록 738에 의하여 지시된 바와 같이, 장치에 막 M을 위한 재료 D의 증착을 지시한다. 프로세서(612)는 막이 증착되어졌다는 입력을 받아, 만일 요구되면, 기판에 바이어스(bias)를 공급(블록 740에 의하여 지시된 바와 같이)한다. 프로세서(612)는 마스크와 접촉한 상태로부터 기판을 제거할 것(블록 740에 의하여 지시된 바와 같이)과 (필요한 경우)막 M을 설정된 두께로 평탄화시킬 것(블록 744에 의하여 지시된 바와 같이)을 장치에 지시한다. 프로세서는, 블록 746에 의하여 지시된 바와 같이, P가 막 M의 금속의 수보다 큰지를 문의한다.
만일 그렇다면, 프로세서(612)는 P를 1씩 증가(블록 748에 의하여 지시된 바와 같이)시키며, 막 M의 금속 P(즉, Pi+1)를 위한 마스크와 함께 기판을 정렬시키기 위하여 전기도금 장치를 구동한다. 프로세서(612)는 기판을 마스크에 접촉시키기 위하여 전기도금 장치를 구동하며, 상기 공정은 P가 막 M상의 금속의 수와 동일할 때까지 반복된다.
만일 그렇지 않다면, 프로세서(612)는 M이 마지막 막인지를 문의(블록 750에 의하여 지시된 바와 같이)한다.
만일 그렇다면, 프로세서(612)는 부호 752에 의하여 지시된 바와 같이 전기도금 공정을 종료한다.
만일 그렇지 않다면, 프로세서(612)는 블록 724에 의하여 지시된 바와 같이 M을 1씩 증가시키며, 프로세서(612)는 마지막 막이 도금될 때까지 전기도금 공정을 구동한다.
본 발명의 데이터 처리 및 제어 공정들은 디지털 전자 회로, 또는 컴퓨터 하드웨어, 퍼엄웨어(firmware), 소프트웨어 또는 그들의 결합수단 내에서 실행될 수 있다. 본 발명의 데이터 처리 및 제어 공정들은 프로그램가능한 프로세서 (programmable processor)에 의한 실행을 위하여 기계-독출가능한 저장 장치 내에서 실체적으로 구현된 컴퓨터 프로그램 제품 내에서 실행될 수 있으며, 본 발명의방법 단계들은 입력 데이터의 연산 및 출력 발생에 의한 본 발명의 기능들을 수행하기 위하여 지시 프로그램(program of instructions)을 수행하는 프로그램가능한 프로세서에 의하여 수행될 수 있다. 본 발명의 데이터 처리 및 제어 공정들은 유리하게 하나 또는 그 이상의 컴퓨터 프로그램들 내에서 실행될 수 있으며, 컴퓨터 프로그램들은 프로그램가능한 시스템 상에서 실행될 수 있고, 프로그램가능한 시스템은 적어도 하나의 입력 장치로 부터 데이터와 지시를 받고 적어도 하나의 출력 장치로 데이터 및 지시를 전송하기 위하여 데이터 저장 시스템과 연결된 적어도 하나 이상의 프로그램가능한 프로세서를 포함한다. 각 컴퓨터 프로그램은 고-레벨 절차상의 또는 객체 지향적인 프로그램 언어 또는 필요한 경우 어셈블리 또는 기계 언어로 실행될 수 있으며, 어떠한 경우에는 언어는 컴파일된(compiled) 또는 기계번역된(interpreted) 언어일 수 있다. 한 예를 들면, 적절한 프로세서는 일반적이고 특별한 목적의 마이크로프로세서들을 포함한다. 일반적으로, 프로세서는 리드 온리 메모리(real only memory) 및/또는 랜덤 억세스 메모리(random access memory)로 부터 지시와 데이터를 받게된다. 컴퓨터 프로그램 지시 및 데이터를 실체적으로 구현하기 위한 유연한 저장 장치들은 모든 형태의 비활성 메모리(non-volatile memory)를 포함하며, 예로서 EPROM, EEPROM 및 플래쉬 메모리 장치와 같은 반도체 메모리 장치; 내부 하드디스크와 제거가능한 디스크와 같은 자기 디스크들; 자기-광학 디스크; CD-ROM 디스크를 포함한다. 상술한 것들중 어느 것도 ASICs(특정 응용 집적회로; application-specific integrated circuit)에 의하여 또는 결합함으로서 보완될 수 있다. .
사용자와의 상호작용을 고려하기 위하여, 본 발명의 데이터 처리 및 제어 공정들은 정보를 사용자에게 디스플레이 하기 위한 모니터 또는 LCD 스크린과 같은 디스플레이 장치와 사용자가 컴퓨터 시스템에 입력할 수 있는 키보드 및 마우스 또는 트랙볼(trackball)과 같은 포인팅 장치를 구비한 컴퓨터 시스템 상에서 실행될 수 있다. 컴퓨터 시스템은 컴퓨터 프로그램들을 사용자와 상호작용을 하게 하는 도식적인 사용자 인터페이스를 제공하기 위하여 프로그램 될 수 있다.
다른 실시예들은 청구범위 내에서 설명된다. 상술한 설명이 평면 기판에 관한 것이질라도, 기판은 비평면(non-planar)일 수도 있다. 이러한 실시예들에서, 전기도금 물품은 기판 표면의 형태와 같아지도록 충분히 유연할 수 있거나, 표면에 맞는 형태로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 전기도금 물품은 원통형 기판 주변을 감쌀 수 있다. 마스킹 압력은 마스크와 형태가 같아지는 분말 매체(powdered medium)를 통하여 비평면 기판에 인가될 수 있다.
나아가, 전기도금 방법이 2개의 금속들에 관하여 설명되었지만, 다양한 물질, 예를 들어 폴리머, 세라믹 및 반도체 재료, 다른 많은 금속들이 상술한 바와 같은 전기도금 방법들에 의하여 증착될 수 있거나 전기도금 방법을 통하여 발생되는 개별적인 공정들 내에서 증착될 수 있다. 얇은 도금 베이스는 연속적인 전기도금을 가능하게 하기 위하여 예를 들어, 스퍼터링에 의하여 충분한 도전성(예를 들어, 절연막)을 갖는 증착물 상에 증착될 수 있다. 다수의 지지 재료들은 지지 재료들의 선택적인 제거를 허용하는 전기도금된 요소 내에 포함될 수 있다.
본 발명의 전기도금 방법들은 다른 공정들과 조합한 상태로 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 31을 참고하면, 식각 정지 수단으로 기능하는 구조 금속(186)에 의하여 한정된 캐비티(184; 즉 모터의 로터 코어(rotor core))를 형성하기 위하여 기판(182)상의 알루미늄 패드에서 집적 회로와 연결되는 아마추어 권선(180; amateur winding)을 포함하는 전자석 모터(178)는 전기도금 공정의 중단 및 지지 금속(예를 들어 패터닝된 레지스트를 사용)의 일부분을 식각함으로서 형성된다. 그 후, 캐비티(184)는 자화 분말(예를 들어, Ne-Fe-B)로 채워지며 추후에 소결 (sintered), 자화된다. 만일 필요하면, 도금 베이스를 형성하기 위하여 금속은 소결된 자화 분말 상에서 스퍼터(sputtered)되며, 전기도금 공정은 다시 시작된다. 진공을 형성하기 위하여 이러한 캐비티들은 고체, 유체로 채워질 수 있거나 또는 비워진다.
다수의 금속들이 증착되어지는 위치에서, 기판을 단순히 마스킹 함으로서 금속들은 기판상에서 선택적으로 증착될 수 있다. 기판 상에서 선택적으로 도금되는 금속은 또한 먼저 증착된 금속들 상에 증착된다. 주어진 막을 위한 각 금속이 증착된 후, 또는 수시로 막은 소정의 두께를 위하여 평탄화된다. 대안적으로, 마스크는 이전에 증착된 모든 금속을 덮을 수 있다. 부분적으로 도금된 기판의 형태 (tophography)를 수용하기 위하여 마스크는 또한 두께면에서 계단모양이 될 수 있다.
전기도금 방법의 또다른 실시예는 다음 방법들에 따라 형태와 위치면에서 한정된 구조를 제조하는 방법을 포함한다; 상호연결된 다공성 재료(porosity; 예를 들어 부분적으로 소결된 세라믹)와 함께 강성의 고강도 재료를 일부 준비하는 방법과; 재료의 표면을 형상화시켜 소정의 증착물의 형태와 반대(몰드 제조 센스 (sense) 내에서)의 형태를 갖게 하는 단계와; 마지막 증착 표면의 소정의 위치에 재료를 위치시켜 그 표면이 도금되어질 표면의 반대쪽에 놓여지게 하고 그 다른 쪽에 애노드를 위치시키는 방법과; 재료의 이동(연속적으로 또는 주기적으로)동안 그 표면이 원하는 증착물(평면 표면용으로는, 평면 내에서 이동시키며, 원통형 표면용으로는 축방향으로 이동시킨다)의 표면과 일치되는 상태로 남아있게 하는 방법으로 충분한 힘으로 금속을 기판상에 증착시키는 방법(재료의 구멍들 내로 연장된 증착물의 일부를 잘라 내거나 제거하기 위하여 이 운동은 충분하게 주기 폭이 큰 진동일 수 있다)과; 증착물이 재료의 형태로 몰드되는 기판과 재료들 사이의 전 공간이 증착물로 채워질 때까지 도금을 계속하는 방법. 유체와 함께 재료를 화학적으로 흘리고(flushing), 방해되는 재료를 용해시키거나 애노드와 접촉상태인 방해된 표면을 위치시키고, 전해액 내의 기판상에서 재료를 디플레이팅(deplating)시킴으로서 재료는 배열 또는 주기적으로 회복 (reconditioned)될 수 있다.
도 32를 참고하면, 전기도금 물품의 다른 실시예가 도시된다. 전기도금 물품(200)은 패터닝된 강성의 기판(예를 들어, 폴리메틸메타크릴레이트)에 부착되고 같은 공간에 걸쳐있는(coextensive) 마스크를 포함한다. 전기도금 공정이 진행되는 과정에서, 증착물은 물품의 윈도우(들)(즉, 음각 마스크부)에 형성된다. 특히, 기판(204)은 도 32a에 도시된 바와 같이 패터닝된 제1전기도금 물품에 접촉하며; 제1금속 증착물(206)은 제1전기도금 물품(200)에서 패턴(202)에 의해 한정된 형태로 형성되고 제1물품(200)은 그 후 제거되며(도 32b); 기판(204)는 그 후 패터닝된 제2전기도금 물품(208)과 정렬된 상태로 접촉되며(도 32c), 증착물(210)이 형성되며, 제2물품(208)이 제거된다(도 32d). 도금된 금속은 그 후 평탄화되며, 이 공정은 충분한 두께와 규격을 갖는 요소가 이루어질 때까지 반복된다. 전기도금 물품은 도금된 금속과 겹쳐진 영역(210)을 포함할 수 있으며, 이는 대응하는 보다 두꺼운 두께를 갖게 된다. 증착된 금속의 평탄막을 형성하기 위하여 겹쳐진 영역은 평탄화될 수 있다. 전기도금 물품에 대하여 애노드 또는 다공성 매체를 가압함으로서 마스킹 압력은 제공될 수 있다. 마스크는 그 두께를 증가시킴으로서 보다 딱딱해질 수 있다.
전기도금 방법이 물품과의 캐소드 접촉 및 캐소드 상에서의 도금과 관련하여 설명되었을지라도, 전기도금 물품은 애노드로서의 기능을 수행하는 기판과의 접촉 상태로 위치시킬 수 있는 것이 고려되어져 전기도금 물품 상의 패턴에 대응하는 패턴 내의 애노드로부터 금속이 선택적으로 제거된다. 이러한 공정은 선택적으로 기판, 예를 들어 플라그의 식각, 조각(engrave) 및 연마하는데 이용된다.

Claims (14)

  1. a) 제1지지체와 상기 제1지지체 상에 소정의 패턴으로 배치된 제1정합가능한 마스크로 이루어진 제1물품과 기판을 접촉시키는 단계와;
    b) 상기 제1정합가능한 마스크 패턴의 보충물에 대응하는 제1패턴으로 제1금속이온 소스로부터 제1금속을 상기 기판 상에 전기도금하는 단계와;
    c) 상기 기판으로부터 제1물품을 제거하는 단계와;
    d) 제2금속이온 소스로부터 제2금속을 상기 기판 상에 전기도금하는 단계를 포함하는 전기화학적 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2금속을 전기도금하는 단계는,
    a) 제2지지체와 상기 제2지지체 상에 소정의 패턴으로 배치된 제2정합가능한 마스크로 이루어진 제2물품과 상기 기판을 접촉시키는 단계와;
    b) 상기 제2물품의 상기 제2정합가능한 마스크 패턴의 보충물에 대응하는 제2패턴으로 상기 기판 상에 상기 제2금속을 전기도금하는 단계와;
    c) 상기 기판으로부터 상기 제2물품을 제거하는 단계를 포함하는 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    청구항 1의 단계 a)~d)는 제1막을 형성하고, 상기 제1막 상에 부가적인 막들을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  5. a) 패터닝된 정합가능한 마스크와 기판을 접촉시키는 단계와;
    b) 상기 정합가능한 마스크 패턴의 보충물에 대응하는 패턴으로 상기 기판 상에 금속이온 소스로부터 제1금속을 전기도금하는 단계와;
    c) 상기 기판으로부터 상기 마스크를 제거하는 단계와;
    d) 이미 증착된 막에 부착된 다수의 막들을 형성하도록 상기 a)~c) 단계를 여러번 반복하여 3차원 구조를 형성하는 단계로 이루어진 전기화학적 제조방법.
  6. a) ⅰ) 제1지지체와 상기 제1지지체 상에 소정의 패턴으로 배치된 제1정합가능한 마스크로 이루어진 제1물품과 기판을 접촉시키는 단계와, ⅱ) 상기 제1정합가능한 마스크 패턴의 보충물에 대응하는 패턴으로 제1금속이온 소스로부터 제1금속을 상기 기판 상에 전기도금하는 단계와, ⅲ) 상기 기판으로부터 상기 제1물품을 제거하는 단계와, ⅳ) 상기 기판 상에 제2금속이온 소스로부터 제2금속을 전기도금하는 단계로 구성되어 막을 형성하고,
    막을 형성하는 상기 단계들을 반복함으로써 다층막 구조를 형성하는 단계와;
    b) 상기 다층막 구조로부터 상기 제1금속 또는 제2금속중 하나의 적어도 일부를 제거하여 다른 제1금속 또는 제2금속에 의해서 한정되는 소자를 형성하는 단계로 이루어진 소자를 제조하기 위한 전기화학적 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2금속을 전기도금하는 단계는,
    a) 제2지지체와 상기 제2지지체 상에 소정의 패턴으로 배치된 제2정합가능한 마스크로 이루어진 제2물품에 상기 기판을 접촉시키는 단계와;
    b) 상기 제2물품의 상기 제2정합가능한 마스크 패턴의 보충물에 대응하는 제2패턴으로 상기 기판 상에 상기 제2금속이온 소스로부터 제2금속을 전기도금하는 단계와;
    c) 상기 기판으로부터 상기 제2물품을 제거하는 단계로 이루어진 방법.
  8. 전기화학적 제조에 사용하기 위한 전기도금 물품에 있어서,
    a) 제1주요면을 갖는 지지체와;
    b) 상기 지지체의 제1주요면 상의 소정의 패턴으로 배치된 정합가능한 마스크-상기 물품이 금속이온 소스에 직면하는 전극과 접촉상태로 배치되고 전기장을 받을 때 상기 물품은 상기 전극 상에 상기 정합가능한 마스크의 상기 패턴에 상보적인 금속의 패턴을 전기도금할 수 있음-로 이루어지고;
    상기 정합가능한 마스크는 상기 지지체의 제1주요면과 접촉하는 제1패턴면과 상기 전극과 접촉하는 제2패턴면을 갖고, 상기 제1패턴면과 제2패턴면의 패턴들은 동일한 형상인 전기도금 물품.
  9. 전기화학적 제조장치에 있어서,
    a) 제1금속 이온을 포함하는 전해액과;
    b) 상기 전해액과 접촉하는 애노드와;
    c) 상기 전해액과 접촉하는 캐소드와;
    d) 상기 전해액과 접촉하는 제1물품-상기 제1물품은 i) 제1주요면을 갖는 지지체와, ⅱ) 상기 제1주요면 상에 소정의 패턴으로 배치된 정합가능한 마스크로 이루어지고, 상기 물품이 금속이온 소스에 직면하는 전극과 접촉상태로 위치되고 전기장을 받을 때 상기 물품은 상기 전극 상에 상기 정합가능한 마스트의 상기 패턴에 상보적인 금속의 패턴을 전기도금할 수 있음-과;
    e) 상기 제1물품과 상기 제1금속이 도금되려는 기판 사이에서 이동을 야기시키는 적어도 하나의 스테이지와;
    f) 상기 이동과 상기 기판상으로 상기 제1금속의 도금을 반복적으로 제어하기 위한 적어도 하나의 컴퓨터로 구성되어,
    상기 장치는 다수의 부착된 막들로부터 3차원 구조체를 형성할 수 있는 전기화학적 제조장치.
  10. a) 제1전기도금조 - 상기 제1전기도금조는 i) 상기 제1도금조에 배치되고 제1금속 이온을 포함하는 제1전해액과, ⅱ) 상기 제1전해액과 접촉하는 애노드와, ⅲ) 상기 제1전해액과 접촉하는 물품을 포함하고, 상기 물품은 1) 제1주요면을 갖는 지지체와, 2) 상기 지지체의 상기 제1주요면 상에 소정의 패턴으로 배치된 정합가능한 마스크를 포함하고, 상기 물품은 상기 물품이 금속이온 소스에 직면하는 전극과 접촉상태로 위치되고 전기장을 받을 때 상기 전극 상에 상기 정합가능한 마스크의 상기 패턴에 상보적인 금속의 패턴을 전기도금할 수 있음 - 과;
    b) 제2전기도금조 - 상기 제2전기도금조는 i) 상기 제2도금조에 배치되고 제2금속 이온을 포함하는 제2전해액과, ⅱ) 상기 제2전해액과 접촉하는 애노드를 포함함 - 와;
    c) 도금된 제1금속 및 제2금속으로 이루어진 막이 추가되려는 기판과;
    d) 상기 물품과, 상기 제1도금조와, 제2도금조와, 상기 기판중 적어도 일부 사이에서 이동을 야기시키는 적어도 하나의 스테이지와;
    e) 상기 이동과 상기 제1금속 및 제2금속의 도금을 제어하기 위한 적어도 하나의 컴퓨터로 이루어진 전기화학적 제조장치.
  11. 전기화학적 제조에 사용하기 위한 전기도금 물품을 제조하기 위한 방법에 있어서,
    a) 패터닝된 레지스트가 증착된 제1기판을 제공하는 단계와;
    b) 제2기판을 제공하는 단계와;
    c) 상기 제1기판 또는 제2기판에 정합가능한 마스크 재료를 도포하는 단계와;
    d) 상기 정합가능한 마스크 재료가 상기 레지스트의 상기 패턴에 상보적인 패턴을 얻도록 상기 제1기판과 제2기판을 함께 결합시킨 후 상기 정합가능한 마스크 재료를 경화시키는 단계와;
    e) 상기 경화된 정합가능한 마스크 재료로부터 상기 제1기판을 분리시키는 단계-상기 제2기판과 상기 경화된 정합가능한 마스크 재료로부터 적어도 부분적으로 전기도금 물품이 형성되도록 상기 정합가능한 마스크 재료는 상기 제2기판에 부착된 상태로 잔류함-로 이루어지고,
    상기 전기도금 물품이 전해액에 직면하는 전극과 접촉상태로 위치되고 전기장을 받을 때 상기 전기도금 물품은 상기 전극 상에 상기 경화된 정합가능한 마스크 재료의 상기 패턴의 보충물에 대응하는 금속의 패턴을 전기도금할 수 있는 전기도금 물품 제조방법.
  12. 전기화학적 제조에 사용하기 위한 전기도금 물품을 제조하는 방법에 있어서,
    a) 제1표면을 갖는 다공성 매체를 제공하는 단계와;
    b) 적어도 하나의 비다공성 영역들을 형성하기 위하여 상기 다공성 매체를 처리하는 단계와;
    c) 상기 다공성 매체의 제1표면에 필름을 도포하는 단계와;
    d) 상기 다공성 매체 상에 정합가능한 재료의 패터닝된 마스크를 형성하기 위하여 상기 필름을 패터닝하는 단계; 및
    e) 상기 패터닝된 정합가능한 재료와 다공성 매체로부터 전기도금 물품을 형성하기 위하여 상기 하나 이상의 비다공성 영역들의 적어도 일부분을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 전기도금 물품은 상기 전기도금 물품이 전해액에 직면하는 전극과 접촉상태에 위치되고 전기장을 받을 때 상기 전극 상에 상기 마스크의 상기 패턴의 보충물에 대응하는 금속의 패턴을 전기도금할 수 있는 전기도금 물품 제조방법.
  13. 제3항에 있어서,
    상기 제1지지체와 제2지지체는 동일 지지체인 방법.
  14. 제3항에 있어서,
    상기 제1지지체와 제2지지체는 상이한 지지체인 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160103608A (ko) * 2015-02-24 2016-09-02 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조방법

Families Citing this family (352)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5599638A (en) * 1993-10-12 1997-02-04 California Institute Of Technology Aqueous liquid feed organic fuel cell using solid polymer electrolyte membrane
US6703150B2 (en) * 1993-10-12 2004-03-09 California Institute Of Technology Direct methanol feed fuel cell and system
JP3269827B2 (ja) * 1997-04-04 2002-04-02 ユニバーシティ・オブ・サザン・カリフォルニア 電気化学製造のための物品、方法、および装置
JP3780700B2 (ja) * 1998-05-26 2006-05-31 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、パターン形成装置、パターン形成用版、パターン形成用版の製造方法、カラーフィルタの製造方法、導電膜の製造方法及び液晶パネルの製造方法
WO2000032835A2 (en) * 1998-11-30 2000-06-08 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6258220B1 (en) 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6555408B1 (en) * 1999-02-05 2003-04-29 Alien Technology Corporation Methods for transferring elements from a template to a substrate
US6436265B1 (en) * 1999-03-29 2002-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Microstructure array, and apparatus and method for forming the microstructure array, and a mold for fabricating a microstructure array
TW408417B (en) * 1999-05-03 2000-10-11 Ind Tech Res Inst Planar-shape thin probe having electrostatic actuator manufactured by using sacrificed layer technology and its manufacturing method
JP2000331975A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Ebara Corp ウエハ洗浄装置
IT1311361B1 (it) * 1999-11-15 2002-03-12 Olivetti Lexikon Spa Testina di stampa monilitica con rete equipotenziale integrata erelativo metodo di fabbricazione.
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US6379223B1 (en) 1999-11-29 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical-mechanical planarization
US6299741B1 (en) 1999-11-29 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus
US6454916B1 (en) * 2000-01-05 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Selective electroplating with direct contact chemical polishing
US6352935B1 (en) * 2000-01-18 2002-03-05 Analog Devices, Inc. Method of forming a cover cap for semiconductor wafer devices
US7296904B2 (en) * 2000-05-12 2007-11-20 University Of Southern California Reflector for laser interrogation of three-dimensional objects
US6780353B2 (en) * 2000-09-26 2004-08-24 Romain L. Billiet Method for making micromolds
US7511675B2 (en) * 2000-10-26 2009-03-31 Advanced Automotive Antennas, S.L. Antenna system for a motor vehicle
US6422528B1 (en) * 2001-01-17 2002-07-23 Sandia National Laboratories Sacrificial plastic mold with electroplatable base
GB0102896D0 (en) * 2001-02-06 2001-03-21 Univ Greenwich Improved electrophoretic deposition
US20020110673A1 (en) * 2001-02-14 2002-08-15 Ramin Heydarpour Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same
US6762124B2 (en) 2001-02-14 2004-07-13 Avery Dennison Corporation Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure
US6864589B2 (en) * 2001-03-30 2005-03-08 Sharp Laboratories Of America, Inc. X/Y alignment vernier formed on a substrate
US20040222304A1 (en) * 2001-04-11 2004-11-11 Matthew Adams Method and apparatus for on-demand marking or etching of metal
US6895667B2 (en) * 2001-04-13 2005-05-24 The Trustees Of Princeton University Transfer of patterned metal by cold-welding
SE523309E (sv) * 2001-06-15 2009-10-26 Replisaurus Technologies Ab Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt
US7240420B1 (en) * 2001-06-19 2007-07-10 Zyvex Labs, Llc System and method for post-fabrication reduction of minimum feature size spacing of microcomponents
US7070687B2 (en) * 2001-08-14 2006-07-04 Intel Corporation Apparatus and method of surface treatment for electrolytic and electroless plating of metals in integrated circuit manufacturing
US20030071016A1 (en) * 2001-10-11 2003-04-17 Wu-Sheng Shih Patterned structure reproduction using nonsticking mold
TWI227285B (en) * 2001-10-15 2005-02-01 Univ Southern California Methods of and apparatus for producing a three-dimensional structure
US6815354B2 (en) * 2001-10-27 2004-11-09 Nutool, Inc. Method and structure for thru-mask contact electrodeposition
US20040026366A1 (en) * 2001-11-28 2004-02-12 Andre Sharon Method of manufacturing ultra-precise, self-assembled micro systems
US7239219B2 (en) * 2001-12-03 2007-07-03 Microfabrica Inc. Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
US20070112338A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-17 Microfabrica Inc. Microdevices for tissue approximation and retention, methods for using, and methods for making
US7674361B2 (en) 2003-09-24 2010-03-09 Microfabrica Inc. Micro-turbines, roller bearings, bushings, and design of hollow closed structures and fabrication methods for creating such structures
US20050194348A1 (en) * 2001-12-03 2005-09-08 University Of Southern California Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US20080105646A1 (en) * 2002-05-07 2008-05-08 Microfabrica Inc. Multi-step Release Method for Electrochemically Fabricated Structures
US20050121411A1 (en) * 2002-10-29 2005-06-09 Microfabrica Inc. Medical devices and EFAB methods and apparatus for producing them
US20050072681A1 (en) * 2001-12-03 2005-04-07 Microfabrica Inc. Multi-step release method for electrochemically fabricated structures
US7686770B2 (en) 2005-10-14 2010-03-30 Microfabrica Inc. Discrete or continuous tissue capture device and method for making
US20050230261A1 (en) * 2003-06-27 2005-10-20 Cohen Adam L Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US7501328B2 (en) * 2003-05-07 2009-03-10 Microfabrica Inc. Methods for electrochemically fabricating structures using adhered masks, incorporating dielectric sheets, and/or seed layers that are partially removed via planarization
US20070158200A1 (en) * 2002-10-29 2007-07-12 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication processes incorporating non-platable metals and/or metals that are difficult to plate on
US20050202667A1 (en) * 2001-12-03 2005-09-15 University Of Southern California Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US7498714B2 (en) * 2003-09-24 2009-03-03 Microfabrica Inc. Multi-layer three-dimensional structures having features smaller than a minimum feature size associated with the formation of individual layers
US7259640B2 (en) * 2001-12-03 2007-08-21 Microfabrica Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
US20080121343A1 (en) 2003-12-31 2008-05-29 Microfabrica Inc. Electrochemical Fabrication Methods Incorporating Dielectric Materials and/or Using Dielectric Substrates
US20050032375A1 (en) * 2003-05-07 2005-02-10 Microfabrica Inc. Methods for electrochemically fabricating structures using adhered masks, incorporating dielectric sheets, and/or seed layers that are partially removed via planarization
US20070198038A1 (en) * 2001-12-03 2007-08-23 Cohen Adam L Microdevices for Tissue Approximation and Retention, Methods for Using, and Methods for Making
US20040146650A1 (en) * 2002-10-29 2004-07-29 Microfabrica Inc. EFAB methods and apparatus including spray metal or powder coating processes
US9614266B2 (en) 2001-12-03 2017-04-04 Microfabrica Inc. Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
US20060282065A1 (en) * 2002-10-29 2006-12-14 Microfabrica, Inc. Microtools and methods for fabricating such tools
US8382423B1 (en) 2001-12-03 2013-02-26 Microfabrica Inc. Micro-scale and meso-scale hydraulically or pneumatically powered devices capable of rotational motion
EP1518822A3 (en) * 2001-12-06 2007-02-28 Microfabrica Inc. Complex microdevices and apparatus and methods for fabricating such devices
AU2002351289A1 (en) * 2001-12-06 2003-06-23 Memgen Corporation Complex microdevices and appparatus and methods for fabricating such devices
US7185542B2 (en) * 2001-12-06 2007-03-06 Microfabrica Inc. Complex microdevices and apparatus and methods for fabricating such devices
US7372616B2 (en) * 2001-12-06 2008-05-13 Microfabrica, Inc. Complex microdevices and apparatus and methods for fabricating such devices
JP2003260142A (ja) * 2002-03-11 2003-09-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 頭蓋内血管治療用ステント及び製造方法
US20030221968A1 (en) * 2002-03-13 2003-12-04 Memgen Corporation Electrochemical fabrication method and apparatus for producing three-dimensional structures having improved surface finish
US20030201170A1 (en) * 2002-04-24 2003-10-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for electropolishing a substrate in an electroplating cell
US20030201185A1 (en) * 2002-04-29 2003-10-30 Applied Materials, Inc. In-situ pre-clean for electroplating process
US7640651B2 (en) * 2003-12-31 2010-01-05 Microfabrica Inc. Fabrication process for co-fabricating multilayer probe array and a space transformer
US20040007469A1 (en) * 2002-05-07 2004-01-15 Memgen Corporation Selective electrochemical deposition methods using pyrophosphate copper plating baths containing ammonium salts, citrate salts and/or selenium oxide
US20080050524A1 (en) 2006-04-07 2008-02-28 Microfabrica Inc. Methods of Forming Three-Dimensional Structures Having Reduced Stress and/or Curvature
US20050029109A1 (en) * 2002-05-07 2005-02-10 Gang Zhang Method of electrochemically fabricating multilayer structures having improved interlayer adhesion
US20050067292A1 (en) * 2002-05-07 2005-03-31 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated structures having dielectric or active bases and methods of and apparatus for producing such structures
US20060006888A1 (en) * 2003-02-04 2006-01-12 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated microprobes
US9919472B1 (en) 2002-05-07 2018-03-20 Microfabrica Inc. Stacking and bonding methods for forming multi-layer, three-dimensional, millimeter scale and microscale structures
US7265565B2 (en) 2003-02-04 2007-09-04 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
US20050202660A1 (en) * 2002-05-07 2005-09-15 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication process including process monitoring, making corrective action decisions, and taking appropriate actions
AU2003228974A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-11 Memgen Corporation Method of and apparatus for forming three-dimensional structures
US20060051948A1 (en) * 2003-02-04 2006-03-09 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US7273812B2 (en) * 2002-05-07 2007-09-25 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US7611616B2 (en) * 2002-05-07 2009-11-03 Microfabrica Inc. Mesoscale and microscale device fabrication methods using split structures and alignment elements
WO2003095713A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-20 University Of Southern California Conformable contact masking methods and apparatus utilizing in situ cathodic activation of a substrate
AU2003234397A1 (en) 2002-05-07 2003-11-11 Memgen Corporation Methods of and apparatus for electrochemically fabricating structures
US20050045585A1 (en) 2002-05-07 2005-03-03 Gang Zhang Method of electrochemically fabricating multilayer structures having improved interlayer adhesion
US7250101B2 (en) * 2002-05-07 2007-07-31 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated structures having dielectric or active bases and methods of and apparatus for producing such structures
US20060053625A1 (en) * 2002-05-07 2006-03-16 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US20040065551A1 (en) * 2002-05-07 2004-04-08 University Of Southern California Electrochemical deposition with enhanced uniform deposition capabilities and/or enhanced longevity of contact masks
WO2003095712A2 (en) * 2002-05-07 2003-11-20 University Of Southern California Method of and apparatus for forming three-dimensional structures integral with semiconductor based circuitry
US20060108678A1 (en) * 2002-05-07 2006-05-25 Microfabrica Inc. Probe arrays and method for making
US20050184748A1 (en) * 2003-02-04 2005-08-25 Microfabrica Inc. Pin-type probes for contacting electronic circuits and methods for making such probes
WO2003095709A2 (en) * 2002-05-07 2003-11-20 Memgen Corporation Multistep release method for electrochemically fabricated structures
US7229542B2 (en) * 2002-05-07 2007-06-12 Microfabrica Inc. Methods of and apparatus for molding structures using sacrificial metal patterns
US20040065550A1 (en) * 2002-05-07 2004-04-08 University Of Southern California Electrochemical fabrication methods with enhanced post deposition processing
US7412767B2 (en) * 2003-02-04 2008-08-19 Microfabrica, Inc. Microprobe tips and methods for making
US7531077B2 (en) 2003-02-04 2009-05-12 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
US20050142739A1 (en) * 2002-05-07 2005-06-30 Microfabrica Inc. Probe arrays and method for making
US7384530B2 (en) * 2002-05-07 2008-06-10 Microfabrica Inc. Methods for electrochemically fabricating multi-layer structures including regions incorporating maskless, patterned, multiple layer thickness depositions of selected materials
US7363705B2 (en) * 2003-02-04 2008-04-29 Microfabrica, Inc. Method of making a contact
CN100582318C (zh) * 2002-05-07 2010-01-20 南加州大学 用于在适形接触掩模电镀操作期间监测沉积质量的方法和装置
AU2003228973A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-11 Memgen Corporation Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures
US20070045121A1 (en) * 2002-05-07 2007-03-01 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures and methods of and apparatus for producing such structures
US20050104609A1 (en) * 2003-02-04 2005-05-19 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US8070931B1 (en) * 2002-05-07 2011-12-06 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication method including elastic joining of structures
US20060238209A1 (en) * 2002-05-07 2006-10-26 Microfabrica Inc. Vertical microprobes for contacting electronic components and method for making such probes
US20050029225A1 (en) * 2002-05-07 2005-02-10 University Of Southern California Electrochemical fabrication methods with enhanced post deposition processing
DE10297731T5 (de) * 2002-05-08 2005-07-07 Agency For Science, Technology And Research Umkehrprägetechnik
US20030209523A1 (en) * 2002-05-09 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Planarization by chemical polishing for ULSI applications
US7189313B2 (en) * 2002-05-09 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with fluid retention band
WO2004004061A1 (en) * 2002-06-27 2004-01-08 Memgen Corporation Miniature rf and microwave components and methods for fabricating such components
US20040072445A1 (en) * 2002-07-11 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Effective method to improve surface finish in electrochemically assisted CMP
US20040118694A1 (en) * 2002-12-19 2004-06-24 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry electrochemical processing system
US7229544B2 (en) * 2002-10-01 2007-06-12 University Of Southern California Multi-cell masks and methods and apparatus for using such masks to form three-dimensional structures
US7235166B2 (en) * 2002-10-01 2007-06-26 Microfabrica Inc. Multi-cell masks and methods and apparatus for using such masks to form three-dimensional structures
AU2003279763A1 (en) * 2002-10-01 2004-04-23 Microfabrica Inc. Monolithic structures including alignment and/or retention fixtures for accepting components
US20050167894A1 (en) * 2002-10-08 2005-08-04 Wu-Sheng Shih Patterned structure reproduction using nonsticking mold
US20110092988A1 (en) * 2002-10-29 2011-04-21 Microfabrica Inc. Microdevices for Tissue Approximation and Retention, Methods for Using, and Methods for Making
US20100094320A1 (en) * 2002-10-29 2010-04-15 Microfabrica Inc. Atherectomy and Thrombectomy Devices, Methods for Making, and Procedures for Using
US8454652B1 (en) 2002-10-29 2013-06-04 Adam L. Cohen Releasable tissue anchoring device, methods for using, and methods for making
US7368044B2 (en) * 2002-11-26 2008-05-06 Microfabrica, Inc. Non-conformable masks and methods and apparatus for forming three-dimensional structures
US7291254B2 (en) * 2002-11-26 2007-11-06 Microfabrica, Inc. Method for electrochemically forming structures including non-parallel mating of contact masks and substrates
WO2004053942A2 (en) * 2002-12-09 2004-06-24 Acm Research, Inc. Measuring alignment between a wafer chuck and polishing/plating receptacle
US6916409B1 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Apparatus and process for electrolytic removal of material from a medical device
US6875322B1 (en) 2003-01-15 2005-04-05 Lam Research Corporation Electrochemical assisted CMP
US20040239006A1 (en) * 2003-01-22 2004-12-02 Microfabrica Inc. Silicone compositions, methods of making, and uses thereof
US20080211524A1 (en) * 2003-02-04 2008-09-04 Microfabrica Inc. Electrochemically Fabricated Microprobes
US20060226015A1 (en) * 2003-02-04 2006-10-12 Microfabrica Inc. Method of forming electrically isolated structures using thin dielectric coatings
US10416192B2 (en) 2003-02-04 2019-09-17 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components
US20080106280A1 (en) * 2003-02-04 2008-05-08 Microfabrica Inc. Vertical Microprobes for Contacting Electronic Components and Method for Making Such Probes
US7567089B2 (en) * 2003-02-04 2009-07-28 Microfabrica Inc. Two-part microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
US8613846B2 (en) * 2003-02-04 2013-12-24 Microfabrica Inc. Multi-layer, multi-material fabrication methods for producing micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US9244101B2 (en) * 2003-02-04 2016-01-26 University Of Southern California Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
EP2395598B1 (en) 2003-03-04 2018-08-22 Nuvotronics, LLC Coaxial waveguide microstructures and methods of formation
JP3898137B2 (ja) * 2003-03-06 2007-03-28 富士通株式会社 自動出力復帰方法および光通信システム
US7198704B2 (en) * 2003-04-21 2007-04-03 Microfabrica Inc. Methods of reducing interlayer discontinuities in electrochemically fabricated three-dimensional structures
US7433811B2 (en) * 2003-05-06 2008-10-07 The Regents Of The University Of California Direct patterning of silicon by photoelectrochemical etching
TWI297045B (en) * 2003-05-07 2008-05-21 Microfabrica Inc Methods and apparatus for forming multi-layer structures using adhered masks
US10297421B1 (en) * 2003-05-07 2019-05-21 Microfabrica Inc. Plasma etching of dielectric sacrificial material from reentrant multi-layer metal structures
US9671429B2 (en) 2003-05-07 2017-06-06 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
WO2004101862A1 (en) * 2003-05-07 2004-11-25 Microfabrica Inc. Method of electrochemically fabricating multilayer structures having improved interlayer adhesion
US7527721B2 (en) * 2003-05-07 2009-05-05 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication method for producing multi-layer three-dimensional structures on a porous dielectric
WO2004101855A2 (en) * 2003-05-07 2004-11-25 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods including use of surface treatments to reduce overplating and/or planarization during formation of multi-layer three-dimensional structures
US7244326B2 (en) 2003-05-16 2007-07-17 Alien Technology Corporation Transfer assembly for manufacturing electronic devices
WO2004107280A2 (en) 2003-05-28 2004-12-09 Ewi Holdings, Inc. System and method for electronic prepaid account replenishment
US7465661B2 (en) * 2003-05-28 2008-12-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High aspect ratio microelectrode arrays
US20050215046A1 (en) * 2003-06-27 2005-09-29 Cohen Adam L Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US20050194258A1 (en) * 2003-06-27 2005-09-08 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US7524427B2 (en) * 2003-06-27 2009-04-28 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US20050176238A1 (en) * 2003-06-27 2005-08-11 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US20050053849A1 (en) * 2003-07-03 2005-03-10 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication method for producing compliant beam-like structures
EP1663513A4 (en) * 2003-07-09 2009-08-05 Fry Metals Inc DESCALING AND MODELING PROCEDURES
US20190357827A1 (en) 2003-08-01 2019-11-28 Dexcom, Inc. Analyte sensor
WO2005030822A2 (en) * 2003-09-23 2005-04-07 University Of North Carolina At Chapel Hill Photocurable perfluoropolyethers for use as novel materials in microfluidic devices
US20050145122A1 (en) * 2003-09-24 2005-07-07 Matthew Adams Use of a UV-curable thermal ribbon in conjunction with a porous substrate to form a durable, on-demand electro-chemical stencil
US20050067286A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 The University Of Cincinnati Microfabricated structures and processes for manufacturing same
WO2005033798A2 (en) * 2003-10-03 2005-04-14 University Of Washington Electrochemical micromanufacturing system and method
US20050205430A1 (en) * 2003-11-26 2005-09-22 Microfabrica Inc. EFAB methods including controlled mask to substrate mating
EP1538482B1 (en) * 2003-12-05 2016-02-17 Obducat AB Device and method for large area lithography
US8532730B2 (en) 2006-10-04 2013-09-10 Dexcom, Inc. Analyte sensor
US20060127581A1 (en) * 2003-12-11 2006-06-15 Aspens Glenn D Method for on-demand direct item marking via a screen printing process
US8521284B2 (en) 2003-12-12 2013-08-27 Cardiac Pacemakers, Inc. Cardiac response classification using multisite sensing and pacing
US9040090B2 (en) * 2003-12-19 2015-05-26 The University Of North Carolina At Chapel Hill Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof
DK1704585T3 (en) * 2003-12-19 2017-05-22 Univ North Carolina Chapel Hill Methods for preparing isolated micro- and nanostructures using soft lithography or printing lithography
US7479213B2 (en) * 2003-12-25 2009-01-20 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
US7623935B2 (en) * 2003-12-31 2009-11-24 University Of Southern California Method for electrochemically fabricating three-dimensional structures including pseudo-rasterization of data
US20090020433A1 (en) * 2003-12-31 2009-01-22 Microfabrica Inc. Electrochemical Fabrication Methods for Producing Multilayer Structures Including the use of Diamond Machining in the Planarization of Deposits of Material
WO2005065433A2 (en) * 2003-12-31 2005-07-21 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US7430731B2 (en) * 2003-12-31 2008-09-30 University Of Southern California Method for electrochemically fabricating three-dimensional structures including pseudo-rasterization of data
US20080105355A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-08 Microfabrica Inc. Probe Arrays and Method for Making
US20080142369A1 (en) * 2003-12-31 2008-06-19 Microfabrica Inc. Integrated Circuit Packaging Using Electrochemically Fabricated Structures
US20160194774A1 (en) * 2003-12-31 2016-07-07 University Of Southern California Electrochemical Fabrication Process for Forming Multilayer Multimaterial Microprobe Structures Incorporating Dielectrics
US20080108221A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-08 Microfabrica Inc. Microprobe Tips and Methods for Making
WO2005065430A2 (en) * 2003-12-31 2005-07-21 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods for producing multilayer structures including the use of diamond machining in the planarization of deposits of material
US20060134831A1 (en) * 2003-12-31 2006-06-22 Microfabrica Inc. Integrated circuit packaging using electrochemically fabricated structures
US10641792B2 (en) 2003-12-31 2020-05-05 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US9307648B2 (en) * 2004-01-21 2016-04-05 Microcontinuum, Inc. Roll-to-roll patterning of transparent and metallic layers
US7833389B1 (en) * 2005-01-21 2010-11-16 Microcontinuum, Inc. Replication tools and related fabrication methods and apparatus
JP2005223063A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Seiko Epson Corp 配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
US20070275193A1 (en) * 2004-02-13 2007-11-29 Desimone Joseph M Functional Materials and Novel Methods for the Fabrication of Microfluidic Devices
US7280644B2 (en) 2004-12-07 2007-10-09 Ewi Holdings, Inc. Transaction processing platform for faciliating electronic distribution of plural prepaid services
US7256107B2 (en) * 2004-05-04 2007-08-14 The Regents Of The University Of California Damascene process for use in fabricating semiconductor structures having micro/nano gaps
EP1594001B1 (en) * 2004-05-07 2015-12-30 Obducat AB Device and method for imprint lithography
US9097740B2 (en) * 2004-05-21 2015-08-04 Formfactor, Inc. Layered probes with core
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
USRE43503E1 (en) 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
US7659739B2 (en) * 2006-09-14 2010-02-09 Micro Porbe, Inc. Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion
US7733101B2 (en) * 2004-05-21 2010-06-08 Microprobe, Inc. Knee probe having increased scrub motion
US7759949B2 (en) * 2004-05-21 2010-07-20 Microprobe, Inc. Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads
US8988091B2 (en) * 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
GB0416600D0 (en) * 2004-07-24 2004-08-25 Univ Newcastle A process for manufacturing micro- and nano-devices
US6956389B1 (en) * 2004-08-16 2005-10-18 Jem America Corporation Highly resilient cantilever spring probe for testing ICs
WO2006023696A2 (en) * 2004-08-19 2006-03-02 Microfabrica, Inc. Integrated circuit packaging using electrochemically fabricated
US7335463B2 (en) * 2004-12-16 2008-02-26 Palo Alto Research Center, Inc. Electroplated three dimensional ink jet manifold and nozzle structures using successive lithography and electroplated sacrificial layers
US7169649B2 (en) * 2004-12-16 2007-01-30 Palo Alto Research Center, Inc. Wafer scale integration of electroplated 3D structures using successive lithography, electroplated sacrificial layers, and flip-chip bonding
US8062495B2 (en) 2005-01-21 2011-11-22 Microcontinuum, Inc. Replication tools and related fabrication methods and apparatus
US20090027603A1 (en) * 2005-02-03 2009-01-29 Samulski Edward T Low Surface Energy Polymeric Material for Use in Liquid Crystal Displays
JP4479535B2 (ja) * 2005-02-21 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 光学素子の製造方法
US7696102B2 (en) * 2005-03-31 2010-04-13 Gang Zhang Methods for fabrication of three-dimensional structures
US8216931B2 (en) * 2005-03-31 2012-07-10 Gang Zhang Methods for forming multi-layer three-dimensional structures
JP4624873B2 (ja) * 2005-06-28 2011-02-02 株式会社荏原製作所 めっき方法
US7419630B2 (en) * 2005-04-22 2008-09-02 Sandia Corporation Methods and systems for rapid prototyping of high density circuits
FR2885913B1 (fr) * 2005-05-18 2007-08-10 Centre Nat Rech Scient Element composite comprenant un substrat conducteur et un revetement metallique nanostructure.
EP1882056A2 (en) * 2005-05-18 2008-01-30 Fry's Metals Inc. Mask and method for electrokinetic deposition and patterning process on substrates
KR101137862B1 (ko) * 2005-06-17 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법
EP1905065B1 (en) * 2005-06-20 2014-08-13 Microcontinuum, Inc. Roll-to-roll patterning
US8273117B2 (en) * 2005-06-22 2012-09-25 Integran Technologies Inc. Low texture, quasi-isotropic metallic stent
WO2007133235A2 (en) * 2005-08-08 2007-11-22 Liquidia Technologies, Inc. Micro and nano-structure metrology
EP2537657A3 (en) 2005-08-09 2016-05-04 The University of North Carolina At Chapel Hill Methods and materials for fabricating microfluidic devices
WO2007022267A2 (en) * 2005-08-15 2007-02-22 University Of Florida Research Foundation, Inc. Micro-molded integral non-line-of sight articles and method
US7767126B2 (en) * 2005-08-22 2010-08-03 Sipix Imaging, Inc. Embossing assembly and methods of preparation
CN101305454B (zh) * 2005-11-07 2010-05-19 应用材料股份有限公司 形成光致电压接点和连线的方法
US20090234417A1 (en) * 2005-11-10 2009-09-17 Electrocore, Inc. Methods And Apparatus For The Treatment Of Metabolic Disorders
DK1948850T3 (da) * 2005-11-18 2019-07-29 Luxembourg Inst Science & Tech List Fremgangsmåde til at frembringe en struktur med flere lag
US7649367B2 (en) 2005-12-07 2010-01-19 Microprobe, Inc. Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance
US7658831B2 (en) * 2005-12-21 2010-02-09 Formfactor, Inc Three dimensional microstructures and methods for making three dimensional microstructures
IL173121A (en) * 2006-01-12 2011-07-31 Dina Katsir Electrodes, membranes, printing plate precursors and other articles including multi-strata porous coatings
WO2007117346A2 (en) * 2006-01-26 2007-10-18 California Institute Of Technology Programming microfluidic devices with molecular information
WO2007100849A2 (en) 2006-02-27 2007-09-07 Microcontinuum, Inc. Formation of pattern replicating tools
DE06405114T1 (de) * 2006-03-15 2008-04-24 Doniar S.A. LIGA Verfahren zur Herstellung einer einzel- oder mehrlagigen metallischen Struktur und damit hergestellte Struktur
US7312617B2 (en) 2006-03-20 2007-12-25 Microprobe, Inc. Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts
US7655126B2 (en) * 2006-03-27 2010-02-02 Federal Mogul World Wide, Inc. Fabrication of topical stopper on MLS gasket by active matrix electrochemical deposition
US7622382B2 (en) * 2006-03-29 2009-11-24 Intel Corporation Filling narrow and high aspect ratio openings with electroless deposition
US7998323B1 (en) * 2006-06-07 2011-08-16 Actus Potentia, Inc. Apparatus for focused electric-field imprinting for micron and sub-micron patterns on wavy or planar surfaces
WO2008011051A1 (en) * 2006-07-17 2008-01-24 Liquidia Technologies, Inc. Nanoparticle fabrication methods, systems, and materials
WO2008033428A2 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Innoconnex, Inc. Compliance partitioning in testing of integrated circuits
US9615463B2 (en) * 2006-09-22 2017-04-04 Oscar Khaselev Method for producing a high-aspect ratio conductive pattern on a substrate
CN101161870B (zh) * 2006-10-11 2010-11-10 富准精密工业(深圳)有限公司 气密性腔体成型方法
US8907689B2 (en) 2006-10-11 2014-12-09 Microprobe, Inc. Probe retention arrangement
US7786740B2 (en) * 2006-10-11 2010-08-31 Astria Semiconductor Holdings, Inc. Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region
US7799182B2 (en) 2006-12-01 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Electroplating on roll-to-roll flexible solar cell substrates
US7704352B2 (en) * 2006-12-01 2010-04-27 Applied Materials, Inc. High-aspect ratio anode and apparatus for high-speed electroplating on a solar cell substrate
US7736928B2 (en) * 2006-12-01 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Precision printing electroplating through plating mask on a solar cell substrate
US20080128019A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Applied Materials, Inc. Method of metallizing a solar cell substrate
US20080127490A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Lotes Co., Ltd. Manufacture process of connector
KR101253274B1 (ko) * 2006-12-07 2013-04-10 삼성디스플레이 주식회사 도광판 제조용 금형 제조 방법 및 이를 이용한 도광판 제조방법
US8877074B2 (en) * 2006-12-15 2014-11-04 The Regents Of The University Of California Methods of manufacturing microdevices in laminates, lead frames, packages, and printed circuit boards
US7763326B2 (en) * 2006-12-20 2010-07-27 United Technologies Corporation Photocurable maskant composition and method of use
JP2008188755A (ja) 2006-12-30 2008-08-21 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 三次元微細構造体およびその形成方法
KR101472134B1 (ko) 2007-03-20 2014-12-15 누보트로닉스, 엘.엘.씨 동축 전송선 마이크로구조물 및 그의 형성방법
EP3104450A3 (en) 2007-03-20 2016-12-28 Nuvotronics, LLC Integrated electronic components and methods of formation thereof
US20100151031A1 (en) * 2007-03-23 2010-06-17 Desimone Joseph M Discrete size and shape specific organic nanoparticles designed to elicit an immune response
US7514948B2 (en) * 2007-04-10 2009-04-07 Microprobe, Inc. Vertical probe array arranged to provide space transformation
GB0715621D0 (en) * 2007-08-10 2007-09-19 Rolls Royce Plc Support architecture
US20100121307A1 (en) * 2007-08-24 2010-05-13 Microfabrica Inc. Microneedles, Microneedle Arrays, Methods for Making, and Transdermal and/or Intradermal Applications
US7918984B2 (en) * 2007-09-17 2011-04-05 International Business Machines Corporation Method of electrodepositing germanium compound materials on a substrate
US8498464B2 (en) * 2007-09-27 2013-07-30 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems
US7671610B2 (en) * 2007-10-19 2010-03-02 Microprobe, Inc. Vertical guided probe array providing sideways scrub motion
US8723546B2 (en) * 2007-10-19 2014-05-13 Microprobe, Inc. Vertical guided layered probe
WO2009054175A1 (ja) * 2007-10-24 2009-04-30 Honda Motor Co., Ltd. 板金成型用のプレス金型及びプレス金型表面の処理方法、並びに車体の生産方法
FR2923078B1 (fr) * 2007-10-26 2017-09-01 Centre Nat De La Rech Scient - Cnrs Procede de fabrication d'un element d'interconnexion mecanique conducteur d'electricite.
JP2009117699A (ja) * 2007-11-08 2009-05-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ用部品及び半導体パッケージ用部品の製造方法
CN101855325A (zh) * 2007-11-09 2010-10-06 火星工程有限公司 氧化亚氮燃料掺混物单元推进剂
KR101689519B1 (ko) * 2007-12-26 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법
JP4913082B2 (ja) * 2008-03-03 2012-04-11 株式会社東芝 三次元構造体の製造方法および三次元構造体
US8078309B1 (en) * 2008-03-31 2011-12-13 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method to create arbitrary sidewall geometries in 3-dimensions using liga with a stochastic optimization framework
US8230593B2 (en) * 2008-05-29 2012-07-31 Microprobe, Inc. Probe bonding method having improved control of bonding material
JP2009291293A (ja) 2008-06-03 2009-12-17 Olympus Corp 積層構造体、光調節装置、及び積層構造体の製造方法
US9814484B2 (en) 2012-11-29 2017-11-14 Microfabrica Inc. Micro debrider devices and methods of tissue removal
US10939934B2 (en) 2008-06-23 2021-03-09 Microfabrica Inc. Miniature shredding tools for use in medical applications, methods for making, and procedures for using
US9451977B2 (en) 2008-06-23 2016-09-27 Microfabrica Inc. MEMS micro debrider devices and methods of tissue removal
US8795278B2 (en) 2008-06-23 2014-08-05 Microfabrica Inc. Selective tissue removal tool for use in medical applications and methods for making and using
US8414607B1 (en) 2008-06-23 2013-04-09 Microfabrica Inc. Miniature shredding tool for use in medical applications and methods for making
WO2010151251A1 (en) 2008-06-23 2010-12-29 Microfabrica Inc. Miniature shredding tool for use in medical applications and methods for making
TW201027769A (en) * 2008-10-28 2010-07-16 Solopower Inc Improved drum design for web processing
US20100126849A1 (en) * 2008-11-24 2010-05-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for forming 3d nanostructure electrode for electrochemical battery and capacitor
US9441661B2 (en) 2008-12-31 2016-09-13 Microfabrica Inc. Microscale and millimeter scale devices including threaded elements, methods for designing, and methods for making
US8511960B1 (en) 2008-12-31 2013-08-20 Microfabrica Inc. Microscale and millimeter scale devices including threaded elements, methods for designing, and methods for making
JP5319326B2 (ja) 2009-02-25 2013-10-16 株式会社東芝 凹凸パターンの形成方法および凹凸パターン形成用シート
US8073019B2 (en) * 2009-03-02 2011-12-06 Jian Liu 810 nm ultra-short pulsed fiber laser
US8362578B2 (en) * 2009-06-02 2013-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Triple-axis MEMS accelerometer
US20120148972A1 (en) 2009-06-24 2012-06-14 Ultradent Products, Inc. Low Force Orthodontic Arch Wire Having Blocks for Improved Treatment
US8262916B1 (en) 2009-06-30 2012-09-11 Microfabrica Inc. Enhanced methods for at least partial in situ release of sacrificial material from cavities or channels and/or sealing of etching holes during fabrication of multi-layer microscale or millimeter-scale complex three-dimensional structures
EP2448486B1 (en) 2009-07-02 2021-08-25 Dexcom, Inc. Analyte sensors and methods of manufacturing same
US20110005195A1 (en) * 2009-07-07 2011-01-13 Firestar Engineering, Llc Aluminum porous media
US8041442B2 (en) * 2009-07-27 2011-10-18 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Process for selecting surrogate part
US20120191121A1 (en) 2009-08-18 2012-07-26 Chen Richard T Concentric cutting devices for use in minimally invasive medical procedures
US20230324436A1 (en) * 2009-10-16 2023-10-12 University Of Southern California Multi-Layer, Multi-Material Micro-Scale and Millimeter-Scale Devices with Enhanced Electrical and/or Mechanical Properties
US20110123783A1 (en) 2009-11-23 2011-05-26 David Sherrer Multilayer build processses and devices thereof
DE102009060937A1 (de) * 2009-12-22 2011-06-30 Siemens Aktiengesellschaft, 80333 Verfahren zum elektrochemischen Beschichten
WO2011079850A1 (de) * 2009-12-29 2011-07-07 Werner Suedes Verfahren zur herstellung eines verbundkörpers mit einer freitragenden fläche
WO2011091334A2 (en) * 2010-01-22 2011-07-28 Nuvotronics, Llc Thermal management
US8917150B2 (en) * 2010-01-22 2014-12-23 Nuvotronics, Llc Waveguide balun having waveguide structures disposed over a ground plane and having probes located in channels
US8641883B2 (en) * 2010-02-22 2014-02-04 The Regents Of The University Of California Polymer-based high surface area multi-layered three-dimensional structures and method of making same
EP2593592B1 (en) * 2010-07-15 2018-05-16 Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST) Separation of master electrode and substrate in ecpr
TW201209197A (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Method of coating
US8845912B2 (en) 2010-11-22 2014-09-30 Microcontinuum, Inc. Tools and methods for forming semi-transparent patterning masks
TWI415730B (zh) * 2011-02-17 2013-11-21 The system of masking
FR2972298B1 (fr) * 2011-03-04 2015-07-31 Commissariat Energie Atomique Procede de metallisation de surfaces texturees
JP6141827B2 (ja) 2011-04-15 2017-06-07 デックスコム・インコーポレーテッド 検体を測定するシステムの作動方法及び該方法を実施するべく構成されたセンサシステム
US8866300B1 (en) 2011-06-05 2014-10-21 Nuvotronics, Llc Devices and methods for solder flow control in three-dimensional microstructures
US8814601B1 (en) * 2011-06-06 2014-08-26 Nuvotronics, Llc Batch fabricated microconnectors
EP2731783A4 (en) 2011-07-13 2016-03-09 Nuvotronics Llc METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC AND MECHANICAL STRUCTURES
ES2637799T3 (es) 2011-11-15 2017-10-17 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Dispositivo electrocrómico con polímeros complementarios
US8338283B1 (en) * 2011-12-07 2012-12-25 Innovative Micro Technology Method and apparatus for applying thin liquid coatings
US9903033B2 (en) * 2012-07-24 2018-02-27 Uchicago Argonne Llc Nanowire and microwire fabrication technique and product
US20140054178A1 (en) * 2012-08-22 2014-02-27 Thomas W. Valentine Electrode mask for electrowinning a metal
US20140120196A1 (en) * 2012-10-29 2014-05-01 Makerbot Industries, Llc Quick-release extruder
BR102012028367B1 (pt) 2012-11-06 2022-03-22 Timpel S.A Método e aparato para gerar e exibir uma representação simplificada de informações obtidas através de tomografia por impedância elétrica
WO2014098774A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Agency For Science, Technology And Research Porous metallic membrane
US20180085995A1 (en) * 2013-01-04 2018-03-29 New York University 3d manufacturing using multiple material deposition and/or fusion sources simultaneously with single or multi-flute helical build surfaces
WO2014113508A2 (en) 2013-01-15 2014-07-24 Microfabrica Inc. Methods of forming parts using laser machining
US9878401B1 (en) 2013-01-15 2018-01-30 Microfabrica Inc. Methods of forming parts using laser machining
US9325044B2 (en) 2013-01-26 2016-04-26 Nuvotronics, Inc. Multi-layer digital elliptic filter and method
US9814543B2 (en) * 2013-02-16 2017-11-14 Ormco Corporation Methods for fabrication of orthodontic appliances and orthodontic appliances made thereby
US9207515B2 (en) 2013-03-15 2015-12-08 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Variable-emittance electrochromic devices and methods of preparing the same
US9306255B1 (en) 2013-03-15 2016-04-05 Nuvotronics, Inc. Microstructure including microstructural waveguide elements and/or IC chips that are mechanically interconnected to each other
US9306254B1 (en) 2013-03-15 2016-04-05 Nuvotronics, Inc. Substrate-free mechanical interconnection of electronic sub-systems using a spring configuration
JP2014208395A (ja) * 2013-03-26 2014-11-06 学校法人 関西大学 微小構造体、電子素子、及び微小構造体の製造方法
US9589797B2 (en) 2013-05-17 2017-03-07 Microcontinuum, Inc. Tools and methods for producing nanoantenna electronic devices
DE202013004745U1 (de) 2013-05-23 2014-08-26 Exentis-Knowledge Ag Anlage zur Herstellung von dreidimensionalen Siebdrucken
US9802360B2 (en) * 2013-06-04 2017-10-31 Stratsys, Inc. Platen planarizing process for additive manufacturing system
EP3022064A4 (en) 2013-07-16 2017-06-07 Microfabrica Inc. Counterfeiting deterent and security devices systems and methods
US9134602B2 (en) * 2013-07-29 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing an extreme ultraviolet (EUV) mask and the mask manufactured therefrom
US9401337B2 (en) * 2013-12-18 2016-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Molding structure for wafer level package
JP6535347B2 (ja) 2014-01-17 2019-06-26 ヌボトロニクス、インク． ウエハースケールのテスト・インターフェース・ユニット：高速および高密度の混合信号インターコネクトおよびコンタクタのための低損失および高絶縁性の装置および方法
WO2016065308A1 (en) * 2014-10-23 2016-04-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanoshape patterning techniques that allow high-speed and low-cost fabrication of nanoshape structures
US10847469B2 (en) 2016-04-26 2020-11-24 Cubic Corporation CTE compensation for wafer-level and chip-scale packages and assemblies
EP3021412A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-18 Toto Ltd. Solid oxid fuel cell manufacturing method and dispenser apparatus for manufacturing same
WO2016094129A1 (en) 2014-12-03 2016-06-16 Nuvotronics, Inc. Systems and methods for manufacturing stacked circuits and transmission lines
EP3289604B1 (en) * 2015-04-29 2022-07-13 3M Innovative Properties Company Swellable film forming compositions and methods of nanoimprint lithography employing same
EP3298416A1 (en) * 2015-05-22 2018-03-28 Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL) Multilayer mems cantilevers
US9933578B1 (en) 2015-06-11 2018-04-03 Microfabrica Inc. Multi-layer monolithic fiber optic alignment structures, methods for making, and methods for using
US9632059B2 (en) 2015-09-03 2017-04-25 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Potentiostat/galvanostat with digital interface
US9482880B1 (en) 2015-09-15 2016-11-01 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Electrochromic eyewear
US9945045B2 (en) 2015-12-02 2018-04-17 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Electrochemical deposition apparatus and methods of using the same
JP6952038B2 (ja) * 2015-12-29 2021-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 接着剤の付加製造法及び接着物品
US10096537B1 (en) 2015-12-31 2018-10-09 Microfabrica Inc. Thermal management systems, methods for making, and methods for using
US20170253988A1 (en) * 2016-03-01 2017-09-07 The Boeing Company Electromodification of Conductive Surfaces
US10197178B2 (en) 2016-03-07 2019-02-05 Honeywell International Inc. Electrohydraulic valve including a vibration-resistant, flexible hermetic seal
US10806557B1 (en) 2016-07-11 2020-10-20 Microfabrica Inc. Tissue scaffolding devices, methods of using, and methods of making
US10131570B2 (en) * 2016-10-15 2018-11-20 Behzad Haghighi Liquid-based masking layer
CN106903383B (zh) * 2017-04-27 2019-11-05 广东工业大学 用于电解加工平面曲折群沟槽的装置及电解加工方法
CN107379966A (zh) * 2017-07-31 2017-11-24 浙江联宜电机有限公司 重型驱动桥
WO2019064424A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 シャープ株式会社 マスクの製造方法
US11607842B2 (en) 2017-10-25 2023-03-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thermal supports for 3D features formed from particles
US10927711B2 (en) 2017-10-26 2021-02-23 Unison Industries, Llc Tunable compliant attachment structure
US11686012B2 (en) 2017-10-26 2023-06-27 Unison Industries, Llc Mandrel for electroforming
US10319654B1 (en) 2017-12-01 2019-06-11 Cubic Corporation Integrated chip scale packages
US10961967B1 (en) 2017-12-12 2021-03-30 Microfabrica Inc. Fuel injector systems, fuel injectors, fuel injector nozzles, and methods for making fuel injector nozzles
US20200024763A1 (en) * 2018-07-23 2020-01-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Electroform vapor chamber integrated thermal module into pcb layout design
WO2020027810A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thermal supports for formation of 3d object portions
US10515812B1 (en) * 2018-08-13 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of reducing pattern roughness in semiconductor fabrication
US11383302B2 (en) * 2018-09-21 2022-07-12 Battelle Energy Alliance, Llc Heat exchangers fabricated by additive manufacturing, related components, and related methods
US11262383B1 (en) 2018-09-26 2022-03-01 Microfabrica Inc. Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making
IT201900013626A1 (it) 2019-08-01 2021-02-01 Fluid Metal 3D As Procedimento e sistema di elettroformatura localizzata da getti con retroazione ad anello chiuso in tempo reale
JP7432887B2 (ja) * 2019-11-05 2024-02-19 ニチコン株式会社 アルミニウム箔の表面加工方法
EP3839626B1 (fr) * 2019-12-18 2023-10-11 Nivarox-FAR S.A. Procede de fabrication d'un composant horloger
US11802891B1 (en) 2019-12-31 2023-10-31 Microfabrica Inc. Compliant pin probes with multiple spring segments and compression spring deflection stabilization structures, methods for making, and methods for using
CN113634831A (zh) * 2020-05-11 2021-11-12 光群雷射科技股份有限公司 无缝全像图图案转移方法
JP7049409B2 (ja) * 2020-07-17 2022-04-06 マクセル株式会社 塑性加工用の金型の製造方法
WO2023196427A1 (en) 2022-04-06 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023196425A1 (en) 2022-04-06 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023196431A1 (en) 2022-04-06 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023196428A1 (en) 2022-04-07 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023196438A1 (en) 2022-04-07 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023196436A1 (en) 2022-04-08 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023211659A1 (en) 2022-04-28 2023-11-02 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2024006446A1 (en) 2022-06-30 2024-01-04 Microfabrica Inc. Compliant pin probes with extension springs or spring segments and ratcheting elements
WO2024050124A1 (en) 2022-09-02 2024-03-07 Dexcom, Inc. Devices and methods for measuring a concentration of a target analyte in a biological fluid in vivo

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5209817A (en) * 1991-08-22 1993-05-11 International Business Machines Corporation Selective plating method for forming integral via and wiring layers
US5271822A (en) * 1991-12-11 1993-12-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Methods and apparatus for electroplating electrical contacts

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2306082A (en) * 1940-04-27 1942-12-22 Clarence O Prest Method for line or design reproduction by electrolysis
US2606082A (en) * 1946-11-11 1952-08-05 Separator Ab Self-aligning vertical shaft
US3240685A (en) * 1962-02-23 1966-03-15 Ibm Method and device for selective anodization
BE756431A (fr) * 1969-09-20 1971-03-22 Philips Nv Procede permettant la fabrication d'un corps presentant des proprietes anisotropes magnetiques permanentes
US3697401A (en) * 1970-01-09 1972-10-10 Avco Corp Electrochemical milling process
US3745105A (en) * 1970-11-18 1973-07-10 Auric Corp Apparatus for selective electroplating of sheets
DE2127855A1 (en) 1971-06-04 1972-12-14 Nautschno-issledowatelskij institut po udobrenijam i insektofungizidam imeni professora Ja. W. Semojlowa, Moskau Drying phosphate gypsum - without escape of fluorine by adding calcium oxide/hydroxide/carbonate
US3835017A (en) * 1972-12-22 1974-09-10 Buckbee Mears Co Reusable shields for selective electrodeposition
US3926916A (en) * 1972-12-22 1975-12-16 Du Pont Dielectric composition capable of electrical activation
US4080267A (en) * 1975-12-29 1978-03-21 International Business Machines Corporation Method for forming thick self-supporting masks
US4043891A (en) * 1976-01-14 1977-08-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electrolytic cell with bipolar electrodes
SU642382A1 (ru) * 1976-07-28 1979-01-15 Предприятие П/Я А-7501 Установка дл локального гальванопокрыти
US4090267A (en) * 1977-03-31 1978-05-23 Casper Cuschera Self caulking toilet drain
US4187553A (en) 1977-12-23 1980-02-05 International Business Machines Corporation Pedestal bubble domain chip and processes for making same
US4155815A (en) * 1978-04-03 1979-05-22 Francis William L Method of continuous electroplating and continuous electroplating machine for printed circuit board terminals
ZA811368B (en) * 1980-03-24 1982-04-28 Genentech Inc Bacterial polypedtide expression employing tryptophan promoter-operator
US4294669A (en) * 1980-09-08 1981-10-13 Gte Products Corporation Process for plating selected metal areas
US4370941A (en) 1981-03-23 1983-02-01 Belton Betty R Apparatus for batiking eggs and the like
US4376017A (en) * 1982-01-04 1983-03-08 Western Electric Co., Inc. Methods of electrolytically treating portions of digitated strips and treating cell
US4404080A (en) * 1982-03-22 1983-09-13 National Semiconductor Corporation Molded plating mask
DE3212152C2 (de) * 1982-04-01 1985-01-17 Doduco KG Dr. Eugen Dürrwächter, 7530 Pforzheim Vorrichtung zum selektiven galvanischen Beschichten eines Bandes
GB2127855B (en) * 1982-10-05 1986-03-26 Owen S G Ltd Selective plating
US4537647A (en) 1982-10-06 1985-08-27 The Boeing Company Method for applying turbulators to wind tunnel models
US4452684A (en) * 1983-03-11 1984-06-05 The Carolinch Company Apparatus for selective electrolytic plating
JPS59191356A (ja) 1983-04-13 1984-10-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置における金属導電パタ−ンの形成方法
JPS59216453A (ja) * 1983-05-20 1984-12-06 Hitachi Metals Ltd 円筒状永久磁石の製造方法
US4575330A (en) * 1984-08-08 1986-03-11 Uvp, Inc. Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
JPH0821567B2 (ja) 1985-03-14 1996-03-04 富士通株式会社 超微細管の製造方法
US4764449A (en) * 1985-11-01 1988-08-16 The Chromaline Corporation Adherent sandblast photoresist laminate
NL8600838A (nl) * 1986-04-02 1987-11-02 Meco Equip Eng Werkwijze en inrichting voor het langs electrolytische weg aanbrengen van een metaalbedekking op in een band samenhangende langwerpige metalen en /of gemetalliseerde voorwerpen.
EP0250121B1 (en) * 1986-06-03 1994-11-02 Cubital Ltd. Three-dimensional modelling apparatus
US4752352A (en) 1986-06-06 1988-06-21 Michael Feygin Apparatus and method for forming an integral object from laminations
JPH01106570U (ko) * 1988-01-11 1989-07-18
GB2214930A (en) * 1988-02-11 1989-09-13 Twickenham Plating & Enamellin Mask for use in electriplating on elongate substrate
JPH01255682A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Mitsui Toatsu Chem Inc イオン交換膜の破損検出方法
DE68927908T2 (de) * 1988-04-18 1997-09-25 3D Systems Inc Verringerung des stereolithographischen Verbiegens
US5059359A (en) * 1988-04-18 1991-10-22 3 D Systems, Inc. Methods and apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
JP3004667B2 (ja) * 1988-04-18 2000-01-31 スリーディー、システムズ、インコーポレーテッド Ｃａｄ／ｃａｍ立体石版技法用データの変換
AU635286B2 (en) * 1989-07-05 1993-03-18 Astellas Pharma Inc. Aqueous liquid composition for external use
US4920639A (en) * 1989-08-04 1990-05-01 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a multilevel electrical airbridge interconnect
US4954192A (en) 1989-08-30 1990-09-04 Pristine Products Process for applying identification to objects made of porous material
US5011580A (en) * 1989-10-24 1991-04-30 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of reworking an electrical multilayer interconnect
US4985116A (en) * 1990-02-23 1991-01-15 Mint-Pac Technologies, Inc. Three dimensional plating or etching process and masks therefor
US5209878A (en) * 1990-10-30 1993-05-11 3D Systems, Inc. Surface resolution in three-dimensional objects by inclusion of thin fill layers
US5999184A (en) * 1990-10-30 1999-12-07 3D Systems, Inc. Simultaneous multiple layer curing in stereolithography
US5286573A (en) * 1990-12-03 1994-02-15 Fritz Prinz Method and support structures for creation of objects by layer deposition
JP2654871B2 (ja) 1991-04-16 1997-09-17 株式会社三井ハイテック リードフレームの異種金属部分めっき方法
US5478699A (en) * 1992-03-12 1995-12-26 Amtx, Inc. Method for preparing a screen printing stencil
US5190637A (en) * 1992-04-24 1993-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures by multiple level deep X-ray lithography with sacrificial metal layers
US5928839A (en) * 1992-05-15 1999-07-27 Morton International, Inc. Method of forming a multilayer printed circuit board and product thereof
US5512163A (en) 1992-06-08 1996-04-30 Motorola, Inc. Method for forming a planarization etch stop
US5512162A (en) * 1992-08-13 1996-04-30 Massachusetts Institute Of Technology Method for photo-forming small shaped metal containing articles from porous precursors
JP3361556B2 (ja) * 1992-09-25 2003-01-07 日本メクトロン株式会社 回路配線パタ−ンの形成法
FR2696478B1 (fr) 1992-10-05 1994-10-28 Commissariat Energie Atomique Procédé de dépôt électrolytique d'un métal sur un substrat souple faiblement conducteur, dispositif de dépôt électrolytique permettant la réalisation de ce procédé et produit obtenu par ce procédé.
US5378583A (en) * 1992-12-22 1995-01-03 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet
DE4307869C2 (de) * 1993-03-12 1996-04-04 Microparts Gmbh Mikrostrukturkörper und Verfahren zu deren Herstellung
US5412265A (en) * 1993-04-05 1995-05-02 Ford Motor Company Planar micro-motor and method of fabrication
JPH0722425A (ja) 1993-07-05 1995-01-24 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US5501162A (en) * 1993-07-19 1996-03-26 Kravets; Alexander Method of fuel combustion
US5435902A (en) 1993-10-01 1995-07-25 Andre, Sr.; Larry E. Method of incremental object fabrication
US5413668A (en) 1993-10-25 1995-05-09 Ford Motor Company Method for making mechanical and micro-electromechanical devices
US5476699A (en) * 1993-11-02 1995-12-19 Hughes Aircraft Company Extrusion interlock assembly
US5472539A (en) * 1994-06-06 1995-12-05 General Electric Company Methods for forming and positioning moldable permanent magnets on electromagnetically actuated microfabricated components
FR2721435B1 (fr) * 1994-06-17 1996-08-02 Asulab Sa Microcontacteur magnétique et son procédé de fabrication.
JPH0821567A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Inax Corp ウォーターハンマー防止装置
JPH0874099A (ja) * 1994-09-09 1996-03-19 Terumo Corp 機械要素および可動部を有する構造体ならびにその製造方法
JP2615429B2 (ja) * 1994-09-13 1997-05-28 工業技術院長 ３次元立体形状の創成法
JP3842318B2 (ja) * 1994-10-27 2006-11-08 Ｔｄｋ株式会社 マイクロマシン部品の取り扱い方法
JP3448988B2 (ja) * 1994-10-31 2003-09-22 三菱電機株式会社 微小機構部品の製造方法
JP3448987B2 (ja) * 1994-10-31 2003-09-22 三菱電機株式会社 微小機構部品の製造方法
US5560837A (en) 1994-11-08 1996-10-01 Hewlett-Packard Company Method of making ink-jet component
CN1149907A (zh) * 1995-03-29 1997-05-14 罗伯特·博施有限公司 孔片的制造方法
US5596504A (en) * 1995-04-10 1997-01-21 Clemson University Apparatus and method for layered modeling of intended objects represented in STL format and adaptive slicing thereof
US5641391A (en) * 1995-05-15 1997-06-24 Hunter; Ian W. Three dimensional microfabrication by localized electrodeposition and etching
US5718618A (en) * 1996-02-09 1998-02-17 Wisconsin Alumni Research Foundation Lapping and polishing method and apparatus for planarizing photoresist and metal microstructure layers
US6197180B1 (en) 1996-02-09 2001-03-06 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College High aspect ratio, microstructure-covered, macroscopic surfaces
US6019784A (en) * 1996-04-04 2000-02-01 Electroformed Stents, Inc. Process for making electroformed stents
JP3580462B2 (ja) * 1996-07-05 2004-10-20 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用アルミニウム支持体の製造方法
US5874011A (en) * 1996-08-01 1999-02-23 Revise, Inc. Laser-induced etching of multilayer materials
US5876424A (en) * 1997-01-23 1999-03-02 Cardiac Pacemakers, Inc. Ultra-thin hermetic enclosure for implantable medical devices
JP3269827B2 (ja) * 1997-04-04 2002-04-02 ユニバーシティ・オブ・サザン・カリフォルニア 電気化学製造のための物品、方法、および装置
US5945058A (en) * 1997-05-13 1999-08-31 3D Systems, Inc. Method and apparatus for identifying surface features associated with selected lamina of a three-dimensional object being stereolithographically formed
US6505614B1 (en) * 1999-10-14 2003-01-14 Siemens Canada Limited Connection formed by engagement of a tube and a valve surface
JP2001142210A (ja) 1999-11-10 2001-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
US6458263B1 (en) * 2000-09-29 2002-10-01 Sandia National Laboratories Cantilevered multilevel LIGA devices and methods
US20080121343A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-29 Microfabrica Inc. Electrochemical Fabrication Methods Incorporating Dielectric Materials and/or Using Dielectric Substrates
US7531077B2 (en) * 2003-02-04 2009-05-12 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
US20060226015A1 (en) * 2003-02-04 2006-10-12 Microfabrica Inc. Method of forming electrically isolated structures using thin dielectric coatings
JP4318187B2 (ja) 2005-11-11 2009-08-19 アルパイン株式会社 機器連結機構

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5209817A (en) * 1991-08-22 1993-05-11 International Business Machines Corporation Selective plating method for forming integral via and wiring layers
US5271822A (en) * 1991-12-11 1993-12-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Methods and apparatus for electroplating electrical contacts

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160103608A (ko) * 2015-02-24 2016-09-02 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조방법
KR102282216B1 (ko) * 2015-02-24 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
AU743394B2 (en) 2002-01-24
KR20010005994A (ko) 2001-01-15
US20110247941A1 (en) 2011-10-13
AU6881598A (en) 1998-10-30
US7351321B2 (en) 2008-04-01
US20040065553A1 (en) 2004-04-08
US9752247B2 (en) 2017-09-05
JP5449299B2 (ja) 2014-03-19
CA2286326A1 (en) 1998-10-15
JP2014037635A (ja) 2014-02-27
US8603316B2 (en) 2013-12-10
JP5668124B2 (ja) 2015-02-12
EP1015669A1 (en) 2000-07-05
US20080121618A1 (en) 2008-05-29
JP3269827B2 (ja) 2002-04-02
US20100264037A1 (en) 2010-10-21
EP1015669B1 (en) 2010-11-17
IL132165A (en) 2003-12-10
US20080110856A1 (en) 2008-05-15
JP2009102743A (ja) 2009-05-14
US20150108004A1 (en) 2015-04-23
US20120228143A1 (en) 2012-09-13
IL132165A0 (en) 2001-03-19
US6790377B1 (en) 2004-09-14
CA2572503A1 (en) 1998-10-15
US20040084319A1 (en) 2004-05-06
US6027630A (en) 2000-02-22
US20140004374A1 (en) 2014-01-02
US7998331B2 (en) 2011-08-16
US20070181430A1 (en) 2007-08-09
WO1998045504A1 (en) 1998-10-15
JP2012052242A (ja) 2012-03-15
JP2009102749A (ja) 2009-05-14
US6475369B1 (en) 2002-11-05
US20080179279A1 (en) 2008-07-31
DE69842001D1 (de) 2010-12-30
US20120234688A1 (en) 2012-09-20
JP2015042788A (ja) 2015-03-05
US20100193366A1 (en) 2010-08-05
US20080230390A1 (en) 2008-09-25
US7618525B2 (en) 2009-11-17
CA2572499A1 (en) 1998-10-15
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US8551315B2 (en) 2013-10-08
CA2572786A1 (en) 1998-10-15
US20040065552A1 (en) 2004-04-08

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