JPS59191356A - 半導体装置における金属導電パタ−ンの形成方法 - Google Patents
半導体装置における金属導電パタ−ンの形成方法Info
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- JPS59191356A JPS59191356A JP6651683A JP6651683A JPS59191356A JP S59191356 A JPS59191356 A JP S59191356A JP 6651683 A JP6651683 A JP 6651683A JP 6651683 A JP6651683 A JP 6651683A JP S59191356 A JPS59191356 A JP S59191356A
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- metal
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- hole
- photoresist layer
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置における金属導電パターンの形成
方法に係り、特に半導体ウェーハに穿設された穴を金属
で埋めるとともにこの埋め込み金属に連接する金属配線
パターンを形成する方法の改良に関するものである〇 〔従来技術〕 第１図Ａ−０は上述のような金属導電パターンの従来の
形成方法を説明するために、その主要段階における状態
を示す断面図である。まず、第１図Ａに示すように、半
導体ウェーハ（１）の上に写＾製版、真空蒸着などの方
法を適当に用いて金属電極（２１、（３） 、および（
４）、並びに絶縁膜（５，） 、 （６）および（７）
を形成し、その後に、半導体ウェーハ（１）に深い穴（
８）ヲエッチングによって形成する。次にホトレジスト
（９）を塗布し、写真製版技術によって穴（８）を含む
部分に窓αＯを形成する。次いで、上面（窓αＯの内面
および穴（８）の内面も含む。）に金属を蒸着して金属
膜αυを形成した後に、金属膜αＤの上にホトレジスト
（２）を塗布し、写真製版技術によって、前記窓αＯと
同じ位置に窓（至）を形成する。その後に金属膜（ロ）
を電極として電気メッキによって金属αくを形成した後
に、ホトレジスト層（９）、その上の金属膜αηの部分
およびホトレジスト層（２）をはく離する。このように
して穴（８）部の埋込み金属ａ４の形成が終る。
方法に係り、特に半導体ウェーハに穿設された穴を金属
で埋めるとともにこの埋め込み金属に連接する金属配線
パターンを形成する方法の改良に関するものである〇 〔従来技術〕 第１図Ａ−０は上述のような金属導電パターンの従来の
形成方法を説明するために、その主要段階における状態
を示す断面図である。まず、第１図Ａに示すように、半
導体ウェーハ（１）の上に写＾製版、真空蒸着などの方
法を適当に用いて金属電極（２１、（３） 、および（
４）、並びに絶縁膜（５，） 、 （６）および（７）
を形成し、その後に、半導体ウェーハ（１）に深い穴（
８）ヲエッチングによって形成する。次にホトレジスト
（９）を塗布し、写真製版技術によって穴（８）を含む
部分に窓αＯを形成する。次いで、上面（窓αＯの内面
および穴（８）の内面も含む。）に金属を蒸着して金属
膜αυを形成した後に、金属膜αＤの上にホトレジスト
（２）を塗布し、写真製版技術によって、前記窓αＯと
同じ位置に窓（至）を形成する。その後に金属膜（ロ）
を電極として電気メッキによって金属αくを形成した後
に、ホトレジスト層（９）、その上の金属膜αηの部分
およびホトレジスト層（２）をはく離する。このように
して穴（８）部の埋込み金属ａ４の形成が終る。
次いで、第１図Ｂに示すように上面に埋込み金属Ｑ４）
が十分かくれるような厚さにホトレジスト層ａ９を塗布
し写真製版技術によって、金属電極（２）および（３）
の上にそれぞれ窓α・およびα乃を形成した後に全上面
に窓α＊、Ｑ７１の内面をも含めて、金属を蒸着して金
属膜θ８）を形成し、次いで、金属配線パターンの形成
領域を除いて金属膜ａネの上にホトレジスト層ａ９を形
成し、その後に金属膜α綽を電極として電気メッキによ
って金属ブリッジ部翰を形成し金属電極（２）と（３）
と〔従って、埋込み金属０４）とも〕を接続する。第１
図Ｂにおいて（１４ａ）で−示したのは埋込み金属α滲
とその周りの金属膜ａＯと金属電極（３）。
が十分かくれるような厚さにホトレジスト層ａ９を塗布
し写真製版技術によって、金属電極（２）および（３）
の上にそれぞれ窓α・およびα乃を形成した後に全上面
に窓α＊、Ｑ７１の内面をも含めて、金属を蒸着して金
属膜θ８）を形成し、次いで、金属配線パターンの形成
領域を除いて金属膜ａネの上にホトレジスト層ａ９を形
成し、その後に金属膜α綽を電極として電気メッキによ
って金属ブリッジ部翰を形成し金属電極（２）と（３）
と〔従って、埋込み金属０４）とも〕を接続する。第１
図Ｂにおいて（１４ａ）で−示したのは埋込み金属α滲
とその周りの金属膜ａＯと金属電極（３）。
（４）とを含めたものである。
次いで、ホトレジスト層α９および０侍とそれらの間の
金属膜ａ杓とを除去すると、第１図Ｃに示すように、所
望の埋込み金属およびこれに連接する金属配線パターン
＋′１４ｂ）が完成する。
金属膜ａ杓とを除去すると、第１図Ｃに示すように、所
望の埋込み金属およびこれに連接する金属配線パターン
＋′１４ｂ）が完成する。
ところが、上述の従来の方法では、穴αＯの埋込みのた
めの金属メッキの厚さは例えば１０〜２０メｍ程度であ
り、これに対してブリッジ部翰のメッキの厚さは４〜６
メｍ程度でよい。従って、これらの電気メッキは別個に
行なわれていた。従って、ホトレジストの写真製版、金
属の全面蒸着、電気メッキ、ホトレジスト層および金属
膜のはく離をいずれも２回実施する必要があり、工程数
が多く滌り、更Ｋ、表面の凹凸によってホトレジストの
塗布が不均一となり、写真製版が困難な場合、ホトレジ
スト層のはく離が困難な場合があり、表面の汚損、メッ
キ部のはく離などの重大な欠陥を生じることがあった。
めの金属メッキの厚さは例えば１０〜２０メｍ程度であ
り、これに対してブリッジ部翰のメッキの厚さは４〜６
メｍ程度でよい。従って、これらの電気メッキは別個に
行なわれていた。従って、ホトレジストの写真製版、金
属の全面蒸着、電気メッキ、ホトレジスト層および金属
膜のはく離をいずれも２回実施する必要があり、工程数
が多く滌り、更Ｋ、表面の凹凸によってホトレジストの
塗布が不均一となり、写真製版が困難な場合、ホトレジ
スト層のはく離が困難な場合があり、表面の汚損、メッ
キ部のはく離などの重大な欠陥を生じることがあった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、半
導体ウェーハの穴の埋込みとブリッジ部分とのメッキを
同時に行なうこと【よって写真製版、蒸着、メッキ、お
よびはく離の工程を減少させ従来方法におけるような表
面の汚損、メッキ部のはがれのない製品の得られる形成
方法を提供するものである。
導体ウェーハの穴の埋込みとブリッジ部分とのメッキを
同時に行なうこと【よって写真製版、蒸着、メッキ、お
よびはく離の工程を減少させ従来方法におけるような表
面の汚損、メッキ部のはがれのない製品の得られる形成
方法を提供するものである。
第２図Ａ−０はこの発明の一実施例を説明するためにそ
の主要段階における状態を示す断面図である。まず、第
２図Ａに示すように、半導体ウェーハ（１）に従来例に
おいて説明したと同様に、金属電極（２）、 （３１お
よび（４）並びに絶縁膜（５） 、 （６）および（７
）を形成した後に深い穴（８）を形成し、次に、その上
面如ホトレジスト層ｅ］）を塗布した後に、穴（８）を
含む部分に窓α０を、金属電極（２）の上に窓αＱを形
成する。つづいて、穴（８）の内面、窓αｉ、ａ＊の内
面を含めてホトレジスト層■υの表面に金属薄膜（イ）
を被着させる。次にメッキを必要とする部分以外をホト
レジスト層（２）で被覆した後に、金属薄膜＠を電極と
してその上に電気メッキを施して、所要の厚さく例えば
４μｍ）の金属メッキ層■を形成する。次に、第２図Ｂ
に示すように、穴αＯの部分以外の金属層（２４ａ ）
の上をホトレジスト層に）で覆う。ここで、金属層（２
４ａ）は金属薄膜（イ）と金属メッキ層（財）とを一体
化したものである。この状態で金属層（２４ａ）を電極
として眠気メッキを施して穴αυ内を金属で埋めた後に
ホトレジスト層Ｑ］）、（イ）、およびに）並びにホト
レジスト層（財）の下の金属薄膜（イ）の部分を除去す
ることＫよって、第２図Ｃに示すように、従来方法で形
成したものと同様の所望の形状が得られる。
の主要段階における状態を示す断面図である。まず、第
２図Ａに示すように、半導体ウェーハ（１）に従来例に
おいて説明したと同様に、金属電極（２）、 （３１お
よび（４）並びに絶縁膜（５） 、 （６）および（７
）を形成した後に深い穴（８）を形成し、次に、その上
面如ホトレジスト層ｅ］）を塗布した後に、穴（８）を
含む部分に窓α０を、金属電極（２）の上に窓αＱを形
成する。つづいて、穴（８）の内面、窓αｉ、ａ＊の内
面を含めてホトレジスト層■υの表面に金属薄膜（イ）
を被着させる。次にメッキを必要とする部分以外をホト
レジスト層（２）で被覆した後に、金属薄膜＠を電極と
してその上に電気メッキを施して、所要の厚さく例えば
４μｍ）の金属メッキ層■を形成する。次に、第２図Ｂ
に示すように、穴αＯの部分以外の金属層（２４ａ ）
の上をホトレジスト層に）で覆う。ここで、金属層（２
４ａ）は金属薄膜（イ）と金属メッキ層（財）とを一体
化したものである。この状態で金属層（２４ａ）を電極
として眠気メッキを施して穴αυ内を金属で埋めた後に
ホトレジスト層Ｑ］）、（イ）、およびに）並びにホト
レジスト層（財）の下の金属薄膜（イ）の部分を除去す
ることＫよって、第２図Ｃに示すように、従来方法で形
成したものと同様の所望の形状が得られる。
なお、上記例では半導体ウェーハに設けた穴の埋込み金
属とこれに連接する金属配線パターンとを形成する場合
を示したが、厚さの異なるメッキ部分を半導体ウェーハ
に形成する場合には一般に５この発明の思想が適用でき
る。
属とこれに連接する金属配線パターンとを形成する場合
を示したが、厚さの異なるメッキ部分を半導体ウェーハ
に形成する場合には一般に５この発明の思想が適用でき
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明では、半導体ウェーハの
表面に設けた穴の埋込み金属と、同表面に形成された電
極間をブリッジ状接続する金属配線パターンとを同時に
電気メッキによって形成するようにしたので、ホトレジ
スト層の写真製版工程が従来の方法にルして約半分にな
り、時間短縮が可能であるばかりでなく、写真製版に起
因する表面の汚れが減少する。また、蒸着工程、はく離
工程も従来方法に比して約半分になり、時間短縮が可能
であり、はく離工程の減少は表面の汚れの減少につなが
る。更に、表面の凹凸が小さくなるので、写真製版が容
易となり、性能のよい半導体装置が得られる。
表面に設けた穴の埋込み金属と、同表面に形成された電
極間をブリッジ状接続する金属配線パターンとを同時に
電気メッキによって形成するようにしたので、ホトレジ
スト層の写真製版工程が従来の方法にルして約半分にな
り、時間短縮が可能であるばかりでなく、写真製版に起
因する表面の汚れが減少する。また、蒸着工程、はく離
工程も従来方法に比して約半分になり、時間短縮が可能
であり、はく離工程の減少は表面の汚れの減少につなが
る。更に、表面の凹凸が小さくなるので、写真製版が容
易となり、性能のよい半導体装置が得られる。
第１図は金属導電パターンの従来の形成方法を説明する
ためにその主要段階における状態を示す断面図、第２図
はこの発明の一実施例を説明するためにその主要段階に
おける状態を示す断面図である。 図において、（１）は半導体ウェーハ、ｒ２１ 、 （
３１、（４）は電極、（８）は穴、（イ）は金属膜、（
ハ）は金属メッキ層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示すＯ 代理人 大岩増雄 第１図 第２図
ためにその主要段階における状態を示す断面図、第２図
はこの発明の一実施例を説明するためにその主要段階に
おける状態を示す断面図である。 図において、（１）は半導体ウェーハ、ｒ２１ 、 （
３１、（４）は電極、（８）は穴、（イ）は金属膜、（
ハ）は金属メッキ層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示すＯ 代理人 大岩増雄 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１） 半導体ウェーハの表面に穿設された穴の内面
を覆うとともに上記半導体ウェーハの上記表面に形成さ
れた複数個の電極をブリッジ状に接続する連続した金属
膜を形成し、この金属膜を電極として電気メッキを施し
て上記金属膜上に所要厚さの金属を付着させて、上記穴
の埋込み金属と、これに連接して上記複数個の電極をブ
リッジ接続する金属配線パターンとを同時に形成するこ
とを特徴とする半導体装１ｔＫおける金属導電パターン
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6651683A JPS59191356A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | 半導体装置における金属導電パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6651683A JPS59191356A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | 半導体装置における金属導電パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59191356A true JPS59191356A (ja) | 1984-10-30 |
Family
ID=13318093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6651683A Pending JPS59191356A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | 半導体装置における金属導電パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59191356A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61210636A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-18 | Fujitsu Ltd | 超微細管の製造方法 |
| US6199700B1 (en) | 1997-03-28 | 2001-03-13 | Hitachi Zosen Corporation | Cushioning material for packaging |
| US6257412B1 (en) | 1997-02-28 | 2001-07-10 | Hitachi Zosen Corporation | Folded cushioning material for packaging |
| US6475369B1 (en) | 1997-04-04 | 2002-11-05 | University Of Southern California | Method for electrochemical fabrication |
| US9614266B2 (en) | 2001-12-03 | 2017-04-04 | Microfabrica Inc. | Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components |
| US9620834B2 (en) | 2001-12-03 | 2017-04-11 | Microfabrica Inc. | Method for fabricating miniature structures or devices such as RF and microwave components |
| US10297421B1 (en) | 2003-05-07 | 2019-05-21 | Microfabrica Inc. | Plasma etching of dielectric sacrificial material from reentrant multi-layer metal structures |
-
1983
- 1983-04-13 JP JP6651683A patent/JPS59191356A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61210636A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-18 | Fujitsu Ltd | 超微細管の製造方法 |
| US6257412B1 (en) | 1997-02-28 | 2001-07-10 | Hitachi Zosen Corporation | Folded cushioning material for packaging |
| US6199700B1 (en) | 1997-03-28 | 2001-03-13 | Hitachi Zosen Corporation | Cushioning material for packaging |
| US8551315B2 (en) | 1997-04-04 | 2013-10-08 | University Of Southern California | Method for electromechanical fabrication |
| US6572742B1 (en) | 1997-04-04 | 2003-06-03 | University Of Southern California | Apparatus for electrochemical fabrication using a conformable mask |
| US6790377B1 (en) | 1997-04-04 | 2004-09-14 | University Of Southern California | Method for electrochemical fabrication |
| US7351321B2 (en) | 1997-04-04 | 2008-04-01 | Microfabrica, Inc. | Method for electrochemical fabrication |
| US7998331B2 (en) | 1997-04-04 | 2011-08-16 | University Of Southern California | Method for electrochemical fabrication |
| US6475369B1 (en) | 1997-04-04 | 2002-11-05 | University Of Southern California | Method for electrochemical fabrication |
| US8603316B2 (en) | 1997-04-04 | 2013-12-10 | University Of Southern California | Method for electrochemical fabrication |
| US9752247B2 (en) | 1997-04-04 | 2017-09-05 | University Of Southern California | Multi-layer encapsulated structures |
| US9614266B2 (en) | 2001-12-03 | 2017-04-04 | Microfabrica Inc. | Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components |
| US9620834B2 (en) | 2001-12-03 | 2017-04-11 | Microfabrica Inc. | Method for fabricating miniature structures or devices such as RF and microwave components |
| US11145947B2 (en) | 2001-12-03 | 2021-10-12 | Microfabrica Inc. | Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components |
| US10297421B1 (en) | 2003-05-07 | 2019-05-21 | Microfabrica Inc. | Plasma etching of dielectric sacrificial material from reentrant multi-layer metal structures |
| US11211228B1 (en) | 2003-05-07 | 2021-12-28 | Microfabrica Inc. | Neutral radical etching of dielectric sacrificial material from reentrant multi-layer metal structures |
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