JPH03259595A - 表面導体層形成方法 - Google Patents

表面導体層形成方法

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JPH03259595A
JPH03259595A JP5867390A JP5867390A JPH03259595A JP H03259595 A JPH03259595 A JP H03259595A JP 5867390 A JP5867390 A JP 5867390A JP 5867390 A JP5867390 A JP 5867390A JP H03259595 A JPH03259595 A JP H03259595A
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polyimide resin
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insulating film
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Mitsuo Yamashita
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要] 例えばセラミック基板の表面に表面導体層を形成する方
法に関し、 下側の導体部との電気的接続に関する信頼性を向上させ
ることを可能とすることを目的とし、開口窓を有する所
定厚さの絶縁膜の表面に導体層を有し、該導体層が上記
開口窓の部位で上記絶縁膜の下側の導体部と電気的に接
続されてなる構成の表面導体層形成方法において、感光
性絶縁材を塗布して上記所定厚さより薄い膜を形成し、
これを露光、現像して、開口窓部を有する絶縁膜部を形
成する工程を複数回行い、上記開口窓部については、同
一部位に、先に形成されている開口窓部より大きいもの
を順次形成して、前記の所定の厚さを有し、底部側が所
定の面積を有し、開口端側の面積が上記底部側の面積よ
りも広い形状である開口窓を有する絶縁膜を形成する工
程と、上記絶縁膜のうち上記開口窓を含む部分の表面に
表面導体層を形成する工程とよりなるよう構成する。
〔産業上の利用分野] 本発明は例えばセラミック基板の表面に表面導体層形成
方法に関する。
セラミックプリント配線板においては、セラミック基板
の表面に表面導体層が形成されている。
この表面導体層は、セラミックプリント配線板の表面上
のポリイミド層上に形成してあり、ポリイミド層の開口
窓を通してセラミック基板の表面の導体部と電気的に接
続されている。
この表面導体層は、上記導体部との電気的接続について
の信頼性が高いことが重要である。
従って、表面導体層を形成する方法は、導体部との電気
的接続が確実になされる状態に表面導体層を形成しうる
ちのであることが望ましい。
〔従来の技術〕 第2図(A)乃至(C)は従来例を示す。
各図中、1はセラミック基板、2はパイヤホール、3は
導体部である。
まず、同図(A>に示すように、セラミック基板1の表
面に感光性を有するポリイミド樹脂を塗布して、ポリイ
ミド樹脂塗布pA4を形成し、この表面にガラスマスク
5をセットし、紫外線を照射して露光させる。
これを現像すると、同図(B)に示すように、開口窓6
を有するポリイミド樹脂膜7ができ、開口窓6の底部に
導体部3の一部3aが露出している。開口窓6の径d1
は約80μmである。またこの露出部3aの面積はSl
である。
次いで、スパッタリングにより、同図(C)に示すよう
に、表面導電層としての銅層8を形成する。銅層8は、
膜7の表面、開口窓6の周壁面6a、上記露出部3aに
被着され、面1a S +で導体部3と導通接続されて
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ポリイミド樹脂膜7は、製造工程中における膜内へのボ
イドの発生、異物侵入等があった場合にも、層間の絶縁
性を十分に確保できるようにするため、現在のところ厚
さtlは約2CIIと厚いことが必要とされる。
開口窓6の開口端側6bの径d2は、底部側6Cの径d
3と略等しい。d+ =d2=d3である。
従って開口窓6は、開口端側6bの広さが狭く、深さが
深い形状となる。
このため、開口窓6の奥部である底部側6Cについては
スパッタリング時に銅が析出しにくくなり、銅層8のう
ち開口窓6の底部側6Cについては、符号8aで示すよ
うに、薄くなってしまう。
従って、銅層8と導体部3との電気的接続に関しては十
分な信頼性を得ることが困難となる。
また、ポリイミド樹脂塗布14の厚さが20μ−程度と
厚いと、厚さが10uI11程度の場合に比べて、露光
時間(紫外線の照射量)、現像液を吹き付ける現像時間
を約2倍の長さに設定する必要があり、セラミック基板
1の表面のうち場所によっては露光不足、露光オーバ、
現像不足、現像オーバが起き易くなる。
現像不足(又は露光オーバ)かあると、第3図(A)中
符号10で示すように、開口窓は底部側が狭まったもの
となる。このため、導体部3のうちの開口窓10への露
出部分3bは、通常の場合よりも狭いものとなり、同図
(B)に示すように形成された銅層8と導体部3との電
気的接続部分の面積は所定の面積S1よりも狭くなって
52となってしまい、銅層8と導体部3との電気的接続
の信頼性は更に低下してしまう。
また、逆に現像オーバ(又は露光不足)があると、開口
窓は第4図(A)中符号11で示すように、底部側が余
分にえぐられた形状となり、この部分はスパッタに対し
て影の部分となってこの部分には銅は析出しにくく、銅
層は同図(B)中符号8bで示す如くに、極めて薄くな
る。このため、銅層8と導体部3との電気的接続の信頼
性は上記と同様に低下したものとなってしまう。
本発明は、下側の導体部との電気的接続に関する信頼性
を向上させることを可能とした表面導体層形成方法を提
供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、開口窓を有する所定厚さの絶縁膜の表面に導
体層を有し、該導体層が上記開口窓の部位で上記絶縁膜
の下側の導体部と電気的に接続されてなる構成の表面導
体層形成方法において、感光性絶縁材を塗布して上記所
定厚さより薄い膜を形成し、これを露光、現像して、開
口窓部を有する絶縁膜部を形成する工程を複数回行い、
上記開口窓部については、同一部位に、先に形成されて
いる開口窓部より大きいものを順次形成して、前記の所
定の厚さを有し、底部側が所定の面積を有し、開口端側
の面積が上記底部側の面積よりも広い形状である開口窓
を有する絶縁膜を形成する工程と、 上記絶縁膜のうち上記開口窓を含む部分の表面に表面導
体層を形成する工程とよりなる構成である。
〔作用〕
塗布、露光、現像を複数行って開口窓を有する絶縁膜を
形成する工程により、絶縁膜については所定の厚みを有
し、開口窓については、開口端側の面積の大きい形状の
ものを形成することが可能となる。
この開口窓は、開口窓の底面への金属の析出を良好とし
、表面導体層は開口窓の内面全体に亘って略均−の厚さ
で形成される。
〔実施例) 第1図(A)乃至(G)は本発明の一実施例を示す。図
中、第2図(A)乃至(C)に示す構成部分と対応する
部分には同一符号を付す。
まず、同図(A)に示すように、セラミック基板1の表
面に、感光性を有するポリイミド樹脂を、前記の所定の
厚さtlの172である厚さt+o=10μmで塗布し
て、第1のポリイミド樹脂塗布膜20を形成する。
次いで、同図(B)に示すように、この表面に第1のガ
ラスマスク21をセットし、紫外線を照射して露光させ
る。黒色部21aは径がd 10であり、面積は51G
である。
これを現像すると、未感光の部分20aが現像液によっ
て洗い流されて除去され、同図(C)に示すように、第
1の開口窓部22が形成される。
この第1の開口窓部22の面積はS I+であり、上記
の510と等しい。
露光された部分は感光されて化学変化し、第1のポリイ
ミド樹脂膜部23として残る。
ここで、第1のポリイミド樹脂塗布膜20の厚さt 1
0は10μ−と従来に比べて薄いため、露光及び現像は
、紫外Jl露光FR間T1及び現像時間T2を共に従来
の場合の約半分の時間に設定されて行われ、露光不足、
露光オーバ、現像不足、現像オーバは従来に比べて生じ
にくくなる。
このため、第1の開口窓部22は、深さaの方向上全長
に亘って径d I+が同一である形状となり、導体部3
のうち第1の開口窓部22に露出している部分3cの面
積はS I+である。
次に、同図(D)に示すように、第1のポリイミド樹脂
膜部23の表面に、再度、感光性を有するポリイミド樹
脂を、上記厚さt 10と等しい厚さ1n=10μmで
塗布して、第2のポリイミド樹脂塗布膜24を形成する
。この塗布g!24は、ポリイミド樹脂が第1の開口窓
部22を埋めた状態で形成される。
次に、同図(E)に示すように、第2のガラスマスク2
5をセットし、紫外線を照射して露光させる。
黒色部25aは径d 12が120μ国であり、面積3
12は前記S 10より大である。マスク25は、黒色
部25aの中心を第1の開口窓部22の中心と一致させ
てセットされる。
露光時間は、前記の第1の塗布ll12oに対する場合
と同じく、T1である。
次いで、これを現像する。これにより、未感光の部分2
4aが現像液により洗い流されて除去され、同図(F)
に示すように第1の開口窓部22が再現すると共に、径
d、3−120μmであり面積513(=S12)の第
2の開口窓部26が形成される。
露光された部分は感光されて化学変化し、第2のポリイ
ミド樹脂膜部27として残る。
ここで、第2の開口窓部26が形成されたことにより、
第1の開口窓部22の底部は開口端から20μ−と深く
なり、第1の開口窓部22内を埋めているポリイミド樹
脂のうち第1の開口窓部22の底面の隅の部分に存在す
るものは、洗い流されにくくなって、同図(F)中皿点
鎖線で示すように残渣28となり易い。
そこで、現像時間は第1回目の時間T2より若干長い時
間T3としている。即ち、若干現像オーバの状態とする
これにより、第1の開口窓部20内を埋めているポリイ
ミド樹脂は全て洗い流されて除去され、残渣は残らない
なお、上記のように若干現像オーバとなるけれども、第
1のポリイミド樹脂膜部23は既に感光されているため
、これは少しも除去されず、第1の開口窓部22は側方
にえぐられることなく正しく再現される。
第2の開口窓部26は、第1の開口窓部22と同心状に
形成される。
これにより、同図(F)に示すように、セラミック基板
1の表面に、第1のポリイミド樹脂膜部23の上に第2
のポリイミド樹脂膜部27が積層された厚さi+z=2
0μmのポリイミド樹脂膜30が形成された状態となる
且つ、導体部3の部分に、下側の第1の開口窓部22と
上側の第2の開口窓部26とよりなる開口窓31が形成
された状態となる。
開口窓31の底部側31aは、径がd11=80μmで
あり、面積S 11である。露出部分3Cは所定の面積
511である。
開口窓31の開口端側31bは、径がd13−120μ
陽であり、面積S 13である。この面積St3は底部
側の面積S I+の約1.6倍と広い。
また開口窓31は、深さ方向上途中に段部を有する形状
であり、底部側の周側面32と、開口側の周側面33と
、両者間の環状面34とを有する。
次に、スパッタリングを行って、表面30aに銅を析出
させ、銅層35を形成する。35aはポリイミド樹脂膜
30の表面の銅層部であり、35bは開口窓31内の銅
層部である。
開口窓31は、深さは従来と同じくaであるけれども、
開口側の面積S 13が従来の場合の約16倍と広いた
め、しかも、スパッタに対して影となる部分が無いため
、上記開口側の周側面33及び環状面34上には勿論、
底部側の導体部3の露出部分3C上にも、底部側の周側
面32にも良好に析出される。これにより、開口窓31
内には、特に薄い部分が無く、全体に亘って略均−の厚
さtnとされた銅層部35bが形成される。
上記の銅層部35bのうち、符号35b−1で示す部分
が導体部3と接触しており、この部分の面積はS I+
である。
上記のように、導体部3と銅層部35bとが所定の面積
S 11で接触しており、且つ銅層部35bは全体に亘
って均一の厚さであるため、銅層部35aは導体部3に
対して高い信頼性で電気的に接続された状態となる。
また、第1図(G)より分かるように、銅層部35bは
、途中に、符号40.41で示すように二つの折曲部を
有する。この折曲部40.41が以下に述べるように銅
層部35bに作用する熱応力を緩和する。
即ち、後の■稈で熱処理がされることがある。
この場合に、ポリイミド樹脂膜30は熱膨脹する。
特に厚さ方向の熱膨脹に対しては、上記折曲部40.4
1が角度を拡げる方向に変形することにより、二個所で
分散して吸収され、クランクが入りにくくなる。
なお、本発明は上記実施例に限らず、プリント配線板一
般の表面導体層の形成に適用可能であり、更には半導体
装置の表面導体層の形成にも適用可能である。
また、ポリイミド樹脂の塗布、露光、現像は、上記のよ
うに皿回に限らず、三回以上行なってもよい。
また、銅層は、スパッタリングに限らず、無電解めっき
による析出形成でもよい。
(発明の効果〕 以上説明した様に、本発明によれば、底面において導体
部のうち所定の面積が露出し、且つ開口端側の面積が上
記の面積より犬であり、しかも、金属析出に対して影と
なる部分が無い形状の開口窓を形成することが出来る。
これにより、開口窓内への金属の析出を開口窓の底部側
の部分についても良好に行わしめることが出来、導体層
との電気的接続を確実化した表面導体層を形成すること
が出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の表面導体層形成方法の一実施例を説明
する図、 第2図は従来のプリント配線板の表面導体層形成方法の
1例を示す図、 第3図は従来例において生ずる欠点の1例を示す図、 第4図は従来例において生ずる欠点の別の例を示す図で
ある。 図において、 1はセラミック基板、 2はパイヤホール、 3は導体部、 3Cは露出部分、 20は第1のポリイミド樹脂塗布膜層、20a、24a
は未感光部分、 21は第1のガラスマスク、 21a、25aは黒色部、 22は第1の開口窓部、 23は第1のポリイミド樹脂膜部、 24は第2のポリイミド樹脂塗布膜層、25は第2のガ
ラスマスク、 26は第2の開口窓部、 27は第2のポリイミド樹脂膜部、 30はポリイミド樹脂膜、 30aは表面、 31は開口窓、 35は銅層 を示す。 (A)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  開口窓を有する所定厚さの絶縁膜の表面に導体層を有
    し、該導体層が上記開口窓の部位で上記絶縁膜の下側の
    導体部と電気的に接続されてなる構成の表面導体層形成
    方法において、 感光性絶縁材を塗布して上記所定厚さより薄い膜を形成
    し、これを露光、現像して、開口窓部を有する絶縁膜部
    を形成する工程を複数回行い、上記開口窓部については
    、同一部位に、先に形成されている開口窓部より大きい
    ものを順次形成して、前記の所定の厚さ(t_1_2)
    を有し、底部側が所定の面積(Sn)を有し、開口端側
    の面積(S_1_3)が上記底部側の面積よりも広い形
    状である開口窓(31)を有する絶縁膜(30)を形成
    する工程と、 上記絶縁膜(30)のうち上記開口窓(31)を含む部
    分の表面(30a)に表面導体層(35)を形成する工
    程とよりなることを特徴とする表面導体層形成方法。
JP2058673A 1990-03-09 1990-03-09 表面導体層形成方法 Expired - Fee Related JPH07105593B2 (ja)

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