JP2002011700A - 電気化学製造のための物品、方法、および装置 - Google Patents

電気化学製造のための物品、方法、および装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 構成材料と犠牲材料の両方の着電に基づいて
多層３次元構造を形成する。 【解決手段】 めっきされる基板２に、マスク６および
支持体８を含む第１の物品４ａを接触させ、第１の金属
イオン源が存在している状態で、第１の金属（例えば犠
牲金属）１２を堆積し、マスク１６および支持体１８を
含む第２の物品１４を基板２に接触させ、第２の金属イ
オン源が存在している状態で、第２の金属（例えば構成
金属）２０を堆積し、層を平坦化する。そして、異なる
パターンの電気めっき物品４ａ、４ｂ、１４ａ、１４ｂ
を用いて上記した方法を繰り返し、多層構造２４を生成
する。犠牲金属１２の全てをエッチングすることによっ
て、エレメント２６を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気化学堆積によ
って構造(structure)を形成することに関する。
【０００２】
【発明の背景】マイクロ製造プロセス（また、マイクロ
マシーニングと称される）は、機械および器具を含む複
雑なデバイスへの偶発的なアプリケーションのために開
発され改良されている。これらのプロセスは、２、３ミ
クロンの範囲および若干のケースにおいてはサブミクロ
ンの特徴を持つ小型化されたデバイスのマシンの生産に
向けられており、その幾つかは現在肉眼で見えるスケー
ルに存在する。
【０００３】マイクロ製造プロセスは、物質が基板の領
域から除去されるバルク性マイクロマシーニング、薄い
共形(conformal)の構造の層(layer)および１つ以上の犠
牲層(sacrifical )が基板上に堆積(deposit)される表面
マイクロマシーニング、および厚いシンクロトロン(syn
chrotron)処理されたフォトレジストの開口(opening)内
で、電着された(electrodeposited)金属のまわりの物質
をモールドすることによって、２．５−Ｄ押出型材を生
成するＬＩＧＡを含む。これらのプロセスは、単純なジ
オメトリ（例えば、それらは１−４の異なる横断面によ
り定義(define)され得る）の構造を生産するために用い
られ、各アプリケーションのために通常カスタマイズさ
れる。
【０００４】固体の自由な型の(freeform)製造(fabrica
tion)（また、迅速な原型作り(rapid prototyping)と称
される）は、何百もの層から一度に１つの層を生成する
ことによって、肉眼で見える部品を製造するために用い
られる。これらのプロセスは、厚さが典型的に５０−１
５０μｍより大きい層を用い、幅が典型的に５０−１０
０μｍより大きい特徴を生み出す。これらのプロセス
は、典型的に、連続的に層を生成する。これらのプロセ
スは、製造される部分(part)を支持するための構造を用
いる。支持体構造は、その部分のために度々カスタマイ
ズされる。
【０００５】
【発明の概要】本発明の１つの特徴は、ａ）基板と、こ
の基板上のパターンに適合(conformable)するように配
置されたマスク（以下、適合マスクという）を含む第１
の物品(article)に第１の基板を接触させ、ｂ）適合マ
スクのパターンと相補的に(complement)対応する第１の
パターンで、金属イオン源から第１の金属を第１の基板
の上に電気めっきし、ｃ）第１の基板から第１の物品を
取り除くこと、を含む電気めっき方法にある。
【０００６】好適な実施例において、その方法は、第２
の金属イオン源から第２の金属を第１の基板の上に電気
めっきすることをさらに含む。１つの実施例では、第２
の金属を電気めっきするステップは、ａ）基板と、この
基板上のパターンに適合するように配置された適合マス
クを含む第２の物品に第１の基板を接触させ、ｂ）第２
の物品の適合マスクのパターンと相補的に対応する第２
のパターンで、第２の金属を第１の基板の上に電気めっ
きし、ｃ）第１の基板から第２の物品を取り除くこと、
を含む。この方法は、さらに付加的な層をつくることが
できる。
【０００７】１つの実施例では、本発明は、基板をパタ
ーン化されたマスクに繰り返し接触させ、適合したマス
クパターンと相補的に対応するパターンで、金属イオン
源から第１の金属を基板の上に電気めっきし、基板から
マスクを除去すること、を含む電気めっき方法を特徴と
する。
【０００８】他の実施例では、本発明は、上記の電気め
っき方法に従う層を繰り返し形成することによって、多
層構造を形成することを含む要素（エレメント）を製造
する方法を特徴とする。
【０００９】本発明の他の特徴は、第１の主面を有する
基板と、この基板の第１の主面上のパターンに適合する
ように配置された適合マスクを含む、電気めっき物品に
ある。この物品は、金属イオン源の存在下で(in the pr
esence of)電極に接触するように置かれ、かつ電界がか
けられたとき、適合マスクのパターンと相補的な金属の
パターンで電極上に電界めっきすることができるように
なっている。
【００１０】本発明の他の特徴は、第１の金属イオンお
よび第２の金属イオンを含む電解液、電解液と接触する
アノード（陽極）、電解液と接触するカソード（陰
極）、および電解液と接触する第１の物品（例えば上記
した電気めっき物品）を含む、電気めっき装置にある。
【００１１】１つの実施例では、電気めっき装置は、第
１の金属イオンを含み第１のリザーバ内に配置される電
解液と、電解液と接触するアノードと、電解液と接触す
るカソードと、電解液と接触する物品（例えば上記した
物品）を含む第１の電気めっきリザーバ、および第２の
金属イオンを含み第２のリザーバ内に配置される電解液
と、電解液と接触するアノードを含む第２の電気めっき
リザーバを含む。
【００１２】本発明の他の特徴は、電気めっき物品を製
造する方法にある。この方法は、ａ）第１の基板とこの
第１の基板の上にパターン配置されたレジストからなる
物品に適合マスクを与え、ｂ）適合マスクがレジストパ
ターンと相補的なパターンを得るように、第２の基板を
適合マスクに接触させ、ｃ）第１の基板を適合マスク
（物品に付着して残っている適合マスク）から分離し、
ｄ）レジストを除去することを含む。
【００１３】１つの実施例では、ａ）電気めっき物品を
製造する方法は、第１の面を有するポーラス材（多孔質
材：porous medium）を用意し、ｂ）１つ以上のポーラ
スでない領域をつくるためにポーラス材を処理し、ｃ）
フィルムをポーラス材の第１の面に与え、ｄ）パターン
化されたマスクをつくるためにフィルムをパターニング
し、ｅ）１つ以上のポーラスでない領域の少なくとも一
部を除去することを含む。
【００１４】本発明の他の特徴は、３次元オブジェクト
の横断面ジオメトリの、計算、記憶、および回復(retri
eval)にある。これは、そのジオメトリを反映するパタ
ーン化されたマスクの生成および電気めっき方法の使用
のために用いられる。本発明のデータおよび制御プロセ
スは、汎用コンピューティングシステムにおいて、実行
されるソフトウェアアプリケーションプログラムによっ
て具現化され得る。
【００１５】本発明のデータおよび制御プロセスは、プ
ロセッサにより実行されるようにアレンジされたアプリ
ケーションプログラムコードを記憶するデータ記憶媒体
の形で、アプリケーションプログラムを通して具現化さ
れた電気めっき方法および製造物において、実施され得
る。
【００１６】電気めっき方法および物品は、例えば金
属、ポリマー、セラミックおよび半導体のような材料(m
aterial)の薄膜層からデバイスを製作することができ
る。電気めっき方法は、中間層の接合のない比較的均一
な、等方性のエレメント（例えばデバイス）を生成す
る。電気めっき方法は、低温で実行されることができ
る。このため、集積回路およびシリコンウェーハのよう
な基板をめっき基板として使うことができる。
【００１７】本発明の電気めっき方法は、高アスペクト
比のデバイス、内部機能を有する中空のデバイス、カン
チレバーおよび「シャンデリア」ジオメトリを有するデ
バイス、および相互接続された静止または移動部分（す
なわち、アセンブルされた状態において、製造されるデ
バイス）を含む、自由な型のジオメトリのデバイスを製
作するのに用い得る。電気めっき物品、装置および方法
も、デバイスの大量生産において特に有効である。
【００１８】本発明の他の機能および利点は、好適な実
施例の説明および請求の範囲から明らかになるであろ
う。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明は、複雑な構造を有するエ
レメントの製造を可能にする、電気めっき方法、装置お
よび物品を特徴とする。電気めっき方法は、構成材料
（例えば金属）と支持体（すなわち犠牲）材料の両方を
含むことができる層の選択的な電気めっき、およびそれ
に続く支持体材料の除去（例えば、エッチング、溶融、
あるいは電気分解）を含む。支持体材料を除去した後、
残っている構成材料は、微細なあるいはメゾスコピック
(mesoscopic)なデバイスのようなエレメントとなる。電
気めっき方法は、電極またはポーラス材のような支持体
に選択的に付着した、パターン化された適合マスクを含
む電気めっき物品を取り扱う。
【００２０】本発明は、電気めっき方法のために用いら
れる、電気めっき物品を特徴とする。電気めっき方法
は、電解液で満たされた電気めっき槽、アノード、およ
びカソードを含む電気めっき装置を用いて行われる。電
解液は、金属イオンおよび選択的に他の添加物を含む。
アノードは、下記のように、電気めっき物品の一部であ
り得るか、または物品から、ある距離をおいて置かれ
る。本明細書において、特に言及しない限りは、めっき
される基板は、カソードとして機能する。説明を単純化
するために、材料は金属と称し、同様の機能のものは同
じ参照番号を用いて示される。 ［電気めっき物品］図１を参照して、本発明にかかる電
気めっき物品４は、支持体８に付着された、パターン化
された適合マスク６を有する。電気めっき物品は、ま
た、パターン化された適合マスクであってもよい。支持
体は、ポーラス材（例えばフィルタ）、アノード、およ
びその結合体であってもよい。物品は、単一の支持体上
の複数の異なるマスクパターンを含むことができる。異
なるマスクパターンは、連続的に複数の金属層をめっき
するために、所定の順序で基板に接触される。各々の金
属層は、多層エレメントを形成するために、接触される
マスクパターンに相補的なパターンを有する。図２を参
照して、電気めっき物品４は、めっきされる金属を限る
ために、物品の外表面上の１つ以上のエッジマスク１３
を含むことができる。
【００２１】電気めっき物品とめっきされる基板間の接
触は、よく制御された一様な圧力を用いて基板に対しパ
ターン化されたマスクを押し付けることによって行われ
る。適当なマスキング圧力は、フラッシュ（すなわちマ
スクによって覆われた領域の金属の堆積）を防ぎ、マス
クによって、輪郭がはっきり定められた形の歪みを防
ぐ。電気めっき物品が基板との接触から除去されるとき
に、マスクは電気めっき物品に付着して残ったままとな
る。
【００２２】支持体からのマスクのデラミネーション
（表層薄利）を防ぐように、めっきされる基板からマス
クを離す様々な方法が、改良されて用いられている。例
えば、鈍いブレードを用いて電気めっき物品（フレキシ
ブルであるならば）を基板から徐々にはがすこと、くっ
つかない／円滑なコンパウンド(non-stick/lubricating
compound)を電解液に加えること、マスク面をくっつか
ない(non-stick)組成物（例えばスパッタされたポリ四
フッ化エチレン）でコーティングすること、および振動
（例えば超音波）を用いることができる。 ［パターン化された適合マスク］パターン化された適合
マスクは、めっきされる基板の表面に適合するように十
分に変形可能（例えば、弾性力をもって変形可能）であ
り、マスクと基板間の接触を最大にし、マスクと基板間
のギャップを最小にする（できれば排除する）。マスク
と基板間の接触を最大にすることは、フラッシュ形成の
ためのポテンシャルを最小にする。マスクは、また、繰
り返し使用（すなわち基板と接触し、基板から除去する
こと）ができるように十分に耐久力のあるものである。
マスクは、マスキング圧力によってマスクの形（すなわ
ちマスクパターンのクローズドとオープンの形を構成し
ているポジティブおよびネガティブの形）の歪みを防ぐ
ように、十分に堅くかつ薄くなっている。マスクは、好
ましくは、めっきされる基板のピークと谷の粗さおよび
曲率と比較して、相対的に厚くなっている。
【００２３】マスクは、好ましくは、非常に高い電気抵
抗値（例えば１０-14Ω−ｃｍ）を示し、電解溶液のイ
オンに対する非常に低い透磁率を有し、めっき処理が行
われる温度でめっき電解液に対し化学的に非リアクティ
ブである。マスクは、親水性か疎水性であるが、親水性
が好ましい。疎水性材料の場合、比較的多い量の湿潤剤
を、マスク材料のぬれを確実にするために電解液に入れ
るようにしてもよい。
【００２４】マスクは、好ましくは、支持体に対し強い
ボンド（例えば化学的なまたは機械的なボンド）を形づ
くることができる。そうすると、小さい（例えば１５×
１５μｍ）絶縁されたポジティブな形は、マスク製造プ
ロセス、マスクの正常の取り扱い、またはめっきされる
基板からマスク材を除去することによって、剥離されな
い。
【００２５】パターン化されたマスクは、好ましくは、
実質的に平坦で、めっきされる基板にスムーズに適合で
きるものである。マスクは、好ましくは、様々な単位
（例えばｌ０〜２５μｍ、または、サブミクロンのよう
により小さい）のポジティブおよびネガティブの形を持
つように、好ましくはマスクパターンのネガティブな形
をブロックするマスク残りがないように、パターン化さ
れる。マスクのパターンは、マスク厚を通って延び、１
つ以上のマスクの側壁で定義されるアパーチャ（すなわ
ち負の形）を含んでいる。マスクの形は、好ましくは、
実質的に平坦な壁プロファイルを有し、既存の堆積の存
在下で基板に対してマスクを再接触させるようなわずか
な側壁角（例えば、めっきされる基板の方へわずかに傾
いた）を有することができる。
【００２６】マスクは、１つ以上の材料の層、例えば、
比較的堅い層（すなわち高アスペクト比のフォトレジス
ト、例えばMicroChem社から市販されているSU-8および
シンクロトロン−処理されたポリメタクリル酸メチ
ル）、および適合層を含むように、構成され得る。有効
な堅い層の他の例としては、Clariant AZ4620のような
正のフォトレジストである。このフォトレジストは、パ
ターン化された適合層を紫外光にさらすことによって、
パターン化することができる。
【００２７】有効なマスキング材の例としては、例え
ば、Dow-Corningからの商品名Sylgard（例えばSylgard
182および184）およびGelestからの商品名RMS-033のよ
うな市販のポリディメチルシロキサン(polydimethylsil
oxane)（すなわちシリコーンゴム）のようなエラストマ
ー(erastimer)を含む。マスキング材は、他の添加剤、
例えばフォトイニシエーター(photoinitiators)、充填
剤および水素ゲッターを含むことができる。 ［ポーラス材］ポーラス材は、相互接続された孔を有
し、イオンおよび電解液構成物の添加剤に浸透され得
る。ポーラス材は、有孔率が変化する１つ以上の層を有
することができる。ポーラス材は、好ましくは、マスク
の最小のネガティブな形よりかなり細かい小孔寸法を有
する。小孔は、好ましくは、開口領域(open area)にお
いて一様である。例えば、ポーラス材のいかなる２０μ
ｍ2の開口領域においても、１％である。特に有効なポ
ーラス材は、フィルタとして使われるときに、０．３〜
３μｍの微少な保有率を有する。複数のポーラス層を含
むポーラス材のために、各ポーラス層は、上記の特性を
示す、めっきされる基板に最近接のポーラス材でもっ
て、有孔率および小孔寸法が変化し得る。マスクに接触
するポーラス材の表面は、めっきされる基板に接触す
る、付着されたマスク表面も、平らでスムーズであるよ
うにするために、十分に平らでスムーズでなければなら
ない。
【００２８】ポーラス材は、電解液槽の動作温度で電解
溶液と化学的に非リアクティブである。好適なポーラス
材は、親水性である。ポーラス材は、電気めっきの間に
発生するガス泡を発散させるようにガスに浸透され得る
のが好ましい。
【００２９】ポーラス材は、好ましくは、噴き出させる
こと(shedding)（すなわち周囲の流体にそのものの部分
をリリースしないこと）から自由で、かつ多層の電気め
っき処理に耐えるように十分に耐久力のあるものであ
る。適切なポーラス材の例としては、堅く、親水性のあ
る、滑らかな形(slip cast)のセラミックディスクポー
ラス材（Coors Ceramicsから市販されているもの）、ポ
リプロピレン（Gelmanからの商品名GHで市販されている
もの）、ポリビニリデンフルオライド(polyvinylidenef
luoride)（Milliporeから商品名Duraporeで市販されて
いるもの）、およびポリ四フッ化エチレン（Millipore
から商品名LCRで市販されているもの）から作られた親
水化膜(hydrophilized membrane)ポーラス材を使用する
ことができる。堅いポーラス材は、単独でそれらのエッ
ジで支えらているとき、マスキング圧力を与えることが
できる。
【００３０】特に有効な高透磁率のポーラス材は、比較
的薄く、フレキシブルで、ポーラスな膜を含む。ポーラ
ス膜は、マスキングへの適用に対して必要な圧力を与え
るためのバッキング(backing)として役立つ、より堅固
なポーラス材と組み合わせることが可能である。ポーラ
ス膜は、より堅固なポーラス材とマスクの間に挟むこと
ができ、ポーラス材は、めっき処理のために必要なマス
キング圧力を供給する。より堅固なポーラス材は、マス
クとの直接の接触のために用いられるものよりも比較的
粗い（すなわち、より大きい）有孔率を有することがで
きる。ポーラス膜は、マスク材（またはマスクに変形さ
せたもの）と一体にすることができる。
【００３１】ハンドリングを助けるために、ポーラス膜
は、後述するドラムヘッド固定治具(drumhead fixture)
に取り付けられるか、または粘着性の構成物（例えば乾
いたフィルムフォトレジスト）でもって一時的に堅固な
平らな基板（例えばシリコーンウェーハ、ガラス）に付
着されるようにすることができる。基板に付着している
間ポーラス膜が処理され、処理後、粘着剤を溶かすこと
によって除去される。
【００３２】マスキング圧力は、後方から膜に当たる電
界液のストリームまたはジェットの運動量によって、ま
た電解液に組み入れられる密度の濃い粒子との選択的な
コンビネーションで、および例えばポリマーの添加によ
る電解液の粘性を増やすことにより、ポーラス膜に与え
られる。マスキング圧力は、電気めっき装置のタンクの
壁に対し膜をシールし、それから電解液に圧力をかけ
て、めっきされる基板に膜を押し付けることによって
も、ポーラス膜に与えることができる。膜が膨れ上がる
(bulging)ことを防ぐために、めっきされる基板がポー
ラス材より小さいときには、ダミー基板を使うことがで
きる。
【００３３】ポーラス膜を用いる電気めっき方法の１つ
の例として、膜に対し比較的より堅固なポーラス材を押
し付け、電流を流し、所定期間金属を堆積し、電流を止
め、膜との接触から堅いポーラス材を除去し、それ自身
のプレーン（例えば、オービタルなもしくはリニアな
形）で比較的より堅固なポーラス材を置き換え、上記し
たサイクルを繰り返すこと、を含む。それぞれのサイク
ルにおいて比較的より堅固なポーラス材を置き換えるこ
とは、ポーラス材の異なる一部を膜に接触させることを
許容する。好ましくは、マスク／膜は、比較的より堅固
なポーラス材が、微容量およびバルク性電解液の間で、
流体の交換を許容するように、めっきされる基板から分
離される。
【００３４】他の膜めっき方法は、粒状のメディア、小
さい球、またはローラを、例えば堅固なスクリーンを使
用する膜に押し付けることを含む。小さい球およびロー
ラは、膜上のパターン（例えば、リニアな移動を用いる
リニアパターンまたはオービタルな移動を用いる円のパ
ターン）において、ローラ／球の小孔構造のローカルな
不平等性を平均化するために、連続的にまたは間欠的
に、回転させられ得る。好ましくは、移動の振幅は、球
またはシリンダの直径と等しい（好ましくは、それより
も数倍大きい）。球／シリンダは比較的小さく、膜は比
較的厚いのが、好ましい。球／シリンダは、めっきされ
る金属で作ることができる。 ［アノード］電気めっき物品は、アノード上のパターン
化されたマスクから構成され得る。アノードは、可溶性
もしくは非可溶性であり、堅いもしくはフレキシブルで
あり、ポーラスかポーラスでないかである。アノード
は、腐食しない導電材料（例えば、白金めっきされたチ
タン）によって支持された腐食可能な層（例えば金属
層）を含む。アノードは、金属の薄いフレキシブルな板
を含む、任意の大きさのものである。
【００３５】可溶性のアノードは、使用の間、腐食しが
ちである。アノードは、アノードとめっき金属の極性を
逆にすることによって、周期的にマスクのネガティブな
形を通りアノードを元の状態に戻す(redress)ことがで
きる。過度の金属は、例えば電子製造技術において用い
られるスルーマスク(through-mask)めっき処理に従い、
他のアノードと協同して供給される。マスクが物理的に
ポーラス膜によって支持されかつポーラス膜に取り付け
られており、アノードが膜の後ろに直接位置づけられて
いるシステムにおいては、アノードの動き(movement)
は、アノードの集中された(localized)腐食を防止する
であろう。 ［電気めっき物品の形成］一般に、電気めっき物品を形
成する方法は、固体のマスクまたは液体のマスキング材
を、支持体すなわちアノード、ポーラス材およびその結
合体に与えることを含む。固体のマスクは、支持体への
取り付けの前、またはそれに続いてパターン化され得
る。液体のマスキング材は、ポーラスでない基板（例え
ば、不活性部材、溶解あるいは溶融（例えば、プラスチ
ックの基板、ラッカーまたは低い融点合金）の上にパタ
ーン化され、硬化(cure)され（すなわち、クロスリンク
され、重合され(polymerized)、焼入れされ、固めら
れ、ゲル化され、およびそのコンビネーション）、そし
て、支持体に取り付けられるかパターン化され、支持体
の上で直接固められる。 ［支持体の準備］マスクを受けるスムーズな平らな表面
とするために、マスクをうけるであろう支持体の表面を
平坦化することが好ましい。マスクをアノードに与える
ときに、マスクへの粘着(adhession)を最大にするよう
に、最初にアノードの表面を用意しておくことが好まし
い。有効なアノード表面の準備方法の例としては、表面
上のパウダーの薄い層を、化学的なマイクロエッチング
(microetching)、ラッピング、サンドブラスティング、
および焼結(sintering)することを含む。化学薬品の粘
着プロモータ（例えば、Sylgard Prime Coat）を使うこ
ともできる。
【００３６】マスクのポーラス材への粘着を維持し改良
する方法として、様々なものを用いることができる。こ
れらの方法は、ポーラス材にマスクを押し付けながらマ
スクを溶かし、ポーラス材の有孔率で結果としてマスク
の機械的な重ね合わせとすること、およびマスクとポー
ラス材の間に粘着性のある構成物を与えることである。
ポーラス材に対するマスクの粘着は、パターン化された
マスクの表面の上にドライ堆積（例えば、スパッタ）さ
れる可溶性の材料（例えばガラス）である接着材を使う
ことによって、高めることができる。粘着性のある構成
物を使うときには、マスクと支持体の間に位置する領域
に粘着性のある構成物をとどめる（すなわち、粘着物
が、ほんの数ミクロンの幅であるネガティブな形をブリ
ッジしないようにする）方法を用いるのが好ましい。
【００３７】液状のマスキング材は、ポーラス材の小孔
に浸透する（すなわち、制御不能に吸収される）傾向が
ある。多孔性のままとするポーラス材の領域の「浸透(s
oakin)」を減らす方法として、様々なものを用いること
ができる。浸透を防ぐ適切な方法の例としては、ポーラ
ス材の一方の側に圧縮された空気を供給すること、小孔
に浸透し、満たし、そして液状のマスキング材の浸透に
対してバリヤーを形成するために、固まるような充填材
で一時的にポーラス材を処理すること、および液状のマ
スキング材よりも密度が濃く混ざらない充填材で一時的
にポーラス材を処理すること、を含む。ポーラス材の表
面は、充填材で小孔を浸透させた後に浸食される(abrad
ed)。このことにより、支持体に対しマスクが直接粘着
している、コーティングされていない(uncoated)、充た
されていない(unfilled)表面が露出する。充填材は、液
状のマスキング材が固体化された後、溶かされるか、ま
たはポーラス材から除去される。
【００３８】有効な充填材の例としては、アセトン可溶
性の(acetone-soluble)ワックスおよびラッカー、イン
ベストメントコーティングコアに用いられる可溶性のワ
ックス、水に溶ける塩、ゲル、クリスタルボンド５０
９、可溶性の熱可塑性材料および様相変化材料（例えば
氷、電気流動学の流体）を含む。
【００３９】図３において、充填材を用いてポーラス材
を一時的にポーラスでなくする方法の例を説明する。こ
の例は、比較的平らな表面１３１（例えばシリコンウェ
ーハ）（好ましくは、充填材の層の厚さは、ポーラス材
の小孔を所定の高さに充填するように調整される）の上
に液状の充填材１３２の薄膜層を回転成形し(spinnin
g)、回転状態にある充填材１３２にポーラス材１３０の
第１の表面１３６を接触させ（図３（ａ））、充填材１
３２をポーラス材の小孔に所定の深さ染み込ませ（図３
（ｂ））、充填材１３２を固化させ、そして、充填材１
３２がポーラス材１３０に入り込む第１の表面と反対側
にある、ポーラス材１３０の第２の表面１３８に十分な
量の液状のマスキング材１３４を（例えば回転形成によ
って）与える。液状のマスキング材１３４は、ポーラス
材の表面に所望の厚さのマスキング材の層を生成するよ
うに与えられる。マスキング材１３４の残りは、粘着の
ために、固化された充填材１３２の表面においてポーラ
ス材の中にしみ込む。この方法は、さらにマスキング材
１３４を硬化し、固化された充填物１３２を除去し、少
なくとも固化された充填物１３２が存在する深さでマス
キング材１３４が十分に染み込んでいるポーラス材１３
０の層を介してマスクをネガティブ形状にエッチングす
ることを含む。
【００４０】浸透を防ぐもしくは制限する他の方法は、
液状のマスキング材の量を制限することを含む。この場
合、液状のマスキング材は、ポーラス材における小孔の
量の割合だけ与えられ、液体は、小孔に部分的に充填さ
れる。そのような方法は、ポーラス材の上へ慎重に、噴
霧パターンの流量および速度を制御して、液体のマスキ
ング材にスプレーすることを含む。他の方法は、一様な
薄膜層を得るために非吸収シートの上で液体のマスキン
グ材をスピンコートし、液体のマスキング材にポーラス
材を接触して配置することを含む。ポーラス材がシート
から剥がされ、あるいは溶解、溶融されたときに、マス
キング材の薄いコーティングは、ポーラス材（すなわ
ち、マスキング材は、ポーラス材に付着して残ってい
る）へ移される。液体のマスキング材は、シートの除去
前あるいはそれに続いて、硬化される。
【００４１】浸透を防ぐ他の方法は、ポーラス材が高速
でスピンし、浸透が過度に行われる前で遠心力がマスキ
ング材を薄膜層に広げている間、液体のマスキング材を
ポーラス材に与えることを含む。
【００４２】浸透を防ぐ他のアプローチは、ポーラス材
の表面で又はその近くでバリヤー層を形成することを含
む。処理後、バリヤー層（および選択的にポーラス材の
ある部分）は、ポーラス材の有孔部分を露出させるため
に、マスクのネガティブ形状から除去される。また、支
持体に対するマスクの粘着を改良するために、マスクの
ポジティブ形状と一致するバリヤー層の領域は、マスク
のアプリケーションの前に除去されてもよい。バリヤー
層は、化学エッチング、ドライエッチング、イオンミリ
ング、レーザ加工および溶断（例えば、熱可塑性のベー
スバリヤーのためのもの）など多様な技術を使用して、
除去することができる。バリヤー層は、また、例えば、
他の材料をポーラス基板の表面に加えることによって、
例えば、ポーラス材の上の乾いたフィルムフォトレジス
トのような固体材料のフィルムをラミネートすること、
浸透を制限する上記した技術を用いて、好ましくは高粘
性の中で、液状のバリヤー層を与えること、粉末の薄い
層でポーラス材をコーティングするとともにポーラスで
ないコーティングを形成するために粉末層を溶かすこ
と、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤまたは他のプロ
セスによってバリアーフィルムを堆積すること、および
それらの結合によって、形成することもできる。
【００４３】ポーラスアノードの場合、浸透は、以下に
示す様々な方法を用いて防ぐことができる。その方法
は、ポーラスでない層をポーラスアノードの面に与え、
マスクをパターニングした後に、アノードを露出させる
ためにマスクのネガティブ領域のポーラスでない層を除
去すること、モールド中の部分的に堅く締まった粉末を
焼結し、アノードの金属をエッチングするエッチャント
の中にその構成を浸し、焼結したアノード材料の外側の
ポーラスでない層が（マスクされていない領域で）溶か
されるようにすること、アノードの表面を（例えば、炎
または熱い面との接触によって）溶かすこと、材料（例
えばポーラスの表面に電着された金属）で一時的に小孔
の表面を充填すること、およびマスクとアノードの間で
ポーラスでないバリヤー層を与えること、を含む。 ［電気めっき物品をパターニングし製造すること］電気
めっき物品をパターン化するのに様々な方法を用いるこ
とができる。
【００４４】図４に、電気めっき物品を形成する方法が
示される。その方法は、レジスト１４２（例えばMicroC
hem社から商品名SU-85として市販されているフォトレジ
スト）の層をコーティング（例えば、スピニング）する
ことによって、基板１４４（例えばシリコンウェーハ）
の上に、マイクロモールド(micromold)１４０を形成す
ること、を含む。好ましくは、フォトレジストの層は、
望ましい最終的なマスクの厚さより２、３ミクロン大き
い厚さを有する。フォトレジストは、フォトマスク、お
よびフォトパターンが可能なレジスト材の場合、光源
（例えばＵＶ光源）を使用してパターニングすることが
できる。レジストのポジティブ形状は、マスクのネガテ
ィブ形状と一致する。選択的に、マイクロモールドは、
くっつかない材料（例えばポリテトラフルオロエチレン
（polytetrafluoroethylene）またはポリプロピレン）
から作ることができ、例えば、リアクティブイオンエッ
チングまたはエキシマアブレーションによって形成され
たパターン、あるいはコンパクトディスクの製造に用い
られるプロセスに類似したプロセスに従ってマスターモ
ールドからマイクロモールドされたパターンを含むこと
ができる。
【００４５】フォトレジストと基板を含むマイクロモー
ルド表面は、マイクロモールドを、例えば、United Che
mical Technologiesから市販されている(tridecafluoro
-1,1,2,2-tetrahydrooctyl)-1-trichlorosilaneの蒸気
に晒すことによって保護することができる。液体のマス
キング材１４６は、それから、パターン化されたフォト
レジストによって輪郭がはっきり定められ浮き上がった
パターンの上に注がれる。この後、支持体１４８は、マ
イクロモールド１４０に押しつけられる。等圧力が加え
られて、液体のマスキング材１４６が、レジストパター
ンの浮き上がった部分（すなわちポジティブ形状）と支
持体１４８の表面の間に位置する領域１５０から押し出
される。好ましくは、液体のマスキング材１４６は、完
全にレジスト１４２のポジティブ形状に対応する領域１
５０から押し出される。液体のマスキング材が硬化する
まで、全体のアセンブリ１５２はこの状態を維持する。
熱で硬化できるマスキング材の場合には、アセンブリは
硬化のためにオーブンに移すようにしてもよい。
【００４６】硬化の後、支持体１４８を囲んでいる過剰
なマスク材料１５４は、除去される。オーブンにおいて
マスクが硬化される場合には、アセンブリは、支持体と
モールドの間で熱収縮の差を最小にするようにすばやく
分解される。硬化されたマスク１５６がマイクロモール
ド１４０から分離され、まだ支持体１４８に残るよう
に、支持体と硬化されたマスク１５６は、モールド１４
０から引き離される。マスク１５６は、マイクロモール
ド１４０と逆のパターンを示す。マイクロモールド１４
０は、再利用することができる。必要であるならば、マ
イクロモールド１４０は、マスク残りを取るためにクリ
ーンにされるようにしてもよい。シリコーンのクリーニ
ングを行う有用な例の１つとして、シリコーン被覆取り
工具、例えばAmtex Chemical社から市販されているAmte
x CCRがある。
【００４７】マスク１５６のネガティブ形状１５８に残
っている残留層は、ドライエッチング（例えば、Ｏ2と
ＣＦ4の混合ガスを用いたＲＩＥ）を使用して除去する
ことができる。そのドライエッチングは、また、マスク
のポジティブ形状の厚さを減らす。支持体のエッジに延
びる一様なエッチングは、ダミー基板好ましくは同様の
構成のものを用い、支持体を囲むことによって行うこと
ができる。そうすると、エッジ効果による非一様性は、
対象領域外のものとなる。
【００４８】マスクがポーラス材に付着している時、エ
ッチングは、マスクのネガティブ形状から、ポーラス材
に存在するいかなるバリヤー層も除去するために続けら
れ、ポーラス基板のポーラス部分が除去されるまで、続
けられてもよい。ポーラス材の小孔が充填されたかまた
は存在しない場合、例えばリアクティブイオンエッチン
グにより、小孔は再形成もしくは形成される。
【００４９】電気めっき物品を形成する他の方法が図５
に示される。その方法は、支持体１４８（すなわちポー
ラス材または用意されたアノード）上にフォトレジスト
１４２を、最終的にマスクに要求されるのと近い厚さで
パターニングすることを含む。レジスト１４２によって
占められる支持体１４８の領域は、金属が付着するマス
クのネガティブ形状と一致する。バリヤーを含むポーラ
ス材をパターニングするとき、レジストによって覆われ
ていないポーラス材の領域からバリヤー層を除去するよ
うにポーラス材はエッチングされる。その方法は、さら
に、液体のマスキング材１４６を支持体１４８に与え、
選択的に、マスキング材を真空脱気することを含む。そ
して、平らな、滑らかな、くっつかないシート（例えば
ＰＴＦＥ）１６０が、レジスト１４２、および支持体１
４８に平行な液体のマスキング材１４６に、押しつけら
れ、圧力が、レジスト１４２とシート１６０の間から液
体のマスキング材１４６を押し出すように加えられる。
マスキング材１４６は、それから、硬化され、シート１
６０が除去され、残留したマスキング材が、エッチング
（例えばＯ2とＣＦ4の混合ガスを用いたリアクティブイ
オンエッチング）によって除去される。レジスト１４２
は、レジストによって先に占められていた支持体の領域
を露出するために除去される。ポーラス材をパターニン
グするとき、マスクのネガティブ形状に、隣接したポジ
ティブ形状からしみ出たマスク材は、マスクとポーラス
材を必要深さだけエッチングすることによって、除去さ
れる。ポーラス材の小孔が充填されたかまたは存在しな
い場合、小孔は、形成もしくは再形成され得る。
【００５０】図６を参照して、電気めっき物品を形成す
る他の方法は、フォトパターンが可能なマスキング材１
４６例えばRMS-033（Gelestから市販されている）を、
フォトイニシエーター(photoinitiator)（例えば、2,2-
dimethoxy-2-phenyl acetophenone（Polysciences社か
ら市販されている）と協同で、支持体１４８に加えるこ
と、を含む。液体のマスキング材１４６は、構成物を酸
素との接触から保護するために、薄い、酸素不透過性(o
xygen-impermeable)フィルム（例えばMylar)で覆うよう
にすることができる。マスキング材１４６は、それか
ら、選択的にマスク材を硬化するために、パターン化さ
れた光（例えばフォトマスク１６２を通ったＵＶ光）に
晒される。フィルムが除去され、フォトパターン可能な
マスキング材が（例えば、キシレンを用いた溶解によっ
て）現像され、硬化されていないマスキング材１４６が
除去される。ポーラスでないバリヤー層が存在している
ならば、それは、マスク１５６のネガティブ形状から
（例えば、ドライエッチングによって）除去される。ネ
ガティブの働きをするフォトパターン可能なマスキング
材の場合、ポーラス材は、マスキング材の表面層が望ま
しい厚さを持つまでマスキング材で浸される。フォトパ
ターニングした後に、露出していないマスキング材（小
孔におけるものも含む）は、現像液によって溶かされ
る。
【００５１】ポーラス材をパターニングするときに、ざ
らざらした表面から発散した光の量を減らすために、ポ
ーラス材は、ダークシェードに色がつけられるか、また
は反射防止部材で覆われるようにすることができる。
【００５２】図７に、電気めっき物品を作る他の方法が
示される。その方法は、液体のマスキング材１４６（ま
たは固体のマスク）を支持体１４８に与えること、固め
られたマスク１５６を形成するために液体のマスキング
材を硬化すること、厚いレジスト１６４あるいは薄い金
属層（図示せず）に配置された薄いレジストでマスク１
５６を覆うこと、レジスト１６４をパターニングするこ
と、この場合、金属層であれば、（エッチングあるいは
リフトオフによって）金属層をパターニングするパター
ン化されたレジストを使用すること、厚いレジスト１６
４（金属層があればそれも）をマスクとして用いて、マ
スク１５６を（例えば、ウェットエッチ、ドライエッ
チ、あるいはイオンミルによって）除去すること、基板
がポーラス材である場合には、好ましくは、小孔をオー
プンするためにポーラス材の表面を除去すること、およ
び残留しているレジスト１６４（金属層があればそれ
も）を例えばストリッピング(stripping)によって除去
すること、を含む。
【００５３】図８に示される、電気めっき物品を形成す
る方法は、液体のマスキング材１４６（または固体のマ
スク）を支持体１４８に所望の厚さで与えること、マス
キング材が液体であれば、マスク１５６を固めるために
マスキング材を硬化すること、マスクおよび支持体材料
を除去するのに適した輝度と波長を有するパターン化さ
れた紫外光、例えばＵＶエキシマーレーザビームに固体
のマスクを晒すこと、支持体１４８が露出するまでマス
ク１５６を除去すること、およびポーラス材をパターニ
ングするときに、バリヤー層１７０（もしあれば）を除
去し、必要であれば、小孔をオープンさせるためにポー
ラス材の上層を除去すること、を含む。
【００５４】凸版(relief printing)において用いられ
る方法に類似した方法を、電気めっき物品の製造に用い
ることができる。その方法の１つの例は、AZ4620または
SU-8のような高アスペクト比のフォトレジストをパター
ニングすることによって生成された浮き彫りパターンに
液体のマスキング材を与えること、マスキング材が支持
体に付着するように、支持体に対して浮き彫りパターン
／マスキング材を押し付けること、浮き彫りパターンを
除去すること、を含む。形成された電気めっき物品は、
浮き彫りパターンの逆パターンでパターン化されたマス
クを有する支持体を含む。
【００５５】そのような方法の他の例は、支持体をエッ
チングするか、耐久力のあるフォトレジスト（例えばSU
-8）を与えることによって、支持体上に浮き彫りパター
ンを形成すること、液体のマスキング材の薄い一様な層
で平らな滑らかなシートを覆うこと、支持体／レジスト
に覆われているシート（すなわち、スタンプ、スタンプ
台のようなもの）に対し、支持体／レジストおよびマス
キング材を速く連結もしくは非連結にする(mate and un
mate)（好ましくは、支持体およびシートは平行にして
おかれる）ために、スタンプすること、および液体のマ
スキング材を硬化すること、を含む。
【００５６】図９に、電気めっき物品を形成する方法が
示される。ポーラス材１４８の表面の層は、液体のマス
キング材で所望のマスク厚さに浸される。液体のマスキ
ング材は、固体マスク１５６およびポーラス材１４８の
マトリックス１７４を生成するように固められる。マト
リックス１７４は、例えば、電気めっき物品１７６を形
成するために、エッチングするか、または少なくともマ
トリックス「層」の深さと等しい深さに、マトリックス
の選択された領域を除去することによって、パターン化
される。その方法の代わりに、全体のポーラス材を液体
のマスキング材に浸し、液体のマスキング材をパターン
硬化し、硬化されてないマスキング材を除去すること、
を含む方法を用いてもよい。
【００５７】電気めっき物品を形成する他の方法は、例
えば、スクリーン印刷、ステンシル印刷およびインクジ
ェット式の印刷のようなプロセスによって、マスキング
材を選択的に支持体に与えること、ポーラス材のため
に、ポーラス材の表面の層を溶かし、ポーラス材の小孔
を露出させ浮き彫りを生成するためにエッチングまたは
除去によってポーラス材の表面にネガティブ形状を形成
すること、を含む。電気めっき物品を形成する方法は、
また、電気めっき物品上の浮き彫りの量を増やすために
マスクパターンのネガティブ形状（すなわちウィンド
ウ）にエッチングすることを含むようにしてもよい。ポ
ーラス材および印刷されたシリコーンマスクの場合、エ
ッチングを、酸素プラズマによって行うことができる。 ［電気めっき方法］本発明は、めっきされる基板を電気
めっき物品に接触させることを含む電気めっき方法を特
徴とする。その方法は、第１の金属（例えば支持体また
は犠牲金属(sacrifical metal)）に選択的に電気めっき
すること、および第２の金属（例えば構成金属(stractu
ral metal)）に電気めっきすること、を含む。第２の金
属に電気めっきするステップは、本発明の電気めっき物
品または第２の金属を一括堆積を用いて、第２の金属に
選択的に電気めっきすることを含むことができる。電気
めっき方法は、金属の単一の層のめっきに使用する方
法、あるいは先に金属層にめっきされて多層構造となっ
ているものの上に付加的に金属をめっきすることを繰り
返し行う方法とすることができる。所定層数めっきされ
た後、少なくとも支持体金属の一部が例えばエッチング
によって除去される。残っている構成金属は、微細なあ
るいはメゾスコピックなデバイスを形成する。
【００５８】また、その方法は、１つの金属の単一の層
をめっきするのに２つの電気めっき物品を使うことがで
きる。図１０を参照して、めっきされた金属層２３４を
形成するために、第１の金属が第１のパターン２３０に
めっきされ、その金属は、第２のパターン２３２にめっ
きされる。第２のパターン２３２は、第１のパターン２
３０と重なっていてもよい。
【００５９】本発明の電気めっき方法の１つの例が図１
１に示される。その方法は、めっきされる基板２に、マ
スク６および支持体８を含む第１の物品４ａを接触さ
せ、第１の金属イオン源（すなわち電解液およびアノー
ド１０）が存在している状態で、第１の金属（例えば犠
牲金属）１２を堆積し、マスク１６および支持体１８を
含む第２の物品１４を基板２に接触させ、第２の金属イ
オン源（すなわち電解液およびアノード２２）が存在し
ている状態で、第２の金属（例えば構成金属）２０を堆
積し、選択的に層を平坦化すること、を含む。そして、
異なるパターン化された電気めっき物品４ａ、４ｂ、１
４ａ、１４ｂを用いて上記した方法を繰り返し、多層構
造２４を生成する。それは、犠牲金属１２の全てをエッ
チングした後、エレメント２６になる。第２の物品は、
マスクの１つ以上のポジティブ形状の表面領域が、第１
のめっきされた金属の対応する表面領域を越えて延びる
ような特大サイズのポジティブ形状を有するマスクを含
むことができる。
【００６０】電気めっき方法の間に形成されたエレメン
トは、基板に取り付けられたままであるか、基板から除
去される。エレメントを除去する１つの方法は、エッチ
ングが、基板に対するエレメントの付着のソースを除去
するように、基板の上へ支持体材の第１の層をめっきす
ること、を含む。
【００６１】他の電気めっき方法が図１２に示される。
電気めっき方法は、めっきされる基板２に電気めっき物
品（図示せず）を接触させること、第１の金属１２（す
なわち、構成金属か支持体金属）を選択的に堆積するこ
と、第２の金属２０を一括堆積すること(blanket depos
iting)（図１２（ｂ））、および正確な厚さの平らな滑
らかな層とするために堆積された層を機械的に平坦化す
ること（図１２（ｃ））を、含む。平坦化された表面
は、外表面上にある研摩粒子を除去するために洗浄され
てもよい。好ましくは、支持体金属が選択的にめっきさ
れ、構成金属が一括堆積される。
【００６２】有効な平坦化方法の例は、機械的な（例え
ば、ダイヤモンドラッッピング、炭化珪素ラッピン
グ）、化学機械的な、機械的でない（例えば、放電加
工）、平坦化工程(planarization)を含む。ダイヤモン
ドラッピングは、特に好適な平坦化工程である。ダイヤ
モンドラッピングは、例えば約１〜６のミクロンダイヤ
モンド研削材のような多様なグレードのダイヤモンド研
磨材の単一のグレードを使用して、行うことができる。
研削材の異なるグレードを有するラッピングは、別個の
ラッピングプレートを使用するか、１つのプレートの異
なる領域において、行うことができる。例えば、粗いダ
イヤモンド研削材が、スピンしている円形のラッピング
プレートプレートの外側の領域に加えられ、細かいダイ
ヤモンド研削材が、内側の領域に加えられるようにする
ことができる。着脱可能な円形の壁が、分離を増加させ
るために、内側と外側の領域の間に設けられる。最初に
平坦化される層は、プレートの外側の領域に接触し、粗
い研削材を取るために選択的に洗浄され、プレートの内
側の領域に移動する。平坦化された表面は、それから、
溶液、例えば水ベースもしくは電解液ベースの溶液を用
いて洗浄され、平坦化された層から研摩材および研磨さ
れた粉が除去される。研摩スラリーは、水溶性で容易に
除去可能である。層の厚さ、平坦性、および平滑性は、
光学エンコーダ、ウェアレジスタントストップ(wear re
sistant stops)を用い、既知の圧力の下で精密な平らな
金属プレートを層に連結し、プレートと層の接合部を横
切る抵抗を測定することによって、測定することができ
る。めっきされた金属の厚さは、めっきされた金属パタ
ーンに対して相補的であるパターンを有するマスクをめ
っきされたマスクに接触させ、変位を測定することによ
っても、測定が可能である。
【００６３】好適な平坦化工程の１つの例は、ワークピ
ース（すなわち平坦化される層を有する基板）を、ラッ
ピングプレート上の「調整リング(conditioning rin
g)」内で回転させることを含む。ラッピングは、また、
ワークピースを回転させるかリリースすることなく電気
めっき装置のＸ／Ｙ運動ステージを用い、ラッピングプ
レートの表面のまわりで、ワークピースを動かすことに
より、行うことができる。このような方法で、基板に対
するプレートの接線上の動きは、３６０°回転すること
になる。スラリーがプレートに放出されるように、スラ
リーの放出のタイミングが、基板の動きに同期されるよ
うにしてもよい。ワークピースの動きは、ｒ＝ｒ0＋Ａ
ｓｉｎＢθで表される正弦波の軌道を有するパスを含
む、円形以外のパスで起きる。
【００６４】めっきされる基板は、導電性の表面、また
は導電性の層に設けられた非導電性の表面を含むことが
できる。めっきされる基板は、平坦か、もしくは非平坦
であり得る。めっきされる基板は、また、先に電気めっ
きされたか、もしくは堆積された金属、もしくは少なく
とも１つの金属を含む層であり得る。
【００６５】電気めっき方法は、例えば、集積回路上で
実施することができる。集積回路上で実施する電気めっ
き方法の１つの例が、図１３に示される。めっきの間、
電気的な接続が行えるようにするため、アルミニウムの
パッドが、それと一時的にバスによって接続される遠い
接点パッドで終端する導線に接続される。図１３を参照
して、電気めっき方法は、薄い銅ディスク３６の上へポ
リイミド３４の層をスピンコートすること、アルミニウ
ムパッド４０、狭い導線４２、コンタクトパッド４１お
よび保護層４４を含むシリコンウェーハ３８の底表面に
銅ディスク３６を付着させること、処理後にダイの分離
を助けるためにウェーハ３８を部分的にソーイングする
こと、連続的なエッチングの間アルミニウムパッド４
０、４１をプロテクトし、ソーイングライン４６を満た
すように、ウェーハ３８の最表面上に感光性のポリイミ
ド３５をスピンコートすること、めっきされるパッド４
０および電気的なコンタクト４１のためのパッドを露出
させるようにポリイミドをパターニングすること、ウェ
ーハを脱脂すること、亜鉛酸塩めっき溶液に構造を浸す
こと、バスを形成するためにフォトレジストを形成し、
パターニングを行うこと、電気めっき方法のためにパッ
ド４１と接続するバス４８を形成すべく銅のスパッタリ
ングによってコンタクトパッド４１間を接合する(join)
こと、ニッケルがバス４８に堆積するのを妨げるように
バス４８の上にレジストをパターニングすること、平坦
化のためにアルミニウムパッド４０の上を十分なニッケ
ル５０でめっきすること、レジスト３５を除去するこ
と、めっきされた金属と電気的な接続をとること、プレ
ーナ基部５１をスパッタリングし、平坦化のためにウェ
ーハの全表面の上を十分な量の銅５２でめっきするこ
と、ニッケル５０を露出させるために表面を平坦化する
こと、超微細構造(microstructure)の層に電気めっきを
すること、バス４８および銅ディスク３６を含む銅５
１、５２をエッチングすること、およびポリイミド３４
を除去して、ウェーハ３８（すなわち集積回路）に設け
られた超微細構造デバイス５４を形成すること（図１３
（ｉ））を含む。
【００６６】電気めっき方法は、堆積された金属層の均
一性を改良するため周期的にめっきするように用いるこ
とができる。周期的なめっきは、めっきされる基板から
マスクを取ることと同期して電極に加えられる電流を非
常に短く遮断することを含む。それは、同時に電解液の
添加物を補給し、いかなるガスも排気し、支持体、めっ
きされる基板、およびマスクによって構成されるマイク
ロボリューム(microvolume)から微粒子および添加物を
放出する。それから、マスクを基板と接触すなわち連結
することと同期して、電流が再び供給される。この方法
は、所望の厚さの金属が堆積されるまで繰り返される。
マスクの壁には、わずかなテーパーまたは傾斜(draft)
（すなわち、マスクにより形成されるネガティブ形状
が、基板に接触しているマスクの側においてわずかに大
きい）が与えられる。これは、まだ厚さが不十分である
堆積の状態において、基板に対するマスクの繰返しの接
触を容易にするためである。
【００６７】めっきされた金属層の均一性は、電気めっ
き物品の支持体の局所的な厚さおよび選択的に局所的な
有孔率を制御することによって特性毎(feature-by-feat
ure)に電流密度を制御し、電流密度を調整することによ
って、改良することができる。一様なめっきは、また、
基板に対してめっきされた金属の望ましい厚さを与える
ために計算された厚さを有する可溶性コーティングの薄
い層を持つ不溶性アノードを支持体として用いることに
よって、得ることができる。一旦、マスク、コーティン
グおよび基板によって定義された領域内の電解液中のイ
オンの有限の量がめっきされると、めっきは終わる。コ
ーティングが厚さにおいて均一である限り、めっきされ
た金属は厚さにおいて均一である。
【００６８】また、水素バブルの形成は、以下のことに
よって最小にすることができる。すなわち、電流効率を
増加させるために低電流密度を用いること、電解液中の
水素の溶解度を上げるために、温度を下げるおよび／ま
たは電解液に圧力を与えること、電解液に不浸性でガス
に浸性のマスク材（例えば、疎水性のマイクロポーラス
(microporous)な材料）を使うこと、ガス泡がマスクか
ら引き抜かれるように真空中で電気めっき方法を実行す
ること、基板にガス泡の付着を減らすことにより穴(pi
t)の形成を最小にするために、穴を作らない作用物(ant
ipitting agents)（例えば、ニッケルサルファメイト(n
ickel sulfamate)電解液のためのＳＮＡＰ）を使うこ
と、マスキング圧力を増加させる、（このことは、減少
したマイクロボリュームによる電解液の圧力を局所的に
増加させ、水素を溶液中に保って局所的な領域における
電解液に大きな圧力を与えるであろう）、および水素除
去作用剤(hydrogen gettering agent)を（例えば、微粉
を液体のマスキング材に溶け込ませることによって）マ
スク材料に組み込むこと、によって、水素バブルの形成
を最小にすることができる。
【００６９】銅をニッケル構成のものから選択的に除去
するための有効なエッチング構成物の例は、ＣＭＯＳデ
バイスやEnthone OMIから市販されているEnstripe C38
に付けられた構造をエッチングする水酸化アンモニウム
−硫酸銅溶液(ammonium hydroxide-copper sulfate sol
ution)が好ましいが、水酸化アンモニウムと亜塩素酸ナ
トリウム溶液(chlorite)、水酸化アンモニウムと硫酸銅
溶液でもよい。エッチングは、例えば電解液やめっきさ
れる基板に与えられる超音波などのバイブレーション、
エッチングされる金属に接触しているエッチャントの与
圧された噴射、および界表面活性剤を用いて、行われ
る。構成金属の表面から延びる薄い突起物の形のよう
な、構成金属に存在するフラッシュは、アシッドエッチ
ングまたは電解研摩によって、除去できる。
【００７０】電気めっき方法は、複雑な超微細構造およ
び部品間で精密公差を有するエレメントを製造するため
に用いることができる。部品間のギャップが約１〜５μ
ｍであるような精密公差をもってフィットする部品を有
するエレメントを製造する方法の１つとして、アッセン
ブルする前で、整列する前の状態にあるデバイスの部品
を電気めっきすることを含む。一旦製造されると、個々
の部品は、互いに作動上の関連をもって動かされる。図
１４を参照して、ギヤ１９０および保持クリップ２００
を有するシャフト１９２を含むデバイス１８８を製造す
る方法は、上記した電気めっき方法を含む。アセンブリ
固定治具１９４は、ギア１９０で整列する前の位置にお
いて、めっきされる。支持体材１９８がエッチングされ
るとき、チャック１９６（例えば、電磁気的なまたは真
空的な）は、アセンブリ固定治具片１９４を固定する。
エッチングの間、ギヤ１９０は、シャフト１９２と接触
していてもよい。図１４（ｃ）に示すように、チャック
１９６は下げられ、アセンブリ固定治具１９４に、シャ
フト１９２上の保持クリップ２００の上方にある最終的
な位置でギヤ１９０を押し付けさせる。図１４（ａ）〜
（ｅ）に示すように、チャック１９６は、完成されたデ
バイス１８８からアセンブリ固定治具１９４を除去する
ように上がる。
【００７１】電気めっき方法は、除去工程の間、囲まれ
た(enclosed)構成金属がエッチングされないように、少
なくとも構成金属の一部が構成材料内で囲まれるような
エレメントを製造するために用いることができる。図１
５に、めっきされたエレメント２３６の横断面が示され
る。図において、エッチャントによってアクセッシブル
である支持体金属２３８が除去された後、支持体金属２
３８は、構成金属２４０内で保護された状態(encapsula
ted)で残っている。
【００７２】電気めっきプロセスは、また、モールディ
ング（例えば、射出成形、金属射出成形、反応射出成
形、熱形成、ブローモールディング、およびダイカス
ト）のための道具類(tooling)を製造するために用いる
ことができる。部品のイジェクション軸が層のスタッキ
ング軸に対し平行で、モールドされる部品の分離表面(p
arting surface)が堆積される最後の層であるように、
２つのモールドインサートを配置することによってモー
ルドインサートが製造できる。電気めっき方法は、図１
６（ａ）に示すように、アンダーカットを含む部品を形
成するのに用いられる。それは、図１６（ｂ）に示すよ
うに、傾斜(draft)のない部品を形成するためであり、
そして、構成物質の堆積層によってアンダーカットがな
く傾斜を持ったモールドを形成するためである。ここ
で、構成金属のそれぞれの連続してめっきされた層は、
図１６（ｃ）、（ｄ）に示すように、構成金属の、先に
堆積された層（例えば、８０１〜８０５の層）の境界内
に、支持体物質を用いることなく、全体が配置される。
図１６（ｃ）を参照して、層８００は、層８０１などの
前に堆積される。 ［電気めっき装置］電気めっき方法は、様々な電気めっ
き装置において実施することができる。電気めっき方法
を実施するための１つの特に有効な装置が、図１７に示
される。装置５６は、２つの槽５８、６０（例えば、ニ
ッケルめっき漕および銅めっき漕）および検査ステーシ
ョン６２を含む。各槽５８、６０は、異なる金属に電気
めっきをすることができるように構成されている。各槽
５８、６０は、電解液、アノード５９、６１および電気
めっき物品４、１４を含む。図示するように、装置５６
は、めっきされる単一の基板２を収容する。装置は、め
っきされる複数のおよび複数の電気めっき物品を収容す
るように構成することができる。それぞれの物品４、１
４は、少なくともパターン化されたマスク６、１６を含
み、金属のパターンを堆積することができる。
【００７３】電気めっき方法の機械的および電気的な制
御は、コンピュータによって制御される。めっきされる
基板２が、ＤＣサーボモータ、ステッパーモータまたは
それのコンビネーションを備えた、精密なモーションス
テージ６４ｘ、６４ｙ、６４ｚにより、めっき漕５８、
６０および洗浄(rinsing)ステーション６６間で、移送
される。チャック６８につるされた基板２は、第１の槽
５８に入り、マスク６の上にそれ自体を配置し、マスク
６に接触し、めっきを受ける。所定の厚さの金属で基板
２上を覆った後、基板２は、槽５８から除去され、洗浄
され、第２のめっき漕６０に移送される。その第２のめ
っき漕６０で、第２のマスク１６に接触し、所定の厚さ
（好ましくは第１の堆積された金属と同じ厚さ）にめっ
きされ、洗浄され、第１の漕５８に戻る。検査ステーシ
ョン６２は、ＰＣフレームグラバを有する高解像度のビ
デオマイクロスコープシステムを含み、制御ソフトウェ
アと連動してハードディスクに自動的に堆積された層の
イメージを記録するように使われる。好ましくは、装置
５６は、密閉されたチャンバに入れられており、マスク
を脱気するための真空装置を備える。
【００７４】制御された、一様な圧力を基板に与えるた
めの有効なメカニズムは、流体圧力（例えば、空気のま
たは油圧のシリンダによる）を与えることを含む。円形
の基板に均一な圧力を与える１つの特に好適な方法は、
ボールジョイント（例えば、基板とシリンダまたはその
延長の間にはさまれた球で、皿穴によって保持されてい
るもの）による基板の中央に圧力を与えることを含む。
球は、マスク表面に一致し、圧力が均一に分布する平衡
ポジションを見つけるように、基板が必要程度傾くのを
許容する。基板は、一端が移動部材に定着しているタイ
トフィッティングなフレキシブルチューブを有する基板
を囲むことによって、球に対して保持される。
【００７５】非常に固い精密な機械式のスライド（例え
ば、交差したローラーベアリングを組み入れる機械式の
スライド）は、連結された基板の繰り返し可能なポジシ
ョニングを提供するために用いられる。堆積された漕の
プレーンにおいて動くステージ、Ｘ／Ｙステージは、ク
ランプ（例えば、電磁ブレーキ）によって位置的に固定
される。
【００７６】めっきされる基板を運ぶデバイス（例えば
チャック）は、金属層が基板に付加される位置に移動す
るスライディング絶縁チューブを含む。図１７、図１８
において、スライディング絶縁チューブ６７が、支持体
１４の上にあるエッジマスク２４４と周囲にある基板２
とめっきされた金属層２５０と接触する横断面に示され
る。
【００７７】電気めっき装置は、物品がめっきされる基
板に接触する前に物品のネガティブ形状により定義され
るボリュームに、電解液の噴霧を向けることができるデ
バイスを含むように変形することができる。
【００７８】電気めっき装置は、装置内で微粒子汚染を
制御する濾過システムを含むことができる。電気めっき
物品および基板が電気めっき装置へロードされた後、装
置は、圧力の上昇、超音波かくはんおよび濾過を含む自
己洗浄サイクルを実施することができる。装置内の空気
は、濾過システム（例えばＨＥＰＡ濾過システム）によ
って、クリーンにされることができる。空気および電解
液濾過プロセスは、連続的に電気めっき方法の全体にわ
たって作用することができる。電解液濾過システムは、
一様な濃度および一定の温度を維持するために連続的に
循環させ電解液を暖めるために、加熱およびポンピング
システムに組み入れられることが可能である。
【００７９】めっきされた金属およびめっきされた金属
層の厚さは、以下のものにより制御することができる。
例えば、金属の堆積レートおよび所定の周期のめっきを
計ること、めっき効率のための調整とともに統合電流を
監視し、計算されたマスク領域および計算されためっき
厚さにノーマライズすること、および閉ループ厚さ制御
を通して厚さ制御を行うことができる。閉ループシステ
ムは、測定された金属めっきレートに基づく推定値を、
電気めっき方法を制御するソフトウェアに入力すること
を含む。その電気めっき方法は、所望の厚さより薄く第
１の金属をめっきし、電気めっきのマスクが第１のめっ
きされた金属に接触するように、第２の電気めっき物品
に基板を押し付けること、めっきされた層の厚さと等し
い量だけ支持体から基板を離れさせること、基板チャッ
クにリンクされた高解像度（例えば０．１μｍ）エンコ
ーダを用いて第１のめっきされた金属の厚さを読みとる
こと、そのデータを、第１の金属の記憶されたレート値
をアップデートするためにソフトウェアに入力するこ
と、残っている厚さ分第１の金属層をめっきすること、
を含む。第２のめっきされた金属のめっき厚さを計るた
めのプロセスおよびはその補完は、校正として数層おき
に繰り返されるようにしてもよい。
【００８０】電気めっき装置の運動軸（後述する）およ
び基板に対する電気めっき物品のマスクのオリエンテー
ションおよび位置は、めっきされる基板および少なくと
も２つの距離的に分離されたマスク（それぞれアライメ
ントパターンを生じる）上のリザーブされた(reserved)
領域を使用するアライメント過程によって、決定され
る。マスクを基板に位置合わせするために、金属の薄い
層が、基板のアライメントパターンの上でめっきされ、
測定される基板に対しマスクの回転上および平行移動上
の位置ずれが、例えばビデオマイクロスコープで測定さ
れ、補正される。
【００８１】アラインメントの正確性は、めっきされた
パターンのストリッピングおよび新しいパターンの再め
っきで確認される。アラインメントは、電気めっき方法
の全体にわたって必要に応じて繰り返される。
【００８２】有効なアライメント方法の他の例は、バー
ニヤパターンを用いる。このバーニヤパターンにおいて
は、第１のピッチを有する細線のパターンが、異なるピ
ッチを有するラインの第２のパターンの上に置かれる。
既存のパターンと比較して置かれたパターンのピッチ間
隔は、アライメント誤差を示すことになる。
【００８３】図１９において、第１の金属イオンを含む
槽６８（例えば、ニッケルめっき漕）、第２の金属のイ
オンを含む槽７０（例えば、銅めっき漕）、および複数
の電気めっき物品７２ａ〜７２ｆ、７４ａ〜７４ｅを含
む。めっきされる各基板２（２ａ〜２ｅとして符号が付
されている）は、槽６８の左側端７６で装置６６に入
り、物品７２ａに接触し、物品７２ａのマスクパターン
で第１の金属でめっきされ、洗浄（図示せず）後、漕７
０に移り、物品７４ａに接触し、物品７４ａのマスクパ
ターンで第２の金属でめっきされ、漕６８などでの洗浄
（図示せず）後、物品７４ｂに移る。図示される、基板
２ａは、超微細構造の最初の３つの層と第４の層の第１
の金属部分のために第１の金属および第２の金属の堆積
を受ける。基板２ｂは、基板２ａの後ろの１つの層であ
り、基板２ｃはウェーハ２ａの後ろの２つの層などであ
る。
【００８４】多数または何百もの堆積された層を必要と
するエレメント（例えばデバイス）においては、電気め
っき物品は、環状形状にアレンジされる。その中で電気
めっき物品はリング状にアレンジされ、個々の電気めっ
き物品は、めっきされる基板の各々に接触した後、取り
替えられる。電気めっきされた構成を生成するマス(mas
s)のための装置の１つの例が、図２０に示される。装置
７８は、２４枚の８インチ径の基板２をプロセスするよ
うに設計されている。装置７８は、設計において、同心
で、２つの外リング８０、８２および中心ディスク８４
を含む。外リング８０は、第１の金属を選択的にめっき
するために、電解液槽８４および電気めっき物品（図示
せず）を含む。内リング８２は、第２の金属を一括めっ
きするための電解液槽８６を含む。内リング８２は、第
２の金属を選択的にめっきするための電気めっき物品を
含むことができる。回転ラッピングプレート８５（必要
な場合）は、めっきされた金属層を平坦化するために、
装置７８の中央に位置される。全てのプロセス（選択的
なめっき、一括または選択的なめっき、および平坦化）
は、異なる基板２で、１つのサイクルの間、行われる。
サイクルの終わりに、めっきを経た基板は、矢印で部分
的に示されたパターンで動く。システムにおける全ての
サイクルが完結し、スターティング位置に戻ったとき、
８つの層が、堆積される。第１の基板が第１のめっき物
品に戻ってくる前に、第１のめっき物品は、新しいめっ
き物品に取り替えられる。同様に、他のめっき物品が基
板の各々に接触した後、それらは取り替えられ、基板２
は、装置７８の回りで、作られるデバイスにとって必要
とされる数の層を受け続ける。洗浄ステーションは、図
示されていないが、めっき物品の間のスペースに配置さ
れる。この種の装置は、８時間で、高さ２００ミクロン
で５００ミクロン平方のデバイスを約２５０万同時に製
造することができる。
【００８５】電気めっき装置は、少なくとも２つの金属
のイオンを含む単一の漕（例えば加えられた硫酸銅を有
するワッツ槽）を含むことができる。それらのイオンの
共通のめっき漕から２つの金属を選択的に堆積する方法
は、H.Yahalomand O. Zadok，“Formation of Composit
ionally Modulated Alloys by Electrodeposition,”J.
Material Sci.の第２２巻、４９４ページ（１９８７）
に記載されている。めっき漕は、少なくとも２つの電気
めっき物品を含む。そのそれぞれは、金属の１つをめっ
きするのに用いられる。物品は、支持体の表面のサイド
配列において単一のもしくは複数のマスクパターンを含
む。複数のマスクパターンを有する物品の場合、基板
は、所定のシーケンスで異なるマスクパターンに接触
し、そのマスクパターンは、３次元構造をつくるため
に、第２の物品上のマスクパターンと交替する。図２１
に、電気めっき装置８８が図示される。この電気めっき
装置８８は、２つの金属のイオン（例えば、ニッケルと
銅のイオン）、第１の金属９２をめっきするための物
品、第２の金属９４をめっきするための物品、および基
板２ａ〜２ｅを収容する単一の漕９０を含む。
【００８６】各基板は、槽９０の左端９６で装置８８に
入り、電気めっき物品９２ａに接触し、電気めっき物品
９２ａのマスクパターンに第１の金属でめっきされ、物
品９４ａに移って接触し、電気めっき物品９４ａ上のマ
スクパターンに第２の金属でめっきされ、電気めっき物
品９２ｂに移る。図示されるように、基板２ａは、超微
細構造の第１の３つの層および第４の層の第１の金属部
分のために、第１の金属およびの第２の金属の堆積を受
ける。基板２ｂは、基板２ａの後ろの１つの層であり、
基板２ｃは、基板２ａの後の２つの層などである。
【００８７】共通の槽電気めっき装置における銅堆積の
レートを改良する様々な方法が用いられる。例えば、め
っき電流をパルス化すること、温度を上昇させること
（例えば、レーザエンハンストプレーティング）、電気
めっき物品の支持体により電解液をポンピングするこ
と、超音波振動を行うこと、銅ディスクの近くで銅を増
やすこと、である。銅の濃度を局所的に増やす１つの方
法は、ダミー基板上にめっきしている間に、銅アノード
のギャルバノスタティック(galvanostatic)な溶解を含
む。例えば、約２０〜５０ｍＡ／ｃｍ2の密度で電流パ
ルスを加えることによって、約１〜２ミクロンの層を形
成するのに十分な銅がアノードと基板間に位置する電解
液に生成されるまで、ニッケルと銅が、ダミー基板に堆
積される。このとき、ダミー基板は、実基板に置き換え
られ、アノードは、ニッケルアノードに置き換えられ
る。銅は、それからポテンションスタティカリー(poten
tionstatically)に置かれる。
【００８８】銅の濃度を局所的に増やす他の方法は、図
２２に示すように、電気めっき物品容器９８を使うこと
を含む。電気めっき物品容器９８のボリュームは、銅リ
ッチの電解液を含み、シリンダの側壁１００、適合マス
クを有するポーラス支持体１０２、およびアノード１０
６（例えば、溶解しない白金めっきされたチタンアノー
ド）によって定義される。電気めっき物品容器９８は、
電解液を移すための入口および出口のポートを含む。こ
の電気めっき物品容器は、ニッケルめっき漕内で浸さ
れ、そして、基板が間欠的に通過できるバリヤーによっ
て、選択的に分離される。
【００８９】電気めっき物品と接触しないときに基板上
の自然発生的な堆積のリスクがあるときに、基板が銅電
気めっき物品に接触し電流が加えられるまで、銅が減少
するであろうときよりもより正のポテンシャルに基板が
バイアスされる。同様に、電流が除去されるとき、基板
が電解液から除去されるか他の物品に与えられ、そして
電流が再び供給されるまで、基板は再びバイアスされ
る。
【００９０】他の電気めっき装置が図２３に示される。
装置２６０は、検査ステーション２６６およびラッピン
グステーション２６８による槽２６２、２６４（例え
ば、ニッケルめっき漕および銅めっき漕）を含む。各槽
２６２、２６４は、異なる金属を電気めっきすることが
できるように構成されている。各槽２６２、２６４は、
電解液およびアノード２７０、２７２を含む。槽２６４
も、第１の金属を選択的に堆積するために電気めっき物
品２７４を含む。槽２６２は、第２の金属を一括堆積の
ために使われる。槽２６２は、基板２に製造されるエレ
メントの両サイドを絶縁するマスク２７６を含む。これ
は、金属がいずれかのサイドにめっきされるのを防ぐた
めである。図２４に、基板２が電気めっき槽２６２内に
配置され、マスク２７６により部分的に絶縁されてい
る、電気めっき装置２６０の一部が示される。基板２
は、選択的に堆積された層２７８および一括堆積層２８
０を含む。
【００９１】図２５に、電気めっき物品を含む電気めっ
き装置の例を示す。電気めっき物品は、ポーラス膜を含
んでいる。電気めっき物品１０８は、めっきされる基板
と接触しており、比較的より粗い有孔率を有する比較的
より堅固なポーラス材１１０と、比較的より細かい有孔
率を有する比較的より薄い、フレキシブルポーラス膜１
１２と、膜１１２に付着されたパターン化されたマスク
１１４を含む。パターン化されたマスク１１４は、基板
２と接触しており、アノード１１６は、ポーラス材１１
０を越えて堆積される。金属堆積１１８は、マスク１１
４により定義される開口（すなわちネガティブ形状）に
形成される。
【００９２】図２６において、ポーラス膜１１２を使う
電気めっき装置１２０の他の例が示される。プロセスを
ハンドリングし、膜１１２の位置を基板に対して維持で
きるようにし、またポーラス膜１１２を含む堅いポーラ
ス材１１０を通りポーラス材１１２に及ぼすべき圧力が
かけられるように、ポーラス膜１１２がドラムヘッド１
２２にマウントされる。ポーラス膜１１２は、同心のＯ
リング１２４の間にクランプされ、堅固なポーラス材の
上、すなわち図示するように、円筒状の中空の「たる」
１２６の上で、締め付けねじ１２８によって張りつめて
引かれる。もし、たるが使われるなら、堅固なポーラス
材１１０は、たる１２６内で、膜１１２の一方の側に接
触するように配置される。めっき基板２は、ポーラス膜
ｌ１２の他の側に接触している。中間のコンプライアン
ト(compliant)部材（図示せず）（例えばオープン小孔
泡沫(open pore foam)を、ポーラス膜１１２と堅固なポ
ーラス材１１０の間に配置して、マスクとめっき基板２
の間に、より一様な圧接力を与えるようにしてもよい。 ［自動化された処理(Automated Processing)］本発明
は、３次元構造のための非常に薄い断面のマスクパター
ンを生成する方法および３次元構造を形成するための予
め定められたシーケンスで生成されたマスクパターンを
有する電気めっき物品に接触することを含む自動電気め
っきのための方法を特徴とする。
【００９３】その方法は、あるジオメトリにおけるマス
クの数を最適化するための自動マスク最小化アルゴリズ
ムを用いる。デバイス６０２のようなバルブへの方法の
適用を、図２７に示す、デバイス６０２の横断面を示す
破線Ａ〜Ｄに関して述べる。横断面ＢとＣは同一であ
り、横断面ＡとＤは同一である。１つのマスクが横断面
ＢおよびＣのために用いられ、他のマスクが横断面Ａお
よびＤのために用いられる。アルゴリズムは、同じデバ
イスにおいて以前計算された横断面または他のデバイス
および同じ金属を作るために用いられた可能性のあるも
のと、新しく計算された横断面を比較する。２つの横断
面間の差が、所定の（例えばユーザーが指定した）許容
範囲を超える場合、新しいマスクが生成される。これ
は、マスクの数を最小にし、そして少ない電気めっき物
品から多くの数の層が生成できるようにする。プログラ
ムは、装置制御ファイルを生成する。この装置制御ファ
イルは、電気めっき装置とめっきされる層内でのマスク
位置に対応する所定のシーケンスにおいてマスクが選択
されるように、電気めっき装置を制御するソフトウェア
を導く。システムは、また、製造される部品の第１の横
断面を表すレイアウトファイルをエクスポートし、標準
のレイアウトエディタを使用しているＣＭＯＳインタフ
ェースのためのパッド設計ができるようにする。システ
ムは、また、ユーザーがエラー検査できるように計算さ
れた横断面を表示することができる。
【００９４】図２８は、本発明の一実施例に従う３次元
構造の横断面の計算のための典型的なコンピュータシス
テムの機能ブロック図である。図２８に示すように、シ
ステム６１０は、プロセッサ６１２、メモリ６１４（例
えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ））、プログラ
ムメモリ（例えば、書き込み可能なリードオンリーメモ
リ（ＲＯＭ）、例えばフラッシュＲＯＭ）、入力装置６
１６、および出力装置６１８を含む。プロセッサ６１２
は、ＰＣ、マッキントッシュ、ワークステーションなど
の汎用コンピュータの一部を形成する中央処理装置（Ｃ
ＰＵ）を含む。メモリ６１４は、オペレーションシステ
ムコードとアプリケーションプログラムコードを含む、
プロセッサ６１２による実行のためのプログラムコード
を記憶するものであり、一般的には、プロセッサ６１２
によってアクセスされるランダムアクセスメモリと協同
する磁性ハードディスクまたは他の記憶装置を表す。１
つの例として、メモリ６１４は、アプリケーションコー
ドを記憶する取外し可能な記憶媒体に接触している記憶
装置ドライブによって、部分的に実現され得る。入力装
置６１６は、ユーザー入力（例えばキーボード、マウス
など）のエントリのためのを入力メディアを含む。出力
装置６１８は、グラフィック出力（例えばＣＲＴまたは
フラットパネルモニタ）を提供するビュースクリーンを
含むディスプレイデバイス、プリンタ（例えば卓上プリ
ンタ、インクジェット式プリンタ、レーザープリンタ、
フォトプロッタなど）、本発明の電気めっき装置、リノ
トロニック(linotronic)なプリンタを含む。
【００９５】図２９は、３次元構造の制作のためのマス
クジオメトリおよびマシン制御パラメータを生成する方
法を示す流れ図である。参照番号６２０に示すように、
ユーザーがアプリケーションプログラムを始めるとき、
プロセッサ６１２は、ブロック６２２に示すように、入
力装置６１６から横断面されるべき構成の３次元ジオメ
トリに対応する入力を受け取り、処理する。プロセッサ
６１２は、ブロック６２３に示すように、３次元構造の
全体のジオメトリの層プレーンの範囲を決定する。プロ
セッサは、ブロック６２４に示すように、１つ以上の横
断面を含む層の数Ｍを１にセットし、Ｍ番目の層の横断
面を生成する。プロセッサ６１２は、ブロック６２５に
示すように、例えば、３次元ジオメトリのスケーリン
グ、層厚さ、マスクの寸法、コピーおよびスペースの
数、およびマスク最小化のための許容範囲を含む各マス
クジオメトリに関連した入力を読み取る。プロセッサ６
１２は、ブロック６２６に示すように、Ｍ番目の層に対
応するマスクのジオメトリを作り、ブロック６２８、６
３０に示すように、横断面のジオメトリをマスクパター
ンファイルに書き込み、ブロック６２８、６３０に示す
ように、マシン制御ファイルにＭ番目の層のマスクＩＤ
番号を書き込む。メモリ６１４は、ブロック６３０に示
すように、マスクパターンをマスクパターンファイルに
格納する。メモリ６１４は、ブロック６３２に示すよう
に、位置情報をマシン制御ファイルに格納する。プロセ
ッサ６１２は、ブロック６３４に示すように、付加的な
横断面が３次元構造のジオメトリを完成させるのに必要
であるかどうか判定する。
【００９６】もしそうならば、プロセッサ６１２は、ブ
ロック６３６に示すように、Ｍを１だけインクリメント
し、Ｍ番目の層に対する横断面を生成する。プロセッサ
６１２は、ブロック６３８、６４０に示すように、Ｍ番
目の層のマスクのジオメトリを作り、Ｎをゼロにセット
する。プロセッサ６１２は、ブロック６４２、６４６に
示すように、Ｍ番目の層のマスクのジオメトリが、Ｍ−
Ｎ番目の層のマスクのジオメトリと同じであるか、ある
いは予め定められた許容範囲値内にあるような類似した
ものであるか判定する。
【００９７】もしそうならば、プロセッサ６１２は、ブ
ロック６４８に示すように、Ｍ番目の層のマスクのジオ
メトリをＭ−Ｎ番目の層のマスクのジオメトリに置き換
える。プロセッサ６１２は、ブロック６５０、６５２に
示すように、層ＭのためのマスクＩＤ番号をマシン制御
ファイルに書き込み、マスクジオメトリをマスクパター
ンファイルに書き込む。
【００９８】もしそうでないなら、ブロック６５４に示
すように、Ｍ−Ｎが１以上であるか判定する。
【００９９】もしそうならば、プロセッサ６１２は、ブ
ロック６４２に示すように、Ｎを１だけインクリメント
し、Ｍ番目の層のマスクのジオメトリをＭ−Ｎ番目の層
のものと比較する。もし、プロセッサ６１２が、Ｍ番目
の層のジオメトリをそれぞれの以前のマスクと比較して
ジオメトリが一致しないことを推定すると、プロセッサ
６１２は、ブロック６５６に示すように、Ｍ番目の層の
マスクのジオメトリを作る。プロセッサ６１２は、それ
からブロック６５８に示すように、Ｍ番目の層のジオメ
トリをマスクパターンファイルに書き込み、ブロック６
６０に示すように、マスクパターンファイルを出力し、
ブロック６５０、６５２に示すように、Ｍ番目の層のマ
スクＩＤ番号をマシン制御ファイルに書き込む。
【０１００】プロセッサ６１２は、ブロック６３４に示
すように、付加的な横断面が３次元オブジェクトをつく
るのに必要かどうか判定する。
【０１０１】もしそうならば、プロセッサ６１２は、Ｍ
を１だけインクリメントし、プロセスを再び継続する。
そうでないなら、プロセスを終了する。
【０１０２】図３０は、３次元オブジェクトの横断面ス
ライスを表すパターン化されたマスクを用い基板上に金
属を電気めっきする方法を示す流れ図である。参照番号
７２０に示すように、ユーザーがアプリケーションプロ
グラムを始めるときに、プロセッサ６１２は、ブロック
７２２に示すように、電気めっき装置にマシンの初期化
を実行し、めっきされる層の数Ｍをセットするシグナル
を送る。プロセッサ６１２は、ブロック７２４に示すよ
うに、Ｍを１だけインクリメントし、ブロック７２６に
示すように、めっきされる異なる金属の数Ｐを１にセッ
トし、選択的に金属の同時堆積を防ぐために基板をバイ
アスする。プロセッサ６１２は、ブロック７３０に示す
ように、どの層がめっきされるべきか決定するためにマ
シン制御ファイルを読み取り、ブロック７３２に示すよ
うに、マスク位置ファイルを読み取り、ブロック７２８
に示すように、めっきされるマスクパターンの位置を計
算する。プロセッサ６１２は、電気めっき装置に、めっ
きされる基板を層Ｍの材料Ｐのマスクにアライン（整
合）させ、基板をマスクに接触させるように、指示す
る。プロセッサ６１２は、必要なら、ブロック７３４に
示すように、層の厚さを計る。プロセッサ６１２は、ブ
ロック７３６に示すように、基板がマスクと接触してい
るという入力を受け、もし基板バイアスがオンしていれ
ばオフにする。プロセッサ６１２は、ブロック７３８に
示すように、層Ｍの材料Ｐを堆積するよう装置に指示す
る。プロセッサ６１２は、ブロック７４０に示すよう
に、必要ならば、基板が堆積されているという入力を受
け、基板にバイアスを加える。プロセッサ６１２は、ブ
ロック７４２に示すように、基板をマスクとの接触から
除去し、ブロック７４４に示すように、層Ｍを必要なら
ば所定の厚さに平坦化するように、装置に指示する。プ
ロセッサは、ブロック７４６に示すように、Ｐが層Ｍの
金属の数より大きいか判定する。
【０１０３】もしそうならば、プロセッサ６１２は、ブ
ロック７４８に示すように、Ｐを１だけインクリメント
し、ブロック７２８に示すように、基板を層Ｍの金属Ｐ
（すなわちＰｉ＋１）のマスクにアラインさせるよう
に、電気めっき装置を駆動するプロセッサ６１２は、基
板にマスクを接触するように電気めっき装置を駆動し、
上記した処理を、Ｐが層Ｍ上の金属の数に等しくなるま
で繰り返す。
【０１０４】もしそうでないなら、プロセッサ６１２
は、ブロック７５０に示すように、Ｍが最後の層である
か判定する。
【０１０５】もしそうならば、プロセッサ６１２は、符
号７５２で示すように、電気めっきプロセスを終える。
【０１０６】もしそうでないなら、プロセッサ６１２
は、ブロック７２４に示すように、Ｍを１だけインクリ
メントし、最後の層がめっきされるまで電気めっきプロ
セスを実行する。
【０１０７】本発明のデータプロセスおよび制御プロセ
スは、ディジタルの電気回路において、またはコンピュ
ータハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、そ
のコンビネーションにおいて、実現できる。本発明のデ
ータプロセスおよび制御プロセスは、プログラム可能な
プロセッサによる実行のために、機械読み取り可能な記
憶装置に実体的に組み込まれたコンピュータプログラム
プロダクトにおいて、実現できる。本発明の方法のステ
ップは、入力を処理し出力を生成することによって本発
明の機能を実行するために命令のプログラムを実行して
いるプログラム可能なプロセッサにより実行されること
ができる。本発明のデータプロセスおよび制御プロセス
は、プログラム可能なシステムにおいて実行できる１つ
以上のコンピュータプログラムにおいて、実現できる。
プログラム可能なシステムは、少なくとも１つのプログ
ラム可能なプロセッサを含む。それは、データおよび指
示フォームを受け取り、データおよび指示を、データ記
憶装置、少なくとも１つの入力装置、および少なくとも
１つの出力装置に送る。それぞれのコンピュータプログ
ラムは、ハイレベルプロシージャル(high-level proced
ual)な、またはオブジェクトオリエンティド(object-or
iented)なプログラム言語、もしくは望ましい場合には
アッセンブリまたはマシン言語で、実現できる。どの場
合にも、言語は、コンパイルまたは解釈言語でありえ
る。適切なプロセッサは、一般的で特殊な目的のマイク
ロプロセッサを含む。一般に、プロセッサは、命令およ
びデータをリードオンリーメモリおよび／またはランダ
ムアクセスメモリから受け取る。コンピュータプログラ
ム命令およびデータを実体的に具体化するのに適した記
憶装置は、不揮発性メモリの全てのフォームを含む。不
揮発性メモリは、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭおよびフラ
ッシュメモリのような半導体メモリ装置、内蔵ハードデ
ィスクおよび取外し可能なディスクのような磁気ディス
ク、光磁気ディスク、およびＣＤ−ＲＯＭディスクを含
む。上記したものは、ＡＳＩＣ（アプリケーションスペ
シフィック(application-specific)集積回路）によって
追加もしくはその中に組み込まれる。
【０１０８】ユーザーとの交流のために、データプロセ
スおよび制御プロセスは、ユーザーへの方法を表示する
ためのモニター、ＬＣＤスクリーンのような表示装置
と、キーボードと、ユーザーがコンピュータシステムに
入力を行うためのマウス、トラックボールのようなポイ
ンティングデバイスを有するコンピュータシステムにお
いて、実現できる。コンピュータシステムは、コンピュ
ータプログラムがユーザーと交流するグラフィカルユー
ザーインターフェースを与えるようにプログラムされ得
る。
【０１０９】請求の範囲に記載した範囲内で他の実施例
が可能である。上記した例では、プレーナ基板を用いる
ものを示したが、基板はプレーナでなくてもよい。その
場合、電気めっき物品は、基板表面の形状に適合するよ
うに十分にフレキシブルであるか、表面と一致するよう
に形成される。例えば、電気めっき物品は、円筒状の基
板の回りをラップするものであってもよい。また、マス
キング圧力を、マスクに適合する粉状のメディアにより
プレーナでない基板に加えるようにしてもよい。
【０１１０】さらに、上記した例では電気めっき方法を
２つの金属に関して述べたが、ポリマー、セラミックお
よび半導体材料のような多種の材料、およびいかなる数
の金属が、上述した電気めっき方法によって、もしくは
電気めっき方法を通じて起きる分離されたプロセスにお
いて、いずれかが堆積されるようにしてもよい。連続的
に電気めっきを行うことが可能であるように、不十分な
導電性の堆積（例えば、絶縁層）の上にスパッタリング
によって、薄いめっきベースを堆積するようにしてもよ
い。多数の支持体材料を、支持体材料の選択的な除去が
可能な、電気めっきされたエレメントに含むようにして
もよい。
【０１１１】本発明の電気めっき方法は、他のプロセス
とのコンビネーションで用いることができる。例えば、
図３１において、集積回路に基板１８２上のアルミニウ
ムパッドで接続されたアーマチャー巻線１８０を含む電
磁モータｌ７８が、電気めっき方法を中断し、支持体金
属の部分を（例えば、パターン化されたレジストを用い
て）エッチングすることによって、形成される。このこ
とにより、エッチストップとして役立つ構成金属１８６
により定義される空洞１８４（すなわち、モータのロー
タコア）を生成する。空洞１８４は、それから磁性粉
（例えば、Ｎｅ−Ｆｅ−Ｂ）で充填され、続いて焼結さ
れ磁化される。必要であれば、金属は、めっきベースを
確立するために、焼結された磁性粉上へスパッタされ、
電気めっき方法が、再び始められる。そのような空洞
は、固体、流体で充填されるか、もしくは真空を形成す
るために空にされる。
【０１１２】多数の金属が堆積される所で、金属は、基
板にだけマスクすることによって、基板状に選択的に堆
積される。基板上に選択的にめっきされた金属は、ま
た、先に堆積された金属の上へ堆積される。ある層の金
属がそれぞれ堆積された後、またより頻繁に、層は所望
の厚さに平坦化される。あるいは、先に堆積された金属
の全てをマスクが覆うことができる。マスクは、また、
部分的にめっきされた基板の様相(topography)を適応す
る厚さに段が付けられるようにしてもよい。
【０１１３】電気めっき方法の他の実施例は、以下の方
法に従う形状およびポジションにおいて定義される構成
ウェル(well)を製造することを含む。その方法は、互い
に連結された有孔率を有する堅固な、強度の高い材料
（例えば部分的に焼結されたセラミック）片を準備する
こと、その材料片の１つの表面を、望ましい堆積のもの
と反対の形状となるように形づけること、その材料片の
表面が、めっきされる基板と反対側で、最後の堆積表面
の望ましい位置にあり、それの他側にアノードを置くよ
うに、その材料片を位置させること、十分な力でもって
（連続的に周期的に）その材料片を動かしながら基板上
に金属をめっきすること、この場合、材料片の表面が望
ましい堆積のものに一致して残るような方法で動かす
（プレーナ表面の場合には、プレーン内で動かし、柱表
面の場合には、軸方向に動かす、など）（その動きは、
十分に大きな振動であり、材料片の小孔に延びる堆積の
いかなる部分も動かす）こと、基板と材料片の間の全体
のボリュームが堆積で満たされる、すなわち堆積が材料
片の形にそれ自身をモールドする所までめっきを継続す
ること、からなる。材料片は、流体でそれを化学的にフ
ラッシュすること、詰まっている材料を溶かすか、また
はアノードと接触ように詰まった表面を配置しそれを電
解液の基板の上にディプレート(deplate)することによ
って、処理され、周期的に再調整される。
【０１１４】図３２に、電気めっき物品の他の実施例が
示される。電気めっき物品２００は、パターン化された
堅固な基板（例えばポリメタクリル酸メチル）に付着し
それと同一の広がりを有するマスクを含む。電気めっき
方法の間、物品のウィンドウ（すなわちネガティブマス
ク機能）において、堆積が形成される。より詳しくは、
図３２（ａ）に示すように、基板２０４は、第１のパタ
ーン化された電気めっき物品２００に接触される。第１
の金属堆積２０６は、第１の電気めっき物品２００のパ
ターン２０２により定義された形状に形成され、それか
ら第１の物品２００は除去される（図３２（ｂ））。基
板２０４は、それから第２のパターン化された電気めっ
き物品２０８にアラインして接触される（図３２ｃ）。
堆積２１０が、形成され、そして第２の物品２０８が除
去される（図３２ｄ）。めっきされた金属は、それから
平坦化される。そして、その方法は、充分な厚さおよび
ディメンジョンのエレメントが得られるまで繰り返され
る。電気めっき物品は、相当する大きな厚さを有するめ
っきされた金属のオーバラップの領域２１０を含む。オ
ーバーラップ領域は、堆積された金属のプレーナ層を作
るように平坦化される。マスキング圧力は、アノードま
たはポーラス材を電気めっき物品に押し付けることによ
って、加えられる。マスクは、その厚さを増やすことに
よって、より固くされることができる。
【０１１５】電気めっき方法は、カソードを物品に接触
させ、カソード上にめっきするものを述べたが、金属が
電気めっき物品上のパターンに対応するパターンのアノ
ードから選択的に除去されるように、電気めっき物品
を、アノードとして機能する基板に接触させて配置して
もよい。そのようなプロセスは、基板（例えばプラク(p
laque)）を、選択的にエッチング、彫り込み、研磨する
ことにより実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における電気めっき物品の横
断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例における電気めっき物品
の横断面図である。
【図３】電気めっき物品を形成する方法の第１の実施例
を示す図である。
【図４】電気めっき物品を形成する方法の第２の実施例
を示す図である。
【図５】電気めっき物品を形成する方法の第３の実施例
を示す図である。
【図６】電気めっき物品を形成する方法の第４の実施例
を示す図である。
【図７】電気めっき物品を形成する方法の第５の実施例
を示す図である。
【図８】電気めっき物品を形成する方法の第６の実施例
を示す図である。
【図９】電気めっき物品を形成する方法の第７の実施例
を示す図である。
【図１０】本発明の電気めっき方法おける堆積を形成す
る方法を示す図である。
【図１１】本発明の電気めっき方法の第１の実施例にお
ける方法を示す図である。
【図１２】本発明の電気めっき方法の第２の実施例にお
ける方法を示す図である。
【図１３】集積回路上のエレメントを製造する方法を示
す図である。
【図１４】共に製造されるエレメントをアセンブルする
方法を示す図である。
【図１５】本発明の電気めっき方法の一実施例に従って
製造されるエレメントを示す図である。
【図１６】（ａ）から（ｄ）は、本発明の一実施例に従
って製造されるエレメントの横断面である。
【図１７】本発明の一実施例における電気めっき装置を
示す図である。
【図１８】電気めっき物品と接触する基板の横断面図で
ある。
【図１９】本発明の電気めっき装置の一部の平面図であ
る。
【図２０】本発明の電気めっき装置の第３の実施例にお
ける電気めっき装置の一部の平面図である。
【図２１】本発明の電気めっき装置の第４の実施例にお
ける電気めっき装置の一部の平面図である。
【図２２】本発明の電気めっき物品容器の一実施例の横
断面図である。
【図２３】本発明の電気めっき装置の第２の実施例の横
断面図である。
【図２４】図２３の電気めっき装置の位置における基板
の横断面の拡大図である。
【図２５】本発明の電気めっき装置の一部の第３の実施
例の横断面図である。
【図２６】図２５の電気めっき装置の他の一部の横断面
図である。
【図２７】図示された横断面線を有する３次元オブジェ
クト（２次元で示す）を示す図である。
【図２８】３次元構造の横断面の計算のため、および本
発明の電気めっき装置を駆動するために、構成されたコ
ンピューティングシステムの機能ブロック図である。
【図２９】マスクパターンファイルおよび装置制御ファ
イルを生成する方法を示す流れ図である。
【図３０】３次元オブジェクトを製造する方法を示す流
れ図である。
【図３１】電磁式モータの横断面図である。
【図３２】本発明の電気めっき物品の第３の実施例おい
て複数の物品を扱う電気めっき方法を示す図である。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気めっきプロセスであって、このプロ
    セスは、 ａ）基板と、この基板上のパターンに適合するように配
    置されたマスクを含む第１の物品に、第１の基板を接触
    させ、 ｂ）前記マスクのパターンと相補的に対応する第１のパ
    ターンで、金属イオン源から第１の金属を前記第１の基
    板の上に電気めっきし、 ｃ）前記第１の基板から前記第１の物品を取り除くこ
    と、を含む。
  2. 【請求項２】 請求項１の方法であって、さらに、第２
    の金属イオン源から前記第１の基板の上に第２の金属を
    電気めっきすること、を含む。
  3. 【請求項３】 請求項２の方法であって、前記第２の金
    属を電気めっきするステップは、 ａ）基板と、この基板上のパターンに適合するように配
    置されたマスクを含む第２の物品に、第１の基板を接触
    させ、 ｂ）前記第２の物品のマスクパターンと相補的に対応す
    る第２のパターンで、第２の金属を前記第１の基板の上
    に電気めっきし、 ｃ）第１の基板から第２の物品を取り除くこと、を含
    む。
  4. 【請求項４】 請求項３の方法において、さらに、付加
    的な層をつくること、を含む。
  5. 【請求項５】 電気めっき方法であって、この方法は、 ａ）パターン化されたマスクに基板を接触させ、 ｂ）前記マスクのパターンと相補的に対応するパターン
    で、金属イオン源から第１の金属を前記基板の上に電気
    めっきし、 ｃ）前記基板から前記マスクを除去すること、を繰り返
    し行うこと、を含む。
  6. 【請求項６】 エレメントを製造する方法であって、こ
    の方法は、 ａ）層を繰り返し形成することによって多層構造を形成
    するステップと、ｂ）エレメントを形成するステップを
    含み、 前記層を形成するステップは、 i)基板と、この基板上のパターンに適合するように配置
    されたマスクを含む第１の物品に、第１の基板を接触さ
    せ、 ii)前記マスクのパターンと相補的に対応するパターン
    で、第１の金属イオン源から第１の金属を前記第１の基
    板の上に電気めっきし、 iii)前記第１の基板から前記物品を除去し、 a)前記第１の基板の上に第２の金属を電気めっきするこ
    とを含み、 前記エレメントを形成するステップは、前記多層構造か
    ら前記金属の少なくとも一方を除去して、前記金属の他
    方によって定義されたエレメントを形成するものであ
    る。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載の方法において、第２の
    金属を電気めっきするステップは、 ａ）基板と、この基板上のパターンに適合するように配
    置されたマスクを含む第２の物品に、第１の基板を接触
    させ、 ｂ）前記第２の物品のマスクパターンと相補的に対応す
    る第２のパターンで、第２の金属イオン源から前記第２
    の金属を前記第１の基板の上に電気めっきし、 ｃ）第１の基板から第２の物品を取り除くこと、を含
    む。
  8. 【請求項８】 電気めっき物品であって、この物品は、 ａ）第１の主面を有する基板と、 ｂ）前記基板の前記第１の主面上のパターンに適合する
    ように配置されたマスクを含み、前記物品は、金属イオ
    ン源の存在下で電極に接触するように置かれ、かつ電界
    がかけられたとき、前記マスクのパターンと相補的な金
    属のパターンを電極の上に電界めっきすることができる
    ようになっている。
  9. 【請求項９】 電気めっき装置であって、この装置は、 ａ）第１の金属イオンおよびii)第２の金属イオンを含
    む電解液と、 ｂ）前記電解液と接触するアノードと、 ｃ）前記電解液と接触するカソードと、 ｄ）前記電解液と接触する第１の物品であって、この物
    品は、i）第１の主面を有する基板と、ii)前記基板の前
    記第１の主面上のパターンに適合するように配置された
    マスクを含み、前記物品は、金属イオン源の存在下で電
    極に接触するように置かれ、かつ電界がかけられたと
    き、前記マスクのパターンと相補的な金属のパターンを
    電極の上に電界めっきすることができるようになってい
    る。
  10. 【請求項１０】 電気めっき装置であって、この装置
    は、 ａ）第１の電気めっきリザーバを含み、このリザーバ
    は、i)第１の金属イオンを含み前記第１のリザーバ内に
    配置される電解液と、ii)前記電解液と接触するアノー
    ドと、iii)前記電解液と接触するカソードと、iv)前記
    電解液と接触する物品を含み、この物品は、１）第１の
    主面を有する基板と、２）前記基板の前記第１の主面上
    のパターンに適合するように配置されたマスクを含み、
    前記物品は、金属イオン源の存在下で電極に接触するよ
    うに置かれ、かつ電界がかけられたとき、前記マスクの
    パターンと相補的な金属のパターンを電極の上に電界め
    っきすることができるようになっており、 ｂ）第２の電気めっきリザーバを含み、i)第２の金属イ
    オンを含み第２のリザーバ内に配置される電解液と、i
    i)前記電解液と接触するアノードとからなる。
  11. 【請求項１１】 電気めっき物品を製造する方法であっ
    て、この方法は、 ａ）第１の基板とこの第１の基板の上にパターン配置さ
    れたレジストからなる物品にマスクを与え、 ｂ）前記マスクが前記レジストパターンと相補的なパタ
    ーンを獲得するように、第２の基板を前記マスクに接触
    させ、 ｃ）前記第１の基板を、前記物品に付着し残っている前
    記マスクから分離し、 ｄ）前記レジストを除去すること、を含み、 前記物品は、金属イオン源の存在下で電極に接触するよ
    うに置かれ、かつ電界がかけられたとき、前記マスクの
    パターンと相補的な金属のパターンを電極の上に電界め
    っきすることができるようになっている。
  12. 【請求項１２】 電気めっき物品を製造する方法であっ
    て、この方法は、 ａ）第１の面を有するポーラス材を用意し、 ｂ）１つ以上のポーラスでない領域をつくるために前記
    ポーラス材を処理し、 ｃ）フィルムを前記ポーラス材の前記第１の面に与え、 ｄ）パターン化されたマスクをつくるために前記フィル
    ムをパターニングし、 ｅ）前記１つ以上のポーラスでない領域の少なくとも一
    部を除去すること、を含み、 前記物品は、金属イオン源の存在下で電極に接触するよ
    うに置かれ、かつ電界がかけられたとき、マスクのパタ
    ーンと相補的な金属のパターンを電極の上に電界めっき
    することができるようになっている。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005524984A (ja) * 2002-05-08 2005-08-18 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ マイクロ／ナノ構造を基板上にインプリントする方法
JP2005532015A (ja) * 2002-06-27 2005-10-20 マイクロファブリカ インク 小型のｒｆおよびマイクロ波の構成要素とそのような構成要素を製造するための方法
JP2010059550A (ja) * 2002-05-07 2010-03-18 Univ Of Southern California 適合接触マスクめっきを用いてめっき工程を行っている際に堆積の品質を測定する方法
JP2014208395A (ja) * 2013-03-26 2014-11-06 学校法人 関西大学 微小構造体、電子素子、及び微小構造体の製造方法

Families Citing this family (349)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6703150B2 (en) * 1993-10-12 2004-03-09 California Institute Of Technology Direct methanol feed fuel cell and system
US5599638A (en) * 1993-10-12 1997-02-04 California Institute Of Technology Aqueous liquid feed organic fuel cell using solid polymer electrolyte membrane
CA2572786A1 (en) * 1997-04-04 1998-10-15 University Of Southern California Method for electrochemical fabrication including etching to remove flash
JP3780700B2 (ja) * 1998-05-26 2006-05-31 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、パターン形成装置、パターン形成用版、パターン形成用版の製造方法、カラーフィルタの製造方法、導電膜の製造方法及び液晶パネルの製造方法
JP4766579B2 (ja) * 1998-11-30 2011-09-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電気化学堆積装置
US6258220B1 (en) 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6555408B1 (en) * 1999-02-05 2003-04-29 Alien Technology Corporation Methods for transferring elements from a template to a substrate
US6436265B1 (en) * 1999-03-29 2002-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Microstructure array, and apparatus and method for forming the microstructure array, and a mold for fabricating a microstructure array
TW408417B (en) * 1999-05-03 2000-10-11 Ind Tech Res Inst Planar-shape thin probe having electrostatic actuator manufactured by using sacrificed layer technology and its manufacturing method
JP2000331975A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Ebara Corp ウエハ洗浄装置
IT1311361B1 (it) * 1999-11-15 2002-03-12 Olivetti Lexikon Spa Testina di stampa monilitica con rete equipotenziale integrata erelativo metodo di fabbricazione.
US6294398B1 (en) * 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US6379223B1 (en) 1999-11-29 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical-mechanical planarization
US6299741B1 (en) 1999-11-29 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus
US6454916B1 (en) * 2000-01-05 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Selective electroplating with direct contact chemical polishing
US6352935B1 (en) * 2000-01-18 2002-03-05 Analog Devices, Inc. Method of forming a cover cap for semiconductor wafer devices
US7296904B2 (en) * 2000-05-12 2007-11-20 University Of Southern California Reflector for laser interrogation of three-dimensional objects
US6780353B2 (en) * 2000-09-26 2004-08-24 Romain L. Billiet Method for making micromolds
US7511675B2 (en) * 2000-10-26 2009-03-31 Advanced Automotive Antennas, S.L. Antenna system for a motor vehicle
US6422528B1 (en) * 2001-01-17 2002-07-23 Sandia National Laboratories Sacrificial plastic mold with electroplatable base
GB0102896D0 (en) * 2001-02-06 2001-03-21 Univ Greenwich Improved electrophoretic deposition
US20020110673A1 (en) * 2001-02-14 2002-08-15 Ramin Heydarpour Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same
US6762124B2 (en) 2001-02-14 2004-07-13 Avery Dennison Corporation Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure
US6864589B2 (en) * 2001-03-30 2005-03-08 Sharp Laboratories Of America, Inc. X/Y alignment vernier formed on a substrate
US20040222304A1 (en) * 2001-04-11 2004-11-11 Matthew Adams Method and apparatus for on-demand marking or etching of metal
US6895667B2 (en) * 2001-04-13 2005-05-24 The Trustees Of Princeton University Transfer of patterned metal by cold-welding
SE523309E (sv) * 2001-06-15 2009-10-26 Replisaurus Technologies Ab Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt
US7240420B1 (en) * 2001-06-19 2007-07-10 Zyvex Labs, Llc System and method for post-fabrication reduction of minimum feature size spacing of microcomponents
US7070687B2 (en) * 2001-08-14 2006-07-04 Intel Corporation Apparatus and method of surface treatment for electrolytic and electroless plating of metals in integrated circuit manufacturing
US20030071016A1 (en) * 2001-10-11 2003-04-17 Wu-Sheng Shih Patterned structure reproduction using nonsticking mold
TWI227285B (en) * 2001-10-15 2005-02-01 Univ Southern California Methods of and apparatus for producing a three-dimensional structure
US6815354B2 (en) * 2001-10-27 2004-11-09 Nutool, Inc. Method and structure for thru-mask contact electrodeposition
US20040026366A1 (en) * 2001-11-28 2004-02-12 Andre Sharon Method of manufacturing ultra-precise, self-assembled micro systems
US7498714B2 (en) * 2003-09-24 2009-03-03 Microfabrica Inc. Multi-layer three-dimensional structures having features smaller than a minimum feature size associated with the formation of individual layers
US20050202667A1 (en) * 2001-12-03 2005-09-15 University Of Southern California Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US7686770B2 (en) * 2005-10-14 2010-03-30 Microfabrica Inc. Discrete or continuous tissue capture device and method for making
US7239219B2 (en) * 2001-12-03 2007-07-03 Microfabrica Inc. Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
AU2002360464A1 (en) 2001-12-03 2003-06-17 Memgen Corporation Miniature rf and microwave components and methods for fabricating such components
US7674361B2 (en) * 2003-09-24 2010-03-09 Microfabrica Inc. Micro-turbines, roller bearings, bushings, and design of hollow closed structures and fabrication methods for creating such structures
US9614266B2 (en) 2001-12-03 2017-04-04 Microfabrica Inc. Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
US20040146650A1 (en) * 2002-10-29 2004-07-29 Microfabrica Inc. EFAB methods and apparatus including spray metal or powder coating processes
US20050072681A1 (en) * 2001-12-03 2005-04-07 Microfabrica Inc. Multi-step release method for electrochemically fabricated structures
US20060282065A1 (en) * 2002-10-29 2006-12-14 Microfabrica, Inc. Microtools and methods for fabricating such tools
US20070112338A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-17 Microfabrica Inc. Microdevices for tissue approximation and retention, methods for using, and methods for making
US20080121343A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-29 Microfabrica Inc. Electrochemical Fabrication Methods Incorporating Dielectric Materials and/or Using Dielectric Substrates
US20080105646A1 (en) * 2002-05-07 2008-05-08 Microfabrica Inc. Multi-step Release Method for Electrochemically Fabricated Structures
US7501328B2 (en) * 2003-05-07 2009-03-10 Microfabrica Inc. Methods for electrochemically fabricating structures using adhered masks, incorporating dielectric sheets, and/or seed layers that are partially removed via planarization
US20050194348A1 (en) * 2001-12-03 2005-09-08 University Of Southern California Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US20070158200A1 (en) * 2002-10-29 2007-07-12 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication processes incorporating non-platable metals and/or metals that are difficult to plate on
US20050032375A1 (en) * 2003-05-07 2005-02-10 Microfabrica Inc. Methods for electrochemically fabricating structures using adhered masks, incorporating dielectric sheets, and/or seed layers that are partially removed via planarization
US20070198038A1 (en) * 2001-12-03 2007-08-23 Cohen Adam L Microdevices for Tissue Approximation and Retention, Methods for Using, and Methods for Making
US20050121411A1 (en) * 2002-10-29 2005-06-09 Microfabrica Inc. Medical devices and EFAB methods and apparatus for producing them
US20050230261A1 (en) * 2003-06-27 2005-10-20 Cohen Adam L Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US8382423B1 (en) 2001-12-03 2013-02-26 Microfabrica Inc. Micro-scale and meso-scale hydraulically or pneumatically powered devices capable of rotational motion
US7185542B2 (en) * 2001-12-06 2007-03-06 Microfabrica Inc. Complex microdevices and apparatus and methods for fabricating such devices
WO2003050852A2 (en) * 2001-12-06 2003-06-19 Memgem Corporation Complex microdevices and appparatus and methods for fabricating such devices
EP1518822A3 (en) * 2001-12-06 2007-02-28 Microfabrica Inc. Complex microdevices and apparatus and methods for fabricating such devices
US7372616B2 (en) * 2001-12-06 2008-05-13 Microfabrica, Inc. Complex microdevices and apparatus and methods for fabricating such devices
JP2003260142A (ja) * 2002-03-11 2003-09-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 頭蓋内血管治療用ステント及び製造方法
US20030221968A1 (en) * 2002-03-13 2003-12-04 Memgen Corporation Electrochemical fabrication method and apparatus for producing three-dimensional structures having improved surface finish
US20030201170A1 (en) * 2002-04-24 2003-10-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for electropolishing a substrate in an electroplating cell
US20030201185A1 (en) * 2002-04-29 2003-10-30 Applied Materials, Inc. In-situ pre-clean for electroplating process
AU2003228977A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-11 University Of Southern California Method of and apparatus for forming three-dimensional structures integral with semiconductor based circuitry
US7412767B2 (en) * 2003-02-04 2008-08-19 Microfabrica, Inc. Microprobe tips and methods for making
US7384530B2 (en) * 2002-05-07 2008-06-10 Microfabrica Inc. Methods for electrochemically fabricating multi-layer structures including regions incorporating maskless, patterned, multiple layer thickness depositions of selected materials
US7531077B2 (en) 2003-02-04 2009-05-12 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
US20040007469A1 (en) * 2002-05-07 2004-01-15 Memgen Corporation Selective electrochemical deposition methods using pyrophosphate copper plating baths containing ammonium salts, citrate salts and/or selenium oxide
US20050067292A1 (en) * 2002-05-07 2005-03-31 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated structures having dielectric or active bases and methods of and apparatus for producing such structures
US20050202660A1 (en) * 2002-05-07 2005-09-15 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication process including process monitoring, making corrective action decisions, and taking appropriate actions
US7640651B2 (en) * 2003-12-31 2010-01-05 Microfabrica Inc. Fabrication process for co-fabricating multilayer probe array and a space transformer
US8070931B1 (en) * 2002-05-07 2011-12-06 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication method including elastic joining of structures
US20050029109A1 (en) * 2002-05-07 2005-02-10 Gang Zhang Method of electrochemically fabricating multilayer structures having improved interlayer adhesion
EP1576207A2 (en) * 2002-05-07 2005-09-21 Microfabrica Inc. Methods of and apparatus for molding structures
US20050045585A1 (en) * 2002-05-07 2005-03-03 Gang Zhang Method of electrochemically fabricating multilayer structures having improved interlayer adhesion
WO2003095710A2 (en) * 2002-05-07 2003-11-20 Memgen Corporation Methods of and apparatus for electrochemically fabricating structures
US20070045121A1 (en) * 2002-05-07 2007-03-01 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures and methods of and apparatus for producing such structures
US7273812B2 (en) * 2002-05-07 2007-09-25 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
AU2003228976A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-11 Memgen Corporation Multistep release method for electrochemically fabricated structures
WO2003095706A2 (en) * 2002-05-07 2003-11-20 Memgen Corporation Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures
US20060006888A1 (en) * 2003-02-04 2006-01-12 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated microprobes
US20060051948A1 (en) * 2003-02-04 2006-03-09 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
AU2003229023A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-11 University Of Southern California Conformable contact masking methods and apparatus utilizing in situ cathodic activation of a substrate
AU2003234398A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-11 Memgen Corporation Electrochemically fabricated structures having dielectric or active bases
US20080050524A1 (en) 2006-04-07 2008-02-28 Microfabrica Inc. Methods of Forming Three-Dimensional Structures Having Reduced Stress and/or Curvature
US20050104609A1 (en) * 2003-02-04 2005-05-19 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US20060108678A1 (en) 2002-05-07 2006-05-25 Microfabrica Inc. Probe arrays and method for making
EP1576206A2 (en) * 2002-05-07 2005-09-21 Microfabrica Inc. Method of and apparatus for forming three-dimensional structures
US7611616B2 (en) * 2002-05-07 2009-11-03 Microfabrica Inc. Mesoscale and microscale device fabrication methods using split structures and alignment elements
US20040065551A1 (en) * 2002-05-07 2004-04-08 University Of Southern California Electrochemical deposition with enhanced uniform deposition capabilities and/or enhanced longevity of contact masks
US9919472B1 (en) 2002-05-07 2018-03-20 Microfabrica Inc. Stacking and bonding methods for forming multi-layer, three-dimensional, millimeter scale and microscale structures
US20050029225A1 (en) * 2002-05-07 2005-02-10 University Of Southern California Electrochemical fabrication methods with enhanced post deposition processing
US7363705B2 (en) * 2003-02-04 2008-04-29 Microfabrica, Inc. Method of making a contact
US20050184748A1 (en) * 2003-02-04 2005-08-25 Microfabrica Inc. Pin-type probes for contacting electronic circuits and methods for making such probes
US20060053625A1 (en) * 2002-05-07 2006-03-16 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US7265565B2 (en) * 2003-02-04 2007-09-04 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
US20060238209A1 (en) * 2002-05-07 2006-10-26 Microfabrica Inc. Vertical microprobes for contacting electronic components and method for making such probes
US20050142739A1 (en) * 2002-05-07 2005-06-30 Microfabrica Inc. Probe arrays and method for making
US20040065550A1 (en) * 2002-05-07 2004-04-08 University Of Southern California Electrochemical fabrication methods with enhanced post deposition processing
US20030209523A1 (en) * 2002-05-09 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Planarization by chemical polishing for ULSI applications
US7189313B2 (en) * 2002-05-09 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with fluid retention band
US20040072445A1 (en) * 2002-07-11 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Effective method to improve surface finish in electrochemically assisted CMP
US20040118694A1 (en) * 2002-12-19 2004-06-24 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry electrochemical processing system
AU2003279763A1 (en) * 2002-10-01 2004-04-23 Microfabrica Inc. Monolithic structures including alignment and/or retention fixtures for accepting components
US7229544B2 (en) * 2002-10-01 2007-06-12 University Of Southern California Multi-cell masks and methods and apparatus for using such masks to form three-dimensional structures
US7235166B2 (en) * 2002-10-01 2007-06-26 Microfabrica Inc. Multi-cell masks and methods and apparatus for using such masks to form three-dimensional structures
US20050167894A1 (en) * 2002-10-08 2005-08-04 Wu-Sheng Shih Patterned structure reproduction using nonsticking mold
US8454652B1 (en) 2002-10-29 2013-06-04 Adam L. Cohen Releasable tissue anchoring device, methods for using, and methods for making
US20110092988A1 (en) * 2002-10-29 2011-04-21 Microfabrica Inc. Microdevices for Tissue Approximation and Retention, Methods for Using, and Methods for Making
US20100094320A1 (en) * 2002-10-29 2010-04-15 Microfabrica Inc. Atherectomy and Thrombectomy Devices, Methods for Making, and Procedures for Using
US7291254B2 (en) * 2002-11-26 2007-11-06 Microfabrica, Inc. Method for electrochemically forming structures including non-parallel mating of contact masks and substrates
US7368044B2 (en) * 2002-11-26 2008-05-06 Microfabrica, Inc. Non-conformable masks and methods and apparatus for forming three-dimensional structures
AU2003297814A1 (en) * 2002-12-09 2004-06-30 Acm Research, Inc. Measuring alignment between a wafer chuck and polishing/plating receptacle
US6916409B1 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Apparatus and process for electrolytic removal of material from a medical device
US6875322B1 (en) 2003-01-15 2005-04-05 Lam Research Corporation Electrochemical assisted CMP
US20040239006A1 (en) * 2003-01-22 2004-12-02 Microfabrica Inc. Silicone compositions, methods of making, and uses thereof
US10416192B2 (en) 2003-02-04 2019-09-17 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components
US20080211524A1 (en) * 2003-02-04 2008-09-04 Microfabrica Inc. Electrochemically Fabricated Microprobes
US8613846B2 (en) * 2003-02-04 2013-12-24 Microfabrica Inc. Multi-layer, multi-material fabrication methods for producing micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US9244101B2 (en) * 2003-02-04 2016-01-26 University Of Southern California Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
US20060226015A1 (en) * 2003-02-04 2006-10-12 Microfabrica Inc. Method of forming electrically isolated structures using thin dielectric coatings
US7567089B2 (en) * 2003-02-04 2009-07-28 Microfabrica Inc. Two-part microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
US20080157793A1 (en) * 2003-02-04 2008-07-03 Microfabrica Inc. Vertical Microprobes for Contacting Electronic Components and Method for Making Such Probes
EP1609206B1 (en) 2003-03-04 2010-07-28 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coaxial waveguide microstructures and methods of formation thereof
JP3898137B2 (ja) * 2003-03-06 2007-03-28 富士通株式会社 自動出力復帰方法および光通信システム
US7198704B2 (en) * 2003-04-21 2007-04-03 Microfabrica Inc. Methods of reducing interlayer discontinuities in electrochemically fabricated three-dimensional structures
US7433811B2 (en) * 2003-05-06 2008-10-07 The Regents Of The University Of California Direct patterning of silicon by photoelectrochemical etching
TWI232843B (en) * 2003-05-07 2005-05-21 Microfabrica Inc Electrochemical fabrication methods including use of surface treatments to reduce overplating and/or planarization during formation of multi-layer three-dimensional structures
US10297421B1 (en) * 2003-05-07 2019-05-21 Microfabrica Inc. Plasma etching of dielectric sacrificial material from reentrant multi-layer metal structures
US9671429B2 (en) 2003-05-07 2017-06-06 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
TWI291500B (en) * 2003-05-07 2007-12-21 Univ Southern California Method of electrochemically fabricating multilayer structures having improved interlayer adhesion
TWI297045B (en) * 2003-05-07 2008-05-21 Microfabrica Inc Methods and apparatus for forming multi-layer structures using adhered masks
US7527721B2 (en) * 2003-05-07 2009-05-05 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication method for producing multi-layer three-dimensional structures on a porous dielectric
US7244326B2 (en) 2003-05-16 2007-07-17 Alien Technology Corporation Transfer assembly for manufacturing electronic devices
US7131578B2 (en) 2003-05-28 2006-11-07 Ewi Holdings, Inc. System and method for electronic prepaid account replenishment
US7465661B2 (en) * 2003-05-28 2008-12-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High aspect ratio microelectrode arrays
US7524427B2 (en) * 2003-06-27 2009-04-28 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US20050194258A1 (en) * 2003-06-27 2005-09-08 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US20050176238A1 (en) * 2003-06-27 2005-08-11 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US20050215046A1 (en) * 2003-06-27 2005-09-29 Cohen Adam L Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US20050053849A1 (en) * 2003-07-03 2005-03-10 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication method for producing compliant beam-like structures
EP1663513A4 (en) * 2003-07-09 2009-08-05 Fry Metals Inc DESCALING AND MODELING PROCEDURES
US20190357827A1 (en) 2003-08-01 2019-11-28 Dexcom, Inc. Analyte sensor
US20080119703A1 (en) 2006-10-04 2008-05-22 Mark Brister Analyte sensor
CN1997691B (zh) * 2003-09-23 2011-07-20 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 光固化的全氟聚醚用作微流体器件中的新材料
US20050145122A1 (en) * 2003-09-24 2005-07-07 Matthew Adams Use of a UV-curable thermal ribbon in conjunction with a porous substrate to form a durable, on-demand electro-chemical stencil
US20050067286A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 The University Of Cincinnati Microfabricated structures and processes for manufacturing same
WO2005033798A2 (en) * 2003-10-03 2005-04-14 University Of Washington Electrochemical micromanufacturing system and method
US20050205430A1 (en) * 2003-11-26 2005-09-22 Microfabrica Inc. EFAB methods including controlled mask to substrate mating
EP1538482B1 (en) * 2003-12-05 2016-02-17 Obducat AB Device and method for large area lithography
US20060127581A1 (en) * 2003-12-11 2006-06-15 Aspens Glenn D Method for on-demand direct item marking via a screen printing process
US8521284B2 (en) * 2003-12-12 2013-08-27 Cardiac Pacemakers, Inc. Cardiac response classification using multisite sensing and pacing
DK1704585T3 (en) * 2003-12-19 2017-05-22 Univ North Carolina Chapel Hill Methods for preparing isolated micro- and nanostructures using soft lithography or printing lithography
US9040090B2 (en) 2003-12-19 2015-05-26 The University Of North Carolina At Chapel Hill Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof
US7479213B2 (en) * 2003-12-25 2009-01-20 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
WO2005065433A2 (en) * 2003-12-31 2005-07-21 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates
US7430731B2 (en) * 2003-12-31 2008-09-30 University Of Southern California Method for electrochemically fabricating three-dimensional structures including pseudo-rasterization of data
US20080108221A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-08 Microfabrica Inc. Microprobe Tips and Methods for Making
US20080105355A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-08 Microfabrica Inc. Probe Arrays and Method for Making
US10641792B2 (en) 2003-12-31 2020-05-05 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US20160194774A1 (en) * 2003-12-31 2016-07-07 University Of Southern California Electrochemical Fabrication Process for Forming Multilayer Multimaterial Microprobe Structures Incorporating Dielectrics
US20080142369A1 (en) * 2003-12-31 2008-06-19 Microfabrica Inc. Integrated Circuit Packaging Using Electrochemically Fabricated Structures
US7623935B2 (en) * 2003-12-31 2009-11-24 University Of Southern California Method for electrochemically fabricating three-dimensional structures including pseudo-rasterization of data
WO2005065430A2 (en) * 2003-12-31 2005-07-21 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods for producing multilayer structures including the use of diamond machining in the planarization of deposits of material
US20060134831A1 (en) * 2003-12-31 2006-06-22 Microfabrica Inc. Integrated circuit packaging using electrochemically fabricated structures
US20090020433A1 (en) * 2003-12-31 2009-01-22 Microfabrica Inc. Electrochemical Fabrication Methods for Producing Multilayer Structures Including the use of Diamond Machining in the Planarization of Deposits of Material
US7833389B1 (en) * 2005-01-21 2010-11-16 Microcontinuum, Inc. Replication tools and related fabrication methods and apparatus
US9307648B2 (en) * 2004-01-21 2016-04-05 Microcontinuum, Inc. Roll-to-roll patterning of transparent and metallic layers
JP2005223063A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Seiko Epson Corp 配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
CN101189271A (zh) * 2004-02-13 2008-05-28 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 制造微流体设备的功能材料和新型方法
US7280644B2 (en) 2004-12-07 2007-10-09 Ewi Holdings, Inc. Transaction processing platform for faciliating electronic distribution of plural prepaid services
US7256107B2 (en) * 2004-05-04 2007-08-14 The Regents Of The University Of California Damascene process for use in fabricating semiconductor structures having micro/nano gaps
EP1594001B1 (en) * 2004-05-07 2015-12-30 Obducat AB Device and method for imprint lithography
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
US8988091B2 (en) 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
US7659739B2 (en) * 2006-09-14 2010-02-09 Micro Porbe, Inc. Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion
US7733101B2 (en) * 2004-05-21 2010-06-08 Microprobe, Inc. Knee probe having increased scrub motion
US9097740B2 (en) * 2004-05-21 2015-08-04 Formfactor, Inc. Layered probes with core
US7759949B2 (en) * 2004-05-21 2010-07-20 Microprobe, Inc. Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads
USRE43503E1 (en) 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
GB0416600D0 (en) * 2004-07-24 2004-08-25 Univ Newcastle A process for manufacturing micro- and nano-devices
US6956389B1 (en) 2004-08-16 2005-10-18 Jem America Corporation Highly resilient cantilever spring probe for testing ICs
WO2006023696A2 (en) * 2004-08-19 2006-03-02 Microfabrica, Inc. Integrated circuit packaging using electrochemically fabricated
US7169649B2 (en) * 2004-12-16 2007-01-30 Palo Alto Research Center, Inc. Wafer scale integration of electroplated 3D structures using successive lithography, electroplated sacrificial layers, and flip-chip bonding
US7335463B2 (en) * 2004-12-16 2008-02-26 Palo Alto Research Center, Inc. Electroplated three dimensional ink jet manifold and nozzle structures using successive lithography and electroplated sacrificial layers
US8062495B2 (en) * 2005-01-21 2011-11-22 Microcontinuum, Inc. Replication tools and related fabrication methods and apparatus
WO2006084202A2 (en) * 2005-02-03 2006-08-10 The University Of North Carolina At Chapel Hill Low surface energy polymeric material for use in liquid crystal displays
JP4479535B2 (ja) * 2005-02-21 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 光学素子の製造方法
US8216931B2 (en) * 2005-03-31 2012-07-10 Gang Zhang Methods for forming multi-layer three-dimensional structures
US7696102B2 (en) * 2005-03-31 2010-04-13 Gang Zhang Methods for fabrication of three-dimensional structures
JP4624873B2 (ja) * 2005-06-28 2011-02-02 株式会社荏原製作所 めっき方法
US7419630B2 (en) * 2005-04-22 2008-09-02 Sandia Corporation Methods and systems for rapid prototyping of high density circuits
KR20080022111A (ko) * 2005-05-18 2008-03-10 프라이즈 메탈즈, 인크. 기판 상에 동전기적 침착 및 패터닝 공정을 위한 마스크 및방법
FR2885913B1 (fr) * 2005-05-18 2007-08-10 Centre Nat Rech Scient Element composite comprenant un substrat conducteur et un revetement metallique nanostructure.
KR101137862B1 (ko) * 2005-06-17 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법
WO2007001977A2 (en) * 2005-06-20 2007-01-04 Microcontinuum, Inc. Systems and methods for roll-to-roll patterning
US8273117B2 (en) * 2005-06-22 2012-09-25 Integran Technologies Inc. Low texture, quasi-isotropic metallic stent
WO2007133235A2 (en) * 2005-08-08 2007-11-22 Liquidia Technologies, Inc. Micro and nano-structure metrology
EP2537657A3 (en) 2005-08-09 2016-05-04 The University of North Carolina At Chapel Hill Methods and materials for fabricating microfluidic devices
US8231948B2 (en) * 2005-08-15 2012-07-31 The University Of Florida Research Foundation, Inc. Micro-molded integral non-line-of sight articles and method
US7767126B2 (en) * 2005-08-22 2010-08-03 Sipix Imaging, Inc. Embossing assembly and methods of preparation
US20070148336A1 (en) * 2005-11-07 2007-06-28 Robert Bachrach Photovoltaic contact and wiring formation
US20090234417A1 (en) * 2005-11-10 2009-09-17 Electrocore, Inc. Methods And Apparatus For The Treatment Of Metabolic Disorders
DK1948852T3 (da) * 2005-11-18 2019-01-02 Luxembourg Inst Science & Tech List Hovedelektrode og fremgangsmåde til dannelse af hovedelektroden
US7649367B2 (en) * 2005-12-07 2010-01-19 Microprobe, Inc. Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance
US7658831B2 (en) * 2005-12-21 2010-02-09 Formfactor, Inc Three dimensional microstructures and methods for making three dimensional microstructures
IL173121A (en) * 2006-01-12 2011-07-31 Dina Katsir Electrodes, membranes, printing plate precursors and other articles including multi-strata porous coatings
WO2007089587A2 (en) * 2006-01-26 2007-08-09 California Institute Of Technology Mechanically induced trapping of molecular interactions
CA2643510C (en) 2006-02-27 2014-04-29 Microcontinuum, Inc. Formation of pattern replicating tools
EP1835339B1 (fr) * 2006-03-15 2012-05-16 Rolex S.A. Procédé de fabrication par technologie de type liga d'une structure métallique monocouche ou multicouche, et structure obtenue
US7312617B2 (en) 2006-03-20 2007-12-25 Microprobe, Inc. Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts
US7655126B2 (en) * 2006-03-27 2010-02-02 Federal Mogul World Wide, Inc. Fabrication of topical stopper on MLS gasket by active matrix electrochemical deposition
US7622382B2 (en) * 2006-03-29 2009-11-24 Intel Corporation Filling narrow and high aspect ratio openings with electroless deposition
US7998323B1 (en) * 2006-06-07 2011-08-16 Actus Potentia, Inc. Apparatus for focused electric-field imprinting for micron and sub-micron patterns on wavy or planar surfaces
US20080181958A1 (en) * 2006-06-19 2008-07-31 Rothrock Ginger D Nanoparticle fabrication methods, systems, and materials
WO2008033428A2 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Innoconnex, Inc. Compliance partitioning in testing of integrated circuits
US9615463B2 (en) * 2006-09-22 2017-04-04 Oscar Khaselev Method for producing a high-aspect ratio conductive pattern on a substrate
US7786740B2 (en) * 2006-10-11 2010-08-31 Astria Semiconductor Holdings, Inc. Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region
US8907689B2 (en) * 2006-10-11 2014-12-09 Microprobe, Inc. Probe retention arrangement
CN101161870B (zh) * 2006-10-11 2010-11-10 富准精密工业(深圳)有限公司 气密性腔体成型方法
US20080127490A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Lotes Co., Ltd. Manufacture process of connector
US7736928B2 (en) * 2006-12-01 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Precision printing electroplating through plating mask on a solar cell substrate
US7704352B2 (en) * 2006-12-01 2010-04-27 Applied Materials, Inc. High-aspect ratio anode and apparatus for high-speed electroplating on a solar cell substrate
US20080128019A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Applied Materials, Inc. Method of metallizing a solar cell substrate
US7799182B2 (en) * 2006-12-01 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Electroplating on roll-to-roll flexible solar cell substrates
KR101253274B1 (ko) * 2006-12-07 2013-04-10 삼성디스플레이 주식회사 도광판 제조용 금형 제조 방법 및 이를 이용한 도광판 제조방법
US8877074B2 (en) * 2006-12-15 2014-11-04 The Regents Of The University Of California Methods of manufacturing microdevices in laminates, lead frames, packages, and printed circuit boards
US7763326B2 (en) * 2006-12-20 2010-07-27 United Technologies Corporation Photocurable maskant composition and method of use
EP1939137B1 (en) 2006-12-30 2016-08-24 Nuvotronics, LLC Three-dimensional microstructures and methods of formation thereof
EP1973190A1 (en) 2007-03-20 2008-09-24 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Integrated electronic components and methods of formation thereof
EP1973189B1 (en) 2007-03-20 2012-12-05 Nuvotronics, LLC Coaxial transmission line microstructures and methods of formation thereof
US20100151031A1 (en) * 2007-03-23 2010-06-17 Desimone Joseph M Discrete size and shape specific organic nanoparticles designed to elicit an immune response
US7514948B2 (en) 2007-04-10 2009-04-07 Microprobe, Inc. Vertical probe array arranged to provide space transformation
GB0715621D0 (en) * 2007-08-10 2007-09-19 Rolls Royce Plc Support architecture
US20100121307A1 (en) * 2007-08-24 2010-05-13 Microfabrica Inc. Microneedles, Microneedle Arrays, Methods for Making, and Transdermal and/or Intradermal Applications
US7918984B2 (en) * 2007-09-17 2011-04-05 International Business Machines Corporation Method of electrodepositing germanium compound materials on a substrate
US8498464B2 (en) * 2007-09-27 2013-07-30 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems
US7671610B2 (en) * 2007-10-19 2010-03-02 Microprobe, Inc. Vertical guided probe array providing sideways scrub motion
US8723546B2 (en) * 2007-10-19 2014-05-13 Microprobe, Inc. Vertical guided layered probe
US9126255B2 (en) * 2007-10-24 2015-09-08 Honda Motor Co., Ltd. Press die for metal plate molding, the processing method of the surface of the press die, and manufacturing method of a vehicle body
FR2923078B1 (fr) * 2007-10-26 2017-09-01 Centre Nat De La Rech Scient - Cnrs Procede de fabrication d'un element d'interconnexion mecanique conducteur d'electricite.
JP2009117699A (ja) * 2007-11-08 2009-05-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ用部品及び半導体パッケージ用部品の製造方法
CN101855325A (zh) * 2007-11-09 2010-10-06 火星工程有限公司 氧化亚氮燃料掺混物单元推进剂
KR101689519B1 (ko) * 2007-12-26 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법
JP4913082B2 (ja) * 2008-03-03 2012-04-11 株式会社東芝 三次元構造体の製造方法および三次元構造体
US8078309B1 (en) * 2008-03-31 2011-12-13 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method to create arbitrary sidewall geometries in 3-dimensions using liga with a stochastic optimization framework
US8230593B2 (en) * 2008-05-29 2012-07-31 Microprobe, Inc. Probe bonding method having improved control of bonding material
JP2009291293A (ja) 2008-06-03 2009-12-17 Olympus Corp 積層構造体、光調節装置、及び積層構造体の製造方法
US10939934B2 (en) 2008-06-23 2021-03-09 Microfabrica Inc. Miniature shredding tools for use in medical applications, methods for making, and procedures for using
US8795278B2 (en) 2008-06-23 2014-08-05 Microfabrica Inc. Selective tissue removal tool for use in medical applications and methods for making and using
US9814484B2 (en) 2012-11-29 2017-11-14 Microfabrica Inc. Micro debrider devices and methods of tissue removal
US8414607B1 (en) 2008-06-23 2013-04-09 Microfabrica Inc. Miniature shredding tool for use in medical applications and methods for making
US8968346B2 (en) * 2008-06-23 2015-03-03 Microfabrica Inc. Miniature shredding tool for use in medical applications and methods for making
US9451977B2 (en) 2008-06-23 2016-09-27 Microfabrica Inc. MEMS micro debrider devices and methods of tissue removal
TW201027769A (en) * 2008-10-28 2010-07-16 Solopower Inc Improved drum design for web processing
US20100126849A1 (en) * 2008-11-24 2010-05-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for forming 3d nanostructure electrode for electrochemical battery and capacitor
US8511960B1 (en) 2008-12-31 2013-08-20 Microfabrica Inc. Microscale and millimeter scale devices including threaded elements, methods for designing, and methods for making
US9441661B2 (en) 2008-12-31 2016-09-13 Microfabrica Inc. Microscale and millimeter scale devices including threaded elements, methods for designing, and methods for making
JP5319326B2 (ja) * 2009-02-25 2013-10-16 株式会社東芝 凹凸パターンの形成方法および凹凸パターン形成用シート
US8073019B2 (en) * 2009-03-02 2011-12-06 Jian Liu 810 nm ultra-short pulsed fiber laser
US8362578B2 (en) * 2009-06-02 2013-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Triple-axis MEMS accelerometer
JP2012531262A (ja) 2009-06-24 2012-12-10 ウルトラデント プロダクツ インコーポレイテッド 治療改善のための係合ブロックを有する弱力歯列矯正アーチワイヤ
US8262916B1 (en) 2009-06-30 2012-09-11 Microfabrica Inc. Enhanced methods for at least partial in situ release of sacrificial material from cavities or channels and/or sealing of etching holes during fabrication of multi-layer microscale or millimeter-scale complex three-dimensional structures
WO2011003035A2 (en) 2009-07-02 2011-01-06 Dexcom, Inc. Analyte sensor
EP2451538A1 (en) * 2009-07-07 2012-05-16 Firestar Engineering, LLC Detonation wave arrestor
US8041442B2 (en) * 2009-07-27 2011-10-18 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Process for selecting surrogate part
EP2467072B1 (en) 2009-08-18 2016-12-14 Microfabrica Inc. Concentric cutting devices for use in minimally invasive medical procedures
US20230324436A1 (en) * 2009-10-16 2023-10-12 University Of Southern California Multi-Layer, Multi-Material Micro-Scale and Millimeter-Scale Devices with Enhanced Electrical and/or Mechanical Properties
US20110123783A1 (en) 2009-11-23 2011-05-26 David Sherrer Multilayer build processses and devices thereof
DE102009060937A1 (de) * 2009-12-22 2011-06-30 Siemens Aktiengesellschaft, 80333 Verfahren zum elektrochemischen Beschichten
US8741163B2 (en) * 2009-12-29 2014-06-03 Werner Suedes Method for producing a composite body having a self-supporting surface
JP5639194B2 (ja) * 2010-01-22 2014-12-10 ヌボトロニクス，エルエルシー 熱制御
US8917150B2 (en) * 2010-01-22 2014-12-23 Nuvotronics, Llc Waveguide balun having waveguide structures disposed over a ground plane and having probes located in channels
US8641883B2 (en) * 2010-02-22 2014-02-04 The Regents Of The University Of California Polymer-based high surface area multi-layered three-dimensional structures and method of making same
WO2012007522A2 (en) * 2010-07-15 2012-01-19 Replisaurus Group Sas Separation of master electrode and substrate in ecpr
TW201209197A (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Method of coating
US8845912B2 (en) 2010-11-22 2014-09-30 Microcontinuum, Inc. Tools and methods for forming semi-transparent patterning masks
TWI415730B (zh) * 2011-02-17 2013-11-21 The system of masking
FR2972298B1 (fr) * 2011-03-04 2015-07-31 Commissariat Energie Atomique Procede de metallisation de surfaces texturees
DK3575796T3 (da) 2011-04-15 2021-01-18 Dexcom Inc Avanceret analytsensorkalibrering og fejldetektion
US8866300B1 (en) 2011-06-05 2014-10-21 Nuvotronics, Llc Devices and methods for solder flow control in three-dimensional microstructures
US8814601B1 (en) * 2011-06-06 2014-08-26 Nuvotronics, Llc Batch fabricated microconnectors
WO2013010108A1 (en) 2011-07-13 2013-01-17 Nuvotronics, Llc Methods of fabricating electronic and mechanical structures
WO2013074702A1 (en) 2011-11-15 2013-05-23 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Complimentary polymer electrochromic device
US8338283B1 (en) * 2011-12-07 2012-12-25 Innovative Micro Technology Method and apparatus for applying thin liquid coatings
US9903033B2 (en) * 2012-07-24 2018-02-27 Uchicago Argonne Llc Nanowire and microwire fabrication technique and product
US20140054178A1 (en) * 2012-08-22 2014-02-27 Thomas W. Valentine Electrode mask for electrowinning a metal
US9233504B2 (en) * 2012-10-29 2016-01-12 Makerbot Industries, Llc Tagged build material for three-dimensional printing
BR102012028367B1 (pt) 2012-11-06 2022-03-22 Timpel S.A Método e aparato para gerar e exibir uma representação simplificada de informações obtidas através de tomografia por impedância elétrica
WO2014098774A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Agency For Science, Technology And Research Porous metallic membrane
US20180085995A1 (en) * 2013-01-04 2018-03-29 New York University 3d manufacturing using multiple material deposition and/or fusion sources simultaneously with single or multi-flute helical build surfaces
US9878401B1 (en) 2013-01-15 2018-01-30 Microfabrica Inc. Methods of forming parts using laser machining
WO2014113508A2 (en) 2013-01-15 2014-07-24 Microfabrica Inc. Methods of forming parts using laser machining
US9325044B2 (en) 2013-01-26 2016-04-26 Nuvotronics, Inc. Multi-layer digital elliptic filter and method
US9814543B2 (en) * 2013-02-16 2017-11-14 Ormco Corporation Methods for fabrication of orthodontic appliances and orthodontic appliances made thereby
US9306254B1 (en) 2013-03-15 2016-04-05 Nuvotronics, Inc. Substrate-free mechanical interconnection of electronic sub-systems using a spring configuration
US9306255B1 (en) 2013-03-15 2016-04-05 Nuvotronics, Inc. Microstructure including microstructural waveguide elements and/or IC chips that are mechanically interconnected to each other
US9207515B2 (en) 2013-03-15 2015-12-08 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Variable-emittance electrochromic devices and methods of preparing the same
US9589797B2 (en) 2013-05-17 2017-03-07 Microcontinuum, Inc. Tools and methods for producing nanoantenna electronic devices
DE202013004745U1 (de) 2013-05-23 2014-08-26 Exentis-Knowledge Ag Anlage zur Herstellung von dreidimensionalen Siebdrucken
US9802360B2 (en) * 2013-06-04 2017-10-31 Stratsys, Inc. Platen planarizing process for additive manufacturing system
WO2015009874A1 (en) 2013-07-16 2015-01-22 Microfabrica Inc. Counterfeiting deterent and security devices systems and methods
US9134602B2 (en) * 2013-07-29 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing an extreme ultraviolet (EUV) mask and the mask manufactured therefrom
US9401337B2 (en) * 2013-12-18 2016-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Molding structure for wafer level package
WO2015109208A2 (en) 2014-01-17 2015-07-23 Nuvotronics, Llc Wafer scale test interface unit: low loss and high isolation devices and methods for high speed and high density mixed signal interconnects and contactors
WO2016065308A1 (en) * 2014-10-23 2016-04-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanoshape patterning techniques that allow high-speed and low-cost fabrication of nanoshape structures
US10847469B2 (en) 2016-04-26 2020-11-24 Cubic Corporation CTE compensation for wafer-level and chip-scale packages and assemblies
EP3021412A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-18 Toto Ltd. Solid oxid fuel cell manufacturing method and dispenser apparatus for manufacturing same
US10511073B2 (en) 2014-12-03 2019-12-17 Cubic Corporation Systems and methods for manufacturing stacked circuits and transmission lines
KR102282216B1 (ko) * 2015-02-24 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조방법
CN107533286B (zh) * 2015-04-29 2022-02-08 3M创新有限公司 溶胀性成膜组合物及采用所述溶胀性成膜组合物进行纳米压印光刻的方法
US10308500B2 (en) * 2015-05-22 2019-06-04 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Multilayer MEMS cantilevers
US9933578B1 (en) 2015-06-11 2018-04-03 Microfabrica Inc. Multi-layer monolithic fiber optic alignment structures, methods for making, and methods for using
US9632059B2 (en) 2015-09-03 2017-04-25 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Potentiostat/galvanostat with digital interface
US9482880B1 (en) 2015-09-15 2016-11-01 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Electrochromic eyewear
US9945045B2 (en) 2015-12-02 2018-04-17 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Electrochemical deposition apparatus and methods of using the same
EP3397712A1 (en) * 2015-12-29 2018-11-07 3M Innovative Properties Company Additive manufacturing methods for adhesives and adhesive articles
US10096537B1 (en) 2015-12-31 2018-10-09 Microfabrica Inc. Thermal management systems, methods for making, and methods for using
US20170253988A1 (en) * 2016-03-01 2017-09-07 The Boeing Company Electromodification of Conductive Surfaces
US10197178B2 (en) 2016-03-07 2019-02-05 Honeywell International Inc. Electrohydraulic valve including a vibration-resistant, flexible hermetic seal
US10806557B1 (en) 2016-07-11 2020-10-20 Microfabrica Inc. Tissue scaffolding devices, methods of using, and methods of making
US10131570B2 (en) * 2016-10-15 2018-11-20 Behzad Haghighi Liquid-based masking layer
CN106903383B (zh) * 2017-04-27 2019-11-05 广东工业大学 用于电解加工平面曲折群沟槽的装置及电解加工方法
CN107379966A (zh) * 2017-07-31 2017-11-24 浙江联宜电机有限公司 重型驱动桥
WO2019064424A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 シャープ株式会社 マスクの製造方法
CN111278627B (zh) * 2017-10-25 2023-02-03 惠普发展公司，有限责任合伙企业 用于由颗粒形成的3d特征的热支撑物
US11686012B2 (en) 2017-10-26 2023-06-27 Unison Industries, Llc Mandrel for electroforming
US10927711B2 (en) 2017-10-26 2021-02-23 Unison Industries, Llc Tunable compliant attachment structure
US10319654B1 (en) 2017-12-01 2019-06-11 Cubic Corporation Integrated chip scale packages
US10961967B1 (en) 2017-12-12 2021-03-30 Microfabrica Inc. Fuel injector systems, fuel injectors, fuel injector nozzles, and methods for making fuel injector nozzles
US20200024763A1 (en) * 2018-07-23 2020-01-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Electroform vapor chamber integrated thermal module into pcb layout design
WO2020027810A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thermal supports for formation of 3d object portions
US10515812B1 (en) * 2018-08-13 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of reducing pattern roughness in semiconductor fabrication
US11383302B2 (en) 2018-09-21 2022-07-12 Battelle Energy Alliance, Llc Heat exchangers fabricated by additive manufacturing, related components, and related methods
US11262383B1 (en) 2018-09-26 2022-03-01 Microfabrica Inc. Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making
IT201900013626A1 (it) 2019-08-01 2021-02-01 Fluid Metal 3D As Procedimento e sistema di elettroformatura localizzata da getti con retroazione ad anello chiuso in tempo reale
JP7432887B2 (ja) * 2019-11-05 2024-02-19 ニチコン株式会社 アルミニウム箔の表面加工方法
EP3839626B1 (fr) * 2019-12-18 2023-10-11 Nivarox-FAR S.A. Procede de fabrication d'un composant horloger
US11867721B1 (en) 2019-12-31 2024-01-09 Microfabrica Inc. Probes with multiple springs, methods for making, and methods for using
CN113634831A (zh) * 2020-05-11 2021-11-12 光群雷射科技股份有限公司 无缝全像图图案转移方法
JP7049409B2 (ja) * 2020-07-17 2022-04-06 マクセル株式会社 塑性加工用の金型の製造方法
WO2023196427A1 (en) 2022-04-06 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023196431A1 (en) 2022-04-06 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023196425A1 (en) 2022-04-06 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023196438A1 (en) 2022-04-07 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023196428A1 (en) 2022-04-07 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023196436A1 (en) 2022-04-08 2023-10-12 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2023211659A1 (en) 2022-04-28 2023-11-02 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes
WO2024025700A1 (en) 2022-06-30 2024-02-01 Microfabrica Inc. Compliant probes with enhanced pointing stability and including at least one extension spring or spring segment
US20240074682A1 (en) 2022-09-02 2024-03-07 Dexcom, Inc. Devices and methods for measuring a concentration of a target analyte in a biological fluid in vivo

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2306082A (en) * 1940-04-27 1942-12-22 Clarence O Prest Method for line or design reproduction by electrolysis
US2606082A (en) * 1946-11-11 1952-08-05 Separator Ab Self-aligning vertical shaft
US3240685A (en) * 1962-02-23 1966-03-15 Ibm Method and device for selective anodization
BE756431A (fr) * 1969-09-20 1971-03-22 Philips Nv Procede permettant la fabrication d'un corps presentant des proprietes anisotropes magnetiques permanentes
US3697401A (en) * 1970-01-09 1972-10-10 Avco Corp Electrochemical milling process
US3745105A (en) * 1970-11-18 1973-07-10 Auric Corp Apparatus for selective electroplating of sheets
DE2127855A1 (en) 1971-06-04 1972-12-14 Nautschno-issledowatelskij institut po udobrenijam i insektofungizidam imeni professora Ja. W. Semojlowa, Moskau Drying phosphate gypsum - without escape of fluorine by adding calcium oxide/hydroxide/carbonate
US3835017A (en) * 1972-12-22 1974-09-10 Buckbee Mears Co Reusable shields for selective electrodeposition
US3926916A (en) * 1972-12-22 1975-12-16 Du Pont Dielectric composition capable of electrical activation
US4080267A (en) * 1975-12-29 1978-03-21 International Business Machines Corporation Method for forming thick self-supporting masks
US4043891A (en) * 1976-01-14 1977-08-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electrolytic cell with bipolar electrodes
SU642382A1 (ru) * 1976-07-28 1979-01-15 Предприятие П/Я А-7501 Установка дл локального гальванопокрыти
US4090267A (en) * 1977-03-31 1978-05-23 Casper Cuschera Self caulking toilet drain
US4187553A (en) * 1977-12-23 1980-02-05 International Business Machines Corporation Pedestal bubble domain chip and processes for making same
US4155815A (en) * 1978-04-03 1979-05-22 Francis William L Method of continuous electroplating and continuous electroplating machine for printed circuit board terminals
ZA811368B (en) * 1980-03-24 1982-04-28 Genentech Inc Bacterial polypedtide expression employing tryptophan promoter-operator
US4294669A (en) * 1980-09-08 1981-10-13 Gte Products Corporation Process for plating selected metal areas
US4370941A (en) * 1981-03-23 1983-02-01 Belton Betty R Apparatus for batiking eggs and the like
US4376017A (en) * 1982-01-04 1983-03-08 Western Electric Co., Inc. Methods of electrolytically treating portions of digitated strips and treating cell
US4404080A (en) * 1982-03-22 1983-09-13 National Semiconductor Corporation Molded plating mask
DE3212152C2 (de) * 1982-04-01 1985-01-17 Doduco KG Dr. Eugen Dürrwächter, 7530 Pforzheim Vorrichtung zum selektiven galvanischen Beschichten eines Bandes
EP0107931B1 (en) * 1982-10-05 1989-01-18 S.G. Owen (Northampton) Limited Selective plating
US4537647A (en) * 1982-10-06 1985-08-27 The Boeing Company Method for applying turbulators to wind tunnel models
US4452684A (en) * 1983-03-11 1984-06-05 The Carolinch Company Apparatus for selective electrolytic plating
JPS59191356A (ja) 1983-04-13 1984-10-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置における金属導電パタ−ンの形成方法
JPS59216453A (ja) * 1983-05-20 1984-12-06 Hitachi Metals Ltd 円筒状永久磁石の製造方法
US4575330A (en) * 1984-08-08 1986-03-11 Uvp, Inc. Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
JPH0821567B2 (ja) 1985-03-14 1996-03-04 富士通株式会社 超微細管の製造方法
US4764449A (en) * 1985-11-01 1988-08-16 The Chromaline Corporation Adherent sandblast photoresist laminate
NL8600838A (nl) * 1986-04-02 1987-11-02 Meco Equip Eng Werkwijze en inrichting voor het langs electrolytische weg aanbrengen van een metaalbedekking op in een band samenhangende langwerpige metalen en /of gemetalliseerde voorwerpen.
ATE113746T1 (de) * 1986-06-03 1994-11-15 Cubital Ltd Gerät zur entwicklung dreidimensionaler modelle.
US4752352A (en) 1986-06-06 1988-06-21 Michael Feygin Apparatus and method for forming an integral object from laminations
JPH01106570U (ja) * 1988-01-11 1989-07-18
GB2214930A (en) * 1988-02-11 1989-09-13 Twickenham Plating & Enamellin Mask for use in electriplating on elongate substrate
JPH01255682A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Mitsui Toatsu Chem Inc イオン交換膜の破損検出方法
US5059359A (en) * 1988-04-18 1991-10-22 3 D Systems, Inc. Methods and apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
DE68929423T2 (de) * 1988-04-18 2003-08-07 3D Systems Inc Stereolithografische CAD/CAM-Datenkonversion
DE68929309T2 (de) * 1988-04-18 2002-05-02 3D Systems Inc Verringerung des stereolithographischen Verbiegens
DE69016515T2 (de) * 1989-07-05 1995-06-08 Fujisawa Pharmaceutical Co Wässriges flüssiges Mittel zur äusserlichen Anwendung.
US4920639A (en) * 1989-08-04 1990-05-01 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a multilevel electrical airbridge interconnect
US4954192A (en) * 1989-08-30 1990-09-04 Pristine Products Process for applying identification to objects made of porous material
US5011580A (en) * 1989-10-24 1991-04-30 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of reworking an electrical multilayer interconnect
US4985116A (en) * 1990-02-23 1991-01-15 Mint-Pac Technologies, Inc. Three dimensional plating or etching process and masks therefor
US5209878A (en) * 1990-10-30 1993-05-11 3D Systems, Inc. Surface resolution in three-dimensional objects by inclusion of thin fill layers
US5999184A (en) * 1990-10-30 1999-12-07 3D Systems, Inc. Simultaneous multiple layer curing in stereolithography
US5286573A (en) * 1990-12-03 1994-02-15 Fritz Prinz Method and support structures for creation of objects by layer deposition
JP2654871B2 (ja) 1991-04-16 1997-09-17 株式会社三井ハイテック リードフレームの異種金属部分めっき方法
US5209817A (en) * 1991-08-22 1993-05-11 International Business Machines Corporation Selective plating method for forming integral via and wiring layers
US5223110A (en) * 1991-12-11 1993-06-29 Microelectronics And Computer Technology Corporation Apparatus for electroplating electrical contacts
US5478699A (en) * 1992-03-12 1995-12-26 Amtx, Inc. Method for preparing a screen printing stencil
US5190637A (en) * 1992-04-24 1993-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures by multiple level deep X-ray lithography with sacrificial metal layers
US5928839A (en) * 1992-05-15 1999-07-27 Morton International, Inc. Method of forming a multilayer printed circuit board and product thereof
US5512163A (en) 1992-06-08 1996-04-30 Motorola, Inc. Method for forming a planarization etch stop
US5512162A (en) * 1992-08-13 1996-04-30 Massachusetts Institute Of Technology Method for photo-forming small shaped metal containing articles from porous precursors
JP3361556B2 (ja) * 1992-09-25 2003-01-07 日本メクトロン株式会社 回路配線パタ−ンの形成法
FR2696478B1 (fr) 1992-10-05 1994-10-28 Commissariat Energie Atomique Procédé de dépôt électrolytique d'un métal sur un substrat souple faiblement conducteur, dispositif de dépôt électrolytique permettant la réalisation de ce procédé et produit obtenu par ce procédé.
US5378583A (en) * 1992-12-22 1995-01-03 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet
DE4307869C2 (de) * 1993-03-12 1996-04-04 Microparts Gmbh Mikrostrukturkörper und Verfahren zu deren Herstellung
US5412265A (en) * 1993-04-05 1995-05-02 Ford Motor Company Planar micro-motor and method of fabrication
JPH0722425A (ja) 1993-07-05 1995-01-24 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US5501162A (en) * 1993-07-19 1996-03-26 Kravets; Alexander Method of fuel combustion
US5435902A (en) * 1993-10-01 1995-07-25 Andre, Sr.; Larry E. Method of incremental object fabrication
US5413668A (en) * 1993-10-25 1995-05-09 Ford Motor Company Method for making mechanical and micro-electromechanical devices
US5476699A (en) * 1993-11-02 1995-12-19 Hughes Aircraft Company Extrusion interlock assembly
US5472539A (en) * 1994-06-06 1995-12-05 General Electric Company Methods for forming and positioning moldable permanent magnets on electromagnetically actuated microfabricated components
FR2721435B1 (fr) * 1994-06-17 1996-08-02 Asulab Sa Microcontacteur magnétique et son procédé de fabrication.
JPH0821567A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Inax Corp ウォーターハンマー防止装置
JPH0874099A (ja) * 1994-09-09 1996-03-19 Terumo Corp 機械要素および可動部を有する構造体ならびにその製造方法
JP2615429B2 (ja) * 1994-09-13 1997-05-28 工業技術院長 ３次元立体形状の創成法
JP3842318B2 (ja) * 1994-10-27 2006-11-08 Ｔｄｋ株式会社 マイクロマシン部品の取り扱い方法
JP3448988B2 (ja) * 1994-10-31 2003-09-22 三菱電機株式会社 微小機構部品の製造方法
JP3448987B2 (ja) * 1994-10-31 2003-09-22 三菱電機株式会社 微小機構部品の製造方法
US5560837A (en) 1994-11-08 1996-10-01 Hewlett-Packard Company Method of making ink-jet component
JP3579426B2 (ja) * 1995-03-29 2004-10-20 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 孔付き円板を製造するための方法
US5596504A (en) * 1995-04-10 1997-01-21 Clemson University Apparatus and method for layered modeling of intended objects represented in STL format and adaptive slicing thereof
US5641391A (en) * 1995-05-15 1997-06-24 Hunter; Ian W. Three dimensional microfabrication by localized electrodeposition and etching
US5718618A (en) * 1996-02-09 1998-02-17 Wisconsin Alumni Research Foundation Lapping and polishing method and apparatus for planarizing photoresist and metal microstructure layers
US6197180B1 (en) 1996-02-09 2001-03-06 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College High aspect ratio, microstructure-covered, macroscopic surfaces
US6019784A (en) * 1996-04-04 2000-02-01 Electroformed Stents, Inc. Process for making electroformed stents
JP3580462B2 (ja) * 1996-07-05 2004-10-20 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用アルミニウム支持体の製造方法
US5874011A (en) * 1996-08-01 1999-02-23 Revise, Inc. Laser-induced etching of multilayer materials
US5876424A (en) * 1997-01-23 1999-03-02 Cardiac Pacemakers, Inc. Ultra-thin hermetic enclosure for implantable medical devices
CA2572786A1 (en) * 1997-04-04 1998-10-15 University Of Southern California Method for electrochemical fabrication including etching to remove flash
US5945058A (en) * 1997-05-13 1999-08-31 3D Systems, Inc. Method and apparatus for identifying surface features associated with selected lamina of a three-dimensional object being stereolithographically formed
US6505614B1 (en) * 1999-10-14 2003-01-14 Siemens Canada Limited Connection formed by engagement of a tube and a valve surface
JP2001142210A (ja) 1999-11-10 2001-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
US6458263B1 (en) * 2000-09-29 2002-10-01 Sandia National Laboratories Cantilevered multilevel LIGA devices and methods
US20080121343A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-29 Microfabrica Inc. Electrochemical Fabrication Methods Incorporating Dielectric Materials and/or Using Dielectric Substrates
US7531077B2 (en) * 2003-02-04 2009-05-12 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
US20060226015A1 (en) * 2003-02-04 2006-10-12 Microfabrica Inc. Method of forming electrically isolated structures using thin dielectric coatings
JP4318187B2 (ja) 2005-11-11 2009-08-19 アルパイン株式会社 機器連結機構

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010059550A (ja) * 2002-05-07 2010-03-18 Univ Of Southern California 適合接触マスクめっきを用いてめっき工程を行っている際に堆積の品質を測定する方法
JP2005524984A (ja) * 2002-05-08 2005-08-18 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ マイクロ／ナノ構造を基板上にインプリントする方法
JP4719464B2 (ja) * 2002-05-08 2011-07-06 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ マイクロ／ナノ構造を基板上にインプリントする方法
JP2005532015A (ja) * 2002-06-27 2005-10-20 マイクロファブリカ インク 小型のｒｆおよびマイクロ波の構成要素とそのような構成要素を製造するための方法
JP2014208395A (ja) * 2013-03-26 2014-11-06 学校法人 関西大学 微小構造体、電子素子、及び微小構造体の製造方法

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