KR100380273B1 - 복합 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
복합 반도체 소자의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (2)
- 셀 영역과 주변회로 영역으로 구성되는 메모리 영역 및 로직 영역을 갖는 반도체 기판을 제공하는 단계;상기 반도체 기판의 각 영역들 상에 게이트 전극 및 소오스/드레인 영역을 갖는 트랜지스터를 형성하면서, 주변회로 영역에 게이트 전극과 기판으로 구성되는 MOS 캐패시터를 형성하는 단계;상기 트랜지스터들을 덮도록, 상기 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계;상기 층간절연막의 소정 부분들을 선택적으로 식각하여, 셀 영역에 형성된 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 영역을 각각 노출시키는 제1 및 제2콘택홀과, 주변회로 영역에 형성된 트랜지스터의 소오스 영역 및 MOS 캐패시터의 게이트 전극을 동시에 노출시키는 제3콘택홀, 및 상기 로직 영역에 형성된 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 영역을 각각 노출시키는 제4 및 제5콘택홀을 형성하는 단계;상기 제1 내지 제5콘택홀을 매립하도록, 상기 층간절연막 상에 금속막을 증착하는 단계; 및상기 금속막을 패터닝하여 셀 영역과 로직 영역에 형성된 트랜지스터의 드레인 영역들과 각각 콘택되는 제1비트라인, 주변회로 영역에 형성된 트랜지스터의 소오스 영역과 MOS 캐패시터의 게이트 전극에 동시에 콘택되는 제2비트라인, 및 상기 셀 영역과 로직 영역에 형성된 트랜지스터의 게이트 전극과 각각 콘택되는 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 폴리실리콘의 단일층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 복합 반도체 소자의 제조방법.
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