KR100373503B1 - 기판 연마장치 및 반도체 기판의 연마방법 - Google Patents

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Abstract

기판 연마장치에는, 연마 표면을 갖는 턴테이블(36)과, GaAs 반도체 웨이퍼(12a∼12d)가 부착되는 부착 표면을 갖는 플레이트(11)와, 플레이트(11)에 부착된 GaAs 반도체 웨이퍼(12a∼12d)와 턴테이블(36)의 연마 표면 사이의 간격을 조정하는 포인트(42a∼42d)와, 포인트(42a∼42d)가 형성되는 플레이트(11)의 부분으로부터 플레이트(11)의 외주연으로 연장되도록 형성된 노치(16a∼16d)가 설치된다. 반도체 기판을 연마하는 방법은 상기한 기판 연마장치를 사용한다.

Description

기판 연마장치 및 반도체 기판의 연마방법{SUBSTRATE POLISHING APPARATUS AND METHOD FOR POLISHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE}
본 발명은, 반도체 웨이퍼의 연마공정에서 사용되는 기판 연마장치 및 그 기판 연마장치를 사용하여 반도체 웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것이다.
이하에 기술하는 장치 및 연마방법이, 기판 연마장치와 이 기판 연마장치를 사용하여 반도체 웨이퍼를 연마하는 방법으로 제안된 바 있다.
먼저, 연마 플레이트에 부착된 왁스를 고온 분위기에 노출시켜 용해시킴으로써 왁스를 통해 연마 플레이트에 반도체 웨이퍼를 고정한다. 연마재를 턴테이블 위에 공급하고 연마 플레이트를 사용하여 턴테이블에 대해 반도체 웨이퍼를 가압한다. 이때, 반도체 웨이퍼의 연마량은 연마 플레이트 상에 설치된 높이 조정용 포인트에 의해 조정된다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼가 연마된다.
결국, 본 발명의 목적은, 연마 플레이트를 반복적으로 사용하더라도 플레이트가 변형되는 것을 방지할 있는 기판 연마장치와, 이 기판 연마장치를 사용하여 반도체 웨이퍼를 연마하는 방법을 제공함에 있다.
도 1a 및 도 1b는 각각 본 발명의 제 1 실시예를 나타낸 기판 연마용 지그의 평면도 및 단면도,
도 1c는 본 발명의 제 1 실시예를 나타낸 기판 연마장치의 단면도,
도 2a 및 도 2b는 각각 본 발명의 제 2 실시예를 나타낸 기판 연마용 지그의 평면도 및 단면도,
도 3a 및 도 3b는 각각 본 발명의 제 3 실시예를 나타낸 기판 연마용 지그의 평면도 및 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
11,13,15 : 플레이트 12a∼12d : GaAs 웨이퍼
14a∼14d : 왁스 스폿 16a∼16d : 노치
17 : 홈 18a∼18d : 원통형 부재
2O,22,24 : 기판 연마용 지그 42a∼42d : 포인트
33 : 디봇 36 : 턴테이블
38 : 연마포 40 : 연마재
44 : 연마액 공급 노즐
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼가 고정되는 연마 플레이트에, 연마 플레이트의 외주연으로부터 내측으로 연장된 복수의 노치(notch) 또는 홈이 설치된 기판 연마장치가 제공된다. 이 기판 연마장치가 반도체 웨이퍼를 연마하는데 사용된다.
[실시예]
(제 1 실시예)
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 제 1 실시예를 나타낸 기판 연마장치 내부의 기판 연마용 지그를 도시한 것이다. 도 1c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 연마장치를 개략적으로 나타낸 것이다.
기판 연마용 지그(20)는, 투광성 전열 유리(10.7x10-6/K의 열팽창 계수를 갖는 소다석회 유리)로 이루어지고, 턴테이블(36)의 연마 표면 상에서의 기판 연마용 지그(20)의 높이를 조정하는 연마량 조절수단으로서의 역할을 하는 포인트(42a∼42d)와, 상기한 포인트(42a∼42d)로부터 기판 연마용 지그(20)의 외주연까지 연장되도록 형성된 4개의 노치(16a∼16d)와, GaAs 반도체 웨이퍼(12a∼12d)가 부착되는 부착면이 설치된 플레이트(11)를 갖는다.
상기한 4개의 노치(16a∼16d)는, 반복되는 팽창 및 수축에 의해 발생된 플레이트(11) 그 자체의 휘어짐이나 다른 변형을 방지하고, 노치(16a∼16d) 내부에 설치된 포인트(42a∼42d)의 열팽창에 의해 플레이트(11)에 가해진 응력을 완화시키는기능을 수행한다. 비록, 나사산 부분이 도시되어 있지는 않지만, 이 4개의 노치(16a∼16d)의 선단부 내면에는 나사산이 형성된다. 이 나사산 부분은 포인트(42a∼42d)와 나사 결합하여 포인트(42a∼42d)를 소정의 높이로 유지한다.
상기한 포인트(42a∼42d)는, 플레이트(11)의 열팽창 계수와 유사한 10.0×10-6/K의 열팽창 계수를 갖는 Ti으로 이루어진 스크류 부재이다. 상기한 포인트(42a∼42d) 각각의 선단에는 미도시된 다이아몬드가 설치되며, 모든 포인트(42a∼42d)는 플레이트(11)의 표면으로부터 동일한 높이로 돌출되도록 조정된다.
상기한 플레이트(11)에는, 플레이트를 회전시키는 동안 플레이트(11)를 가압하는 가압회전 기구의 일부분인 디봇(divot)(33)과 연결되는 홈(17)이 설치된다. 이 홈(17)은, GaAs 웨이퍼(12a∼12d)가 부착되는 표면의 반대측의 표면의 중심에 놓인다.
GaAs 웨이퍼를 기판 연마용 지그(20) 위에 부착하기 위해, 먼저 기판 연마용 지그(20)를 60℃로 가열한다. 이때, 플레이트(11)와 포인트(42a∼42d)가 팽창한다. 포인트(42a∼42d)는 그것의 재료로서 플레이트(11)의 열팽창 계수와 유사한 열팽창 계수를 갖는 Ti을 사용하기 때문에, 포인트(42a∼42d)는 플레이트(11)와 유사한 비율로 팽창을 하게 된다. 이에 따라, 포인트(42a∼42d)의 팽창은 플레이트(11)에 대해 높은 응력을 발생하기 않게 된다. 더구나, 플레이트(11) 그 자체는 노치(16a∼16d)를 구비하여, 플레이트(11)에 과도한 스트레스가 가해지는 일 없이 팽창할 수 있게 된다.
플레이트(11)를 60℃까지 가열한 후에, 왁스 스폿(14a∼14d)이 이면에 부착된 4개의 GaAs 웨이퍼(12a∼12d)가 플레이트(11)의 부착면 위에 균형을 이루면서 놓인다. 이에 따라, GaAs 웨이퍼(12a∼12d)의 이면에 있는 왁스 스폿(14a∼14d)이 일단 용해된 후 냉각된다. 이때, 포인트(42a∼42d)와 플레이트(11)는 그것 본래의 크기로 되돌아간다. 그러나, 포인트(42a∼42d)와 플레이트(11) 모두가 유사한 속도로 그것 본래의 크기로 되돌아가기 때문에, 플레이트(11)는 높은 응력을 받지 않는다. 더구나, 플레이트(11) 내부에 설치된 노치(16a∼16d)가 플레이트에 과도한 응력이 인가되지 않으면서 플레이트(11)가 그 자신의 본래 크기를 복구할 수 있도록 한다.
이에 따라, 제 1 실시예에 따르면 플레이트가 기판 연마용 지그(20)에 의해 반복적으로 열팽창되더라도 플레이트에 과도한 응력이 가해지지 않으면서 플레이트(11)가 반복적으로 팽창 및 수축될 수 있으므로, 플레이트(11)는 휘어짐이나 크랙을 나타내지 않으며, 플레이트(11)의 평탄성이 장기간 지속될 수 있다.
상기한 플레이트는 투명 재질인 내열 유리로 구성되기 때문에, 왁스가 반도체 웨이퍼의 이면에 균일하게 부착되어 있는지, 기포가 왁스 스폿 내부에 존재하는지, 또는 부착된 왁스 스폿의 여타 상태를 육안으로 검사할 수 있다. 이것은, 잘못 부착된 왁스 상태를 고치지 않은 상태로 연마공정을 시작하게 되는 위험을 배제할 수 있도록 한다.
기판 연마용 지그(20)를 사용하여 GaAs 웨이퍼(12a∼12d)(4개의 반도체 웨이퍼는 고정되어 있다)를 연마하기 위해, 왁스 스폿(14a∼14d)(도 1c에는 14c 및 14d 만이 도시되어 있다)을 사용하여, GaAs 웨이퍼(12a∼12d)(도 1c에는 12c 및 12d 만이 도시되어 있다)를 기판 연마용 지그(20)를 구성하는 플레이트(11)의 부착면 위에 부착한다.
다음에, 모든 포인터(42a∼42d)의 높이를 연마된 GaAs 웨이퍼(12a∼12d)의 두께와 동일하게 되도록 조정한다. 그후, GaAs 웨이퍼(12a∼12d)가 부착된 플레이트(11)를 디봇(33)에 설치한다.
플레이트(11)를 디봇(33)에 설치한 다음, 플레이트(11)와 턴테이블(36)이 정확히 평행하게 배치되도록 디봇(33)을 조정한다. 그후, Al2O3(알루미나)를 함유한 연마재(40)를 연마액 공급 노즐(44)을 통해 턴테이블(36)과 기판 연마용 지그(20) 사이에 공급하면서, 턴테이블(36)과 디봇(33)을 각각 소정 rpm으로 회전시킨다. 디봇(33)이 턴테이블(36)을 향해 아래로 움직임에 따라, 디봇(33)과 연결된 플레이트(11)에 부착된 GaAs 웨이퍼(12a∼12d)가 턴테이블(36)에 접착된 연마포(38)에 대해 가압되어, 웨이퍼가 연마된다.
GaAs 웨이퍼(12a∼12d)가 연마됨에 따라, GaAs 웨이퍼(12a∼12d)가 점차적으로 얇아진다. GaAs 웨이퍼(12a∼12d)의 연마된 표면이 포인트(42a∼42d)의 정점을 포함하는 표면과 평평해지게 되면, 포인트(42a∼42d)가 턴테이블(360의 표면 위에 있는 연마포(38)와 접촉하게 되어, 플레이트(11)가 더 이상 아래로 내려가는 것을 방지한다. 이것은 GaAs 웨이퍼(12a∼12d)의 연마를 중지시킴으로써, GaAs 웨이퍼(12a∼12d)의 연마공정을 완료하게 된다.
제 1 실시예에 있어서는, 본 발명을 일면을 연마하는 기판 연마장치에 적용하였다. 그러나, 본 발명은 일면을 연마하는 기판 연마장치에 한정되지 않으며, 양면을 연마하는 기판 연마장치에도 적용될 수 있다.
(제 2 실시예)
도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같이, 제 2 실시예의 기판 연마용 지그(22)는, GaAs 반도체 웨이퍼(12a∼12d)가 접착되는 부착면과, 연마량 조정수단으로서의 기능을 수행하는 SUS 포인트(42a∼42d)와 나사결합하는 부분 위에 설치되고 열팽창 계수 10.0×10-6/K를 갖는 Ti으로 이루어진 원통형 부재(18a∼18d)(응력 완화수단)와, 10.7×10-6/K의 열팽창 계수를 갖는 소다석회 유리로 구성된 투명한 내열 유리로 이루어진 플레이트(13)와, 원통형 부재(18a∼18d)와 나사결합하는 SUS 포인트로 구성된다.
상기한 원통형 부재(18a∼18d)는 플레이트(13)의 열팽창 계수와 유사한 열팽창 계수를 갖는 금속 재료로 구성된다. 이에 따라, 원통형 부재(18a∼18d)가 플레이트(13)와 함께 가열될 때, 원통형 부재는 플레이트(13)가 열팽창하는 것보다 더 크게 영팽창하지 않으므로, 플레이트(13)에 과도한 응력이 가해지지 않게 된다. 더구나, 원통형 부재(18a∼18d)에 의해 지지된 SUS 포인트(42a∼42d)가 상당히 열팽창하여 원통형 부재(18a∼18d)에 대해 응력을 가하더라도, 원통형 부재(18a∼18d)는 두드러진 변형을 나타내지 않는다. 따라서, SUS 포인트(42a∼42d)의 팽창에 의해 발생된 응력이 원통형 부재(18a∼18d)를 통해 플레이트에 전달되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 플레이트의 변형이나 크랙을 방지할 수 있다.
상기한 포인트(42a∼42d)는 SUS로 이루어진 스크류 부재이다. 포인트(42a∼42d) 각각의 선단에는 다이아몬드 포인트(미도시)가 설치되며, 포인트(42a∼42d)는 모두 플레이트(13)의 표면으로부터 동일한 높이로 돌출되도록 조정된다.
나머지 구성은 제 1 실시예의 구성과 동일하므로, 동일한 도면부호를 붙이고, 그것의 설명을 생략한다. 제 2 실시예의 기판 연마용 지그(22)는 도 1c에 도시된 구성을 갖는 기판 연마장치에 적용된다.
이에 따라, 제 2 실시예에 따른 기판 연마용 지그(22)에 있어서는, 플레이트(13)가 가열될 때 연마량을 조절하기 위한 포인트(42a∼42d)가 플레이트(13)가 팽창하는 것보다 더 크게 팽창하더라도, 플레이트(13)에 설치된 원통형 부재(18a∼18d)가 포인트(42a∼42d)의 팽창에 의해 발생된 응력을 완화시킨다. 이것은 과도한 응력이 플레이트(13)에 가해지는 것을 방지한다. 따라서, 포인트(42a∼42d)의 열팽창에 기인한 플레이트(13)의 휘어짐이나 크랙과 같은 변형의 위험을 배제할 수 있어, 장시간 동안 플레이트(13)의 평탄성을 유지할 수 있다.
(제 3 실시예)
도 3a 및 도 3b에 도시된 것과 같이, 제 3 실시예에 따른 기판 연마용 지그(24)는, 대칭으로 형성되고 플레이트(15)의 외주연으로부터 내측으로 연장된 4개의 노치(16a∼16d)와, 노치(16a∼16d)의 내부 선단부에 설치되고 10.0×10-6/K의 열팽창 계수를 갖는 Ti으로 이루어진 원통형 부재(18a∼18d)(응력 완화수단)가 설치된 플레이트(13)와, 원통형 부재(18a∼18d)에 의해 지지된 SUS 포인트(42a∼42d)로 구성된다. 이때, 원통형 부재(18a∼18d)의 부분은 내부에 나사산이 형성되는 반면에, 포인트(42a∼42d)는 외부에 나사산이 형성된다.
상기한 제 1 실시예에서 설명한 것과 같이, 플레이트(15) 내부에 설치된 4개의 노치(16a∼16d)는, GaAs 웨이퍼를 부착하기 위해 기판 연마용 지그(24)를 60℃까지 가열할 때, 플레이트에 과도한 응력이 가해지는 일 없이 플레이트(15)가 팽창될 수 있도록 한다. 따라서, 기판 연마용 지그(24)가 다수회 사용되어 열팽창을 반복적으로 일으키더라도, 플레이트(15)는 플레이트에 과도한 응력이 가해지지 않으면서 팽창 및 수축을 반복할 수 있게 된다. 이것은, 플레이트(15)가 휘어지거나 크랙이 발생하는 것을 방지하여, 장기간 동안 플레이트(15)의 평탄성이 유지될 수 있도록 한다.
더구나, 상기한 제 2 실시예에서 설명한 것과 같이, 노치(16a∼16d)의 선단부의 내면에 설치된 원통형 부재(18a∼18d)는, 플레이트(15)의 열팽창 계수와 유사한 열팽창 계수를 갖는 금속제 재료로 이루어진다. 따라서, 원통형 부재(18a∼18d)가 플레이트(15)와 함께 가열될 때, 원통형 부재는 플레이트(15)가 열팽창하는 것보다 크게 열팽창하지 않으므로, 과도한 응력이 플레이트(15)에 가해지지 않게 된다. 더구나, 원통형 부재(18a∼18d)에 의해 지지된 SUS 포인트(42a∼42d)가 상당히 열팽창하여 원통형 부재(18a∼18d)에 대해 응력을 가하더라도, 플레이트(15)가 두드러지게 변형되지 않는다. 따라서, SUS 포인트(42a∼42d)의 팽창에 의해 발생된 응력이 원통형 부재(18a∼18d)를 통해 플레이트(15)에 전달되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 플레이트(15)의 변형이나 크랙을 방지할 수 있다.
나머지 구성은 상기한 제 1 및 제 2 실시예의 구성과 동일하므로, 동일한 도면부호를 붙이고 그것의 설명을 생략한다. 이 제 3 실시예의 기판 연마용 지그(24)는 도 1c에 도시된 구성을 갖는 기판 연마장치에 적용된다.
따라서, 제 3 실시예에 따른 기판 연마용 지그(24)에 있어서, 기판 연마용 지그(24)가 수차례 사용되어 열팽창을 반복하더라도, 플레이트에 과도한 응력이 가해지지 않으면서 플레이트(15)가 반복적으로 팽창 및 수축할 수 있기 때문에, 플레이트(15)가 휘어짐이나 크랙을 나타내지 않는다. 이것은, 장시간 동안 플레이트(15)의 평탄성이 유지될 수 있도록 한다. 더구나, 연마량을 조절하기 위한 포인트(42a∼42d)가 플레이트(15)가 열팽창하는 것보다 크게 열팽창을 하더라도, 플레이트(15)에 설치된 원통형 부재(18a∼18d)가 포인트(42a∼42d)의 팽창에 의해 발생된 응력을 완화시킨다. 이것은 과도한 응력이 플레이트(13)에 가해지는 것을 방지한다. 따라서, 포인트(42a∼42d)의 열팽창에 기인한 플레이트(15)의 휘어짐이나 크랙과 같은 변형이 발생할 위험을 배제할 수 있으므로, 이러한 관점으로부터도 플레이트(15)의 평탄성을 장기간 동안 유지할 수 있다.
제 1 내지 제 3 실시예에 있어서는, 플레이트가 투명 재질인 내열 유리로 구성되기 때문에, 왁스가 반도체 웨이퍼의 이면에 균일하게 부착되어 있는지, 기포가 왁스 스폿 내부에 존재하는지, 또는 부착된 왁스의 여타 상태를 육안으로 검사할 수 있다. 이것은 잘못 부착된 왁스 상태를 고치지 않은 채 연마공정을 개시할 위험성을 배제할 수 있다.
상기한 플레이트는 Al 또는 SUS 플레이트에 비해 가벼운 내열 유리와 같은 재질로 이루어지기 때문에, 그것의 경량으로 인해 제거시와 같이 취급을 용이하게 행할 수 있도록 한다. 특히, 대구경을 갖는 웨이퍼에 대한 플레이트의 경우에는, 플레이트의 직경이 이에 따라 정규 반도체 웨이퍼에 대한 플레이트의 직경보다 커지므로, 플레이트가 Al 또는 SUS 플레이트에 비해 훨씬 가벼워진다. 이와 같은 구성은, 플레이트의 제거와 같은 취급이 더욱 간편하게 되어 운전이 용이해지고 안전성이 높아지게 된다.
제 1 내지 제 3 실시예에 있어서는, 플레이트에 대해 내열 유리가 사용된다. 그러나, 플레이트용 재료는 내열 유리에 한정되는 것은 아니며, 석영과 같은 여타의 투명 재료가 사용될 수 있다. 더구나, 제 1 내지 제 3 실시예에 있어서, 플레이트의 재료는 Al 또는 SUS일 수 있다.
제 1 내지 제 3 실시예에 있어서, 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 구성은 일례로서 설명한 것이다. 그러나, 본 발명은 반도체 웨이퍼를 연마하는 장치에 한정되지 않으며, 어떠한 평탄한 플레이트 형태의 기재를 연마하는 장치에도 적용될 수 있다.
더구나, 상기한 제 1 내지 제 3 실시예에 있어서는, 포인트가 노치의 선단 부분의 내면에 지지된다. 그러나, 포인트가 지지되는 위치는 반드시 노치 내부에 지지될 필요는 없으며, 노치가 형성되는 위치는 포인트가 지지되는 위치와 분리될 수 있다.
더구나, 제 1 내지 제 3 실시예에 있어서는, 연마량 조정수단의 일례로서 외부에 나사산이 형성된 포인트가 사용되었다. 그러나, 연마량 조정수단은 그것이 플레이트로부터의 돌출 높이를 정밀하게 조정할 수 있도록 하는 한 여타의 수단일 수 있으며, 예를 들면, 이 연마량 조정수단은 핀이나 다른 구성요소일 수 있다.
본 발명에 있어서는, 제 1 내지 제 3 실시예에서 언급된 플레이트와 같은 플레이트 부재, 포인트와 같은 연마량 조정수단과 원통형 부재와 같은 응력 완화수단 사이의 열팽창 계수의 차이가 대략 ±15% 범위의 값을 갖는 것이 바람직하다.
이상에서 설명한 것과 같이, 본 발명에 따르면, 수차례 반복하여 사용하더라도 플레이트가 휘어짐이나 크랙 등과 같은 변형을 일으키기 않는 기판 연마용 지그를 얻을 수 있다는 효과를 달성한다.
또한, 본 발명에 따르면, 플레이트 교환의 빈도가 감소하여 그 만큼 수고를 줄일 수 있는 동시에, 플레이트 교환에 따른 비용을 낮출 수 있다고 하는 효과를 달성한다.

Claims (16)

  1. 반도체 기판이 그 위에 놓이는 플레이트와,
    상기 플레이트의 외주연으로부터 내측으로 연장되도록 상기 플레이트 내부에 형성된 노치와,
    상기 반도체 기판을 연마하는 연마 표면을 갖는 턴테이블을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트에 설치되고, 상기 반도체 기판과 상기 턴테이블의 상기 연마 표면 사이의 간격을 조정하는 연마량 조정수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 노치는, 상기 플레이트의 외주연으로부터 상기 연마량 조정수단으로 연장되도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 연마량 조정수단의 열팽창 계수는, 상기 플레이트의 열팽창 계수와 거의 동일한 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 연마량 조정수단을 지지하기 위해 상기 플레이트 내부에 설치된 응력 완화수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 응력 완화수단은, 원통형으로 형성되고 상기 연마량 조정수단을 지지하기 위해 상기 플레이트 내부에 배치된 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 노치는, 상기 플레이트의 외주연으로부터 상기 응력 완화수단으로 연장되도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 응력 완화수단의 열팽창 계수는 상기 플레이트의 열팽창 계수와 거의 동일한 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 투광 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  10. 플레이트의 외주연으로부터 내측으로 연장되도록 플레이트 내부에 형성된 노치를 갖는 플레이트 위에 반도체 기판을 놓은 단계와,
    턴테이블의 연마 표면을 사용하여 상기 반도체 기판을 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 플레이트에 장착된 연마량 조정수단을 사용하여 상기 반도체 기판과 상기 턴테이블의 상기 연마 표면 사이의 간격을 조정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마방법.
  12. 반도체 기판이 그 위에 놓이는 플레이트와,
    상기 반도체 기판을 연마하는 연마 표면을 갖는 턴테이블과,
    상기 플레이트 위에 설치되고, 상기 반도체 기판과 상기 턴테이블의 상기 연마 표면 사이의 간격을 조정하는 연마량 조정수단과,
    상기 연마량 조정수단과 상기 플레이트 사이에 설치되고, 상기 연마량 조정수단을 지지하는 응력 완화수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 응력 완화수단은, 원통형으로 형성되고, 상기 연마량 조정수단을 지지하기 위해 상기 플레이트 내부에 배치된 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 응력 완화수단의 열팽창 계수는, 상기 플레이트의 열팽창 계수와 거의 동일한 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 플레이트는 투광 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 연마장치.
  16. 반도체 기판을 플레이트 위에 놓은 단계와,
    상기 플레이트 위에 장착된 연마량 조정수단을 사용하여 상기 반도체 기판과 턴테이블의 연마 표면 사이의 간격을 조정하는 단계와,
    상기 연마량 조정수단과 상기 플레이트 사이에 설치되고 상기 연마량 조정수단을 지지하는 응력 완화수단을 사용하여 응력을 완화시키는 단계와,
    상기 턴테이블의 상기 연마 표면을 사용하여 상기 반도체 기판을 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 연마방법.
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