KR100357842B1 - 미세 구조체 제조 방법 및 미세 구조체 제조용 주형 - Google Patents

미세 구조체 제조 방법 및 미세 구조체 제조용 주형 Download PDF

Info

Publication number
KR100357842B1
KR100357842B1 KR1019990009959A KR19990009959A KR100357842B1 KR 100357842 B1 KR100357842 B1 KR 100357842B1 KR 1019990009959 A KR1019990009959 A KR 1019990009959A KR 19990009959 A KR19990009959 A KR 19990009959A KR 100357842 B1 KR100357842 B1 KR 100357842B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mold
microchannel
microstructure
substrate
recessed
Prior art date
Application number
KR1019990009959A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990078180A (ko
Inventor
바오제난
로저스존에이
Original Assignee
루센트 테크놀러지스 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 루센트 테크놀러지스 인크 filed Critical 루센트 테크놀러지스 인크
Publication of KR19990078180A publication Critical patent/KR19990078180A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100357842B1 publication Critical patent/KR100357842B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/0061—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the configuration of the material feeding channel
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/40—Plastics, e.g. foam or rubber
    • B29C33/405—Elastomers, e.g. rubber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/22—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C39/24—Feeding the material into the mould
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명에 따라 미세 구조체를 제조하는데 이용되는 개선된 엘라스토머(elastomer)형 주형이 제공된다. 본 발명에 따른 주형은 제 1 표면 및 제 2 표면을 포함하는데, 제 1 표면은 적어도 하나의 리세스(recess)된 미세 채널을 구비하며, 제 2 표면은 주형을 통해 제 1 표면까지 연장되며 리세스되어 있는 미세 채널과 연결되는 액세스 개구(access opening) 내지 충진 부재를 구비한다. 주형은 리세스된 미세 채널이 기판을 향하도록 기판 상에 놓여져 사용된다. 주형의 액세스 개구는 고화 가능한 액상 재료로 충진된다. 액세스 개구는 미세 채널과 기판 사이에 규정된 공간 내에 액상 재료를 계속적으로 공급한다. 액상 재료가 고화된 후, 주형이 기판으로부터 제거되어 기판 상에 고화된 액상 재료로부터 형성된 미세 구조체를 남긴다.

Description

미세 구조체 제조 방법 및 미세 구조체 제조용 주형{MOLD FOR NON-PHOTOLITHOGRAPHIC FABRICATION OF MICROSTRUCTURES}
본 발명은 미세 구조체를 비리소그래피(non-lithographic) 기법으로 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 본 발명은 모세관 타입 미세조형(micromolding in capillaries: MIMIC)을 이용하여 하나 이상의 기판 상에 미세 구조체를 제조하기 위한 개선된 주형에 관한 것이다. 주형은 특히 플라스틱 미세 전자 디바이스를 제조하는데 유용하다.
미세 전자 디바이스를 값싸게 얻고자 하는 요구에 부응하여 전자 및 광전자 시스템에 잠재적으로 유용한 유기 재료가 개발되어 왔다. 이것은 큰 영역을 점유하며, 강성(rigid) 또는 가요성(flexible) 플라스틱 지지물 상에 쉽게 제조될 수 있는 미세 전자 디바이스를 값싸게 생산할 수 있도록 하는 미세 전자 디바이스의 진보를 초래하였다. 이 진보는 도전성 재료, 반도전성(semiconducting) 재료, 유전체 유기 재료의 개발을 포함한다.
불행하게도, 이들 유기 재료를 패터닝하기 위한 지금까지의 방법은 아직 적절한 수준에 미치지 못하고 있다. 이런 방법중의 하나로서 스크린 프린팅이 있다. 이에 대해서는 지. 바오(Z. Bao), 와이. 펭(Y. Feng), 에이. 도다발라푸(A. Dodabalapur), 브이. 알. 라주(V. R. Raju), 에이. 제이. 로빙거(A. J. Lovinger)의 'High-Performance Plastic Transistors Fabricated by Printing Techniques,' CHEM. MATER. 9(1997), 1299-1301을 참조할 수 있다. 그러나 스크린 프린팅법의 해상도(약 100 μm)가 비교적 나쁘기 때문에 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor: FET)와 같은 미세 전자 디바이스를 제조하는 데 있어서의 스크린 프린팅의 이용이 제한된다.
1 내지 수 백 마이크론의 형상 크기(feature size)를 갖는 다양한 재료 내에미세 구조체를 만들 수 있는 또 다른 방법은 MIMIC이다. MIMIC은 주형의 가장자리로부터 시작하는 리세스(recess)된 채널을 갖는 엘라스토머(elastomer)형 주형과 지지물 사이에서의 모세관 채널의 형성을 수반한다. 미세 구조체를 형성하는 재료를 포함하는 용액(MIMIC 용액)이 주형의 가장자리에서 채널에 공급된다. MIMIC 용액 내의 용매가 증발하면, 주형은 기판으로부터 제거되어 상기 재료로 구성된 미세 구조체가 남게 된다. 20 μm 정도로 작은 치수의 GaAs/AlGaAs 이종 구조(heterostructure) FET는 MIMIC 규정된 희생 폴리머 층을 이용하여 제조되어 왔다. MIMIC 규정된 폴리머 층은 FET의 게이트 및 전극을 형성하기 위한 '리프트-오프' 공정에 이용되었다.
그러나, 통상적인 MIMIC 기법은 두가지의 큰 단점을 지니고 있다. 첫째로, MIMIC 용액은 용액 내의 용매가 증발함에 따라 주형의 가장자리에서 리세스된 채널에 반복적으로 공급되어야만 한다. 둘째로, 주형이 제거될 때, 쓸모 없는 과잉 재료가 주형의 가장자리가 위치해 있던 기판 상에 잔류한다. 이 재료는 그것을 기판으로부터 잘라냄으로써 제거되어야만 한다. 세째로, MIMIC 용액은 가장자리 충진된 MIMIC 주형 내에서 매우 먼 거리를 이동해야 하는 경우가 있으며, 이에따라 매우 긴 충진 시간을 필요로 한다. 네째로, 통상적인 MIMIC 주형으로는 둘 이상의 유형의 재료로 패턴을 만드는 것이 가능하지 않다. 다섯째로, 잉크젯 프린팅이나 스크린 프린팅과 같은 통상적인 프린팅 방법과 MIMIC을 용이하게 함께 사용할 수 없다. 여섯째로, 가압 또는 진공에 의해 통상적인 MIMIC 주형 내로 MIMIC 용액을 강제로 주입하거나 흡입시킬 수 없다.
따라서, 통상적인 MIMIC 주형의 결점을 극복하는 MIMIC용의 개선된 주형이 필요하다.
본 발명에 따라, 미세 구조체를 제조하는 데 사용되는 개선된 주형은 제 1 표면 및 제 2 표면을 구비하는 엘라스토머형 재료의 몸체를 포함하는데, 제 1 표면은 적어도 하나의 리세스된 미세 채널을 구비하며, 제 2 표면은 주형을 통해 제 1 표면까지 연장되고 리세스된 미세 채널과 통하는 적어도 하나의 액세스 개구(access opening)를 구비한다. 주형은 리세스된 미세 채널이 기판을 향하도록 기판 상에 놓여져 사용된다. 주형의 주형 충진 부재는 미세 채널과 기판 사이에 규정된 공간 내에 액상 재료로서 충진된다. 액상 재료가 고화된 후, 주형은 기판으로부터 제거되어 기판 상에 고화된 액상 재료로부터 형성된 미세 구조체를 남긴다.
도 1은 모세관 타입 미세조형(micromolding in capillaries: MIMIC)에 사용될 수 있는 엘라스토머형 주형의 사시도.
도 2a 내지 도 2b는 도 1의 주형의 제조 공정도.
도 3은 미세 구조 지지 기판 상에 위치한 도 1의 주형을 도시하는 측단면도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 주형의 사시도.
도 5a 내지 도 5f는 주형의 모세관 채널과 미세 주형 공동이 에탄올 내의 탄소 MIMIC 용액으로부터의 탄소 입자로 충진되는 과정을 여러 시간에 따라 나타내는 투과 모드 광학 현미경 사진.
도 6은 모세관 채널 한 세트에 의해 형성된 세개의 배선으로부터 수집된 프로필로미터(profilometer)의 자취도.
도 7a 내지 도 7c는 플라스틱 전계 효과 트랜지스터의 제조 공정을 나타내는 측단면도.
도 7d 내지 도 7f는 도 7c의 플라스틱 전계 효과 트랜지스터에 대한 소스 및 드레인 전극을 제조하기 위한 MIMIC에서의 주형의 사용을 도시한 사시도.
도 8은 도 7f의 완성된 전계 효과 트랜지스터의 평면도.
도 9a 내지 도 9c는 MIMIC 에서 본 발명의 주형을 사용하여 제조된 플라스틱 FET의 전류-전압 곡선을 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 주형의 사시도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 주형 12 : 기판 접촉 표면
14 : 충진 표면 16 : 리세스된 구조체
18 : 미세 주형 공동 20 : 액세스 개구
22 : 마스터 26 : 돌출 패턴
32 : 모세관 채널 34 : 미세 주형 공동
40 : 기판 42 : 인듐 주석 산화물 층
44 : 폴리이미드 층 46 : 폴리 3 헥실티오펜층
48 : MIMIC 용액 50 : 패턴
52 : 전극 54 : 접촉 패드
도 1은 하나 이상의 기판 상에 복잡한 미세 구조체를 생성하기 위해 MIMIC에 사용될 수 있는 엘라스토머형 주형(10)을 도시한다. 주형(10)은 미세 구조체가 유기 재료의 묽은 용액(MIMIC 용액)으로부터 제조되도록 한다. 주형(10)은 100 μm이하의 치수를 갖는 MIMIC에서 미세 구조체를 만드는 데 특히 유용하다.
주형(10)은 기판 접촉 표면(12)과 주형 충진 표면(14)을 포함한다. 리세스된 미세 채널 (16) 및 미세 주형 공동 구조체(micromold cavity structure)(18)가 주형(10)의 접촉 표면(12) 내에 규정된다. 두개의 액세스 개구(20)는 주형(10)을 통해 충진 표면(14)으로부터 접촉 표면(12)으로 연장된다. 각 액세스 개구(20)는 해당 미세 채널 (16) 세트와 연결되어 있다. 주형(10)의 리세스된 구조체(16, 18)는 제조될 미세 구조체에 따라 단순한 형태 또는 복잡한 형태로 형성 될 수 있다.
도 2a와 도 2b는 도 1의 주형(10)의 제조 공정을 도시한다. 도 2a는 하나 이상의 주형(10)을 복제하는 데 사용할 수 있는 마스터(22)를 도시한다. 마스터(22)는 포토리소크래피 기법으로 생성된 포토 레지스트 패턴(26)을 구비하며 Si/SiO2, 유리 또는 금속으로 만들어진 평탄 기판(24)을 포함한다. 포토 레지스트 패턴(26)은 제조될 미세 구조체와 기하학적으로 그리고 치수면에서 실질적으로 동일하다.
돌출 패턴(26)은 광세기를 이용하여 포토 레지스트 재료로부터 기판(24) 상에 제조 될 수 있다. 이와 같은 포토리소그래피 방법에 의해 복잡한 구조를 갖는 마이크로 미터 내지 서브 마이크로 미터 크기의 포토 레지스트 패턴을 규정할 수 있다. 따라서, 포토 레지스트 패턴(26)은 100 μm보다 상당히 작은 형상 치수를 갖도록 용이하게 생성될 수 있다. 0.5 μm보다 작은 형상 치수를 갖는 돌출 패턴은 전자 빔 리소그래피를 이용해 레지스트를 패터닝하여 만들어질 수 있다.
도 2b는 공지된 방법을 이용하여 마스터(22)의 돌출 패턴(26)에 대하여 주형(10)을 주조 및 경화하는 것을 도시한다. 이에 대해서는 본 명세서에서 참조로서 인용되는 디. 퀸(D. Qin), 와이. 지아(Y. Xia), 지. 엠. 화이트사이즈(G.M. Whitesides)의 'Rapid Prototyping of Complex Structures with Feature Sizes Larger than 20 μm,', ADVANCED MATERIALS 8, No. 11 (1996), 917-919를 참조할 수 있다. 주형(10)은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane: PDMS)과 같은 엘라스토머로부터 제조될 수 있다. PDMS의 유순한 성질은 주형과 미세 구조체를 지지하는 기판 사이에 부합적 접촉이 이루어지도록 한다. PDMS의 낮은 반응도는 주형(10)이 미세 구조체로부터 쉽게 분리되도록 한다.
경화 후에, 주형(10)은 마스터(22)로부터 분리되며 액세스 개구(20)가 가공된다. 주조 중에 주형 내로 액세스 개구(20)를 조형할 수도 있다.
도 3은 리세스된 미세 채널(16) 및 미세 주형 공동 구조체(18)가 기판을 향하도록 미세 구조체 기판(28) 상에 위치한 주형(10)을 도시한다. 주형(10)의 가요성에 의해 기판(28)의 표면(30)에 부합적으로 밀착하게 되어 접촉 표면(12)이 두개의 봉함(sealing)된 미세주형 공동(34)까지 뻗은 다수의 봉함된 모세관 채널(32)을 생성한다. 액세스 개구(20) 또한 지지 기판(28)의 표면(30)과 주형(10)의 접촉 표면(12) 사이의 부합적 접촉에 의해 봉함(sealing)된다.
주형(10) 내의 봉함된 액세스 개구(20)는 MIMIC 용액을 모세관 채널(32)을 통해 미세 주형 공동(34) 내에 주입하는 개선된 수단을 제공한다. 용액 내의 용매가 증발함에 따라 모세관 채널(32)을 통해 미세주형 공동(34)에 MIMIC 용액이 계속공급되는 경우에만, 치밀하며 균일한 고상 미세 구조체가 MIMIC 용액으로부터 만들어질 수 있다. 이것은 각 액세스 개구(20)가 해당 미세 주형 공동(34)에 대해MIMIC 용액의 계속적 공급을 유지하는 저장부로 기능함으로써 주형(10)에 의해 이루어진다. 더욱이, 액세스 개구(20)는 주형(10)이 통상적인 자동화된 프린팅 장비를 사용하여 충진되도록 한다. 예를 들어, 액세스 개구(20)는 잉크젯 프린터 또는 스크린 프린터(도시 하지 않음)를 사용하여 자동적으로 충진될 수 있다.
또한 액세스 개구(20)에 의해 액세스 개구를 구비하지 않는 통상적인 주형이 사용될 때 미세 구조체 지지 기판 상에 전형적으로 잔류하는 과잉 재료(미세 구조체를 형성하는 재료)를 잘라낼 필요가 없어진다. 이것은 주형(10)의 제거에 의해 모세관 채널(32)과 미세 주형 공동(34) 내에 그리고 액세스 개구(20)의 바닥에 위치하지 않는 모든 재료가 제거되기 때문이다.
또한 주형(10)의 액세스 개구(20)에 의해 MIMIC 용액이 그 용액을 필요로 하는 위치에 인접하게 공급될 수 있으며, 주형(10)이 분리된 미세 구조체를 생성하는 분리된 미세 주형 공동(34)을 구비하도록 제조될 수 있다. 각각의 미세 주형 공동(18)이 그 각자의 액세스 개구(20) 및 미세 채널(16) 세트에 의해 공급되기 때문에, 각각의 미세 구조체는 원할 경우 (상이한 유기 재료 용액을 이용하여) 상이한 유기 재료로부터 제조될 수 있다.
또한 적절한 크기의 단일 액세스 개구가 하나 이상의 미세 공동을 공급하는 데 또한 이용될 수도 있다. 도 4는 두개의 미세 채널 공동(18')을 두개의 해당 미세 채널 세트(16')를 통해 공급하는 단일 액세스 개구(20')를 구비하는 주형(10')을 도시한다.
주형(10) 내로 MIMIC 용액을 강제 주입하거나 흡입되게 하여 주형(10) 내에서의 주형 충진 시간을 더욱 줄일 수 있다. 주형(10)의 액세스 개구(20)를 MIMIC 용액으로 충진한 후, 액세스 개구(20)에 압력을 가함으로써 MIMIC 용액을 주형 내에 강제 주입할 수 있다. 미세 주형 공동을 감압함으로써, MIMIC 용액이 주형(10) 내로 흡입될 수 있다. 도 10은 미세 주형 공동(34')을 감압시키기 위한, 진공 포트(60)를 구비하는 주형(10')을 도시한다. 이에 따라, 액세스 개구(20')로부터 MIMIC 용액이 주형(10) 내로 흡입된다.
도 5a 내지 도 5f는 투명 지지부와 접하고 있는 주형(10)의 모세관 채널과 미세 주형 공동이 에탄올 내의 탄소 MIMIC 용액(약 2%고체)으로부터의 탄소 입자로 충진되는 과정을 여러 시간에 따라 나타내는 투과 모드 광학 현미경 사진이다. MIMIC 용액은 대응하는 액세스 구멍(도시하지 않음)으로부터 이어져 있는 세개의 약 100μm 길이의 모세관 채널(32) 두 세트를 통해 1 mm × 1 mm 크기의 해당 미세 주형 공동(34)으로 흘러간다. 이 흐름은 약 25 μm 분리부의 가장자리에서 멈춘다. 엘라스토머형 주형(10)을 통한 에탄올의 증발(PDMS는 에탄올 증기를 통과시킴)이 액세스 개구로부터 미세 주형 공동으로의 용액의 흐름을 유발한다. MIMIC 용액의 고체 함량을 증가시키면 제조 소요 시간이 표시된 바와 같이 약 4시간에서 약 30분으로 줄어들 수 있다.
도 6은 모세관 채널 한 세트에 의해 형성된 세개의 배선으로부터 수집된 프로필로미터(profilometer)의 자취도이다. 탄소 배선의 두께(약 5 μm)는 주형(10) 의 리세스된 미세 채널의 깊이(약 8 μm)보다 조금 작다.
유기 재료로부터 플라스틱 전계 효과 트랜지스터(FET)의 소스 및 드레인 전극을 제조하기 위하여 주형(10)을 MIMIC에 이용할 수 있다. FET는 우선 통상적인 스크린 프린팅 공정을 이용하여 형성된다. 도 7a에 도시한 바와 같이 FET의 제조는 인듐 주석 산화물(indium-tin-oxide: ITO) 층(42)으로 피복된 상업적으로 이용가능한 폴리 (에틸렌 테레프탈레이트)(poly (ethylene terephthalate): PET) 판(40)을 제공함으로써 시작된다. PET판은 FET에 대해 기계적으로 가요성 있는 지지 기판을 형성한다. PET 판(40)의 두께는 약 50 μm일 수 있다. ITO 층(42)은 FET에 대한 게이트 전극을 형성하며 그 두께는 약 0.1 μm일 수 있다. FET는 또한 약 3 mm 두께의 실리콘과 같은 기계적으로 강성인 기판 상에 지지될 수도 있다.
도 7b는 ITO 층(42) 상에 스크린 프린팅된 사전 이미드화된(pre-imidized) 폴리이미드(polymide: PI) 층(44)을 도시한다. PI 층(44)은 그 두께가 약 1μm보다 작은 얇은 유전체를 형성한다. 사전 이미드화된 PI는 Japan Synthetic Rubber CO.로부터 OPTIMER AL 3046이라는 상표명으로 상업적으로 입수할 수 있다. 유전 층(44)은 또한 약 0.1 μm 두께의 실리콘 산화물(SiO2) 층에 의해 형성될 수도 있다.
도 7c는 공지된 방법을 이용하여 PI 유전체 층(44) 상에 스크린 프린팅된 또는 주조된 레지오레귤러(regioregular) 폴리 (3-헥실티오펜)(poly (3-hexlythiophene): PHT) 층(46)을 도시한다. 이에 대해서는 본 명세서에서 참조로서 인용되는 지. 바오(Z. Bao), 와이. 펭(Y. Feng), 에이. 도다발라프(A. Dodabalapur), 브이. 알. 라주(V. R. Raju), 에이. 제이. 로빙거(A. J. Lovinger)의 'High-Performance Plastic Transistors Fabricated by Printing Techniques,' CHEM. MATER. 9 (1997), 1299-1301을 참조할 수 있다. PHT 층(46)은 FET의 소스, 드레인, 채널 영역을 형성하는 데 적합한 반도전성 특성을 갖는 것으로 알려져 있다. 이에 대해서는 본 명세서에서 참조로서 인용되는 지. 바오(Z. Bao), 에이. 도다발라푸(A. Dodabalapur), 에이. 제이. 로빙거(A. J. Lovinger)의 'Soluble and Processable Regioregular poly(3-hexylthiophene) for Thin Film Field-Effect Transistor Applications with High Mobility', Appl. Phys. Lett. 69 (1996), 4108-4110을 참조할 수 있다. PHT 층(46)의 두께는 약 30-100 nm 일 수 있다.
도 7d는 리세스된 미세 채널(16)과 미세 주형 공동(18)이 PHT 층(46)을 향하도록 기판(40)의 PHT 층(46) 상에 놓여진 도 1의 주형(10)을 도시한다. 주형(10)의 가요성 성질에 의해 주형은 기판(40)의 PHT 층(46)과 부합적으로 접촉하게 된다. 주형(10)이 기판 상에 배치되어, 미세 주형 공동(18)이 FET의 소스 및 드레인 영역을 형성하는 PHT 층(46)의 영역 위에 직접적으로 위치하게 된다.
도 7e는 유기 재료를 포함하는 MIMIC 용액(48)으로 충진된 주형(10)의 액세스 개구(20)를 도시한다. MIMIC 용액(48)은 바람직하게는 에탄올 용매와 약 2%의 고상 탄소로 이루어진 탄소 페인트를 포함한다. 그러나, 다른 도전성 콜로이드 입자의 콜로이드 어탁액 및 도전성 폴리머 용액이 전극을 만드는 데 사용될 수도 있다. 예를 들면, MIMIC 용액(48)은 m-크레졸 용매 및 도전성 폴리아닐린(polyaniline: PA)을 포함할 수도 있다. 전극용액으로 탄소의 콜로이드 현탁액을 이용하면 탄소 입자가 전극 패턴 사이로 스며들지 않는 경향을 보이는 장점이 있다. 전극 사이에서의 누출은 FET의 작동에 문제를 일으킬 수 있다.
액세스 개구(20) 내에 저장된 MIMIC 용액(48)은 PHT 층(46)과 주형(10)의 리세스된 구조체(16, 18) 사이에 규정된 모세관 채널(32)과 미세 주형 공동(34)으로 침투해 들어간다. 충진된 모세관 채널(32) 및 미세 주형 공동(34)으로부터의 주형(10)을 통한 용매의 증발로 인해 MIMIC 용액(48)은 액세스 개구(20)로부터 모세관 채널(32) 및 미세 주형 공동(34)으로 흘러들어 간다. 주형(10)의 충진된 액세스 개구(20)는 모세관 채널(32) 및 미세 주형 공동(34) 내에 MIMIC 용액(48)이 계속해서 공급되도록 유지한다.
도 7f는 기판(40)으로부터 주형이 제거된 도면이다. 주형은 PHT 층(46) 상에 고상 탄소의 패턴(50)을 남긴다. 패턴(50)은 소스 및 드레인 전극(52), 접촉 패드(54), 접촉 패드(54)를 전극(52)과 연결시키는 배선(56)을 포함한다.
도 8은 도 7f의 완성된 FET의 평면도를 도시한다. 소스 및 드레인 전극(52)은 서로 약 25 μm (약 25 μm의 채널 길이를 규정함)떨어진 가로 세로 1 mm의 사각형으로 이루어진다. 접촉 패드(54) 각각은 지름이 약 2 mm인 원형의 고상 탄소로 구성된다. 전극(52)을 접촉 패드(54)에 연결하는 배선(56)은 각각 그 길이가 약 100 μm이다. 패턴(50)의 전극(52) 및 배선(56) 구조는 (주형의 형상 깊이는 약 8μm 이다) 그 두께가 각각 약 5 μm이다.
도 9a 내지 도9c는 MIMIC에서 본 발명의 주형을 이용하여 제조된 플라스틱 FET로부터의 전류-전압 곡선이다. 네가티브 게이트 전압에 대한 네가티브 드레인-소스 전류의 눈금은 p-채널 트랜지스터를 나타낸다. 이들 트랜지스터의 전계 효과이동도는 약 0.01 내지 약 0.05 cm2/Vs이다. 이들 특성은 스크린 프린팅, 통상적인 포토리소그래피 방법, PHT 반도전성 재료를 이용하여 제조된 보다 큰 트랜지스터의 특성과 부합한다.
도 9a는 약 5 μm 두께의 도전성 탄소 전극, 약 50 nm 두께의 반도전성 PHT 층, 스크린 프린팅된 약 1 μm 두께의 PI 층, ITO 피복된 약 50 μm 두께의 PET 기판을 구비하는 FET의 전류-전압 곡선을 도시한다. FET는 약 2.5 mm의 채널 폭과 약 25 μm의 채널 길이를 구비한다.
도 9b는 약 5 μm 두께의 도전성 탄소 전극, 약 50 nm 두께의 반도전성 PHT 층, 약 0.1 μm 두께의 SiO2층, ITO 피복된 약 3 mm 두께의 Si 기판을 구비하는 FET의 전류-전압 곡선을 도시한다. FET는 약 2.5 mm의 채널 폭과 약 25 μm의 채널 길이를 구비한다.
도 9c는 약 5 μm 두께의 도핑된 PA 전극, 약 50 nm 두께의 반도전성 PHT 층, 약 0.1 μm 두께의 SiO2층, ITO 피복된 약 3 mm 두께의 Si 기판을 구비하는 FET의 전류-전압 곡선을 도시한다. FET는 약 1.0 mm의 채널 폭과 약 50 μm의 채널 길이를 구비한다.
본 발명의 주형은 MIMIC로 1 μm 정도의 작은 치수의 형상을 만들 수 있다. 본 발명의 주형으로는 넓은 범위의 재료가 사용될 수 있으며, MIMIC에 사용될 때 청정실 설비를 거의 혹은 전혀 필요로 하지 않는다.
전술한 실시예들은 본 발명의 원리의 응용예를 나타낼 수 있는 많은 특정한가능한 실시예 중 몇가지를 예시적으로 설명한 것에 불과하다. 예를 들면, 주형 내의 각각의 액세스 개구는 해당 미세 주형 공동과 연결되어 있다. 미세 주형 공동 내에 직접 주입되는 MIMIC 용액으로 충진된 주입부(shringe)를 사용할 수도 있다. 당업자라면, 본 발명의 사상과 범주 내에서 다양한 변경 및 변형을 가할 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 복잡한 미세 구조체를 용이하게 제조할 수 있는 미세 구조체 제조 방법 및 미세 구조체 제조용 주형이 제공된다. 본 발명에 따른 주형은 제 1 표면 및 제 2 표면을 포함하는데, 제 1 표면은 적어도 하나의 리세스된 미세 채널을 구비하며, 제 2 표면은 주형을 통해 제 1 표면까지 연장되며 리세스되어 있는 미세 채널과 연결되는 액세스 개구 내지 충진 부재를 구비하는 데, 주형은 리세스된 미세 채널이 기판을 향하도록 기판 상에 놓여져 사용된다. 이러한 주형을 사용함으로써 액세스 개구가 미세 채널과 기판 사이에 규정된 공간 내에 액상 재료를 계속공급하여 액상 재료가 고화된 후, 주형이 기판으로부터 제거되어 기판 상에 고화된 액상 재료로부터 형성된 미세 구조체를 남긴다.

Claims (44)

  1. 미세 구조체(microstructure) 제조 방법에 있어서,
    ① 상기 미세 구조체를 지지하는 기판을 제공하는 단계와,
    ② 제 1 표면 및 제 2 표면을 포함하는 엘라스토머(elastomer)형 주형을 제공하되, 상기 제 1 표면은 적어도 하나의 리세스(recess)된 미세 채널을 포함하며 상기 제 2 표면은 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되고 상기 리세스된 미세 채널과 연결되는 액세스 개구를 포함하는 주형 제공 단계와,
    ③ 상기 리세스된 미세 채널이 상기 기판을 향하도록 상기 주형을 상기 기판 상에 위치시키는 단계와,
    ④ 상기 주형의 액세스 개구를 휘발성 용매 및 재료를 포함하는 용액으로 충진하되, 상기 개구가 상기 용액의 상기 용매가 증발함에 따라 상기 미세 채널 내로 상기 용액을 계속 공급하는 개구 충진 단계와,
    ⑤ 상기 용액이 증발한 후 상기 기판으로부터 상기 주형을 제거하여 상기 기판 상에 상기 재료로부터 형성된 미세 구조체를 남기되, 상기 미세 구조체가 상기 미세 채널에 의해 규정된 형태 및 치수를 갖는 주형 제거 단계
    를 포함하는 미세 구조체 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 ①에서의 상기 기판이 다수의 미세 구조체를 포함하는 미세 구조체 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 미세 구조체가 미세 전자 디바이스 구성 요소인 미세 구조체 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세 구조체의 최소 치수가 약 100 μm보다 상당히 작은 미세 구조체 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세 구조체의 최소 치수가 약 0.05 μm 내지 0.5 μm인 미세 구조체 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 주형이 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane)으로 제조되는 미세 구조체 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    주형 충진 부재가 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되며 상기 리세스된 미세 채널과 연결되는 주입부(syringe)를 포함하는 미세 구조체 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    주형 충진 부재가 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되며 상기 리세스된 미세 채널과 연결되는 액세스 개구를 포함하는 미세 구조체 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 주형의 상기 제 1 표면이 리세스되어 있는 미세 공동과 미세 채널을 포함하되, 상기 미세 채널은 충진 부재 및 상기 리세스되어 있는 미세 공동과 연결되어 있으며, 상기 미세 구조체는 상기 기판 상에 고화된 액상 재료로부터 형성되고, 상기 미세 채널과 상기 미세 공동에 의해 규정된 형태 및 치수를 갖는 미세 구조체 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 주형의 상기 제 1 표면이 충진 부재와 연결되어 있는 적어도 하나의 제 2 미세 채널을 포함하되, 상기 충진 부재는 상기 충진 단계 중에 액상 재료를 상기 제 2 미세 채널 내로 계속 공급하여, 상기 주형 제거 단계 후에 상기 제 2 미세 채널에 의해 규정된 형태 및 치수를 포함하며 상기 재료로부터 형성된 제 2 미세 구조체가 상기 기판 상에 남는 미세 구조체 제조 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 주형의 상기 제 1 표면은 적어도 하나의 제 2 미세 채널을 포함하고, 상기 주형의 상기 제 2 표면은 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되며 상기 제 2 미세 채널과 연결되는 적어도 하나의 제 2 주형 충진 부재를 포함하고, 상기 충진 단계는 상기 제 2 주형 충진 부재를 액상 재료로 충진하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 주형 충진 부재가 상기 액상 재료를 상기 제 2 미세 채널 내로 계속공급하여, 상기 주형 제거 단계 후에 상기 제 2 미세 채널에 의해 규정된 형태 및 치수를 포함하며 고화된 액상 재료로부터 형성된 제 2 미세 구조체가 상기 기판 상에 남는 미세 구조체 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 주형의 상기 제 1 표면은 적어도 하나의 제 2 미세 채널을 포함하고, 상기 주형의 상기 제 2 표면은 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되며 상기 제 2 미세 채널과 연결되는 적어도 하나의 제 2 주형 충진 부재를 포함하되, 상기 충진 단계가 상기 제 2 주형 충진 부재를 고화가능한 제 2 액상 재료로 충진하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 주형 충진 부재가 상기 제 2 액상 재료를 상기 제 2 미세 채널 내로 계속 공급하여, 상기 주형 제거 단계 후에 상기 제 2 미세 채널에 의해 규정된 형태 및 치수를 포함하며 고화된 액상 재료로부터 형성된 제 2 미세 구조체가 상기 기판 상에 남는 미세 구조체 제조 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 제 2 기판을 제공하고 상기 제 ② 단계에서 제공된 상기 주형을 이용하여 상기 제 ③ 내지 제 ⑤ 단계를 상기 제 2 기판 상에 수행하여 상기 제 2 기판 상에 미세 구조체를 형성하는 단계를 더 포함하는 미세 구조체 제조 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 충진 단계가 주형 충진 부재 내에 포함된 상기 용액에 압력을 가하는단계를 포함하는 미세 구조체 제조 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 충진 단계가 상기 리세스된 미세 채널을 진공화하여 주형 충진 부재로부터 상기 미세 채널 내로 상기 용액을 흡입시키는 단계를 포함하는 미세 구조체 제조 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 충진 단계가 자동 충진 디바이스로 수행되는 미세 구조체 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 자동 충진 디바이스가 스크린 프린터와 잉크젯 프린터 중의 하나를 포함하는 미세 구조체 제조 방법.
  18. 제 1 항에 있어서,
    액상 재료 내의 재료가 전기 도전성 입자의 콜로이드 현탁액을 포함하는 미세 구조체 제조 방법.
  19. 제 1 항에 있어서,
    액상 재료 내의 재료는 도전성 폴리머를 포함하는 미세 구조체 제조 방법.
  20. 미세 구조체(microstructure) 제조용 주형에 있어서,
    상기 주형이 제 1 표면과 제 2 표면을 포함하는 엘라스토머형 몸체를 포함하되,
    상기 제 1 표면은 적어도 하나의 리세스(recess)되어 있는 미세 채널을 포함하고,
    상기 제 2 표면은 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되며 상기 미세 채널과 연결되는 주형 충진 부재를 포함하며,
    상기 주형 충진 부재는 고화 가능한 액상 재료가 상기 미세 채널 내로 계속 공급되도록 하여, 상기 미세 채널에 의해 규정된 형태 및 치수를 갖는 고화된 액상 재료로 구성된 미세 구조체를 형성하고, 상기 미세 채널은 실질적으로 100㎛ 미만의 최소 치수를 갖는 미세 구조체를 생성하는 미세 구조체 제조용 주형.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 주형의 상기 제 1 표면이 리세스되어 있는 미세 공동을 포함하며, 상기 미세 채널은 상기 주형 충진 부재와 상기 리세스되어 있는 미세 공동 사이에 연장되며, 상기 고화된 액상 재료로부터 형성된 상기 미세 구조체가 상기 미세 채널과 상기 미세 공동의 형태 및 치수에 의해 규정된 형태 및 치수를 갖는 미세 구조체 제조용 주형.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 주형의 상기 제 1 표면이 상기 주형 충진 부재와 연결되는 적어도 하나의 제 2 미세 채널을 포함하는 미세 구조체 제조용 주형.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 주형의 상기 제 1 표면은 적어도 하나의 제 2 미세 채널을 포함하며, 상기 주형의 상기 제 2 표면은 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되며 상기 제 2 미세 채널과 연결되어 있는 적어도 하나의 제 2 주형 충진 부재를 포함하는 미세 구조체 제조용 주형.
  24. 삭제
  25. 제 20 항에 있어서,
    상기 미세 채널이 약 0.05 μm 내지 0.5 μm의 최소 치수를 갖는 미세 구조체를 형성하는 미세 구조체 제조용 주형.
  26. 제 20 항에 있어서,
    상기 주형이 폴리디메틸실록산으로 제조되는 미세 구조체 제조용 주형.
  27. 제 20 항에 있어서,
    상기 주형 충진 부재가 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되며 상기 리세스된 미세 채널과 연결되어 있는 액세스 개구를 포함하는 미세 구조체 제조용 주형.
  28. 전계 효과 트랜지스터 제조 방법에 있어서,
    ① 상기 전계 효과 트랜지스터를 지지하는 기판을 제공하되, 상기 기판이 그 위에 위치한 도전층을 포함하는 기판 제공 단계와,
    ② 상기 도전층 상에 유전층을 형성하는 단계와,
    ③ 상기 유전층 상에 반도전성 층을 형성하는 단계와,
    ④ 제 1 표면 및 제 2 표면을 포함하는 엘라스토머형 주형을 제공하되, 상기 제 1 표면은 적어도 하나의 리세스(recess)되어 있는 미세 채널 및 상기 미세 채널과 연결된 적어도 하나의 리세스되어 있는 미세 공동을 포함하고, 상기 제 2 표면은 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되며 상기 리세스되어 있는 미세 채널과 연결된 주형 제공 단계와,
    ⑤ 상기 리세스되어 있는 미세 채널과 상기 리세스되어 있는 미세 공동이 상기 기판을 향하도록 상기 기판의 상기 반도전성층 상에 상기 주형을 위치시키는 단계와,
    ⑥ 상기 주형의 상기 주형 충진 부재를 고화 가능한 액체 도전성 재료로 충진하되, 상기 주형 충진 부재가 상기 미세 채널 및 상기 미세 공동 내로 상기 액체를 계속 공급하는 상기 충진 단계와,
    ⑦ 상기 액체가 고화된 후 상기 기판으로부터 상기 주형을 제거하여, 상기 기판 상에 고화된 도전성 재료로부터 형성된 전극 패턴을 남기되, 상기 전극 패턴이 상기 미세 공동에 의해 규정된 형태 및 치수를 갖는 주형 제거 단계
    를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 전극 패턴의 최소 치수가 약 100 μm보다 상당히 작은 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 전극 패턴의 최소 치수가 약 0.05 μm 내지 0.5 μm인 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 주형의 상기 제 1 표면은 적어도 하나의 제 2 미세 채널과 상기 제 2 미세 채널과 연결된 제 2 미세 공동을 포함하며, 상기 주형의 상기 제 2 표면은 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되고 상기 제 2 미세 채널과 연결된 적어도 하나의 제 2 주형 충진 부재를 포함하며, 상기 충진 단계는 상기 제 2 주형 충진 부재를 상기 액상 재료로 충진하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 주형 충진 부재는 상기 제 2 미세 채널 내로 상기 액상 재료를 계속 공급하여 상기 전극 패턴이 상기 두 미세 공동에 의해 규정된 형태 및 치수를 갖는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  32. 제 28 항에 있어서,
    상기 반도전성층이 유기 재료로부터 형성되는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 유기 재료가 폴리머 재료를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  34. 제 28 항에 있어서,
    상기 유전층이 유기 재료로부터 형성되는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 유기 재료가 폴리머 재료를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  36. 제 28 항에 있어서,
    상기 유전층 및 상기 반도전성층이 스크린 프린팅에 의해 형성되는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  37. 제 28 항에 있어서,
    상기 주형 충진 부재가 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되며 상기 리세스된 미세 채널과 연결된 주입부를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  38. 제 28 항에 있어서,
    상기 주형 충진 부재가 상기 주형을 통해 상기 제 1 표면까지 연장되며 상기 리세스된 미세 채널과 연결된 액세스 개구를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  39. 제 28 항에 있어서,
    상기 충진 단계가 상기 주형 충진 부재 내에 포함된 상기 용액에 압력을 가하는 단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  40. 제 28 항에 있어서,
    상기 충진 단계가 상기 리세스되어 있는 미세 채널을 진공화하여 상기 주형 충진 부재로부터 상기 미세 채널 내로 상기 용액을 흡입시키는 단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  41. 제 28 항에 있어서,
    상기 충진 단계가 자동 충진 디바이스로 수행되는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  42. 제 41 항에 있어서,
    상기 자동 충진 디바이스가 스크린 프린터와 잉크젯 프린터 중의 하나를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  43. 제 28 항에 있어서,
    상기 액상 재료가 전기 도전성 입자의 콜로이드 현탁액을 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
  44. 제 28 항에 있어서,
    상기 액상 재료가 도전성 폴리머를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법.
KR1019990009959A 1998-03-27 1999-03-24 미세 구조체 제조 방법 및 미세 구조체 제조용 주형 KR100357842B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/049,531 1998-03-27
US9/049,531 1998-03-27
US09/049,531 US6033202A (en) 1998-03-27 1998-03-27 Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990078180A KR19990078180A (ko) 1999-10-25
KR100357842B1 true KR100357842B1 (ko) 2002-10-25

Family

ID=21960314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990009959A KR100357842B1 (ko) 1998-03-27 1999-03-24 미세 구조체 제조 방법 및 미세 구조체 제조용 주형

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6033202A (ko)
EP (1) EP0953420A3 (ko)
JP (1) JP3538335B2 (ko)
KR (1) KR100357842B1 (ko)

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3127889B2 (ja) * 1998-06-25 2001-01-29 日本電気株式会社 半導体パッケージの製造方法およびその成形用金型
US6247986B1 (en) * 1998-12-23 2001-06-19 3M Innovative Properties Company Method for precise molding and alignment of structures on a substrate using a stretchable mold
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
KR100338329B1 (ko) * 2000-02-25 2002-05-27 백승준 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법
KR100413334B1 (ko) * 2000-03-28 2003-12-31 주식회사 미뉴타텍 모세관 효과를 이용한 미세 패턴 형성 방법
AU2001284896A1 (en) 2000-08-14 2002-02-25 Surface Logix, Inc. Deformable stamp for patterning three-dimensional surfaces
WO2002015264A2 (de) * 2000-08-18 2002-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
EP1310004A2 (de) * 2000-08-18 2003-05-14 Siemens Aktiengesellschaft Organischer feldeffekt-transistor (ofet), herstellungsverfahren dazu und daraus gebaute integrierte schaltung sowie verwendungen
CA2420413C (en) * 2000-08-25 2012-02-21 Oswaldo Da Costa E Silva Plant polynucleotides encoding novel vacuolar na+/h+ antiporters
DE10044842A1 (de) * 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
DE10061299A1 (de) * 2000-12-08 2002-06-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
DE10063721A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-11 Merck Patent Gmbh Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen
WO2002055990A2 (en) * 2001-01-11 2002-07-18 Musc Foundation For Research Development Microfabrication process for electrospray ionization mass spectrometry emitters
US7090189B2 (en) * 2001-01-17 2006-08-15 Sandia National Laboratories Compliant cantilevered micromold
DE10105914C1 (de) * 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
WO2002078052A2 (de) * 2001-03-26 2002-10-03 Siemens Aktiengesellschaft Gerät mit zumindest zwei organischen elektronischen bauteilen und verfahren zur herstellung dazu
DE10126860C2 (de) * 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
DE10126859A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-12 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen
US6692680B2 (en) 2001-10-03 2004-02-17 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Reproduction of micromold inserts
US6936181B2 (en) * 2001-10-11 2005-08-30 Kovio, Inc. Methods for patterning using liquid embossing
US20030071016A1 (en) * 2001-10-11 2003-04-17 Wu-Sheng Shih Patterned structure reproduction using nonsticking mold
US20030070569A1 (en) * 2001-10-11 2003-04-17 Colin Bulthaup Micro-stencil
EP1441868A4 (en) * 2001-10-11 2006-08-30 Brewer Science Inc REPRODUCTION OF PATTERNED STRUCTURE USING NON-STICKING FORM
DE10151036A1 (de) * 2001-10-16 2003-05-08 Siemens Ag Isolator für ein organisches Elektronikbauteil
DE10151440C1 (de) * 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE10160732A1 (de) * 2001-12-11 2003-06-26 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu
US7229847B2 (en) * 2002-03-15 2007-06-12 Lucent Technologies Inc. Forming electrical contacts to a molecular layer
US20030235921A1 (en) * 2002-06-24 2003-12-25 Lucent Technologies Inc. Forming electrical contacts to a molecular layer
DE10212640B4 (de) * 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
US7125510B2 (en) * 2002-05-15 2006-10-24 Zhili Huang Microstructure fabrication and microsystem integration
DE10226370B4 (de) * 2002-06-13 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
WO2004017439A2 (de) * 2002-07-29 2004-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu
JP4618990B2 (ja) * 2002-08-02 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置
US6821811B2 (en) 2002-08-02 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, and semiconductor device having the organic thin film transistor
US6957608B1 (en) * 2002-08-02 2005-10-25 Kovio, Inc. Contact print methods
ATE395955T1 (de) * 2002-08-08 2008-06-15 Polyic Gmbh & Co Kg Elektronisches gerät
US6911385B1 (en) 2002-08-22 2005-06-28 Kovio, Inc. Interface layer for the fabrication of electronic devices
CN100338791C (zh) 2002-08-23 2007-09-19 波尔伊克两合公司 用于过电压保护的有机元件及相关电路
US6805809B2 (en) 2002-08-28 2004-10-19 Board Of Trustees Of University Of Illinois Decal transfer microfabrication
US6682331B1 (en) * 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps
US20050167894A1 (en) * 2002-10-08 2005-08-04 Wu-Sheng Shih Patterned structure reproduction using nonsticking mold
WO2004042837A2 (de) * 2002-11-05 2004-05-21 Siemens Aktiengesellschaft Organisches elektronisches bauteil mit hochaufgelöster strukturierung und herstellungsverfahren dazu
DE10253154A1 (de) * 2002-11-14 2004-05-27 Siemens Ag Messgerät zur Bestimmung eines Analyten in einer Flüssigkeitsprobe
EP1563553B1 (de) * 2002-11-19 2007-02-14 PolyIC GmbH & Co. KG Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
WO2004047194A2 (de) * 2002-11-19 2004-06-03 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten
US6872588B2 (en) * 2002-11-22 2005-03-29 Palo Alto Research Center Inc. Method of fabrication of electronic devices using microfluidic channels
US6759713B2 (en) * 2002-11-22 2004-07-06 Xerox Corporation Electronic device structures including interconnecting microfluidic channels
DE10300521A1 (de) * 2003-01-09 2004-07-22 Siemens Ag Organoresistiver Speicher
DE10302149A1 (de) * 2003-01-21 2005-08-25 Siemens Ag Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik
EP1586127B1 (de) * 2003-01-21 2007-05-02 PolyIC GmbH & Co. KG Organisches elektronikbauteil und verfahren zur herstellung organischer elektronik
KR100749126B1 (ko) * 2003-01-29 2007-08-13 폴리아이씨 게엠베하 운트 코. 카게 유기 메모리 장치 및 이를 위한 구동회로
WO2004103512A2 (en) * 2003-05-15 2004-12-02 University Of Washington Method and system for electrokinetic, preparative sample separation in high-surface-area separation channels with non-convex cross sections
DE10330064B3 (de) * 2003-07-03 2004-12-09 Siemens Ag Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen
DE10330062A1 (de) * 2003-07-03 2005-01-27 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von organischen Schichten
DE10338277A1 (de) * 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
DE10339036A1 (de) 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
DE10340643B4 (de) * 2003-09-03 2009-04-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht
DE10340644B4 (de) * 2003-09-03 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik
JP2005183889A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Konica Minolta Holdings Inc 薄膜トランジスタシート及びその作製方法、それにより形成された薄膜トランジスタ素子
DE102004002024A1 (de) * 2004-01-14 2005-08-11 Siemens Ag Organischer Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1733449B1 (en) * 2004-03-08 2010-12-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Microfluidic electrochemical reactors
US7410816B2 (en) * 2004-03-24 2008-08-12 Makarand Gore Method for forming a chamber in an electronic device and device formed thereby
JP2005321560A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Fuji Xerox Co Ltd 受発光素子付き高分子光導波路モジュール
JP2006011210A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Fuji Xerox Co Ltd 発光素子及びモニター用受光素子付き高分子光導波路モジュール
DE102004040831A1 (de) 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
US7402616B2 (en) * 2004-09-30 2008-07-22 Lifescan, Inc. Fusible conductive ink for use in manufacturing microfluidic analytical systems
US20060065532A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Matthias Stiene Microfluidic analytical system with accessible electrically conductive contact pads
US20060065361A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Matthias Stiene Process for manufacturing an analysis module with accessible electrically conductive contact pads for a microfluidic analytical system
US7662545B2 (en) * 2004-10-14 2010-02-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Decal transfer lithography
DE102004059465A1 (de) 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
DE102004059464A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005009820A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
WO2006096123A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Optovent Ab Micro and nano structures in an elastomeric material
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
JP2008546542A (ja) * 2005-05-18 2008-12-25 プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ マイクロ流体ネットワークにおける伝導通路、マイクロ回路、マイクロ構造の製造
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
EP2005247A2 (en) * 2006-03-29 2008-12-24 Dow Corning Corporation Method of forming nanoscale features using soft lithography
US20070244258A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-18 Shanti Swarup Clear coating compositions with improved scratch resistance
JP2010525381A (ja) 2007-04-19 2010-07-22 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 基板上のパターン形成方法およびそれによって形成された電子素子
SG153674A1 (en) * 2007-12-11 2009-07-29 Nanyang Polytechnic A method of doping and apparatus for doping
WO2013120908A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 Sony Dadc Austria Ag Microstructured polymer devices
CN105122492A (zh) * 2013-03-08 2015-12-02 国立大学法人神户大学 有机半导体薄膜制造方法
US11464451B1 (en) 2020-03-11 2022-10-11 Huxley Medical, Inc. Patch for improved biometric data capture and related processes
US11660005B1 (en) 2021-06-04 2023-05-30 Huxley Medical, Inc. Processing and analyzing biometric data

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3764248A (en) * 1971-09-03 1973-10-09 Stewart Rubber Co Transfer mold for reducing ram flash
JPS535255A (en) * 1976-07-05 1978-01-18 Hitachi Ltd Mold for molding resin
US5071597A (en) * 1989-06-02 1991-12-10 American Bank Note Holographics, Inc. Plastic molding of articles including a hologram or other microstructure
US5256360A (en) * 1992-03-25 1993-10-26 Panasonic Technologies, Inc. Method of manufacturing a precision micro-filter
DE4219667C2 (de) * 1992-06-16 1994-12-01 Kernforschungsz Karlsruhe Werkzeug und Verfahren zur Herstellung einer mikrostrukturierten Kunststoffschicht
JPH06254863A (ja) * 1992-07-06 1994-09-13 Yamatake Control Prod Kk 樹脂製品の成型方法
US5538674A (en) * 1993-11-19 1996-07-23 Donnelly Corporation Method for reproducing holograms, kinoforms, diffractive optical elements and microstructures
EP0715957B1 (en) * 1994-12-05 1999-05-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for the production of an ink jet head
DE19608667C2 (de) * 1996-03-06 2001-02-15 Harting Elektrooptische Bauteile Gmbh & Co Kg Einrichtung zur Abformung eines Mikrostruktursubstrates
CA2248576C (en) * 1996-03-15 2006-01-24 President And Fellows Of Harvard College Method of forming articles and patterning surfaces via capillary micromolding
US6039897A (en) * 1996-08-28 2000-03-21 University Of Washington Multiple patterned structures on a single substrate fabricated by elastomeric micro-molding techniques

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990078180A (ko) 1999-10-25
JP3538335B2 (ja) 2004-06-14
JPH11330004A (ja) 1999-11-30
EP0953420A2 (en) 1999-11-03
US6033202A (en) 2000-03-07
EP0953420A3 (en) 2002-01-16
US6322736B1 (en) 2001-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100357842B1 (ko) 미세 구조체 제조 방법 및 미세 구조체 제조용 주형
Rogers et al. Nonphotolithographic fabrication of organic transistors with micron feature sizes
Menard et al. Micro-and nanopatterning techniques for organic electronic and optoelectronic systems
Khan et al. Technologies for printing sensors and electronics over large flexible substrates: A review
KR100870250B1 (ko) 전자 디바이스를 형성하는 방법, 상기 방법에 의해 형성된 전자 디바이스, 상기 전자 디바이스를 포함하는 논리회로, 디스플레이 및 메모리, 그리고 상기 전자 디바이스 형성에 사용되는 미세절단 도구
Pierre et al. All‐printed flexible organic transistors enabled by surface tension‐guided blade coating
KR100453255B1 (ko) 중합체막을 패턴화하는 방법 및 이 방법의 용도
EP1581973B1 (en) A method of manufacturing an electronic device
US7582509B2 (en) Micro-embossing fabrication of electronic devices
US6872588B2 (en) Method of fabrication of electronic devices using microfluidic channels
US6708873B2 (en) Apparatus and method for filling high aspect ratio via holes in electronic substrates
US8372731B2 (en) Device fabrication by ink-jet printing materials into bank structures, and embossing tool
US20110159250A1 (en) Patterning method
US20040013982A1 (en) Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US20090152540A1 (en) Semiconductor device and process for producing same
US9425193B2 (en) Methods of manufacturing transistors including forming a depression in a surface of a covering of resist material
WO2009027627A1 (en) Electronic device with self-aligned electrodes fabricated using additive liquid deposition
WO2004004025A2 (de) Verfahren zur kostengünstigen strukturierung von leitfähigen polymeren mittels definition von hydrophilen und hydrophoben bereichen
US6759713B2 (en) Electronic device structures including interconnecting microfluidic channels
Ushijima et al. Developments of high precision printing processes for fabricating the flexible electronics
KR20070035702A (ko) 금속배선의 제조 방법, 이를 이용해 형성된 평판 표시장치 및 이의 제조 방법
Rogers et al. Printed organic transistors and molded plastic lasers
Jo et al. Fabrication of Direct Printed OTFT Array Using Flexible h-PDMS Stamp
KR101123506B1 (ko) 평판표시장치 및 그 제조방법
KR20090091577A (ko) 미세 회로가 형성된 필름 기판 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120924

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130925

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140923

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180314

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181001

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term