JP2008546542A - マイクロ流体ネットワークにおける伝導通路、マイクロ回路、マイクロ構造の製造 - Google Patents
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Abstract
Description
提示される発明のさまざまな側面は、国立衛生研究所(NIH)(認可番号GM065364およびGM067445)、DARPA、海軍研究事務所、国立科学財団(認可番号DMR−Q213805)から資金援助を受けた。政府は、本発明に一定の権利を有する可能性がある。
本発明の側面は概して、構造、特にマイクロ流体構造で、伝導通路および電気的接続/回路が、形成および/または再形成できるデバイスに関する。デバイスは、可撓性電気回路および/または構成要素を伴う。
Schlesinger,M.およびM.Paunovic編,Modern Electroplating,New York:John Wiley(2000年)
例えばPDMSなどのシリコンポリマーは、ここに記載のマイクロ流体ネットワーク構造の加工を容易にするいくつかの望ましい有益な特性を備えているため、本発明の一部の実施例での使用に望ましい。第一に、かかる材料は安価で、入手が簡単で、また熱による硬化によって、プレポリマー液から固化することができる。例えばPDMSは、通常、プレポリマー液を例えば1時間の曝露時間で、例えば約65℃〜約75℃の温度に曝露することにより、硬化可能である。第二に、PDMSなどのシリコンポリマーは、エラストマー系であり、エラストマー材料から形成されるマイクロ流体ネットワークは、可撓性で適合性の構造を提供する利点を有することができ、また例えば統合型バルブおよびポンプ要素などの能動的要素を組み入れるために、より容易に加工することもでき、これらの要素は、その機能に材料の可撓性および弾性を利用することができる。
互いに電気的接続されていない第1および第2のマイクロ流体チャネルを備える構造は、PDMSを使用して加工された。前記チャネルは、オクタデカンチオール(HS(CH2)17CH3)の0.01mM溶液で満たされ、それから結果として前記チャネルの壁に沈着したオクタデカンチオールの層となった前記溶液は前記チャネルから取り除かれた。オクタデカンチオールのこの層によって、後のステップにおいて前記チャネルの壁を液体金属によって湿潤させることができた。LEDの端子が2つのチャネルを架橋するように、2つのチャネルの流出口間にLEDを設置した。それから前記チャネルは清浄な低融点半田合金で満たされた(LMA−117など、前記半田は使用前に非酸化されpH1の水中で保存された)。いったん前記チャネルの内側に入ると、前記半田は暖かい半田ごてで溶解させることによって、外側から操作した。前記半田は、半田ごてを使用して前記チャンネル内で移動および方向転換した。半田ごてによる穏やかな過熱および/または圧力は、半田の小液滴を前記チャンネルの外に押し出して前記LEDの端子と接触させ、これが前記LEDを前記チャネルの導電部位に電気的に接続した。前記半田は冷却させて固形化した。それから第1の電極を前記第1のチャネル内の前記半田に電気的に接続し、第2の電極を前記第2のチャネル内の前記半田に電気的に接続した。それから前記第1および第2の電極を電源に接続した。前記電源を入れると、前記LEDが点灯した。
この例は、前記チャネルが作られる、およびまたは化学物質が前記材料の壁にパターン化される材料によって、液体金属(低融点半田など)がチャネルの様々な壁を浸潤する程度を示す。乾燥PDMSおよびガラス上の低融点半田合金LMA−117(Small Parts、Inc.)の10マイクロリットル(μL)液滴の接触角度(単位:度)を、エタノール中の10mMオクタデカンチオールで表面を洗浄した後に測定した。各接触角度は、表面に液滴を設置した直後に一度、そして液滴を簡潔に再溶解して(〜摂氏70度、1分)室温に戻させた後に再度と、2度測定した。
(PDMSでマイクロ流体チャネルを作るステップおよび「マイクロ固体構造」を形成するようチャネルを半田で満たすステップ)
マイクロ固体構造を、図5で図示される手順に従って加工した。ステップAにおいて、マイクロ流体チャネルのネットワーク下層および上層の原型500は、米国特許第6,645,432、およびXia,Y.;Whitesides,G.M.、ソフトリソグラフィ、Angew.Chem.Intl.Ed.1998、37、550−575、およびDuffy,D.C;McDonald,J.C;Schueller,O.J.A.;Whitesides,G.M.、ポリ(ジメチルシロキサン)におけるマイクロ流体システムの迅速プロトタイピング、Anal.Chem.1998、70、4974−4984において以前に説明されている手順を使用して、シリコーンウエハー501(浅浮き彫りの)上のSU−8フォトレジスト(MicroChem,Inc.)502において加工した。前記ウエハーは、(トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチル)−l−トリクロロシランで一晩シラン化した。ステップBにおいて、新たに用意したPDMS(Sylgard184、Dow Corning,Inc)を200μmの厚さにまで原型上に回転塗布し、熱的に硬化して(70℃、8時間)固体層504を形成し、はがした。流入口および流出口穴506を、針(16.5Ga)を使用して非囲い込みチャネル508を含むPDMS層504に開けた。
例3において上述の手順を使用してPDMSに埋め込まれる可撓性金属線を加工した。図7Aは、変更されなかった(上)、巻かれた(8巻き、中央)、およびスーパーコイル状の(16巻き、下)PDMSの層702に埋め込まれるワイヤ700(長さ5cm、幅50μm、高さ80μm)を示す。図7Bは、前記チャネルが小型PDMS柱708(直径50μm)を含んだPDMS706に埋め込まれる同様のワイヤ704(長さ5cm、幅200μm、高さ80μm)を示す。この後者の例は、他の方法を使用して簡単に加工されない複雑なパターン化特徴を有するワイヤまたはその他の構造を作るためにこの技術を使用することができることを実証する。PDMSに埋め込まれる非パターン化およびパターン化両方のワイヤは、ワニ口クリップをしようしてコイル形状に保持され、クリップを放すと、PDMSにおける張力によって前記ワイヤが元の形状に戻った。より広い断面積(20000μm2)を有するワイヤが狭い断面積(100900μm2)を有するワイヤよりも長い時間操作形状を維持したことが観察された。
本発明の「マイクロ固体」技術を使用して、複雑な可撓性金属格子(図8A〜8D)を加工することもできる。例3で上述した加工手順を使用して、実質的に円形(図8C)、四角(図8A(整列)および8D(相殺))、またはダイヤモンド(図8B)断面を有したPDMSの柱800(直径50〜100μm)を含むPDMSマイクロ流体チャネルにおける半田(長さ2cm、幅5mm、高さ80μm)をパターン化した。マイクロ流体チャネルの流出口に真空を加えることによって、前記チャネルを素早く(1秒未満)半田で満たし、独自のパターンを有する金属格子および網を作り出した。冷却後、PDMS構造で満たされた前記半田を軸方向に半回転ねじった。前記格子は、形状がゆっくりと緩む前に1時間以上の間形状を保持した。前記構造を他の形状に曲げることも可能であった(画像は図示せず)。右の画像は、後方から前記格子を照らす光学顕微鏡を使用したパターンの拡大図を示し、金属層が黒く見える。各例において、金属構造は幅5mm、長さ2cm、厚さ100μmであり、前記PDMSは厚さ300μmであった。前記格子はピンセット802で軸方向に半回転ねじった。右の画像において、対象物は金属ピンセットによって定位置に保持されている。
複数レベルのマイクロ固体構造を、図9に図示される手順に従って加工した(米国特許番号6,645,432およびAnderson,J.R.;Chiu,D.T.;Jackman,R.J.;Cherniavskaya,O.;McDonald,J.C,Wu,H.;Whitesides,S.H.;Whitesides,G.M.急速プロトタイピングによるPDMSにおける位相的に複雑な三次元マイクロ流体システムの加工、Anal Chem.、2000、72、3158−3164も参照)。マイクロ流体チャネルのネットワークの上下層に対する原型900は、シリコーンウエハー904上のフォトレジスト902において加工し、例3において前述したようにシラン化した。PDMS(Sylgard184、Dow Corning,Inc)は原型に注いで熱硬化させ、固体PDMS層906を形成してはがした。ビア908および流入口穴910は、針(それぞれ22Gaおよび16.5Ga)を使用してPDMSの下906および上912層にそれぞれ開けた。PDMSの最上層912はXYZゲージを使用して前記下層906と整列し、PDMSの2つの層は、酸素のプラズマに1分間露出した。前記2つの層は結合させて永久密封を形成した。2層/2レベルのデバイスは、酸素の第2のプラズマで処理し、基板の役割をするPDMSの第3の非パターン化層914に対して密封した。酸素のプラズマの適用の15分以内に、アセトニトリル中の3−メルカプトプロピルトリメトキシシランの溶液(0.1M)を、マイクロ流体チャネルのネットワークに流し込み、前記デバイスは例3で上述のように摂氏22度で1時間保存した。前記マイクロ流体チャネルは液体半田で満たして冷却し、例3で上述のようにPDMSに埋め込まれた固体金属構造916を形成した。蛇行閉鎖流路918は、単一「ウェーブ」パターンを表す。前記マイクロ流体構造全体は、図4で以前図示された構造を有する。図6Aは、完成したデバイスの写真を示す。
独立構造をマイクロ流体チャネルから解放するために、その中に非閉鎖マイクロ流体チャネルを有するPDMSの層を酸素のプラズマで処理して酸化されていないスライドガラスとの等角接触に押し込み、前記ガラスにそれを接着して、前記スライドガラスが大きく扱われない底PDMS層に取って代わったことを除いて例3で前述された方法で閉鎖チャネルを形成した。前記チャネルは前述のようにシラン化し、半田で満たし、冷却した。金属構造は、前記PDMS層をスライドガラスからはがすことによって、前記マイクロ流体ネットワークから解放した。前記固体金属構造は前記ガラススライド上に残り、かみそりの刃で前記半田および前記ガラスの界面において切断することによって前記スライドから取り除いた。
マイクロ固体金属構造は、この例において、摂氏25度で48時間、攪拌することなくN5N−ジメチルホルムアミド(DMF)中のフッ化テトラブチルアンモニウム(TBAF)の1.0M溶液にポリマーを溶解させることによって、PDMSから解放した。この過程は、PDMSをはがすことによって解放できなかった複数レベルのマイクロ流体ネットワークから金属構造を解放するのに特に役立った。解放後、前記金属構造はピンセットで前記溶液から取り除き、それをエポキシを有するスライドガラスに備え付けて光学顕微鏡で撮像した。図10Dは、PDMSに埋め込まれたバスケットウィーブパターン(例6および図10Aを参照)を有する金属構造を示す。図10Eは、上述の化学物質放出過程を使用してポリマーから解放された後の同構造を示す。
例8に説明されるような微細構造の解放後、前記半田微細構造は電気メッキまたは無電解メッキによって、その他の金属の層でコーティングした。銅は、製造業者によって与えられた指示に従って、Electroless Copper(無電解銅)EC50溶液AおよびB(Technic,Inc.,Cranston,RI)により前記解放されたマイクロ固体構造上に無電解的にめっきした。前記半田を銅でコーティングした後(約1時間の浸漬、軌道かくはん器による穏やかなかくはん)、1ミクロンの金(Technic Gold(工業用金)25;Technic,Inc.;Cranston,RI)および2ミクロンのニッケル(Nickel Plating Solution(ニッケルめっき溶液)SN10型;Transene;Danvers,MA)を含むその他の金属を電気めっきした。
半田微細構造における破損または欠陥は、修復または「治癒」することができる(図11A〜11D参照)。半田合金(In100)の金属線1100(高さ80μm、幅500μm、長さ5mm)を、例3で上述のようにPDMSの2つの層の間に加工した(図11A−破損部位1102は図11B〜11Dで拡大表示されている)。前記ワイヤの電気抵抗は、未破損時に0.40Ωであった(図11B)。前記PDMS構造は180°曲げて埋め込まれたワイヤを破損した。曲げられたワイヤの抵抗は無限であった(図11C)。それから前記デバイスを100℃まで5分間過熱し、そして超音波処理浴に1秒間設置した。この手順の後、前記半田ワイヤの抵抗は再び0.40Ωであった(図11D)。「治癒」を促進するために超音波処理浴を使用することの代替案として、超音波処理プローブを採用してもよく、高電圧を前記ワイヤの末端にわたって加えてもよく、または前記PDMS構造を融解ワイヤの近くで圧搾してもよい。
本発明のマイクロ固体技術は、機能的電気回路およびデバイスを形成するよう電気構成要素と連動し相互接続するためにワイヤの可撓性ネットワークを加工することを可能にする。この能力を実証するため、PDMSに埋め込まれるFMラジオを加工する。前記FMラジオは、8ピンDIPプロセッサ、レジスタ、コンデンサ、外部9V電池、および外部ヘッドフォンを備える。前記デバイスにおける接続ワイヤは、前述した手順により、マイクロ流体チャネルに注入される前記金属半田を備える。前記ラジオは、曲げたりねじったりすることができ、87.9FMから107.9FMまでのFMラジオ局をうまく受信および増幅する。
本発明の方法は、複数レベルのマイクロ流体構造における複雑な電子デバイスおよび回路を加工することを可能にする。図12Aは、PDMS構造に埋め込まれた高周波数変圧器1200の写真を示す。前記変圧器は、磁場を方向づけるための空気で満たされた中核1202(高さ80μm、幅2.5mm、長さ31mm)、一次ソレノイド1204を備えるらせん状ワイヤ、および二次ソレノイド1206を備えるらせん状ワイヤ(いずれもIn100で形成され、高さ80μm、幅800μm)を含み、それぞれは中心核1202の対向する側面の周囲に巻かれた。前記変圧器は、例6で概説されたものと同様の手順を使用して加工した。マイクロ流体チャネルを備えるPDMSの3つの層は、整列して結合し、前記一次および二次ソレノイドに対して前記チャネルに半田を注入して冷却し、前述のように硬質ワイヤを形成した。画像に示される前記変圧器については、前記二次ソレノイドの巻きに対する前記一次ソレノイドの巻きの比率(巻数比)は1/4である。
本発明は、ハイブリッド電子マイクロ流体システムを加工するための有用な技術を提供する。そのようなデバイスの例は図13Aに示される。図13Aは、PDMSに埋め込まれたコイルマイクロヒータ1300を示す。前記デバイスは、中央マイクロ流体チャネル1304(高さ80μm、幅800μm、長さ3cm)の周囲に軸対称的に位置づけられた半田コイル1302(In100、高さ80μm、幅800μm、長さ12cm)を含んだ(前記中央マイクロ流体チャネルの外壁は明瞭化のために図13Aで色を濃くした)。前記構造の全体的形態は、図4Bおよび10Bで前述したものと同様である。前記コイル1302は、長さ1.6cmである前記マイクロ流体チャネル1304の一部の周囲に包まれる(10回)。前記デバイスは、例6で概説されたものと同様の手順を使用して加工した。マイクロ流体チャネルを備えるPDMSの3つの層を整列および結合した。コイルに対して前記チャネルに半田を注入して冷却し、前述したように硬質導電通路を形成した。
この例において、電磁石はマイクロ流体チャネルを含むPDMS構造において加工され、その構造は、例3および7で上述され、下記で簡潔に説明されるものと同様の手順を使用してスライドガラスに接着された。前記手順は、図14Aでも概説されている。これらのデバイスにおいて、図14Bを参照して、2つの外部チャネル1404および1406を上述のように半田で満たし、電磁石1408および1410を形成した。前記中央チャネル1402は流体に対して使用した。我々は電子回路を使用して前記2つの電磁石に加えられる電力を制御した(下記および図15参照)。
本発明のマイクロ流体電磁石システムの操作のいずれの特定理論にも制限されずに、本発明による電磁石システムを形成する場合に考慮する構造および操作の特定のパラメータおよび詳細に関して当業者を導くために、下記の考察を提供する。図16Aを参照して、電流がワイヤを通過すると、磁場Bを生じる。方程式1は、無制限の長さの円筒型ワイヤの軸中心からの距離の関数としての磁場の強度を説明する。ここで、Iwireは前記ワイヤを通る電流(Amp(A))、xは前記ワイヤの中心からの距離(m)、μ0は自由空間の浸透性(1.26×10−6H/m)である。
マイクロ流体構造は、図14Aに図示される手順により加工された。前記マイクロ流体チャネルの原型1401は、例3で上述のようにシリコーンウエハー1403上のSU−8フォトレジスト(MicroChem,Inc)において加工した。前記原型は(トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチル)−l−トリクロロシランで一晩シラン化した。PDMS(Sylgard184、Dow Corning,Inc)は原型に注ぎ、熱硬化してはがした。流入口および流出口穴は、針(22Ga)を使用してチャネルの層に開けた。
200℃までに加熱されたシリコン加熱テープ(Daigger Inc)に包まれたガラスシリンジ(10mL、MicroMate Inc)を液体半田合金(5g、99.99%In、AIM Solders Inc)で満たした。マイクロ流体チャネルを有する前記デバイスを200℃に設定された過熱板に設置した。前記シリンジの先端を前記マイクロ流体チャネルの一方の流入口に挿入して前記シリンジに圧力を加えることによって、半田を前記デバイスの前記マイクロ流体チャネルに注入した。液体半田はすばやく(1秒未満)前記チャネルを満たした。
前記半田がまだ液体の時に前記半田チャネルの流入口および流出口穴に銅ワイヤ1412(Digikey Inc、直径200μm)を挿入した(図14A下)。それから前記デバイスを前記過熱板から取り除いてガラス板上で25℃まで冷却した。前記半田はマイクロ流体チャネルのシステムの形状に凝固した。この過程はまた、前記銅ワイヤを前記チャネルの流入口および流出口における所定の位置に固定した。前記電気ワイヤを補強するために、前記電気ワイヤおよび前記半田の接触点において光硬化性ポリウレタン1414を適用して硬化した(NOA81、Norland Products,Inc)(図14A下)。外部電気ワイヤおよびPDMSに埋め込まれた半田構造のネットワークを接続するために、NanograbberTMワニ口クリップ(Pomona Inc)を銅ワイヤに取り付けた。
図15は、前記電磁石を駆動するために使用される電子回路の概略図を示す。10V電力(BK Precision,Inc)および二重6V、10V電力(Agilent,Inc)(集合的に1502)を前記回路に接続した。関数発生器1504(Agilent,Inc)を使用して変動振幅および周波数の信号を前記回路に適用した。前記信号の振幅の増加は、前記電磁石を通る電流を増大し、磁場の強度を増大した。
上記のマイクロ固体電磁石デバイスを使用して、マイクロ流体チャネル1402に流れ込む超常磁性ビーズの流れを2つの下流マイクロ流体チャネル1802、1804のうちの1つに分類するためのスイッチを構築した(図18E〜18F)。簡潔にいえば、以下にさらに詳しく説明するように、両方の電磁石が電源オフの場合、超常磁性ビーズの懸濁は接合部において左右両方のマイクロ流体チャネルに流れ込んだ(図18E)。左の電磁石が起動されると(右の電磁石は電源オフ)、前記ビーズは前記チャネルの左表面へと引っ張られ、その後左のマイクロ流体チャネルへと方向付けられた(図18F)。右の電磁石が起動されると(左の電磁石はオフ)、前記ビーズは前記チャネルの右表面へと引っ張られ、その後右のマイクロ流体チャネルへと方向付けられた(図18G)。
Claims (79)
- マイクロ流体システムであって、実質的に閉鎖されたマイクロ流体チャネルを備えるマイクロ流体システムを画定する構造を提供する動作と、
液体金属を、前記実質的に閉鎖されたマイクロ流体チャネルの少なくとも一部に流入させる動作であって、前記金属は前記金属の融点より高い温度を有する、動作と、
前記実質的に閉鎖されたマイクロ流体チャネル内の前記液体金属を、前記金属の融点より低い温度まで冷却し、それにより前記金属を固化させ、前記マイクロ流体システム内に導電通路を形成させる動作と、
を含む、導電通路を製造する方法。 - 前記マイクロ流体システムを画定する構造は、層を備え、前記層は、第1の方向に沿って測定される前記層の長さと、前記第1の方向に垂直な第2の方向に沿って測定される前記層の幅と、前記第1および第2の両方向に垂直な第3の方向に沿って測定される前記層の厚さであって、前記層の長さ未満かつ前記層の幅未満である厚さとを有し、前記実質的に閉鎖されたマイクロ流体チャネルは、前記層の全厚を横断しない、請求項1の方法。
- 前記実質的に閉鎖されたマイクロ流体チャネルは、前記第1および第2の方向により画定される平面または曲面内に位置する、請求項2の方法。
- 前記マイクロ流体チャネルの壁の少なくとも一部は、前記金属を前記チャネルに流入する前に、前記壁の一部を前記金属により湿潤できるようにする過程により処理される、請求項1の方法。
- 前記過程は、前記壁の少なくとも一部を化学変化させることを含む、請求項4の方法。
- 前記過程は、前記壁に付着または化学結合することができる化学物質に、前記壁を曝露することを含む、請求項4の方法。
- 前記化学物質は、アルカンチオールまたはシランを含む、請求項6の方法。
- 前記化学物質は、3−メルカプトプロピルトリメトキシシランを含む、請求項7の方法。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約1mm未満の断面寸法を有する、請求項1の方法。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約100ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項1の方法。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約30ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項1の方法。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約10ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項1の方法。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約3ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項1の方法。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約1ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項1の方法。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約1ミクロン〜約100ミクロンの断面寸法を有する、請求項1の方法。
- 電気構成要素と前記固化金属の少なくとも一部との間に電気的接続を形成することをさらに含む、請求項1の方法。
- 前記マイクロ流体システムは、前記冷却動作の完了後に複数の伝導通路を提供する、複数の実質的に閉鎖されたマイクロ流体チャネルを備え、複数の電気的接続が、複数の電気構成要素と複数の伝導通路との間に形成され、それにより電気回路デバイスが形成される、請求項16の方法。
- 前記電気回路デバイスは、変圧器、電磁石、アンテナ、コンピュータ、またはラジオを含む、請求項17の方法。
- 前記マイクロ流体システムを画定する構造は、可撓性材料から形成される、請求項2または17の方法。
- 前記可撓性材料は、ポリジメチルシロキサン(PDMS)を含む、請求項18の方法。
- 電気的接続を、マイクロ流体システムの第1の領域と第2の領域との間に形成させる方法であって、
第1の導電領域と、前記第1の領域に電気的に接続されていない第2の導電領域を少なくとも備えるマイクロ流体システムを画定する構造を提供する動作であって、前記第1の領域は、導電金属を含む動作と、
前記導電金属を含む第1の領域を、前記金属の融点より高い温度に加熱し、それにより前記金属を液化させる動作と、
前記液体金属を、前記第2の導電領域の少なくとも一部に接触させるように、前記マイクロ流体システム内で流動させる動作と、
前記液体金属を、前記マイクロ流体システム内で、前記金属の融点より低い温度に冷却し、それにより前記金属を再固化する動作と、
を含む、方法。 - 前記第1の導電領域および第2の導電領域のうち少なくとも1つは、半田または半田合金を含む、請求項21の方法。
- 前記第1の導電領域および第2の導電領域のうち少なくとも1つは、スズ、インジウム、銀、鉛、ビスマス、カドミウム、亜鉛、およびアンチモンから成る群から選択される少なくとも1つの金属を含む、請求項21の方法。
- 前記第1の導電領域および第2の導電領域のうち少なくとも1つは、摂氏約200度(℃)より低い融点を有する金属を含む、請求項21の方法。
- 前記第1の導電領域および第2の導電領域のうち少なくとも1つは、摂氏約40度(℃)〜摂氏約400度(℃)の融点を有する金属を含む、請求項24の方法。
- 前記第1の導電領域は、前記構造を加熱することにより、間接的に加熱される、請求項21の方法。
- 前記第1および第2の導電領域のうち少なくとも1つは、電気的に電極に接続される、請求項21の方法。
- 前記第1および第2の導電領域に電位を印加することをさらに含む、請求項21の方法。
- 圧力差を使用することにより、前記金属を前記マイクロ流体システム内で流動させることを含む、請求項21の方法。
- 前記構造の少なくとも一部を変形させることにより、前記金属を前記マイクロ流体システム内で流動させることを含む、請求項21の方法。
- 前記構造を変形させることは、曲げることを含む、請求項30の方法。
- 前記構造はポリマーを含む、請求項21の方法。
- 前記ポリマーは弾性ポリマーを含む、請求項32の方法。
- 前記ポリマーはPDMSを含む、請求項32の方法。
- 前記構造は可撓性である、請求項21の方法。
- 前記構造は電気的に絶縁している、請求項21の方法。
- 前記構造は熱的に絶縁している、請求項21の方法。
- 第1のマイクロ流体チャネルを画定する第1の構造部と、
第2のマイクロ流体チャネルを画定する第2の構造部と、
摂氏約900度(℃)より低い融点を有する金属を含み、前記第1のマイクロ流体チャネルの少なくとも一部内に含まれる第1の導電領域と、
摂氏約900度(℃)より低い融点を有する金属を含み、前記第2のマイクロ流体チャネルの少なくとも一部内に含まれる第2の伝導領域と、
前記第1のマイクロ流体チャネルに電気的に接続される第1の電極と、
前記第2のマイクロ流体チャネルに電気的に接続される第2の電極と
を備え、
デバイスが、前記第1の構造部を前記第2の構造部の近接した位置へと移動することができるように、構築および配置されている、マイクロ流体構造。 - 第1の導電領域を備える第1の構造部を提供することと、
第2の導電領域を備える第2の構造部を提供することと、
互いに接触させるために、前記第1または第2の構造部のいずれも前記第1および第2の部分の外部の装置に接触させずに、前記第1および第2の構造部を互いに対して移動するように、かつ、前記移動の過程中に、少なくとも前記第1の構造部が有意に変形する条件下で、前記第1と第2の導電領域の間に電気的接続を形成するように、誘導することと、
を含む、電気デバイスの自己組織化の方法。 - 構造要素を備える構成要素を提供することと、
前記構造要素を備える構成要素を、第1の構造要素が第1のより可撓性の状態にある条件下で、前記構成要素を第2の形状へと促すために前記構成要素を外部装置に接触させずに、第1の形状から前記第2の形状へと有意に変形させることと、
少なくとも部分的に前記構造要素によって、前記構成要素が前記第2の形状に維持されるよう、前記構造要素を第2のより剛性の状態へと変換することと、
を含む、自己組織化構造を形成する方法。 - 第1の導電領域を備える第1の構造部を提供することと、
第2の導電領域を備える第2の構造部を提供することと、
互いに接触させるために、前記第1または第2の構造部のいずれも前記第1および第2の部分の外部の装置に接触させずに、条件であって、前記移動の過程中に、少なくとも前記第1の構造部と前記第1の導電領域が有意に変形し、前記第1の導電領域が第1のより可撓性の状態にある条件下で、前記第1および第2の構造部を第1の形態から、前記第1と第2の導電領域の間に電気的接続を画定する第2の形態へと、互いに対して移動させることと、
前記第1の導電領域を前記第2の形態における第2のより剛性の状態に変換することと、
を含む、電気デバイスの自己組織化の方法。 - 第1の導電領域と、前記第1の領域に電気的に接続されていない第2の導電領域とを備えるマイクロ流体チャネルを画定する構造を提供することであって、前記第1の導電領域と、前記第2の導電領域とは、それぞれ金属を含む、ことと、
前記第1の導電領域の少なくとも一部を、前記金属の融点より高い温度に加熱することと、
を含む、方法。 - 前記第1の金属または第2の金属は、前記金属を含む前記構造を加熱することにより、間接的に加熱される、請求項42の方法。
- 前記加熱された金属を流動させ、前記第1の導電領域と第2の導電領域の間に電気的接続を形成させることをさらに含む、請求項42の方法。
- 液体金属を含まない、実質的に閉鎖されたマイクロ流体チャネルを画定する構造を提供することと、
液体金属を前記チャネルの少なくとも一部に流入させることと、
を含む方法。 - 前記流動させる動作のあとに、固体の導電通路を形成するために、前記液体金属を固化させる動作をさらに含む、請求項45の方法。
- 前記構造は可撓性で、最初は、所定の厚さを有し、形態が実質的に平面の形状である層の形状にあり、前記方法は、前記提供する動作のあとに、前記層を実質的に非平面形態へと変形させる動作をさらに含む、請求項46の方法。
- 前記変形させる動作は、前記流動させる動作の前に起こる、請求項47の方法。
- 前記変形させる動作は、前記固化させる動作の後に起こる、請求項47の方法。
- 前記変形させる動作において、前記構造はらせん状にねじられる、請求項47の方法。
- 第1の実質的に閉鎖されたマイクロ流体チャネルおよび第2の実質的に閉鎖されたマイクロ流体チャネルを画定する構造を提供することであって、前記第1のチャネルおよび前記第2のチャネルは、それぞれ摂氏約900度(℃)より低い融点を有する金属を含み、前記第1および第2のチャネルは、互いに電気的に接続されていない、ことと、
前記第1のチャネルと前記第2のチャネルを電気的に接続することと、
を含む、方法。 - マイクロ流体システムを画定する可撓性構造であって、前記マイクロ流体システムは、少なくとも1つのマイクロ流体チャネルを備える、可撓性構造を備え、
前記マイクロ流体チャネルの少なくとも一部の断面全体は、摂氏約900度(℃)より低い融点を有する金属で充填されている、
少なくとも1つの導電通路を備えるデバイス。 - 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約1mm未満の断面寸法を有する、請求項52のデバイス。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約100ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項52のデバイス。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約30ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項52のデバイス。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約10ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項52のデバイス。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約3ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項52のデバイス。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約1ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項52のデバイス。
- 前記マイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約1ミクロン〜100ミクロンの断面寸法を有する、請求項52のデバイス。
- 前記金属は、摂氏約200度(℃)未満の融点を有する、請求項52のデバイス。
- 前記金属は、摂氏約40度(℃)〜摂氏約400度(℃)の融点を有する、請求項60のデバイス。
- 前記可撓性構造はポリマーを含む、請求項52のデバイス。
- 前記ポリマーは弾性ポリマーを含む、請求項62のデバイス。
- 前記ポリマーはPDMSを含む、請求項63のデバイス。
- 少なくとも2つのマイクロ流体チャネルを備える、マイクロ流体システムを画定する構造を備え、
第1のマイクロ流体チャネルの少なくとも一部の断面全体は、摂氏約900度(℃)より低い融点を有する金属で充填されていて、
第2のマイクロ流体チャネルの少なくとも一部の断面全体は、液体金属でない流動流体を含有する、
少なくとも1つの導電通路を含むデバイス。 - 少なくとも前記第1のマイクロ流体チャネルは、実質的に閉鎖されたマイクロ流体チャネルを備える、請求項65のデバイス。
- 前記第1のマイクロ流体チャネルは、前記第2のマイクロ流体チャネルに十分近接して位置付けられ、それにより前記金属に電流を流したときに、前記第2のマイクロ流体チャネルにおける前記流動流体の特性、または前記流動流体に懸濁した粒子に実質的に作用することが可能な、電場および/または磁場および/または熱エネルギーが生成される、請求項65のデバイス。
- 前記第1のマイクロ流体チャネルは、前記第2のマイクロ流体チャネルの十分近接に位置付けられ、それにより前記金属に電流を流したときに、前記流動流体に懸濁した粒子の軌道を変更することが可能な、電場および/または磁場が生成される、請求項67のデバイス。
- 前記粒子は、磁性粒子、非磁性金属粒子、ポリマー粒子、生体細胞、および上記のうち2つ以上の混合物から成る群から選択される、請求項68のデバイス。
- 前記構造は、層であって、所定の厚さを有し、形態が実質的に平面である層を備え、前記第1のマイクロ流体チャネルと第2のマイクロ流体チャネルは、ともに前記構造の単一レベル内に、かつ、前記層と実質的に同一平面上にある平面と実質的に同一平面上にある平面内に位置する、請求項67のデバイス。
- 前記第1のマイクロ流体チャネルおよび第2のマイクロ流体チャネルは、それらの長さの有意な部分にわたり、実質的に互いに平行である、請求項67のデバイス。
- 前記第1のマイクロ流体チャネルは、形態がらせん状である流路の少なくとも一部を形成し、前記第2のマイクロ流体チャネルの少なくとも一部は、前記らせん状流路により境界を定められる、請求項67のデバイス。
- 前記らせん状流路は、前記第2のマイクロ流体チャネルの十分近接に位置付けられ、それにより前記金属に電流を流したときに前記第2のマイクロ流体チャネルにおける前記流動流体を加熱することができるのに十分な熱エネルギーが生成される、請求項72のデバイス。
- 少なくとも1つのマイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約1ミクロン〜約100ミクロンの断面寸法を有する、請求項65のデバイス。
- 前記金属は摂氏約200度(℃)未満の融点を有する、請求項65のデバイス。
- 前記金属は摂氏約40度(℃)〜摂氏約400度(℃)の融点を有する、請求項75のデバイス。
- 所定の厚さを有していて形態が実質的に平面である層を備える構造であって、少なくとも2つのマイクロ流体チャネルを備えるマイクロ流体システムを画定する構造を備えており、
第1のマイクロ流体チャネルの少なくとも一部は金属を含有し、第2のマイクロ流体チャネルの少なくとも一部は、液体金属でない流動流体を含有し、前記第1のマイクロ流体チャネルおよび第2のマイクロ流体チャネルはともに、単一の前記構造のレベルを有し、前記層と実質的に同一平面上にある平面と実質的に同一平面上にある平面内に位置する、
少なくとも1つの伝導通路を備えるデバイス。 - 少なくとも1つのマイクロ流体チャネルは、少なくとも1つの約1ミクロン〜約100ミクロンの断面寸法を有する、請求項77のデバイス。
- 前記金属は、摂氏約200度(℃)未満の融点を有する、請求項77のデバイス。
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