KR100318788B1 - 안정성증가를위한rf플라즈마전력공급기결합방법 - Google Patents

안정성증가를위한rf플라즈마전력공급기결합방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100318788B1
KR100318788B1 KR1019960005755A KR19960005755A KR100318788B1 KR 100318788 B1 KR100318788 B1 KR 100318788B1 KR 1019960005755 A KR1019960005755 A KR 1019960005755A KR 19960005755 A KR19960005755 A KR 19960005755A KR 100318788 B1 KR100318788 B1 KR 100318788B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
phase
phase shift
power
output
Prior art date
Application number
KR1019960005755A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990027399A (ko
Inventor
오. 스팀슨 브래들리
더블유. 럼멜 폴
Original Assignee
테오도르 이. 존슨 주니어
콤델 알에프 파워 시스템스
조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 테오도르 이. 존슨 주니어, 콤델 알에프 파워 시스템스, 조셉 제이. 스위니, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 테오도르 이. 존슨 주니어
Publication of KR19990027399A publication Critical patent/KR19990027399A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100318788B1 publication Critical patent/KR100318788B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183Matching circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155Frequency modulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155Frequency modulation
    • H01J37/32165Plural frequencies
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/28Impedance matching networks
    • H03H11/30Automatic matching of source impedance to load impedance
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/36Networks for connecting several sources or loads, working on the same frequency band, to a common load or source

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Ac-Ac Conversion (AREA)

Abstract

RF 파워 증폭기는 스플리터, 2개의 브랜치 회로, 및 결합기를 포함한다. 스플리터는 RF 신호를 수신하는 입력라인과, RF 신호로부터 유도된 제 1 출력신호를 반송하는 제 1 출력라인 및, RF 신호로부터 유도된 제 2 출력신호를 반송하는 제 2 출력라인을 갖는다. 제 1 브랜치 회로는 제 1 출력신호를 수신하여 그것으로부터 제 1 유도신호를 발생한다. 제 2 브랜치 회로는 제 2 출력신호를 수신하여 그것으로부터 제 2 유도신호를 발생한다. 제 1 브랜치 회로는 제 1 파워 증폭기 및 위상 이동 부재를 포함한다. 제 2 브랜치 회로는 제 2 파워 증폭기를 포함한다. 제 1 유도신호를 수신하는 제 1 입력과 제 2 유도신호를 수신하는 제 2 입력을 갖는 결합기는 파워 출력신호를 생성하기 위하여 제 1 및 제 2 유도신호를 결합한다. 위상 이동 부재는 제 1 파워 증폭기의 출력라인과 결합기의 제 1 입력 사이에 접속되며 제 2 파워 증폭기에서 결합기로 전송되는 신호에 대하여 제 1 파워 증폭기에서 결합기로 전송되는 신호를 위상 이동 시킨다.

Description

안정성 증가를 위한 RF 플라프마 전력 공급기 결합방법{RF PLASMA POWER SUPPLY COMBINING TECHNIQUE FOR INCREASED STABILITY}
본 발명은 플라즈마 처리 챔버에 사용되는 RF 전력 공급기에 관한 것이다.
RF 여기 플라즈마 챔버는 RF 전력 공급기 및 플라즈마 사이에 발진 현상을 나타낼 수 있다. RF 여기 플라즈마 시스템에 있어서, 플라즈마 임피던스는 빠르게 변화할 수 있다. 플라즈마에 가해진 전력이 변화할 때 임피던스도 변화할 것이다. 유사하게, RF 전력 공급기의 출력전력이 부하 임피던스 변화를 겪는 경우 RF 전력 공급기의 출력 전력은 변화할 것이다. 이 변화들은 빠른 "런-어웨이(run-away)"시나리오나 발진을 발생시킬 수 있다.
RF 신호의 진폭 변조로서 도시될 수 있는 발진은 RF 전력 공급기가 빠른 임피던스(그러므로 빠른 출력 전력) 변화에 응답함에 따라 작동 주파수 보다 낮은 임의의 주파수에서 발생할 수 있다. "런-어웨이" 상태가 전송 전력이나 반사된 보호 제어 루프에 의해 제한되고 억제된다면, 발진은 루프 응답 주파수에서 나타날 것이다. "런-어웨이(run-away)" 상태가 단순히 RF 전력 공급기의 전력 증폭기의 저장 에너지의 일시적 소모를 초래할 경우, 발진은 보다 높은 주파수에서 발생할 수 있다.
RF 전력 공급기에 대한 새로운 구성은 전력 공급기가 빠르게 변화하는 비선형 임피던스와 반응하는 방법을 변화시킨다. 새로운 구성의 전력 공급기는 50 오옴 실저항의 완전한 정합점에 가까운 단위에서 이용가능한 최대 순방향 전력을 형성한다. 이것에 의해 플라즈마 임피던스가 변화하는 경우 전력 공급기가 보다 높은 전력을 전달하는 것이 중지되며, 상호작용 발진이 절대로 발생되지 않는다.
일반적으로, 본 발명의 일 특징은 분할기, 2개의 브랜치 회로 및 결합기 (combiner)를 포함하는 RF 전력 공급기이다. 분할기는 RF신호를 수신하는 입력라인, RF 신호로부터 유도된 제1출력신호를 반송하는 제 1 출력라인 및 RF 신호로부터 유도된 제 2 출력신호를 반송하는 제 2 출력라인을 갖는다. 제 1 브랜치 회로는 제 1 출력신호를 수신하여 그것으로부터 제1 유도신호를 생성한다. 제 2 브랜치 회로는 제 2 출력신호를 수신하여 그것으로부터 제 2 유도신호를 생성한다. 제 1 브랜치 회로는 제 1 전력 증폭기 및 위상 이동부재를 포함한다. 제 2 브랜치 회로는 제 2 전력 증폭기를 포함한다. 제 1 유도신호를 수신하는 제 1 입력과 제 2 유도신호를 수신하는 제 2 입력을 갖는 결합기는 전력 출력신호를 생성하기 위하여 제 1 및 제 2 유도신호를 결합한다. 위상 이동 부재는 제 1 전력 증폭기의 출력라인과 결합기의 제 1 입력 사이에 접속되어 있으며 제 2 전력 증폭기로부터 결합기로 전송되는 신호에 관련하여 제 1 전력증폭기로부터 결합기로 전송되는 신호를 위상 이동시킨다.
일반적으로, 본 발명의 다른 특징은 플라즈마 처리 챔버에 전력을 공급하기 위하여 상술한 전력 공급기를 사용하는 것이다.
바람직한 실시예는 다음과 같은 특징을 포함한다. 플라즈마에 전력을 공급할 때 제 1 증폭기의 출력에서의 위상 이동은 RF 전력 공급기의 발진 불안정도를 충분히 방지한다. 좀더 상술하면, 위상 이동은 약 90°+n(180°)이며, 여기서 n은 정수이고, 0°결합기가 사용된다. 제 1 브랜치 회로는 분할기의 제 1출력과 제 1 전력 증폭기 사이에 결합된 제 2 위상 이동 부재를 더 포함한다. 제 2 위상 이동 부재는 상기 제 1 위상 이동 부재의 위상 이동에 부가될 때 제 1 유도신호가 제 2 유도신호에 대하여 예정된 위상관계를 갖도록 하는 제 2위상 이동을 일으킨다. 예정된 위상관계는 결합기의 요건에 의해 결정된다. 0°전력 결합기 및 분할기를 사용하는 경우, 제 1 위상 이동 및 제 2 위상 이동에 의해 제 1 유도신호가 제 2 유도신호와 위상이 동일하게 된다. 예를들면, 제 1 위상 이동은 약 90°+n(180°)+m(360°)이며, 여기서 n과 m은 정수이고, 제2 위상 이동은 약 270°+n(180°)+k(360°)이며, 여기서 k는 정수이다. 180°전력 결합기 및 0°분할기를 사용하는 경우, 제 1 위상 이동 및 제 2 위상 이동에 의해 제 1 유도신호가 제 2유도신호와 180°위상차가 난다. 예를들면, 제 1 위상 이동은 약 90°+n(180°)+m(360°)이며, 여기서 n과 m은 정수이고, 제 2 위상 이동은 약 90°+n(180°)+k(360°)이고, 여기서 k는 정수이다.
또한, 바람직한 실시예에 있어서, 위상 이동 부재는 소정길이를 가진 케이블의 세그먼트이다. 일반적으로, 본 발명의 또 다른 특징을 RF 신호를 증폭하는 방법이다. 상기 방법은 RF신호를 제 1 출력신호와 제 2 출력신호로 분출하는 단계와, 제 1 증폭신호를 생성하기 위하여 제 1출력신호를 전력 증폭하는 단계와, 제 2 증폭신호를 생성하기 위하여 제 2 출력신호를 전력 증폭하는 단계와, 위상 이동 신호를 생성하기 위하여 제 1 증폭신호에 대하여 제 2 증폭신호를 위상 이동하는 단계 및, 전력출력신호를 생성하기 위하여 제 1 증폭신호와 위상 이동 신호를 결합하는단계를 포함한다.
본 발명은 실행하기가 간단하며, 특히 플라즈마 챔버내의 플라즈마에 전력을 공급하는 RF 전력 공급기에 종종 발생하는 발진 문제를 해결한다.
본 발명의 다른 이점 및 특징들은 청구범위 및 바람직한 실시예의 상세한 설명으로부터 명백해 질 것이다.
제 1도를 참조하여, 반도체 장치를 조립하는데 사용될 수 있는 것과 같은 전형적인 RF 플라즈마 처리 시스템의 기본 부재는 RF 전력 공급기(2), 플라즈마 챔버(4) 및, RF 정합회로(6)를 포함한다. RF 전력 공급기는 RF 전력신호를 동축 케이블(8)을 통해 플라즈마 챔버(4)에 전달하여 플라즈마를 생성한다. 상기 케이블은 플라즈마 발생 부재에 가까운 챔버상의 우측에 바람직하게 설치되어 있는 정합회로를 통해 플라즈마 챔버내 플라즈마 발생부재(예를들면, 코일 또는 전극)에 접속된다. 정합회로는 전형적으로 50 오옴인 동축 케이블의 임피던스와 RF 전력 공급기의 출력 임피던스에 플라즈마 챔버의 임피던스를 정합한다. 최대 전력을 챔버내의 플라즈마에 전달하는 것은 전력 공급기의 출력에 의해 나타난 임피던스가 50 오옴 실저항(즉, 순저항)일 때 발생한다. 동축 케이블을 통해 전력 공급기에 의해 나타난 임피던스가 시스템의 특성 임피던스 예를들면 50 오옴이 아닐 경우에는, 부정합이 나타나고, 챔버에 보내진 전력의 일부는 전력 공급기로 되반사될 것이다.
종래 설계된 정합회로는 바람직한 정합상태를 달성하도록 조절될 수 있는 가변 반응부재를 포함한다. 정합회로를 포함하는 유니트내에 위치되어 있는 검출회로(10)는 정합회로가 최적 정합상태를 달성할 수 있는지의 여부를 결정하기위하여 정합회로의 전압 및 전류를 감시한다. 전형적으로, 정합회로의 입력전류 및 입력전압을 샘플링함으로써 입력 임피던스를 결정한다. 정합이 최적화 되지 않은 것을 검출회로가 감지하는 경우, 최적 정합 상태쪽으로 회로를 이동시키기 위하여 정합회로 내에서 반응부재들을 변화시키는 신호가 발생된다.
RF 여기 플라즈마 챔버내의 플라즈마와 RF 전력 소스 사이에서 발생하는 발진현상은 아직 완전히 이해되지는 않았으나, RF 전력 공급기의 순방향 전력을 변조하는 비선형 플라즈마 임피던스에 의해 부분적으로 야기되는 것을 알았다. 상술한 바와 같이, RF 여기 플라즈마 시스템에 있어서, 플라즈마에 전력이 공급되면 플라즈마의 임피던스는 빠르게 변화할 수 있다. 전력 공급기의 부하 임피던스의 변화에 의해 RF 전력 공급기의 출력전력이 변화한다. 전력 함수로서 플라즈마 임피던스 비선형성의 경사도가 전력 공급기에 대하여 적당한 지배내에 있으면, 플라즈마 임피던스의 변화에 의해 빠른 "런-어웨이" 시나리오를 초래할 수도 있는 전력 공급기의 출력전력이 그에 상응하게 증가된다. 이 상태에서의 유일한 제어는 순방향 전력 제어 루프나 또는 전력 공급기 출력상에 되돌리고자 루프 시간 상수에 따라 응답하는 전형적인 RF 전력 공급기의 부정합 보호 회로이다. 플라즈마 임피던스는 시작점으로 되돌아와서 공정이 다시 시작되고 전력/임피던스 발진이 유지된다. 또한, 발진은 전력 공급기 부재내에 저장된 에너지량에 의해 결정된 주파수에서 발생할 수 있으며, 상기 저장량은 "런-어웨이" 상태를 유지할 수 있는 순간 에너지량을 제한한다.
전력 공급기에서 본 바와 같이 플라즈마 비선형 경사도와 위상이 주요 인자이기 때문에, 발진의 존재는 플라즈마와 전력 공급기 사이의 동축 케이블 길이(즉, 전기적 길이)의 함수이다. 이것은 실험에서 반복하며 나타나고 여기서 챔버에 대한 RF 시스템은 특수 케이블 길이에서만 안정된다. 바람직하지 않게, 안정된 RF 동작에 요구되는 케이블 길이는 RF 정합 네트워크, 플라즈마 임피던스의 특성 및 전력 공급기의 특성의 함수이다. 그러므로, 최적 길이는 시스템마다 일정하지 않다. 이것은 제작 환경에 있어서 문제를 초래할 수 있다.
상술한 발진 문제를 해결하는 전력 공급기 디자인의 내부구조를 기술하기 전에, 먼저 본 발명이 해소 하고자 하는 불안정성을 야기시키는 것이 무엇인지를 좀 더 완전히 이해하는 것이 좋다. 이것 때문에, RF 전력 공급기(20)의 기본 구조를 나타내는 제 2 도를 참조한다. 전력 공급기(20)는 RF 신호를 발생하는 RF 신호원(22)과 챔버내에 플라즈마를 생성하는데 필요한 레벨까지 RF 신호를 증폭하는 전력 증폭기(24)를 포함한다. 이 도면 및 나머지 도면에 있어서, 플라즈마 챔버내의 플라즈마는 부하(ZL)로 나타낸다. 가장 간단한 형태에 있어서, 전력 증폭기(24)는 단일 스테이지 RF 트랜지스터 전력 증폭기 일 수도 있다. 순방향 전력(PFWD)은 부하(ZL)에 입사되는 전력으로서 정의된다. 이와같은 시스템에 대하여, 순방향 전력 대 ZL의 전형적인 특성이 제 3a도에 도시한 스미스 차트에 나타나 있다.
스미스 차트는 RF 전송라인 회로를 분석하기 위하여 당해업자에 의해 폭넓게 사용되는 편리한 수단이다. 간단히 말하면, 스미스 차트는 반사계수 평면(즉,-평면)에서 공칭 저항 및 리액턴스 함수의 그래픽 도면이다. 반사계수()는 ZO의 특성 임피던스를 갖는 무손실 전송라인의 끝부분 부하(ZL)에서 반사전압과 입사전압의 합성 진폭비로서 규정된다. 수학적으로 다음과 같이 표현된다:
여기서 j=(-1)1/2이다.
제 3b도에 도시된 예처럼 스미스 차트는-공간 도면으로서 횡축은 r로 표시되고 종축은 j로 표시된다. 공칭 부하 ZL/ZO로서 참조되는 다른 사용량은 다음과 같다.
ZL= ZL/ZO= r + jx
스미스 차트에서 도시될 때 r의 편차값은 그 중심이=1.0∠0° 를 모두 통과하며 r축을 따라 위치되어 있는 서로 다른 반경의 원 그룹으로서 나타난다. 스미스 차트로 도시되는 경우, X의 편차값을 그 중심이=1.0을 모두 통과하며 r=1 라인을 따라 위치되어 있는 서로 다른 반경의 다른 원 그룹으로 나타난다. 그러므로, 스미스 차트는 부하 임피던스를 반사계수에 맵핑하기가 아주 쉽고, 또한 그 역의 기능도 가능하다. 또한, 곧 명백해질 수 있는 바와같이, 지연라인이나 위상 이동기가 전력 증폭기에 의해 나타나는 임피던스를 갖는 효과를 신속히 결정하는 것이 아주 쉽다.
제 3a도에 도시된 전력곡선을 참조하여, 스미스 차트의 중심은 전송라인 특성 임피던스 및 전력 공급기 출력 임피던스(ZO)와 같으며, 이 경우 50 오옴 실저항이다.-평면(Z평면이라 불림)에 수직인 종축은 PFWD축이다. 부하 임피던스(ZL)의 함수로서 순방향 전력(PFWD)의 도시는 도면에 도시된 바와 같이 일반적으로 경사진 비교적 평평한 표면(50)이다. ZL=ZO인 정합점에서, 전력 증폭기에 의해 전달된 순방향 전력은 52로 표시된 점, 즉 전력 곡선(50)을 교차하는 PFWD축으로 나타난다. 도시된 바와같이, 정합점은 최대 순방향 전력점이 아니다. 실제를, 순방향 전력은 ZL이 50 오옴 실제 임피던스값으로부터 임의의 방향으로 변화하는 경우에 상당히 증가할 수 있다. 이특성은 전술한 불안정한 상태를 유도할 수 있다.
전형적으로 플라즈마 처리 챔버에 사용되는 고출력 레벨을 달성하기 위해서는 병렬로 RF 증폭기의 멀티 스테이지의 결합을 필요로 한다. 2개의 스테이지를 포함하는 종래의 병렬구성의 일예가 제 4도에 설명되어 있다. 도시된 바와같이, 2개의 동일한 전력 증폭기(60a,60b)는 전력 분할기(62)와 전력 결합기(64)를 사용하여 서로 연결되어 있다(전력 결합기 및 전력 분할기의 설계 및 작동의 설명을 위하여 표준 텍스트북이 도시된다. 예를들면 단일 측파대 시스템 및 회로, 에드. 위리암 이. 사빈 앤드 에드가 오. 숀케, 맥그로우-힐 북 컴패니, 페이지425-447).
전력 분할기(62)는 RF소스로부터 RF 신호(RIN)을 수신하여 그것으로부터 동일 전력의 2개의 동일 신호를 생성한다. 각각의 전력 증폭기(60a, 60b)들은 전력 분할기(62)에서 나오는 신호들중 각각 상응하는 신호를 증폭한다. 이어서, 증폭기들의 출력은 양쪽 전력 증폭기(60a,60b)의 출력전력의 합계와 동일한 전력을 가지는 출력신호를 생성하기 위하여 전력 결합기(64)에서 결합된다.
전술한 실시예에 있어서, 전력 결합기(64)는 역으로 동작되는 것을 제외하고는 전력 분할기(62)와 동일한 형태의 장치이다. 즉, 전력 결합기의 입력라인은 전력 분할기의 출력라인이 되며, 전력 결합기의 출력라인은 전력 분할기의 입력라인이 된다. 또한, 이 장치들은 제3포트에 접속된 전력 저항기(R1)을 포함한다. 전력 결합기는 전력 저항기(R1)에 흡수되는 위상 불균형이나 임의의 진폭을 똑같이 가지는 2개의 입력신호를 결합한다. 제 4도에 있어서, 전력 분할기(62) 및 전력 결합기(64)는 0°장치이다. 즉, 2개 라인상에 나타나는 신호들은 서로 동일한 위상이다. 또한, 180°장치가 상업적으로 이용가능하다. 그러나, 어떤 형태가 사용되든 간에, 전력 증폭기(60a)의 출력에 의해 나타나는 임피던스는 전력 증폭기(60b)의 출력에 의해 나타나는 임피던스와 동일하다. 그러므로, 0°장치나 180°장치를 사용할 경우에 전력 증폭기(60a,60b)에 대한 순방향 전력 대 ZL특성은 제 3도에 도시한 단일 스테이지 경우와 동일하다. 따라서, 플라즈마 임피던스의 변화에 의해 한 증폭기의 전력 출력이 증가하면, 다른 증폭기에서도 그 전력 출력이 증가한다.
이러한 방법으로 RF 증폭기를 결합함으로써 상술한 RF 전력 공급기-플라즈마 상호간 발진이 야기되는 것을 알 수 있다. 플라즈마 임피던스가 임의의 방향으로 변화할 경우에 순방향 전력이 양 브랜치에서 증가할 수 있기 때문에, 발진이 시작될 수 있다.
불안정에 대한 잠재성은 제5도의 회로에서 도시한 변형에 의해 완전히 해소된다. 변형된 회로는 전력 증폭기(60a)의 앞뒤에 위상 이동 부재(72,74)를 부가하는 것을 제외하고는 제 4도의 회로와 동일하다. 좀 더 상세하게는, 기술한 실시예에 있어서, 270°+n(180°)+m(360°) 위상 이동 부재(72)는 전력 증폭기(60a) 앞에 부가되고 90°+n(180°)+k(360°) 위상 이동 부재(74)는 전력 증폭기(60a) 뒤에 부가되며, 여기서 n,m 및 k는 어떤 양수값이나 제로값을 가질 수 있는 정수이다. 위상 이동 부재(74)는 전력 증폭기(60b)에 의해 나타난 임피던스에 관련하여 전력 증폭기(60a)에 의해 나타난 임피던스를 회전시킨다. 위상 이동 부재(72)는 상부 브랜치의 신호에 충분한 위상 이동을 부가하여 전력 결합기(64)의 입력에 하부 브랜치 에서의 입력신호와 위상이 동일한 신호를 생성한다(즉, 두 입력 사이의 위상차는 360°의 정수 배이다).
위상 이동 부재가 선택적으로 전력 증폭기(60b)앞에 삽입될수있다는 것을 주의해야 한다. 그 경우, 전력 결합기(64)의 입력에서 위상 요건들을 충족하기 위하여 90°+n(180°)+m(360°)의 위상 이동을 도입할 필요가 있다.
위상 이동 부재(60a,60b)는 적당한 길이를 갖는 케이블의 섹션을 사용함으로써 간단히 실행될 수 있다(즉, 대략 30" 의 길이를 갖는 케이블은 13.56㎒ 신호에 대하여 90" 위상 이동을 일으킨다).
제 5도의 구성에 있어서, ZL이 정확히 50 오옴 실저항이면, 양쪽 전력 증폭기(60a,60b)는 50 오옴 실저항의 부하 임피던스를 나타낼 것이다. 그러나, ZL이 50 오옴 실저항이 아닐 경우(즉, 시스템이 완전한 정합 조건에서 멀리 이동했을 경우), 전력 증폭기(60a)는 전력 증폭기(60b)에 의해 나타난 임피던스와 1/4 파장(즉, 90°) 위상이 다른 임피던스를 나타낼 것이다. 좀 더 상술하면, 전력 증폭기 (60a)의 전력 곡선은 전력 증폭기(60b)의 전력곡선에 대하여 위상이 1/4 파장 다르다. 즉, 전력 증폭기(60b)에 대한 전력 곡선이 제 3a도에 도시한 것과 같다고 가정하면, 전력 증폭기(60a)에 대한 전력 곡선은 전력 축 둘레로 180°회전될 것이다(즉, 90°2배). 정합상태로부터 벗어나는 임피던스의 변화에 의해 양쪽 전력 증폭기의 전력 출력이 증가되지는 않을 것이다. 플라즈마 임피던스의 변화에 의해 전력 증폭기(60b)의 출력전력이 증가되면, 전력 증폭기(60a)의 출력전력이 감소될 것이다. 이것은 출력 증폭기 출력이 증폭기의 전력 공급기의 전류 또는 전압용량에 의해 한정되지 않는 한 모든 보통 클라스 A,B 및 C 전력 증폭기들의 특성이다. 즉, 하나의 전력 증폭기는 다른 전력 증폭기의 잠재적 불안정 응답을 보상할 것이다.
전력 결합기(64)는 다음과 같은 방법으로 전력 공급기를 불안정시키는데 추가로 도움을 줄 것이다. 2개의 전력 증폭기(60a,60b)가 동일 위상이고 동일 진폭을 가지며 동일한 순방향 전력을 갖는 신호를 생성할 경우, 전력 결합기(64)는 두 개의 전력 증폭기의 순방향 전력의 합인 전체 순방향 전력을 갖는 출력신호를 생성하기 위하여 2개의 신호를 결합한다. 전력 결합기(64)에 대한 2개의 입력신호가 동일 위상이고 동일 진폭이기 때문에, 전력 저항기(R1)는 전력을 손실하지 않는다. 그러나, 두 개의 전력 증폭기가 균형을 이루지 않는 신호들을 생성할 경우, 진폭 불균형은 전력 저항기(R1)에 흡수될 것이다.
위상 이동 부재(74)와 전력 결합기(64)의 효과는 제6도에 도시한 바와 같이 나타나는 순방향전력 대 ZL특성을 형성한다. 그 결과, 전력 공급기에 대한 전력 곡선은 최적 정합점이나 그 근방에서 최대 80을 나타낸다. 그러나, 사용된 전력 증폭기의 특수한 특성에 따라서, 최대값은 실제로 정합점에 위치되어 있지 않을 수도 있다는 것을 주지해야 한다. 그럼에도 불구하고, 그 결과로 생긴 전력 곡선은 최적 정합상태에서 벗어나는 어떤 이동에 의해 전력 공급기의 전력 출력이 상당히 증가되도록(즉, 전술한 형태의 불안정성을 초래하기에 충분히 증가하지 않는) 최적 정합점 부근에서 형상을 가질 것이다. 실제로, 이 기술은 전술한 전력 공급기-플라즈마 상호간 발진 문제를 완전히 해결하는 것을 증명한다.
제 5도의 구성은 이러한 목적을 달성하는 유일한 구성만이 아니다. 중요한 점은 하나의 전력 증폭기의 출력에서 충분한 위상 이동을 부가하는 것이다. 2개의 전력 증폭기 스테이지의 출력에 의해 나타난 임피던스의 위상이 충분히 다른 한, 이 기술은 전술한 형태의 불안정성을 해소하는 작용을 한다. 즉, 전력 증폭기(60b)의 출력에서의 위상 이동은 90°일 필요는 없다. 그것은 상기 전력 증폭기에 의해 다른 전력 증폭기의 잠재적 불안정 응답을 보상하는 어떤 양 일수 있다. 상기 양은 사용된 특수 전력 증폭기 및 특수 구성에 대한 실험으로 결정될 수 있다. 위상 이동 부재(72)에 의해 제공된 제 2 위상 이동은 0°결합기의 입력에 존재하는 요건들을 간단히 충족한다. 즉, 서로 동일 위상을 갖는다.
또한, 이 기술은 2개 이상의 스테이지를 갖는 전력 공급기에 사용될 수도 있다. 2개 이상의 전력 증폭기가 사용될 경우, 증폭기들은 2개 그룹으로 분할될 수 있으며 각 그룹은 전술한 것과 같은 2개 스테이지 구성의 단일 전력 증폭기로서 처리될 수 있다. 또한, 전력 증폭기는 개별적으로 처리될 수 있다. 예를들면, 제 7도에 도시한 것과 같은 4개 전력 증폭기가 있는 경우, 45°, 90°및 135°의 위상 이동 부재는 3개의 전력 증폭기의 출력에서 사용될 수 있다. 위상 이동 부재는 이웃하는 전력 증폭기와 관련하여 90°까지 전력 곡선을 회전하도록 동작한다.
일반적으로, X스테이지가 사용되는 경우(여기서 X는 짝수), 하나의 방법은 r(180°/X)의 위상 이동 부재를 사용하는 것이며, 여기서 r은 스테이지를 식별하며 r=1,2···X 이다.
제 8도에 도시한 다른 실시예에는 180°전력 결합기가 사용된다. 그 경우, 90°+n(180°)+m(360°) 위상 이동 부재는 전술한 270°+n(180°)+k(360°) 위상 이동 부재 대신에 전력 증폭기(60a) 앞에 사용된다. 이것은 180°전력 결합기의 입력에 도달하는 신호의 위상이 180°다르기 때문에 필요하다.
또한, 다른 증폭기의 전력 곡선을 보상하는 전력곡선을 각각 갖는 다른 설계의 2개의 전력 증폭기를 사용할 수도 있다.
기술한 실시예에 사용되는 전형적인 전력 레벨은 13.56㎒에서 1kW이다. 그러나, 이 기술은 플라즈마 챔버에 사용될 수 있는 전력 레벨과 임의의 주파수(예들들면 R.F)를 위하여 작용한다.
상술한 실시예에 있어서 전력 분할기의 출력과 전력 증폭기의 입력사이 또는 전력 증폭기의 출력과 결합기의 입력사이의 어떤 접속이 전형적으로 신호에서 위상 이동을 유도할 것이라는 것을 이해하여야 한다. 유도된 위상 이동의 양은 회로 길이에 따라 크거나 작을 것이다. 그러므로, 구성에 있어서의 중요한 점은 모든 브랜치 들에 있어서 모든 증폭기들의 입력과 출력에 위상 이동 부재가 있다는 것이다. 그러나 이들은 중요한 위상 이동에 있어서의 상대적 차이를 강조하고 설명을 간단히 하기 위하여 도시되어 있지 않다.
제 1도는 RF 플라즈마 시스템의 블록도.
제 2도는 전형적인 단일 스테이지 RF 트랜지스터 전력 증폭기 및 부하를 도시한 도면.
제 3a도는 전형적인 RF 트랜지스터 증폭기의 순방향 전력 출력 대 부하 임피던스 도.
제 3b도는 스미스 차트를 도시한 도면.
제 4도는 전형적인 고출력 RF전력 공급기의 구성도.
제 5도는 본 발명에 따라 구성된 RF전력 공급기를 도시한 도면.
제 6도는 제 4도의 전력 공급기에 대한 순방향 전력출력 윤곽도.
제 7도는 4개의 전력 증폭기를 사용하는 본 발명의 실시예를 도시한 도면.
제 8도는 180°전력 결합기를 사용하는 다른 실시예를 도시한 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
2 : 전력 공급기 4 : 플라즈마 챔버
6 : RF 정합 회로 8 : 동축 케이블
10 : 검출 회로

Claims (39)

  1. RF 전력을 플라즈마에 전달하기 위한 RF 전력 공급기에 있어서,
    rRF의 주파수를 가지는 RF 신호를 발생시키는 RF 신호 발생기와,
    상기 RF 신호를 수신하는 입력라인과, 상기 RF 신호로부터 유도된 제 1 출력신호를 반송하는 제 1 출력라인 및, 상기 RF 신호로부터 유도된 제 2 출력신호를 반송하는 제 2 출력라인을 갖는 분할기와,
    상기 제 1 출력신호를 수신하여 상기 제 1 출력신호로부터 제 1 유도신호를 발생키고, 출력라인을 갖는 제 1 전력 증폭기와 위상 이동 부재를 포함하는 제 1 브랜치 회로와,
    상기 제 2 출력신호를 수신하여 상기 제 2 출력신호로부터 제 2 유도신호를 발생시키고, 출력라인을 갖는 제 2 전력 증폭기를 포함하는 제 2 브랜치 회로 및,
    상기 제 1 유도신호를 수신하는 제 1 입력과 상기 제 2 유도신호를 수신하는 제 2 입력을 가지며, 상기 두 개의 입력으로부터 전력 출력 신호를 생성하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 유도신호를 결합하는 결합기를 포함하며,
    상기 위상 이동 부재는 제 1 전력 증폭기의 출력라인과 결합기의 제 1 입력사이에 접속되고 제 2 전력증폭기에서 결합기로 전송되는 신호와 관련하여 제 1 전력증폭기에서 결합기로 전송되는 신호를 제 1 위상 이동시키고, 상기 제 1 및 제 2 브랜치 회로는 주파수(rRF)에서 s(360°)+360°및 s(360°)+180°의 값중 하나와 동일하게 제 2 유도 신호와 관련하여 제 1 유도 신호를 전체적으로 위상 이동시키고, 상기 s는 임의의 양의 값 또는 제로를 가질 수 있는 정수인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 위상 이동은 플라즈마에 전력을 공급할 경우 RF 전력 증폭기의 발진 불안정성을 방지하기에 충분한 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 위상 이동은 약 45°+ n(180°)이며, 여기서 n은 정수인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 위상 이동은 약 90°+n(180°)이며, 여기서 n은 정수인 것을 특징으로 하는 RF전력 공급기.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 브랜치 회로는 분할기의 제 1 출력과 제 1 전력 증폭기 사이에 접속된 제 2위상 이동 부재를 더 포함하며, 상기 제 2 위상 이동 부재는 제 1 위상 이동 부재의 위상 이동에 부가될 때 제 1 유도신호가 제 2 유도신호에 대하여 예정된 위상관계를 갖도록 하는 제 2 위상 이동을 일으키며, 상기 예정된 위상관계는 결합기의 요건에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  6. 제 5항에 있어서,
    제 1 위상 이동 및 제 2 위상 이동은 제 1 유도신호가 제 2 유도신호와 관련하여 s(360°)+360°위상 관계를 가지도록 하는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  7. 제 6항에 있어서,
    제 1 위상 이동은 약 90°+ n(180°)+ m(360°) 이고, 여기서 n 과 m은 정수이며, 제 2 위상 이동은 약 270°+ n(180°)+ m(360°)이고, 여기서 k는 정수인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  8. 제 5항에 있어서,
    제 1 위상 이동과 제 2 위상 이동은 제 1 유도신호가 제 2 유도신호와 관련하여 180°+s(360°) 위상 관계를 가지도록 하는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  9. 제 8항에 있어서,
    제 1 위상 이동은 약 90°+n(180°)+m( 360°)이고 여기서 n 과 m은 정수이며, 제2위상 이동은 90°+n(180°)+m(360°)이고 여기서 k는 정수인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  10. 제 5항에 있어서,
    제 1 위상 이동 부재는 소정 길이를 갖는 케이블의 세그먼트인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  11. 제 10항에 있어서,
    제 2 위상 이동 부재는 소정 길이를 갖는 케이블의 세그먼트인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  12. 제 5항에 있어서,
    결합기는 0°결합기인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  13. 제 5항에 있어서,
    결합기는 180°결합기인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 브랜치 회로는 분할기의 제 2 출력과 제 2 전력 증폭기 사이에 접속된 제 2위상 이동 부재를 더 포함하며, 상기 제 2 위상 이동 부재는 제 2 유도신호가 제 1 유도신호에 관련하여 예정된 위상관계를 갖도록 하는 제 2 위상 이동을 일으키며, 상기 예정된 위상관계는 결합기의 요건에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급기.
  15. RF 플라프마 시스템에 있어서,
    동작 동안 RF 신호를 생성하는 RF 신호 발생기와,
    상기 RF 신호로부터 유도된 RF를 수신하는 입력라인과, 상기 RF 신호로부터 유도된 제 2출력신호를 반송하는 제 2출력라인을 갖는 분할기와,
    제 1 출력신호를 수신하여 상기 제 1 출력신호로부터 제 1 유도신호를 발생하며 제 1 전력 증폭기를 포함하는 제 1 브랜치 회로와,
    상기 제 2 출력신호를 수신하여 상기 제 2 출력신호로부터 제 2 유도신호를 발생하며, 출력라인을 갖는 제 2 전력 증폭기를 포함하는 제 2 브랜치 회로와,
    상기 제 1 유도신호를 수신하는 제 1 입력과, 상기 제 2 유도신호를 수신하는 제 2 입력 및 출력을 가지며, 상기 입력으로부터 전력 출력신호를 생성하기 위해 상기 제 1 및 제 2 유도신호를 결합하는 결합기와,
    챔버에 존재하는 플라즈마를 이용하며, 제 1 전력 증폭기는 제 1 순방향 전력 곡선 표면을 특징으로 하고, 제 2 전력 증폭기는 제 2 순방향 전력 곡선 표면을 특징으로 하고, 상기 제 1 및 제 2 곡선 표면은 제 1 전력 증폭기에 대한 순방향 전력 레벨의 증가를 일으키는 부하의 변화에 의해 제 2 전력 증폭기에 대한 순방향 전력 레벨이 감소되고, 그 반대 작용도 이루어지도록 서로 대향하고 있는 것을 특징으로 하는 RF 플라즈마 시스템.
  16. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    플라즈마 처리 챔버와,
    상기 플라즈마 처리 챔버에 전력을 공급하는 RF 전력 증폭기와,
    상기 RF 전력 증폭기에 접속되고 주파수(rRF)를 가지는 RF 신호를 공급하는 RF 신호 발생기를 포함하며,
    상기 RF 전력 증폭기는,
    RF 신호를 수신하는 입력라인과, 상기 RF 신호로부터 유도된 제 1 출력신호를 반송하는 제 1 출력라인 및, 상기 RF 신호로부터 유도된 제 2 출력신호를 반송하는 제 2 출력라인을 갖는 분할기와
    상기 제 1 출력신호를 수신하여 상기 제 1 출력신호로부터 제 1 유도신호를 발생시키며, 출력라인을 갖는 제 1 전력 증폭기 및 위상이동부재를 포함하는 제 1 브랜치 회로와,
    상기 제 2 출력신호를 수신하여 상기 제 2 출력신호로부터 제 2 유도신호를 발생시키며, 출력라인을 갖는 제 2 전력 증폭기를 포함하는 제 2 브랜치 회로와,
    상기 제 1 유도신호를 수신하는 제 1 입력과 상기 제 2 유도신호를 수신하는 제 2 입력을 가지며, 상기 입력으로부터 전력 출력신호를 생성하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 유도 신호를 결합하는 결합기를 포함하며,
    상기 위상 이동 부재는 제 1 전력 증폭기의 출력라인과 결합기의 제 1 입력 사이에 접속되어 있으며, 제 2 전력 증폭기에서 결합기로 전송되는 신호와 관련하여 제 1 전력 증폭기에서 결합기로 전송되는 신호를 제 1 위상 이동시키고, 상기 제 1 및 제 2 브랜치 회로는 주파수(rRF)에서 s(360°) 및 s(360°)+180°중 하나의 값과 동일하게 제 2 유도 신호와 관련하여 제 1 유도 신호를 전체적으로 위상 이동시키고, 여기서 s는 정수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제 1 위상 이동은 약 45°+ n(180°)이며, 여기서 n은 정수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 제 1 위상 이동은 약 90°+ n(180°)이며, 여기서 n은 정수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  19. 제 16항에 있어서,
    상기 제 1 브랜치 회로는 분할기의 제 1 출력과 제 1 전력 증폭기 사이에 접속된 제 2 위상 이동 부재를 더 포함하며, 상기 제 2 위상 이동 부재는 제 1 위상 이동 부재의 위상 이동에 부가될 때 제 1 유도신호가 제 2 유도신호와 관련하여 예정된 위상관계를 갖도록 하는 제 2 위상 이동을 일으키며, 상기 예정된 위상관계는 결합기의 요건에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    제 1 위상 이동 및 제 2 위상 이동은 제 1 유도신호가 제 2 유도신호와 관련하여 s(360°)+360°위상 관계를 가지도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  21. 제 20항에 있어서,
    제 1 위상 이동은 약 90°+n(180°)+m(360°)이고 여기서 n 과 m은 정수이며, 제 2 위상 이동은 약 270°+n(180°)+k(360°)이고 여기서 k는 정수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  22. 제 19 항에 있어서,
    제 1 위상 이동 및 제 2 위상 이동은 제 1 유도신호가 제 2 유도신호와 관련하여 180°+ s(360°) 위상 관계를 가지도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  23. 제 22항에 있어서,
    제 1 위상 이동은 약 90°+n(180°)+m(360°)이고 여기서 n 과 m은 정수이며, 제 2 위상 이동은 약 90°+n(180°)+k(360°)이고 여기서 k는 정수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  24. 제 19항에 있어서,
    상기 제 1 위상 이동 부재는 소정 길이를 갖는 케이블의 세그먼트인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 제 2 위상 이동 부재는 소정 길이를 갖는 케이블의 세그먼트인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  26. 제 19항에 있어서,
    상기 결합기는 0°결합기인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  27. 제 19항에 있어서,
    상기 결합기는 180° 결합기인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  28. 플라즈마 처리 챔버내의 플라즈마에 RF 전력을 공급하는 방법에 있어서,
    RF 신호를 제 1 출력신호 및 제 2 출력신호로 분할 하는 단계와,
    제 1 증폭 신호를 생성하기 위하여 제 1 출력신호를 전력 증폭하는 단계와,
    제 2 증폭 신호를 생성하기 위하여 제 2 출력신호를 전력 증폭하는 단계와,
    위상 이동 신호를 생성하기 위하여 제 1 증폭 신호에 관련하여 제 2 증폭 신호를 위상 이동하는 단계와,
    전력 출력신호를 생성하기 위하여 제 1 증폭신호와 위상 이동 신호를 결합하는 단계와,
    플라즈마 처리 챔버내의 플라프마에 전력 출력 신호를 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  29. 제 28항에 있어서,
    상기 위상 이동 단계는 약 45°보다 큰 위상 이동을 일으키는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  30. 제 28항에 있어서,
    상기 위상 이동 단계는 약 90°의 위상 이동을 일으키는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  31. 제 30항에 있어서,
    상기 위상 이동 단계는 약 90°+n(360°)의 위상 이동을 일으키며, 여기서 n은 정수인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  32. 제 28항에 있어서,
    제 2 출력신호를 증폭하기 전에 제 1 출력신호에 관련하여 상기 제 2 출력신호를 위상 이동하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  33. 제 32항에 있어서,
    제 2 출력신호 및 제 2 증폭신호를 위상 이동하는 단계는 위상 이동 신호가 제 1 증폭신호와 소정의 위상관계를 갖도록 하며, 상기 소정의 위상 관계는 결합기의 요건에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  34. 제 33항에 있어서,
    제 2 출력신호 및 제 2 증폭신호를 위상 이동하는 단계는 위상 이동 신호가 제 1 증폭신호와 관련하여 s(360°)+360°의 위상 관계를 가지도록 하며, 여기서 s는 임의의 양의 값 또는 제로를 가질 수 있는 정수인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  35. 제 34항에 있어서,
    제 2 증폭신호를 위상 이동하는 단계는 약 90°+n(180°)+m(360°)의 위상 이동을 하게 하고 여기서 n과 m은 정수이며, 제 2 출력신호를 위상 이동하는 단계는 약 270°+n(180°)+k(360°)의 위상 이동을 하게 하고 여기서 k는 정수인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  36. 제 33항에 있어서,
    제 2 출력신호 및 제 2 증폭신호를 위상 이동하는 단계는 위상 이동신호가 제 1 증폭신호와 관련하여 180°+ s(360°)의 위상 관계를 가지도록 하며, 여기서 s는 임의의 양의 값 또는 제로를 가질 수 있는 정수인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  37. 제 36항에 있어서,
    제 2 증폭신호를 위상 이동하는 단계는 약 90°+n(180°)+m(360°)의 위상 이동을 하게 하고 여기서 n과 m은 정수이며, 제 2 출력신호를 위상 이동하는 단계는 약 90°+n(180°)+k(360°)의 위상 이동을 하게 하고 여기서 k는 정수인 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  38. 제 32항에 있어서,
    제 2 증폭 신호를 위상 이동하는 단계는 상기 위상 이동을 실행하기 위하여 소정길이를 갖는 케이블의 세그먼트를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
  39. 제 38항에 있어서,
    제 2 출력신호를 위상 이동하는 단계는 상기 위상 이동을 실행하기 위하여제 2의 소정길이를 갖는 케이블의 제 2 세그먼트를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 전력 공급 방법.
KR1019960005755A 1995-03-06 1996-03-06 안정성증가를위한rf플라즈마전력공급기결합방법 KR100318788B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/398,426 US5712592A (en) 1995-03-06 1995-03-06 RF plasma power supply combining technique for increased stability
US8/398,426 1995-03-06
US08/398426 1995-03-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990027399A KR19990027399A (ko) 1999-04-15
KR100318788B1 true KR100318788B1 (ko) 2002-04-22

Family

ID=23575338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960005755A KR100318788B1 (ko) 1995-03-06 1996-03-06 안정성증가를위한rf플라즈마전력공급기결합방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5712592A (ko)
EP (1) EP0731559B1 (ko)
JP (1) JP4124836B2 (ko)
KR (1) KR100318788B1 (ko)
AT (1) ATE208544T1 (ko)
DE (1) DE69616620T2 (ko)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5770922A (en) 1996-07-22 1998-06-23 Eni Technologies, Inc. Baseband V-I probe
US6924455B1 (en) 1997-06-26 2005-08-02 Applied Science & Technology, Inc. Integrated plasma chamber and inductively-coupled toroidal plasma source
US6815633B1 (en) 1997-06-26 2004-11-09 Applied Science & Technology, Inc. Inductively-coupled toroidal plasma source
US7166816B1 (en) * 1997-06-26 2007-01-23 Mks Instruments, Inc. Inductively-coupled torodial plasma source
US7569790B2 (en) * 1997-06-26 2009-08-04 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US8779322B2 (en) 1997-06-26 2014-07-15 Mks Instruments Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US6043607A (en) * 1997-12-16 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Apparatus for exciting a plasma in a semiconductor wafer processing system using a complex RF waveform
US6091441A (en) * 1998-02-10 2000-07-18 Scientific-Atlanta, Inc. Radio frequency detector for cable television distribution systems
US6449568B1 (en) 1998-02-27 2002-09-10 Eni Technology, Inc. Voltage-current sensor with high matching directivity
JP4166318B2 (ja) * 1998-03-25 2008-10-15 松下電器産業株式会社 電力増幅器
US6118343A (en) * 1999-05-10 2000-09-12 Tyco Electronics Logistics Ag Power Amplifier incorporating single drain switch and single negative voltage generator
US6587013B1 (en) 2000-02-16 2003-07-01 Signal Technology Corporation RF power combiner circuit with spaced capacitive stub
US6242979B1 (en) * 2000-02-23 2001-06-05 Motorola, Inc. Linearization using parallel cancellation in linear power amplifier
WO2002054835A2 (en) * 2001-01-08 2002-07-11 Tokyo Electron Limited Addition of power at selected harmonics of plasma processor drive frequency
US7084832B2 (en) * 2001-10-09 2006-08-01 Plasma Control Systems, Llc Plasma production device and method and RF driver circuit with adjustable duty cycle
US7132996B2 (en) * 2001-10-09 2006-11-07 Plasma Control Systems Llc Plasma production device and method and RF driver circuit
US7100532B2 (en) * 2001-10-09 2006-09-05 Plasma Control Systems, Llc Plasma production device and method and RF driver circuit with adjustable duty cycle
CN1305353C (zh) * 2001-12-10 2007-03-14 东京毅力科创株式会社 高频电源及其控制方法、和等离子体处理装置
US7480571B2 (en) * 2002-03-08 2009-01-20 Lam Research Corporation Apparatus and methods for improving the stability of RF power delivery to a plasma load
US7184146B2 (en) * 2003-06-24 2007-02-27 Cardinal Ig Company Methods and apparatus for evaluating insulating glass units
US7728250B2 (en) * 2004-02-02 2010-06-01 Inficon, Inc. RF sensor clamp assembly
US7148746B2 (en) * 2004-10-26 2006-12-12 Andrew Corporation High efficiency amplifier
EP1701376B1 (de) 2005-03-10 2006-11-08 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Vakuumplasmagenerator
EP1783904B1 (de) 2005-10-17 2008-04-16 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG HF-Plasmaversorgungseinrichtung
US7353771B2 (en) * 2005-11-07 2008-04-08 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator
US7755452B2 (en) * 2007-02-27 2010-07-13 Coherent, Inc. Power combiner
JP2008236105A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Nec Corp 電力分配合成システム
US8692466B2 (en) * 2009-02-27 2014-04-08 Mks Instruments Inc. Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator
US8674606B2 (en) * 2009-04-27 2014-03-18 Advanced Energy Industries, Inc. Detecting and preventing instabilities in plasma processes
US7970037B2 (en) * 2009-06-10 2011-06-28 Coherent, Inc. Arrangement for RF power delivery to a gas discharge laser with cascaded transmission line sections
US8330432B2 (en) * 2009-12-22 2012-12-11 Advanced Energy Industries, Inc Efficient active source impedance modification of a power amplifier
US20110285473A1 (en) 2010-05-24 2011-11-24 Coherent, Inc. Impedance-matching transformers for rf driven co2 gas discharge lasers
US8648665B2 (en) 2010-10-06 2014-02-11 Coherent, Inc. Impedance-matching circuits for multi-output power supplies driving CO2 gas-discharge lasers
KR102023624B1 (ko) 2013-01-25 2019-09-20 삼성전자 주식회사 Rf 전송 회로와 이를 포함하는 장치들
JP6078419B2 (ja) * 2013-02-12 2017-02-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置の制御方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP6126905B2 (ja) * 2013-05-14 2017-05-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9093984B1 (en) * 2013-09-18 2015-07-28 Rockwell Collins, Inc. Phase shifter with true time delay
DE102013226537B4 (de) 2013-12-18 2022-12-29 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem mit mehreren Verstärkerpfaden sowie Verfahren zur Anregung eines Plasmas
DE102013226511B4 (de) 2013-12-18 2016-12-15 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem und Verfahren zur Erzeugung einer Leistung
KR101907375B1 (ko) * 2014-03-24 2018-10-12 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 고효율 제너레이터 소스 임피던스의 제어를 위한 시스템 및 방법
US10224184B2 (en) 2014-03-24 2019-03-05 Aes Global Holdings, Pte. Ltd System and method for control of high efficiency generator source impedance
EP3145080B1 (en) * 2014-06-17 2018-08-08 Huawei Technologies Co., Ltd. Radio frequency power amplification system, radio frequency power amplification method, transmitter, and base station
US9954508B2 (en) * 2015-10-26 2018-04-24 Lam Research Corporation Multiple-output radiofrequency matching module and associated methods
US9831833B1 (en) 2016-01-28 2017-11-28 Rockwell Collins, Inc. Power amplifier
US10637460B2 (en) 2016-06-14 2020-04-28 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Circuits and operating methods thereof for monitoring and protecting a device
WO2018021464A1 (ja) * 2016-07-27 2018-02-01 イマジニアリング株式会社 昇圧回路を含む電磁波発振装置
US20180109228A1 (en) 2016-10-14 2018-04-19 MACOM Technology Solution Holdings, Inc. Phase shifters for gallium nitride amplifiers and related methods
US20190028066A1 (en) 2017-07-24 2019-01-24 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Fet operational temperature determination by field plate resistance thermometry
US20190028065A1 (en) 2017-07-24 2019-01-24 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Fet operational temperature determination by gate structure resistance thermometry
JP6772117B2 (ja) 2017-08-23 2020-10-21 株式会社日立ハイテク エッチング方法およびエッチング装置
US10777386B2 (en) 2017-10-17 2020-09-15 Lam Research Corporation Methods for controlling plasma glow discharge in a plasma chamber
KR20200142565A (ko) 2018-04-20 2020-12-22 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 고효율 발전기 소스 임피던스의 제어를 위한 시스템 및 방법
US10972055B2 (en) 2018-06-15 2021-04-06 Skyworks Solutions, Inc. Integrated doherty power amplifier
CN112119485B (zh) 2019-04-22 2024-01-02 株式会社日立高新技术 等离子处理方法
CN113394067A (zh) * 2020-03-13 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7110492B2 (ja) 2020-06-16 2022-08-01 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0457406A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Rf発生装置のフェーズシフト回路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1160904B (de) * 1962-02-19 1964-01-09 Deutsche Post Rundfunk Verfahren zur Unterdrueckung des Rueckflusses in einer Wellenleitung
DE2519845C3 (de) * 1975-05-03 1978-06-08 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Schaltungsanordnung zur Zusammenführung von Hochfrequenzleistungsanteilen
JPS57194611A (en) * 1981-05-26 1982-11-30 Nippon Dengiyou Kosaku Kk Branching and coupling circuit
US4629940A (en) * 1984-03-02 1986-12-16 The Perkin-Elmer Corporation Plasma emission source
US4701716A (en) * 1986-05-07 1987-10-20 Rca Corporation Parallel distributed signal amplifiers
SU1497718A1 (ru) * 1987-10-12 1989-07-30 Предприятие П/Я А-7866 Усилитель
US4965527A (en) * 1989-09-20 1990-10-23 Hughes Aircraft Company Gain equalizer for microwave balanced amplifier configuration
JPH04104603A (ja) * 1990-08-24 1992-04-07 Fujitsu Ltd 平衡形増幅器
US5101171A (en) * 1990-11-23 1992-03-31 Advanced Systems Research, Inc. Extended bandwidth RF amplifier
JPH0732078B2 (ja) * 1993-01-14 1995-04-10 株式会社アドテック 高周波プラズマ用電源及びインピーダンス整合装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0457406A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Rf発生装置のフェーズシフト回路

Also Published As

Publication number Publication date
DE69616620T2 (de) 2002-08-14
DE69616620D1 (de) 2001-12-13
EP0731559A1 (en) 1996-09-11
JPH09289100A (ja) 1997-11-04
ATE208544T1 (de) 2001-11-15
US5712592A (en) 1998-01-27
KR19990027399A (ko) 1999-04-15
EP0731559B1 (en) 2001-11-07
JP4124836B2 (ja) 2008-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100318788B1 (ko) 안정성증가를위한rf플라즈마전력공급기결합방법
US4656434A (en) RF power amplifier with load mismatch compensation
EP0458071B2 (en) VSWR adaptive power amplifier system
US4922210A (en) Feedback-coupled high-frequency power oscillator
KR100315569B1 (ko) 저왜곡피드포워드증폭기
US7615983B2 (en) High frequency power device for protecting an amplifying element therein
EP2089981B1 (en) Lossless transmit path antenna switch circuit
US7183843B1 (en) Electronically tuned power amplifier
US12015380B2 (en) Radio frequency power amplifier
JPH0429039A (ja) 誘導結合プラズマ原子分光分析用出力制御回路
US4352072A (en) Feedforward amplifier with enhanced stability into loads with high VSWR
US6310788B1 (en) Three-way, three phase power divider and combiner
US6018266A (en) Radio frequency system having reflective diode linearizer with balanced tunable impedance loads
JP3840201B2 (ja) 高周波増幅回路
US5757241A (en) Pulse amplification apparatus and method
US5304944A (en) High frequency linearizer
EP0421036A1 (en) Device for adding R.F. signals
JPH08148951A (ja) 電力合成器
WO2007077409A1 (en) An active load pull amplifier
CN117353260A (zh) 一种基于平衡功放的能量过冲抑制电路及其控制方法
JPS61184908A (ja) 増幅器の非線形補償回路
JPH04233811A (ja) フィードフォワード増幅器
JPH10224238A (ja) 電力合成送信機
Cripps Reinventing the Balanced Amplifier
JP2000321319A (ja) マルチキャリア増幅動作時のトランジスタの歪み成分測定方法及び歪み成分測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121129

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131129

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee