JPH0457406A - Ｒｆ発生装置のフェーズシフト回路 - Google Patents
Ｒｆ発生装置のフェーズシフト回路Info
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- JPH0457406A JPH0457406A JP2168851A JP16885190A JPH0457406A JP H0457406 A JPH0457406 A JP H0457406A JP 2168851 A JP2168851 A JP 2168851A JP 16885190 A JP16885190 A JP 16885190A JP H0457406 A JPH0457406 A JP H0457406A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 101710162453 Replication factor A Proteins 0.000 claims 1
- 102100035729 Replication protein A 70 kDa DNA-binding subunit Human genes 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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- Plasma Technology (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数の電極構造をもつ半導体製造装置等に於け
るプラズマ発生器用電源で、複数の電極をもったＲ Ｆ
（Ｒａｄｉｏ Ｆ ｒｅｑｕｅｎｃｙの略）発生装置
がお互いに安定に放電せしめるためのＲＦ発生装置の方
式に関するものである。
るプラズマ発生器用電源で、複数の電極をもったＲ Ｆ
（Ｒａｄｉｏ Ｆ ｒｅｑｕｅｎｃｙの略）発生装置
がお互いに安定に放電せしめるためのＲＦ発生装置の方
式に関するものである。
隈数電極を安定に放電せしめるには、従来の方法として
、 １）ＲＦ発生装置の発振周波数を互いにずらす
２）第１図の様に各々に位相差をもった信号でＲＦ発生
装置を駆動する。等がある。■）の方法は、周波数バン
ド巾に依り規制があるため、複数のＲＦ発生装置の場合
周波数バンド巾が規制値を逸脱する可能性がある。２）
の場合、第１図の様に互いに位相差をもった発振部Ａ１
〜Ａ４の信号で高周波電力増巾部Ｂ−Ｅを駆動すると、
高周波電力増巾部Ｂ−Ｅ内部の位相差及び、高周波電力
増巾部Ｂ−Ｅと負荷にとの整合をとるための整合器Ｆ〜
工の位相差等に依り実際の負荷である負荷装置にの電極
Ｌ−０での位相差が目的とした位相差になっていない可
能性があり、半導体等の製造プロセス上管理しにくい等
の欠点があった。
、 １）ＲＦ発生装置の発振周波数を互いにずらす
２）第１図の様に各々に位相差をもった信号でＲＦ発生
装置を駆動する。等がある。■）の方法は、周波数バン
ド巾に依り規制があるため、複数のＲＦ発生装置の場合
周波数バンド巾が規制値を逸脱する可能性がある。２）
の場合、第１図の様に互いに位相差をもった発振部Ａ１
〜Ａ４の信号で高周波電力増巾部Ｂ−Ｅを駆動すると、
高周波電力増巾部Ｂ−Ｅ内部の位相差及び、高周波電力
増巾部Ｂ−Ｅと負荷にとの整合をとるための整合器Ｆ〜
工の位相差等に依り実際の負荷である負荷装置にの電極
Ｌ−０での位相差が目的とした位相差になっていない可
能性があり、半導体等の製造プロセス上管理しにくい等
の欠点があった。
但し、第１図でＡｌ−Ａ４は発振部、Ｂ−Ｅは高周波電
力増巾部で、Ｆ−Ｉは負荷装置にとインピーダンス整合
及び位相整合をとるための整合器Ｌ〜Ｏはそれぞれ対向
した電極、Ｎはアースである。
力増巾部で、Ｆ−Ｉは負荷装置にとインピーダンス整合
及び位相整合をとるための整合器Ｌ〜Ｏはそれぞれ対向
した電極、Ｎはアースである。
本発明は、係る欠点を解消した装置を提供するものであ
る。
る。
第２図は本発明の実施例であって、Ａは高周波発振部で
出力１〜８は同位相で分配されている。Ｂは位相比較器
、Ｃは位相コントロール回路、Ｇは位相比較器で出力さ
れた信号Ｕ１と位相設定用基準電圧ＶＲ６，と比較する
差動増巾器でＵｃは位相を制御するための信号、Ｄは高
周波電力増巾器、Ｅは前記高周波電力増巾器りと、負荷
装置Ｆへ電力が有効に伝達させるための整合器で、可変
コンデンサＣ３、Ｃ２とインダクタンスＬがら構成され
ている。又整合器Ｅ内に配置されているＸは、負荷装置
Ｆに流れ込む電流工、を検出するためのセンサー（アン
テナと同等のもの）で、ＸはセンサーＸで検出された信
号である。Ｎｏ１は前記にて述べた一連のフェーズシフ
ターであって、Ｎ ｏ ２、Ｎｏ３、Ｎｏ４はＮｏｌと
同等なる構成をもったフェーズシフタ一部である。
出力１〜８は同位相で分配されている。Ｂは位相比較器
、Ｃは位相コントロール回路、Ｇは位相比較器で出力さ
れた信号Ｕ１と位相設定用基準電圧ＶＲ６，と比較する
差動増巾器でＵｃは位相を制御するための信号、Ｄは高
周波電力増巾器、Ｅは前記高周波電力増巾器りと、負荷
装置Ｆへ電力が有効に伝達させるための整合器で、可変
コンデンサＣ３、Ｃ２とインダクタンスＬがら構成され
ている。又整合器Ｅ内に配置されているＸは、負荷装置
Ｆに流れ込む電流工、を検出するためのセンサー（アン
テナと同等のもの）で、ＸはセンサーＸで検出された信
号である。Ｎｏ１は前記にて述べた一連のフェーズシフ
ターであって、Ｎ ｏ ２、Ｎｏ３、Ｎｏ４はＮｏｌと
同等なる構成をもったフェーズシフタ一部である。
第３図は、前記第２図の位相比較器Ｂの特性であり、整
合器Ｅ内に配置したセンサーＸがら検出した負荷電流工
、。に相当する信号Ｘと、高周波発振部Ａで分配された
信号２と、位相差に応じた出力信号Ｕ１の関係を表した
図であり、今仮に２π（ｒａｄ）／１０（Ｖ）の関係を
もっているものとする。
合器Ｅ内に配置したセンサーＸがら検出した負荷電流工
、。に相当する信号Ｘと、高周波発振部Ａで分配された
信号２と、位相差に応じた出力信号Ｕ１の関係を表した
図であり、今仮に２π（ｒａｄ）／１０（Ｖ）の関係を
もっているものとする。
第４図は、位相コントロール回路Ｃの高周波発振部Ａか
ら分配された信号１を前記位相比較器Ｇで出力されたコ
ントロール信号Ｕ０によって、位相シフトされる量ｅを
表した特性で第３図と同様、１０Ｖで位相が２π（ｒａ
ｄ）シフターされる関係になっている。
ら分配された信号１を前記位相比較器Ｇで出力されたコ
ントロール信号Ｕ０によって、位相シフトされる量ｅを
表した特性で第３図と同様、１０Ｖで位相が２π（ｒａ
ｄ）シフターされる関係になっている。
次にこれらを動作するには高周波発振部Ａで発生した信
号は、それぞれ同位相にて出力１〜８に分配され、位相
比較器Ｂと位相コントロール回路Ｃに印加される０位相
比較器Ｂは、第３図に示す様な特性をもっているため、
整合器Ｅ内に配置されたセンサーＸで検出された信号Ｘ
と前記高周波発振部で分配された信号１とで比較され位
相差に応じた信号Ｕ１が出力される。あらかじめ位相を
設定するための基準信号■１゜、と前記位相比較器Ｂの
出力信号Ｕ１は差動増巾器Ｇで比較され、位相コントロ
ール回路Ｃのコントロール電圧すなわち差動増巾器Ｇの
出力信号Ｕ。により位相設定基準信号Ｖ Ｍ ｓ ｒに
相当する信号になるまで位相比較出力信号Ｕ１は変化し
、最終的には閉ループ動作のためＵ ＋ ” ｔＪ Ｒ
，ｔになり負荷装置Ｆに流れ込む負荷電流■１の位相は
、あらかじめ設定した基準信号■８゜、に相当する位相
にロックされる事になる。
号は、それぞれ同位相にて出力１〜８に分配され、位相
比較器Ｂと位相コントロール回路Ｃに印加される０位相
比較器Ｂは、第３図に示す様な特性をもっているため、
整合器Ｅ内に配置されたセンサーＸで検出された信号Ｘ
と前記高周波発振部で分配された信号１とで比較され位
相差に応じた信号Ｕ１が出力される。あらかじめ位相を
設定するための基準信号■１゜、と前記位相比較器Ｂの
出力信号Ｕ１は差動増巾器Ｇで比較され、位相コントロ
ール回路Ｃのコントロール電圧すなわち差動増巾器Ｇの
出力信号Ｕ。により位相設定基準信号Ｖ Ｍ ｓ ｒに
相当する信号になるまで位相比較出力信号Ｕ１は変化し
、最終的には閉ループ動作のためＵ ＋ ” ｔＪ Ｒ
，ｔになり負荷装置Ｆに流れ込む負荷電流■１の位相は
、あらかじめ設定した基準信号■８゜、に相当する位相
にロックされる事になる。
これら一連の動作は電子的に閉ループ網のため瞬時に行
う事は周知の如くである。従って、Ｎｏ２、〜Ｎｏ４に
も前記Ｎｏｌと同等のものを有するならば、負荷装置Ｆ
へ流入する負荷電流の位相をお互いに任意に設定出来る
様になる。又、整合器Ｅ内に設置したセンサーＸは負荷
電流を検出していたが電圧を検出して前記の如く位相シ
フターを行わせる事も可能である。
う事は周知の如くである。従って、Ｎｏ２、〜Ｎｏ４に
も前記Ｎｏｌと同等のものを有するならば、負荷装置Ｆ
へ流入する負荷電流の位相をお互いに任意に設定出来る
様になる。又、整合器Ｅ内に設置したセンサーＸは負荷
電流を検出していたが電圧を検出して前記の如く位相シ
フターを行わせる事も可能である。
第１囚は従来のＲＦ発生装置のフェーズシフト回路方式
、′Ｉｊ１２図は本発明のＲＦ発生装置のフェーズシフ
ト回路方式で第３．４図は第２図の位相比較器Ｂの位相
差に対する出力特性図と位相コントロール回路、Ｃのコ
ントロール電圧に対する位相特性を表した図である。 第１図にて、Ａ１−Ａ４は各々位相差をもった発振部、
Ｂ−Ｅは高周波電力増巾器、Ｆ−１は出力フィルタ一部
、Ｋは負荷装置、Ｌ−０はそれぞれ対向した電極、Ｐは
アース電極である。又第２図のＡは発振部と分配部、Ｂ
は位相比較器、Ｇは差動増巾器、Ｃは位相コントロール
回路、Ｄは高周波電力増巾器、Ｅは整合器で０１、Ｃ２
は可変コンデンサ、Ｌはインダクタンス、■、は負荷電
流でＸは負荷電流を検出するセンサー、Ｘは負荷電流セ
ンサーＸで検出された信号Ｕ＋＋６１は位相設定用基準
信号、Ｕｌは位相コントロール信号である。Ｎ０１は前
記位相シフター回路の内部ブロック図であって、Ｎ ｏ
２〜Ｎｏ４はＮ０１と同等に構成されている。 第１図 位相差−ｍ＝− １４３図 コントロール電圧ｖｏ−− 篇４図 第２図
、′Ｉｊ１２図は本発明のＲＦ発生装置のフェーズシフ
ト回路方式で第３．４図は第２図の位相比較器Ｂの位相
差に対する出力特性図と位相コントロール回路、Ｃのコ
ントロール電圧に対する位相特性を表した図である。 第１図にて、Ａ１−Ａ４は各々位相差をもった発振部、
Ｂ−Ｅは高周波電力増巾器、Ｆ−１は出力フィルタ一部
、Ｋは負荷装置、Ｌ−０はそれぞれ対向した電極、Ｐは
アース電極である。又第２図のＡは発振部と分配部、Ｂ
は位相比較器、Ｇは差動増巾器、Ｃは位相コントロール
回路、Ｄは高周波電力増巾器、Ｅは整合器で０１、Ｃ２
は可変コンデンサ、Ｌはインダクタンス、■、は負荷電
流でＸは負荷電流を検出するセンサー、Ｘは負荷電流セ
ンサーＸで検出された信号Ｕ＋＋６１は位相設定用基準
信号、Ｕｌは位相コントロール信号である。Ｎ０１は前
記位相シフター回路の内部ブロック図であって、Ｎ ｏ
２〜Ｎｏ４はＮ０１と同等に構成されている。 第１図 位相差−ｍ＝− １４３図 コントロール電圧ｖｏ−− 篇４図 第２図
Claims (1)
- 位相の異なる複数電極をもつ一組の負荷に電圧を印加す
る２個以上のＲＦ発生装置の各々に、可変コンデンサと
インダクタンスから成る整合器を設け、該整合器出力の
電圧又は電流を検出するセンサーによつて、前記各ＲＦ
発生装置をフェーズシフトする事を特徴とするＲＦ発生
装置のフェーズシフト回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2168851A JPH0457406A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | Ｒｆ発生装置のフェーズシフト回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2168851A JPH0457406A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | Ｒｆ発生装置のフェーズシフト回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0457406A true JPH0457406A (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=15875726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2168851A Pending JPH0457406A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | Ｒｆ発生装置のフェーズシフト回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0457406A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0731559A1 (en) * | 1995-03-06 | 1996-09-11 | Applied Materials, Inc. | RF plasma power supply combining technique for increased stability |
| WO1996039794A1 (fr) * | 1995-06-05 | 1996-12-12 | Tohoku Unicom Co., Ltd. | Alimentation servant a une decharge par electrodes multiples |
| EP2190004A3 (en) * | 2000-03-13 | 2010-07-21 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method and apparatus for generating a plasma and semiconductor device fabrication method and apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60208115A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-19 | Toshiba Corp | 移相装置 |
| JPS6225500B2 (ja) * | 1981-07-31 | 1987-06-03 | Ishizuka Kk |
-
1990
- 1990-06-27 JP JP2168851A patent/JPH0457406A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6225500B2 (ja) * | 1981-07-31 | 1987-06-03 | Ishizuka Kk | |
| JPS60208115A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-19 | Toshiba Corp | 移相装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0731559A1 (en) * | 1995-03-06 | 1996-09-11 | Applied Materials, Inc. | RF plasma power supply combining technique for increased stability |
| US5712592A (en) * | 1995-03-06 | 1998-01-27 | Applied Materials, Inc. | RF plasma power supply combining technique for increased stability |
| KR100318788B1 (ko) * | 1995-03-06 | 2002-04-22 | 테오도르 이. 존슨 주니어 | 안정성증가를위한rf플라즈마전력공급기결합방법 |
| WO1996039794A1 (fr) * | 1995-06-05 | 1996-12-12 | Tohoku Unicom Co., Ltd. | Alimentation servant a une decharge par electrodes multiples |
| US5932116A (en) * | 1995-06-05 | 1999-08-03 | Tohoku Unicom Co., Ltd. | Power supply for multi-electrode discharge |
| EP2190004A3 (en) * | 2000-03-13 | 2010-07-21 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method and apparatus for generating a plasma and semiconductor device fabrication method and apparatus |
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