KR100315722B1 - 기판표면을평탄화하기위한연마기 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 연마될 기판이 상방을 향하도록 상기 기판을 지지하는 테이블;저면을 갖는 연마 헤드;상기 연마 헤드의 저면의 일부분 이상에 형성되며, 상기 테이블에 지지된 상기 기판을 연마하기 위해, 3 차원 방향으로 미세 운동할 수 있는 연마면 수단; 및상기 연마면 수단에 부착된 연마 패드를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 테이블과 상기 연마 헤드의 적어도 하나는 회전하며, 상기 연마 헤드는 상기 테이블 상방을 직선 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 연마 헤드는 상기 연마 헤드의 회전 중심을 통하여 외부로부터 공급된 슬러리가 상기 연마 패드로 공급되게 하는 슬러리 공급홀을 갖는 슬러리 공급 튜브를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 연마 헤드는 소정의 각도로 캐리어에 지지된 가압 실린더를 구비하고, 상기 연마면 수단은, 3 차원 방향으로 미세 운동할 수 있도록 상기 가압 실린더에 탑재되어 상기 연마 패드를 지지하는 베이스 플레이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 2 항에 있어서, 상기 기판이 연마되는 상기 테이블 위의 연마 위치와 상기 테이블로부터 떨어진 후퇴 위치 사이에서 상기 연마 헤드가 왕복 운동할 수 있게 하는 레일을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 5 항에 있어서, 상기 레일은, 상기 연마기에 탑재된 프레임에 매달리며 상기 테이블 위에 배치되는 것을 특징으로 연마기.
- 제 4 항에 있어서, 상기 가압 실린더와 상기 베이스 플레이트는 다이어프램과 구동 플레이트를 통하여 서로 연결되며,상기 다이어프램은 상기 가압 실린더와 상기 베이스 플레이트 사이에서 기밀성을 유지하고,상기 구동 플레이트는 상기 베이스 플레이트의 변위에 응하고, 상기 베이스 플레이트에 지지 강도를 주는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 연마 패드는 공급된 슬러리를 상기 연마면 수단에 분산시키는 분산홈이 제공된 연마천을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 8 항에 있어서, 상기 연마천은 환상 형태이고, 상기 분산홈은 상기 연마천의 내부 원주까지 신장하지만 외부 원주까지는 신장하지 않는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 5 항에 있어서, 상기 레일을 따라서 상기 연마 헤드를 왕복 운동시키기 위한 이송 구동 기구를 포함하며, 이 이송 구동 기구는 상기 테이블 위에 지지되면서 회전되는 상기 기판의 연마 위치에 따라서 상기 연마 헤드의 이송 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 10 항에 있어서, 상기 연마 헤드는 상기 레일을 따라서 왕복 운동하는 캐리어 위의 위치에 배치되며,상기 캐리어는 수직 구동 메커니즘과 회전 구동 메커니즘을 구비하고,상기 수직 구동 메커니즘은 상기 캐리어를 수직으로 구동시키며,상기 회전 구동 메커니즘은 상기 연마 헤드를 회전시키는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 11 항에 있어서, 상기 연마 패드가 마모되면, 상기 패드를 조절하기 위해서 상기 패드를 패드 조절 수단의 디스크에 대하여 가압하는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 12 항에 있어서, 상기 패드 조절 수단은 상기 후퇴 위치에서 탑재되는것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 4 항에 있어서, 상기 가압 실린더에는 고압 공기를 공급할 수 있게 하는 홀이 제공되고, 상기 홀을 통하여 유입된 상기 고압 공기의 압력은 상기 베이스 플레이트에 작용하여 이 베이스 플레이트를 고정시키는 것을 특징으로 하는 연마기.
- 제 14 항에 있어서, 상기 연마면 수단의 회전 운동은 상기 가압 실린더의 안으로 유입된 상기 고압 공기의 유량에 의해서 조절되는 것을 특징으로 하는 연마기.
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Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3231659B2 (ja) | 1997-04-28 | 2001-11-26 | 日本電気株式会社 | 自動研磨装置 |
JP2000260738A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体基板の研削加工方法ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法 |
TW467795B (en) * | 1999-03-15 | 2001-12-11 | Mitsubishi Materials Corp | Wafer transporting device, wafer polishing device and method for making wafers |
KR100553834B1 (ko) * | 1999-12-27 | 2006-02-24 | 삼성전자주식회사 | 연마잔류물의 용이한 배출을 위한 구조를 갖는 화학기계적연마 패드 |
US6689257B2 (en) * | 2000-05-26 | 2004-02-10 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate plating apparatus |
US6652357B1 (en) | 2000-09-22 | 2003-11-25 | Lam Research Corporation | Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing |
US6640155B2 (en) | 2000-08-22 | 2003-10-28 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head |
US6585572B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-07-01 | Lam Research Corporation | Subaperture chemical mechanical polishing system |
US6471566B1 (en) | 2000-09-18 | 2002-10-29 | Lam Research Corporation | Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same |
JP2002100593A (ja) | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Nikon Corp | 研磨装置、これを用いた半導体デバイスの製造方法及びこの製造方法により製造された半導体デバイス |
US6443815B1 (en) | 2000-09-22 | 2002-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing |
JP2002200555A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Ebara Corp | 研磨工具および該研磨工具を具備したポリッシング装置 |
SG131737A1 (en) | 2001-03-28 | 2007-05-28 | Disco Corp | Polishing tool and polishing method and apparatus using same |
JP4580118B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-11-10 | 株式会社ディスコ | 研磨方法及び研削・研磨方法 |
JP4594545B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-12-08 | 株式会社ディスコ | 研磨装置及びこれを含んだ研削・研磨機 |
US7121919B2 (en) * | 2001-08-30 | 2006-10-17 | Micron Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing system and process |
JP5293153B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2013-09-18 | 株式会社ニコン | 加工量予測方法 |
US20050107016A1 (en) * | 2002-03-20 | 2005-05-19 | Nikon Corporation | Polishing equipment, and method of manufacturing semiconductor device using the equipment |
KR100472959B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 언로딩구조가 개선된 반도체 웨이퍼의 표면평탄화설비 |
JP4269259B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-05-27 | 株式会社ニコン | 加工装置、この加工装置を用いた半導体デバイスの製造方法 |
JP4465645B2 (ja) | 2003-06-03 | 2010-05-19 | 株式会社ニコン | 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法 |
KR100512179B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자를 제조하기 위한 화학적 기계적 연마장치 |
JPWO2005016595A1 (ja) * | 2003-08-19 | 2006-10-12 | 株式会社ニコン | 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス |
JP4732736B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2011-07-27 | 株式会社岡本工作機械製作所 | デバイスウエハの真空チャックシステムおよびそれを用いてデバイスウエハ裏面を研磨する方法 |
JP2007111283A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Timothy Tamio Nemoto | 歯冠研磨装置 |
JP4838614B2 (ja) | 2006-03-29 | 2011-12-14 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法 |
JP2007329342A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 化学的機械的研磨方法 |
JP5257729B2 (ja) * | 2007-08-01 | 2013-08-07 | 株式会社ニコン | 研磨装置 |
KR100910315B1 (ko) * | 2007-10-08 | 2009-07-31 | 한국기초과학지원연구원 | 표면 형상 보정을 위한 비구면 광학계 가공용 폴리싱장치 |
JP2009194134A (ja) | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
US8647172B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-02-11 | Wayne O. Duescher | Wafer pads for fixed-spindle floating-platen lapping |
US8758088B2 (en) | 2011-10-06 | 2014-06-24 | Wayne O. Duescher | Floating abrading platen configuration |
US8641476B2 (en) | 2011-10-06 | 2014-02-04 | Wayne O. Duescher | Coplanar alignment apparatus for rotary spindles |
US8647170B2 (en) | 2011-10-06 | 2014-02-11 | Wayne O. Duescher | Laser alignment apparatus for rotary spindles |
US8647171B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-02-11 | Wayne O. Duescher | Fixed-spindle floating-platen workpiece loader apparatus |
US8500515B2 (en) * | 2010-03-12 | 2013-08-06 | Wayne O. Duescher | Fixed-spindle and floating-platen abrasive system using spherical mounts |
US8740668B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-06-03 | Wayne O. Duescher | Three-point spindle-supported floating abrasive platen |
US8602842B2 (en) * | 2010-03-12 | 2013-12-10 | Wayne O. Duescher | Three-point fixed-spindle floating-platen abrasive system |
US8696405B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-04-15 | Wayne O. Duescher | Pivot-balanced floating platen lapping machine |
US8337280B2 (en) | 2010-09-14 | 2012-12-25 | Duescher Wayne O | High speed platen abrading wire-driven rotary workholder |
JP5619559B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2014-11-05 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
US8430717B2 (en) | 2010-10-12 | 2013-04-30 | Wayne O. Duescher | Dynamic action abrasive lapping workholder |
JP5614723B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2014-10-29 | 旭硝子株式会社 | 研磨装置及び被研磨物の研磨方法 |
US20130017762A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Infineon Technologies Ag | Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine |
US20130217306A1 (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMP Groove Depth and Conditioning Disk Monitoring |
US9199354B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-12-01 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder |
US9604339B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-03-28 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder |
US8845394B2 (en) | 2012-10-29 | 2014-09-30 | Wayne O. Duescher | Bellows driven air floatation abrading workholder |
US8998677B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Bellows driven floatation-type abrading workholder |
US8998678B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
US9039488B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Wayne O. Duescher | Pin driven flexible chamber abrading workholder |
US9233452B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-01-12 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder |
US9011207B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-21 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder |
US20160001418A1 (en) * | 2013-02-19 | 2016-01-07 | LEAP Co., Ltd | Cmp apparatus and cmp method |
JP2013173226A (ja) * | 2013-04-25 | 2013-09-05 | Nikon Corp | 研磨装置 |
US9566687B2 (en) | 2014-10-13 | 2017-02-14 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Center flex single side polishing head having recess and cap |
JP6856335B2 (ja) * | 2016-09-06 | 2021-04-07 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
US10926378B2 (en) | 2017-07-08 | 2021-02-23 | Wayne O. Duescher | Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet |
JP7201322B2 (ja) * | 2018-01-05 | 2023-01-10 | 株式会社荏原製作所 | フェースアップ式の研磨装置のための研磨ヘッド、当該研磨ヘッドを備える研磨装置および当該研磨装置を用いた研磨方法 |
CN108994694B (zh) * | 2018-09-21 | 2020-04-21 | 山东职业学院 | 一种机械模具表面平整加工处理装置 |
US20200384601A1 (en) * | 2019-06-10 | 2020-12-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Thin film fluoropolymer composite cmp polishing pad |
US11691241B1 (en) * | 2019-08-05 | 2023-07-04 | Keltech Engineering, Inc. | Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier |
KR102435926B1 (ko) * | 2020-06-08 | 2022-08-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 연마 장치 및 방법 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2175517B (en) * | 1985-05-23 | 1988-08-03 | Exnii Metallorezh Stankov | Improvements in or relating to spindle jig grinders |
DE3730795A1 (de) * | 1987-09-14 | 1989-03-23 | Wolters Peter Fa | Hon-, laepp- oder poliermaschine |
US4890420A (en) * | 1988-03-21 | 1990-01-02 | Hossein Azimi | Grinding machine |
JPH0639052B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1994-05-25 | 常磐精機工業株式会社 | 超精密研削装置 |
GB2250947B (en) * | 1990-12-17 | 1994-06-01 | Maria Dolores Marin Martos | Cutting and polishing machine |
FR2681546B1 (fr) * | 1991-09-20 | 1995-12-08 | Essilor Int | Procede et machine d'usinage a commande numerique multi-axe. |
JPH05138529A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Yokogawa Electric Corp | 研磨装置 |
JPH05309559A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-22 | Speedfam Co Ltd | 平面研磨方法及び装置 |
US5216843A (en) * | 1992-09-24 | 1993-06-08 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process |
JPH0752033A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-02-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨装置 |
JP3568632B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2004-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 研磨方法及びその装置 |
US5895270A (en) * | 1995-06-26 | 1999-04-20 | Texas Instruments Incorporated | Chemical mechanical polishing method and apparatus |
JPH0970751A (ja) * | 1995-09-06 | 1997-03-18 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP3850924B2 (ja) * | 1996-02-15 | 2006-11-29 | 財団法人国際科学振興財団 | 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法 |
JP3033488B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2000-04-17 | 日本電気株式会社 | 研磨終点検出装置および方法 |
JPH10160420A (ja) * | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの厚さ及び厚さ変化量測定装置 |
US5921855A (en) * | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
US5927264A (en) * | 1998-01-08 | 1999-07-27 | Worley; Kenneth | Extended wear stone polishing disk |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP33201997A patent/JP3076291B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
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- 1998-12-01 KR KR1019980052323A patent/KR100315722B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 1998-12-02 GB GB9826497A patent/GB2331948B/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2331948B (en) | 2002-07-31 |
GB2331948A (en) | 1999-06-09 |
US6165056A (en) | 2000-12-26 |
KR19990062699A (ko) | 1999-07-26 |
JPH11156711A (ja) | 1999-06-15 |
GB9826497D0 (en) | 1999-01-27 |
JP3076291B2 (ja) | 2000-08-14 |
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---|---|---|
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US6241585B1 (en) | Apparatus and method for chemical mechanical polishing | |
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