KR100298149B1 - 패키지된고출력반도체레이저및이의제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고출력 반도체 레이저용 패키지에 관한 것으로, 상기 패키지는 산소를 함유하고 있는 건식 가스매체로 채워진 밀봉 콘테이너로 이루어져 있다. 상기 패키지는 또한 유기 불순물 게터, 예를들면 다공성 실리카류 및 제올라이트류로 이루어진 게터를 포함할 수 있다. 패키지의 제조에 사용되는 물질들에 들어있는 수소함량은 늘어난 시간동안 상승된 온도에서, 예를들면 200시간동안 150℃에서 베이킹시키므로써 감소시킬 수 있다.

Description

패키지된 고출력 반도체 레이저 및 이의 제조방법
제1도는 반도체 레이저의 분해조립도이고,
제2도 및 제3도는 건식 불활성 분위기에서 패키지된 반도체 레이저의 시간의 경과에 따른 후면(back facet) 출력을 공기중에서 패키지된 레이저와 비교하여 나타낸 차트도이며,
제4도는 콘테이너에 장착된 레이저 디바이스를 비스듬히 나타낸 측면도이다.
본 발명은 패키지된 고출력 반도체 레이저와 이의 제조방법 및 이를 위한 하나의 패키지에 관한 것이다.
레이저의 안정성을 유지하고 레이저의 수명을 연장시키기 위해서는 레이저의 동작조건, 특히 온도, 습도 및 분위기를 제어하는 것이 필요한데, 이때 분위기는 반도체 레이저물질에 대해 상대적으로 불활성적이다. 한편, 본 발명에 따른 기술분야에서 산소가 없는 분위기가 레이저의 수명을 연장시킨다는 것이 알려져 있다. 또한, 건식 분위기는 레이저 물질과의 반응을 방지하고 레이저 작동에 연관된 소형 전기회로를 원상태로 유지하는데 바람직하다. 집적회로의 적절한 패키징에 관한 내용은 “Considerations in the Hermetic Packaging of Hybrid Microcircuits”, Byrnes et al., Solid State Technology, 1984에 좀더 상세히 기술되어 있다. 예를들면, 헬륨 트레이서(tracer)를 가지는 건식 질소분위기는 양호한 레이저 작동분위기를 제공한다. 여기서 사용되고 있는 건식이라는 용어는 통상 약 500ppm 이하의 수분함량을 가지는 가스매체를 말한다. 그러나, 반도체 레이저의 면출력이 500㎽ 이상으로 증가함에 따라, 안정하고 긴 수명의 레이저 공정에 대해 일반적으로 받아 들여지던 이러한 방법들이 부적당하게 되었다. 폭이 약 2마이크론, 길이가 약 1마이크론인 면치수를 가지는 레이저의 경우, 50㎽의 출력은 1메가와트/㎠ 정도의 면에서의 평균 출력밀도로 번역된다. 레이징 캐비티(lasing cavity)의 한계를 필수적으로 정하고 있는 레이저 말단면들은 반사도를 변화시킬 수 있으며 고출력 레이저가 건조한 헬륨/질소 분위기에서 작동될 때에는 심지어 이를 파괴시킬 수도 있다. 콘테이너를 오염시킬 수 있는 물질들에는 납땜용 플럭스(solder flux), 오일, 에폭시류 및 고출력 반도체 레이저 디바이스의 제조공정에 사용되는 세정제가 있는데, 이로 인해 분진 미립자 및 가스 오염물들이 면코팅의 표면에 이르게 되고, 그 위에 불순물 침적물들을 형성시킨다. 상기와 같은 침적물은 면 반사도를 변화시키고 전달된 출력을 감소시키며, 면을 가열시켜 궁극적으로 레이저를 손상시킬 수 있는 면에서의 흡수성을 증가시킬 수 있다. 그러므로, 레이저의 안정성 및 수명의 보장과 함게 고출력을 필요로 하는 그러한 레이저의 응용성을 충족시키기 위해서는 새로운 방법들이 요구된다.
본 발명은 레이저 물질을 보호할 수 있는 분위기를 제공하므로써 안정하고 장기간 연속적으로 작동시킬 수 있는 고출력 반도체 레이저에 대한 필요성을 충족시킨다. 여기서 “고출력 반도체 레이저”란 적어도 50㎽의 전면(front facet)출력을 가지는 반도체 레이저를 말한다. 레이저의 전면은 매우 작기 때문에, 고출력에 상당하는 정의는 1메가와트/㎠ 이상의 전면 출력밀도로서 표현될 수 있다.
본 발명의 기본 관점에서 볼때, 패키지된 고출력 반도체 레이저는 레이저 및 선택적으로는 적어도 100ppm의 산소를 함유하는 가스매체로 채워진 밀봉 콘테이너로 둘러싸인 게터(getter)를 포함하고 있다. 본 발명의 또 다른 잇점들은 청구범위에서 알 수 있을 것이다. 놀랍게도, 콘테이너내의 가스매체에 산소를 함유하므로써 밀봉시에 콘테이너에 존재한 여분의 유기 불순물로부터 야기된 레이저 면에 대한 손상 가능성을 현저히 감소시킬 수 있다. 비록 상기와 같은 분위기가 고출력 반도체 레이저의 사용수명을 실질적으로 증가시킴에도 불구하고, 유기물질을 흡수 또는 흡착시킬 수 있는 게터물질과 산소함유 분위기를 조합해서 사용하므로써 상기 레이저의 사용수명을 훨씬 더 증가시킬 수 있다. 한편, 10년 또는 그 이상의 기대수명을 요구하는 통신분야에서 사용되고 있는 고출력 반도체 레이저의 경우에는 상기와 같은 수명의 증가가 특히 중요하다. 산소는 레이저 면 구조로부터 침적물을 실질적으로 제거하거나 또는 상기 면 구조위에 침적시키기 전에 불순물과 반응하여 침적물이 그 위에 침적되는 것을 막아주는 역할을 하며, 이에 의해 레이저 면 구조가 손상되는 것을 방지할 것이다. 수분은 집적회로에 좋지 않은 영향을 미치기 때문에, 1000ppm 이하의 매우 낮은 수분함량이 바람직하다.
낮은 수소함량을 가지는 금속과 같은 물질들을 사용하여 레이저의 콘테이너 벽을 형성시키므로써 콘테이너의 벽에서 방출된 수소와 불순물 제어용 콘테이너내에 포함된 산소 사이에서의 반응의 결과로서 콘테이너내에 수분이 생성되는 것을 최소화시킬 수 있는 중요한 잇점을 제공할 수 있다. 처음에 의도한 낮은 수준의 수소함량을 달성하기 위한 바람직한 방법은 완성된 콘테이너를 조립하기 전에 늘어난 시간동안, 예를들면 약 200시간동안 상승된 온도에서, 예를들면 약 150℃의 온도에서 콘테이너 물질들을 베이킹(baking)하는 것이다.
제1도는 당분야에 잘 알려진 반도체 레이저의 구조를 나타낸 것이다. 레이저 바디(3)의 전면(10) 및 후면(12)은 서로서로에 실질적으로 평행한 절단면이다. 이러한 면들은 실리콘층으로 이루어진 보호층(passivation layers, 5)에 의해 보호된다. 상기 보호층은 레이저면의 오염 및 부식을 방지한다. 보호층은 또한, 레이저 면의 산화를 방지한다. 전면 미러(front facet mirror, 9)는 레이저 파장의 약 1/4두께의 코팅이다. 후면 미러(7)는 연속적인 반사물질층으로 이루어져 있으며, 여기서 인접층들은 통상 다른 물질들로 이루어져 있다. 미러(7)를 형성시키는 층들의 갯수, 조성 및 두께는 후면에 전달된 출력에 대해 전면에 전달된 출력비율의 목표치를 제공할 수 있도록 선택된다. 후면 출력에 대한 전면 출력의 전형적인 비율은 약 40 : 1이다.
제1도에 도시된 일반적인 형태의 반도체 레이저의 손상에 대한 가능한 매카니즘은 다음과 같다.
레이저 면에서의 방출면적은 대략 10평방 마이크론 또는 그 이하정도이다. 따라서, 출력이 약 50㎽에 이르거나 또는 이를 초과할 경우, 면의 단위면적을 지나가는 광자의 갯수(광자 플럭스)는 다른 것에 비해 많다. 한편, 레이저 밀봉재에서 미량으로 존재하는 불순물과 광자가 상호작용할 확률은 광자 플럭스에 비해 상승된다. 그러므로, 그러한 확률은 면 미러 근처 또는 그 위에서 불순물 분자들을 광자 분해시키기 위해 증가된다. 선택적으로, 광자 플럭스는 면 미러 근처 또는 그 위에서 불안정하거나 또는 불활성의 불순물 분자들을 흥분시킬 수 있으며, 이에 의해 불순물의 반응성을 증가시킬 수 있고 가능하게는 면 미러위에 불순물들을 침적시킬 수도 있다. 또한, 고출력 반도체 레이저는 통상, 특히 통신분야에서는 연속적으로 작동되기 때문에, 일단 불순물 분자들이 면 미러위에 침적되기만 하면, 그러한 문제점은 불순물 위치에 레이저광을 연속적으로 충돌시키는 흡수의 결과로서 국부가열을 통해 급속도로 확대된다.
불순물 분자들은 납땜용 플럭스의 찌꺼기, 에폭시류, 세정물질, 예를들면 OPTICLEAR(광물질용 세정제의 상표명) 또는 이소프로필 알콜로부터 발생될 수 있다. 에폭시류의 경우, 이러한 물질을 장시간에 걸쳐 경화시키게 되면 불순물의 생성을 감소시킬 수는 있지만 불순물을 완전히 제거할 수는 없다. 이러한 물질들에서 발견되는 유기 화학약품 또는 이들의 예들은 프로필렌, 테르펜 및 아비에트산이다. 적외선 광자들이 상기와 같은 탄소 체인(carbon chains)들에 미치는 영향은 수분을 벗겨내는 것으로, 면 미러를 구성하는 물질내의 원자에 결합될 수 있는 반응성 탄소체인 단편을 남기는 것이다. 또 다른 매카니즘은 광자들이 탄소체인들로부터 수소를 벗겨내고 이에 의해 반응성 탄소 체인 단편을 제조할 수 있다는 것이다. 알루미나 및 실리콘 나이트 라이드는 미러물질들의 예이다. 레이저 콘테이너에 존재하는 유리산소는 면 미러에 반응성 단편들을 결합시키기 전에 반응성 단편들에 결합시키므로써 면 미러들을 보호할 수 있다. 또는, 산소는 여기상태의 반응성 물질들을 퀀칭(quench)시키고 이에 의해 면 미러들을 보호하는 작용을 한다. 한편, 유리산소 분자들은 “미러-원자”-“탄소-체인-단편”결합을 깨뜨리고 이에 따라 면 미러로부터 반응성 단편이 제거된다는 선택적 가능성이 있다. 따라서, 산소는 불순물 분자들을 위한 게터로서 효율적으로 작용할 수 있다.
상술한 내용에 의하면, 면 미러 또는 면 구조를 보호하기 위해 필요한 산소의 양은 불순물 분자들의 갯수 뿐만 아니라 산소와 결합할 수 있는 콘테이너내에 존재하는 다른 반응성 사이트(sites)의 수에도 의존한다. 또한 면 미러 또는 면 구조를 보호하기 위해 필요한 산소의 양은 불순물 분자의 종류에도 의존한다. 따라서, 콘테이너를 채우고 있는 가스매체에 첨가될 적정량의 산소를 결정하는 것은 일반적으로 실험에 의존하고 있는 실정이다. 알려져 있는 산소의 악영향, 즉 수소와 반응하여 원상태의 집적회로에 손상을 입힐 수 있는 수분을 생성시키기 때문에, 콘테이너내의 가스매체에 첨가될 산소의 바람직한 양은 면 구조의 특성을 일정하게 유지시키기에 충분한 양이다.
광자에 의해 불순물이 분해된다는 가정적인 현상들은 좀 더 높은 출력(좀 더 높은 광자 플럭스)의 전면에서 가장 잘 발생될 것으로 생각된다. 유리산소가 존재하지 않을 경우, 광-반응 산물은 면 구조물, 특히 전면의 미러에 결합하거나 또는 그 위에 침적물을 형성시킬 수 있다. 상기 침적물들은 면 미러의 반사도 또는 흡수도를 변화시킬 수 있다. 흡수도가 증가하게 되면 면에서의 온도가 파손물질의 융점으로 증가되고 이에 의해 면이 파손될 수 있다. 또한, 면에서의 온도가 증가하게 되면 벌크 레이저물질에서 접합이 이동되고, 이에 의해 레이저가 파손될 수 있다. 따라서, 좀 더 낮은 출력레벨에서 본질적으로 중요하지 않은 미량의 불순물들은 출력레벨 및 이와 연관된 광자 플럭스가 증가함에 따라 현저해질 수 있다. 좀 더 낮은 광자 플럭스의 레이저에 대해 레이저의 수명을 최대로 실현하기 위해 성공적인 방법이 좀 더 높은 광자 플럭스의 레이저에 대해서는 비효과적일 수도 있다.
광-반응이 일어난다고 가정하면, 면 근처에 존재하는 산소와 같은 반응성 기체는 상술한 바와 같이 광-반응의 반응성 산물에 결합되고, 이에 의해 이러한 반응성 산물이 면 미러위로 침전되는 것을 막아 주거나 또는 면 미러에 이미 결합되어 있는 반응성 산물을 제거해 준다. 따라서, 산소는 종래에 이미 널리 알려져 있듯이 집적회로의 수명을 단축시키는 강력한 인자와는 달리 레이저 분위기의 보호적 요소가 된다.
그러므로, 바로 위에 기술된 매카니즘의 효력은 본 발명에 반드시 필수적인 것은 아니며, 상기 매카니즘도 본 발명의 작용에 필요한 것이기 때문에 도출한 것은 아닌 것으로 생각될 것이다.
하기 실시예에 설명될 것에 따르면, 콘테이너 내부를 이소프로필 알콜과 같은 물질로 세정하고, 콘테이너에 건식 불활성 가스를 채우고, 레이저 콘테이너를 밀봉시키는 것으로 구성되는 예를들면 MIL-STD-1772A와 같은 레이지 패키징용 표준공정은 적어도 50㎽의 전면 출력을 제조할 수 있는 고출력 레이저의 경우 레이저의 수명을 수십시간 정도로 단축시킨다는 것을 알 수 있었다.
건조한 공기를 레이저 밀봉분위기에 도입하였다는 점을 제외하고는 표준공정에 의해 패키지된 레이저는 만족할 만한 수명 특성을 보였다. 더구나, 건식 불활성 분위기에서 작동될 때 출력이 저하되기 시작하였던 특정의 레이저들은 공기 분위기가 도입될때 출력이 회복된다는 것을 알았다.
상술한 바에 따르면, 레이저 밀봉재의 충전에 사용된 분위기는 바람직하기로는 적어도 100ppm의 산소와 약 1000ppm이하의 수분이 함유된다. 상업용 “회복용 공기”는 분위기에 적합한 원료이다. 예를들면, Oregon주 Portland에 소재하는 Airco Gas Inc.에 의해 시판되고 있는 공기 제품번호 00.1은 본 발명에 따른 레이저의 패키징에 사용될 수 있다. 상기 제조업자의 보고에 따르면, 이 제품은 다음의 조성을 가진다 : -20% O2(대표값); -80% N2(대표값); 0.2ppm CO (대표값); ＜0.1ppm CO2(대표값); ＜0.1ppm NOx(대표값); ＜0.1ppm 총 탄화수소(보증된 값); ＜3ppm H2O (보증된 값).
산소로 레이저를 패키지시키는 것에 부가적으로, 레이저 밀봉내에 바람직하게는 흡착성 또는 흡수성 게터가 또한 포함된다. 다양한 게터물질들이 이러한 목적을 위해 사용될 수 있다. 그러한 물질들은 다음의 특성들을 가져야 한다 : 1) 실질적인 유기 불순물 흡착 또는 흡수성능, 바람직하기로는 실질적으로 특유한 흡착 또는 흡수성능을 가져 단지 제한된 양의 물질만이 레이저 밀봉내에 포함될 필요가 있다; 2) 이의 흡착 또는 흡수성능은 레이저 밀봉의 작동온도 범위에 걸쳐(예를 들면, 약 -40℃ 내지 약 85℃의 온도범위에 걸쳐) 레이저 및 이의 전기회로를 보호하기에 충분히 존재해야 하며, 이에 의해 실질적인 양의 흡수 또는 흡착된 불순물은 사용하는 동안 게터의 온도 변화때문에 방출되지는 않는다; 3) 보관, 조작 및 사용동안 실질적으로 물리적인 상태를 나타내어야 하는데, 예를들면 상기 물질은 면 미러에 고착될 수 있는 미량의 분진 또는 미립자를 방출하여야 한다; 및 4) 유기 오염물들은 상기 물질을 콘테이너내에 넣기 전에 상기 물질로부터 용이하게 제거 가능해야 하는데, 즉 상기 물질은 사용전에 제거될 수 있어야 한다.
특정의 레이저 밀봉에 사용되는 게터의 양은 레이저 패키지를 위해 선택된 게터물질의 고유한 특성, 밀봉시에 밀봉내에 들어 있는 유기 불순물들의 명목량(nominal amount) 및 밀봉 용량에 기초한 실험적인 결과들을 적어도 일부 포함할 것이다. 일반적인 견지에서 볼때, 고 비 표면적, 예를들면 100㎡/g정도의 표면적을 가지며 실질적인 용량의 유기 화합물들을 수용할 수 있는 상호연결된 기공 크기 분포를 가지는 게터물질의 경우, 약 0.1g의 게터는 각각의 ㎤ 밀봉에 대해 사용될 수 있다.
바람직하기로는, 게터물질은 블럭형태로 사용되어 레이저 밀봉내로 이를 투입하는 것을 간소화시킨다. 예를들면, 블럭형태의 게터물질은 밀봉용 커버의 내부표면위에 설치될 수 있다. 일반적으로, 상기와 같은 설치공정에서는 유기물질, 예를들면 에폭시류 또는 글루(glues)가 사용되지 않고 오히려 기계적 수단이 사용되어야 한다. 예를들면, 와이어(wire) 또는 스프링 클립(spring clip) 또는 스크류(screw) 설치공정이 사용될 수 있다. 유사하게는, 기계적 납땜 부착법이 사용될 수 있는데, 여기서, 예를들면 통기구(through-holes)는 블럭형태의 게터물질에 형성되고, 게터는 밀봉커버의 내부표면위에 배치되며, 게터는 상기 통기구를 통해 용융 납땜재(molten solder)를 주입하므로써 커버에 납땜된다. 만약 원한다면, 또 다른 부착수단이 물론 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예 사용하기에 적합한 게터물질의 예들로는 Corning Incorporated(Corning, New York)에 의해 제품번호 7930으로 시판되고 있는 상품명 VYCOR 다공성 실리카와 같은 다양한 다공성 실리카류 및 W. R. Grace & Company에 의해 제품번호 10A로 시판되고 있는 Na-Al-Si 제올라이트와 같은 다양한 제올라이트류가 있다. 만약 원한다면, 게터물질들의 혼합물이 본 발명의 실시에 사용될 수 있다.
상술한 바에 따르면, 패키징 분위기내에 존재하는 산소는 유기 불순물들에 의한 레이저 손상을 최소화시키는 중요한 작용을 한다. 그러나, 수소와 반응하여 레이저 밀봉내에서 수분을 생성시킬 수 있는 산소를 사용하는 것은 단점이 있다. 바꾸어 말해서, 수분은 예를들면 전자부품들을 서로 연결하는 전도체들 사이에 단락을 야기시키므로써 반도체 레이저를 포함한 밀봉내의 전자부품들의 전체적인 공정에 악영향을 미칠 수 있다. 상술한 VYCOR 물질과 같은 유기 불순물들에 부가적으로, 수분을 흡수 또는 흡착하는 게터물질을 사용하므로써 이러한 문제를 최소화시키는데 도움을 줄 수 있다.
본 발명에 따르면, 수분의 문제점은 산소-함유 분위기의 산소와 반응시키기 위한 밀봉내에서 사용가능한 수소의 양을 감소시키므로써 또한 처리된다. 콘테이너의 벽들을 형성시키는데 사용되는 금속들은 밀봉내의 수소의 주원료이다. 예를들면, 전자밀봉을 제작하는데 사용되는 일반적인 물질은 니켈 및 금으로 전기도금된 코바르(Kovar, 니켈 및 코발트 합금)이다. 이의 제조공정동안, 코바르는 수소에서 통상 어닐링된다. 유사하게는, 전기분해 공정동안 수소가 생성되고, 이렇게 생성된 수소는 금속에 흡착된다. 시간의 경과에 따라, 수소가 금속으로부터 방출되고, 밀봉내에서 산소와 반응하여 수분을 형성한다. 따라서, 수소의 문제점은 처음에는 자체적으로 통상 나타내지 않지만, 산소함유 분위기에서 밀봉된 후 반도체 레이저 디바이스가 사용됨에 따라 수소의 문제점은 커지게 된다.
본 발명은 콘테이너의 제조에 사용되는 물질을 전처리하므로써 수소의 문제점을 처리하고 있다. 좀 더 상세하게는, 상기 물질들은 여기에 흡수 또는 흡착된 수소의 양을 실질적으로 감소시키기 위하여 늘어난 시간동안 상승된 온도에서 베이킹시킨다. 예를들면, 니켈 및 금으로 도금된 코바르의 경우, 약 200시간동안 약 150℃의 온도에서 베이킹 공정이 발생할 수 있다. 비록 상기와 같이 좀 더 높은 온도공정들이 요구되지 않음에도 불구하고, 베이킹 온도를 약 350℃로 증가시키므로써 수소를 좀 더 감소시킬 수 있다. 또한 도금된 코바르를 위해 사용되는 시간 및 온도는 밀봉 제조분야에서 알려진 다른 물질들에 통상 적용할 수 있다.
[비교예 1]
Switzerland, Zurich에 소재하는 IBM research facility로부터 제1도에 도시된 것과 실질적으로 같은 구조를 가지는 980㎚ InGaAs 반도체 레이저를 얻었다. 전면을 통해 총출력의 90%를, 후면을 통해 10%의 출력을 전달할 수 있도록 레이저 미러를 배열하였다. 그 다음, 150㎽의 전면 출력을 만들 수 있는 195㎃의 구동전류에서 레이저를 작동하였다. 그후, He/N이 1:9의 비율로 혼합된 혼합물로 채워진 밀폐된 콘테이너내에 레이저를 밀봉시켰다. 밀봉전, 콘테이너를 이소프로필 알콜과 OPTICLEAR로 세정하였다. 상기 레이저를 둘러싸고 있는 대기의 수분함량은 ＜1000ppm이었다.
980㎚의 파장에 반응하는 반도체 다이오드를 사용하여 시간의 경과에 따라 후면 출력을 연속적으로 모니터하였다. 상기 레이저를 위해 선택된 후면 출력에 대한 전면 출력의 비율 때문에, 전면 출력을 단지 미세하게 감소시킬 수 있는 전면 미러 반사도의 미세한 증가로 인하여 후면 출력을 비례하여 상당히 증가시킬 수 있다. 그러므로, 후면 모니터는 전면 반사도의 미세한 변화에도 민감하다. 제4도는 플랫폼(25)위에 장착된 후면 다이오드(23) 및 레이저(21)를 비스듬이 절단한 도면이다. 상기와 같은 배열장치는 콘테이너(27)의 내부에 밀봉되어 있다.
제2도를 참고하면, 라인 13은 He/N 대기를 가지는 비교예 1의 디바이스를 대략 45시간동안 시험하는 동안 관찰된 후면의 출력증가를 나타낸다. 상방으로 예리하게 증가하는 경향은 전면의 반사도가 증가된 것을 가리키며 이에 따라 조숙한 레이저 손상이 가해진다.
[비교예 2]
제2도의 라인 11은 건식 He/N 혼합물을 공기로 대체한 것을 제외하고는 상기 비교예 1에서와 동일한 공정을 사용하여 패키지되었고 비교예 1의 레이저와 실질적으로 동일한 레이저에 대해 측정된 후면 출력을 나타낸다. 264시간 경과후, 후면 출력곡선이 일정해지며, 이것은 레이저 기대수명이 일정하다는 것을 가리킨다.
[비교예 3]
비교예 1에 기술된 것과 같은 불활성 건식분위기에서 980㎚ InGaAs 레이저를 패키지하였다. 이때 구동전류는 약 195㎃이었고 초기 전면 출력은 약 150㎽이었다. 제3도를 참고하면, 라인 15는 후면출력이 단조로운 증가를 보이고 있다는 것을 나타낸다. 그러한 데이타는 조숙한 레이저 손상을 예견한다. 레이저가 손상되기 전, 약 100시간에서 시험을 중단하였다.
[비교예 4]
비교예 3의 레이저 콘테이너를 주변대기에서 구멍을 뚫고 콘테이너의 밀폐상태를 깨뜨려 주변공기를 주입하였다. 레이저 구동전류를 재인가하였고 후면 출력을 다시 모니터하였다. 라인 17은 명목적인 수준으로 감소하고 있으며 그후 일반적인 쇠퇴 기울기로 계속적으로 감소하고 있는 후면 출력을 나타낸다. 여기서, 일반적인 쇠퇴 기울기는 500시간동안에 후면 출력이 약 5% 감소하는 정도이다. 즉, 레이저를 최초 500시간의 작동시에 레이저 후면 출력이 약 5% 감소한다는 것이다.
건조한 공기에서 레이저를 반복시험한 결과, 건조한 He/N 혼합물 대기보다 우수한 특성을 나타내었다.
콘테이너의 완전한 세정공정은 증기 불순물들을 매우 낮은 수준으로 감소시킬 수 있기 때문에 100ppm보다 낮은 수준의 산소는 레이저 면 미러를 원상태로 유지시키기에 충분할 것으로 생각된다. 일반적으로, 유기 불순물들은 세정공정에 의해 최소화될 수 있다. 역으로, 만약 증기 불순물의 수준이 상대적으로 높다면, 산소수준은 존재하는 불순물 분자들과 화학양론적으로 반응할 수 있도록 증가되어야 한다. 바람직하기로는, 산소농도는 유기 불순물로 이루어진 무해 산화물을 형성시키는 반응이 열역학적으로 강력히 요망되는 정도이다. 이러한 경우, 산소의 양은 화학양론적 양보다 많을 것이다.
공기를 구성하는 산소에 부가적으로, 또 다른 기본적인 합성가스들은 고출력 레이저 면구조를 원상태로 유지하는데 바람직하지 못할 것으로 생각된다. 따라서, 흔히 알려진 수많은 가스들과 산소의 혼합물은 적절한 고출력 반도체 레이저용 가스매체로서 작용할 것이다. 예를들면, 아르곤, 헬륨 또는 질소 및 산소의 혼합물은 적절한 레이저용 분위기를 구성할 것이다.
제4도에 도시된 광도파관 증폭섬유(19)는 전면의 레이저(21)에 연결되고 콘테이너(27)의 벽을 통과하고 있는 것으로 도시되어 있다. 이러한 배열장치는 증폭섬유에 출력을 제공하는 전형적인 펌프 레이저이다.
[실시예 5]
레이저를 사용하여 증폭섬유에 출력을 제공하기 위한 다른 부품들과 함께, 비교예 1에 기술된 형태의 980㎚ InGaAs 반도체 레이저를 다음과 같이 산소-함유 대기로 채워진 낮은 수소함량의 코바르 콘테이너 내에서 VYCOR 유리게터(제품번호 7930)와 함께 밀봉하였다.
상기 레이저용 콘테이너를 금 및 니켈로 도금된 코바르로 두부분으로 제조하였다--레이저와 다른 부품들을 유지하기 위한 바디부 및 VYCOR 게터를 운반하기 위한 커버부. 상기 두부분을 N2로 정제된 가마에서 200시간동안 150℃로 베이킹하였다. 상기 콘테이너의 내부용적은 약 5㎤이었다.
VYCOR 게터를 적어도 0.5시간동안 650℃에서 베이킹시켜 상기 물질을 활성화시켰으며 이미 흡수 또는 흡착되어 있는 유기물질들을 제거하였다. 상술한 바 있는 게터에 형성되어 있는 통기구를 사용하여 이미 베이킹된 커버에 약 0.75그램의 중량을 가지는 물질의 일부를 부착하였다.
반도체 레이저 및 다른 부품들을 콘테이너의 바디부에 장착하였다. 상기 바디부와 함께 바디부에 부착된 게터를 가지는 커버부를 그후 12시간동안 100℃에서 진공 베이킹시켰다. 최종적으로, 상기 두부분을 상기에서 언급한 00.1 공기제품의 대기에서 서로 밀봉하였다. 플럭스가 없는 전기저항 가열공정에 의해 밀봉공정을 수행하였다.
본 실시예의 반도체 레이저는 늘어난 시간동안, 즉 5000시간동안 성공적으로 작동된다는 것을 알 수 있었다. 즉, 시험종료시 패키지 대기에서의 수분농도가 5000ppm이하인 패키지내에서 유리수분이 최소로 존재하였다. 따라서, 패키지된 고출력 반도체 레이저는 원격통신 시스템에서 증폭섬유에 출력을 제공하기 위해 사용되는데 적합하다.
전술한 내용들은 본 발명을 좀 더 상세히 설명하기 위한 것이지, 이것이 본 발명의 범주를 한정하는 것은 아니다.

Claims (31)

  1. GaAs 기판으로 이루어지며, 적어도 50㎷의 작동 광출력을 갖는 반도체 레이저; 및 상기 반도체 레이저 및 적어도 100ppm보다 많은 양의 산소가 함유된 가스매체로 채워져 있는 용접 밀폐 콘테이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레이저는 면구조이며, 상기 면구조에 들어온 불순물로 인한 손상을 방지하기에 충분한 양의 산소를 함유하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  3. 제1항에 있어서, 상기 콘테이너는 수소 감소 공정을 거친 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  4. 제3항에 있어서, 상기 수소 감소 공정은 상승된 온도, 바람직하기로는 약 200시간 동안 약 150℃에서 상기 물질을 굽는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  5. 제1항에 있어서, 상기 콘테이너는 게터를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 콘테이너는 커버 및 상기 커버에 의해 지탱되거나 또는 상기 커버에 기계적으로 부착되어 있는 게터를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스매체의 수분함량은 5000ppm, 바람직하게는 1000ppm 이하인 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스매체는 레이저의 물질에 비하여 상대적으로 불활성인 성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  9. 광도파관 증폭섬유를 펌핑시키는 방법에 있어서, 제1항의 패키지된 반도체 레이저를 디바이스 내에서 사용하는 것을 특징으로 하는 광도파관 증폭섬유를 펌핑시키는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 레이저는 적어도 50㎽의 전면 출력에서 실질적으로 연속적으로 작동되는 것을 특징으로 하는 광도파관 증폭섬유를 펌핑시키는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저는 InGaAs 활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  12. 제1항에 있어서, 상기 가스 매체는 0.1ppm의 전체 탄화수소 미만을 함유하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  13. 제1항에 있어서, 상기 가스 매체는 적어도 100ppm의 O2와 Ar, He 및 N2로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  14. 제1항에 있어서, 상기 밀폐된 콘테이너는 광도파관 섬유의 시그먼트를 더 함유하고, 상기 도파관 섬유의 말단은 상기 레이저와 결합하고 상기 광도파관 섬유는 상기 콘테이너의 벽을 통해 통과하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  15. InGaAs 반도체 레이저; 및 상기 반도체 레이저 및 적어도 100ppm의 산소가 함유된 가스 매체를 포함하는 용접 밀폐 콘테이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  16. 제15항에 있어서, 상기 가스 매체는 5000ppm 미만의 수분을 함유하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  17. 제15항에 있어서, 상기 가스 매체는 1000ppm 미만의 수분을 함유하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  18. 제15항에 있어서, 상기 가스 매체는 0.1ppm 미만의 전체 탄화수소를 함유하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  19. 제15항에 있어서, 상기 가스 매체는 적어도 100ppm의 O2와 Ar, He 및 N2로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  20. 제15항에 있어서, 상기 용접 밀폐된 콘테이너는 게터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  21. 제15항에 있어서, 상기 용접 밀폐된 콘테이너는 광도파관 섬유의 시그먼트를 더 함유하고, 여기서 상기 광도파관 섬유의 말단은 상기 레이저와 결합하고 상기 광도파관 섬유는 상기 콘테이너의 벽을 통해 통과하는 것을 특징으로 하는 패키지된 고출력 반도체 레이저.
  22. (a) 콘테이너에 레이저를 고정시키는 단계; (b) 적어도 100ppm의 산소를 함유하는 가스 매체를 상기 콘테이너에 주입시키는 단계; (c) 상기 주입된 가스 매체 및 상기 레이저를 포함하는 상기 콘테이너를 용접 밀폐시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘테이너에서 고출력 GaAs 기판 반도체 레이저를 패키지하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 유기 불순물을 흡수하기 위한 게터를 상기 콘테이너로 주입시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 콘테이너에서 고출력 GaAs 기판 반도체 레이저를 패키지하는 방법.
  24. 제22항에 있어서, 상기 반도체 레이저는 InGaAs 활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 콘테이너에서 고출력 GaAs 기판 반도체 레이저를 패키지하는 방법.
  25. 제22항에 있어서, 상기 주입된 가스 매체는 5000ppm 미만의 수분을 함유하는 것을 특징으로 하는 콘테이너에서 고출력 GaAs 기판 반도체 레이저를 패키지하는 방법.
  26. 제22항에 있어서, 상기 주입된 가스매체는 1000ppm 미만의 수분을 함유하는 것을 특징으로 하는 콘테이너에서 고출력 GaAs 기판 반도체 레이저를 패키지하는 방법.
  27. 제22항에 있어서, 상기 주입된 가스 매체는 적어도 100ppm의 O2와 Ar, He 및 N2로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘테이너에서 고출력 GaAs 기판 반도체 레이저를 패키지하는 방법.
  28. 제22항에 있어서, 상기 주입된 가스 매체는 0.1ppm 미만의 전체 탄화수소를 함유하는 것을 특징으로 하는 콘테이너에서 고출력 GaAs 기판 반도체 레이저를 패키지하는 방법.
  29. 제22항에 있어서, 상기 콘테이너의 수소의 함량을 감소시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 콘테이너에서 고출력 GaAs 기판 반도체 레이저를 패키지하는 방법.
  30. 제22항에 있어서, 광도파관 섬유 시그먼트의 말단을 상기 레이저에 결합시키고, 상기 광도파관 섬유 시그먼트를 상기 콘테이너를 통해 통과시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 콘테이너에서 고출력 GaAs 기판 반도체 레이저를 패키지하는 방법.
  31. 콘테이너로 적어도 100ppm의 산소를 함유하는 가스 매체를 주입시키는 단계; 및 레이저 및 상기 주입된 가스 매체를 포함하는 상기 콘테이너를 용접 밀폐시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘테이너에서 고출력 InGaAs 반도체 레이저를 패키지 하는 방법.
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Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5513198A (en) * 1993-07-14 1996-04-30 Corning Incorporated Packaging of high power semiconductor lasers
BE1007779A3 (nl) * 1993-11-25 1995-10-17 Philips Electronics Nv Opto-electronische halfgeleiderinrichting met een straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze van een dergelijke inrichting.
US5696785A (en) * 1994-10-11 1997-12-09 Corning Incorporated Impurity getters in laser enclosures
CA2162095A1 (en) * 1994-12-27 1996-06-28 Jeffery Alan Demeritt Getter housing for electronic packages
US5898211A (en) * 1996-04-30 1999-04-27 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode package with heat sink
JPH10178077A (ja) * 1996-12-17 1998-06-30 Nec Corp 半導体基板の定量汚染試料の作製方法
SG72795A1 (en) * 1997-03-21 2000-05-23 Tokuyama Corp Container for holding high-purity isopropyl alcohol
EP1038312A1 (en) * 1998-01-07 2000-09-27 Fed Corporation Assembly for and method of packaging integrated display devices
US5913108A (en) * 1998-04-30 1999-06-15 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US6008529A (en) * 1998-06-25 1999-12-28 Bily Wang Laser diode package
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
JP2000133736A (ja) 1998-10-26 2000-05-12 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置
US6123464A (en) * 1999-02-10 2000-09-26 The Furukawa Electric Co., Ltd. Optical module package and method for manufacturing the same
US6636538B1 (en) 1999-03-29 2003-10-21 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US6220767B1 (en) 1999-05-14 2001-04-24 Corning Incorporated Semiconductor laser optical waveguide telecommunications module and method of making
TWI233430B (en) * 2000-01-28 2005-06-01 Shinetsu Chemical Co Method for manufacturing glass base material, glass base material, and optical fiber
US6590283B1 (en) * 2000-02-28 2003-07-08 Agere Systems Inc. Method for hermetic leadless device interconnect using a submount
JP4629843B2 (ja) * 2000-09-29 2011-02-09 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール及びその製造方法並びにシステム
US6387723B1 (en) 2001-01-19 2002-05-14 Silicon Light Machines Reduced surface charging in silicon-based devices
US6700913B2 (en) 2001-05-29 2004-03-02 Northrop Grumman Corporation Low cost high integrity diode laser array
JP2003110180A (ja) * 2001-07-25 2003-04-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュール並びに光測定方法及び光測定装置
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
JP2003163407A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Fujitsu Ltd 光半導体装置
US7110425B2 (en) * 2002-04-03 2006-09-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser module and production process thereof
US6767751B2 (en) * 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US7160368B1 (en) 2002-07-12 2007-01-09 Em4, Inc. System and method for gettering gas-phase contaminants within a sealed enclosure
DE10241983A1 (de) * 2002-09-11 2004-03-25 Tui Laser Ag Festkörperlasersystem mit Gehäuse sowie Verfahren zur Montage
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
TWI236196B (en) * 2003-04-24 2005-07-11 Sanyo Electric Co Semiconductor laser device
US7553355B2 (en) * 2003-06-23 2009-06-30 Matheson Tri-Gas Methods and materials for the reduction and control of moisture and oxygen in OLED devices
US20050044802A1 (en) * 2003-08-27 2005-03-03 Bellman Robert A. Method and module for improving the lifetime of metal fluoride optical elements
US7560820B2 (en) * 2004-04-15 2009-07-14 Saes Getters S.P.A. Integrated getter for vacuum or inert gas packaged LEDs
JP2006013436A (ja) * 2004-05-26 2006-01-12 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ装置、その製造方法およびその組み立て装置
CN100355161C (zh) * 2004-05-26 2007-12-12 夏普株式会社 氮化物半导体激光器件
JP4030556B2 (ja) * 2005-06-30 2008-01-09 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置
CN100454694C (zh) * 2005-08-02 2009-01-21 夏普株式会社 氮化物半导体发光器件
KR100694019B1 (ko) * 2006-02-16 2007-03-12 주식회사 두산 유기 전계 발광소자용 패키징 재료
JP2007280975A (ja) * 2006-03-13 2007-10-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ
JP5030625B2 (ja) * 2006-03-22 2012-09-19 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置
US7656915B2 (en) 2006-07-26 2010-02-02 Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction
JP4895791B2 (ja) 2006-12-14 2012-03-14 株式会社リコー 光学装置、半導体レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置
AU2009330191B2 (en) 2008-12-22 2013-03-14 Ams Research Corporation Laser resonator
US8345720B2 (en) 2009-07-28 2013-01-01 Northrop Grumman Systems Corp. Laser diode ceramic cooler having circuitry for control and feedback of laser diode performance
US9498846B2 (en) * 2010-03-29 2016-11-22 The Aerospace Corporation Systems and methods for preventing or reducing contamination enhanced laser induced damage (C-LID) to optical components using gas phase additives
US8672929B2 (en) 2010-12-15 2014-03-18 Ams Research Corporation Laser probe tip
US9590388B2 (en) 2011-01-11 2017-03-07 Northrop Grumman Systems Corp. Microchannel cooler for a single laser diode emitter based system
US8660164B2 (en) 2011-03-24 2014-02-25 Axsun Technologies, Inc. Method and system for avoiding package induced failure in swept semiconductor source
US8937976B2 (en) 2012-08-15 2015-01-20 Northrop Grumman Systems Corp. Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier
US9323051B2 (en) 2013-03-13 2016-04-26 The Aerospace Corporation Systems and methods for inhibiting contamination enhanced laser induced damage (CELID) based on fluorinated self-assembled monolayers disposed on optics
US9625671B2 (en) 2013-10-23 2017-04-18 Lasermax, Inc. Laser module and system
US9859680B2 (en) 2013-12-17 2018-01-02 Lasermax, Inc. Shock resistant laser module
KR101549406B1 (ko) * 2014-04-04 2015-09-03 코닝정밀소재 주식회사 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법
JP6624899B2 (ja) * 2015-11-18 2019-12-25 住友電気工業株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法
ITUB20160888A1 (it) * 2016-02-19 2017-08-19 Getters Spa Sistema led
US11079227B2 (en) 2019-04-01 2021-08-03 Honeywell International Inc. Accelerometer system enclosing gas
US11119116B2 (en) 2019-04-01 2021-09-14 Honeywell International Inc. Accelerometer for determining an acceleration based on modulated optical signals
US10956768B2 (en) 2019-04-22 2021-03-23 Honeywell International Inc. Feedback cooling and detection for optomechanical devices
US10705112B1 (en) 2019-04-22 2020-07-07 Honeywell International Inc. Noise rejection for optomechanical devices
US11408911B2 (en) 2019-07-17 2022-08-09 Honeywell International Inc. Optomechanical structure with corrugated edge
US11119114B2 (en) 2019-07-17 2021-09-14 Honeywell International Inc. Anchor structure for securing optomechanical structure
US11408912B2 (en) 2019-08-13 2022-08-09 Honeywell International Inc. Feedthrough rejection for optomechanical devices
US11372019B2 (en) 2019-08-13 2022-06-28 Honeywell International Inc. Optomechanical resonator stabilization for optomechanical devices
US11150264B2 (en) 2019-08-13 2021-10-19 Honeywell International Inc. Feedthrough rejection for optomechanical devices using elements
DE102022102087A1 (de) 2022-01-28 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserpackage und verfahren zur herstellung eines laserpackage

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3576474A (en) * 1968-02-23 1971-04-27 Gen Motors Corp Passivated power rectifier
US3810044A (en) * 1973-02-22 1974-05-07 Hughes Aircraft Co Methods for protecting laser optical elements from surface damage
US4352119A (en) * 1979-09-17 1982-09-28 Beckman Instruments, Inc. Electrical device and method for particle entrapment device for an electrical component
JPS5661761A (en) * 1979-10-24 1981-05-27 Toshiba Corp Metal-vapor electric-discharge lamp
JPS5941620A (ja) * 1982-08-31 1984-03-07 Mazda Motor Corp ディ−ゼルエンジンの排気ガス浄化装置
FR2538618B1 (fr) * 1982-12-28 1986-03-07 Inf Milit Spatiale Aeronaut Boitier pour composant electronique comportant un element fixant l'humidite
US4563368A (en) * 1983-02-14 1986-01-07 Xerox Corporation Passivation for surfaces and interfaces of semiconductor laser facets or the like
US4656638A (en) * 1983-02-14 1987-04-07 Xerox Corporation Passivation for surfaces and interfaces of semiconductor laser facets or the like
NL8300631A (nl) * 1983-02-21 1984-09-17 Philips Nv Inrichting voor het opwekken van coherente straling.
JPS59208860A (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体装置
JPS60186076A (ja) * 1984-03-05 1985-09-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体発光装置
US4631267A (en) * 1985-03-18 1986-12-23 Corning Glass Works Method of producing high-strength high surface area catalyst supports
JPS62212220A (ja) * 1986-03-13 1987-09-18 Toyo Soda Mfg Co Ltd ゼオライト成型体の製造方法
JPS62297211A (ja) * 1986-06-13 1987-12-24 Kanebo Ltd ゼオライト多孔体及びその製造法
US4769345A (en) * 1987-03-12 1988-09-06 Olin Corporation Process for producing a hermetically sealed package for an electrical component containing a low amount of oxygen and water vapor
GB8807385D0 (en) * 1988-03-29 1988-05-05 British Telecomm Semiconductor device assembly
US4980137A (en) * 1989-04-03 1990-12-25 Sanitech, Inc. Process for NOx and CO control
US5144634A (en) * 1989-09-07 1992-09-01 International Business Machines Corporation Method for mirror passivation of semiconductor laser diodes
JPH0484480A (ja) * 1990-07-27 1992-03-17 Nec Corp チップキャリア型複合光素子
JP2820557B2 (ja) * 1991-08-01 1998-11-05 富士通株式会社 伝送ネットワーク集中監視システム
JPH05343812A (ja) * 1992-06-12 1993-12-24 Kubota Corp 半導体装置
US5513198A (en) * 1993-07-14 1996-04-30 Corning Incorporated Packaging of high power semiconductor lasers
US5392305A (en) * 1993-07-14 1995-02-21 Corning Incorporated Packaging of high power semiconductor lasers

Also Published As

Publication number Publication date
CA2128068A1 (en) 1995-01-15
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