KR100284272B1 - 전자방출소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다이아몬드층을 이용한 MIS, pn, pin구조로 순방향 바이어스를 인가하고, 전자를 전자공급층(12)에서 p형의 다이아몬드층(13)에 공급함으로써, 효율적으로 전자선을 방출하는 전자방출소자를 제공하는 것으로써, 전자방출소자의 제조방법으로써, 기상합성법에 의한 연속막상의 다이아몬드층을 형성하고, 에칭에 의해 다이아몬드층을 소정의 두께로 조정한다. 또한, 다이아몬드층(13)표면의 전자친화력상태를 임의로 제어하기 위해, 상기 표면을 진공자외선 조사나 수소 또는 산소 플라즈마에 노출시키는 방법등을 이용한다.
Description
종래의 전자방출소자는 텅스텐(W)등의 재료를 고온으로 가열하여 전자를 인출하는 열음극이 이용되어 왔다. 최근, 그와같은 전자총에 대신하는 전자선원으로써 냉음극 타입의 미소전자방출소자가 주목되고 있다. 이와같은 타입의 전자방출소자로써는 일반적으로는 전계방출형이나 pn 및 숏 키 접합을 이용한 애벌란시(avalanche) 증폭형 등이 보고되고 있다.
전계방출형의 전자방출소자는 인출전극에 전압을 걸어 전계를 인가함으로써, 실리콘(Si)이나 몰리브덴(Mo)등의 고융점 금속등으로 제작된 콘형상의 에미터부에서 전자를 방출시키는 것이고, 미세가공기술을 이용하므로써 소형화를 도모할 수 있는등의 특징을 가진다.
그에대해 반도체 재료를 이용한 에벌란시 증폭형의 것은 pn 및 숏 키 접합부분에 역바이어스 전압을 인가하여 에벌란시 증폭을 일으킴으로써 전자를 핫(hot)화하고, 에미터 부분에서 전자를 방출하는 것이다.
이와같은 전자방출소자의 재료로서 요구되는 특성은 1) 비교적 작은 전계에서 전자를 방출하기 쉬운 것, 즉 그 물질의 전자친화력이 작은 것, 2) 안정된 전자방출 특성을 유지하기 위해 에미터부 표면이 화학적으로 안정되는 것, 3) 내마모성이나 내열성에 뛰어난 것등이 있다.
그와같은 관점에서 종래 기술을 본 경우, 전계방출형 소자는 방출전류량의 에미터부 형상 의존성이 크고, 그 제작, 제어가 매우 곤람함과 동시에, 이용되는 재료의 표면 안정성의 점에서 문제가 있었다. 또한 이 방식에서는 개개의 소자는 점의 전자방출원이고, 면상의 전자방출류를 얻는 것이 곤란했다.
또한 에벌란시 증폭형은 일반적으로 배우 큰 전류량을 소자에 인가할 필요가 있으므로, 소자의 발열이 일어나고, 이 때문에 전자방출특성이 불안정하거나 소자수명이 짧아지는 문제점이 있었다. 또한 에벌란시 증폭형에서는 에미터부 표면에 세슘(cesium)등의 작용함수가 작은 재료는 화학적으로 불안정하기 때문에 표면형태가 안정되지 않은 즉 전자방출특성이 안정되지 않는 문제점도 있었다.
이상과 같이 지금까지 이용되어 온 재료 및 구조는 전자방출소자에 요구되는 특성을 충분하게 만족시키지 않았다.
이에 대해 다이아몬드는 광금제대폭(廣禁制帶幅)(5.5eV)을 가지는 반도체 재료이고, 그 특성은 고경도, 내마모성, 고열전도율, 화학적으로 불활성인등 전자방출소자재료로써 매우 적합하다. 또한, 다이아몬드는 그 표면형태를 제어함으로써, 전도대끝의 에너지 준위가 진공의 에너지 전위보다 높아진다. 즉 음의 전자 친화력의 상태로 하는 것이 가능하다. 즉 다이아몬드층의 전도대에 전자를 주입하면 용이하게 전자를 방출시키는 것이 가능하게 되는 이점을 가진다. 추가하여 다이아몬드는 일반적으로 탄소계 가스종류와 수소가스를 원료가스로 한 기상합성법(氣相合成法)으로 용이하게 형성하는 것이 가능하고 제조적인 면에서도 우위성을 가진다. 그러나, 금속과 다이아몬드의 전도대의 에너지 밴드가 크게 다르기 때문에, 단순히 전극을 다이아몬드에 접촉시킴으로써, 다이아몬드의 전도대에 전자를 공급하는 것은 용이하지 않다. 지금까지 다이아몬드의 전도대에 효율적으로 전자를 공급하는 방법이나 제조에 대해서는 상세하게 검토되지 않고, 다이아몬드의 전도대에 전자를 공급하여 방출시키는 전자방출소자는 실현되지 않았다.
본 발명은 종래기술에 있어서의 상기 과제를 해결하기 위해, 효율적으로 전자선을 방출하는 전자방출소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 2개의 다른 전자층에서 적어도 전자공급층이나 다이아몬드층을 끼운 구조를 형성함으로써, 용이하게 전자선을 방출하는 전자방출소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 전자선을 방출하는 전자방출소자에 관한 것으로, 특히 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
제1도는 본 발명의 전극층과 전자공급층과 다이아몬드층을 포함하는 적층구조로 이루어지는 전자방출소자의 일실시형태를 도시하는 도면.
제2도는 본 발명의 전극층과 전자공급층과 다이아몬드층과 절연체층을 포함하는 적층구조로 이루어지는 전자방출소자의 일실시형태를 도시하는 도면.
제3도는 본 발명의 다이아몬드층을 이용한 MIS형 전자방출소자의 일실시형태를 도시하는 도면.
제4(a)도, 제4(b)도는 본 발명의 다이아몬드층을 이용한 MIS형 전자방출소자의 에너지 밴드를 도시하는 모식도.
제5도는 본 발명의 다이아몬드층을 이용한 pn 접합형 전자방출소자의 일실시형태를 도시하는 도면.
제6(a)도, 제6(b)도는 본 발명의 다이아몬드층을 이용한 접합형 전자방출소자의 에너지 밴드를 도시하는 모식도.
제7도는 본 발명의 다이아몬드층을 이용한 MIS형 전자방출소자의 일실시예를 도시하는 단면도.
제8(a)도∼제8(f)도는 본 발명의 다이아몬드층을 이용한 MIS형 전자방출소자의 일실시예를 형성하기 위한 프로세스를 도시하는 도면.
제9도는 본 발명의 다이아몬드층을 이용한 pn접합형 전자방출소자의 일실시예를 도시하는 단면도.
제10(a)도∼제10(f)도는 본 발명의 다이아몬드층을 이용한 pn접합형 전자방출소자의 일실시예를 형성하기 위한 프로세스를 도시하는 도면이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 전자방출소자는 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자로써, 전극층과 전자공급층과 다이아몬드층을 포함하는 적층구조를 가지고, 상기 전자공급층에서 상기 다이아몬드층에 전자를 공급하는 것을 특징으로 한다.
상기 전자방출소자에 있어서는, 금속에 의한 전극층과 전자 공급층이 절연체층을 포함하고, 다이아몬드층이 p형의 다이아몬드층을 포함하는 MIS(metal －insulator－semiconductor)구조이고, 상기 MIS 구조에 순방향 바이어스를 인가하여 전자를 상기 p형의 다이아몬드층에 공급하는 것이 바람직하다.
또한 상기 전자방출소자에 있어서는 전극층이 금속이고, 전자공급층이 n형인 반도체층을 포함하고, 다이아몬드층이 p형인 다이아몬드층을 포함하는 pn구조로 순방향 바이어스를 인가하는 것이 바람직하다.
또한 상기 전자방출소자에 있어서는, 전극층이 금속이고, 전자공급층이 n형인 반도체층 및 i형의 반도체층을 포함하고, 다이아몬드층이 p형인 다이아몬드층을 포함하는 pin구조이고, 상기 pin구조에 순방향 바이어스를 인가하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 전자방출소자에 있어서는, 다이아몬드층의 두께가 5μm이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직한 것은 다이아몬드층의 두께는 0.05μm 이상 1μm이하이다.
또한, 다이아몬드층이 적어도 p형인 다이아몬드층을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, p형의 다이아몬드층의 전기저항율이 1×104Ω·cm이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직한 것은, p형인 다이아몬드층의 전기저항율은 1×10－2Ω·cm 이상 1×102Ω·cm이하이다.
다음에 본 발명의 전자방출소자의 제조방법은 기판소재상에 기상합성법에 의해 연속막상의 다이아몬드층을 형성하는 것을 특성으로 한다.
상기 방법에 있어서는 다이아몬드층의 막두께가 1μm 이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직한 것은 다이아몬드층의 막두께는 0.05μm 이상 1μm 이하이다.
또한 상기 방법에 있어서는 기판소재상에 기상합성법에 의해 다이아몬드층을 형성한 후, 다시 상기 다이아몬드층의 기판소재측의 면 및 상기 다이아몬드층을 표면측의 면에서 선택되는 적어도 하나의 면에서 소정 두께이하까지 상기 다이아몬드층을 에칭하는 것이 바람직하다. 상기 소정 두께란 0.05μm 이상 1μm 이하가 바람직하다.
또한 상기 방법에 있어서는, 다이아몬드층을 형성한 후, 다시 상기 다이아몬드층의 소정 영역에 파장이 200nm이하인 진공 자외광을 조사하는 것이 바람직하고, 또한 100nm 이상 200nm이하가 바람직하다.
또한 상기 방법에 있어서는 다이아몬드층을 형성한 후, 다시 상기 다이아몬드층의 소정의 영역을 수소를 포함하는 가스를 방전분해하여 얻어지는 플라즈마에 노출시키는 것이 바람직하다.
또한 상기 방법에 있어서는 다이아몬드층을 형성한 후, 다시 상기 다이아몬드층의 소정의 영역을 산소를 포함하는 가스를 방전분해하여 얻어지는 플라즈마에 노출시키는 것이 바람직하다.
또한 상기 방법에 있어서는 다이아몬드층을 형성한 후, 다시 가열한 다이아몬드층을 수소를 포함하는 가스중에 노출시키는 것이 바람직하다.
또한 상기 방법에 있어서는 다이아몬드층을 형성한 후, 다시 가열한 다이아몬드층을 산소를 포함하는 가스중에 노출시키는 것이 바람직하다.
배경기술의 항에 기재한 바와같이 다이아몬드는 음의 전자 친화력을 가지고, 전자방출소자재료로서 적합하지만, 전자를 방출시키기위해서는 에미터가 되는 영역인 다이아몬드의 전도대에 전자를 공급할 필요가 있다. 또한 전자를 용이하게 방출시키기 위해서는 에미터부의 표면상태를 제어할 필요도 있다. 즉 다이아몬드층을 이용한 고효율 전자방출소자를 형성하기 위해서는 1) 에미터 영역에의 전자의 공급방법 및 2) 에미터부 표면의 제어방법이 중요해진다.
상기 본 발명의 실시형태에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자로써, 적어도 전극층과 전자공급층과 다이아몬드층을 포함하는 적층구조로 이루어지기 때문에, 이하와 같은 작용을 발휘한다.
제1도는 본 실시형태를 도시하는 소자의 개략도이다. 2개의 다른 전극층11a, 11b간에 바이어스를 인가함으로써, 끼워진 전자공급층(12) 및 다이아몬드층(13)에 전계를 인가하는 것이 용이하게 가능해진다. 그 때, 인가 바이어스의 크기를 제어함으로써, 적당한 전계를 전자공급층(12)에 부여할 수 있다. 그 결과, 전자를 한쪽의 전극층(11a)에서 전자공급층(12), 다시 전자공급층(12)에서 다이아몬드층(13)에 용이하게 주입하는 것이 가능해짐과 동시에, 다이아몬드층의 표면(14)의 상태를 제어함으로써 음의 전자친화력의 상태로 하는 것이 가능하므로, 효율적으로 전자를 외부로 인출하는 것이 가능해진다. 음의 전자친화력을 가지는 다이아몬드층의 표면(14)의 상태는 특별히 한정되지는 않지만, 다이아몬드층(13)의 최표면의 탄소원자에 수소원자를 결합시킴으로써 용이하게 실현된다. 또한 전자공급층으로써는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 절연성의 다이아몬드나 절연체층등이 이용된다.
이와같은 실시형태의 경우, 전자공급층(12)에 전계가 걸려 다이아몬드층(13)에 전자가 공급되면 되기 때문에, 반드시 제1도의 전극(11b)과 같이 다이아몬드층(13)에 접할 필요는 없고, 전극(11c)과 같이 간격을 두고 다이아몬드층측의 공간에 설치되어도 된다. 이 실시형태에 있어서는 이하와 같은 작용을 발휘한다. 즉, 어떤 방법, 예를들면 터너링 주입, 광여기, 열여기등의 방법으로 전극층(11a)에서 전자공급층(12)에 전자를 주입하면, 전자공급층(12)에서 다이아몬드층(13)의 전도대에 전자가 공급된다. 이와같이 하여 음의 전자친화력을 가지는 다이아몬드의 전도대에 공급된 전자는 다이아몬드층 표면(14)에서 용이하게 외부로 인출된다. 그 결과, 종래보다 작은 에너지로 효율적으로 방출전자(화살표15로 표시한다)를 얻는 것이 가능하다.
또한 상기의 실시형태에서는 2개의 전극(11a), (11b)에 의해 적어도 전자공급층(12)과 다이아몬드층(13)을 끼웠는데, 전자공급층에 전계가 걸려 다이아몬드층에 전자가 공급되면 되므로, 전자공급층만에 전압을 인가해도 본 발명의 전자방출소자를 실현할 수 있다. 이 경우는 2개의 전극층의 배치는 전자공급층만을 끼운 구조가 된다. 다이아몬드층은 전자공급층과 접하여 전극과 같은 전자방출면측에 형성된다.
또한 이들 실시형태에 있어서 이용되는 다이아몬드층(13)으로써는 페르미(Fermi) 레벨이 가전자대끝 부근에 존재하기 때문에 전도대끝의 레벨이 진공준위보다 높아진 음의 전자친화력상태가 현저해지는 p형의 다이아몬드층이 적합하고, 그 두께 및 전기저항률값은 5μm 이하 및 1×104Ω·cm이하, 더욱 바람직한 것은 1μm 이하 및 1×102Ω·cm 이하이다. 그 이유는 막두께가 상기와 같이 얇은 경우는 전자공급층(12)에서 다이아몬드층(13)의 전도대에 공급된 전자는 용이하게 다이아몬드층의 표면(14)에 도달하고, 외부에 방출전자(15)로써 인출되는데, 막두께가 두꺼워지면 표면에 도달하기 전에 가전자대에 천이하거나 전극에 끌려 방출효율이 저하하기 때문이다. 또한 전기저항률치는 상기의 값보다 큰 경우는 다이아몬드의 페르미 레벨이 금제대(禁制帶)의 중앙에 가깝고, 음의 전자친화력특성이 저하해버린다. 또한 전지저항율값이 높을 경우에는 상대적으로 전자공급층에 인가되는 전계의 비율이 감소하기 때문에, 전자의 공급효율이 저하해버린다.
또한 상기 p형의 다이아몬드층에 포함되는 붕소(B)원자 농도로써는 1×1016개/cm3이상 1×1020개/cm3이하이고, 더욱 바람직하게는 1×1017개/cm3이상이다. 이와같은 값은 p형의 다이아몬드층의 형성조건을 제어함으로써 용이하게 실현된다. 상기 붕소원자 농도 이하의 경우는 다이아몬드층의 전기저항율값이 큰 경우에 대응하고, 소자효율이 저하한다.
또한 상기 다이아몬드층의 전자방출표면은 수소에 의해 종단되면 음의 전자친화력성이 뛰어나고, Cs, Ni, Ti, W, H, a－C(a는 아몰퍼스를 표시한다)등에 의해 피복되는 경우라도 전자방출소자로써 기능한다. 그 부착원자밀도로써는 1×1015atoms/cm2이상 1×1017atoms/cm2이하가 적합하다. 또한, 수소로 종단된 다이아몬드 표면은 일반적으로 도전성을 가지고 있고, 이 표면 도전층도 다이아몬드의 전자방출표면으로써 유효하다.
또한, 전극간에 인가되는 바이어스 범위로써는 전자공급층(12) 및 다이아몬드층(13)의 두께나 전기저항치에도 의존하는데, 0.1V 이상 100V 이하로 동작하는 전자방출소자를 실현할 수 있다.
또한, 상기 본 발명의 다른 실시형태에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자로써, 적어도 전극층과 전자공급층과 다이아몬드층과 상기 다이아몬드층과 접하여 적층된 절연체층을 포함한 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하기 때문에, 이하와 같은 작용을 가진다.
제2도는 본 실시형태를 도시하는 소자의 개략도이다. 2개의 다른 전극층(21a), (21b)간에 바이어스를 인가함으로써, 끼워진 전자공급층(22)과 다이아몬드층(23)에 전계를 인가하는 것이 용이하게 가능해진다. 그 때, 인가 바이어스의 크기를 제어함으로써, 적당한 전계를 전자공급층(22)에 부여할 수 있다. 그 결과, 전자를 한쪽의 전극층(21a)에서 전자공급층(22), 다시 전자공급층(22)에서 다이아몬드층(23)에 용이하게 주입하는 것이 가능해짐과 동시에, 주입된 전자중 외부로 인출되지 않고 다른쪽의 전극(21b)으로 흐른 부분을 절연체층(25)에 의해 억제하는 것이 가능하므로, 음의 전자친화력을 가지는 다이아몬드층의 표면(24)에서 효율적으로 전자(화살표26으로 표시한다)를 인출하는 것이 가능해진다.
2개의 전극간의 인가 바이어스 범위로써는, 상기와 같은 전자공급층(22) 및 다이아몬드층(23)의 두께나 전기저항치에도 의존하는데, 0.1V 이상 100V 이하에서 전자가 공급되며, 다이아몬드층 표면에서 전자가 방출된다.
또한, 본 발명에 있어서 이용되는 다이아몬드층으로써는 상기와 같이 p형의 다이아몬드층이 적합하고, 요망되는 특성에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 절연체층(25)으로써는 전자공급층(22)에 인가되는 전계량에 영향을 주지않고, 또한 전극층(21b)으로의 전류를 차단하는 정도의 두께 및 전기저항율을 가지는 것이 적합하다. 구체적으로는 1μm 이하의 두께이고, 또한 1×104Ω·cm이상 1×1012Ω·cm 이하가 바람직하고, 또한 1×108Ω·cm 이상의 전기저항율을 가지는 것이 바람직하다. 막두께가 두꺼워지면 전극간(21a), (21b)사이에 인가한 전계중, 절연체층(25)에 걸리는 비율이 증가하기 때문에, 전자공급층에서의 전자의 공급효율이 감소하기 때문이다. 상기 절연체층(25)의 재질등에 대해서는 특별히 한정되는 것이 아니지만, 절연성의 다이아몬드층이나 이산화 실리콘층등이 많이 이용된다.
본 발명에 있어서 다이아몬드층이 적어도 p형인 다이아몬드층을 포함한다는 바람직한 예에 의하면, 상기와 같은 이유로 전자방출소자에 적합하다. 또한 본 발명의 실시형태에 있어서, 다이아몬드층에 포함되는 p형의 다이아몬드층의 두께 및 저항율이 0.05μm 이상 5μm이하 및 1×10－2Ω·cm이상 1×104Ω·cm 이하, 더욱 바람직한 1μm 이하 및 1×102Ω·cm 이하라는 바람직한 예에 의하면, 저에너지에서의 전자방출이 보다 가능해진다.
또한 상기 본 발명의 실시형태에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자로써, 전극층, i형의 다이아몬드층등의 절연체에 의한 전자공급층, p형의 다이아몬드층으로 이루어지는 MIS 구조에 순방향 바이어스를 인가하여, 상기 전자공급층을 통하여 전자를 상기 p형의 다이아몬드층에 공급함으로써, 이하와 같은 작용을 발휘한다. 즉, 상기 MIS 구조에 적당한 순방향 바이어스를 인가함으로써 전자는 금속등의 전극층보다 금속/절연체층 계면에 존재하는 숏 키 장벽을 터너링하고, p형인 다이아몬드층에 효율적으로 주입됨과 동시에, 주입된 전자는 음의 전자친화력상태의 p형의 다이아몬드층 표면등에서 용이하게 외부로 방출시킬 수 있다.
제3도에 본 발명에 관한 전자방출소자의 실시형태를 도시한 도면을 도시한다. 본 실시형태에서는 전자공급층(절연체층)(33)으로써 i형의 다이아몬드층을 이용하고 있고, 전극층(32)과의 계면에는 숏 키 장벽이 형성되어 있다. 또한 i형의 다이아몬드층위에는 표면상태를 제어하여 음의 전자친화력상태로 되는 p형의 다이아몬드층(34)이 적층되어 있다. 그리고 상기 p형의 다이아몬드층(34)의 표면의 일부에는 소자에 바이어스를 인가하기 위한 전극층(35)이 형성되어 있다.
제4도는 상기 실시형태의 에너지 밴드의 소자를 모식적으로 도시한 도면이다. 제4도중 메탈은 금속전극층(32)을 표시하고, i－type, p－type은 각각 전자공급층(절연체층; i형의 다이아몬드층)(33), p형의 다이아몬드층(34)을 표시한다. 또한, εC, εV, εF, εVac는 각각 전도대끝, 가전자대 끝, 페르미 레벨, 진공준위의 에너지 전위를 표시한다.
평균상태(인가 바이어스 : 0, 제4(a)도)에서는 p형인 다이아몬드층(34)의 표면은 음의 전자친화력상태이지만, 전도대중에 소수 캐리어인 전자가 존재하지 않기 때문에 외부에 전자를 방출할 수 없다.
그러나, 적당한 순방향 바이어스를 인가한 상태(제4(b)도)에서는 바이어스의 대부분이 전자공급층(절연체층)(33)에 인가되기 때문에 밴드가 도면과 같이 구부러진 결과, 금속/절연체층의 계면에 존재하는 숏 키 장벽폭이 얇아지고, 전극층(32)에서 전자가 터너링현상에 의해 p형의 다이아몬드층(34)의 전도대중에 주입된다. 이 주입의 정도는 전극층/절연체층 계면의 숏 키 장벽의 에너지 높이(ΔεC－εF) 또는 장벽폭에 크게 의존하는데, 전자공급층(절연체층)(33)을 적당한 얇기로 함으로써 효율적으로 주입하는 것이 가능해진다. p형의 다이아몬드층(34)에 주입된 전자는 확산등에 의해 전자가 방출되는 에미터부로 이동하고, p형의 다이아몬드층(34)의 표면이 음의 전자친화력(εV＞εVac)을 가지므로 외부로 방출된다. 이와같이 적절한 두께를 가지는 전극층(32), 전자공급층(절연체층: i형의 다이아몬드층)(33), p형의 다이아몬드층(34)으로 이루어지는 MIS 구조로 순방향 바이어스를 인가함으로써, 안정적으로 효율좋게 방출전자를 얻을 수 있다. 상기 설명에서는 전자공급층(절연체층)(33)으로써, i형의 다이아몬드층을 이용했는데, 이에 한정되지 않고 이산화 실리콘층등을 이용하는 것도 가능하다. 또한 전극층(32)에 이용하는 재료로써는 특별히 한정되지 않지만 일반적으로 알루미늄(Al) 이나 텅스텐(W)이 이용된다.
본 발명에 있어서, p형의 다이아몬드층의 두께가 5μm 이하, 바람직하게는 1μm 이하라는 바람직한 예에 의하면, 주입된 전자를 효율적으로 음의 전자친화력 상태인 표면까지 공급하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 이어서, p형의 다이아몬드층에 포함되는 붕소 원자 농도가 1×1016개/cm3이상 1×1020개/cm3이하, 바람직하게는 1×1017개/cm3이상이라는 바람직한 예에 의하면, 소자구성에 적합한 p형의 다이아몬드층을 얻을 수 있다. 또한 본 발명에 있어서, p형의 다이아몬드층의 저항율이 1×10－2Ω·cm이상 1×104Ω·cm 이하, 더욱 바람직하게는 1×102Ω·cm 이하라는 바람직한 예에 의하면, 저항에 의한 손실분을 제어하는 것이 가능해진다.
또한 본 발명에 있어서, 전자공급층(절연체층)으로써 이용하는 i형의 다이아몬드층등의 전기저항율이 1×104Ω·cm∼ 1×1012Ω·cm, 바람직하게는 1×108Ω·cm 이상이라는 바람직한 예에 의하면, 인가된 바이어스를 효율적으로 고저항 영역에 걸 수 있으므로, 터너링에 의한 전자의 주입이 용이해진다.
또한 상기 본 발명에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출 소자로써, 전극층, n형의 다이아몬드층등의 n형의 반도체층에 의한 전자공급층, p형의 다이아몬드층으로 이루어지는 pn 구조에 순방향 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하기 때문에, n형의 반도체층보다 p형의 다이아몬드층에 효율적으로 전자가 주입됨과 동시에 주입된 전자는 음의 전자친화력상태의 p형의 다이아몬드층 표면등에서 용이하게 외부로 방출시킬 수 있다.
제5도는 본 발명에 관한 전자방출소자의 바람직한 예를 도시한 도면이다. 이 예에서는 전극층(52)상에 n형의 반도체층에 의한 전자공급층(53)으로써 n형의 다이아몬드층이 형성되어 있다. 또한, n형의 다이아몬드층(53)상에는 표면상태를 제어하여 음의 전자친화력상태로 되어 있는 p형의 다이아몬드층(54)이 적층되어 있다. 그리고 상기 p형 다이아몬드층(54)의 표면의 일부에는 소자에 바이어스를 인가하기 위한 전극층(55)이 형성된다.
제6(a)도, 제6(b)도는 상기 구성의 에너지 밴드의 양태를 모식적으로 도시한 도면이다. 제6(a)도, 제6(b)도중의 메탈은 금속전극층(52)을 도시하고, n－type, p－type은 각각 전자공급층(n형의 반도체층: n형의 다이아몬드층)(53), p형의 다이아몬드층(54)을 표시한다. 평균상태(인가 바이어스 : 0, 제6(a)도)에서는 p형의 다이아몬드층(54)은 음의 전자친화력상태이지만, 전도대중에 전자가 존재하지 않기 때문에 전자를 방출할 수 없다. 그러나, 적당한 순방향 바이어스를 인가한 상태(제6(b)도)에서는 전자가 n형의 반도체층(53)(n형의 다이아몬드층)보다 p형의 다이아몬드층(54)의 전도대중에 주입되기 때문에, 주입된 전자는 확산등에 의해 에미터부로 이동하고 p형의 다이아몬드층(54)에서 외부로 방출된다. 이와같이 적절한 두께를 가지는 전극층(52), n형의 반도체층(53)(n형의 다이아몬드층), p형의 다이아몬드층(54)으로 이루어지는 pn구조에 순방향 바이어스를 인가함으로써, 안정적으로 효율좋은 방출전자를 얻을 수 있다.
상기 설명에서는 n형의 반도체층(53)으로써, n형의 다이아몬드층을 이용했는데 이뿐만아니라 n형의 실리콘 카바이드등을 이용하는 것도 가능하다. 또한 전극층(52), (55)에 이용되는 재료로써는 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 티탄(Ti)이나 금/티탄(Au/Ti)등이 이용된다.
또한, 본 발명에 있어서, p형인 다이아몬드층의 두께가 0.05∼5μm정도, 바람직하게는 1μm이하라는 바람직한 예에 의하면, 주입된 전자를 효율적으로 음의 전자친화력 상태인 표면까지 공급하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 있어서, p형의 다이아몬드층에 포함되는 붕소원자농도가 1×1016개/cm3∼ 1×1020개/cm3, 바람직하게는 1×1017개/cm3이상이라는 바람직한 예에 의하면, 전자구성에 적합한 p형의 다이아몬드층을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, p형의 다이아몬드층의 저항율이 1×10－2Ω·cm∼1×104Ω·cm, 바람직하게는 1×102Ω·cm 이하라는 바람직한 예에 의하면, 저항에 의한 손실분을 제어하는 것이 가능해진다.
또한 본 발명에 있어서, n형의 다이아몬드층에 포함되는 링원자 또는 질소(N)농도가 1×1016개/cm3∼ 1×1020개/cm3, 바람직하게는 1×1017개/cm3이상이라는 바람직한 예에 의하면, 소자구성에 적합한 n형의 다이아몬드층을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, n형의 다이아몬드층 및 n형의 반도체층의 저항율이 1×10－2Ω·cm∼ 1×104Ω·cm, 바람직하게는 1×102Ω·cm 이하라는 바람직한 예에 의하면, 저항에 의한 손실분을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 본 발명에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자로써, 전극층, n형의 반도체층 및 i형의 반도체층으로 이루어지는 전자공급층, p형의 다이아몬드층으로 이루어지는 pin구조로 순방향 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하기 때문에, 상기와 마찬가지로 n형의 반도체층에서, i형의 반도체층의 터너링을 통하여 p형의 다이아몬드층에 효율적으로 전자가 주입됨과 동시에, 주입된 전자는 음의 전자친화력상태의 p형의 다이아몬드층 표면에서 용이하게 외부로 방출시킬 수 있다. 이와같이 적절한 두께를 가지는 전극층, n형의 반도체층, i형의 반도체층, p형의 다이아몬드층으로 이루어지는 pin구조로 순방향 바이어스를 인가함으로써, 안정되고 효율좋은 방출전자를 얻을 수 있다.
본 발명에 있어서, p형의 다이아몬드층의 두께가 0.05μm∼5μm, 바람직하게는 1μm 이하라는 바람직한 예에 의하면, 주입된 전자를 효율적으로 음의 전자친화력 상태인 표면까지 공급하는 것이 가능해진다. 또한 본 발명에 있어서, p형의 다이아몬드층에 포함되는 붕소원자 농도가 1×1016개/cm3∼ 1×1020개/cm3, 바람직하게는 1×1017개/cm3이상이라는 바람직한 예에 의하면, 전자구성에 적합한 p형의 다이아몬드층을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, p형의 다이아몬드층 및 n형의 반도체층의 저항율이 1×10－2Ω·cm∼ 1×104Ω·cm, 바람직하게는 1×102Ω·cm 이하라는 바람직한 예에 의하면, 저항에 의한 손실분을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 있어서, i형의 반도체층의 저항율이 1×104Ω·cm∼ 1×1012Ω·cm 이상, 바람직하게는 1×108Ω·cm 이상이라는 바람직한 예에 의하면, 인가된 바이어스를 효율적으로 고저항영역에 걸 수 있으므로, 터너링에 의한 전자의 주입이 용이해진다.
또한 본 발명에 있어서, 전자가 방출되는 에미터 부분이 p형인 다이아몬드층의 표면이라는 바람직한 예에 의하면, 표면상태의 제어에 의해 용이하게 음의 전자친화력상태를 형성할 수 있음과 동시에, 주입된 전자를 효율좋게 외부로 인출하는 것이 가능해지므로, 효율적인 전자방출소자를 실현할 수 있다.
또한, 상기 본 발명에 있어서, p형의 다이아몬드층의 최표면의 탄소원자가 수소원자와의 결합에 의해 종단된 구조라는 바람직한 예에 의하면, 간편한 방법으로 최표면의 탄소원자에 수소원자와 결합한 구조를 형성할 수 있음과 동시에, p형의 다이아몬드를 매우 안정된 음의 전자친화력상태로 할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, p형의 다이아몬드층의 최표면의 탄소원자와 결합한 수소원자의 양이 1×1015개/cm2∼1×1017개/cm2, 바람직하게는 2×1015개/cm2이상이라는 바람직한 예에 의하면, 대략 모든 최표면 탄소원자가 수소원자와 결합하기 때문에, 보다 안정된 음의 전자친화력상태를 유지할 수 있다.
또한, 상기 본 발명에 있어서, 전자가 방출되는 에미터 부분이 p형 다이아몬드층과 상기 p형의 다이아몬드층과 접하는 층의 계면근방이라는 바람직한 예에 의하면, p형층 전도대에 주입된 전자의 확산거리가 짧아지므로, 보다 효율적인 전자방출소자를 실현할 수 있다.
또한, 상기 본 발명에 있어서, p형의 다이아몬드층으로써 다이아몬드의 표면 도전층을 이용하는 바람직한 예에 의하면, 새롭게 p형의 다이아몬드층을 형성하는 공정을 거치지않고, 용이하게 1μm이하의 두께의 p형의 다이아몬드층으로써 작용하는 층이 얻어지기 때문에, 효율적인 전자방출소자를 간편하게 실현할 수 있다.
또한 상기 본 발명에 있어서, 다이아몬드의 표면 도전층의 구조로써 다이아몬드층의 최표면의 탄소원자가 수소원자와의 결합에 의해 종단된 구조라는 바람직한 예에 의하면, 간편한 방법으로 p형의 다이아몬드를 매우 안정된 음의 전자친화상태로 할 수 있다.
또한, 상기 본 발명에 있어서, 다이아몬드층의 최표면의 탄소원자와 결합한 수소원자의 양이 1×1015개/cm2∼1×1017개/cm2, 바람직하게는 2×1015개/cm2이상이라는 바람직한 예에 의하면, 대략 전체의 최표면 탄소원자가 수소원자와 결합하기 때문에, 보다 안정적인 음의 전자친화력상태를 유지할 수 있다.
또한, 상기 본 발명에 있어서, 다이아몬드층 전체의 두께가 0.05∼5μm이하, 바람직하게는 1μm이하라는 바람직한 예에 의하면, 다이아몬드층 내부에서 전자를 잃지않고 효율적으로 전자를 검출시키는 것이 가능해진다.
또한 상기 본 발명에 있어서, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자의 구조가 폭0.05∼5μm, 바람직하게는 1μm이하의 얇은 선 상태라는 바람직한 예에 의하면, 소자내부에서 전자를 잃지않고 효율적으로 전자를 방출시키는 것이 가능해짐과 동시에, 선상태로 전자를 방출시키는 것이 가능해진다.
또한 상기 본 발명에 있어서, 다이아몬드층이 기상접합법에 의해 형성되는 바람직한 예에 의하면, 후공정으로써 어떠한 처리를 하지 않고 성장직후에 다이아몬드층 표면에 표면 도전성을 얻는 것이 가능해진다.
또한 상기의 구조를 형성하는 방법으로써 본 발명 방법의 구성에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자의 제조방법으로써, 기판소재상에 기상합성법에 의해 1μm이하의 연속막상의 다이아몬드층을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 함으로써, 간편하게 얇은 막의 다이아몬드층을 가지는 고효율 전자방출소자를 형성하는 것이 가능해진다.
또한 마찬가지로 상기 본 발명 방법에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자발출소자의 제조방법으로써, 기판소재상에 기상합상법에 의해 다이아몬드층을 형성하는 공정과, 상기 다이아몬드층의 기판소재측의 면 또는 다이아몬드층의 표면측에서 소정 두께 이하까지 상기 다이아몬드층을 에칭하는 공정을 가지는 것을 특징으로 함으로써, 용이하게 원하는 구조의 고효율 전자방출소자를 형성하는 것이 가능해진다.
또한 본 전자방출소자에 있어서 상기대로 에미터 부분 표면의 구조제어가 매우 중요하다. 일반적으로 에미터 부분으로써 적합한 구조를 형성하는 방법으로써는 특별히 한정되지 않지만, 다이아몬드표면의 도전성을 제어하는 즉 다이아몬드 표면의 탄소원자와 결합하는 원소를 제어하는 것이 용이하다. 구체적인 예로써는 상기와 같이 수소종단표면(도전성)으로 함으로써 다이아몬드를 음의 전자친화력상태로 할 수 있고, 산소종단표면(절연성)으로 함으로써 양의 전자친화력 상태로 할 수 있다. 이와같은 표면상태변화를 임의로 제어함으로써, 고효율 전자 방출소자의 소자구성 및 제작 프로세스를 간편하게 할 수 있다.
여기서 상기 본 발명 방법에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자의 제조방법으로써, 다이아몬드층의 소정 영역에 파장이 2000nm이하의 진공 자외광을 조사하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하므로, 선택적으로 다이아몬드 표면에 결합한 원소의 제거와 새로운 결합을 형성하는 것이 가능해진다. 그 결과, 다이아몬드 표면의 전자친화력상태를 양(절연성) 및 음(도전성)중 어느것으로도 제어하는 것이 가능해진다.
또한 상기 본 발명 방법에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자의 제조방법으로써, 다이아몬드층의 소정 영역을 적어도 수소를 포함하는 가스를 방전 분해하여 얻어지는 플라즈마에 쐬이는 공정을 가지는 것을 특징으로 하므로, 선택적으로 다이아몬드의 최표층 탄소원자에 수소원자를 결합시키는 것이 가능해지고, 그 결과 용이하게 음의 전자친화력상태의 영역을 형성하는 것이 가능해진다.
또한 상기 본 발명 방법에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자의 제조방법으로써, 가열한 다이아몬드층을 적어도 산소를 포함하는 가스중에 쐬이는 공정을 가지는 것을 특징으로 하므로, 선택적으로 다이아몬드의 최표층 탄소원자에 수소원자를 결합시키는 것이 가능해지고, 그 결과 용이하게 음의 전자친화력상태의 영역을 형성하는 것이 가능해진다.
또한 상기 본 발명 방법에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자의 제조방법으로써, 다이아몬드층의 소정 영역을 적어도 산소를 포함하는 가스를 방전분해하여 얻어지는 플라즈마에 노출시키는 공정을 가지는 것을 특징으로 하므로, 선택적으로 다이아몬드의 최표층 탄소원자에 산소원자를 결합시키는 것이 가능해지고, 그 결과 용이하게 양의 전자친화력상태의 영역을 형성하는 것이 가능해진다.
또한 상기 본 발명방법에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자의 제조방법으로써, 가열한 다이아몬드층을 적어도 산소를 포함하는 가스안에 노출시키는 공정을 가지는 것을 특징으로 하므로, 선택적으로 다이아몬드의 최표층 탄소원자에 산소원자를 결합시키는 것이 가능해지고, 그 결과 용이하게 양의 전자친화력상태의 영역을 형성하는 것이 가능해진다.
이상과 같이 다이아몬드층의 표면상태를 임의로 제어함으로써, 고효율 전자방출소자의 소자구성 및 제작 프로세스를 간편하게 할 수 있다.
또한 다이아몬드층을 포함하는 상기 전자방출소자를 형성하고, p형의 다이아몬드 표면에서 면상으로 전자를 방출하는 평면전자방출소자의 실현도 가능하다. 종래의 콘상의 에미터에 있어서는 전자방출은 돌기부의 선단에서만 일어나지만, 본 발명의 다이아몬드층을 포함하는 전자방출소자는 1평방μm∼10000평방μm의 면적에서의 면전자방출이 확인되었다.
이하, 실시예를 이용하여 본 발명을 더 구체적으로 설명한다.
[제1실시예]
우선 2×2×0.5mm의 실리콘(Si)기판상에 기상합성법에 의해 전자공급층인 절연성의 다이아몬드층과 p형의 다이아몬드층을 형성했다. 다이아몬드층의 기상합성법으로써는 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 원료가스에 메탄, 에탄, 에틸렌, 아세틸렌등의 탄화수소가스, 알콜, 아세톤등의 유기화학물 및 일산화탄소등의 탄소원을 수소가스로 희석한 것을 이용하고, 그 원료가스에 에너지를 주어 분해함으로써 행해진다. 그 때, 원료가스에 적당한 산소나 수소를 첨가할 수도 있다. 본 실시예에 있어서는 기상합성법의 일종인 마이크로 플라즈마CVD법에 의해 절연성 및 p형의 다이아몬드층을 형성했따. 마이크로파 플라즈마 CVD법은 원료가스에 마이크로파를 인가함으로써 플라즈마화하고, 다이아몬드의 형성을 행하는 방법이다. 구체적인 조건으로써는 원료가스에 수소로 1∼10vol% 정도로 희석된 일산화 탄소가스를 이용했다. p형화할 때에는 원료가스에 디보란 가스를 첨가했다. 반응온도 및 압력은 각각 800∼900℃, 및 25∼40Torr이다. 형성된 절연성 및 p형인 다이아몬드층의 막두께는 각각 2 및 0.5μm이었다. 또한 p형막의 막중에는 2차 이온 질량분석에 의해 1×1018개/cm3의 붕소원자가 포함되는 것이 확인되며, 그 저항율은 1×102Ω·cm 이하였다. 또한 기상합성에 의해 얻어진 p형 다이아몬드층의 최표면에는 수소가 결합되어 있고, 자외광 조사로 p형 다이아몬드 표면의 전자친화력상태를 평가한 결과, 음의 전자친화력상태인 것을 알았다.
여기서 Si 기판의 일부를 초산계의 에칭액으로 제거하여 구멍을 뚫고, 기판과 접한 면 즉, 절연성 다이아몬드층위에 알루미늄(Al)의 전극을 진공증착으로 형성했다. 또한 p형의 다이아몬드층위의 일부에 금/티탄(Au/Ti)의 전극을 전자선 증착으로 형성했다. 그 결과 제1도에 도시한 2개의 전극층에서 절연성(전자공급층) 및 p형의 다이아몬드층을 끼운 구조가 제작되었다.
이상과 같은 방법으로 제작한 전자방출소자를 10－9Torr정도의 진공중에 설치하고, Al 전극측에 양의 전압을 100V정도까지 인가한 결과, p형의 다이아먼드층 표면에서 전자가 방출되는 것이 확인되었다. 또한 그 방출전류의 비율(검출효율)은 0.1∼10%정도이고, 종래보다 효율적으로 전자가 방출되는 것을 확인할 수 있었다.
다른 형성조건에서 p형의 다이아몬드층을 형성한 경우나 기판소재를 바꾼 경우, 전극의 종류를 Al에서 텅스텐(W)으로 바꾼 경우등에 있어서도 같은 결과를 얻을 수 있었다.
[제2실시예]
제1실시예와 마찬가지로, 2×2×0.5mm의 Si기판상에 마이크로파 플라즈마CVD법에 의해 다이아몬드층을 형성했다. 본 실시예에 있어서는 절연성의 다이아몬드층만을 형성했다. 구체적인 형성조건은 제1실시예와 마찬가지이다. 일반적으로 마이크로파 플라즈마CVD법으로 형성된 다이아몬드막은 그 표면에 수소원자가 결합한 것에 기인한다고 생각되는 표면 도전층이 존재하고 있고, 그 표면 도전층은 p형으로써 작용하는 것이 알려져 있다. 이 때문에, 표면 도전층을 가지는 절연성의 다이아몬드층은 제1실시예와 같은 p형의 다이아몬드층을 절연성 다이아몬드층(전자공급층)위에 적층한 경우와 같은 구조로 생각할 수 있다. 그래서 이 표면 도전층을 가지는 절연성의 다이아몬드층의 표면을 평가한 결과, 최표면에는 수소가 결합하고 있고, 음의 전자친화력상태인 것을 알았다. 그래서 Si기판의 일부를 초산계의 에칭액으로 제거하여 구멍을 뚫고, 기판과 접한 면에 Al의 전극을, 표면 전도층상의 일부에 Au/Ti의 전극을 형성했다. 그 결과, 제1도에 도시한 2개의 전극층에서 다이아몬드층을 끼운 구조가 제작되었다.
이상과 같은 방법으로 제작한 전자방출소자를 10－9Torr정도의 진공중에 설치하고, Al전극측에 양의 전압을 100V정도까지 인가한 결과, 다이아몬드의 표면 도전층에서 전자가 방출되는 것이 확인되었다. 또한 그 방출전류의 비율(방출효율)은 0.1∼10%정도이고, 종래보다 효율적으로 전자가 방출되는 것을 확인할 수 있었다.
다른 형성조건에서 절연성의 다이아몬드층을 형성한 경우나 기판소재를 바꾼 경우, 전극의 종류를 Al에서 W로 바꾼 경우에 있어서도 같은 결과를 얻을 수 있었다.
[제3실시예]
제2실시예와 마찬가지로, Si기판상에 마이크파 플라즈마CVD법에 의해 표면 도전층을 가지는 절연성의 다이아몬드층을 형성하고, 기판과 접한 면측에 Al의 전극을 형성한 후, 절연성의 다이아몬드층의 표면상(표면 전도층상)의 일부에 절연성의 두께 0.1μm의 이산화 실리콘층(SiO2)을 형성했다. SiO2막의 형성은 석영원반을 타겟으로 한 rf 스팩터법으로 형성했다. 또한 그 SiO2층 위에 Al전극을 형성했다. 그 결과 제2도에 도시한 2개의 전극층에서 전자공급층과 다이아몬드층과 절연층을 끼운구조가 제작되었다.
이상과 같은 방법으로 제작한 전자방출소자를 10－9Torr정도의 진공중에 설치하고, 기판면측의 Al전극에 양의 전압을 100V정도까지 인가한 결과, 다이아몬드의 표면 도전층에서 전자가 방출되는 것이 확인됨과 동시에, 표면측의 Al전극에는 거의 전류가 흐르지않는 것이 확인되었다.
다른 형성조건에서 절연성의 다이아몬드층을 형성한 경우나 기판소재를 바꾼 경우, 전극재료의 종류를 바꾼 경우등에 있어서도 같은 결과가 얻어졌다.
[제4실시예]
제7도는 다이아몬드층을 이용한 MIS 구조형의 전자방출소자의 일실시예의 기본적인 구조를 도시하는 도면이다. 제7도에 도시하는 본 전자방출소자는 주요 구성부분으로써, 전극층(숏 키 전극)(71)과, 전자공급층으로써의 i형의 다이아몬드등의 절연체층(72)과, p형의 다이아몬드층(73)과, 기재(도전성)(74)와, 소자에 전계를 인가하기 위한 전극층(75)을 가지고 있다. 이 소자의 전극층(71), (75)간에 순방향 바이어스를 인가함으로써, 전극층(71)에서 주입된 전자는 전자공급층(절연체층)(72), p형의 다이아몬드층(73)을 통하여 기재(74), 전극층(75)에 도달하고, MIS 구조 다이오드 전류가 된다. 그 전자류중 p형의 다이아몬드층(73)의 표면 근방을 흐르는 것은 확산등에 의해 외부로 방출된다. 이 구조는 면에 의한 방출소자이기 때문에, 면 전류 밀도를 크게 하는 것이 가능하다.
제8(a)도－제8(f)도는 제7도에 도시한 MIS 구조형의 전자방출소자의 일실시예를 제작하기 위해 이용한 프로세스의 개략을 도시한 것이다.
우선 제8(a)도에 도시하는 기재(74)를 준비했다. 기재재료로서는 도전성이면 되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 다음 공정을 고려하면 Si나 몰리브덴(Mo)등의 금속이 일반적이다. 본 실시예에 있어서는 저저항의 Si기판을 이용했다.
다음에 제8(b)도에 도시하는 기재(74)상에 전자공급층(72)으로써 절연체막을 형성했다. 이 전자공급층(절연체층)(72)의 재질에 관해서도 특별히 한정되지 않지만, 기상합성에 의해 형성된 불순물을 첨가하지 않는 절연성의 i형의 다이아몬드를 이용하는 것이 최적이다. 본 실시예에 있어서도 주로 전자공급층(절연체층)(72)으로써 i형의 다이아몬드층을 상기의 마이크로파 플라즈마CVD법으로 형성했다.
이어서 제8(c)도에 도시하는 바와같이 기재(74)의 이면 일부(76)를 에칭 제거했다. 에칭 방법은 특별히 한정되는 것이 아니고, 기재(74)의 재질등에 의해 적당히 선택된다. 예를들면 기재(74)가 Si인 경우는 불초산에 의한 웨트 에칭의 수법을 이용할 수 있다.
또한 제8(d)도의 에칭면(77)에 도시하는 바와같이, 전자공급층(절연체층: i형의 다이아몬드층)(72)을 이면측에서 에칭함으로써, i형의 다이아몬드층의 두께를 5μm보다 얇게 했다. 다이아몬드층의 에칭은 산소가스를 이용한 ECR 이온 에칭 또는 반응성 이온 에칭(RIE)에 의해 행했다. ECR 이온 에칭의 조건으로써는 가스 압력: 0.01Torr, 바이어스 전압 : －30V, 바이어스 전류: 2mA/cm2, 마이크로파 출력: 650W, 기판온도: 280℃이다.
그 후, 제8(e)도에 도시하는 바와같이, 전자공급층(절연체층)(72)의 에칭면(77)에 p형의 다이아몬드층(73)을 형성했다. 이 p형의 다이아몬드층의 형성방법은 붕소등의 p형 불순물을 첨가한 원료가스를 이용한 기상합성법에 의해 새롭게 퇴적해도 되고, 제2실시예에 기재한 바와같이, 절연체층으로써 i형의 다이아몬드를 이용하는 경우, 그 에칭면에 수소 플라즈마등을 조사하여 그 표면을 수소 종단한 표면 도전층을 p형 다이아몬드층으로 형성해도 된다.
최후에 제8(f)도에 도시하는 바와같이, 전극층(71), (75)을 각각 전자공급층(절연체층)(72) 및 기재(74)상에 형성했다. 이들의 전극재료로써는 일반적으로 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 또는 금/티탄(Au/Ti)등에서 적당히 선택된다.
이상과 같은 방법으로 제작한 전자방출소자에 전압을 인가하여 전류 전압특성을 평가한 결과, 정류성을 얻을 수 있고, MIS형 다이오드로써 동작하는 것이 확인되었다. 또한, 본 전자방출소자를 10－9Torr정도의 진공중에 설치하고, 순방향 바이어스를 인가하여 그 전자방출특성을 측정한 결과, 전자에 흐르는 다이오드 전류에 대한 방출전류의 비율(방출효율)은 0.1∼10%정도이고, 종래보다 효율적으로 전자가 방출되는 것을 확인할 수 있었다.
또한 본 실시예에 있어서는, 전자공급층(절연체층: i형의 다이아몬드층)(72)을 이면측에서 에칭함으로써 얇게 했는데, 표면측에서 에칭하여 얇게 한 후, 에칭면을 수소화하여 표면 도전층을 형성함으로써 같은 구조를 형성한 경우에 있어서도, 종래보다 효율적으로 전자가 방출되는 것을 확인할 수 있었다.
또한 미리 CVD 다이아몬드막의 핵 형성밀도를 높이고, 막 두께의 얇은 연속막을 형성(막 두께: 0.5μm 이하)하고, 에칭하지 않고 전극을 형성하여 소자를 제작한 경우에서도 종래보다 효율적으로 전자가 방출되는 것을 인식할 수 있었다.
또한 다른 형성조건으로 다이아몬드층을 형성한 경우나 기판소재를 바꾼 경우, 전극재료의 종류를 바꾼 경우등에 있어서도, 같은 결과를 얻을 수 있었다.
[제5실시예]
제9도는 다이오드층을 이용한 pn접합형의 전자방출소자의 일실시예의 기본적인 구조이다. 제9도에 도시하는 바와같이, 본 전자방출소자는 주요구성부분으로써 기재(91)와 전극층(92)과, 전자공급층으로써의 n형의 다이아몬드등의 n형의 반도체층(93)과, p형의 다이아몬드층(94)과, 전극층(95)을 가지고 있다. 이 소자의 전극층(92), (95)사이에 순방향 바이어스를 인가함으로써, 전자공급층(n형의 반도체층)(93)에서 전자는 p형의 다이아몬드층(94)에 주입되며, pn접합 다이오드 전류가 된다. 그 전자류 중 p형의 다이아몬드층 표면에 도달한 일부 음의 전자친화력상태에 기인하여 외부로 방출된다. 이 구조에 있어서도 면에 의한 방출소자이기 때문에, 면 전류밀도를 크게 하는 것이 가능하다.
제10(a)도－제10(f)도는 제9도에 도시한 상기 pn접합형의 전자방출소자의 일실시예를 제작하기 위해 이용한 프로세스의 개략을 도시한 것이다. 우선 기재(91)를 준비했다. 기재재료로써는 특별히 한정되지 않지만, 다음 공정을 고려하면 Si가 일반적이다. 본 실시예에 있어서는 고저항의 Si기판을 이용했다.
다음에 제10(b)도에 도시하는 바와같이, 기재(91)상에 전자공급층(93)으로써 n형의 반도체층을 형성했다. 이 n형의 반도체층의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 링(P) 또는 질소(N)를 도프(dope)한 n형의 다이아몬드 또는 n형의 실리콘 카바이드를 이용하는 것이 일반적이고, 그중에서도 기상합성법으로 형성되는 n형의 다이아몬드인 경우는 같은 수법으로 p형의 다이아몬드층(94)을 용이하게 형성할 수 있기 때문에 최적이다. 이 때문에 본 실시예에 있어서는 전자공급층(n형의 반도체층)(93)으로써 n형의 다이아몬드를 이용했다. n형의 다이아몬드층의 형성방법으로써는 상기와 같은데, P의 드판트로써 원료가스에 포스폰(phosphon)산 트리메틸을 첨가했다. 링의 첨가량은 1×1018개/cm3이고, 막두께는 3μm 정도였다.
또한 제10(c)도에 도시하는 바와같이, 그 위에 계속하여 마이크로파 플라즈마CVD법에 의해 p형의 다이아몬드층(94)을 1μm 형성했다. p형의 다이아몬드층의 형성방법으로써는 상기와 같다.
이어서 제10(d)도에 도시하는 바와같이, 기재(91)의 이면의 일부(96)를 에칭 제거했다. 에칭의 방법은 특별히 한정되는 것이 아니고, 기재(91)의 재질등에 의해 적당히 선택된다. 본 실시예의 기재(91)가 Si인 경우는 불초산에 의한 웨트에칭의 수법을 이용할 수 있다.
다음에 제10(e)도에 도시하는 바와같이, 상기 기재(91)의 이면의 에칭부(96)의 일부(n형 다이아몬드층(93)의 이면측 면)에 오믹(ohmic)성의 전도층(92)을 형성했다. 전극재료로써는 Au/Ti의 이층전극을 이용했다.
최후에 제10(f)도에 도시하는 바와같이, p형 다이아몬드층(94)의 표면측의 면에 오믹(ohmic)성의 전극층(95)을 형성했다. 전극재료로써는 마찬가지로 Au/Ti의 이층전극을 이용했다.
이상과 같은 방법으로 제작한 전자방출소자에 전압을 인가하여 전류－전압특성을 평가한 결과, 정류성이 얻어지고, pn접합 다이오드로써 동작하는 것이 확인되었다. 또한 본 전자방출소자를 10－9Torr정도의 진공중에 설치하고, 100V정도까지 순방향 바이어스를 인가하여 그 전자방출특성을 측정한 결과, 소자에 흐르는 다이오드 전류에 대한 방출전류의 비율(방출효율)은 0.1∼10%정도이고, 종래보다 효율적으로 전자가 방출되는 것을 확인할 수 있었다.
CVD법에 의한 n형의 다이아몬드층의 형성 이외에도 i 또는 p형의 다이아몬드에 P 또는 N을 이온 주입한 경우에도 상기와 같이 n형의 다이아몬드층(전자공급층)으로써 기능하는 것을 확인했다.
또한 다른 형성조건으로 다이아몬드층을 형성한 경우나 기판소재를 바꾼 경우, 전극재료의 종류를 바꾼 경우등에 있어서도, 같은 결과를 얻을 수 있다.
[제6실시예]
제5실시예에 기재한 pn 접합형의 소자구조에 있어서, pn층간에 형의 다이아몬드등의 절연체층을 삽입한 pin형의 소자를 형성했다. 제작순서는 p형의 다이아몬드층을 형성하기 전에 i형의 다이아몬드층(막두께:1μm정도)을 형성하는 이외는 상기 제5 실시예와 마찬가지이다.
이상과 같은 방법으로 제작한 전자방출소자에 전압을 인가하여 전류－전압특성을 평가한 결과, pin접합 다이오드로써 동작하는 것이 확인되었다. 또한 본 전자방출소자를 10－9Torr정도의 진공중에 설치하고, 순방향 바이어스를 인가하여 그 전자방출특성을 측정한 결과, 소자에 흐르는 다이오드 전류에 대한 방출전류의 비율(방출효율)은 0.1∼10%정도이고, 종래보다 효율적으로 전자가 방출되는 것을 확인할 수 있었다.
또한 i층으로써 다른 재료, 예를들면 이산화 실리콘막을 이용한 경우등에 있어서도 같은 결과가 얻어졌다.
[제7실시예]
다이아몬드층의 표면구조제어의 방법으로써, 다이아몬드의 소정의 영역에 파장이 200nm 이하의 진공 자외광의 조사를 행했다. 우선 표면에 산소가 결합한 다이아몬드층을 준비했다. 이 다이아몬드층의 전자친화력상태를 평가한 결과, 양의 전자친화력상태인 것을 알았다.
그래서 10－7Torr정도의 진공안 혹은 수소안의 양의 전자친화력을 가지는 다이아몬드층의 일부에 파장이 200nm 이하의 진공 자외광을 조사했다. 그 때의 진공자외광의 조사량으로써는 조사 레이트등에 의존하기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 본 실시예에서는 1초당 1011개의 폰트를 15분간 조사했다. 그 결과, 진공 자외광이 조사된 영역의 최표면 탄소와 산소와의 결합이 잘리고, 수소와의 결합이 변하는 것이 확인되었다. 즉, 다이아몬드층 표면의 결합상태를 바꿈으로써, 전자친화력의 상태가 양에서 음으로 변하는 것을 알았다. 이 프로세스를 이용함으로써, 에미터가 되는 전자방출영역을 제어하는 것이 가능한 것이 확인되었다.
[제8실시예]
다이아몬드층의 표면 구조 제어의 방법으로써, 다이아몬드층의 소정 영역을 수소가스를 방전분해하여 얻어지는 플라즈마에 노출시켰다. 우선 표면에 산소가 결합한 다이아몬드층을 준비했다. 이 다이아몬드층은 상기와 같이 양의 전자친화력상태이다. 여기서 수소가스의 ECR 방전 플라즈마에 양의 전자친화력을 가지는 다이아몬드층의 일부를 노출시켰다. 그 때의 수소 플라즈마 조사시간은 20초간이다. 그 결과, 수소 플라즈마에 노출시킨 영역의 최표면 탄소는 수소와의 결합으로 바뀐 것이 확인되었다. 즉 다이아몬드층 표면의 결합상태를 바꿈으로써 전자친화력의 상태가 양에서 음으로 바뀌는 것을 알았다. 이 프로세스를 이용함으로써, 에미터가 되는 전자방출영역을 제어하는 것이 가능한 것이 확인되었다.
또한 수소가스의 ECR 방전 플라즈마에 노출되는 시간을 바꾼 경우나 수소 가스를 아르곤이나 질소로 10%정도로 희석한 경우, 다른 방법으로 형성한 수소 플라즈마에 노출시킨 경우등에 있어서도 같은 결과를 얻을 수 있었다.
[제9실시예]
다이아몬드층의 표면 구조 제어의 방법으로써, 가열한 다이아몬드층을 수소가스안에 노출시켰다. 우선 표면에 산소가 결합한 다이아몬드층을 준비했다. 이 다이아몬드층은 상기와 같이 양의 전자친화력상태이다. 여기서 수소가스를 흐르게한 원통형의 용기내에 양의 전자친화력을 가지는 다이아몬드층을 설치하고, 600℃까지 가열했다. 그 때의 처리시간은 10분간이다. 그 결과, 수소안에서 가열된 다이아몬드층의 최표면 탄소는 수소와의 결합으로 변하는 것이 확인되었다. 즉, 다이아몬드층 표면의 결합상태를 바꿈으로써 전자친화력의 상태가 양에서 음으로 변하는 것을 알았다. 이 프로세스를 이용함으로써, 에미터가 되는 전자방출영역을 제어하는 것이 가능한 것이 확인되었다.
또한 용기에 흐르는 수소가스를 아르곤이나 질소로 10%정도로 희석한 경우나 가열온도를 400∼900℃의 범위에서 변화된 경우등에 있어서도, 같은 결과를 얻을 수 있었다.
[제10실시예]
다이아몬드층의 표면 구조 제어의 방법으로써, 다이아몬드층의 소정 영역을 산소가스를 방전 분해하여 얻어지는 플라즈마에 노출시켰다. 우선 표면에 수소가 결합한 다이아몬드층을 준비했다. 이 다이아몬드층의 전자친화력상태를 평가한 결과, 상기와 같이 음의 전자친화력상태인 것을 알았다. 여기서 산소 가스인 ECR 방전 플라즈마에 음의 전자친화력을 가지는 다이아몬드층의 일부를 노출시켰다. 그 때의 산소 플라즈마 조사시간은 20초간이다. 그 결과, 산소 플라즈마에 노출된 영역의 최표면 탄소는 산소와의 결합으로 바뀌는 것이 확인되었다. 즉, 다이아몬드층 표면의 결합상태를 바꿈으로써 전자친화력의 상태가 음에서 양으로 변하는 것을 알았다. 이 프로세스를 이용함으로써, 에미터가 되는 전자방출영역을 제어하는 것이 가능한 것이 확인되었다.
또한 산소 가스의 ECR 방전 플라즈마에 노출된 시간을 바꾼 경우나 산소가스를 아르곤이나 질소로 10%정도로 희석한 경우, 다른 방법으로 형성한 산소 플라즈마에 노출시킨 경우등에 있어서도 같은 결과를 얻을 수 있었다.
[제11실시예]
다이아몬드층의 표면구조제어의 방법으로써, 가열한 다이아몬드층을 산소 가스중에 노출시켰다. 우선 표면에 수소가 결합한 다이아몬드층을 준비했다. 이 다이아몬드층은 상기와 같이 음의 전자친화력상태이다. 여기서 산소 가스를 흐르게 한 원통형의 용기내에 음의 전자친화력을 가지는 다이아몬드층을 설치하고, 600℃까지 가열했다. 그 때의 처리시간은 10분간이다. 그 결과, 산소안에서 가열된 다이아몬드층의 최표면 탄소는 산소와의 결합으로 바뀌는 것이 확인되었다.
즉, 다이아몬드층 표면의 결합상태를 바꿈으로써 전자친화력의 상태가 음에서 양으로 변하는 것을 알았다. 이 프로세스를 이용함으로써 에미터가 되는 전자방출영역을 제어하는 것이 가능한 것이 확인되었다.
또한 용기에 흐르는 산소가스를 아르곤이나 질소로 10%정도로 희석한 경우나 가열온도가 400∼650℃의 범위에서 변화된 경우등에 있어서도 같은 결과를 얻을 수 있었다.
이상과 같이 본 발명의 전자방출소자에 의하면, 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자검출소자로써, 전극층과 전자공급층과 다이아몬드층을 가지는 적층구조를 포함하고, 전자공급층에 전계를 인가함으로써 다이아몬드의 전도대에 효율적으로 전자를 공급하고, 저전압, 저온에서 용이하게 외부로 전자를 인출하는 것이 가능해진다.
Claims (42)
- 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자에 있어서, 전극층과 절연체층을 구비한 전자공급층; 및 상기 전자공급층으로부터 공급된 전자를 공간으로 방출하는 전자방출 다이아몬드층을 포함하되, 상기 전자공급층에서는, 상기 전극층과 절연체층에 의한 에너지 장벽의 터널링에 의하여 상기 전자방출 다이아몬드층에 전자를 공급하는 전자방출소자.
- 제1항에 있어서, 2개의 전극층이 존재하고, 상기 2개의 전극층 사이에 적어도 전자공급층을 끼운 구조인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제1항에 있어서, 2개의 전극층이 존재하고, 상기 2개의 전극층 사이에 적어도 전자공급층과 다이아몬드층을 끼운 구조인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제1항에 있어서, 2개의 전극층이 존재함과 동시에 절연체층을 더 포함하고, 상기 2개의 전극층 사이에 적어도 전자공급층과 다이아몬드층과 절연체층을 끼운 구조인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제2항, 제3항 또는 제4항에 있어서, 2개의 다른 전극층 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 2개의 전극층 사이에 끼워진 전자공급층에 전계를 인가하는 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제5항에 있어서, 2개의 다른 전극층 사이에 인가하는 전압이 100V이하에서 동작하는 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제1항에 있어서, 다이아몬드층의 두께가 5μm이하인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제1항에 있어서, 다이아몬드층에 적어도 전기저항율 1×104Ω·cm 이하의 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제1항에 있어서, 다이아몬드층의 전자방출면의 면적이 1평방μm이상인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제1항에 있어서, 다이아몬드층이 적어도 p형인 다이아몬드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제10항에 있어서, p형인 다이아몬드층안의 붕소(B)원자 농도가 1×1016개/cm3이상인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제10항에 있어서, 다이아몬드층에 포함되는 p형의 다이아몬드층의 전기저항율이 1×104Ω·cm 이하인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제1항에 있어서, 다이아몬드층의 전자방출표면이 Cs, Ni, Ti, W, H 및 amorphous－C에서 선택되는 적어도 한개의 물질로 피복되는 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제13항에 있어서, 다이아몬드층의 전자방출면을 피복하는 물질의 부착원자밀도가 1×1017atoms/cm2이하인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제1항에 있어서, 전극층이 금속이고, 전자공급층이 절연체층이며, 다이아몬드층이 p형의 다이아몬드층을 포함하는 MIS (matal insulator semiconductor)구조이며, 상기 MIS 구조에 순방향 바이어스를 인가하고, 전자를 상기 p형의 다이아몬드층에 공급하는 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제15항에 있어서, 전자공급층의 절연체층이 i형의 다이아몬드층인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제15항에 있어서, p형인 다이아몬드층의 두께가 5μm이하인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제15항에 있어서, p형인 다이아몬드층에 포함되는 붕소(B)원자농도가 1×1016개/cm3이상인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제15항에 있어서, p형인 다이아몬드층의 전기저항율이 1×104Ω·cm 이하인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제16항에 있어서, i형인 다이아몬드층의 전기저항율이 1×104Ω·cm 이상인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제15항에 있어서, 절연체층의 전기저항율이 1×104Ω·cm 이상인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제1항에 있어서, 전자공급층이 n형인 반도체층 및 i형인 반도체층을 포함하고, 다이아몬드층이 p형인 다이아몬드층을 포함하는 pn구조이며, 상기 pin구조로 순방향 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제22항에 있어서, p형인 다이아몬드층의 두께가 5μm이하인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제22항에 있어서, p형인 다이아몬드층에 포함되는 붕소(B)원자농도가 1×1016개/cm3이상인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제22항에 있어서, p형인 다이아몬드층의 전기저항율이 1×104Ω·cm 이하인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제22항에 있어서, n형인 다이아몬드층의 전기저항율이 1×104Ω·cm 이하인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제22항에 있어서, i형인 다이아몬드층의 전기저항율이 1×104Ω·cm 이상인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제15항, 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 전자가 방출되는 에미터 부분이 p형인 다이아몬드층의 표면인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제28항에 있어서, p형인 다이아몬드층의 최표면의 탄소원자가 수소원자와의 결합을 위해 종단된 구조인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제29항에 있어서, p형인 다이아몬드층의 최표면의 탄소원자와 결합한 수소원자의 양이 1×1015개/cm2이상인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제15항, 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 전자가 방출되는 에미터 부분이 p형인 다이아몬드층과 상기 p형 다이아몬드층과 접하는 층의 계면근방인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제15항에 있어서, 제22항 중 어느 한 항에 있어서, p형인 다이아몬드층으로써 다이아몬드의 표면 도전층을 이용하는 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제32항에 있어서, 다이아몬드의 표면 도전층의 구조로써 다이아몬드 층의 최표면의 탄소원자가 수소원자와의 결합에 의해 종단된 구조인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제33항에 있어서, 다이아몬드층의 최표면의 탄소원자와 결합한 수소원자의 양이 1×1015개/cm2이상인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제15항, 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 전자방출소자의 구조가 폭 5μm 이하의 얇은 선 상태인 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 제15항, 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 다이아몬드층이 기상합성법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자방출소자.
- 다이아몬드층을 이용하여 형성되는 전자방출소자의 제조방법에 있어서, 기상합성법에 의하여 기판소재상에 절연성 다이아몬드층을 포함하는 연속막 형상의 다이아몬드층을 형성하는 단계; 상기 다이아몬드층의 상기 기판소재측 면 및 표면측 면 중에서 선택되는 적어도 하나의 면을, 그 선택된 표면으로부터 소정 두께 이하까지 에칭하거나, 상기 다이아몬드층의 선택된 명의 소정 영역에 파장이 200nm 이하의 진공자외광을 조사하여 상기 다이아몬드층의 표면이 음의 전자친화력 상태가 되도록 하는 단계; 및 상기 절연성 다이아몬드층에 접하도록 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 전자방출소자의 제조방법.
- 제37항에 있어서, 다이아몬드층의 막 두께가 1μm 이하인 것을 특징으로 하는 전자방출소자의 제조방법.
- 제37항에 있어서, 다이아몬드층을 에칭한 후, 다시 상기 에칭된 다이아몬드층의 소정영역을, 수소를 포함하는 가스를 방전 분해하여 얻어지는 플라즈마에 노출시키는 것을 특징으로 하는 전자방출소자의 제조방법.
- 제37항에 있어서, 다이아몬드층을 에칭한 후, 다시 상기 에칭된 다이아몬드층의 소정영역을, 산소를 포함하는 가스를 방전 분해하여 얻어지는 플라즈마에 노출시키는 것을 특징으로 하는 전자방출소자의 제조방법.
- 제37항에 있어서, 다이아몬드층을 에칭한 후, 다시 가열한 다이아몬드층을 수소를 포함하는 가스에 노출시키는 것을 특징으로 하는 전자방출소자의 제조방법.
- 제37항에 있어서, 다이아몬드층을 에칭한 후, 다시 가열한 다이아몬드층을 산소를 포함하는 가스에 노출시키는 것을 특징으로 하는 전자방출소자의 제조방법.
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