KR100282680B1 - 연마방법 및 그것을 사용하는 연마장치 - Google Patents
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Abstract
이 명세서는, 막층의 표면상의 소정위치를 검출하는 위치검출공정과, 광원으로부터의 순간광을 소정위치로 조사하여 수광소자에 의해 소정위치로부터의 광속을 검출함으로써 소정위치에서 막두께를 측정하는 제 1측정공정과, 제 1측정공정에서 얻은 데이터를 이용하여 연마상태를 제어하는 제어공정을 포함한, 기판면상에 형성된 표면을, 연마수단으로 쌍방을 서로 상대적으로 구동시켜서 연마하는 연마방법이 개시되어 있다. 또한, 이 명세서에는 그 연마방법을 사용하는 연마장치가 개시되어 있다.
Description
본 발명은 반도체디바이스의 제조공정에 있어서, 유전체층(유전체층)등을 적층한 웨이퍼 등과 같은 기판의 표면을 화학적 기계적으로 연마하여 평탄화할 때, 연마방법 및 그것을 사용한 연마장치에 관한 것이고, 예를 들면, 실리콘기판상에 도포한 절연막층(막층)의 염나공정의 연마종료점을 정밀하게 검출하여, 절연막층의 막두께를 소정범위에 유효하게 설정함으로써 고집적도의 반도체디바이스를 얻는 리소그래프(lithography)공정에 대해 적절한 것이다.
최근에, 반도체디바이스의 고집적화경향에 따라서 회로패턴의 미세화와 동시에 디바이스구조의 3차원화가 진행되고 있다. 반도체디바이스의 고집적화를 도모하기 위해 투영광학계의 개구수를 크게 하면, 그에 따라서 투영광학계의 초점심도가 얇게 된다. 그러므로, 반도체디바이스의 표면을 연마하여 단차부나 요철부를 제거하고, 표면을 편탄화하고, 평탄화한 표면상에 포토레지스트(photoresist)를 도포하여 투영노광하여 고해상화를 도모하는 것이 중요하게 된다.
이런 경우에는, 제 1막두께측정수단의 포토센서로부터의 신호출력을 기준으로, 상기 막두께차이측정영역B에 대흥한 제 2막두께측정수단에서 흑백 CCD카메라의 신호출력의 분포를 비교함으로써, 피가공물의 막두께변화를 산출한다.
다음에 본 실시예에 있어서, 연마공정의 제어에 대해서 설명한다.
(a4) 연마수단 및 연마조건의 제어에 대해서,
(a4-1) 위치검출수단(9)에서 2개 축용의 리니어엔코더(11)을 사용하여, 연마수단(부분연마공구)(4)을 Z축으로부터 거리 r의 위치로 이동시킨다. 또, 이 연마수단(4)은 회전하면서 X축, Y축으로 요동가능하게 되어 있다.
(a4-2) 제 1 및 제 2의 막두께측정수단(2a), (2b)에서의 정보에 의거하여, 최종적인 목표인 막두께분포와의 차이를 비교하여, 차이가 소정의 값의 범위에 있지 않는 경우는 이 차이값에 의해 연마조건을 보정하고, 재연마하기 위해 연마수단(4)을 제어한다.
(a4-3) 이 차이가 소정값의 범위에 있는 경우는 연마가공을 정지한다.
도 5는 본 실시예에 있어서, 각종의 수단에 대한 동작의 흐름도을 표시한다.
상기 언급한 바와 같이, 본 실시예에서는 연마수단으로 실리콘기판(5b)의 절연막층(5a)을 연마하여 평탄화함으로써, 투영노광하는 때에 대상으로 되는 절연막층(5a)의 영역전체가 투영광학계의 초점시도내에 들어오도록 되어 있다. 또한, 절연막층(5a)의 막두께가 소정의 범위내로 되도록 층간용량의 불균일을 방지하는 동시에 비아홀(via-holes)의 깊이를 통일시킨다.
화학적기계적연마에 의한 반도체디바이스의 표면의 평탄화에서, 연마의 종료점의 검출방법으로서 연마량을 연마시간으로부터 구하는 방법은 반도체디바이스에 대한 압압력(壓押力), 연마패드의 마모도, 연마액중의 슬러리(slurry)농도, 연마가공면의 온도 등의 조건을 일정하게 제어할 필요가 있으므로, 종료점을 정확하게 검출하기가 어렵다.
또한, 연마저항의 변화를 연마정반구동모터의 전류변화로부터 구하는 방법은, 신호파형과 잡음을 서로 고정도로 분리할 필요가 있으므로, 종료점을 정확하게 검출하기가 어렵다.
본 발명은, 유전체층 등을 적층한 웨이퍼등과 같은 기판의 표면을 화학적기계적으로 연마하여 평탄화할 때, 표면의 막두께를 적절하게 구성한 막두께 측정방법 또는/과 막두께측정수단을 이용하는 것으로서, 그 장소에서 표면의 막두께를 직접 모니터하고, 표면의 전체나 국부적인 막두께분포를 측정하고, 그 측정정보로부터 연마조건을 최적화하여 반도체디바이스표면을 효율적으로 평탄화하여, 연마종료점의 검출정도를 향상시켜서 고집적도의 반도체디바이스를 제조하기에 적절한 연마방법 및 그것을 사용하는 연마장치의 제공을 제 1목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 본 발명의 몇몇 실시예에 대한 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 연마장치의 실시예 1에 대한 주요부를 표시하는 개략도
도 2은 본 발명의 연마장치의 실시예 1에 관계한 막두께측정수단의 주요부를 표시하는 개략도
도 3은 본 발명의 연마장치의 실시예 2에 관계한 막두께측정수단의 주요부를 표시하는 개략도
도 4은 본 발명의 연마장치의 실시예 2에 관계한 막두께측정수단에 있어서 막두께차이가 간섭색의 분포로서 나타내는 것을 표시하는 도면
도 5은 본 발명의 연마장치의 실시예 1에 관계한 막두께측정수단의 동작을 표시하는 흐름도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 연마장치 2 : 막두께측정수단
3 : 제어수단 4 : 부분연마공구
4a1 , 4b1 : 연마패드 5a : 절연막층
5b : 실리콘기판 6 : 피가공물
7 : 기판유지구 8 : 로터리엔코더
9 : 위치결정수단 10 : 리니어엔코더
11 : 2개축용의 리니어엔코더 2a : 제 1막두께측정수단
2b : 제 2막두께측정수단 2c, 2b : 교정수단
A : 측정위치 201 : 교정용 샘플
110, 116 : 수광소자 101 : 순간광광원
102, 112 : 콘텐서렌즈
(실시예)
도 1은 본 발명의 연마장치(화학적-기계적 연마장치)의 실시예 1의 주요부 개략도이고, 피가공물(6)인 기판(5b)상의 절연막층(5a)을 연마수단(4)으로 연마하고 있는 상태를 표시하고 있다.
도 1에서 (2)는 막두께측정수단이다. 이후 언급되는 본 실시예에 따른 막두께측정수단(2)은, 기판(5b)상의 절연막층(5a)의 위치A에서 막두께의 절대치를 측정하는 제 1막두께측정수단(2a)과 위치A의 막두께의 절대치를 기준으로 위치A의 주변의 영역B에서의 막두께와, 막두께평균치등과 같은 막두께정보를 측정하는 제 2막두께측정수단(2b)중 적어도 하나로 이루어져 있다.
도 2에 표시된 실시예 1에서는, 막두께측정수단(2)으로서 제 1막두께측정수단(2a)을 사용하는 경우를 표시하고 있다.
도 3에 표시된 실시예 3에서는 막두께측정수단(2)으로서 제 1막두께측정수단(2a)과 제 2막두께측정수단(2b)을 사용하는 경우를 표시하고 있다.
도 2에는 제 1막두께측정수단(2a)에 의해서 절연막면(5a)상의 소정의 측정위치 A에서의 막두께의 절대치를 플래시광 등과 같은 순간광을 이용하여 측정하고 있는 상태를 표시하고 있다.
도 1에 있어서, (1)은 화학적-기계적인 연마장치이다. 도 1에서는 피가공물(6)의 표면(기판표면)을 2개의 부분연마공구(연마수단)(4)로 연마하고 있는 상태를 표시하고 있다. 피가공물(6)은 실리콘기판(5b)상에 절연막층(막층)(5a)을 형성한 구성으로 이루어져 있고, 기판유지구(7)에 유지되어 있다. 기판유지구(7)는 피가공물(6)을 유지하고 회전축C을 중심으로 구동수단(도시생략)에 의해 각속도ω1으로 회전되고 있다.
도 1에서, 회전축C을 Z축으로, 여기에 직교하는 평면을 X, Y평면으로 하고 있다. (8)은 회전축C의 회전정보를 검출하는 로터리엔코더이다. (2)는 도 2에 표시된 구성으로 이루어지고, 제 1막두께측정수단(2a)으로 기판(5b)상의 절연막층(5a)의 소정위치A에서 막두께의 절대치를 측정하는 막두께측정수단이다.
(3)은 피가공물(6)의 표면정보의 검출결과에 의거하여 피가공물(6)의 연마공정의 종료점, 또는 연마공정을 속행해야하는지 여부를 제어하는 제어수단이다.
(4)(4a,4b)는 부분연마공구(연마수단)이다. 이 부분연마공구는 연마패드(4a1)와, 이 연마패트(4a1)를 유지하는 유지구(4a2)를 가지고, 회전축C'을 중심으로 구동수단(도시생략)에 의해서 각속도ω2로 회전하고 있다.
도 1에서는, 2개의 부분연마공구(4a),(4b)에 의해서 실리콘기판(5b)상의 절연막층(5a)을 부분연마하고 있는 경우를 표시하고 있다. 2개이상의 부분연마공구(4)가 사용될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 표시된 바와 같이, 연마패드(4a1)의 연마시작부는 피가공물(6)의 연마표면(절연막층)보다 더 작게 이루어져 있다. 그러므로 부분연마하고 있다. 부분연마공구(4)(4a,4b)는 표시된 바와 같이 Z축으로부터 X축방향으로 소정거리의 위치에 있고 X축상을 소정거리만큼 이동가능하게 이루어져 있다.
이 실시예에 있어서, 세척기(도시생략)를 설치하여, 막두께를 측정할 때 절연막층(5A)상에 부착되어 있는 슬러리 등을 제거한다.
또한, 순수(純水)공급용 급수노즐(도시생략)을 설치하여, 피가공면(5a)(절연피막)에 순수를 방출하고, 여기에 부착되어 있는 슬러리, 먼지 등을 제거하므로, 막두께측정수단(2)에 의해 피가공물의 막두께에 대한 고정도검출을 용이하게 한다. (9)는 절연막층(5a)상의 위치정보를 측정하는 위치검출수단이다. (10)은 리니어엔코더(linear encoder)이고, (11)(11a,11b)은 2축리니어엔코더이다.
본 실시예에 있어서, 절연막층(5a)의 표면을 연마할때에는, 회전축C'을 중심으로 부분연마공구(4)를 회전시키는 동시에 기판유지구(7)의 회전축C을 중심으로 회전시키고, 쌍방을 상대적으로 구동시켜서, 또 필요에 따라서는 쌍방의 X방향과 Y방향의 상대적위치를 변위시키면서 노즐(도시생략)로부터 연마재를 포함한 슬러리를 피가공물(6)의 표면상으로 유출시켜서, 절연막층(5a)과 연마패드 사이의 경계면에 슬러리가 균일하게 공급된다.
이때에, 절연막층(5a)와 부분연마공구(4)사이의 압력, 그사이의 회전수의 비율, 및 슬러리 공급량을 적절하게 선택하여 연마한다. 그러므로 실리콘웨이퍼(5b)상에 형성된 절연막층(5a)을 부분연마공구(4)로 부분연마하여, 이 표면의 평탄화를 도모한다.
그래서 미리 설정한 시간동안 부분연마한 후에, 도 2에 표시된 제 1막두께측정수단(2a)으로 후술하는 방법을 사용해서 절연막층(5a)의 위치A에서의 막두께의 절대치를 측정하고 있다.
본 실시예에 있어서, 피가공물(6)의 절연막층(5a)의 막두께정보를 순간광을 이용함으로써 그 층이 연마중일때에도 측정할 수 있도록 고안되어 있으므로, 처리량의 향상을 도모하고 있다.
그래서, 막두께측정수단(2a)으로 얻은 출력신호에 의거하여 제어수단(3)에 의해서 절연막층(5a)의 두께를 구한다. 이때에, 제어수단(3)은 절연막층(5a)의 소정위치에서의 막두께가 미리 설정된 범위내에 있는지 여부를 판정한다.
그래서, 막두께가 미리 설정된 범위내에 있을때는 연마의 종료점인가를 판단하여 연마공정을 정지한다. 또 그렇지 않을 때, 제어수단은 연마공정을 다시 속행하기 위해 제어한다. 제어수단(3)은 연마공정중에 절연막층(5a)의 소정위치에서의 막두께가 미리 설정된 범위내에 있지 않다고 판단했을때(예를 들면, 절연막층이 너무 많이 연마되어 너무 얇아지면)는 연마공정을 정지한다. 이때에, 제어장치(3)는 피가공물(6)이 불량품이라고 판단한다.
다음에 본 실시예의 구체적인 구성과 동작에 대해서 차례로 설명한다.
우선에, 막두께측정수단(2a)으로 절연막층(5a)의 어떤 위치를 측정하는 위치정보의 검출방법(위치검출공정)에 대해서 설명한다.
(a1) 소정위치A의 검출방법에 대해서
(a1-1) 기판(5b)을 기판유지구(7)에 장착, 유지할때는, 기판유지구(7)의 기준표시m1와 기판(5b)상에 형성되어 있는 표시m2를 서로 일치시킨다. 이 표시m1의 위치는 기판유지구(7)에 연결되어 있는 로터리 엔코더(8)의 원점위치에 대응한다.
(a1-2) 막두께를 측정하는 기판(5b)상의 소정의 위치A는 이 원점위치로부터 각도θ, 기판(5b)의 회전중심C로부터의 거리r에 있다.
(a1-3) 위치검출수단(9)은 이 위치A를 확인하고, 리니어엔코더(10)을 사용하여 제 1막두께측정수단(2a)의 측정기준축(g)이 기판(5b)의 회전중심C에서 거리r의 위치에 형성되도록 제어한다.
(a1-4) 로터리엔코더(8)의 출력이 θ로 되는 위치에서 막두께측정을 지령한다.
본 실시예에 있어서 제 1막두께측정수단(2a)은 회전되는 피가공물(6)상의 소정의 위치A에서 막두께의 절대치를 순간광을 이용하여 측정한다.
제 1막두께측정수단(2a)으로 측정하는 위치에서 막두께의 절대치를 측정하는 방법에 대해서 설명한다.
(a2) 제 1막두께측정수단(2a)의 막두께측정방법에 대해서
(a2-1) 막두께측정시에는, 노즐에 의해 피가공물인 기판(5b)상의 절연막층(5a)으로 순수 등을 방출하고, 여기에 부착되어 있는 슬러리, 먼지 등을 제거하여 막두께를 측정한다.
(a2-2) 제 1막두께측정수단(2a)은 백색간섭방식을 사용한다. 플래시광 등과 같은 순간광을 발생시키는 순간광 광원(제 1광원)(101)에서 나온 백색광은, 콘덴서렌즈(102), 반투명유리(HM)(103), 대물렌즈(104)를 통과하여 절연막층(5a)의 측정위치A에 대해서 측정광속(光束)L1으로서 집광조사된다.
(a2-3) 측정위치A에서의 반사광속은, 대물렌즈(104), 반투명유리(HM)(103), 결상렌즈(105), 편광필터(106)을 개재한 복굴절프리즘으로서의 왈라스톤프리즘(Wallaston prism)(107)으로 입사하고, P,S편광파로 분리되어 편향되고, 편광필터(108)와 릴레이렌즈(109)를 개재하여 CCD카메라(110)로 입사한다.
이때에, CCD카메라(제 1수광소자)(110)에서의 출력신호와 소정위치A에서의 막두께의 관계는 이하와 같다. 절연막층(5a)의 표면과, 절연막층(5a)과 기판(5b)사이의 경계면에 의해 반사된 2개의 광속(光束)을 P편광, S편광으로 분리하고, 각각의 파면을 왈라스톤프리즘(107)에 의해 별개의 방향으로 편향시키고 표면에서 반사된 P편광파면과 경계면에서 반사된 S편광파면사이의 교선부분, 또는 표면에서 반사된 S편광파면과 경계면에서 반사된 P편광파면사이의 교선부분에 생기는 간섭호사이의 간격을, CCD카메라(110)상의 광량분포의 피크(peak)위치간 거리를 소자수로부터 계산함으로써 알 수 있으므로 절대막두께치를 측정한다.
절대막두께치(d)는, 피크간격y, 막층(5a)의 재질의 굴절율n, 왈라스톤프리즘에 의한 P편광 및 S편광파면의 편향각을 a로 할 때, d=y×sin a/n으로 된다.
본 실시예에서는 위치검출공정에 있어서, 로터리엔코더(8)에서의 출력이 각도θ로 되는 위치와 동기하여 측정위치A에 순간광을 조사하고 있다. 그러므로 측정위치A에서의 막두께측정을 행한다. 이러한 막두께측정방법에 의한 막층(5a)의 표면의 연마중에 측정위치A가 이동하여도 측정위치A의 범위외에 순간광을 조사할 수 없도록 고정도의 측정을 행한다.
또한, 이 제 1막두께측정수단(2a)에는 막두께 측정치를 교정하는 교정수단(2c)이 설치되고, 그 교정수단(2c)은 막두께가 이미 알려진 교정용 샘플(201)을 내장하고, 적어도 제 1막두께 측정수단(2a)의 순간광광원(101)과 수광소자(CCD카메라)(110)를 공통으로 사용하여 막두께측정과 교정의 측정을 서로 동기하여 행한다.
즉, 순간광광원(101)으로부터의 광속(光束)을, 차례로 콘덴서렌즈(102), 반투명유리(103), 렌즈(202)를 개재하여 교정용 샘플(201)로 입사시킨다. 다음에, 교정용 샘플(201)로부터의 광속을, 차례로 렌즈(202), 반투명유리(103), 결상렌즈(105), 편광필터(106), 왈라스톤프리즘(107), 편광필터(108), 렌즈(109)를 개재해서 CCD카메라(110)의 영역(b)으로 입사시킨다.
상기 언급한 바와 같이, CCD카메라 상에서 막두께측정계의 수광소자는 영역(a)을 사용하고, 교정계는 영역(b)을 사용한다.
이 교정수단(2c)의 막두께측정방법은, 막두께측정계와 동일한 방법을 채용하고 있다. 이 교정수단에 의한 측정결과에 의거하여 제 1막두께측정수단(2a)의 측정결과를 보정할 때, 교정용 샘플(201)을 장착한 교정수단으로, 교정용 샘플이 기판유지구(7)에 유지된 피가공물(6)의 주변에 외접하는 경우와 비교하여, 교정용 샘플(201)에 연마의 슬러리 등이 부착하여 교정정도를 열화시키는 영향을 방지하고, 또한 교정시에 제 1막두께측정수단(2a)을 교정용 샘플의 장소까지 이동시키는 시간을 생략한다. 또한, 제 1막두께측정수단(2a)의 순간광광원(101)과 수광소자(CCD카메라)(110)를 공통으로 사용하고, 막두께측정과 교정의 측정을 서로 동기하여 행함으로써, 각각 독립하여 행하는 경우와 비교하여, 수광소자에 기인하는 암전류 레벨의 변화등으로 인한 측정오차와 순간광광원의 스펙트럼분포 및 발광광도의 변화가 발생한 경우의 교정오차를 극히 저감시킨다.
여기에는, 제 1막두께측정수단(2a)으로서 백색간섭방식을 사용하나, 대신에 분광반사율측정방식이나 일립소미터(ellipsometer)를 사용할 수도 있다.
도 3의 본 발명의 실시예에 관한 막두께측정수단(2)에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는 측정위치A에서의 절대막두께치를 제 1막두께측정수단(2a)으로 측정하고, 이 측정위치A의 절대막두께치를 기준으로 주위의 영역B에서의 막두께차이등의 막두께정보를 순간광을 이용한 제 2막두께측정수단(2b)으로 측정하는 경우를 표시한다.
도 3에서, 제 1막두께측정수단(2a)의 막두께측정방법은 도 2의 제 1막두께측정수단(2a)과 동일하다.
여기에서, 제 2막두께측정수단(2b)에 의한 측정위치A의 주변영역B에서 절대막두께치로부터의 막두께차이의 측정방법에 대해서 설명한다.
(a3) 제 2막두께측정수단(2b)의 막두께측정방법에 대해서
(a3-1) 절대막두께치를 측정한 위치A의 주위가 그 절대막두께치로부터 어느정도차이가 있는가를 측정하는 막두께차이측정영역B을 설정한다.
(a3-2) 제 2막두께측정수단(2b)은 이 막두께차이측정영역B을 컬러CCD(116)상에 축소촬영하는 광학계를 가진다. 우선 제 1광원과 동일한 제 2광원으로서의 순간광광원(101)에서 나오는 백색광(순간광)은 콘덴서렌즈(112), 반투명유리(HM)(113), 대물렌즈(114)를 통과하여 절연막층(5a)의 막두께차이측정영역B에 대해 측정광속L2로서 조사된다. 막두께차이측정영역(B)으로부터의 반사광속은, 대물렌즈(114), 반투명유리(HM)(113), 렌즈(115)를 통과하여 컬러CCD(제 2수광소자)(116)에 축소투영된다.
(a3-3) 이 영역을 C로 하면, 영역(C)내에는 다음에 설명하는 바와 같이 위치A에서의 절대막두께치d(A)에 대해 막두께차이에 따르는 간섭색을 나타낸다. 도 4에 있어서, 막두께가 d(A)인 경우에 간섭으로 인해 강화되는 파장λA이 어떠한가를 다음식으로 계산함으로써 구하여, 위치A에서의 간섭색이 결정된다.
2nAd(A)=NλA (N은 계수)
(a3-4) 영역C의 간섭색의 분포가 파장의 표현으로 λ1∼λ2라고 가정하면, 절대막두께치d(A)의 결과와 비교하여
d1=Nλ1/2n1
d2=Nλ2/2n2
에서, 영역C내의 막두께차이의 분포d1∼d2를 구하여 산출한다.
본 실시예에서는, 위치검출공정에서 로터리엔코더(8)로부터의 출력이 각도θ로 되는 위치와 동기하여 측정영역B에 대해 순간광을 조사하고 있다. 그러므로, 측정영역B에서의 막두께측정을 행한다. 이러한 막두께측정방법에 의한 막층(5a)의 표면의 연마중에 측정영역B가 이동할때에도 측정영역B의 범위외에 순간광을 조사하지 않도록 고정도의 측정을 행한다.
이상과 같이, 본 실시예에서는, 제 1 및 제 2막두께측정수단(2a),(2b)을 1개 또는 복수개를 설치하여 막두께의 절대치와 막두께차이를 측정하고, 기판(5b)전체의 절연막층(5a)의 막두께분포를 구하는 막두께분포측정공정을 가진다.
본 실시예에 있어서, 실시예 1과 같이, 제 2막두께측정수단(2b)에는 막두께측정치를 교정하는 교정수단(2d)이 설치되고, 이 교정수단(2d)은 막두께가 이미 알려진 교정용 샘플(301)을 내장하고, 제 2막두께측정수단(2b)의 순간광광원(101)과 수광소자(컬러CCD카메라)(116)를 공통으로 사용하여, 제 2막두께측정수단(2b)의 측정과 교정의 측정을 서로 동기하여 행한다.
컬러CCD카메라(116)상에서, 제 2막두께측정수단(2b)의 수광소자는 영역C을, 교정계는 영역d을 사용한다.
이 교정수단(2d)의 막두께측정방법은 제 2막두께측정수단(2b)와 동일한 방법을 채용한다.
이 교정수단(2d)에 의한 측정결과에 의거하여 제 2막두께측정수단(2b)의 측정결과를 보정할 때, 교정용 샘플(301)을 내장한 교정수단으로, 교정용 샘플이 기판유지구(7)에 유지된 피가공물(6)의 주변에 외접하는 경우와 비교하여, 교정용 샘플에 연마의 슬러리 등이 부착되어 교정정도를 열화시키는 영향을 방지하고, 또한 교정시에 제 2막두께측정수단(2b)을 교정용 샘플(301)의 장소까지 이동시키는 시간을 생략할 수 있다. 또한, 제 2막두께측정수단(2b)의 순간광광원(101)과 수광소자(컬러CCD카메라)(11b)를 공통으로 사용하고, 제 2막두께측정과 교정의 측정을 서로 동기하여 행함으로써, 각각 독립하여 행하는 경우와 비교하여 수광소자에 기인하는 암전류레벨의 변화 등에 인한 측정오차와, 순간광광원의 스펙트럼분포, 발광광도변화가 발생한 경우의 교정오차를 극히 저감시킨다.
상기 설명한, 제 1 및 제 2의 막두께측정수단(2a),(2b)의 측정방법이외에, 피가공물이 모니터웨이퍼와 같은 막층구조에서 단순한 것인 경우는, 반도체레이져나 백색광원으로부터 선택한 특정의 파장의 순간광광속을 사용하고, 제 1막두께측정수단의 수광소자에 포토센서를 사용하여, 제 2막두께측정수단의 수광소자에 흑백CCD카메라를 사용하는 방법으로 행할 수도 있다.
이런 경우에는, 제 1막두께측정수단의 포토센서로부터의 신호출력을 기준으로, 상기 막두께차이측정영역B에 대응한 제 2막두께측정수단에서 흑백CCD카메라의 신호출력의 분포를 비교함으로써, 피가공물의 막두께변화를 산출한다.
다음에 본 실시예에 있어서, 연마공정의 제어에 대해서 설명한다.
(a4) 연마수단 및 연마조건의 제어에 대해서,
(a4-1) 위치검출수단(9)에서 2개 축용의 리니어모터(11)을 사용하여, 연마수단(부분연마공구)(4)을 Z축으로부터 거리 r의 위치로 이동시킨다. 또, 이 연마수단(4)은 회전하면서 X축, Y축으로 요동가능하게 되어 있다.
(a4-2) 제 1 및 제 2의 막두께측정수단(2a),(2b)에서의 정보에 의거하여, 최종적인 목표인 막두께분포와의 차이를 비교하여, 차이가 소정의 값의 범위에 있지 않는 경우는 이 차이값에 의해 연마조건을 보정하고, 재연마하기 위해 연마수단(4)을 제어한다.
(a4-3) 이 차이가 소정값의 범위에 있는 경우는 연마가공을 정지한다.
도 5는 본 실시예에 있어서, 각종의 수단에 대한 동작의 흐름도를 표시한다.
상기 언급한 바와 같이, 본 실시예에서는 연마수단으로 실리콘기판(5b)의 절연막층(5a)을 연마하여 평탄화함으로써, 투영노광하는 때에 대상으로 되는 절연막층(5a)의 영역전체가 투영광학계의 초점심도내에 들어오도록 되어 있다. 또한, 절연막층(5a)의 막두께가 소정의 범위내로 되도록 층간용량의 불균일을 방지하는 동시에 비아홀(via-holes)의 깊이를 통일시킨다.
본 발명에 의해서는 이상과 같이, 유전체층 등을 적층한 웨이퍼등 기판의 표면을 화학적기계적으로 연마하여 평탄화할 때, 표면의 막두께를 적절하게 구성한 막두께측정방법 또는/과 막두께측정수단을 이용하는 것으로서, 그 장소에서 직접 모니터하는 것으로도 이루어지도록 하고, 표면의 전체나 국부적인 막두께분포를 측정하고 그 측정정보로부터 연마조건을 최적화하여 반도체디바이스 표면을 효율적으로 평탄화하여, 연마종료점의 검출정도를 향상시켜서, 고집적도의 반도체디바이스를 제조하기에 적합한 연마방법 및 그것을 사용하는 연마장치를 달성하는 것이다.
Claims (19)
- 기판면에 형성된 막층의 표면을, 기판에 대해 상대적으로 구동되는 연마수단으로 연마하는 연마방법에 있어서,상기 막층의 상기 면상의 소정위치를 검출하는 위치검출공정과;광원으로부터의 순간광을 상기 소정위치로 조사하여, 상기 소정위치로부터의 광속(光束)을 수광소자에 의해 검출함으로써 상기 소정위치에서 막두께를 측정하는 제 1측정공정과;상기 제 1측정공정에서 얻은 데이터를 이용하여 연마조건을 제어하는 제어공정을;포함하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1측정공정은 상기 측정된 막두께치를 교정하는 교정공정을 가지고, 상기 교정공정은 막두께가 이미 알려진 교정용 샘플의 막두께측정을 상기 제 1측정공정에서 사용되는 상기 수광소자와 광원을 사용하여 상기 제 1측정공정과 동기하여 행하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제어공정에서는, 상기 막층의 막두께와 막두께분포중 적어도 하나가 미리 설정된 범위내에 있을 때 연마를 정지하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1측정공정과 상기 제어공정의 동작은 상기 연마수단에 의한 상기 막층의 표면의 연마중에 행하고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 기판면에 형성된 막층의 표면을 기판에 대해 상대적으로 구동되는 연마수단으로 연마하는 연마방법에 있어서,상기 막층의 표면상의 소정위치를 검출하는 위치검출공정과;제 1광원으로부터의 순간광을 상기 소정위치로 조사하여, 상기 소정위치로부터의 광속을 제 1수광소자로 검출함으로써 상기 소정위치에서 막두께를 측정하는 제 1측정공정과;제 2광원으로부터의 순간광을 상기 소정위치를 포함하거나 인접하는 영역에 조사하여, 상기 영역으로부터의 광속을 제 2수광소자로 검출함으로써 상기 영역의 막두께정보를 측정하는 제 2측정공정과;상기 제 1측정공정과 상기 제 2측정공정에서 얻은 측정결과를 이용하여 상기 막층의 막두께 분포를 얻는 막두께분포측정공정과;상기 막두께분포측정공정에서 얻은 데이터로부터 상기 연마를 속행하는지 여부를 제어하는 제어공정을;포함하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 제 1측정공정과 상기 제 2측정공정중 적어도 하나는 상기 측정된 막두께치를 교정하는 교정공정을 가지고, 상기 교정공정에서는 막두께가 이미 알려진 교정용 샘플의 막두께측정을, 상기 적어도 하나의 측정공정에 사용되는 상기 광원 및 상기 수광소자를 사용하고 상기 적어도 하나의 측정공정과 동기하여 행하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 제 2측정공정에서 측정된 상기 막두께정보는 막두께차이 또는 막두께평균치인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 제어공정에서는 상기 막층의 상기 막두께분포가 미리 설정된 범위내에 있을 때 상기 연마를 정지하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2측정공정, 상기 막두께분포측정공정과 상기 제어공정의 각 동작은 상기 연마수단에 의한 상기 막층의 표면의 연마중에 행하고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 기판면상에 형성된 막층의 표면을 연마하는 연마장치에 있어서,상기 기판에 대해 상대적으로 구동됨으로써 연마하는 연마수단과;상기 막층의 상기 표면상의 소정위치를 검출하는 위치검출수단과;순간광을 조사하는 광원과 수광소자를 가지며, 상기 위치검출수단에 의한 검출에 의거하여 상기 광원으로부터의 순간광을 상기 소정위치로 조사하여 상기 수광소자로 상기 소정위치로부터의 광속을 검출함으로써 상기 소정위치에서 막두께를 측정하는 제 1측정수단과;상기 제 1측정수단에 의해 얻은 데이터를 이용하여 상기 연마수단을 제어하는 제어수단을;구비하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 10항에 있어서, 상기 제 1측정수단은 상기 측정된 막두께치를 교정하는 교정수단을 가지고, 상기 교정수단은 막두께가 이미 알려진 교정용 샘플의 막두께측정을 상기 광원과 상기 수광소자를 이용하여 상기 소정위치에서 상기 막두께의 측정과 동기하여 행하고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 10항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 막층의 막두께와 막두께분포중 적어도 하나가 미리 설정된 범위내에 있을 때 연마를 정지하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 10항에 있어서, 상기 제 1측정수단과 상기 제어수단의 동작은 상기 연마수단에 의한 상기 막층의 표면의 연마중에 행하고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 기판면상에 형성된 막층의 표면을 연마하는 연마장치에 있어서,상기 기판에 대해 상대적으로 구동됨으로써 연마하는 연마수단과;상기 막층의 상기 표면상의 소정위치를 검출하는 위치검출수단과;순간광을 조사하는 제 1광원과 제 1수광소자를 가지며, 상기 위치검출수단에 의한 검출에 의거하여 상기 제 1광원으로부터의 상기 순간광을 상기 소정위치로 조사하여, 상기 제 1수광소자로 상기 소정위치로부터의 광속을 검출함으로써 상기 소정위치에서 막두께를 측정하는 제 1측정수단과;순간광을 조사하는 제 2광원과 제 2수광소자를 가지며, 제 2광원으로부터의 순간광을 상기 소정위치를 포함하거나 인접한 영역으로 조사하여, 상기 제 2수광소자로 상기 영역으로부터의 광속을 검출함으로써 상기 영역의 막두께정보를 측정하는 제 2측정수단과;상기 제 2측정수단과 상기 제 2측정수단에 의해 얻은 측정결과를 이용하여 상기 막층의 막두께분포를 얻는 막두께분포측정부와;상기 막두께분포측정부에 의해 얻은 데이터로부터 상기 연마수단에 의한 상기 연마를 속행하는지 여부를 제어하는 제어수단을;구비하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 제 1측정수단과 상기 제 2측정수단중 적어도 하나는 측정된 막두께치를 교정하는 교정수단을 가지며, 상기 교정수단은 막두께가 이미 알려진 교정용 샘플의 막두께측정을, 적어도 하나의 상기 측정수단의 상기 광원과 상기 수광소자를 이용하여 적어도 하나의 상기 측정수단에 의한 막두께 측정과 동기하여 행하고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 제 2측정수단으로 측정된 상기 막두께정보는 막두께차이 또는 상기 막두께의 평균치인 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 막층의 상기 막두께분포가 미리 설정된 범위내에 있을 때 연마를 정지하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2측정수단, 상기 막두께분포측정부와 상기 제어장치의 동작은 상기 연마수단에 의한 상기 막층의 표면의 연마중에 행하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 기판면상에 형성된 막층의 막두께를 측정하는 연마장치에 있어서,상기 막층의 표면상의 소정위치를 검출하는 위치검출수단과;순간광을 조사하는 광원과 수광소자를 가지며, 상기 위치검출수단에 의한 검출에 의거하여 상기 광원으로부터의 순간광을 상기 소정위치로 조사하여 상기 수광소자로 상기 소정위치로부터의 광속을 검출함으로써 상기 소정위치에서 막두께를 측정하는 제 1측정수단을;구비하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
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Families Citing this family (27)
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| US6432823B1 (en) * | 1999-11-04 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Off-concentric polishing system design |
| US6410441B1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-06-25 | Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. | Auto slurry deliver fine-tune system for chemical-mechanical-polishing process and method of using the system |
| US20020023715A1 (en) * | 2000-05-26 | 2002-02-28 | Norio Kimura | Substrate polishing apparatus and substrate polishing mehod |
| JP2002219645A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-08-06 | Nikon Corp | 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法並びにこの製造方法によって製造された半導体デバイス |
| JP4858798B2 (ja) * | 2001-05-15 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | 研磨装置、研磨方法およびこの研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法 |
| JP3932836B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 |
| KR100452852B1 (ko) * | 2002-01-09 | 2004-10-14 | 삼성전자주식회사 | 확대 광학계 및 그것을 갖는 화상형성 장치 |
| US6951597B2 (en) * | 2003-10-31 | 2005-10-04 | Novellus Systems, Inc. | Dynamic polishing fluid delivery system for a rotational polishing apparatus |
| US7235154B2 (en) * | 2004-01-08 | 2007-06-26 | Strasbaugh | Devices and methods for optical endpoint detection during semiconductor wafer polishing |
| US20060046618A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Sandhu Gurtej S | Methods and systems for determining physical parameters of features on microfeature workpieces |
| JP2006261473A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管方法 |
| DE102005050432A1 (de) * | 2005-10-21 | 2007-05-03 | Rap.Id Particle Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung von Gleitmittel und Hydrophobierungsfilmen in pharmazeutischen Behältnissen bezüglich Dicke und Homogenität |
| US7312154B2 (en) * | 2005-12-20 | 2007-12-25 | Corning Incorporated | Method of polishing a semiconductor-on-insulator structure |
| DE102007035833B3 (de) * | 2007-07-31 | 2009-03-12 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Fortgeschrittene automatische Abscheideprofilzielsteuerung und Kontrolle durch Anwendung von fortgeschrittener Polierendpunktsystemrückkopplung |
| JP5583137B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2014-09-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フィードバックおよびフィードフォワードプロセス制御のために光計測学を使用すること |
| US20110195636A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-11 | United Microelectronics Corporation | Method for Controlling Polishing Wafer |
| KR101383600B1 (ko) * | 2010-03-11 | 2014-04-11 | 주식회사 엘지화학 | 유리판 연마 상황을 모니터링하는 장치 및 방법 |
| US20130017762A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Infineon Technologies Ag | Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine |
| JP2016064459A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 株式会社ディスコ | 被加工物の研削方法 |
| US11557048B2 (en) | 2015-11-16 | 2023-01-17 | Applied Materials, Inc. | Thickness measurement of substrate using color metrology |
| US10565701B2 (en) * | 2015-11-16 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Color imaging for CMP monitoring |
| US11100628B2 (en) | 2019-02-07 | 2021-08-24 | Applied Materials, Inc. | Thickness measurement of substrate using color metrology |
| TW202113331A (zh) * | 2019-06-10 | 2021-04-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置、基板檢查方法及記錄媒體 |
| KR102618657B1 (ko) * | 2021-09-07 | 2023-12-29 | 한국생산기술연구원 | 로봇을 이용한 폴리싱 장치 및 이에 의한 폴리싱 방법 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5081796A (en) | 1990-08-06 | 1992-01-21 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer |
| JPH06140365A (ja) * | 1992-10-23 | 1994-05-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉ基板におけるｓｏｉ膜厚均一化方法 |
| US5372673A (en) * | 1993-01-25 | 1994-12-13 | Motorola, Inc. | Method for processing a layer of material while using insitu monitoring and control |
| US5433651A (en) * | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
| JP3313505B2 (ja) * | 1994-04-14 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | 研磨加工法 |
| US5555474A (en) * | 1994-12-21 | 1996-09-10 | Integrated Process Equipment Corp. | Automatic rejection of diffraction effects in thin film metrology |
| JPH08174411A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
| DE69635816T2 (de) * | 1995-03-28 | 2006-10-12 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung zur In-Situ-Kontrolle und Bestimmung des Endes von chemisch-mechanischen Planiervorgängen |
| TW284907B (en) * | 1995-06-07 | 1996-09-01 | Cauldron Lp | Removal of material by polarized irradiation and back side application for radiation |
| US5695601A (en) * | 1995-12-27 | 1997-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for planarizing a semiconductor body by CMP method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the method |
| US6093081A (en) * | 1996-05-09 | 2000-07-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Polishing method and polishing apparatus using the same |
| US5948203A (en) * | 1996-07-29 | 1999-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical dielectric thickness monitor for chemical-mechanical polishing process monitoring |
| JP3788533B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2006-06-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 研磨装置および研磨方法 |
| US5888120A (en) * | 1997-09-29 | 1999-03-30 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for chemical mechanical polishing |
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