KR100278210B1 - 반도체표면처리제및처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 주성분으로 무기 또는 유기 알칼리, 과산화수소 및 물을 함유하는 반도체 표면 처리제로 반도체의 표면을 세정하는 단계, 및 초순수, 하나 이상의 반도체 표면 처리제 및 분자내에 3개 이상의

Description

반도체 표면 처리제 및 처리 방법
제 1 도는 SC-1 처리용액중의 Al의 농도(ppb)와 실시예 1과 비교예 1에서 수득한 실리콘 와이퍼의 표면에 흡착된 Al의 양(atom/cm2)사이의 관계를 보여주는 그래프(프레운들릭 플로트(Freundlich plots))이다.
제2도는 1 ppb의 Al을 함유한 SC-1 처리용액중의 착물화제의 농도(중량%)와 실시예 2에서 수득한 실리콘 와이퍼 표면에 흡착된 Al의 양(atom/cm2)사이의 관계를 보여주는 그래프이다.
본 발명은 반도체와 LCD의 표면을 세정하는 데 사용되는 표면처리제의 개선에 관한 것이다.
구체적으로, 본 발명은 반도체, 집적회로, LCD 등의 생산에 자주 사용되는 실리콘, 게르마늄 및 복합 반도체(예: Ga-As, Ga-P 등)의 표면, 반도체와 접촉하는 필림의 표면, 또는 유리기질의 적어도 한쪽 표면의 유기물질. 미립자 및 금속들의 오염물을 제거하기위해 세정에 사용되는, 개선된 표면처리제 및 개선된 처리방법에 관한 것으로, 표면세정을 개선시켜 제품의 수율을 향상시키는데 효과적이다.
현재, LSI, IC, 다이오드, 정류자 등과 같은 반도체 소자들은 대부분 실리콘 와이퍼에 기상형 성장(vapor phase growth), 옥사이드 필림형성, 불순물 확산, 전극 금속의 기상 증착(vapor deposition) 등과 같은 가공단계를 거쳐 제조되는 실리콘 소자들이다.
불순물에 의한 오염은 반도체의 특성에 현저하게 바람직하지 못한 영향을 미치기 때문에 상기 가공단계 이전에 오염을 제거하기위하여 실리콘 표면을 충분하게 세정해주는 것이 필요하다. 처리하는 화학약품이나 처리하는 온도에 따라서 각종의 공업용 세정 방법이 사용된다. "RCA 세정법"이라고 부르는 일련의 처리방법(RCA 리뷰 187-206 페이지, 1970년 6월호)은 1970년대 중반에 출현하여 널리 사용되어오고 있는, 습식세정의 주요방법이다. RCA 세정법은 (i) 유기물질과 Cu, Ag 등과 같은 금속의 오염, 특히 미립자의 오염을 제거하는 데 효과적인 암모니아, 과산화수소 및 물을 사용하는 SC-1 처리, (ⅱ) 천연 실리콘 옥사이드 필림을 제거하는 묽은 HF 처리, 그리고 (ⅲ) 금속오염을 제거하는데 매우 효과적인 염산, 과산화수소 및 물을 사용하는 SC-2 처리가 결합된 방법이다.
일반적으로 사용되는 RCA 세정법의 순서는 SC-1 처리 →묽은 HF 처리 →SC-2처리이다. 그러나 묽은 HF 처리공정은 실리콘 와이퍼의 표면에 미립자가 쉽게 오염되도록 하며, SC-2 처리법은 미립자를 제거하는데 열등하다. 최근 LSI의 고집적화로 소자의 패턴을 빠르게 극소화되어가고 있으며 소자에 피해를 주는 미립자의 크기도 또한 극소화되어가고 있다.
미립자의 크기가 작아질 수록, 와이퍼에 대한 이들의 접착력은 증대된다.
따라서, 미립자의 제거가 더욱 어려워져, 제품의 수율은 세정할 때 미립자의 오염을 제거할 수 있는 능력에 크게 좌우된다. 입자를 아주 효과적으로 제거하기위하여 세정의 마지막 단계에서 SC-1 처리공정을 실시하는 방법이 시도되었다. 그러나, 와이퍼의 표면에 흡착된 금속성 불순물이 상기의 세정단계를 거치면 옥사이드 파괴전압의 저하와 열산화에 의해 형성된 옥사이드 필림의 비정상적인 성장과 같은 문제점이 유발된다.
SC-1 처리후에 외이퍼의 표면에 검출되는 금속 원소는 Fe, Al, Ca, Mg, Zn 등이다. 처음에 이들 오염금속들은 세정단계 이전의 가공단계에서 생산설비로부터 유래된 것이거나 주변환경에서 유래된 것이다. 이들은 SC-1의 불충분한 세정력으로 인해 제거되지 않는 금속으로 구성되어 있으며, 이들 원소들은 이들 금속원소들을 함유하고 있는 처리용액으로부터 와이퍼에 흡착된다.
SC-1 처리공정이 사용될 경우, 다른 금속과 비교하여 Fe 와 Al이 특히 흡착되고 잔류되기 쉬워 제거하기가 어렵다. 대량 생산 설비에서 고생산성 세정장치로 보통 캐리어안에 들어있는 와이퍼가 차례차례로 세정조에 통과하는 Tact 방법이 사용된다. 따라서, 세정할 경우, SC-1 처리조의 액체내에 방출된 오염원소들이 점차 축적되고 다음의 와이퍼위에 흡착되어 바람직하지 못한 오염이 발생하게 된다. 게다가, Al이 반도체 소자의 전선 재료로 사용되기 때문에, Al에 의한 오염은 피할 수가 없다. 덧붙여, 극히 고순도의 암모니아와 과산화수소가 사용되지않을 경우, 세정 화학약품에 불순물이 흡착하는 오염이 발생하게 된다. 과산화수소의 제조와 저장시에 Al과 같은 금속류가 사용되기 때문에 반도체 세정을 위해 사용되는 고산화수소를 극히 고순도로 정제하는 것이 특히 필요하다. 또한, 이들 초고순도 화학약품들은 이송용기내 또는 세정조로 통하는 공급시스템내에서 쉽게 오염되기 때문에 이들 화학약품의 순도를 세정조에서 아주 고순도로 유지하는 것은 쉬운일이 아니다.
SC-1 처리후에 보통 와이퍼의 표면은 Fe가 약 1011내지 1012atoms/cm2, Al가 약 1011내지 1013atoms/cm2, Ca, Mg 및 Zn가 약 1010sowl 1011atoms/cm2이상의 Fe 농도에서 라이프타임을 단축시키며, Al 오염은 1012atoms/cm2이상의 Al 농도에서 옥사이드 필림의 비정상적인 성장을 야기시킨다. 그러므로, Fe와 Al의 농도를 각각 약 1010atoms/cm2과 약 1011atoms/cm2만큼 낮게 유지해야 한다. 단지 SC-1 처리만으로 그러한 정도의 청정도를 얻기가 매우 어렵다.
SC-1 처리와 유사하는 다른 세정방법으로 유기 알칼리와 고산화수소를 사용하는 방법이 알려져있다. 예를 들면, 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH)와 과산화수소(일본국 특허 공개공보 제 50-147284 호), 트리알킬(히드록시알킬)암모늄 히드록시드와 과산화수소(일본국 특허 공고공보 제 53-43012 호, 미국특허 제 4239661 호, 미국특허 제 4339340 호)등이 있다. 이들 방법들은 SC-1 처리와 같이, 알칼리와 과산화수소에 의한 처리에 특징적인 미립자의 제거 능력이 우수하다. 그러나 이 방법은 처리용액으로부터 Fe, Al 등의 심각한 오염을 야기시켜 Fe, Al 등에 오염된 와이퍼를 세정하는 데 충분하지 못하다. 금속 불순물을 세정되는 재료에 대해 불활성으로 만들기위하여 안정한 수용해성 착물로 만드는 방법은 일반 세정제를 만드는데 사용하는 종래의 방법이다. 예를 들면, TMAH와 과산화수소에 착물화제의 첨가가 일본국 특허 공개공고 제 50-158281 호에 개시되어 있으며, 트리알킬(히드록실아민)암모늄 히드록시드와 과산화수소에 착물화제의 첨가가 일본국 특허 공개공보 제 53-20377 호, 미국특허 제 4239661 호 및 미국특허 제 4339340 호에 개시되어 있다. 각 경우에서, 착물화제의 첨가량은 0.01 중량% 이상이 되어야 한다. 시아노 화합물의 첨가는 위험하다. 에틸렌디아민 테트라아세트산(EDTA), 트리에탄올아민 등과 같은 유기 화합물이 기재된 대로 100 ppm 정도의 양이 첨가될 경우, 실리콘 표면위에 유해한 탄소오염이 발생하여 전기특성에 문제가 야기된다.
미립자의 오염에 대해 아주 효과적인 "알칼리와 과산화수소"세정법은 Fe와 Al과 같은 해로운 금속 불순물의 세정 효율에 있어 그것만으로 충분하지 못하다. 많은 양의 착물화제를 첨가하는 방법은 전기적 특성을 저하시키므로 실제적이지 못하다. 이 문제를 해결하기 위한 방법으로서, 알칼리와 과산화수소에 포스핀산 형태의 착물화제를 10-3중량% 이하의 양으로 첨가하는 것이 일본국 특허 공개공보 제 5-275405 호(미국특허 제 5,290,361 호)에 보고되어 있다. 포스핀산 형태의 착물화제를 사용하는 경우, 그 첨가량이 10-3중량% 이하일 때, 상기 방법으로 처리된 와이퍼는 유기물질의 오염에 의한 전기적 특성에 바람직하지 못한 영향을 나타내지 않으며 Fe 농도는 약 1010atoms/cm2으로 제한될 수 있다. 그러나 Al에 대한 착물 형성 속도는 느려, 불만족스러운 효과가 나타난다. 그러므로, Al의 농도는 처리된 와이퍼 표면에 적어도 약 1011atoms/cm2가 된다. Al에 의한 실리콘 표면의 오염은 열 산화동안 옥사이드 필림의 성장 속도에 영향을 미치는데, 이것은 공정의 엄밀한 제어의 관점에서 바람직하지 못하다.
상기에 설명한 것처럼, 미립자의 오염에 대해 매우 효과적인 "알칼리와 과산화수소"세정법은 해로운 금속 불순물중의 하나인 Al의 세정에 있어 그 효율이 만족스럽지 못하다. 이 문제를 해결하기위한 효과적인 수단이 아직 발견되지 않았다.
본 발명의 목적은 상기에서 설명한 종래의 알칼리 표면처리제가 갖고 있는 문제점을 해결하고, 처리제로부터의 흡수되어 발생하는 Al 오염을 방지하며, 높은 세정 효율을 가지고 있는, 개선된 표면처리제 및 개선된 표면처리방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 주성분으로 무기 또는 유기 알칼리, 과산화수소 및 물을 함유하는 반도체 표면 처리제로 반도체의 표면을 세정하는 단계, 및 초순수로 그표면을 헹구는 단계로 구성되는 반도체 표면 처리 방법으로서,
상기 반도체 표면 처리제와 초순수중 적어도 하나가 분자내에 3개이상의기를 가지고 있는 착물화제 또는 그의 염(이후부터 착물화제 또는 그의 염을 "본 발명의 착물화제"라 칭함)를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 처리방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 본 발명의 착물화제에 덧붙여, 분자내에 하나 이상의 포스핀산기 또는 그의 염을 함유하는 킬레이트제, 그의 산화형태, 또는 다인산 또는 그의 염의 존재하에서 상기 처리공정을 수행하는 처리방법을 제공한다(킬레이트제 또는 그의 산화형태 및 다인산 또는 그의 염을 "Fe-제거 착물화제"라 칭함).
더우기, 본 발명은 무기 또는 유기 알칼리, 과산화수소, 물 및 본 발명의 상기 언급한 착물화제를 함유한 반도체 표면 처리제를 제공한다.
더 더우기, 본 발명은 무기 또는 유기 알칼리, 과산화수소, 물, 본 발명의 상기 언급한 착물화제, 및 Fe-제거 착물화제를 함유한 반도체 표면 처리제를 제공한다.
더 더우기, 본 발명은 본 발명의 착물화제를 반도체 표면 처리제를 구성하는 하나 이상의 성분들에 첨가한 다음, 그 성분들을 혼합하는 것을 특징으로 하거나, 반도체 표면 처리제를 구성하는 성분들을 혼합한 다음 본 발명의 착물화제를 수득한 혼합물에 첨가하는 것을 특징으로 하는 상기 언급한 각각의 반도체 표면 처리제들을 제조하는 방법을 제공한다.
더 더우기, 본 발명은 본 발명의 상기 언급한 착물화제를 함유하는 반도체 표면 처리제를 제조할 수 있는 알칼리 수용액을 제공한다.
더 더우기, 본 발명은 증류에 의한 정데 및 금속 불순물의 제거처리에 이어 상기 언급한 본 발명의 착물화제를 첨가함으로써 수득되는 반도체 표면 처리제를 제조할 수 있는 과산화수소 용액을 제공한다.
더 더우기, 본 발명은 반도체 표면 처리제의 성분으로서 본 발명의 착물화제를 함유하는 과산화수소 용액을 사용함으로써 반도체의 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면처리 방법을 제공한다.
더우기, 본 발명은 반도체 표면 처리제의 성분으로서 본 발명의 착물화제를 함유하는 알칼리 수용액을 사용함으로써 반도체의 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 반돛 표면 처리 방법을 제공한다.
더우기, 본 발명은 반도체 표면 처리제의 성분으로서 본 발명의 착물화제를 함유하는 물을 사용함으로써 반도체의 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 처리 방법을 제공한다.
제1도는 SC-1 처리용액중의 Al의 농도(ppb)와 실시예 1과 비교예 1에서 수득한 실리콘 와이퍼의 표면에 흡착된 Al의 양(atom/cm2)사이의 관계를 보여주는 그래프(Freundlich plots)이다.
제2도는 1 ppb의 Al을 함유한 SC-1 처리용액중의 착물화제의 농도(중량%)와 실시예 2에서 수득한 실리콘 와이퍼 표면위에 흡착된 Al의 양(atom/cm2)사이의 관게를 보여주는 그래프이다.
Al에 의한 실리콘 와이퍼 표면의 오염이 열 산화동안 옥사이드 필림의 성장 속도에 영향을 준다는 것이 알려져 있다. 일반적으로, 실리콘 와이퍼의 표면에 잔류한 많은 양의 Al은 "알칼리와 과산화수소"세정을 받는다. Al흡착과 세정 능력의 결핍 문제는 본 발명에 의해서 충분하게 해결할 수 있다. 이후 설명될 비교예 1에서 볼 수 있듯이 SC-1 처리이후에 실리콘 와이퍼의 표면에서 Al의 농도를 1011atoms/cm2이하로 제어하기 위하여 SC-1 처리용액중 Al의 농도를 0.01 ppb 이하로 유지시켜야 한다. 일반적인 반도체 제조공장의 세정 장치에서, 와이퍼는 차례 차례로 조내의 세정 용액을 통해 지나가고, 오염물들이 용액내에 축척하게 된다. 실제로, SC-1 처리 이후 실리콘 와이퍼 표면의 Al의 농도는 상기에서 설명한 것처럼 보통 1012내지 1013atoms/cm2이다. 제 1 도로부터 SC-세정 조내에 Al의 실제 농도는 약 0.01 내지 0.1 ppb로 추측할 수 있다. 제 2 도에서 명백하게 알 수 있듯이, EDTA와 같은 전형적인 킬레이트제를 1 ppb의 Al을 함유하고 있는 SC-1 처리용액에 첨가함으로써 상기 처리과정을 수행할 경우에라도, 10-2중량%의 킬레이트제의 농도에서 단지 약 1011atoms/cm2의 Al 흡착량이 얻어질 수 있다.
경험에 따르면, "알칼리와 과산화수소"처리제내에 함유된 저비점물질로 분해하기 어려운 유기물질들은 그들의 양이 탄소농도의 측면에서 10-4중량% 이하의 양이라고 할지라도 소자의 수율에 영향을 미친다. 따라서 각종의 착물화제가 1 ppb의 Al을 함유하고 있는 SC-1 처리용액에 10-4중량%의 양으로 첨가되고, 실리콘 와이퍼의 표면에 흡착된 Al의 양이 비교되었다. Al에 대해 거의 동일한 높은 착물화 상수값을 가진 EDTA, 1,2-시클로헥산디아민테트라아세트산(CyDTA), 트리에틸렌테트라아민헥사아세트산(TTHA) 및 니트릴로트리아세트산(NTA) 각각을 첨가하였을 경우, 실리콘 와이퍼 표면의 Al 밀도는 실질적으로 킬레이트제가 첨가되지않은 경우와 마찬가지였다. 본 발명의 목적은 특정 착물화제를 첨가함으로써 달성되었으며, 착물화제의 효과는 가능한한 적은량의 착물화제를 첨가함으로써 충분히 향상되었다.
즉, 본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위하여 실리콘 와이퍼 표면에서의 금속 흡착의 메카니즘을 진지하게 연구하엿고, 그 결과 흡착은 금속이온에 배위된 OH기와 실리콘 와이퍼의 표면에 존재하는 OH기 및 H기들간의 수소결합 상호작용으로 인한 것이며, 금속이온과 OH기들간의 배위를 억제할 수 있는 착물화제를 반도체 표면 처리제 또는 헹굼 용액에 첨가함으로써 흡착에 의해 야기되는 오염을 감소시킬 수 있다는 결론을 얻었다.
따라서, 본 발명을 완성하였다.
착물형성 반응은 산성 영역의 착물화제에 대한 금속이온들과 H원자들의 경쟁적인 반응과, 알칼리 영역의 금속이온들에 대한 착물화제와 OH기들의 경제적인 반응을 의미한다. 즉, 금속이온들에 대한 착물화제의 반응(착물 형성 반응)이 금속이온들에 대한 OH기들의 반응(수산화물 형성 반응)보다도 빠르고, 반응에 의해 형성된 착물이 안정하고 물에 가융성이라면, 상기 착물화제는 알칼리 용액내에 존재하는 금속이온들의 수산화물 형성을 막을 수 있다. 더우기, 현저한 착물 형성 능력을 가지고 있는 착물화제는 또한 수산환물을 용해시킬 수 있기 때문에, 본 발명자들은 금속에 대한 OH기들의 배위를 억제할 뿐만 아니라 흡착된 금속 불순물을 용해시킬 수 있는 착물 형성 반응의 이용을 고려하게 되었다.
꾸준한 연구 결과로서, 본 발명자들은 OH기들의 배위를 억제할 수 있는 유력한 착물화제로서, 3 개 이상의의 기들을 가지고 있는 화합물들을 선택하였다.
즉, 본 발명자들은 본 발명의 모든 착물화제들이 금속이온들(예: Al이온들)에 대해 높은 착물과 상수값을 가지므로 OH기들의 배위가 충분히 억제되며, 이들의 착물화 반응이 용이하고 빠르고, 형성된 착물이 안정하고 물에 가용성이라는 것을 발견하였다. 따라서, 본 발명을 완성하였다.
본 발명에 따라, 분자내에 3 개 이상의기를 가지고 있는 화합물로는, N,N',N"-트리스[2-(N-히드록시카르바모일)에틸]-1,3,5-벤젠트리카르복사미드(BAMTPH), 데스페르리크로신(desferricrocin), 데스페르리마이신( desferrimycin), 데스페르리옥사민(desferrioxamine)(또는 데페르리옥사민(deferrioxamine)) A, B, D1, D2, E 및 G, N-포르밀데스페르리옥사민 E, N-아세틸-데스페르리옥사민 G, 데스페르리로딘(desferrirhodin),데스페르리루빈(desferrirubin),데스페르리크롬(desferrichrome), 데스페르리크롬 A, 데스페르리크리신(desferrichrysin), 및 이들 화합물들의 염산염(착물화제), 이들 화합물들의 황산염, 이들 화합물들의 인산염, 이들 화합물들의 질산염, 이들 화합물들의 메탄술포네이트(메실레이트), 이들 화합물들의 에탄술포네이트, 이들 화합물들의 암모늄염, 및 이들 화합물들의 알칼리 금속염(예: K, Li) 등이 사용될 수 있다.
예를 들면, Al의 농도를 10-4중량%로 조정하기 위하여 1 ppb의 Al을 함유하고 있는 SC-1 세정 용액에 데스페르리크로신이 첨가될 경우, Al의 흡착량은 1011atoms/cm2이하(목적치)로, 다시말해, Al의 흡착량은 종래의 킬레이트제를 사용한 경우에서 얻어진 것과 완전히 다르다. 동일한 효과가 또한 본 발명의 다른 킬레이트제가 사용되었을 때, 얻어질 수 있다. 더우기, 세정 효율이 또한 개선될 수 있다. 예를 들면, Al 오염된 실리콘 와이퍼를 세정한 후 잔류율은 종래의 착물화제를 사용한 경우 만큼이나 낮은 약 1/10이 된다.
상기 예시된 본 발명의 착물화제는 단독으로 또는 두개 이상의 그들의 혼합물로서 사용될 수 도 있다. 반도체 표면 처리제의 전체 용액중에서 본 발명의 착물화제의 함량은 보통 10-7내지 10-3중량%, 바람직하게는 10-6내지 10-4중량%이다. 그 함량이 상기 영역 이상일 경우, 유해한 탄소오염이 표면에서 발생한다. 한편, 그 함량이 상기 영역 이하일 경우, 만족스러운 세정 효율이 기대될 수 없다.
일반적으로, 본 발명의 반도체 표면 처리제는 주 성분으로서 무기 또는 유기 알칼리, 과산화수소 및 물을 함유한다. 본 발명에 사용되는 무기 알칼리로는, 암모니아를 예시할 수 있으며, 일반적으로 20 내지 30 중량%의 수용액의 형태로 사용된다. 본 발명에 사용되는 유기 알칼리로는, 먼저 4가 수산화암모늄을 예시할 수 있으며, 일반적으로 0.5 내지 10중량%의 수용액 형태로 사용된다. 대표적이며 구체적인 4가 수산화암모늄은 트리메틸-2-히드록시에틸암모늄 히드록시드, 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH) 등이다. 4가 수산화암모늄은 이들 만으로 제한되지 않는다. 본 발명에서 사용되는 유기 알칼리도 4가 수산화암모늄만으로 제한되지 않는다. 예를 들면, 구아니딘 카르보네이트가 상기에서 기재된 것과 같은 농도로 사용될 수 있다. 무기 또는 유기 알칼리는 반도체 표면 처리제의 전체 용액 중량을 기준으로 보통 0.01 내지 30 중량%, 바람직하게는 0.01 내지 20 중량%의 농도로 사용된다.
과산화수소는 일반적으로 20 내지 40중량%의 수용액의 형태로 사용된다. 과산화수소는 반도체 표면 처리제의 전체 용액 중량을 기준으로 0.01 내지 30 중량%의 농도로 사용된다. 농도가 상기 영역밖에 있다하더라고 세정 효율은 특별하게 영향을 받지는 않는다.
본 발명의 착물화제는 반도체 표면 처리제, 즉, 상기 언급한 알칼리, 과산화수소 용액 및 물을 구성하는 성분들중의 어느 하나, 둘 또는 모두중에 용액의 형태로 사용되지만, 착물화제는 알칼리, 과산화수소 용액 및 물의 혼합물중에 용액의 형태로 사용될 수도 있다. 즉, 본 발명의 착물화제를 반도체 표면 처리제에 첨가하는 방법은 특별하게 제한받지 않는다.
본 발명의 착물화제가 헹굼 물(보통 초순수가 사용됨)에 첨가될 경우, 정확하게 동일한 개선 효과가 얻어질 수 있다.
본 발명에서, 본 발명의 착물화제가 과산화수소 용액에 첨가될 때, 과산화수소 용액은 바람직하게는 증류에 의해 정제된 후, 금속 불순물이 제거된 것이다. 그러나 과산화수소 용액이 정제되지 않은 것일지라도 만족스러운 효과가 얻어질 수 있다.
본 발명의 반도체 표면 처리제가 통상의 온도에서도 흡착에 대해 우수한 억제 효과와 뛰어난 세정 효율을 가지고 있기 때문에 어떠한 가열 조작도 필요하지 않다. 말할 필요도 없이, 반도체 표면 처리제의 효과는 적절한 가열 조작이 실시되더라도 변화하지 않는다.
본 발명의 반도체 표면 처리제는 본 발명의 효과가 감소되지 않는 한 본 발명의 알칼리, 과산화수소, 물 및 착물화제에 덧붙여 여러가지 보조제(예: 계면 활성제)를 함유할 수 도 있다.
더우기, 본 발명의 반도체 표면 처리제는 실리콘 와이퍼를 단지 처리 용액에 담그는 담금 처리에서 조차도 흡착에 대해 우수한 억제 효과와 뛰어난 세정 효율을 나타낸다. 이 효과는 실리콘 와이퍼에 처리용액을 흩뿌리거나 담금 처리과정 동안 초음파 세정기 또는 이와 유사한 장치를 사용하여 반도체 처리 용액의 흐름을 가속화시켜 세정을 기계적, 물리적으로 증진시킴으로써 더 개선될 수 있다.
본 발명의 착물화제는 Al을 제거하는 데 매우 효과적이지만(이후, "Al제거 착물화제"라고 칭함) Fe를 제거하는데도 효과적이지 못하다.
그러므로, 실제 표면 처리에 있어서, Al 제거 착물화제를 일본국 특허 공개공보 제 5-275405 호 및 미국 특허 제 5,290,361 호에서 기재된 것과 같이 Fe 제거에 효과적인 다른 착물화제(Fe 제거 착물화제)와 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. Fe 제거 착물화제로는 분자내에 하나 이상의 포스 핀산기 또는 그의 염을 함유하는 또는 그의 산화 형태를 함유하는 화합물, 예를 들면, 에틸리덴 디포스핀산, 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌 포스핀산), 메틸 디포스핀산, 니트리로트리스(메틸렌 포스핀산), 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌 포스핀산), 이들 화합물들의 암모늄염, 이들 화합물들의 알칼리 금속염(Na 염은 제외); 그리고 다인산과 그의 염, 예를 들면, 헥사메타인산, 테트라메타인산, 이들 다인산류의 암모늄염, 및 이들 다인산류의 알칼리 금속염(Na 염 제외)을 들 수 있다. 또한, Fe 제거 착물화제로서 1,2-프로필렌디아민 테트라(메틸렌 포스핀산)(미국 특허 제 5,302,311 호에 개시)을 사용하는 것도 가능하다. 상기 예시된 Fe 제거 착물화제가 본 발명의 착물화제(Al 제거)와 조합되어 사용될 경우, 본 발명의 착물화제의 Al 제거력을 억제하지 않고 Al과 Fe를 동시에 효과적으로 제거시킬 수 있다.
Fe 제거 착물화제는 일반적으로 반도체 표면 처리제, 즉, 상기 언급한 알칼리, 과산화수소 용액 및 물을 구성하는 성분들중의 하나, 둘 또는 모두중에 용액의 형태로 사용될수 있지만, Fe 제거 착물화제는 알칼리, 과산화수소 용액 및 물의 혼합물중에 용액의 형태로 사용될 수도 있다. 즉, 본 발명의 Fe 제거 착물화제를 반도체 표면 처리제에 첨가하는 방법은 특별하게 제한받지 않는다.
Fe 제거 착물화제가 헹굼 물(보통 초순수가 사용된)에 첨가될 경우, 정확하게 같은 개선 효과가 얻어질 수 있다.
본 발명에서, Fe 제거 착물화제가 과산화수소 용액에 첨가될 경우, 과산화수소 용액은 증류에 의해 정제된 후, 금속 불순물이 제거된 것이 바람직하다. 그러나 과산화수소 용액이 정제되지 않은 것일지라도 만족스러운 효과가 얻어질 수 있다.
Fe 제거를 위해 효과적인 착물화제로서, 물론 Fe 제거를 위해 선행기술에서 지금까지 사용되어온 EDTA, 트리에탄올아민과 같은 다른 착물화제 및 Fe 제거를 위해 사용할 수 있는 다른 킬레이트제들이 상기 예시한 착물화제와 조합되어 사용될 수 있다.
본 발명은 하기 실시예와 비교예를 참고로 예증될 것이다. 이들 실시예와 비교예에서 다른 언급이 없다면 퍼센트는 모두 중량 퍼센트이다.
실시예와 비교예에서 와이퍼 표면의 Al 농도는 깨끗한 폴리테트라플루오로에틸렌 시트와 와이퍼의 표면사이에 샌드위치된 소량의 초특급 묽은 불화수소산중에 Al을 용해시킨 후, 흑연로 원자흡광 분광기(graphite furnace atomic-absorption spectroscopy)로 분석함으로써 측정하였다.
다른 언급이 없다면, 실시예와 비교예에서 28% 암모니아수와 35% 과산화수소 용액을 사용하였으며, 농도의 단위, 즉 퍼센트, ppm 및 ppb는 모두 중량기준이다. 덧붙여, 실시예와 비교예에서 사용된 모든 화학약품들은 흑연로 원자흡광 분광기에 의해 검정된 0.1 ppb 이하의 Al을 함유한 초특급품이다. 사용된 물은 흑연로 원자흡광 분광기에 의해 검정된 0.01 ppb 이하의 Al을 함유하고 있는 초순수이다.
[실시예 1]
암모니아수 1 부피부, 과산화수소 용액 1 부피부 및 물 5 부피부의 혼합 용액(이후 "SC-1 세정 용액"으로 약칭)에 데스페르리크롬 A를 10-4% 또는 10-5% 양 첨가하여 일련의 처리 용액을 제조한다. 이후, Al을 각각 10 ppb, 1ppb 및 0.1 ppb의 양씩 상기 처리 용액에 첨가한다. 여러 Ωㆍcm 와 결정 배향(100)을 가진 P형 5 인치 와이퍼를 각 처리 용액에 침적시켜 70℃에서 10분간 처리한 후, 10 분가간 초순수로 헹구었다(이후부터, SC-1 세정 용액으로 와이퍼를 처리한 조건은 상기와 동일함). 이후, 와이퍼의 표면에 흡착된 Al의 농도를 측정하였다. 상기 흡착 실험의 결과는 제 1도(--:데스페르리크롬 A 10-4% 첨가, --:데스페르리크롬 A 10A-5% 첨가)에서 프레운들릭 플로트로 나타내었다.
[비교예 1]
실시예 1과 같은 방법으로 실시예 1에서 사용된 SC-1 처리 용액(데스페르리크롬 A 함유하지 않음)으로부터 Al의 흡착을 시험하였다. 그 결과를 --로 제1도에 프레운들릭 플로트로 나타내었다.
SC-1 처리용액에 1 ppb의 Al이 존재할 때, 데스페르리크롬 A가 첨가되지 않은 경우, Al의 흡착량은 약 3×1012atoms/cm2이다. Al의 흡착량을 1011atoms/cm2이하로 제한하기 위해, SC-1 처리용액중의 Al의 농도를 0.01 ppb 이하로 콘트롤 해야한다.
실시예 1에 표시된 표면 처리제는 비교예 1과 비교하여 Al의 흡착을 방지하는 데 매우 효과적이다. SC-1 처리용액중의 Al의 농도가 0.1 ppb 로 콘트롤 될 때, Al의 흡착량은 데스페르리크롬 A를 10-5%의 양으로 첨가함으로써 1011atoms/cm2이하로 제한할 수 있다. SC-1 처리용액중의 Al의 농도가 1 ppb 로 콘트롤 될 때, Al의 흡착량은 데스페르리크롬 A를 10-4%의 양으로 첨가함으로써 1011atoms/cm2이하로 제할할 수 있다. 즉, 본 목적은 탄소에 의한 오염을 무시할 수 있는 소량의 착물화제를 첨가함으로써 달성될 수 있다.
[실시예 2]
제 2 도는 1 ppb의 Al을 함유한 SC-1 처리용액중의 착물화제의 농도와 Al에 대해 강력한 마스킹 효과를 가지고 있다고 여겨지는 본 발명에 따르는 데스페프리옥사민 B (--)와 EDTA(--), CyDTA(--) 및 메틸 디포스핀산(MDP)(--)를 비교하여 측정한 실리콘 와이퍼 표면위에 흡착된 Al의 양사이의 관계를 보여준다. 본 발명의 착물화제는 10-7% 이상의 농도에서 효과적이며 10-4% 농도에서 Al의 흡착량을 1011atoms/cm2이하로 억제시킬 수 있다. 한편, Al의 흡착량을 1011atoms/cm2이하로 억제시키기 위하여 요구되는 EDTA, CyDTA 또는 MDP의 농도는 각각 10-2%, 10-1% 또는 5×10-3%이다.
[비교예 2]
1 ppb의 Al을 함유하고 있는 SC-1 처리용액에 여러 착물화제를 각각 10-4%의 양씩 첨가하고, 실리콘 와이퍼 표면위에 흡착된 Al의 양을 측정하였다. 그결과는 표1에 나타냈다.
[실시예 3]
데스페르리로딘을 미리 10-4%의 양 첨가시킨 암모니아수(28%)를 사용하는 것 이외에 실시예 1과 같은 방법으로 SC-1 처리용액을 제조하였다.
처리용액중의 데스페프리로딘의 농도는 1.5×10-5% 였다. 이 처리용액에 1 ppb의 Al을 첨가하고, 수득한 용액을 사용하여 세정 처리를 실시하였다. 그후, 와이퍼 표면위의 Al의 흡착량을 측정하였을 때, Al의 흡착량은 2×1011atoms/cm2였다.
Al이 첨가되지 않은 SC-1 처리용액(데스페르리로딘 농도:1.5×10-5%)을 사용하여 사전에 1013atoms/cm2의 Al로 오염시킨 표면을 가진 실리콘 와이퍼를 70℃에서 10분간 세정하였다(상기와 같은 세정 조건과 Al로 오염된 와이퍼를 이후 기재되는 SC-1 처리실험에 사용하였다.)
와이퍼 표면위에 남아 있는 Al의 잔류량은 3×1011atoms/cm2, 즉 잔류율(초기 오염량에 대한 잔류량의 비율)은 3%였다. 따라서, SC-1 처리용액의 Al에 대한 세정 효율은 10 이상의 인수만큼 개선되었다.
[비교예 3]
데스페르리로딘 대신에 EDTA 및 EDTA와 유사하며 보다 큰 킬레이트 안정 계수를 가지는 여러 킬레이트제를 데스페프리로딘의 농도와 같은 농도(1.5×10-5%)의 양을 사용한 것이외에는 실시예 3과 같은 흡착실험과 세정실험을 반복하였다. 얻은 결과를 실시예 3의 결과와 비교하여 표2에 나타내었다.
EDTA 및 EDTA와 유사한 킬레이트제들은 1.5×10-5%의 농도에서 Al의 흡착에 대한 억제 효과를 거의 나타내지 않았으며, 세정 효율도 개선되지 않았다.
[실시예 4]
BAMTPH, 데스페르리크로신, 데스페르리마이신, 데스페르리루빈, 및 데스페프리옥사민 E의 유도체인 트리-O-메틸-데스페르리옥사민 E(TM-데스페르리옥사민 E)를 본 발명의 착물화제로서 10-4%의 양씩 SC-1 처리용액에 첨가하여 본 발명의 표면 처리제를 제조한다. 이들 각 SC-1 처리용액을 사용하여, 1013atoms/cm2의 Al로 오염된 실리콘 와이퍼를 세정하고 세정후 Al의 잔류량을 측정하였다. Al의 잔류율은 잔류량으로부터 계산하였으며, 이를 표 3에 나타내었다.
[비교예 4]
본 발명의 착물화제 대신에 일반적으로 사용되는 전형적인 킬레이트제인 EDTA, 아세틸아세톤 및 니트릴로트리스(메틸렌 포스핀산((NTPO)을 각각 10-4% 양만큼씩 SC-1 처리용액에 첨가함으로써 제조된 처리용액, 그리고 어떠한 킬레이트제도 첨가하지 않은 SC-1 처리용액을 사용한 것 이외에 실시예 4에서 사용한 동일한 세정시험을 반복하였다. 수독한 Al의 잔류율 값은 표 3에 나타냈다.
표 3에서 명백하게 알수 있듯이, 본 발명의 반도체 표면 처리제는 10-4% 만큼이나 아주 적은 양의 본 발명의 각 착물화제의 첨가에 의해서 Al에 대해 현저하게 개선된 세정효과를 나타낸다. 대조적으로, 본 발명의 착물화제와 유사한 환형 킬레이트를 형성할 수 있는 EDTA 또는 아세틸아세톤이 아주 소량으로 첨가될 때, 본 발명에 의해서 얻을 수 있는 그러한 효과는 거의 얻어질 수 가 없다.
[실시예 5]
28% 암모니아수 대신에 1% 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH)를 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 유기 알칼리와 과산화수소를 함유한 처리용액을 제조하여다. 본 발명의 착물화제인, 데스페르리크롬 A를 실시예 1에서와 같이 처리용액에 첨가하였으며, 실시예 1(70℃, 10분)과 동일한 방법에 의해 이 세정 용액으로 실리콘 와이퍼 표면에서의 Al의 흡착을 시험하였다. 그 결과로서, 제 1 도에서 점선으로 표시한 동일한 프레운들릭 플로트를 얻었다.
상기에 기재된 결과로부터, 알칼리가 유기 또는 무기인지 여부와 관계없이 본 발명의 착물화제가 알칼리와 과산화수소를 함유한 처리용액에서 Al의 흡착에 대해 강력한 억제 효과를 가진다는 것을 알 수 있다.
[실시예 6]
데스페르리크롬 A 대신에 실시예 5에서 사용한 것과 같은 동일한 처리용액에 데스페르리크리신과 데스페르리옥사민 E를 각각 첨가하였다.
이들 처리용액으로부터 Al의 흡착과 Fe에 대한 세정력을 시험하였다. 첨가된 각각의 착물화제의 양은 10-4% 였다. 1013atoms/cm2의 Al로 오염된 실리콘 와이퍼를 70℃에서 10분간 각 처리용액으로 세정하고, 순수로 10분간 헹굼다음 Al의 잔류율을 측정하였다. 덧붙여, 1 ppb의 Al을 각 처리용액에 첨가하고, 오염된 이 처리용액을 사용하는 것을 제외하고는 상기와 같은 방법으로 깨끗한 실리콘 와이퍼를 처리하였으며, 와이퍼 표면에 흡착된 Al의 양을 측정하였다. 그 결과는 표 4에 나타냈다.
상기 결과로부터, 무기 알칼리 또는 유기 알칼리가 사용되는 것과 관계없이 본 발명의 착물화제의 효과가 변화하지 않는다는 것을 알 수 있다.
[실시예 7]
반도체 표면 처리제를 28% 암모니아수, 35% 과산화수소 용액 및 물을 각각 1부피부, 1 부피부 및 5 부피부의 비율로 사용한 하기 세가지 방법, A, B, C로 제조하였다.
방법 A:
데스페르리크롬 A를 표면 처리제중의 데스페르리크롬 A의 최종 농도가 10-4%가 되도록 28% 암모니아수에 용해시키고, 이 용액을 과산화수소 용액 및 물과 혼합시킨다.
방법 B:
데스페르리크롬 A를 표면 처리제중의 데스페르리크롬 A의 최종 농도가 10-4%가 되도록 과산화수소 용액에 용해시키고, 이 용액을 28% 암모니아수 및 물과 혼합시킨다.
방법 C:
데스페르리크롬 A를 표면 처리제중의 데스페르리크롬 A의 최종 농도가 10-4%가 되도록 물과 용해시키고, 이 용액을 28% 암모니아수 및 과산화수소 용액과 혼합시킨다.
이렇게 수득한 세가지의 처리제에 각각 1 ppb의 Al을 첨가한 후, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 와이퍼를 세정하고 헹군다음, 각 실리콘 와이퍼의 표면위에 흡착된 Al의 양을 측정하였다. 그 결과는 표 5에 나타냈다.
표 5로부터 명백하게 알 수 있듯이, 착물화 능력은 같고, 본 발명의 착물화제가 각 표면 처리제를 구성하는 암모니아수, 과산화수소용액 또는 물중의 어떤 것에 먼저 첨가되더라도 Al의 흡착 방지와 Al의 세정에 대한 효과에는 큰 차이가 없다. 더우기, 실시예 1과 실시예 3 내지 6에 나타났듯이, 본 발명의 착물화제는 또한 그 효과를 저하되지 않고 암모니아수, 과산화수소 용액 및 물의 혼합물에 첨가될 수 있다. 표면 처리제를 제조하는 방법은 특별하게 제한받지 않는다는 것을 알 수 있다.
[실시예 8]
0.01 ppb의 Al을 함유한 초순수에 0.1 ppb의 Al을 첨가한 후, 암모니아수로 그 pH를 8.5로 조정하였다. 실리콘 와이퍼를 수득한 물에 10분간 담그로 8 ×1011atoms/cm2의 Al 흡착을 얻었다. 별도로, 0.1 ppb의 Al을 0.01 ppb의 Al을 함유한 초순수에 첨가하고, BAMTPH를 10-5% 양 첨가한 후, 암모니아수로 그 pH를 8.5로 조정하였다. 이후, 상기와 같은 담금 처리를 실시하였을 때, 실리콘 와이퍼 표면위에 흡착된 Al의 양은 8 ×1011atoms/cm2였다.
상기에 기재한 것과 같이, 본 발명의 착물화제가 헹굼용 물중에 용액의 형태로 사용된다하더라도, 착물과 능력은 동일하며, Al의 흡착방지와 Al의 대한 세정 효율은 유지하였다.
[실시예 9]
하기 4가지 방법에 의해 SC-1 처리용액으로부터 반도체 처리용액을 제조하였다.
방법 D: 착물화제를 첨가하지 않음.
방법 E: 데스페르리크롬 A를 10-5% 양 첨가함.
방법 F: NTPO를 10-5양 첨가함.
방법 G: 데스페르리크롬 A와 NTPO를 각각 10-5%양 첨가함.
이렇게 제조한 4 처리제의 각각에 Al과 Fe를 1 ppb씩 첨가한 후, 실시예 1과 동일한 방법으로 세정하고, 헹군다음 각 실리콘 와이퍼 표면위에 흡착된 Al과 Fe의 양을 측정하였다.
그 결과를 표 6에 나타냈다.
표 6에서 명백하게 알 수 있듯이, 본 발명의 착물화제는 NTPO와 같은 포스핀산 형태의 착물화제가 가지고 있는 Fe 흡착에 대한 억제 효과를 감소시키지 않으며, 또한 그 자체로도 Fe 흡착에 대한 약간의 억제 효과를 가지고 있다. 또한 NTPO와 같은 포스핀산 형태의 착물화제는 본 발명의 착물화제가 가지고 있는 Al에 대한 억제 효과를 감소시키지 않는다는 것을 알 수 있다.
[실시예 10]
SC-1 처리용액에 1 ppb의 Al을 첨가한 후, 전형적인 계면 활성제인 n-도데실벤젠술폰산 암모늄염을 10-2% 량 첨가하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 와이퍼를 세정하고 헹구었다. 각 실리콘 와이퍼 표면에 흡착된 Al의 양을 측정하였는데, 1 ×1012atoms/cm2였다.
본 발명의 착물화제인, 데스페르리옥사민 A히드로클로라이드를 10-4%의 양으로 계면활성제를 함유하고 있는 SC-1 처리용액에 첨가하였다. 수득한 처리용액을 사용하여, 상기와 같은 방법으로 실리콘 와이퍼를 세정하고 헹구었다. 각 실리콘 와이퍼 표면에 흡착된 Al의 양을 측정하였는데, 7 ×1010atoms/cm2이하 였다.
실시예 10의 결과로부터, 계면활성제의 첨가가 본 발명의 착물화제가 가지고 있는 Al 흡착에 대한 억제 효과를 감소시키지 않는 다는 것을 알 수 있었다.
[실시예 11]
데스페르리크롬 A를 본 발명의 착물화제로서, 1 ppb의 Al을 함유하고 있는 SC-1 처리용액에 10-4또는 10-5% 양 첨가하고, 이렇게 수득한 각 처리용액과 세정조내 50 kHz의 초음파 세정기를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 세정실험을 수행하였다. 그 결과, 와이퍼 표면 위에 흡착된 Al의 농도는 각각 데스페르리크롬 A 10-4% 또는 10-5%의 양에서 8 ×1010atoms/cm2또는 1.4 ×1011atoms/cm2였다. 따라서, 초음파 세정기의 사용은 Al 흡착에 대한 억제효과를 개선시켰다.
미립자를 제거하는 데 매우 효과적일 뿐만 아니라 지방과 오일의 오염을 제거하는데 아주 효과적인 "알칼리 및 과산화수소"를 사용한 세정 처리에서, Al 또는 실리콘 와이퍼에 바람직하지 못한 영향을 주는 해로운 불순물의 흡착을 막는 것은 불가능하다. 그러나, 실리콘 표면의 Al 의 농도는 유기물질에 의한 유해한 오염을 방지할 정도의 소량으로 본 발명의 착물화제를 반도체 표면 처리제 공정에 사용되는 처리제나 헹굼 용액에 첨가시킴으로써 Al이 열 산화동안 옥사이드 필림의 성장속도에 영향을 미치지 않을 만큼 실리콘 표면의 Al의 농도를 감소시킬 수 있다. 본 발명의 효과는 "알칼리 및 과산화수소"의 조성물로 제한되지 않는다. 실리콘 와이퍼에 대한 미립자의 접착강도는 pH의 증가에 따라 감소한다는 것이 알려져 있다. 그러나, 3이상의 pH에서 물속에 있는 Al은 콜로이드를 형성하는 강한 경향을 나타내어 Al의 오염위험이 증가한다. 더우기, 헴굼용 초순수중의 Al의 농도는 약 0.1 ppb로 증가하기 쉽다. 본 발명의 착물화제는 그와 같은 흡착에 의한 Al의 오염을 또한 방지할 수 있다.
말할 필요도 없이, 본 발명의 처리방법과 처리제는 실리콘 단결정 표면 뿐만아니라 다결정 필림 표면에 대해 효과적이다. 그러므로, 이들은 또한 상기 필림을 사용하는 LCD용 유리기질을 세정하는 데 효과적이다. 더우기, 이들은 Al의 오염에 의해 손상될 수 있는 복합 반도체에 적용할 수 있다. 덧붙여, 이들은 와이퍼 재료의 제조과정과 패튼 소자의 제조과정에 널리 사용될 수 있다. 본 발명의 처리제는 측정할 수 없을 정도로 광범위한 효과를 가지고 있기 때문에 매우 유용하다.

Claims (18)

  1. 주성분으로 무기 또는 유기 알칼리, 과산화수소 및 물을 함유하는 반도체 표면 처리제로 반도체 표면을 세정하는 단계, 및 초순수로 그 표면을 헹구는 단계로 구성되는 반도체 표면 처리 방법에 있어서, 상기 반도체 표면 처리제및 초순수중 적어도 하나가 착물화제로서 분자내에 3 개이상의기를 가지고 있는 화합물 또는 그의 염을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 처리방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기의 착물화제에 덧붙여, Fe를 제거할 수 있는 착물화제로서 분자내에 하나 이상의 인산기 또는 그의 염을 함유하거나 그의 산화 형태를 함유하는 킬레이트제, 또는 다인산 또는 그의 염의 존재하에 상기 처리과정을 수행하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기의 착물화제를 함유하고 있는 반도체 표면 처리제를 사용하여 세정을 수행하는 방법.
  4. 무기 또는 유기 알칼리, 과산화수소, 물 및 착물화제로서 분자내에 3 개이상의기를 가지고 있는 화합물 또는 그의 염을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 처리제.
  5. 무기 또는 유기 알칼리, 과산화수소, 물, 제 5 항에 기재된 착물화제, 및 Fe를 제거할 수 있는 착물화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 처리제.
  6. 제 4 항에 있어서, 착물화제를 10-7내지 10-3중량%의 양으로 함유하고 있는 반도체 표면 처리제.
  7. 제 4 항에 있어서, 무기 또는 유기 알칼리가 암모니아 또는 4가 수산화암모늄인 반도체 표면 처리제.
  8. 제 4 항에 있어서, 무기 또는 유기 알칼리의 농도가 반도체 표면 처리제의 전체용액의 중량을 기준으로 0.01 내지 20 중량%인 반도체 표면 처리제.
  9. 제 4항에 있어서, 과산화수소의 농도가 반도체 표면 처리제의 전체용액의 중량을 기준으로 0.01 내지 30 중량%인 반도체 표면 처리제.
  10. 제 1 항에 기재된 착물화제를 함유하고 있는 반도체 표면 처리제를 제조하기위한 알칼리 수용액.
  11. 제 10 항에 있어서, 알칼리가 암모니아 또는 4가 수산화암모늄인 반도체 표면 처리제를 제조하기위한 알칼리 수용액.
  12. 증류에 의한 정제 및 금속 불순물의 제거처리 후 제 1 항에 기재된 착물화제를 첨가함으로써 수득되는 반도체 표면 처리제를 제조하기위한 과산화수소 용액.
  13. 제 4 항에 있어서, 착물화제가 N,N',N"-트리스[2-(N-히드록시카르바모일)에틸]-1,3,5-벤젠트리카르복사미드, 데스페르리크로신, 데스페르리마이신, 데스페르리옥사민, A, B, D1, D2, E 및 G, N-포르밀-데스페르리옥사민 E, N-아세틸-데스페르리옥사민 G, 데스페르리로딘, 데스페르리루빈, 데스페르리크롬, 데스페르리크롬 A, 데스페르리크리신, 및 이들 화합물들의 염산염, 이들 화합물들의 황산염, 이들 화합물들의 인산염, 이들 화합물들의 질산염, 이들 화합물들의 메탄술포네이트, 이들 화합물들의 에탄술로네이트, 이들 화합물들의 암모늄염, 및 이들 화합물들의 알칼리 금속염으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 것인 반도체 표면 처리제.
  14. 반도체 표면 처리제의 구성 요소로서, 분자내에 3 개 이상의기를 가지고 있는 화합물 또는 그의 염을 착물화제로 함유한 과산화수소 용액을 사용함으로써 반도체 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 처리방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 증류에 의한 정제 및 금속 불순물의 제거처리 이후에 착물화제로서 분자내에 3 개 이상의기를 가지고 있는 화합물 또는 그의 염을 첨가함으로써 수득된 과산화수소 용액을 사용하는 방법.
  16. 반도체 표면 처리제의 구성 요소로서, 분자내에 3 개 이상의기를 가지고 있는 화합물 또는 그의 염을 착물화제로 함유한 알칼리 수용액을 사용함으로써 반도체 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 처리방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 알칼리가 암모니아 또는 4가 수산화암모늄인 방법.
  18. 반도체 표면 처리제의 구성 요소로서, 분자내에 3 개 이상의기를 가지고 있는 화합물 또는 그의 염을 착물화제로 함유한 물을 사용함으로써 반도체 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 처리방법.
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