KR100239886B1 - 에폭시수지, 에폭시 수지 조성물 및 그를 함유하는 적층판 - Google Patents

에폭시수지, 에폭시 수지 조성물 및 그를 함유하는 적층판 Download PDF

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Abstract

촉매존재하에,
-에폭시 화합물(a), 와
-마가 페놀성 화합물(b)를 반응시켜 얻어진 에폭시 수지에 관한 것이며, 상기 에폭시 화합물(a)는
i) 비스페놀 A, 비스페놀 F, 및 레트라브토모비스페놀 A 로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 비스페놀 화합물 및 마가 페놀성 화합물(b')로 구성되는 혼합물, 과
ii) 에피할로히드린 화합물의 반응에 의해 얻어진 폴리글리시릴 에테르 화합물로 구성된다.

Description

에폭시수지, 에폭시 수지 조성물 및 그를 함유하는 적층판
본 발명은 에폭시 수지 및 이 에폭시 수지를 함유하는에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 우수한 내열성, 우수한 납땜 내열성(미즐링 저항성(measling resistance), 우수한 드릴능력, 및 금속에 대한 우수한 접착성과 같은 개선된 성질들의 조합을 보이는 경화 생성물을 산출하는 능력때문에, 인쇄회로판(PCB's), 특히 다층 PCB's 응 동첩합 에폭시 수지 적층판의 생성을 위해 유리하게 사용될 수 있다.
전자 기계 및 장치의 소형화는 개선된 내열성, 방습성, 및 미즐링 저항성을 갖는 PCB's 를 필요로 한다.
경화 에폭시 수지 조성물의 내열성이 예컨대 페놀 노블락-형 에폭시 수지, 크레졸 노블락-형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 p-아미노페놀의 트리글리시딜-에테르화 생성물과 같은 다관용성 에폭시 수지를 상기 에폭시 수지에 혼입시키므로써 개선할 수 있음이 당업계에 공지되어 있다.
개선된 내열성을 갖는 공지 에폭시 수지 조성물은 다가 페놀성 화합물과 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 상기 언급된 것들로 부터 선택된 다관능 에폭시 수지의 반응 생성물이다. 그러나, 상기 경화 에폭시 수지 조성물의 내열성은 여전히 현재의 요구에 부합하지 않는다. 즉 이점에서 개선의 여지가 있다.
그러므로, 본 발명의 목적은 에폭시수지 및 경화 상태에서 특히 우수한 내열성, 우수한 미즐링 저항성, 우수한 드릴능력, 및 금속에 대한 우수한 접착성을 보이는, PCB's용 동첩합에폭시 수지 적층판의 생산에 특히 유용한 , 상기 에폭시수지를 함유하는 에폭시 수지조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 촉매존재하에 에폭시 화합물(a)과 다가페놀성 화합물(b)의 반응에 의해 얻어진 에폭시 수지에 관한 것이며, 상기 에폭시 화합물(a)은 하기(i)와 (ii)의 반응으로 얻어지는 폴리글리시딜 에테르 화합물로 구성된다:
i) 비스페놀A, 비스페놀F, 및 테트라브로모비스페닐A로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 비스페놀 화합물 및 다가페놀성 화합물(b')로 구성되는 혼합물로서, 상기 다가 페놀성 화합물(b')는 산 촉매의 존재하에 페놀성 화합물과 히드록시기 치환-페놀기를 갖는 알데히드 화합물 또는 케톤 화합물을 반응시켜 얻을 수 있는 다가 페놀성 화합물(1), 산촉매의 존재하에 페놀성 화합물과 페놀 디메틸을 화합물 또는 페놀 노블락 디메틸을 화합물을 반응시켜 얻을 수 있는 다가 페놀성 화합물(2), 및 산 촉매 존재하에 포름알데히드와 페놀성 화합물을 반응시켜 얻을 수 있는 다가 페놀성 화합물(3)로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물임,
ii) 일반식(A)로 표현되는 화합물
이때, X는 할로겐원자이고 Z는 수소원자 또는 메틸기이다.
그 외에, 본 발명은 상기 정의된 바와 같은 에폭시 수지, 경화제, 촉진제 및 용매로 구성되는 에폭시 수지조성물에 관한 것이다.
다가페놀성 화합물(1)의 제조를 위해 사용되는 알데히드 화합물 또는 케톤 화합물은 살리실알데히드, p-히드록시벤즈알데히드 및 p-히드록시아세토페논으로 구성되는 군으로 부터 선택할 수 있다.
마가페놀성 화합물(2)의 제조를 위해 사용되는 페놀 디메틸올 화합물은 o-크레졸 디메틸올 화합물, m- 크레졸 디메틸올 화합물, p-크레졸 디메틸올 화합물 및 디메틸올 페놀 화합물로 구성되는 군으로부터 선택할 수 있다.
다가 페놀성 화합물(2)의 제조를 위해 사용되는 페놀 노볼락디메틸올 화합물은 o-크레졸 이핵 디메틸올 화합물, m- 크레졸 이핵디메틸올 화합물, p-크레졸 이핵 디메틸올 화합물 및 하기 일반식(B)로 표현되는 이핵 디메틸올 화합물로 구성되는 군으로부터 선택할 수 있다:
이때, 각각의 Y는 독립적으로 수소원자 또는 메틸기이다.
다가 페놀성 화합물(1),(2) 및 (3)의 제조를 위해 사용되는 페놀성 화합물은 페놀, o-크레졸, m-크레졸, P-크레졸, p-(t-부틸)페놀 및 비스페놀 A로 구성된 군으로부터 선택할 수 있다.
상기 일반식 A의 상기 화합물과 다가 페놀성 화합물(b')/비스페놀 블렌드의 글리시딜-에테르화는 당업계에 공지된 방법에 따라 수행할 수 있다.
상기 폴리글리시딜에테르 화합물을 제조하기 위한 다가 페놀성화합물(b') 및 비스페놀 화합물의 혼합 비율에 대한 제한이 없다.
그러나, 바람직하게 다가 페놀성 화합물(b')의 양은 비스페놀 화합물과 그의 혼합물의 총량(100 중량%)의 50중량% 미만이다. 종종 만약에 사용된 다가 페놀성 화합물(b')의 양이 50중량%초과로 사용되면, 폴리글리시딜 에테르 화합물내 다관농성 에폭시 수지의 양이, 다가 페놀성 화합물(b)와의 순차적인 중합 반응에서, 과도한 중합이 일어나기 쉬운 정도에 이르게된다. 바람직하게 에폭시 화합물(a)는 상기 폴리글리시딜에테르 화합물 단독으로 구성된다.
그러나, 원한다면 에폭시 화합물(a)는 폴리글리세딜에테르 화합물 100중량부 당 또다른 에폭시 화합물 100중량부 미만, 바람직하게 50중량부 미만을 함유할 수 있다.
상기 그외의 에폭시 화합물은 예컨대 글리시딜 에테르 형 에폭시수지, 예컨대 비스페놀형 에폭시수지, 페놀 노블락형 에폭시수지 및 크레졸 노블락형 에폭시 수지; 글리시딜 에테르형 에폭시수지; 글리시딜 아민형 에폭시수지; 선형 지방족 에폭시수지; 지환식 에폭시 수지; 복소환 에폭시수지; 할로겐화 에폭시 수지 및 그외의 다관농성 에폭시 수지이다.
다가 페놀성 화합물(b)은 비스페놀A, 비스페놀 F, 테트라브로모비스페놀 A 및 상기 언급된 임의 다가 페놀성 화합물(b')로 구성된 군으로부터 선택할 수 있다.
상기 다가 페놀성 화합물(b)은 단독으로 또는 또다른 것과 함께 사용될 수 있다.
다가페놀성 화합물(b)와 에폭시 화합물(a)의 반응에 사용되는 촉매는 이미다졸, 예컨대 1,2-디메틸이미다졸 및 2-메틸이미다졸; 아민, 예컨대 트리메틸아민 및 트리에틸아민; 암모늄염, 예컨대 테트라메틸 암모늄 브로마이드 및 테트라메틸 암모늄 클로라이드; 포스핀, 예컨대 트리페닐포스핀 및 포스포늄 염, 예컨대 벤질 트리페닐포스포늄 클로라이드 및 에틸트리페닐 포스포늄 브로마이드로 구성된 군으로 부터 선택할 수 있다.
상기논의된 선행 기술의 에폭시수지 조성물은 다관농성 에폭시 수지및 비스페놀형 에폭시 수지의 혼합물과 다가 페놀성 화합물을 반응시켜 제조한다.
보통 상기 두 에폭시 수지는 서로 반응 속도가 상이하며, 이는 PCB's 용 적층판으로 사용될때 그들의 만족스럽지않은 성능을 야기할 수 있다.
그러나, 본 발명의 경우에 에폭시 화합물(a) 및 다가페놀성 화합물(b)사이의 반응이 비교적 균일한 속도로 진행되므로, 특히 개선된 내열성을 갖는 경화 생성물을 산출하는 에폭시 수지를 제공한다.
본 발명은 부가적으로 상기논의된 바와 같은 에폭시 수지, 경화제, 촉진제및 용매로 구성되는 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
에폭시수지조성물은 하나의 분자에 둘이상의 에폭시 기를 갖는 또다른 에폭시수지, 예컨대 글리시딜 에테르형 에폭시수지, 예컨대 비스페놀 A형 에폭시 수지, 페놀 노즐락형 에폭시수지 및 크레졸 노블락형 에폭시수지; 글리시딜 에스테르형 에폭시수지; 글리시딜 아민형 에폭시수지; 선형 지방족 에폭시수지; 지환식 에폭시수지; 복소환 에폭시수지; 할로겐화 에폭시수지 및 그외의 다관능성 에폭시수지와 함께 또는 에폭시 수지만으로 본 발명의 에폭시 수지를 함유할 수 있다.
부가적인 에폭시수지(들)가 본 발명의 에폭시수지및 다른 에폭시수지(들)의 총량(100중량%)을 기준으로 50중량%미만의 양으로 에폭시화합물(a)에 존재해야 한다. 보다 많은 양의 다른 에폭시수지(들)의 사용은 상기 에폭시 수지(a)를 함유하는 에폭시 수지 조성물로 제조된 적층판의 성능에 역작용을 미칠 것이다.
본 발명의 에폭시수지조성물에 사용된 경화제는 방향족 폴리아민, 디시안디아미드, 무수산 및 페놀 노볼락 수지로 구성되는 군으로 부터 선택할 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지조성물에 사용된 촉진제는 아민 예컨대 벤질디메틸아민 및 이미다졸 화합물 및 3차 포스핀, 예컨대 트리페닐 포스핀으로 구성되는 군으로부터 선택할 수 있다.
본 발명의 에폭시수지조성물에 사용된 용매는 아세톤, 메틸, 에틸 케톤, 톨루엔, 크실렌, 메틸 이소부틸 케톤, 에틸 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 메탄올 및 에탄올로 구성된 군으로부터 선택할 수 있다. 상기 용매들은 단독으로 또는 또 다른 것과 함께 사용할 수 있다.
원한다면 본 발명의 에폭시수지조성물은 예컨대 난연제 또는 충전제와 같은 부가적인 첨가물을 포함할 수 있다.
본 발명의 에폭시수지조성물을 함유하는 동첩합 에폭시수지적층판의 제조 방법은 당업계에 공지된 임의 방법에 의해 수행할수 있다. 근복적으로 상기 방법은 유리 클로오드를 에폭시수지조성물로 함침시키고, 용매제거를 위한 건조 및 가열에 의해 프리프레그를 제조하고, 단일 프리프레그 또는 둘 이상의 층인 프리프레그들의 한면 또는 양면상에 구리호일을 놓고, 보통 방식으로 조립물을 압착시키면서, 가열하고 이로써 적층판을 형성하는 단계들로 구성된다.
하기 실시예는 본 발명을 예시한다. 실시예 및 대조실시예에서, "부" 및 "%"는 각각 "중량부" 및 "중량%"를 의미한다.
[실시예 1]
폴리글리시딜 에테르 화합물의 합성
(I)교반기가 장치된 유리용기를 페놀 564g, 살리실알데히드 112g, 및 농축 염산 0.3g으로 충전시켰다. 반응을 100℃에서30분간 수행시켰다. 그 다음 p-톨루엔설폰산 0.5g을 첨가하고 반응물을 180℃로 가열하고, 과량의 페놀이 증류에 의해 제거되는 동안에 반응을 180℃에서 2시간동안 수행했다.
반응의 완료후에, 반응 생성물은 500g의 메틸 이소부틸 케톤에 용해시켰다. 용액을 NaHCO33% 수용액 1000g 으로 및 이어서증류수 1000g 으로 세척하여 촉매를 제거했다.
감압하에 용액에서 메틸 이소부틸 케톤 또는 잔류 페놀을 제거시켰다. 이리하여 260g의 폴리페놀을 얻었다.
이어서, 교반기가 장치된 유리용기를 막 제조된 폴리페놀 10g, 비스페놀A 103g, 및 에피클로로히드린 395g으로 충전했다.
반응물을 30℃에서 50℃로 ℃/3분의 속도로 가열했다.
가열하면서, 48.5% NaOH 수용액을 1g/2분의 속도로 적가시켰다.
반응을 50℃에서 60분간 수행했다. 반응을 완료한 후에, 감압하에서 반응 생성물에서 미반응 에피클로로히드린을 제거한 다음 물로 세척했다. 이리하여 185g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 폴리글리시딜 에테르 화합물("에폭시수지(I)") 165g을 얻었다.
(II) 교반기가 장치 유리용기를 2,4-비스히드록시메틸-o-크레졸 168g, o-크레졸 324g, 및 수산 2g 으로 충전시켰다.
반응을 75℃에서 4시간동안 수행했다. 반응 생성물을 감압및 스팀 증류하에 탈수시켰다. 이리하여 폴리페놀 330g을 얻었다.
이어서, 막 제조된 폴리페놀 23g 및 비스페놀A 91g을 에피클로로히드린과 반응시키고 반응 생성물을 (I)에서와 동일한 방식으로 후 처리시켰다. 이리하여 188g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 폴리글리시딜 에테르 화합물("에폭시수지(II)") 167g을 얻었다.
(III) 2,4-비스히드록시메틸-o-크레졸 168g 대신에 비스(2-히드록시-5-히드록시메틸-3-메틸페닐)메탄 290g을 사용하는 것을 제외하고 (II)에서와 같은 반응 및 처리에 의해 폴리페놀을 제조했다.
이리하여 폴리페놀 440g을 얻었다.
이어서, 막 제조된 폴리페놀 24g 및 비스페놀F 80g을 에피클로로히드린과 반응시키고 반응 생성물을 (I)에서와 동일한 방식으로 후 처리시켰다. 이리하여 177g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 폴리글리시딜 에테르 화합물("에폭시수지(III)") 155g을 얻었다.
(IV) 교반기가 장치된 유리 용기를 비스페놀A 228g, 37% 포르말린 61g 및 수산 1.3g 으로 충전시켰다. 반응을 130℃에서 3시간동안 수행했다. 반응 생성물을 감압하에서 탈수시켰다.
이리하여 폴리페놀 240g을 얻었다.
이어서, 막 제조된 폴리페놀 35g 및 비스페놀A 80g을 에피클로로히드린과 반응시키고 반응 생성물을 (I)에서와 동일한 방식으로 후 처리시켰다. 이리하여 190g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 폴리글리시딜 에테르 화합물("에폭시수지(IV)") 167g을 얻었다.
(I') (I)에서 제조된 폴리페놀 98g을 에피클로로히드린과 반응시키고 반응 생성물을 (I)에서와 동일한 방식으로 후 처리시켰다.
이리하여 168g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 폴리글리시딜- 에테르화생성물("에폭시수지(I')") 150g을 얻었다.
(II') (II)에서 얻어진 폴리페놀 116g을 에피클로로히드린과 반응시키고 반응 생성물을 (I)에서와 동일한 방식으로 후처리시켰다.
이리하여 190g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 폴리글리시딜- 에테르화생성물("에폭시수지(II')") 169g을 얻었다.
(III') (III)에서 얻어진 폴리페놀 118g을 에피클로로히드린과 반응시키고 반응 생성물을 (I)에서와 동일한 방식으로 후 처리시켰다.
이리하여 195g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 폴리글리시딜- 에테르화생성물("에폭시수지(III')") 170g을 얻었다.
(IV') (IV)에서 얻어진 폴리페놀 118g을 에피클로로히드린과 반응시키고 반응 생성물을 (I)에서와 동일한 방식으로 후처리시켰다.
이리하여 193g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 폴리글리시딜- 에테르화생성물("에폭시수지(IV')") 167g을 얻었다.
[실시예 2]
본 발명에 따른 에폭시 수지의 제조
(1) 촉매로서 1,2-디메틸이미다졸 0.03부의 존재하에 에폭시 수지 (I) 66부 및 테트라브로모페놀A 34부를 150℃에서 3시간동안 반응시켰다. 이리하여 435g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 에폭시수지(1)을 얻었다.
(2) 에폭시수지(II)66부 및 테트라브로모페놀A 34부를(1)에서와 동일한 방식으로 반응시켰다. 이리하여 452g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 에폭시수지(2)를 얻었다.
(3) 에폭시수지(III)66부 및 테트라브로모페놀A 34부를(1)에서와 동일한 방식으로 반응시켰다. 이리하여 407g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 에폭시수지(3)를 얻었다.
(4)에폭시수지(IV)66부 및 테트라브로모페놀A 34부를(1)에서와 동일한 방식으로 반응시켰다. 이리써 453g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 에폭시수지(4)를 얻었다.
[실시예 3]
대조 에폭시수지의 제조
(1') 촉매로서 1,2-디메틸이미다졸 0.03부의 존재하에 에폭시수지(I')10부, 187g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 비스페놀 A형 에폭시수지인 "Epikote 828" 56부(Epikote는 등록상표) 및 테트라브로모페놀A 34부를 150℃에서 3시간동안 반응시켰다.
이리하여 432g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 에폭시수지(1')를 제조했다.
(2') 에폭시수지(II')20부, "Epikote 828" 46부 및 테트라브로모페놀 A 34부를(1')에서와 동일한 방식으로 반응시켰다.
이리하여 448g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 에폭시 수지(2')를 얻었다.
(3') 에폭시수지(III')20부, 170g/eq 의 에폭시당량을 갖는 비스페놀형 에폭시수지인 "Epikote 807" 46부 및 테트라브로모페놀 A 34부를(1')에서와 동일한 방식으로 반응시켰다.
이리하여 408g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 에폭시 수지(3')를 얻었다.
(4') 에폭시수지(IV')30부, Epikote 828 36부 및 테트라브로모페놀 A 34부를(1')에서와 동일한 방식으로 반응시켰다.
이리하여 453g/eq 의 에폭시 당량을 갖는 에폭시 수지(4')를 얻었다.
(5') 에폭시수지(I')10부, 748g/eq 의 에폭시당량을 갖고 브롬 28%를 함유하는 브롬화비스페놀형 에폭시 수지인 Epikos 5049 90부와 혼합 시켰다. 이 블렌드는 에폭시수지(5')로서 언급될 것이다.
(6') 에폭시수지(II')20부를 "Epikote 5049"80부와 혼합시켰다. 이블렌드는 에폭시수지(6')로서 언급될 것이다.
[실시예 4]
본 발명에 따른 및 대조용 에폭시수지 조성물의 제조 및 상기조성물들을 함유하는 적층판의 제조
에폭시수지(1) 내지 (4) 및 (1') 내지(6')중 하나의 100부, 디시안디아미드 3부 및 2-에틸-4-메틸이미다졸 0.15부를 메틸 에틸 케톤 및 에틸렌글리콜 모노 메틸 에테르의 1:1(중량) 용매블렌드와 블렌딩시켜 55%의 고형분 함량을 갖는 에폭시 수지 조성물(와나쉬)을 산출했다.
이어서, 유리클로오드를 이 와니쉬로 함침시켰다.
130℃ 에서 7분동안 건조시킨후에, 45% 에폭시수지조성물을 함유하는 프리프레그를 얻었다. 8개 시이트의 프리프레그를 적층하고 35㎛ 두께 구리호일을 층된 프리프레그의 양면상에 놓았다. 조립물을 170℃에서 및 40 kg/㎠ 에서 1시간동안 압착했다. 이리하여 1.6mm 두께의 동찹합 유리-에폭시 적층판을 얻었다.
적층판 1 내지 4를 각각 본 발명에 따른 에폭시수지(1) 내지 (4)로 제조했다. 적층판 1' 내지 6' 을 각각 대조용으로 에폭시수지(1') 내지 (6')로 제조했다.
표 1은 각각의 경화 적층판의 특성을 보여준다. 표로부터 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 함유하는 경화된 적층판이 우수한 내열성, 미즐링 저항성, 드릴능력 및 구리호일에 대한 접착성의 탁월한 조합을 가짐을 유추할 수 있다.
[표 1]
표 1에 대한 주석
*1 동적 점탄성 측정에 의해 결정함
*2 적층판 표본을 2atm 하 120℃ 에서 8시간동안 압력쿡커에서 처리한 후에 납땜조에 260℃ 에서 30초 동안 담근다음 부풀음 및 피일링을 조사했다. 하기 기준에 따라 평가했다:
O 부풀음 및 피일링이 전혀 없음
△약간의 부풀음 및 피일링
×심각한 부풀음 및 피일링
*3 수지오염에 대한 외관검사에 의함:
드릴직경 0.4mm;
회전수 60,000rpm ;
공급 1.0m/분

Claims (10)

  1. 촉매 존재하에 하기(i)와 (ii)의 반응에 의해 얻을 수 있는 폴리글리시딜 에테르 화합물로 구성되는 에폭시 회합물(a)와 다가 페놀성 화합물(b)의 반응에 의해 얻을 수 있는 에폭시 수지 :
    i) 비스페놀 A, 비스페놀 F , 및 테트라브로모비스 페놀 A로 구성되는 군으로 부터 선택된 적어도 하나의 비스페놀 화합물 및 다가 페놀성 화합물(b')로 구성되는 혼합물로서, 상기 다가 페놀성 화합물(b')는 산 촉매의 존재하에 페놀성 화합물과 히드록시기 치환-페놀 기를 갖는 알데히드 화합물 또는 화합물을 반응시켜 얻을 수 있는 다가 페놀성 화합물(1), 산 촉매의 존재하에 페놀성 화합물과 페놀 디메틸올 화합물 또는 노볼락 디메틸을 화합물을 반응시켜 얻을 수 있는 다가 페놀성 화합물(2), 및 산 촉매 존재하에 포름 알데히드와 페놀성 화합물을 반응시켜 얻을 수 있는 다가 페놀성 화합물(3)로 구성되는 군으로 부터 선택되는 적어도 하나의 화합물임.
    ii) 일반식(A)로 표현되는 화합물
    이때, X는 할로겐 원자이고 Z는 수소 원자 또는 메틸 기이다.
  2. 제1항에 있어서, 다가 페놀성 화합물(1)의 제조를 위해 사용되는 알데히드 화합물 또는 케톤 화합물은 살리실알데히드, p-히드록시벤즈알데히드 및 p-히드록시아세토페논으로 구성되는 군으로부터 선택되는 에폭시 수지,
  3. 제1항에 있어서, 다가 페놀성 화합물(2)의 제조를 위해 사용되는 페놀 디메틸을 화합물 또는 페놀 노볼락 디메틸을 화합물은 o-크레졸 디메틸올 화합물, m-크레졸 디메틸올 화합물, p-크레졸 디메틸올 화합물 및 디메틸올 페놀 화합물, o-크레졸 이핵 디메틸올 화합물, p-크레졸 이핵 디메틸올 화합물 및 하기 일반식(B)으로 표현되는 이핵 디메틸올 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 에폭시 수지 :
    이때, 각각의 Y는 독립적으로 H 또는 CH3이다.
  4. 제1 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 각각의 다가 페놀성 화합물(1),(2) 및 (3)의 제조를 위해 사용되는 페놀성 화합물은 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, p-(t-부틸)페놀 및 비스 페놀 A로 구성된 군으로부터 선택되는 에폭시 수지.
  5. 제1 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물(a)가 단독으로 폴리글리시딜에테르 화합물로 구성되는 에폭시 수지.
  6. 제1 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물(a)가 폴리글리시딜에테르 화합물 및 다른 에폭시 화합물의 총량을 기준으로 50 중량%미만의 다른 에폭시 화합물을 함유하며, 상기 다른 에폭시 화합물은 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 예컨대 비스페놀형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시수지 및 크레졸 노볼락형 에폭시 수지; 글리시딜 에테르형 에폭시 수지; 글리시딜 아민형 에폭시 수지; 선형 지방족 에폭시 수지; 지환식 에폭시 수지; 복소환 에폭시 수지; 및 할로겐화 에폭시 수지로 구성되는 군으로 부터 선택되는 에폭시 수지.
  7. 제1 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 다가 페놀성 화합물(b)는 비스페놀A, 비스페놀F, 테트라브로모비스페놀 A, 및 제1 내지 4항중 어느 한 항에 청구된 바와 같은 다가 페놀성 화합물(b')중의 어느 하나로 구성된 군으로부터 선택되는 에폭시 수지.
  8. 제1 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 촉매는 이미다졸, 암모늄 염, 포스핀, 및 포스포늄 염으로 구성된 군으로 부터 선택되는 에폭시 수지.
  9. 제1 내지 3항 중 어느 한 항에 청구된 바와 같은 에폭시수지, 경화제, 촉진제 및 용매로 구성되는 에폭시 수지 조성물.
  10. 유리 클로오드에 적용하고 이어서 경화시킨 제 9항에 청구된 바와 같은 조성물을 함유하는 적층판.
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