KR100230198B1 - 집적 색선택성 광다이오드와 광다이오드에 접속하는 증폭기의 구성배열 - Google Patents

집적 색선택성 광다이오드와 광다이오드에 접속하는 증폭기의 구성배열 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광다이오드가 배열되어진 동일한 집적회로에 최소한 하나의 수직-바이폴라 트랜지스터를 배열시킨 구성배열에 관한 것이다. 수직-바이폴라 트랜지스터의 에미터층(17)은 제2도전성(N)으로 이루어진다. 또한 이는 광다이오드의 제2반도체층과 유사한 기저부와 층두께(c2)를 가지며 또한 유사한 기저부와 층두께(c2)를 가지며 또한 수직-바이폴라 트랜지스터의 베이스층(18)의 상부면에 배열되어 진다. 후자는 제1도전성(p)으로 구성되어 진다. 이것은 광다이오드의 제3반도체층이 갖는 기저부와 층두께(d2)를 갖는다. 또한 이는 수직-바이폴라 트랜지스터가 한 부분으로써 존재하는 에피텍시층(10)의 상부면에 배열되어져, 수직-바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 면이 된다. 광다이오드의 제2반도체층의 활성두께 W1과 기저부 N+의 크기 및 수직-바이폴라 트랜지스터의 베이스층(18)의 활성층높이(W1)와 기저부 P의 크기는 다음의 부등식을 충족한다.

Description

집적 색선택성 광다이오드와 광다이오드에 접속하는 증폭기의 구성배열
제1도는 집적 색선택성 광다이오드로부터 증폭기로 접속되는 회로도를 나타내는 것이며,
제2도는 본 발명에 따른 구성 배열에 사용되어지는 종래의 집적 색선택성 광다이오드의 구조를 나타낸 단면도이고,
제3도는 본 발명에 따른 구성배열에 사용되어지는 증폭기의 수직-바이폴라 트랜지스터의 구조를 나타낸 단면도이고,
제4도는 본 발명에 따른 구성배열에 사용되어지는 증폭기의 횡-바이폴라 트랜지스터의 구조를 나타낸 단면도이고,
제5도는 본 발명에 따른 구성배열에 사용되어지는 증폭기의 종래의 집적 저항기의 구조를 나타낸 단면도이고,
제6도는 본 발명에 따른 구성배열에 사용되어지는 증폭기의 집적 저항기의 신규의 구조를 나타낸 단면도이며,
그리고
제7도는 제6도에 언급된 적분저항기의 전기회로를 나타낸 것이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 광다이오드 2 : 증폭기
3 : 광선 4 : 수직-바이폴라트랜지스터
5 : 횡-바이폴라 트랜지스터 6 : 저항기
9 : 기판 10 : 에피텍시층
11,12,13 : 절연링 14 : 제1반도체층
15 : 제2반도체층 16 : 제3반도체층
17 : 에미터층 18 : 베이스층
43,44,45 : P/N-다이오드
본 발명은 집적 색선택성 광다이오드와 광다이오드에 접속된 증폭기의 구성배열에 관한 것이다. 보다 상세하게는 후술할 특허청구의 범위 제1항을 요지로 하는 광다이오드와 이에 접속된 증폭기의 구성배열에 관한 것이다.
영국특허 공개 제2,244,755A호에는 미합중국 특허 제5,910,570A호에 제9도에 개시되어 있는 색선택성 광다이오드와 이에 따라 접속되어지는 증폭기를 단일 패키지내에 형성시킨 구조가 개시되어 있다. 상기 색선택성 집적 광다이오드는 선택광 투시창을 무반사 코팅하고, 제1도전성 P++로 이루어진 제1반도체층을 투시광 하부에 배열하고, 제2전도성 N+로 이루어진 제2반도체층을 제1반도체층 하부에 배열하며, 또한 제1도전성 P로 이루어진 제3반도체층을 제2반도체층 하부에 배열하고, 제3반도체층을 기판으로써 형성시키는 구조로 이루어진다. 상기한 3개의 반도체층 모두는 각각 하나의 저항 접합 접점을 갖는다.
무반사코팅은 간섭필터로 작용하며 산화물과 금속층이 교대로 적층되어 이루어진다. 이밖에 간섭필터 앞에 색필터를 배열한다.
본 발명은, 상기의 구성배열을 개선하기 위한 것으로써, 색선택성 광다이오드와 그 다음에 접속되어지는 증폭기를 하나의 반도체칩내에 집적시킬 수 있는 구성배열을 제공하려는데에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 제1전도전성(P 또는 N)으로 제1반도체층(14)을 형성하고, 그 하부에 제2도전성(P 또는 N)으로 제2반도체층(15)을 배열하고, 제2반도체층 하부에 제1도전성(P 또는 N)으로 제3도전층(16)이 배열되어진 광다이오드(1)를 갖는 집적 색선택성 광다이오드와 광다이오드에 접속되는 증폭기로 형성되어지는 구성 배열에 있어서, 제3반도체층(16)의 하부에 광다이오드(1)의 병합된 부위로 제2도전성(P 또는 N)으로 이루어진 에피텍시층(10)이 형성되어 있으며, 증폭기(2)는 최소한 한 개이상의 수직-바이폴라 트랜지스터(4)를 포함하고 광다이오드와 동일의 집적 회로에서 전기적으로 절연되어 배열되어 있으며, 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 에미터층(17)은 제2도전성(N 또는 P)으로 이루어져 광다이오드(10의 제2반도체층(15)과 비슷한 층두께(C2)를 갖고 그 하부에는 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 베이스층(18)이 놓여지도록 배열되어 있으며, 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 베이스층(18)은 제1도전성(P 또는 N)으로 이루어져 광다이오드(1)의 제3반도체층(16)과 비슷한 층두께(d2)를 갖고 그 하부에는 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 병합된 부위로 에피텍시층(10)이 형성되어 있으며, 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 콜렉터층이 형성되어 있고, 광다이오드의 기저부 N+층인 제1반도체층(14)의 하부에 위치하는 제2반도체층(15)의 액티브층 두께 W1(즉, c1-b1)의 값과 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 p인 에미터층(17)의 하부에 위치하는 베이스층(18)의 액티브층 두께 w2(즉, d2-c2)는 다음의 부등식
(식중, x는 집적회로의 상부면에서 수직 방향의 좌표를 나타낸다)을 만족시키도록 형성됨을 특징으로 하는 집적 색선택성 광다이오드와 광다이오드에 접속되는 증폭기로 형성되어지는 구성 배열을 제공한다.
본 발명의 한 실시예를 도면에 따라 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 다른 구성 배열에 있어서는 하나의 집적 색선택성 광다이오드(1)는 광다이오드(1)의 다음에 접속되는 하나의 증폭기(2)와 하나의 양극단자로 결합되며, 이에 따라 광다이오드(1)와 증폭기(2)는 전기적으로 접속되게 된다. 광다이오드(1)는 광원으로서 자외선 또는 황색광(3)을 이용한다. 증폭기(2)는 최소한 하나의 수직-바이폴라 트랜지스터(4)를 가지며 예를 들어 제1도에 개시되어 있는 구조를 갖는다. 이 경우 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 베이스는 증폭기의 양단자중 광다이오드의 양극에 접속되는 제1전극을 형성하고, 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 콜렉터는 횡-바이폴라 트랜지스터(5)의 베이스와 연결되어지며 상기의 콜렉터가 증폭기(2)의 한 출력단자를 형성한다. 수직-바이폴라 트랜지스터(4)는 NPN트랜지스터이며, 반면에 횡-바이폴라 트랜지스터(5)는 PNP트랜지스터이다. 횡-바이폴라 트랜지스터(5)의 에미터는 정압장치의 양극 V+극에 연결되어지며 제1도에 나타내지 않은 또 다른 한 전극은 외부에 접속되어진다. 상기에 있어서, 또한 증폭기의 양단자중 제2전극과 횡-바이폴라 트랜지스터(5)의 콜렉터는 본체의 집적 저항(6)에 집적적으로 연결되어진다. 집적저항(6)은 바이폴라 트랜지스터(4와 5)의 전류증폭의 온도 보정기로써 작용한다. 제1도에는 또한 점선으로 표시한 부가적인 분배다이오드(7) 하나가 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 콜렉터와 에미터사이에 설치되어 있고, 본체에 연결되어지는 횡-바이폴라 트랜지스터의 분배 콜렉터(8)가 또한 나타나 있다.
바이폴라 트랜지스터(4 및 5) 및 저항(6)은 제2도 내지 제6도에서 나타낸 바와 같이, 개별적으로 나타나 있지만 바이폴라 트랜지스터(4 및 5) 및 저항(6)으로 이루어진 증폭기(2)와 광다이오드(1)는 단일의 집적회로내에서 집적되어 있다. 집적회로는 모든 집적회로내에서 집적되어 있다. 집적회로는 모든 집적 구성요소에 대한 공통의 기판(9)이 있고, 기판(9)의 위에 단일의 공통된 에피텍시층(10)이 형성되어 있고, 상기 에피텍시층 위에 공지의 방법으로 나란하게 배열되고 서로 각각에 대해서 전기적으로 절연된 섬이 분포되어 지며, 이들 섬 하나하나에 상기의 구성요소 1,4,5,6등이 배열되어진다. 이러한 섬의 형성은 에피텍시층(10)의 깊이에 까지 완전하게 다다르고, 각각의 섬들을 원형이 절연링(isolation ring)으로 에워싼다.
절연링(11a:11b)(제2도), (12a:12b)(제3도), (13a:13b)(제4도), 및 (36a:36b)(제5도 및 제6도)은 도면에서 각각 둥근 형태로서 두 개의 절단면(11a와 11b, 12a와 12b, 13a와 13b 및 36a와 36b)로 나타나 있다.
본 발명에 있어서 충돌과 제1도전성(P 또는 N)과 제2도전성(각각, N 및 P)의 반도체물질들로 부터의 접합 접속과의 배열이 이용된다. 발명의 설명을 간단하게 하고 일목 요연하게 하기 위하여 앞으로 제1도전성을 P라고 하고 제2도전성을 N이라고 칭하고 도면에도 이에 따라 나타내었다.
물론 이를 반대로 하는 것도 본 발명에 있어서 가능하다.
기판(9)과 절연링(11a:11b, 12a:12b, 13a:13b, 및 36a:36b)은 각각 제1도전성 P의 반도체물질로 구성되며 에피텍시층(10)은 제2도전성 N의 반도체물질로 이루어진다.
절연링(11a:11b, 12a:12b, 13a:13b 및 36a:36b)은 각각 그의 표면상에 하나의 접합 접속(11c:11d)(제2도)(12c:13d)(제3도), (13a:13d)(제4도), 및 (36a:36d)(제5도 및 제6도)을 가지며, 이들 각각은 보다 큰 접합 접속으로서 11c, 12c, 13c 및 36c가 제1도전성 p로 이루어지며, 상기의 표면에는 불순물이 더욱 많이 도핑된 보다 작은 크기의 접합 접속 11d, 12d, 13d 및 36d가 배열되어 있으며, 이들은 제1도전성 p로 이루어진다. 이와 유사하게 에피텍시층(10)은 극 각각에 광다이오드(1), 바이폴라 트랜지스터(4 및 5)가 배열된 섬이 있고 그의 표면에 접합 접속(10a:10b)(제2도), (10c:10d)(제3도) 및 (10e:10f)(제4도)을 갖는다. 이들 각각은 보다 큰 접합 접속으로서 10a, 10c, 10e가 제2도전성 N으로 구성되며, 이들의 표면에는 각각 불순물이 더욱 많이 도핑된 보다 작은 크기의 접합 접속(10b, 10d, 10f)이 배열되어 있으며 이들은 제2도전성 N으로 구성되어 진다.
제2도에 나타낸 공지의 집적 색선택성 광다이오드(1)는 기판(9), 접합 접속(10a:10b)을 갖는 에피텍시층(10) 및 접합접속(11c:11d)을 갖는 절연링(11a:11b)의 옆에 제1도전성 p로 이루어진 제1반도체층(14)을 배열하고, 그 아래에 제2도전성 N으로 이루어진 제2반도체층(15)을 형성하고, 그 하부에 제1도전성 P로 이루어진 제3반도체층(16)의 하부에는 광다이오드에 부속되는 부분인 에피텍시층(10)으로 형성되어 있으며 측면에는 절연링(11a:11b)이 원형으로 둘러싸여 있다. 그의 상부면은 광다이오드(1)의 제2 및 제3반도체층(15 및 16)의 원형 접합 접속(15a:15b)이 제2도전성 N으로, 16a:16b는 제1도전성 p로 구성되어 배열되어지며, 제1 및 제2반도체층(14 및 15)의 측면을 원형상으로 둘러싸고 있다. 접합 접속(15a:15b 및 16a:16b)이 제2도에서, 그 각각이 두 개의 절단면(15a와 15b 및 16a와 16b)의 둥근 형태로 나타나있다.
증폭기(2)는 최소한 수직-바이폴라 트랜지스터(4)를 가지며, 광다이오드(1)가 집적되어진 동일한 집적회로상에 광다이오드(1)와는 전기적으로 절연되어 배열되어진다.
제3도에 도시한 수직-바이폴라 트랜지스터(4)는 기판(9), 접합 접속(10c,10d)을 갖는 에피텍시층(10)과 접합 접속(12a:12b) 및 제2도전성 N으로 이루어지는 에미터층(17) 이외에, 광다이오드(1)의 제2반도체층(15)과 비슷한 층두께 C2를 갖는 에미터층이 형성되고, 에미터층의 하부에 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 베이스층(18)이 형성되어 있는 구조를 개시한다.
베이스층(18)은 제1도전형 P로 구성되어진다. 베이스층(18)은 광다이오드(1)의 제3반도체층(16)과 비슷한 층두께 d2를 가지며 그의 하부에는 수직-바이폴라 트랜지스터(4)가 부속되는 부위인 에피텍시층(10)이 배열되어지며, 절연링(12a,12b)이 측면에서 링모양으로 둘러싸고 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 콜렉터층이 형성되어 진다.
상부에는 수직-바이폴라 트랜지스터의 에미터층(17)과 베이스층(18)의 접합 접속(17a)이 제2도전성 N으로 형성되며, 접합 접속(18a:18b)은 제1도전형 p로 원형상으로 배열되어 에미터층(17)을 측면에서 링모양으로 감싼다. 접합 접속(18a:18b)은 제3도에서, 그 각각이 두 개의 절단면(18a와 18b)의 둥근 형태로 나타나 있다.
증폭기(2)가 최소한 하나의 횡-바이폴라 트랜지스터(5)를 포함할 때, 이는 광다이오드(1)와 동일한 집적회로에 배치되며 전기적으로 상기한 두 요소와는 격리되어 배열되어진다. 제4도에 나타나 있는 바와 같이, 횡-바이폴라 트랜지스터(5)는, 기판(9), 접합접속(10e:10f)을 갖는 에피텍시층(10)과 접합접속(13a:13b)이외에 하나의 중심 에미터층(20a:20b) 및 한 개의 원형 콜렉터층(19a:19b)의 구조를 개시한다. 상기의 중심 에미터층과 원형 콜렉터층은 제1도전형 p로 이루어진다.
이들은 광다이오드(1)의 제3반도체층(16)과 비슷한 크기와 층두께 d3를 갖는다. 또한 이들의 하부표면은 횡-바이폴라 트랜지스터에 부가되는 부위인 에피텍시층(10)이 배열되어져 있으며, 측면은 절연링(13a:13b)으로 링모양으로 둘러싸여 지며 횡-바이폴라 트랜지스터(5)의 베이스층이 형성되어 있다. 원형 콜렉터층(19a:19b)은 중심 에미터층(20a:20b)을 에피텍시층(10)의 반도체물질을 사용하여, 측면에서 링모양으로 둘러싼다. 코렉터층(19a:19b)은 원형의 커다란 반도체층(19c:19e)으로 구성되며, 그의 하부면에는 불순물이 고농도로 도핑된 원형모양의 보다 접합 접속(19d:19f)이 형성되어지며 이들은 상기한 원형의 보다 큰 반도체층(19c,19e)에서 동일한 도전성 p로 이루어진다.
에미터층(20a:20b)은 하나의 보다 큰 반도체층(20a)을 갖고, 보다 큰 반도체층(20a)의 상부에는 보다 작고 불순물이 고농도로 도핑된 접합 접속(20b)이 형성되어 있으며, 이 접합 접속(20b)은 보다 큰 반도체층(20a)과 동일한 제1도전성 p로 구성된다. 반도체층(19a:19b와 19c:19e) 및 접합 접속(19d:19f)은 제4도에는 원형의 형상으로 나타내었다. 반도체층(19a:19b 및 19c:19e) 및 접합 전속(19d:19f)은 제4도에서, 그 각각이 두 개의 절단면(19c:19d와 19e:19f) 및 19c와 19e 및 19d와 19f의 둥근 형태로 나타나 있다.
콜렉터층의 저항값을 감소시키기 위하여 수직-바이폴라 트랜지스터(4)는 기판(9)과 에피텍시층(10)사이의 경계면에 이른바 매몰된 반도체층(Buried layer)(21)을 형성한다.
에피텍시층(10)으로부터 소수부가물이 기판(9)으로 확산되는 것을 방지하는 확산 방지벽을 생성하기 위하여 횡-바이폴라 트랜지스터는 기판(9)과 에피텍시층(10)사이의 경계면상에 이른바 매몰된 반도체층(22)을 설치한다. "매몰된 반도체층"(21 및 22)은 각각 제2도전성 N과 불순물을 보강하여 구성한다. 이들은 각각 바이폴라 트랜지스터(4와 5)가 배열되어지는 섬의 에피텍시층(10)의 하단부에 씌워진다.
증폭기(2)는 광다이오드(1)와 바이폴라 트랜지스터(4와 5)가 동일하게 접적되는 회로에 접적되어지는 최소한 하나의 저항(6)을 갖는다. 이들 모두는 전기적으로 절연되어 배열되어진다. 제5도에 나타내어진 집적된 저항(6)의 구성은 기판(9), 에피텍시층(10) 및 본체에 접속되는 외부 접합 접속(36c:36d)으로 전기접속(37)으로 접속되는 접합 접속(36c:36d)을 갖는 절연링(36a:36b)이외에 제1도전형 P로 구성되어지는 주입된 저항-반도체층(38)을 개시하고 있으며, 여기에 있어서 저항반도체층(38)은 광다이오드(1)의 제3반도체층(16)과 유사한 크기와 층두께 d4를 가지며 저항(6)의 에피텍시층(10)의 상부면에 배열되어진다.
저항-반도체층(38)의 상부면에는 두 개의 반도체-접합 접속(39) 및 (40)이 제1도전형 P로 구성되어 배열되어지며, 이들은 불순물이 고농도로 도핑되어 있다.
제6도에 개시되어 있는 집적 저항(6)의 신규의 구조는 기판(9), 에피텍시층(10) 및 본체에 접속되는 외부 전기 접속(37)으로 접속되는 접합 접속(36c:36d)을 갖는 절연링(36a:36b)을 각각 포함한다. 접합 접속(36c:36d)중 보다 큰 접합 접속(36c)은 저항기(6)에 있어서 에피텍시층(10)의 상부에 배열되어진다. 작은 접합 접속(36d)은 상기의 큰 접합 접속(36c)과 절연링(36d:36b)의 공통의 부위에 배열되어진다. 반도체-통(하우징)(36c)은 제1도전형 P로 이루어지며 광다이오드(1)의 제3반도체층(16)과 유사한 크기와 층두께 d5를 갖는다. 신규의 구조를 갖는 저항기(6)는 제7도에 나타낸 바와 같이 여러개의 동일형 P/N-다이오드가 직렬로 배열되어진 구조를 제공한다. 제6도 및 제7도에서는 세 개의 P/N-다이오드가 직렬로 배열되어진 구조를 제공한다. 제6도 및 제7도에서는 세 개의 P/N-다이오드(43,44 및 45)가 직렬 되어진 저항기(6)가 개시되어 있다. 반도체-통(36c)의 상부면에는 상호간 어느 정도 간격이 떨어진 작은 반도체-통(43a,44a,45a)이 제2도전형 N으로 배열되어 있어, 다수의 P/N-다이오드가 집적 저항(6)에 포함되어지게 된다. 이때 작은 반도체-통(43a,44a 및 45a) 각각은 반도체-통(36)의 반도체 물질에 의하여 상호간 전기적으로 격리되게 된다. 작은 반도체-통(43a,44a 및 45a) 각각은 광다이오드(1)의 제2반도체층(15)과 유사한 크기와 층두께 c5를 갖는다. 작은 반도체-통(43a,44a 및 45a) 각각에는 그의 상부면에 두 개씩의 접합 접속(43b 및 43c), (44b 및 44c), (45b 및 45c)이 배열되어 있으며, 이들 두 개는 부분적으로 용접되어 있으며 또한 불순물이 보다 많이 포함되어 있다. 상기의 두 개의 접합 접속중 첫 번째것 즉 43c, 44c, 45c는 각각 제1도전형 P로 구성되어지며, 두 번째의 것 즉 43d, 44d 및 45d는 제2도전형 N으로 구성되어 진다.
증폭기(2)의 저항기(6)는 제5도에 나타나 있는 저항기 또는 제6도에 나타낸 저항기 또는 이들은 결합한 형태로도 가능하다. 후자의 경우 제5도의 저항기와 제6도의 저항기를 직렬 연결할 수도 있고 병렬할 수도 있다.
제5도에 나타낸 저항기는 양의 온도지수와 최대 1MΩ의 값을 갖는다. 제6도에 나타낸 저항기는 음의 온도 지수와 100KΩ에서 1GΩ까지의 값을 나타낸다. 접합 접속(43b,43c,44b,44c,45b 및 45c)은 높은 N++또는 P+도핑되어 있고 얕은 깊이를 갖는 관계로 밀리볼트와 같은 낮은 전압에서도 접합 접속(43b와 43c), (44b와 44c), (45b와 45c) 사이의 통로를 따라 전하의 터널효과가 발생하게 되므로, 다이오드(43,44 및 45) 각각은 "백워드 다이오드"(Backward diode)기술을 적용시키며 -50mV 내지 +50mV의 범위에서 선형적인 전압/전류의 특성곡선이 얻어지게 된다. 상기한 두 기술을 적당한 직렬- 및 또는 병렬 접속하여 총저항 값이 10MΩ내지 100MΩ이고, 이에 따른 온도지수가 -0.5%/°K를 구현할 수 있다. 전류증폭을 위한 두 개의 바이폴라 트랜지스터(4와 5) 각각은 +0.25%/°K의 양의 온도지수를 가지므로 저항(6)이 음의 온도지수를 갖는 관계로 온도의 변이를 갖지 않는 구성회로를 제공할 수 있게 된다.
기저를 구분하기 위하여 기판(9)의 반도체물질은 Ps("Psubstrate"), 절연링(11a:11b), (12a:12b), (13a:13b) 및 (36a:36b)은 Pi("Pisolation"), 반도체층(16,18 및 38)과 접합 접속(11c,12c,13c,19c:19e,20a와 36c)은 P로 반도체층(14) 및 접합 접속(11d,12d,13d,16a:16b,18a,18b,19d:19f,20b,39,40,43c,44c 및 45c)은 P+로 표시하며, 상기에 있어서 후자의 반도체는 외부원자로서 P로 표기되는 반도체에 외부원자로서 붕소원자가 부여되어진 것이다.
에피텍시층(10)의 반도체물질은 N으로, 반도체층(15,17,21 및 22), 반도체-통(43a,44a 및 45a) 및 접합 접속(10a,10c 및 10e)은 N+로, 접합 접속(10b,10d,10f,15a:15b,17a,43a,44b와 45b)은 N++로 표시하며, 후자의 반도체 물질은 N+로 표기되는 반도체 물질에 외부 원자로서 인 원자가 부여된 것이며, N+는 N으로 표기되는 반도체에 인 원자가 외부원자와 함께 자체적으로 부여된 것이다.
광다이오드(1)는 제1반도체층(14)위에 제2도에는 나타내지 않는 광(3)의 입사면이 형성되어 있다. 상기한 광입사면은 미합중국 특허 제4,910,570A호에 개시되어 있는 입사면과 유사한 구조를 가지며 간섭필터로써 작용하는 무반사코팅이 되어 있다. 본 발명에 따른 구성배열은 간섭필터를 배열함에 있어서 투명합성수지로 구성하여 색필터의 역할을 하도록 한 구조가 배열되어 있다.
반도체층(14) 및 접합 접속(10b,11d,15a:15b,16a:16b,10d,12d,17d,18a:18b,10f,13d,19d:19f,20b,36d,39,40,43b,43c,44b,44s,45b,45c)은 각각 전선결속으로서 부호가 붙은 전기 접속(23,24,25,26,27,28,29,30,31,32,33,34,35,37,41,42,43d,43e,44d,44e,45d,45e)을 하나씩 가지며, 이들 전기접속은 집적회로의 상부면에 배열되어 진다. 전기 접속(24,25,26,27,29,33 및 37)은 모두 서로 함께 본체에 연결되어져(제2도,제3도 및 제4도), 광 다이오드(1)에서 반도체층(15 및 16), 이피텍시층(10) 및 절연링(11a:11b)은 모두 본체와 연결되게 되어진다. 접속(23)은 광다이오드(1)의 양극접속을 형성한다. 접속(30,31 및 28)은 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 에미터-접속 E, 베이스-접속 B 및 콜렉터 접속 C를 형성한다(제3도). 접속(35,34 및 32)은 횡-바이폴라 트랜지스터(5)의 에미터-접속 E, 베이스-접속 B 및 콜렉터 접속 C를 형성한다(제4도). 전기 접속(41 및 42)은 제5도에 나타낸 저항기(6)의 두 개의 접속을 형성한다. 전기접속(43e)(제6도)은 금속매체를 통하여 전기접속(45d)과 연결되어지고, 따라서 집적저항(6)을 형성하는 다이오드(43 내지 45)는 서로 연속하여 전기적으로 직렬로 배열되어 진다. 전기접속(43d)은 저항(6)과 다이오드--배열회로(43;44;45)의 제1전극(41)을 형성하고 반면에 전기 접속(45e)은 다이오드-배열회로(43;44;45)의 제2전극과 연결되어 저항(6)이 형성되도록 하여 준다.
두 개의 반도체층(14 및 15)은 광다이오드(1)의 PN-층을 형성하며, 반도체층(17,18,10)은 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 에미터-, 베이스- 및 콜렉터-층을 이룬다.
반도체층(20a,19e; 19e 및 10)은 횡-바이폴라트랜지스터(5)의 에미터-, 콜렉터- 및 베이스-층을 형성하며, 후자는 추가적 콜렉터로써, 즉 분배콜렉터(8)로서, 기판(9)을 점유하여, 횡-바이폴라 트랜지스터(5)에서 층(20a, 10;22 및 9)은 PNP형의 분배-수직-바이폴라 트랜지스터를 이루며, 이는 단지 콜렉터층(9 및 19c;19e)에 의하여 횡-바이폴라 트랜지스터(5)와 구별되어 진다. 수직-바이폴라 트랜지스터(4)에는 매몰된 반도체층(21) 분배다이오드(7)의 기판(9)이 형성되어 있다. 층(43e 및 43a, 44c와 44a, 45c와 45a)에는 각각 P/N-다이오드 43,44,45의 P/N층들이 형성되어 있다.
광다이오드(1)의 접합 접속(15a;15b 및 10b)은 각각 층두께 a1을 가지며, 수직-바이폴라 트랜지스터 4의 접합 접속(17a와 10d)은 층두께 a2를 가지며, 횡-바이폴라 트랜지스터 신규의 저항(6)은 접합 접속(43b,44b 및 45b)은 층두께 a5를 가지며, 상기의 4개의 층두께는 동일한 값을 갖는다.
제1반도체층(14) 및 광다이오드(1)의 접합 접속(16a;16b 및 17d)은 각각 층두께 b1을 가지며, 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 접합 접속(18a;18b 및 12d)은 두 층두께 b2를 갖고, 횡-바이폴라 트랜지스터(5)의 접합 접속(19d,19f,20b 및 13d)은 층두께 b3를 갖고, 접합 접속(39와 40)은 각각 층두께 b4를 갖고 접합 접속(43e,44e 및 45c)을 각각 층두께 b5를 가지며, 이들 5개의 층두께는 모두 동일한 값을 갖는다.
제2반도체층(15)과 광다이오드(1)의 접합 접속(10a)은 층두께 c1을 가지며, 수직 바이폴라 트랜지스터(4)의 에미터층(17)과 접합 접속(10c)은 층두께 c2를 가지며, 횡-바이폴라 트랜지스터(5)의 접합 접속(10e)은 층두께 c3를 갖고, 반도체-통(32a,44a 및 45a)은 층두께 c5를 가지며, 이들 4개는 모두 동일한 값을 갖는다.
광다이오드(1)의 제3반도체층(16)과 접합 접속(11c)은 층두께 d1값을 갖고, 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 베이스층(18)과 접합 접속(12c)은 각각 층두께 d2의 값을 갖고, 횡-바이폴라 트랜지스터(5)의 접합 접속(13c)과 콜렉터층(19e;19b)은 각각 층두께 d3를 갖고, 저항(6)의 접합 접속(3)은 층 두께 d4(제5도)와 d5(제6도)를 가지며, 상기의 5개의 층두께 모두 동일한 크기의 값을 갖는다.
광다이오드(1)의 접합 접속(15a;15b 및 10b)은 a1의 층두께를 가지며, 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 접합 접속(17a 및 10d)은 층두께 a2를 갖고, 횡-바이폴라 트랜지스터(5)의 접합 접속(10f)은 층두께 a3를 가지며, 3개의 크기는 모두 동일한 값을 갖는다.
광다이오드(1)의 기저부(Dotierung) N+인 제1반도체층(14)의 하부에 위치하는 제2반도체층(15)의 액티브층 두께 W1(즉, c1-b1)의 값과 기저 p인 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 에미터층(17)의 하부에 위치하는 베이스층(18)의 액티브층두께 W2(즉, d2-c2)는 다음의 부등식
(식중, X는 집적회로의 상부면에서 수직방향의 좌표를 나타낸다)를 만족시킨다.

Claims (5)

  1. 제1도전성(P 또는 N)으로 제1반도체층(14)을 형성하고, 그 하부에 제2도전성(N 또는 P)으로 제2반도체층(15)을 배열하고, 제2반도체층, 하부에 제1도전형(P 또는 N)으로 제3반도체층(16)이 배열되어진 광다이오드(1)의 색선택성 광다이오드(1)와 광다이오드에 접속되는 증폭기로 형성되어지는 구성 배열에 있어서, 제3반도체층(16)의 하부에 광다이오드(1)의 병합된 부위로 제2도전형(P 또는 N)으로 이루어진 에피텍시층(10)이 형성되어 있으며, 증폭기(2)는 최소한 한 개 이상의 수직-바이폴라 트랜지스터(4)를 포함하고 광다이오드(1)와 동일한 집적회로에서 전기적으로 절연되어 배열되어 있으며, 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 에미터층(17)은 제2도전형(N 또는 P)으로 이루어져 광다이오드(1)의 제2반도체층(15)과 비슷한 층두께(c2)를 갖고 그 하부에는 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 베이스층(18)이 배열되도록 노여져 있으며, 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 베이스층(18)은 제1도전형(P 또는 N)으로 이루어져 광다이오드(1)의 제3반도체층(16)과 비슷한 층두께(d2)를 갖고, 그 하부에는 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 병합된 부위를 수직-바이폴라 트랜지스터의 콜렉터층이 형성되어 있는 에피텍시층(10)이 형성되도록 배열되어 있으며, 광다이오드의 기저부 N+인 제1반도체층(14)의 하부에 위치하는 제2반도체층(15)의 액티브 층두께 W1 즉(c1-b1)의 값과 수직-바이폴라 트랜지스터(4)의 기저부 p와 에미터층(17)의 하부에 위치하는 베이스층(18)의 액티브층 두께 W2(즉 d2-c2)는 상호간 다음의 부등식
    (식 중, x는 집적회로의 상부면에서 수직으로 나타내어지는 좌표를 말한다)을 만족시키는 것을 특징으로 하는 집적 선택성 광다이오드와 광다이오드에 접속되어지는 구성 배열.
  2. 제1항에 있어서, 증폭기(20는 광다이오드(1)와, 수직-바이폴라 트랜지스터(4)와 동일한 집적회로내에서 후자의 두 구성요소와는 전기적으로 절연되어 배열되어 있는 최소한 하나의 횡-바이폴라 트랜지스터(5)의 중앙 에미터층(20a;20b) 및 원형의 콜렉터층(19a;19b)은 제1도전성(P 또는 N)으로 형성되고 광다이오드(1)의 제3반도체층(16)과 유사한 기저부와 층두께(d3)를 가지며 또한 횡-바이폴라 트랜지스터(5)가 부착된 에피텍시층(10)의 상부면에 배열되어지고, 횡-바이폴라(5)의 베이스층이 형성되어 있으며, 또한 원형 콜렉터층(19a;19b)이 중앙 에미터층(20a;20b)을 에피텍시층(10)의 반도체를 분리되도록 측방향으로 링모양으로 둘러싸는 형태로 배열되어지는 것을 특징으로 하는 구성 배열.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기한 증폭기(2)에는 여러개의 P/N-다이오드(43,44,45)가 직렬연결되어진 집접저항(6)이 더 포함되어지는 것을 특징으로 하는 구성 배열.
  4. 제3항에 있어서, 집적 저항(6)을 형성하는 다수의 P/N-다이오드(43,44,45)의 직렬회로는 광다이오드(1)와 수직-바이폴라 트랜지스터(4)가 배열되어 있는 동일한 집적회로내에서 전기적으로 절연되어 배열되어지고, 제1도전성(P 또는 N)의 반도체-통(36c)이 광다이오드(1)의 제3반도체층(16)과 유사한 기저부 및 층두께로 저항기(6)를 장착하는 에피텍시층(10)의 상부면에 배열되어지고, 반도체-통(36c)의 상부면에는 충분히 상호간 간격이 형성되어 있고 전기적으로 서로 절연되어 있는 제2도전성(N 또는 P)의 작은 반도체-통(43a,44a,45a)이 다수의 P/N-다이오드(43,44,45)가 집접저항기(6)내에 포함되어지고, 작은 반도체-통(43a,44a,45a) 각각은 광다이오드(1)의 제2반도체층이 갖는 것과 유사한 기저부와 층두께를 갖도록 배열되어지며, 또한 작은 반도체통(43a,44a,45a)의 각각에는 그의 상부면에 두 개씩의 접합 접속(43b와 43c 및 40b 및 44c 및 45b 및 45c)이 배열되어 있고, 이들은 두 개가 최소한 부분적으로 결합되어 있으며, 이들 두 개의 접합 접속중 첫 번째의 것(43c,44c,45d)은 제1도전성(P 또는 N)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 구성배열.
  5. 제1 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 구성배열은 광투명성 플라스틱 재료의 통(하우징)에 배열됨을 특징으로 하는 구성배열.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE470116B (sv) * 1992-04-03 1993-11-08 Asea Brown Boveri Detektorkrets med en som detektor arbetande halvledardiod och en med dioden integrerad förstärkarkrets
DE69637636D1 (de) 1995-12-06 2008-09-25 Sony Corp Aus einer Fotodiode und einem bipolaren Element bestehende Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung
WO1997029517A2 (de) * 1996-02-05 1997-08-14 Laboratorium Für Physikalische Elektronik Uv-strahlungsdetektor
US6035211A (en) * 1996-12-19 2000-03-07 Ericsson Inc. Dual use speaker for both voice communication and signalling
US5882977A (en) * 1997-10-03 1999-03-16 International Business Machines Corporation Method of forming a self-aligned, sub-minimum isolation ring
US6096618A (en) * 1998-01-20 2000-08-01 International Business Machines Corporation Method of making a Schottky diode with sub-minimum guard ring
DE19805786A1 (de) * 1998-02-12 1999-08-26 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Struktur zur Vermeidung von Querströmen
US5969399A (en) * 1998-05-19 1999-10-19 Hewlett-Packard Company High gain current mode photo-sensor
IT1317199B1 (it) * 2000-04-10 2003-05-27 Milano Politecnico Dispositivo fotorivelatore ultrasensibile con diaframma micrometricointegrato per microscopi confocali
JP4219755B2 (ja) * 2003-07-16 2009-02-04 ローム株式会社 イメージセンサの製造方法およびイメージセンサ
CN104583806B (zh) 2012-08-13 2018-08-10 皇家飞利浦有限公司 光子计数x射线探测器
KR102219148B1 (ko) * 2014-03-31 2021-02-22 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 자외광용 고체 수광 디바이스
US9524994B2 (en) 2015-04-14 2016-12-20 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor pixels with multiple compartments
JP2020009790A (ja) * 2016-11-09 2020-01-16 シャープ株式会社 アバランシェフォトダイオード

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62202567A (ja) * 1986-02-28 1987-09-07 Canon Inc 光センサおよびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59134872A (ja) * 1983-01-23 1984-08-02 Rohm Co Ltd フオトセンサ−用ｉｃ
JPS60240174A (ja) * 1984-05-15 1985-11-29 Sharp Corp 光結合半導体装置
JPS61185979A (ja) * 1985-02-13 1986-08-19 Agency Of Ind Science & Technol 集積型光電変換素子
EP0296371B1 (de) * 1987-06-22 1992-12-23 Landis & Gyr Business Support AG Photodetektor für Ultraviolett und Verfahren zur Herstellung
IT1232930B (it) * 1987-10-30 1992-03-10 Sgs Microelettronica Spa Struttura integrata a componenti attivi e passivi inclusi in sacche di isolamento operante a tensione maggiore della tensione di rottura tra ciascun componente e la sacca che lo contiene
DE58909287D1 (de) * 1988-08-04 1995-07-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranord- nung mit einem Photoelement und einem npn-Bipolartransistor in einem Siliziumsubstrat.
CH684971A5 (de) * 1989-03-16 1995-02-15 Landis & Gyr Tech Innovat Ultraviolettlicht-Sensor.
CH680390A5 (ko) * 1990-05-18 1992-08-14 Landis & Gyr Betriebs Ag
JP2557750B2 (ja) * 1991-02-27 1996-11-27 三洋電機株式会社 光半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62202567A (ja) * 1986-02-28 1987-09-07 Canon Inc 光センサおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0579045B1 (de) 1995-02-22
US5382824A (en) 1995-01-17
EP0579045A1 (de) 1994-01-19
DE59300087D1 (de) 1995-03-30
JPH06163867A (ja) 1994-06-10
KR940003103A (ko) 1994-02-19

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