KR930014954A - 싱글칩으로 구성된 4단자 혼성소자 및 그 제조방법 - Google Patents
싱글칩으로 구성된 4단자 혼성소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 4단자 혼성소자에 관한 것으로, 개별적으로 사용되는 트랜지스터와 다이오우드를 단일 칩상에 함께 형성하고 트랜지스터의 컬렉터와 다이오우드의 캐소드를 공통으로 형성함으로써 외부적으로 4개의 단자를 이루어 소자사용상의 편의를 도모함과 아울러 소자용융상의 융통성을 증대시킨 4단자 혼성소자 및 그 제조방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 싱글칩으로 구성된 4단자 혼성소자의 기본회로도(a)와 그 제조공정을 나타내는 도면[(a)~(i)],
제2도는 본 발명 4단자 혼성소자의 다른 실시예를 나타내는 회로도 (a)와 이의 제조공정에 따른 수직구조도(b),
제3도는 본 발명 4단자 혼성소자의 또다른 실시예를 나타내는 회로도(a)와 이의 제조공정에 따른 수직구조도(b).
Claims (6)
- 콜렉터 역할을 하는 n형 도전형의 고불순물 농도의 반도체층(11) 및 저불순물 농도의 반도체층(12)이 적층된 반도체기판 상부에 트랜지스터의 베이스역할을 하도록 형성한 제1p형 도전형의 불순물 확산층(13)과, 상기 제1p형 도전형의 불순물 확산층(13)과는 단일 칩내에서 독립적으로 분리형성되어 다이오우드의 애노드역할을 하는 제2p형 도전형의 불순물 확산층(14)과, 상기 제1p형 도전형의 불순물 확산층(13)내에 에미터역할을 하도록 형성한 n형 도전형의 불순물 확산층(15)과, 각 확산층의 전기적인 접촉을 위해 형성한 금속도전층(21, 22, 23, 24, 25)으로 구성되어 외부적으로는 트랜지스터의 에미터단자(23)와 베이스단자(21, 22), 컬렉터단자(25) 및 다이오우드의 에노드단자(24)의 4단자가 단일 칩상에 함께 형성된 것을 특징으로 하는 4단자 혼성소자.
- 제1항에 있어서, 트랜지스터의 컬렉터와 다이오우드의 캐소드가 n형 도전형의 고불순물 농도의 반도체층(11)과 저불순물 농도의 반도체층(12) 및 금속전극층(25)을 공통으로 가져 전기적으로는 콜렉터 한 단자로 되는 것을 특징으로 하는 4단자 혼성단자.
- 콜렉터역할을 하는 n형 도전형의 고불순물 농도의 반도체층(11) 및 저불순물 농도의 반도체층(12)이 적층된 반도체 기판 상부에 트랜지스터의 베이스역할을 하도록 형성한 제1p형 도전형의 불순물 확산층(13)과, 상기 제1p형 도전형의 불순물 확산층(13)과는 단일 칩내에 독립적으로 분리 형성되어 다이오우드의 애노드역할을 하는 제2p형 도전형의 불순물 확산층(14)과, 상기 제1p형 도전형의 불순물 확산층(13)내에 에미터역할을 하도록 형성한 n형 도전형의 불순물 확산층(15)과, 베이스단자와 에미터단자 사이에 병렬로 접속되는 저항을 만들기 위해 형성한 다결정실리콘층(26)과, 각 확산층과의 전기적인 접촉을 위해 형성한 금속도전층(21, 22, 23, 24, 25, 27, 28)으로 구성되어 외부적으로 트랜지스터의 컬렉터단자(25) 및 다이오우드의 애노드단자(24)와, 저항이 병렬로 연결된 에미터단자(23)와 베이스단자(21, 22)의 4단자가 단일 칩상에 함께 형성된 것을 특징으로 하는 4단자 혼성소자.
- 콜렉터역할을 하는 n형 도전형의 고불순물 농도의 반도체층(11) 및 저불순물 농도의 반도체층(12)이 적층된 반도체 기판 상부에 트랜지스터의 베이스역할을 하도록 형성한 제1p형 도전형의 불순물 확산층(13)과, 상기 제1p형 도전형의 불순물 확산층(13)과는 단일 칩내에 독립적으로 분리 형성되어 다이오우드의 애노드역할을 하는 제2p형 도전형의 불순물 확산층(14)과, 상기 제1p형 도전형의 불순물 확산층(13)내에 에미터역할을 하도록 형성한 n형 도전형의 불순물 확산층(15)과, 각 확산층과의 전기적인 접촉을 위해 형성한 금속전극(22, 23', 24, 25)을 구비한 4단자 혼성소자에 있어서, 트랜지스터의 베이스영역과 콜렉터영역이 pn접합을 이루어 아이오우드 역할을 하도록 베이스영역과 에미터영역에 공통으로 연결되도록 형성한 금속전극(23')을 구비한 것을 특징으로 하는 4단자 혼성단자.
- 콜렉터 역할을 하는 n형 도전형의 고불순물 농도의 반도체층(11)과 저불순물 농도의 반도체층(12)이 적층된 반도체기판 상부에 트랜지스터의 베이스영역(13)을 형성하기 위해 p형 도전형의 불순물을 주입하는 제1공정과, 다이오우드의 애노우드영역(14)을 형성하기 위해 p형 도전형의 불순물을 주입하는 제2공정과, 상기 베이스역할을 하는 p형 불순물 확산층(13)내에 에미터영역(15)을 형성시켜주기 위해 n형 도전형의 불순물을 주입하는 제3공정과, 금속도전층이 접촉 전극부위에 형성할 때 각 소자영역을 간을 전기적으로 절연시켜주기 위해 산화막층을 형성하는 제4공정과, 각 확산층과의 전기적인 접촉을 위해 금속도전물질을 증착하는 제5공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 4단자 혼성소자의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제1공정과 제2공정이 동일칩상에서 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 4단자 혼성단자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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