KR100216290B1 - 건식챔버에서 침착물을 최소화하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

기저 원추형 또는 절두 원추대 하부(3)와 원통형 상부(3)롤 구성된 건/냉식 챔버에 있어서, 원통형부(2)의 상단에는 프로세싱 가스의 입구(6)가 설치되며, 쳄버의 상단 또는 하단에는 프로세싱 가스의 출구(7)가 설치되어 있다.

프로세싱 가스 출구(7)에서 떨어진 원통형부(2)의 레벨에서 프로세싱 가스의 유속에 비교하여서는 더높은 유속으로, 또한, 그 유량율과 비교하여서는 더낮은 유량율로 적어도 한번의 가압가스 분사를 노즐수단(8)에 의해 원통형부(2)의 원주벽(9)에 근접한 포인트에서와 상기 프로세싱 가스 출구(7)로부터 떨어져 있는 원통형부(2)의 레벨에서 주입함으로써 쳄버의 내면에서의 생성물의 침착은 최소화된다. 분사는 주입 레벨과 프로세싱 가스 출구 사이에 있는 원통형부(2)의 적어도 원주벽(9)을 따라 연장되어 있는 영역에서 유속을 증대하는 쪽으로 프로세싱 가스의 흐름과 상호작용시키기 위하여 원주벽(9)에 대하여 대략 탄젠트 방향 및 수평 방향으로 그 주된 흐름을 가지며 주입된다.

Description

건식챔버에서 침착물을 최소화하기 위한 방법 및 장치

본 발명은 액체 공급물이 분무되어 프로세싱 가스에 의해 과립상 또는 입자상 생성물을 형성하는 과정이 이루어지는 챔버에 있어서 그 내부 표면에 생성물이 침착되는 것을 최소화하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 챔버는 원통형상의 상부와 이에 연결된 원추형 또는 절두 원추대 형상의 하부로 구성되며 두 부분이 모두 수직축을 중심으로 형성되어 있다. 상기 프로세싱 가스의 입구는 원통형 챔버부의 상단에 설치되며, 프로세싱 가스의 출구는 챔버의 하단 또는 상단에 설치된다.

스프레이 건식 및 냉각 기술에 있어서, 분무장치로부터 분출된 점착성 표면의 물질은 분무 챔버의 벽부상에 침착 및 누적되려는 문제점이 있으며, 이러한 침착의 정도는 열가소성, 지방의 함량, 정전기적 특성 또는 결정화 특성 또는 단순한 수분 함량과 같은 파우더 특성에 따라 다소 차이가 있을 수 있다.

이러한 종래의 문제점을 보완하기 위한 여러 대책들이 제안되어 있다.

전기 또는 기압 해머 또는 바이브레이터는 챔버벽상에 잔존하려 하는 생성물을 지속적으로 제거하도록 챔버벽상에 장착될 수 있다. 미국, 뉴욕주소재의 John Wiley Sons사의 표준 텍스트북 k.Masters Spray Drying Handbook 5판(1991)의 152 내지 154페이지에는 챔버벽 또는 더 나아가 소위 에어 소제 장치의 설비를 소제하도록 챔버의 상부 원통형부의 원주벽의 하부에 있는 슬롯을 통한 2차 에어플로우의 유입을 부가 대책으로 제안하고 있으며, 상기 에어 소제 장치는 챔버벽으로부터 근거리에서 수직으로 연장되어 있으며, 벽면과 마주하는 다수의 에어 출구를 가진 덕트 부재를 포함하고, 동작시 비교적 느린 회전 운동으로 챔버벽을 소제하는 장치이다.

유럽 특허 출원 제 0 127 031호와, 영국 특허 제 474 086호, 1 514 824호와, 미국 특허 제 1,634,640호, 2,333,333호, 3,895,994호에는 여러스프레이 기술에 관한 출원 내용이 공지되어 있으며, 챔버벽상에 침착물이 형성되는 것을 감소시키기 위해 분무 챔버내에 2차 에어 흐름을 유입하는 내용을 포함하고 있다.

유럽 특허 출원 제 0 127 031호는 불순물의 함량이 감소된 가스 스트림 및 건조 파우더 생성물을 생성하기 위하여, 가스체의 불순물을 포함하는 핫가스스트림에다 불순물 흡수제를 포함하는 수용성 매개체를 접촉케함으로써 스모크가스 클리닝을 하는 스프레이 건식의 사용을 개시하고 있다. 불충분한 건식으로 인하여 챔버벽상에 파우더 생성물이 침착되는 것을 방지하기 위해, 핫가스스트림의 일부는 분무 챔버의 상부에 들어가는 메인 플로우에서 철수되어 바이패스 덕트를 통해 챔버의 하부로 가이드되며, 이곳에서 핫가스 스트림의 주요부의 소용돌이 방향과 반대 방향으로 유입된다.

영국 특허 제 474 086호에 따르면, 유체의 흐름 방향을 적절하게 향하도록 하기 위하여 챔버내에 다수의 수직 연장 노즐을 형성함으로써 회전 유체벽 또는 커튼이 분무 챔버의 건식 영역 주위에 유지된다.

영국 특허 제 1 514 824호는 원추벽상에 고형물이 생성되는 것을 방지하기 위하여 원추형 부분의 벽내의 탄젠트 방향 개구를 통해 세정가스(flushing gas)가 분무 챔버의 원추형 하부로 유입되는 스프레이 건식 장치를 개시하고 있다.

미국 특허 제 1,634,640호는 처리를 거친 재료와 프로세싱 챔버의 벽과의 바람직하지 못한 접촉을 방지하기 위하여 다수의 좁은 원주 개구 또는 슬롯으로부터 건식 챔버의 내벽을 따라 움직이는 원주상의 연속 시트의 가스를 형성하며, 각 슬롯은 중복 시트 메탈 링의 상/하단부에 의해 한정된다.

미국 특허 제 2,333,333호에는 부가 건식 가스가 분무 챔버의 원추형 하부내로 탄젠트 방향으로 유입되는 건조장치가 개시되어 있다.

미국 특허 제 3,895,994호는 가스의 주된 흐름을 에워싸는 반대 흐름을 발생할 목적으로 원통형부내에 소용돌이를 일으키기 위해 원통형부의 방출 단부주위에 배열된 입구로부터 탄젠트 방향의 냉-공기 흐름을 유입함으로써 분무챔버의 원통형부의 벽상에 생성물이 침착되는 양을 최소화하는 방법을 개시하고 있다.

구조적인 관점에서 볼 때에, 상기한 문헌에서 개시하고 있는 챔버벽소제 방법 및 장치는 챔버벽 소제 역할을 하는 2차 에어 플로우의 유입을 위해 원통형 또는 원추형 챔버부의 벽내에 개구를 필요로 한다. 이러한 개구 및 관련 덕트 시스템의 설비로 인해 분무 챔버의 설계는 복잡하게 된다. 또한, 주된 흐름의 프로세싱 가스에 더불어 역-흐름의 2차 공기 흐름을 유입하는 것은 프로세싱 가스의 주된 흐름의 소망 효과를 떨어뜨리는 역 효과를 가져올 수 있다.

본 발명의 목적은 광범위한 여러 적용에 대하여 챔버벽상에 침착물이 침착되는 않도록 챔버벽을 유지시킴으로써 생성물의 침착을 최소화하기 위한 간단하고 효율적인 방법 및 장치를 제공하는 것이다.

본 발명에 한 형태에 따르면, 전술한 바와 같은 방법은 주입 부위(들)에서, 즉, 상기 프로세싱 가스 출구에서 최대한 떨어져 있으며 상기 원통형부의 원주벽에는 근접해 있는 상기 원통형부의 단부에서 가압가스가 최소 한번, 최대 두 번의 분사(噴射)로 주입되는 것을 특징으로 하며, 상기 분사는 주입 부위에서의 상기 프로세싱 가스의 유속과 비교해서는 더 높은 유속을 가지나, 상기 프로세싱 가스의 유량율과 비교해서는 더 낮은 유량율을 가지며, 상기 프로세싱 가스 출구와 상기 레벨 사이에 있는 원통형부의 적어도 상기 원주벽을 따라 연장해 있는 영역에서 상기 프로세싱 가스의 유속을 증대시키는 쪽으로 상기 프로세싱 가스의 흐름과 상호작용하도록 그 주된 흐름은 상기 원주벽에 대하여 대체로 탄젠트 방향 및 수평 방향이 되도록 주입되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또다른 형태에 따르면, 상기 방법에서 가압 가스의 적어도 한번의 분사는 주입 부위에서, 즉, 상기 프로세싱 가스 출구에서 최대한 떨어져 있으며 상기 원통형부의 원주벽에는 근접한 상기 원통형부의 단부에서 주입되며, 상기 분사는 주입 부위에서 1내지 10 바아만큼 프로세싱 가스의 가스 압력을 초과하는 가스 압력을 가지나, 상기 프로세싱 가스의 유량율과 비교하여서는 더 낮은 유량율을 가지며, 상기 프로세싱 가스 출구와 상기 레벨 사이에 있는 원통형부의 적어도 상기 원주벽을 따라 연장하여 있는 영역에서 상기 프로세싱 가스의 유속을 증대하는 쪽으로 상기 프로세싱 가스의 흐름과 상호작용하도록 그 주된 흐름 방향은 상기 원주벽에 대하여 대체로 탄젠트방향 및 수평 방향으로 주입되는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 또한 액체 공급물을 수용하여 챔버의 분무 영역으로 분무하기 위해 상기 챔버내에 배열된 분무장치에 상기 액체 공급물을 공급하기 위한 공급수단과, 프로세싱 가스의 흐름을 상기 분무 영역으로 지향시키기 위한 가스공급 및 살포수단을 구비하며, 상기 챔버는 공통 수직축을 가진 원통형 상부와 기저 원추형 또는 절두 원추대 하부로 구성되며, 상기 가스공급 및 살포장치의 프로세싱 가스 입구는 상기 원통형부의 상단에 설치되며 그 출구는 상기 챔버의 하단 또는 상단에 설치되는 것을 특징으로 하는 분무챔버에 관한 것이다.

본 발명의 또다른 형태에 따르면, 상기 챔버는 적어도 한번의 또는 많아야 두 번의 가압 가스 분사를 주입하기 위해 상기 프로세싱 가스 출구에서 최대로 떨어져 있으며 상기 원통형부의 원주벽에 근접한 상기 원통형부의 단부에 하나 또는 두 개의 노즐 수단이 배열되며, 상기 가스공급 및 살포수단은 상기 노즐 수단의 부위에서의 상기 프로세싱 가스의 유속과 비교하여서는 더 높은 유속을 유지하고, 또한, 그 유량율과 비교하여서는 더 낮은 유량율을 유지하기 위한 수단을 포함하며, 상기 노즐수단은 상기 원통형부의 단부와 상기 프로세싱 가스 출구사이에 연장되어 있는 영역에서 적어도 상기 원주벽상에서는 유속이 증대하도록 상기 프로세싱 가스의 흐름과 상호작용시키기 위하여 상기 분사의 주된 흐름은 상기 원주벽에 대해서 수평 방향 및 대체로 탄젠트 방향으로 되도록 배역되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또다른 형태에 따르면, 상기 챔버에는 적어도 한번의 가압 가스 분사를 주입하기 위해, 상기 프로세시 가스 출구에서 최대한 떨어져 있으며 상기 원통형부의 원주벽에 근접해 있는 상기 원통형부의 단면에 적어도 하나의 노즐 수단이 배열되어 있으며, 상기 가스공급 및 살포수단은 1내지 10바아만큼 프로세싱 가스의 가스압력을 초과하는 상기 분사 가스압력을 유지하기 위한 수단을 포함하며, 상기 노즐수단은 상기 원통형부의 단부와 상기 프로세싱 가스 출구사이에 연장되어 있는 영역내의 상기 원주벽상에서 유속이 증대하는 쪽으로 상기 프로세싱 가스의 흐름과 상호작용시키기 위하여 상기 분사의 주된 흐름이 상기 원주벽에 대해서 수평 방향 또는 탄젠트 방향이 되도록 배열되는 것을 특징으로 한다.

이러한 방식으로 프로세싱 가스의 흐름과 상호작용하도록 하는 가압 가스 분사 주입에 의해서, 소망 프로세싱 가스 기능을 떨어뜨리거나 분무 챔버의 구조를 복잡하게 하지 않고도 챔버벽의 효율적인 소제가 얻어질 수 있다.

다음에, 본 발명의 보다 상세한 설명을 위해 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

제1도 내지 제3도와 제4도 내지 제6도는 본 발명에 따른 한번의 가압가스 분사를 주입하기 위한 노즐 수단을 가진 분무챔버의 2가지 대안의 실시예를 도시한다.

제7도와 제8도는 제1도 내지 제3도에 도시한 바와 같은 분무챔버내에서 사용하는 노즐 수단의 실시예를 도시한다.

제1도 내지 제3도에 있어서, 원통형부(2)와, 이와 동일한 수직축을 가진 기저 원추형부(3)로 구성된 챔버(1)가 개략적으로 도시되어 있다. 원통형부(2)의 상부에서 챔버의 천장(5)에서 조금 떨어진 지점에 배열된 노즐 또는 분무휠 또는 디스크와 같은 공지의 분무 장치(4)에 의해서 액체가 공급된다. 상기 하부(3)는 도면에서 도시한 것과는 상이하게, 180°에 근접하는 테이퍼각도(cone angle)를 가진 다소 평평한 바닥과 같은 형태를 가질 수도 있다.

도시하지는 않았으나, 건식 가스와 같은 프로세싱 가스는 천장 위에 배열되어 있으며 그 아래로 돌출되어 있는 가스 살포수단(6)을 통해 분무장치(4)를 에워싸는 프로세싱 가스 출구를 향하여 챔버(1)로 공급된다. 상기 분무 장치 아래의 건식 영역에서 프로세싱 가스가 균일하게 산포되도록 생성물 스프레이 건조에서 사용하는 적합한 유형의 가스 살포기로는 미국 특허 출원 제 4,227,896호에 개시된 가스 살포 장치가 있다.

프로세싱 가스(G)의 출구(7)는 원추형부(3)의 하부에 설치된다.

점선 F은 공급물을 챔버(1)에 공급하는 대안의 경로를 도시한 선이다.

도시한 본 실시예에서, 가압 가스의 분사를 공급하기 위한 2개의 노즐(8)은 원통형부(2)의 원주벽(9)과 천장(5) 사이의 모서리 영역에서 서로 대향하여 배열된다.

일반적으로 각 노즐(8)은 천장(5)에 현수되어 있음과 동시에 분사의 주된 흐름 방향은 원주벽(9)에 대하여 대체로 탄젠트 방향 및 수평 방향인 구부러진 관형 부재로서 형성되며, 이는 제7도와 제8도를 참조하여 더욱 상세히 설명한다.

본 발명에 따르면, 가압 가스의 분사는 프로세싱 가스의 유속에 비교하여서는 더 높은 유속으로 주입되며, 또한, 그 유량율에 비해서는 더 낮은 유량율로 주입된다.

1 내지 10바아(bar)의 범위에 있는 과압으로 가압 가스를 노즐을 통해 주입시킴으로써 높은 유속이 얻어지는 반면에, 체적 유량율은 프로세싱 가스의 공급 유량율의 3 내지 20 펴센트의 범위에 있는 것이 바람직하다.

프로세싱 가스가 건식 가스인 경우에는, 챔버의 내벽상에 증기의 응축이 발생하지 않도록 가압 가스를 예열하는 것이 바람직하다. 가압 가스의 입구온도는 건식 가스의 온도 이하인 것이 바람직하다.

다음에 설명될 내용과 같이, 가압 가스의 분사 주입의 효과는 프로세싱 가스의 흐름과 상호작용하여 이에 운동 에너지를 공급하고, 노즐(8)과 프로세싱 가스 출구(7) 사이에 있는 원통형부(3)의 원주벽(9)을 따라 연장하는 영역에서, 또한, 가능하면 상기 원추형부(3)의 일부를 따라 연장하는 영역에서도 프로세싱가스의 유속을 증대하는 것이다.

제7도와 제8도에 도시한 바와 같이, 각각의 노즐(8)은 천장(5)의 베어링에 현수되어있는 제 1수직부(11)와, 이의 하단에서 직각으로 절곡되어 있으며 그 개방 단부에 노즐 마우스피스(13)가 부착된 제 2수직부로 구성된 관형 요소(10)로 형성된다.

천장(5)의 하부에 추가 스위핑을 제공하도록 노즐(10)의 수직부(11)는 액튜에이팅 레버(14)의 제 1단부와 연결되며, 레버(14)의 다른 단부는 천장(5)의 하부 바로 아래에서, 왕복 회전 운동을 발생하는 수압 실린더(16)의 작업 피스톤(15)과 같은 수압 또는 공기압 모터의 작업 부재에 추축 연결된다. 실제 필요에 따라, 이러한 소제 운동의 각도 범위(V)는 10°내지 120°일 수 있으며, 수초 동안만 지속될 수 있는 상기 소제는 상기한 원주벽의 소제를 차단하면서, 예를들면 1 내지 5분 간격으로 간헐적으로 수행되는 것이 바람직하다.

제4도 내지 제6도에 또다른 실시예가 도시되어 있으며, 여기서 메인 프로세싱 가스 입구에 부가하며 챔버(17)는 유동 베드를 제공하도록 원추형부(19)에서 예를들어 그의 바닥에 가스 입구(18a)를 가지고 있는 반면에, 원통형부(20)의 상부에서, 예를들면 천장(22)에는 프로세싱 가스 출구가 설치된다. 프로세싱 가스 출구(21)에서 떨어진 점에 2차 공기의 분사 유입 레벨을 배치하기 위하여 이경우에 있어 노즐(23)은 원추형 침버부와 원통 챔버부(19,20)사이의 전이시 유동 베드위에 정렬될 수 있다.

분무장치(24)는 노즐이며, 가스 디스트리뷰터(25)는 상기한 제1도 내지 제3도의 실시예와 유사하게 설계되고 배열된다.

원통형부(20)의 원주벽(26)에 대하여 수평, 탄젠트인 메인 플로우 방향으로 가스의 분사를 주입하도록 형성되고 배열된다.

제1도 내지 제3도에 도시한 바와같이 노즐 장치를 가진 원통 챔버부의 원주벽에 걸친 영역에서 프로세싱 가스의 유속을 올리는데 있어 가압 가스의 주입 분사의 효과는 미국, 뉴햄프셔, 하노버 소재의 Fluent사가 공급하고 있는 소프트웨어 FLUENT를 사용한 컴퓨터 시뮬레이션에 의해 검증된다.

본 발명에 따른 장치 및 방법을 적용함이 없이 챔버의 수평면으로 탄젠트 회전 속도의 분배 및 스트림 기능 형상의 분석으로 초당 1과 2미터 사이의 원주벽을 따라 탄젠트 회전 속도로 분무장치 주변 원통 팸버부의 상부에서 강한 와류가 발생한다.

동일한 동작 조건하의 동일한 챔버에서 본 발명에 따른 장치 및 방법의 시뮬레이트 응용에 의한 분석에 따르면, 원주벽에서 탄젠트 회전 속도는 7내지 8㎧로 증가한다. 이처럼 시뮬레이션 분석은 챔버부의 회전 속도와 비교되는 영역에서 이 영역과 챔버의 메인 프로세싱존 사이에서 현저한 증가가 얻어짐을 검증한다.

본 발명에 의해서 얻어지는 이점은 다음의 본 발명의 실험적 테스트의 결과로부터 알 수 있다.

2.67m의 직경, 1.95m의 원통 높이 및 60°의 테이퍼 각도를 가진 스프레이 챔버에서 테스트가 행해졌다. 건식 에어는 천장 에어 산포기를 통해 챔버에 들어오며 원추형 바닥의 출구를 통해 생성물과 함께 챔버에 남아 있게 된다.

150㎜의 직경을 가진 분무휠로 장착된 로터리 분무기에 의해 분무가 행해진다.

10㎜의 홀 직경을 가진 본 발명에 따른 가압 가스의 주입 노즐은 천장과 벽 사이의 모서리 영역에 설치된다.

1. 파우더로 건조될 때 흡온성이며 열가소성 플라스틱의 생성물인 미트 엑기스 수성 용액의 건식 테스트는 정전기로 용이하게 차지된다.

동작 조건은 다음과 같다.

분무기휠 : 23000 Rpm

건식 에어율 : 2200 ㎏/h

건식 에어 입구 온도 : 180℃

건식 에어 출구 온도 : 90℃

건식 에어/분사 에어 가증비 : 1: 0.05

분사 공기압 : 3bar g

분사 공기 온도 : 50℃

동일 조건하에서 2번의 테스트가 행해졌다. 제 1테스트는 분사 에어와 챔버의 천장과 벽에서 발생된 침착없이 실행되었으며 제 2테스트는 침착과는 완전히 무관하게 챔버로된 본 발명에 따른 분사 에어로 수행된다.

2. 파우더 형태의 생성물인 가수분해된 식물성 단백질 용액의 건식 테스트는 흡온성이며 열가소성 플라스틱이다.

동작 조건은 다음과 같다.

분무기휠 : 20000 Rpm

건식 에어율 : 1940 ㎏/h

건식 에어 입구 온도 : 180℃

건식 에어 출구 온도 : 110℃

건식 에어/분사 에어 가증비 : 1: 0.07

분사 공기압 : 4bar g

분사 공기 온도 : 50℃

통상 소위 벽 스윕장치 또는 에어 소제구 장치를 필요로하는 이러한 생성물에 대해 놀랄만한 침착이 없는 챔버가 성취된다.

3. 꿀은 점착성 시럽이기 때문에 꿀파우더를 제조하기란 어렵다.

일본국 특허 출원 제 60-18625호에 기술된 바와같이 불활성 캐리어와 혼합될때도 스프레이 건식은 심각한 침착 문제와 연결된다.

유사한 꿀제품은 다음과 같이 세가지 테스트로 스프레이 건조된다.

a)제 1테스트에 있어서, 공급물은 건조실에서의 침착을 최소화하기 위한 어떤 특정 수단없이 스프레이 건조된다. 이것은 챔버내에 완전히 수용할 수 없는 침착량으로 된다.

b)제 2테스트는 건조실에 설치된 공지의 에어 소제구 장치로 행해졌다.

c)제 3테스트는 본 발명에 따른 분사 에어를 이용하여 행해졌다.

동작 조건은 다음과 같다.

분무기휠 : 20000 Rpm

건식 에어율 : 1780 ㎏/h

건식 에어 입구 온도 : 160℃

건식 에어 출구 온도 : 85℃

건식 에어/에어 소제구 에어 가증비 : 1: 0.32

에어 소제구 에어 온도 : 62℃

건식 에어/분사 에어 가증비 : 1:0.10

분사 공기압 : 4.8bar g

분사 공기 온도 : 60℃

테스트 b)와 c)에 있어서, 예기되는 챔버에서 어떤 침착층이 발생했다. 대략 동일한 침착량이 이러한 테스트를 행한 다음에 관찰되었다.

그러나 본 발명에 따른 노즐 수단을 가진 플랜트는 보다 다루기 용이한 구조와 보다 낮은 공기 유량율로 인해 공지의 에어 소제구 장치보다 우수하다.

제1도 내지 제6도의 실시예에서 대형 챔버 크기에 적합한 2차 가압 에어의 분사 주입을 위해 직경 반대 위치에서 2개의 노즐이 배열된다. 또한, 노즐은 챔버에 관해서는 고정일 필요가 없으나 소위 에어 소제구 스위핑 방법과 원리상 공지의 적정 속도로 원통 챔버의 원주벽을 따라 원형 결로로 이동하도록 현수되어 있을 수 있다.

Claims (14)

1. 수직축 방향으로 설치되는 주요부로서 원통형의 상부(2, 20)와, 그 아래에 설치되는 원추형 또는 원추대형 하부(3, 19)와, 상단부에 제공되는 프로세싱 가스입구(6, 18)와, 상단부 또는 하단부에 제공되는 프로세싱 가스 출구(7, 21)를 구비하며, 액체 공급물이 분무되고 프로세싱 가스가 과립상 또는 입자상의 생성물을 형성하도록 영향을 주는 챔버(1, 17)에서, 내부벽에 발생되는 생성물의 침착을 감소시키기 위해 보조 가스가 내부로 유입되도록 하여, 챔버의 내측 표면에 발생되는 생성물의 침착을 최소화하는 방법에 있어서,

   상기의 보조 가스는 주입 부위 또는 주입 부위들에서 가압된 가스인 최소 하나의 제트(Jet)형태로, 상기 프로세싱 가스 출구(7, 21)로부터 가장 멀고, 상기 원통형 부분의 원주벽(9, 26)에 가깝도록 원통형 부분(2, 20)의 단부에서 주입되며, 상기의 분사되는 제트 또는 제트들은 주입부위에서 포로세싱 가스의 유속보다도 빠른 유속을 갖도록 그러나 제트의 유량률(flow rate) 전체는 상기 프로세싱 가스의 유량률 보다 작도록 하며, 또한 그 주된 방향은 수평 방향이며 본질적으로 상기 원주벽(9, 26)에 대해 접선방향으로 분사되어, 최소한 상기 레벨과 프로세싱 가스 출구(7, 21)사이에서 상기 원통형 부분의 원주벽(9, 26)을 따라 연장하는 영역에서의 상기 프로세싱 가스의 유속을 증가시키도록 운동 에너지를 공급하는 것을 특징으로 하는 챔버 내면의 생성물 침착을 최소화하기 위한 방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 프로세싱 가스 입구(6)는 상기 원통형 챔버(2)의 천장(5)에 설치되며, 반면 상기의 출구(7)는 상기 원주벽 사이의 모서리 영역에 주입되는 것을 특징으로 하는 챔버 내면의 생성물 침착을 최소화하기 위한 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 주된 방향에서의 상기 제트의 주입은 비교적 짧은 제 2시간 간격에서 중단되는 비교적 긴 지속기간인 제 1시간 간격에 수행되며, 제트의 방향은 상기 천장(5)의 저면부를 덮는 영역에서 프로세싱 가스의 흐름과 상호작용하도록 소정 각도를 가지고 왕복 회전 운동하는 것을 특징으로 하는 챔버 내면의 생성물 침착을 최소화하기 위한 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 프로세싱 가스 출구(21)가 상기 원통형 챔버부(20)의 천장(22)에 또는 이에 근접하여 배치된 통합 유체 베드를 가진 특정 타입의 챔버에 적용되는 경우에는, 상기 제트는 상기 원통형 챔버부(20)와 원추형 챔버부(19) 상이의 경계영역에서 주입되는 것을 특징으로 하는 챔버 내면의 생성물 침착을 최소화하기 위한 방법.
5. 제1항, 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제트의 가스압력은 그 주입 부위에서 프로세싱 가스의 압력을 1 내지 10 바아 초과하며, 제트의 유량율은 상기 프로세싱 가스의 공급 유량율의 3 내지 20 퍼센트인 것을 특징으로 하는 챔버 내면에 생성물의 침착을 최소화하기 위한 방법.
6. 제1항, 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로세싱 가스는 건식 가스이며, 상기 제트는 상기 건식 가스의 온도 이하의 온도로 예열되는 것을 특징으로 하는 탬버 내면에 생성물의 침착을 최소화하기 위한 방법.
7. 액체 공급물을 수용하여 챔버(1, 17)의 분무 지역으로 분무하기 위해 상기 챔버(1, 17)에 배열된 분무장치(4, 24)에 상기 액체 공급물을 공급하기 위한 공급수단과, 프로세싱 가스의 흐름을 상기 분무 지역으로 지향시키기 위한 가스공급 및 살포수단(6, 25)을 구비하며, 상기 챔버는 수직축 방향으로 설치되는 주요부인 원통형의 상부(2, 20)와, 그 아래에 설치되는 원추형 또는 원추대형 하부(3, 19)와, 상기 원통부의 상단부에 제공되는 가스공급 및 살포수단의 프로세싱 가스 입구(6, 18)와, 상기 챔버의 상단부 또는 하단부에 제공되는 프로세싱 가스 출구(7, 21)와, 상기 챔버의 벽에 발생되는 생성물의 침착을 감소시키기 위한 보조가스의 유입수단을 구비하는 분무용 챔버에 있어서, 상기의 보조가스 유입수단은 상기 원통부(2, 20)의 단부에 상기 프로세싱 가스 출구로부터 멀리, 상기 원주벽(9, 26)에는 가깝게 설치되어 가압된 가스인 최소 하나의 제트를 분사하도록 하는 노즐 수단(8,23)을 구비하며, 또한 상기의 보조가스 유입수단은 상기 노즐 수단의 주위에서 각 제트의 유속이 고속을 유지하고, 그러나 제트의 유량률(flow rate) 전체는 상기 프로세싱 가스의 유량률 보다 작도록 하며, 또한 그 방향은 수평 방향이며 본질적으로 상기 원주벽(9,26)에 대해 접선방향으로 분사되어, 상기 제트가(제트들이) 상기 프로세싱 가스와 상호작용을 일으키도록 함으로써, 상기 원통부의 단부와 프로세싱 가스 출구(7, 21)사이에서 상기 원통형 부분의 원주벽(9, 26)을 따라 연장하는 영역에 대해서 상기 가스의 유속을 증가시키는 운동 에너지를 공급하도록 하는 수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 분무용 챔버
8. 제7항에 있어서, 상기 프로세싱 가스 입구(6)는 상기 원통형 챔버(2)의 천장(5)에 설치되며, 반면 상기의 출구(7)는 상기 원추형부 또는 원추대부(3) 하부에 설치되고, 상기의 노즐수단은 상기 천장(5)과 상기 원주벽 사이의 모서리 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 분무용 챔버
9. 제8항에 있어서, 상기 노즐 수단(8)은 상기 천장(5)에 걸려, 소정 각도 범위 내에서 왕복 회전 운동을 하고, 상기 왕복 운동을 일으키는 수단으로서 단속적으로 작동하는 구동수단과 결합된 것을 특징으로 하는 분무용 챔버.
10. 제9항에 있어서, 상기 노즐 수단은 상기 천장의 베어링 수단에 걸려 있는 제 1수직부(11)와, 상기 제1수직부(11)의 하단의 제 2수평부(12)와, 상기 제 2수평부의 자유단에 부착된 노즐 마우스피스(13)를 포함하는 튜브형 소자(10)를 포함하는 것을 특징으로 하는 분무용 챔버.
11. 제 10항에 있어서, 상기 챔버 외부로 연장하는 상기 제 1수직부(11)의 일부가 액튜에이팅 레버(14)의 하나의 단부와 연결되며, 액튜에이팅 레버의 다른 단부는 상기 왕복 회전 운동을 발생하는 유압 또는 공기압 액튜에이팅 장치(16)의 작업 부재와 피봇연결되는 것을 특징으로 하는 분무용 챔버.
12. 제7항에 있어서, 상기 공기공급 및 살포수단(18a)은 유동 베드를 발생하도록 상기 원추형 챔버부(19)에 설치되고, 상기 프로세싱 가스 출구(7, 21)는 상기 원통부(20)의 상부에 설치되며, 노즐수단(23)은 원추형 챔버부(19)의 인접하는 상기 원통형 챔버부(20)의 단부에서 상기 유동 베드위에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 분무용 챔버.
13. 제7항, 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로세싱 가스는 가열된 건식 가스이며, 상기 프로세싱 가스의 온도 이하의 온도로 상기 제트를 예열하도록 하는 가열수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 분무용 챔버.
14. 제7항, 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노즐수단은 상기 공통 수직축 둘레의 평면에서 소제 원운동을 실행하도록 걸려 있는 것을 특징으로 하는 분무용 챔버.