KR100215122B1 - 반도체 리드프레임 금형의 가공방법 - Google Patents
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Abstract
복수개의 제 1 서브 가이드홈과 중앙부에 소정 형상의 제 1 포켓부가 형성된 다이 플레이트와, 상기 다이 플레이트와 결합시 제 1 서브 가이드홈과 연통되는 제 2 서브 가이드홈이 형성되고 제 2 포켓부가 형성된 스트리퍼 홀더와, 상기 제 2 포켓부에 결합되며 제 3 포켓부가 헝성된 스트리퍼 플레이트를 구비하는 반도체 리드프레임 금형의 가공방법에 있어서, 상기 상호 대응되는 제 1 포켓부 및 제 3 포켓부와, 제 1,2 서브 가이드홈은 개별적으로 플러스 공차를 갖도록 가공여유 두고 가공하는 제 1 가공단계와, 상호 결합되는 상기 다이 플레이트와 스트리퍼 플레이트를 소정 수단에 의해 가결합하여 상호 대응되는 제 1 포켓부와 제3포켓부를 동시에 완성가공하는 제 2 가공단계와, 상기 다이 플레이트, 스트리퍼 플레이트 및 스트리퍼 홀더를 소정 수단에 의해 가결합하여 상호 공통되는 제 1,2 서브 가이드홈을 동시에 완성가공하는 제 3 가공단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임 금형의 가공방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 상호 대응되는 복수의 부품을 가결합하여 동시에 가공함으로써 소재 투입에서 금형 가공의 완성까지의 리드 타임을 단축시킬 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 리드프레임 금형의 가공방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금형의 상형과 하형이 상하 슬라이딩 접촉시에 치수 오차를 방지하기 위하여 상호 접촉되는 복수개의 관련 부품을 동시에 가공함으로써 금형의 조립 호환성을 확보하고 생산 제품의 정밀도를 향상시킬 수 있도록 그 가공 방법이 개선된 반도체 리드프레임 금형의 가공방법에 관한 것이다.
통상적으로 반도체 리드프레임의 제조 방법은 크게 스템핑(stamping)에 의한 방법과, 에칭(etching)에 의한 방법으로 분류된다. 상기 스템핑 방식은 순차이송형 프레스 금형장치에 의해 소재를 순차적으로 타발함으로써 소정 형상의 제품을 제조하는 것이며, 상기 에칭 방식은 식각에 의한 화학적 부식 방법을 이용하는 것으로서 미세한 패턴의 반도체 리드프레임 제조에 사용되고 있다.
도 1은 통상적인 반도체 리드프레임 금형을 나타낸 것이고, 도 2는 종래의 스트리퍼 플레이트, 스트리퍼 홀더 및 다이 플레이트의 분리된 단면을 나타낸 것이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 반도체 리드프레임의 금형은 복수개의 제 1 서브 가이드홈(11a)이 형성되며 중앙부에 소정 형상의 제 1 포켓부(11b)가 형성된 다이 플레이트(11)와, 상기 다이 플레이트(11)와 결합시 상기 제 1 서브 가이드홈(11a)와 연통되도록 복수개의 제 2 서브 가이드홈(12a)이 형성되며 제 2 포켓부(12b)가 형성된 스트리퍼 홀더(12)와, 상기 제 2 포켓부(12b)에 결합되며 제 3 포켓부(13a)가 형성된 스트리퍼 플레이트(13)와, 상기 다이 플레이트(11)에 대하여 승강가능하게 설치되고 상기 제 1,2 서브 가이드홈(11a)(12a)에 슬라이딩 가이드하는 가이드봉(14a)과 펀치부재(14b)가 고정 설치되는 펀치 홀더(14)를 구비한다.
이와 같이 구성된 반도체 리드프레임 금형은 리드프레임(15) 소재가 일측으로부터 일정한 피치 간격으로 공급되고, 소정 수단에 의해 펀치 홀더(14)가 하강하게 된다. 펀치 홀더(14)의 하강에 의해 연쇄적으로 스트리퍼 홀더(12)가 하강하게 되면, 상기 스트리퍼 플레이트(13)는 상기 다이 플레이트(11)의 상면에 밀착된 상태를 유지하게 되며, 상기 펀치부재(14b)는 펀치홈(16)을 통하여 삽입되면서 리드프레임(15)을 펀칭하게 된다.
이와 같은 동작시에 다이 플레이트(11)와 스트리퍼 홀더(12)의 셋팅 위치를 가이드 및 승강 가능하게 하는 가이드봉(14a)이 결합되는 제 1,2 서브 가이드홈(11a)(12a)이 일치되어야만 반도체 리드프레임의 치수 오차가 방지되며 고품질의 리드프레임을 제조할 수 있다.
또한, 다이 플레이트(11), 스트리퍼 홀더(12) 및 스트리퍼 플레이트(13)에 각각 형성되어 끼움결합되는 제 1,2,3 포켓부(11b)(12b)(13a)의 조합시 발생하는 누적 오차를 최소화하는 것이 요구된다.
그런데, 종래의 반도체 리드프레임 금형 가공시에 끼움결합되는 포켓부와, 서브 가이드홈이 개별적으로 형성되었기 때문에 조합시 미세한 누적오차를 발생시키는 요인이 됨으로써 리드프레임의 정밀도를 떨어뜨리는 원인이 된다. 또한, 상호 대응되는 복수개의 부품을 개별적으로 가공함으로써 소재 투입에서 조립 완성까지의 리드 타임(lead time)이 길어지고, 각각의 부품 조립시에도 누적 오차로 인한 호환성이 좋지않은 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 상호 대응되는 다이 플레이트, 스트리퍼 홀더 및 스트리퍼 플레이트의 상호 결합되는 부품을 동시에 가공하여 조립 호환성을 확보함으로써 가공 시간이 단축되고, 개별 부품의 누적 오차가 방지되어 각각의 부품의 조립 호환성을 확보할 수 있으며, 정밀한 리드프레임을 생산할 수 있도록 한 반도체 리드프레임 금형의 가공방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 통상적인 반도체 리드프레임 금형을 도시한 분리사시도,
도 2는 종래의 반도체 리드프레임 금형을 개략적으로 도시한 단면도,
도 3a는 본 발명에 따른 스트리퍼 플레이트를 개략적으로 도시한 단면도,
도 3b는 본 발명에 따른 다이 플레이트를 개략적으로 도시한 단면도,
도 3c는 본 발명에 따른 스트리퍼 홀더를 개략적으로 도시한 단면도,
도 3d는 본 발명에 따른 스트리퍼 플레이트와 다이 플레이트가 가결합된 상태를 개략적으로 도시한 단면도,
도 3e는 본 발명에 따른 스트리퍼 플레이트, 스트리퍼 홀더 및 다이 플레이트가 결합된 상태를 개략적으로 도시한 단면도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명
11,31. 다이 플레이트 11a,31a. 제 1 서브 가이드홈
11b,31b. 제 1 포켓부 12,32. 스트리퍼 홀더
12a,32a. 제 2 서브 가이드홈 12b. 제 2 포켓부
13,33. 스트리퍼 플레이트 13a,33a. 제 3 포켓부
14. 펀치 홀더 14a. 가이드봉
14b. 펀치 15. 리드프레임 소재
16. 펀치 홈 34. 셋트 블록
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체 리드프레임 금형의 가공방법은, 복수개의 제 1 서브 가이드홈과 중앙부에 소정 형상의 제 1 포켓부가 형성된 다이 플레이트와, 상기 다이 플레이트와 결합시 제 1 서브 가이드홈과 연통되는 제 2 서브 가이드홈이 형성되고 제 2 포켓부가 형성된 스트리퍼 홀더와, 상기 제 2 포켓부에 결합되며 제 3 포켓부가 헝성된 스트리퍼 플레이트를 구비하는 반도체 리드프레임 금형의 가공방법에 있어서, 상기 상호 대응되는 제 1 포켓부 및 제 3 포켓부와, 제 1,2 서브 가이드홈은 개별적으로 플러스 공차를 갖도록 가공여유 두고 가공하는 제 1 가공단계와, 상호 결합되는 상기 다이 플레이트와 스트리퍼 플레이트를 소정 수단에 의해 가결합하여 상호 대응되는 제 1 포켓부와 제 3 포켓부를 동시에 완성가공하는 제 2 가공단계와, 상기 다이 플레이트, 스트리퍼 플레이트 및 스트리퍼 홀더를 소정 수단에 의해 가결합하여 상호 공통되는 제 1,2 서브 가이드홈을 동시에 완성가공하는 제 3 가공단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따르면, 상기 제 3 가공단계에서는 제 1,3 포켓부에 이탈을 방지하도록 셋트 블록을 삽입하여 가결합시키는 것을 특징으로 한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하면서 본 고안에 따른 반도체 리드프레임 금형의 가공방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
이하 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 금형의 가공방법은 도 1에 도시된 통상의 구성 요소를 공히 가지므로 이를 적용하여 바람직한 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3a는 본 발명에 따른 스트리퍼 플레이트(33)의 단면을 나타낸 것이고, 도 3b는 다이 플레이트(31)의 단면을 나타낸 것이고, 도 3c는 스트리퍼 홀더(32)의 단면을 나타낸 것이다.
도 3a, 3b 및 3c를 참조하면, 다이 플레이트(31)의 제 1 포켓부(31b)는 개략적으로 가공하고, 이와 대응하는 스트리퍼 플레이트(33)에 형성된 제 1 포켓부(31b)는 가공여유 두고 방전 가공한다. 그리고, 다이 플레이트(31)의 제 1 서브 가이드홈(31a)은 개략적으로 가공하고, 상호 대응하는 스트리퍼 홀더(32)에 형성된 제 2 서브 가이드홈(32a)을 플러스 공차를 갖도록 가공여유 두고 가공하는 단계로 이루어진다.(제 1 가공단계)
제 2 가공단계는 도 3d를 참조하면, 복수의 가이드봉(도 1 참조,14a)에 의해 상호 결합되는 다이 플레이트(31)와 스트리퍼 플레이트(33)를 가결합하여 상호 대응되는 제 1 포켓부(31b)와 제 3 포켓부(33a)를 동시에 완성 가공한다. 또한, 다이 플레이트(31)에 형성된 제 1 서브 가이드홈(31a)를 플러스 공차를 갖도록 가공 여유 두고 가공하는 단계로 이루어진다.
제 3 가공단계는 도 3e를 참조하면, 가이드봉(14a)에 의해 상호 결합되는 다이 플레이트(31), 스트리퍼 플레이트(33) 및 스트리퍼 홀더(32)를 상호 고정시키기 위하여 제 1,3 포켓부(31b)(33a)에는 이탈을 방지하는 목적으로 셋트 블록(set block,34)을 삽입하고 상기 각 부품을 소정 수단에 의해 가결합하여 상호 공통되는 제 1 서브 가이드홈(31a)과 제 2 서브 가이드홈(32a)을 동시에 완성 가공하는 단계로 이루어진다.
이와 같이 가공된 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 금형은 도 1을 참조하면 다음과 같이 작동한다.
소정 수단에 의해 반도체 리드프레임 소재(15)가 다이 플레이트(31)의 일측으로 공급되면, 가이드봉(14a)의 슬라이딩 하강에 의해 상형 금형이 하강하게 된다. 이때, 스트리퍼 홀더(32)가 다이 플레이트(31)의 상면에 안착된 리드프레임 소재(15)를 압착하여 고정시킨다.
이와 동시에 펀치 홀더(14)에 결합된 펀치(14b)가 펀치 홈(16)을 통과하여 다이 플레이트(31)의 상면에 안착된 리드프레임 소재(15)를 펀칭하여 반도체 리드프레임의 가공이 완성된다. 여기에서, 스트리퍼 홀더(32)와 다이 플레이트(31)의 상호 대응되는 제 1,2 서브 가이드홈(31a)(32a)이 결합 상태에서 동시에 가공됨으로써 가이드봉(14a)의 상하 슬라이딩시에 정밀한 슬라이딩이 가능하다.
또한, 상기 스트리퍼 플레이트(33)와 다이 플레이트(31)에 각각 끼움결합되고 상호 대응되는 제 1,3 포켓부(31b)(33a)도 결합 상태에서 동시에 가공함으로써 펀칭시에 펀치(14b)가 통과되는 펀치홈(16)이 일치하게 되어 정밀한 반도체 리드프레임을 제작할 수 있게 된다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명의 반도체 리드프레임 금형의 가공방법은 다음과 같은 이점을 갖는다.
첫째, 상호 대응되는 복수의 부품을 가결합하여 동시에 가공함으로써 소재 투입에서 금형 가공의 완성까지의 리드 타임을 단축시킬 수 있다.
둘째, 상형과 하형의 개별 부품간에 호환성이 확보되어 부품 교환이 용이하고, 개별 부품간의 누적 오차가 줄어들게 되어 반도체 리드프레임의 정밀성이 확보된다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
Claims (2)
- 복수개의 제 1 서브 가이드홈과 중앙부에 소정 형상의 제 1 포켓부가 형성된 다이 플레이트와, 상기 다이 플레이트와 결합시 제 1 서브 가이드홈과 연통되는 제 2 서브 가이드홈이 형성되고 제 2 포켓부가 형성된 스트리퍼 홀더와, 상기 제 2 포켓부에 결합되며 제 3 포켓부가 헝성된 스트리퍼 플레이트를 구비하는 반도체 리드프레임 금형의 가공방법에 있어서,상기 상호 대응되는 제 1 포켓부 및 제 3 포켓부와, 제 1,2 서브 가이드홈은 개별적으로 플러스 공차를 갖도록 가공여유 두고 가공하는 제 1 가공단계와,상호 결합되는 상기 다이 플레이트와 스트리퍼 플레이트를 소정 수단에 의해 가결합하여 상호 대응되는 제 1 포켓부와 제 3 포켓부를 동시에 완성가공하는 제 2 가공단계와,상기 다이 플레이트, 스트리퍼 플레이트 및 스트리퍼 홀더를 소정 수단에 의해 가결합하여 상호 공통되는 제 1,2 서브 가이드홈을 동시에 완성가공하는 제 3 가공단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임 금형의 가공방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 3 가공단계에서는 제 1,3 포켓부에 이탈을 방지하도록 셋트 블록을 삽입하여 가결합시키는 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임 금형의 가공방법.
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| KR1019970020401A KR100215122B1 (ko) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 반도체 리드프레임 금형의 가공방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970020401A KR100215122B1 (ko) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 반도체 리드프레임 금형의 가공방법 |
Publications (2)
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| KR19980084564A KR19980084564A (ko) | 1998-12-05 |
| KR100215122B1 true KR100215122B1 (ko) | 1999-08-16 |
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| KR1019970020401A KR100215122B1 (ko) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 반도체 리드프레임 금형의 가공방법 |
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| KR (1) | KR100215122B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100530753B1 (ko) * | 1998-04-10 | 2006-01-27 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임금형 |
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1997
- 1997-05-23 KR KR1019970020401A patent/KR100215122B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR19980084564A (ko) | 1998-12-05 |
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