JPS6130231A - 半導体装置用リ−ドフレ−ムのプレス加工方法 - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムのプレス加工方法Info
- Publication number
- JPS6130231A JPS6130231A JP15192784A JP15192784A JPS6130231A JP S6130231 A JPS6130231 A JP S6130231A JP 15192784 A JP15192784 A JP 15192784A JP 15192784 A JP15192784 A JP 15192784A JP S6130231 A JPS6130231 A JP S6130231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- punch
- lead frame
- metal strip
- press
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D—WORKING OR PROCESSING OF SHEET METAL OR METAL TUBES, RODS OR PROFILES WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D28/00—Shaping by press-cutting; Perforating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Punching Or Piercing (AREA)
- Forging (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用リードフレームのプレス加工方法
に関し、一層詳細には、高密度パターンのリードフレー
ムであっても、ポンチを座屈させることなく好適に、か
つ精度よくプレス加工しうる半導体装置用リードフレー
ムのプレス加工方法に関するものである。
に関し、一層詳細には、高密度パターンのリードフレー
ムであっても、ポンチを座屈させることなく好適に、か
つ精度よくプレス加工しうる半導体装置用リードフレー
ムのプレス加工方法に関するものである。
近年半導体素子の高集積度化に伴い、半導体装置に組み
込まれるリードフレームも多ビン化が余儀なくされてい
る。そしてリードフレームはその中央に半導体素子が搭
載されるものが一般的であって、その周囲にリード部が
放射状に配置されるから、リードフレームの中央部にお
いてリード幅およびリード間隔が極めて小さくなる。
込まれるリードフレームも多ビン化が余儀なくされてい
る。そしてリードフレームはその中央に半導体素子が搭
載されるものが一般的であって、その周囲にリード部が
放射状に配置されるから、リードフレームの中央部にお
いてリード幅およびリード間隔が極めて小さくなる。
このようなリードフレームの加工には順送型を用いて連
続的に打ち抜くプレス加工方法が一般的に採用されてい
るのであるが、上記のようにリード幅およびリード間隔
が小さいリードフレームにあっては、用いるポンチはそ
の刃先が必然的に極めて細かいものが使用されることと
なる。このような細かい刃先のポンチであっても、リー
ドフレームの材厚が薄い場合には支障なくプレス加工が
行える。しかしながらリードフレームの薄肉化にも強度
面等から当然に限度があり、極端な薄肉化はできない。
続的に打ち抜くプレス加工方法が一般的に採用されてい
るのであるが、上記のようにリード幅およびリード間隔
が小さいリードフレームにあっては、用いるポンチはそ
の刃先が必然的に極めて細かいものが使用されることと
なる。このような細かい刃先のポンチであっても、リー
ドフレームの材厚が薄い場合には支障なくプレス加工が
行える。しかしながらリードフレームの薄肉化にも強度
面等から当然に限度があり、極端な薄肉化はできない。
一般にポンチによるプレス抜き加工においては、ポンチ
幅（短辺）は被加工物の材厚以上必要であるとされてい
る。すなわち、ポンチ幅が被加工物の材厚以下であると
、加圧によってポンチに座屈が生じ、使用に堪え得ない
からである。
幅（短辺）は被加工物の材厚以上必要であるとされてい
る。すなわち、ポンチ幅が被加工物の材厚以下であると
、加圧によってポンチに座屈が生じ、使用に堪え得ない
からである。
ところが上記のように半導体素子の高集積度化によって
、極めて多ピンのリードフレームが要求され、上記のプ
レス加工の限界を超えたポンチ、すなわち被加工物の材
厚以下の細かい刃先を用いたポンチを使用せざる得なく
なっているのが現状である。
、極めて多ピンのリードフレームが要求され、上記のプ
レス加工の限界を超えたポンチ、すなわち被加工物の材
厚以下の細かい刃先を用いたポンチを使用せざる得なく
なっているのが現状である。
このためポンチの損傷が甚だしく、頻繁に交換せねばな
らず不経済であるばかりでなく、座屈したポンチが高価
な高精度の金型を破損させてしまうおそれがある。また
さらに一層高密度のリードフレームはプレス加工では全
く加工が不可能という事態も生している。
らず不経済であるばかりでなく、座屈したポンチが高価
な高精度の金型を破損させてしまうおそれがある。また
さらに一層高密度のリードフレームはプレス加工では全
く加工が不可能という事態も生している。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、高密度でより複雑な形状のリード
フレームであっても、ポンチを座屈させることなく好適
に、かつ精度よくプレス加工することのできる半導体装
置用リードフレームのプレス加工方法を提供するにあり
、その特徴は、金属帯条をポンチで打ち抜く半導体装置
用リードフレームのプレス加工方法において、金属帯条
の必要な同一個所を複数回に亘ってポンチで打ち込んで
打ち抜くところにある。
目的とするところは、高密度でより複雑な形状のリード
フレームであっても、ポンチを座屈させることなく好適
に、かつ精度よくプレス加工することのできる半導体装
置用リードフレームのプレス加工方法を提供するにあり
、その特徴は、金属帯条をポンチで打ち抜く半導体装置
用リードフレームのプレス加工方法において、金属帯条
の必要な同一個所を複数回に亘ってポンチで打ち込んで
打ち抜くところにある。
以下本発明方法を図面を参照して詳細に説明する。
本発明方法においては、リードフレーム素材たる金属帯
条をプレス金型に順送して所要パターンにプレス抜きす
る場合、−回のプレスによって全部抜き落とすのでなく
、同一個所を複数回に分けて抜き落とすのである。すな
わち第１図に示すように、例えばポンチ１０の幅が金属
帯条１２め厚み分の約１／２の場合には、まずポンチＡ
によって金属帯条１２の厚み分のほぼ１／３の厚さにわ
たって打ち込む（同図（ａ））。そして金属帯条１２が
順送されて次の位置にきた際に同一個所をポンチＢによ
ってさらに金属帯条１２の１／３の厚み分打ち込む（同
図（ｂ））。そしてまた金属帯条１２が順送されて最後
の位置にきた際に同一個所をポンチＣによって残り分を
打ち抜り（同図（Ｃ））のである。しかしてこの方法に
よるときは、各ポンチに無理が掛からない厚み分だけ金
属帯条１２を順次複数回に分けて打ち込むから、各ポン
チを座屈させることな（、好適にプレス加工が行える。
条をプレス金型に順送して所要パターンにプレス抜きす
る場合、−回のプレスによって全部抜き落とすのでなく
、同一個所を複数回に分けて抜き落とすのである。すな
わち第１図に示すように、例えばポンチ１０の幅が金属
帯条１２め厚み分の約１／２の場合には、まずポンチＡ
によって金属帯条１２の厚み分のほぼ１／３の厚さにわ
たって打ち込む（同図（ａ））。そして金属帯条１２が
順送されて次の位置にきた際に同一個所をポンチＢによ
ってさらに金属帯条１２の１／３の厚み分打ち込む（同
図（ｂ））。そしてまた金属帯条１２が順送されて最後
の位置にきた際に同一個所をポンチＣによって残り分を
打ち抜り（同図（Ｃ））のである。しかしてこの方法に
よるときは、各ポンチに無理が掛からない厚み分だけ金
属帯条１２を順次複数回に分けて打ち込むから、各ポン
チを座屈させることな（、好適にプレス加工が行える。
プレス回数ｎは、ポンチの幅をａ、金属帯条１２の厚み
をｂとするとｎ≧ｂ／ａ（ｎは整数）とする。
をｂとするとｎ≧ｂ／ａ（ｎは整数）とする。
第２図はさらに別の実施例を示す。
本実施例においては最初のプレスにおけるポンチをＡ′
１次回のポンチをＢ′、最終回のポンチをＣ′とすると
、各ポンチ幅をＡ’＞Ｂ’＞Ｃ’に設定して順次打ち込
むものである。
１次回のポンチをＢ′、最終回のポンチをＣ′とすると
、各ポンチ幅をＡ’＞Ｂ’＞Ｃ’に設定して順次打ち込
むものである。
しかしてポンチＢ′で打ち込む際には、ポンチＡ′の打
ち込みによって形成された凹溝の方がポンチＢ′の幅よ
りも大きいから、金属帯条１２の送りに多少の位置ずれ
があっても、ポンチＢ′が凹溝端縁をかしることなく打
ち込まれ、好適にかつ精度よくプレス加工が行える。ポ
ンチＣ′の打ち込み時も同様である。
ち込みによって形成された凹溝の方がポンチＢ′の幅よ
りも大きいから、金属帯条１２の送りに多少の位置ずれ
があっても、ポンチＢ′が凹溝端縁をかしることなく打
ち込まれ、好適にかつ精度よくプレス加工が行える。ポ
ンチＣ′の打ち込み時も同様である。
なお上記のように金属帯条の同一個所をポンチで複数回
に亘って打ち抜くのは、必ずしもリードフレームパター
ンの全範囲に亘るのでなく、リードが特に密となってい
る中央部のパターンのみを複数回に亘って打ち抜くので
もよい。
に亘って打ち抜くのは、必ずしもリードフレームパター
ンの全範囲に亘るのでなく、リードが特に密となってい
る中央部のパターンのみを複数回に亘って打ち抜くので
もよい。
以上のように本発明方法によれば、高密度パターンのリ
ードフレームであっても、ポンチを座屈させることなく
好適に、かつ精度よくプレス加工することができ、半導
体素子の高集積度化に伴うリードフレーム多ピン化及び
高密度化の要請に加工面から応えることができるという
著効を奏する。
ードフレームであっても、ポンチを座屈させることなく
好適に、かつ精度よくプレス加工することができ、半導
体素子の高集積度化に伴うリードフレーム多ピン化及び
高密度化の要請に加工面から応えることができるという
著効を奏する。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内に多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内に多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
第１図は各段階におけるポンチ打ち込み量を示す説明図
、第２図は他の実施例における各段階のボッチ打ち込み
量を示す説明図である。 １０・・・ポンチ、 １２・・・金属帯条。 第１図 （ａ ） （１１）第
２図
、第２図は他の実施例における各段階のボッチ打ち込み
量を示す説明図である。 １０・・・ポンチ、 １２・・・金属帯条。 第１図 （ａ ） （１１）第
２図
Claims (1)
- １、金属帯条をポンチで打ち抜く半導体装置用リードフ
レームのプレス加工方法において、金属帯条の必要な同
一個所を複数回に亘ってポンチで打ち込んで打ち抜くこ
とを特徴とする半導体装置用リードフレームのプレス加
工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15192784A JPS6130231A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムのプレス加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15192784A JPS6130231A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムのプレス加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130231A true JPS6130231A (ja) | 1986-02-12 |
| JPH0470096B2 JPH0470096B2 (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=15529239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15192784A Granted JPS6130231A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムのプレス加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130231A (ja) |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15192784A patent/JPS6130231A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0470096B2 (ja) | 1992-11-10 |
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