KR100205196B1 - 페리클을 박리하는 방법 및 장치 - Google Patents

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다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시
미쓰비시 덴키가부시키가이샤
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Abstract

글라스 포토마스크부터 페리클을 박리한 방법은 온수(50℃-100℃)속에 포코마스크에 접착된 페리클의 접착부를 침지하여 접착부에서의 접착제의 접착력을 저하시키는 단계를 포함한다. 이 방법에 의해 치구 등과 과도의 힘을 가하지 않고 페리클을 용이하게 박리할 수 있어, 포토마스크의 손상을 방지할 수 있고, 유기용제보다는 오히려 온수를 사용함으로써 인체에 나쁜 영향을 끼치는 것을 피할 수 있으며, 포토마스크에 불필요한 접착제가 접착되는 것을 방지할 수 있다.

Description

페리클을 박리하는 방법 및 장치
제1도는 본 발명의 제1실시예의 페리클 박리방법을 나타낸 단면도,
제2도는 온도에 의존하는 페리클 박리시간의 실험결과에 근거한 수온과 침지 시간과의 관계를 나타낸 단면도,
제3도는 본 발명의 제4실시예의 페리클 박리방법을 나타낸 단면도,
제4도는 본 발명의 제5실시예의 페리클 박리장치를 나타낸 단면도,
제5도는 본 발명의 제6실시예의 페리클 박리장치를 나타낸 단면도,
세6도는 본 발명의 제7실시예의 페리클 박리장치를 나타낸 단면도,
제7도는 제6도의 장치의 사용상태를 나타낸 단면도,
제8도는 종래의 반도체장치의 사진제판공정을 나타낸 개략적인 설명도,
제9도는 제8도 페리클이 글라스 포토마스크에 접착된 상태를 나타낸 개략적인 설명도,
제10도는 종래의 페리클 박리방법의 일례를 나타낸 단면도,
제11도는 종래의 페리클 박리방법의 다른 예를 나타낸 단면도,
* 도면의 주요부분의 대한 부호의 설명
1 : 포토마스크 5 : 페리클
6 : 페리클 프레임 22 : 온수
32 : 가열기 41 : 용기
42 : 수증기 발생부 43 : 파지부
44 : 지지부
본 발명은 예컨대, 반도체장치의 제조 공정에 사용된 글라스 포토마스크(glass photomask) 등으로부터 페리클을 박리하는 페리클 박리방법 및 페리클 박리장치에 관한 것이다.
제8도는 반도체장치를 사진제판하는 종래의 공정을 나타낸 개략적인 설명도이다. 이 도면에 있어서, 웨이퍼(3)는 차광막(미도시)에 의해 패턴이 설치된 글라스 포토마스크(1)의 아래에 광학 시스템(2)을 통해 배치된다. 만약 이물질(4)의 상위 웨이퍼(3) 위에 결상된다.
이와 같이, 제9도에 나타낸 바와 같이, 페리클(5)이 제공되어 이물질(4)로부터 패턴을 보호한다. 페리클(5)은 예컨대, 알루미늄 페리클프레임(6)과 니트로셀룰로스(nitrocellulose)로 제조된 투명 페리클막(7)을 갖고, 페리클 프레임(6)은 접착제 (미도시)에 의해 글라스 포토마스크(1)에 접착된다. 글라스 포토마스크(1)의 패턴 형성면은 페리클막(7)으로부터 소정의 거리에 위치하여, 페리클막(7)에 접착된 어떤 이물질(4)의 상은 웨이퍼(3) 위에 형성되지 않기 때문에 결상된다.
그러나, 페리클막(7)의 식각한 오염으로 페리클막(7)을 통한 광투과율이 저하되어 정상적인 사진제판이 이루어질 수 없기 때문에, 페리클(5)을 교환해야 한다. 게다가, 페리클(5)에 접착된 이물질이 큰 경우 또는 페리클막(7)이 파손된 경우에, 페리클(5)을 또 교환해야 한다.
제10도는 종래의 케리클 박리방법의 일례를 나타낸 단면도이며, 이예에서는 글라스 포토마스크(1)의 양면에 페리클(5)이 접착된 경우을 나타낸 것이다. 도면에 나타낸 바와 같이, 굴곡된 선단부를 갖는 치구(8)는 글라스 포토마스크(1)로부터 더 이상 사용할 수 없는 페리클(5)을 박리하는데 사용된다. 상기 치구(8)는 지레의 원리를 이용해서 페리클(5)을 물리적으로 박리한다.
제11도는 종래의 페리클 박리방법의 다른 예를 나타낸 단면도이며, 이 예에서는, 용기(9) 내부가 유기용제(10)로 채워져 있고, 페리클(5)과 글라스 포토마스크(1)가 유기용제 내에 침지된 경우를 나타낸 것이다. 이 글라스 포토마스크(1)는 리테이터(retainer)(11)에 의해 고정된다.
이 방법에서는, 유기용제(10)가 페리클(5)과 글라스 포토마스크(1)사이의 접착제속으로 침투한 후에, 첩착제의 접착력이 저하되어 페리클을 포토아스크(1)로부터 박리할 수 있다.
그러한 종래의 페리클 박리방법 중에서, 치구(8)를 사용하는 방법은 치구(8)가 접촉하는 글라스 포토마스크(1)의 부분에 약간의 손상을 주어, 차광막의 금속분이 패턴에 접착되는 문제점을 갖는다. 또한, 유기용제(10)의 사용방법은 작업자가 유기용제(10)의 수증기를 미량으로 흡입할 가능성 때문에 작업자의 정기적인 건강진단이 필요하고, 접착제를 용해하는 유기용체(10)에 의해 글라스 포토마스크(1)가 젖어서 축축하기 때문에 포토마스크(1)에 불필요한 접착제가 부착되는 문제점을 갖는다.
상기 문제점은 본 발명의 방법 및 장치에 의해 해결되었다. 본 발명의 목적은 포토마스크에 손상을 주지 않고, 인체에 악영향을 끼치지 않으며, 또한 포토마스크에 불핑요한 접착제가 부착되지 않고 페리클을 쉽게 박리하는 페리클 박리방법 및 페리클 박리장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명에 관한 페리클 박리방벙은 포토마스크에 접착된 페리클의 접착부를 온수(50℃-100℃)에 침지하여, 접착부에서 접착제의 접착력을 저하시키는 단계와 포토마스크로부터 페리클을 단계를 구비한다.
페리클 박리방법은 포토마스크에 접착된 페리클의 접착부를 고온의 수증기의 노출시켜서, 접착부에서 접착제의 접착력을 저하시키는 단계와, 포토마스크로부터 페리클을 박리하는 단계를 구비한다.
또한, 본 발명에 관한 페리클 박리장치는 포토마스크를 지지하고, 포토마스크에 접착된 페리클의 페리클 프레임의 양쪽 측면을 파지하는 파지부를 갖는 지지부와 고온의 수증기를 발생하여 발생된 수증기를 포토마스크에 접착된 피리클의 접착부와 접촉시키는 수증기 발생부를 구비한다.
[제1실시예]
다음에, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하면서 설명한다.
제1도는 본 발명의 제1실시예에 근거한 페리클 박리방법을 나타낸 단면도이다.
제8-11도에 나타낸 것과 동일 또는 상응하는 부분에는 동일한 참조 부호가 부착되어 있어, 그 설명은 생략한다.
이 도면에서, 용기(21) 내부는 50℃∼100℃의 온도에서 증류수를 가열하여 얻은 온수(22) 내에는 페리클(5)이 접착된 글라스 포토마스크(1)가 침지되어 있다. 제1실시예에서, 페리클(5) 및 글라스 포토마스크(1)를 소정의 시간동안 온수(22) 내에 침지한 후에, 이들을 꺼내어, 페리클(5)을 박리한다.
이 방법에 의하면, 접착제의 주위에 온수가 참투하여, 접착제의 접착럭이 저하하기 때문에, 특별한 치구 등에 의해 어떤 과도의 힘을 가하지 않고도 손으로 페리클(5)을 용이하게 박리하므로, 글라스 포토마스크(1)는 손상되지 않는다. 또한, 온수(22)를 사용함으로써 사람에게 영향을 끼치지 않고, 또 접착제가 페리클(5)에 접착된 채로 남아 있으면서 접착제가 글라스 포토마스크(1)로부터 완전히 박리될 수 있기 때문에, 페리클(5)를 박리할 때 불필요한 접착제에 의한 오염으로부터 글라스 포토마스크가 보호된다.
글라스 포토마스크를 온수(22)속으로 집어넣고 빼내는 작업과 페리클(5)을 박리하는 작업은 손으로 수행될 수 있지만, 수온이 고온인 경우에는 글라스 포토마스크(1)에 손상을 주지 않는 방법으로 치구, 예컨대 파지구(gropprng tool)가 사용될 수도 있다.
제2도는 온도에 의존하는 페리클 박리시간의 실험결과를 나타내는 수온과 침지시간과의 관계를 나타낸 것이고, 이 도면에서, 침지시간은 페리클을 손으로 용이하게 박리할 수 있도록 포토마스크가 온수속에 침전되어 있어야 할 시간을 나타낸다. 이 도면은 수온이 높으면 높을수록 박리하는데 더 짧은 시간이 필요하다는 것을 나타낸다. 50℃이하의 온도에서는, 접착제의 접착력이 충분히 저하하지 않아서, 장시간의 침지후에도 박리하는 것은 어렵다. 따라서, 그 결과들에 의해 적당한 수온의 온도범위는 50℃-100℃라는 것을 알 수 있다. 또한, 작업효율에 관하여는, 침지시간을 약 1붐으로 유지하는 것이 바람직하기 때문에, 바람직한 수온은 대략 80℃, 특히 70℃-100℃이다.
1,207 g/inch의 접착력을 갖는 아크릴의 접착제가 상기 실험에서 사용되었지만, 제2도에 나타낸 특징들은 어느 정도까지는 접착력에 의존하여 변화할 것이다.
[제2실시에]
다음에, 본 발명의 제2실시예를 설명한다. 상기 제1실시예에서는, 페리클(5) 및 글라스 포토마스크(1)를 온수(22) 속에 침지한 후에, 그것들을 꺼내서 페리클(5)을 박리하지만, 제2실시예에서는, 페리클(5)을 온수(22)속에서 박리한다.
상술한 바와 같이, 페리클(5) 및 글라스 포토마스크(1)가 온수(22)속에 침전되면, 페리클 등에 접착되었던 오물이 온수속에서 용해된 후에 글라스 포토마스크(1)에 접착될 수도 있다. 이 글라스 포토마스크(1)에 접착된 오물을 건조한 후에 제거하는 것은 어렵다. 그러나, 제2실시예에 있어서, 온수(22)속에서 박리단계를 수행한 후에, 고온에서 포토마스크가 여전히 젖어 있는 상태로 다음의 세척작업으로 진행하면, 오염은 비교적 용이하게 제거될 수 있다.
[제3실시예]
본 발명의 제3실시예를 설명한다. 이 제3실시예에 있어서, 계면 활성제는 제1, 제2, 실시예의 온수(22)에 부가된다. 계면활성제로서는, 예컨대, 주성분으로 폴리비닐페닐에테르(polyvinypheny lether)를 포함한 계면활성제가 사용될 수 있다.
계면활성제를 사용함으로써 페리클(5)을 보다 쉽게 박리할 수 있고, 또 일정한 상태하에, 페리클(5)은 온수(22)속에서 어떠한 손동작없이도 자동으로 박리될 것이다. 그러나, 계면활성제가 사용되면, 계면활성제의 흡착잔여를 제거하기 위해 페리클(5)을 박리한 후에, 예컨대, 에탄올, 이소프로필 알코올 등으로 글라스 포토마스크를 세척해야 한다.
[제4실시예]
제3도는 본 발명의 제4실시예에 근거한 페리클 박리방법을 나타낸 단면도이다. 제4실시예의 페리클 박리벙법은 용기(21) 내의 온수(22)를 비등시키는 것과 페리클(5) 및 글라스 포토마스크(1)를 수증기에 노출시키는 것을 포함한다. 이 과정에 따라, 페리클(5)의 접착제의 찹착력이 저하하기 때문에, 페리클(5)은 사람에게 나쁜 영향을 주지 않고 또한 글라스 포토마스크(1)를 오염시키지 않고 용이하게 박리된다.
온수(22)속에 페리클(5)을 침지하는 경우에, 페리클(5) 및 다른 장소에 접착된 이물질은 온수(22)속에서 용해된 후에 글라스 포토마스크(1)를 오염시킬 수도 있다. 그러나, 이 수증기의 방법에 의하면 페리클(5)에 접착된 어떤 이물질도 용해되지 않는 청결한 상태로 페리클(5)을 박리할 수 있다.
수증기의 알맞은 온도는 상기 제1실시예의 수온과 같이 50℃ 또는 그 이상의 온도이고, 페리클(5) 및 포토마스크(1)에 부정적으로 영향을 미치는 온도보다 낮은 온도이다. 또한 충분한 수증기의 양을 발생하기 위해서는 비등수(boiling water)가 바람직하다.
[제5실시예]
제4도는 본 발명의 제5실시예의 페리클 박리장치를 나타낸 단면도이다. 제4도에 있어서, 용기(21) 내의 온수(22)는 가열기(미도시)로 가열함으로써 비등된다. 덮개(23)는 용기(21) 위에 설치되어 있다. 덮개(23)는 페리클(5)보다는 크지만 글라스 포토마스크(1)보다는 작은 개구부를 갖고, 페리클(5)은 개구부 내부에 삽입된다.
이 장치에서는,용기(21)의 상부 개구부가 수증기의 배출구를 제외하고는 덮개(23) 및 글라스 포토마스크(1)에 의해 단단히 밀페되어 수증기의 열을 유지하기 때문에, 페리클(5)의 접착제의 접착력이 효율적으로 저하될 수 있다.
[제6실시예]
제5도는 본 발명의 제6실시예의 페리클 박리장치를 나타낸 단면도이다. 제5도에서,용기(21) 내의 온수(22)는 가열기 등에 의해 비등된다. 글라스 포토마스크(1)와 페리클 프레임(6)의 측면과 접촉하는 고정조(fixed claw)(24, 25)는 용기(21)의 한편의 내벽에 부착되어 있다. 또한, 글라스 포토마스크(1)와 페리클 프레임(6)의 다른 측면과 접촉하는 가동조(movable clow)(26, 27)는 스프링(28, 29)을 통해 용기(21)의 반대 내벽에 부착되어 있다.
이 장치에서, 고정조(24, 25) 및 가동조(26, 27)가 글라스 포토마스크(1) 및 페리클 프레임(6)의 측면과 접촉하기 때문에, 글라스 포토마스크에 접착된 페리클(5)의 접착부는 글라스 포토마스크(1)에 손상을 주지 않고 수증기에 충분히 노출될 수 있다.
[제7실시예]
제6도는 본 발명의 제7실시예의 페리클 박리장치를 나타낸 단면도이고, 제7도는 제6도의 장치의 사용상태를 나타낸 단면도이다. 이들 도면에서, 예컨대, 가열기(32)는 스태인레스 철로 만들어진 용기 본체(31)내에 설치되고, 이 가열기(32) 위에는 비커(beaker)(33)가 배치된다. 가열기(32)로 비커(33) 내의 온수(34)를 가열함으로써 용기 본체(31)내에서 수증기가 발생된다.
용기 본체(31)의 개구부에는 덮개(35)가 설치되어 있다. 이 덮개(35)는 슬릿 형태의 배출구(36a) 및 다수의 원형 배출구(36b)를 갖는다.
이들 배출구(36a, 36b)는 용기 본체(31) 내의 수증기를 위쪽으로 방출하기 위해 설치되어 있고, 이들 형태 및 구성은 제6도에 나타낸 것에 제한되지 않는다.
한 쌍의 고정조(37)는 용기 본체(31)의 한편의 내벽 위에 일정한 간격으로 배치되어 있다. 제6도의 수평방향으로 자유롭게 움직일 수 있는 한 쌍의 가동조(38)가 상기 용기 본체(31)의 반대 내벽 위에 배치되어 있다. 상기 가동조(38)는 용기 본체(31)의 외주부에 접착된 리프 스프링(leaf spring)(39)을 통해 용기 본체(31)의 내측에 유지 되어 있다. 서로 대향하는 고동조(37) 및 가동조(38)는 리프 스프링(39)의 리프링의 힘으로 양쪽 측면에서 페리클 프레임(6)을 파지한다. 가동조(38)는 레버(40)를 가지고서 리프 스프링(39)에 대하여 좌측으로 가동조(38)를 이동시킨다.
용기(42)는 용기 본체(31)와 덮개(35)를 구비하고 수증기 발생부(42)는 용기(42), 가열기(32) 및 비커(33)을 구비한다. 파지부(43)는 고동조(37), 가동조(38), 리프 스프링(39) 및 레버(40)를 구비하고, 지지부(44)는 파지부(43) 및 용기 본체(31)를 구비한다.
상술한 페리클 박리장치에 있어서, 페리클이 접착되어 있는 글라스 포토마스크(1)는 레버(40)로 가동조(38)를 뒤로 끌어당길 때 용기 본체(31) 위에 배치된다. 다음에, 제7도에 나타낸 바와 같이 페리클 프레임(6)의 측면은 레베(40)를 복귀시킴으로써 가동조(38)와 고동조(37) 사이에서 파지된다.
그 동안에, 가열기(32)로 온수(34)를 가열함으로써 용기 본체(31) 내에 수증기가 발생된다. 이 수증기는 배출구(36a, 36b)로부터 분출하여, 글라스 포토마스크(1)와 접착된 페리클(5)의 접착부에 도달한다.
따라서, 접착제의 접착력이 저하되어 글라스 포토마스크(1)로부터 페리클을 떼어놓음으로써 페리클(5)을 용이하게 박리할 수 있다. 이 과정에 있어서는, 페리클(5)이 페리클 프레임(6)의 양쪽 측면에서 파지되기 때문에, 글라스 포토마스크(1)의 손상을 방지할 수 있다.
1,207g/inch의 접착력을 갖는 아크릴 접착제를 사용하는 페리클 박리실험에 있어서는, 상기 페리클을 수증기에 1분간 노출시킨 후에 용이하게 박리할 수 있다. 유사하게, 1,810g/inch의 접착력을 갖는 아크릴 접착제에 있어서는, 상기 페리클을 3분간 수증기에 노출시킨 후에 용이하게 박리할 수 있다.
이 포토마스크는 글라스 포토마스크에 제한된지 않고, 레티클(reticle) 및 마스터 마스크가 사용될 수도 있다. 또한, 본 발명은 페리클을 가진 액정 포토마스크에 적용할 수도 있다.

Claims (10)

  1. 포토마스크에 접착된 페리클의 접착부를 온수(50℃-100℃)속에 침지하여 상기 접착부에서 접착제의 접착력을 저하시키는 단계와, 상기 포토마스크로부터 상기 페리클을 박리하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 페리클 박리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 온수의 온도는 70℃-100℃의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 페리클 박리방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 페리클은 온수속에서 상기 포토마스크로부터 박리되는 것을 특징으로 하는 페리클 박리방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 온수는 계면활성계를 포함하는 것을 특징으로 하는 페리클 박리방법.
  5. 포토마스크에 접착된 페리클의 접착부를 고온의 수증기에 노출시키는 단계와, 상기 접착부에서 접착제의 접착력을 저하시키는 단계와, 상기 포토마스크로부터 상기 페리클을 박리하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 페리클 박리방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 스증기는 비등수에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 페리클 박리방법.
  7. 포토마스크를 지지하고, 상기 코토마스크에 접착된 페리클의 페리클 프레임의 양쪽 측면을 파지한 파지부를 갖는 지지부와, 고온의 수증기를 발생하여 상기 포토마스크에 접착된 페리클의 접착부와 상기 수증기를 접촉시키는 수증기 발생부를 구비한 것을 특징으로 하는 페리클 박리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 파지부는 상기 지지부에 고정된 고정조와, 상기 고정조와 대향하고 있는 상기 지지부에 접착되어 상반되게 이동하는 가동조와, 한쪽 방향으로 사기 가동조에 힘을 가하여 상기 고정조와 상기 가동조 사이에서 상기 페리클 프레임을 파지하는 리프 스프링을 포함한 것을 특징으로 하는 페리클 박리장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 수증기 발생부는 포토마스크에 접착된 페리클의 접착부와 대향하고 있는 수증기의 배출수를 갖는 용기와, 상기 용기 내에 있는 물을 비둥하기 위한 가열기를 포함한 것을 특징으로 하는 페리클 박리 장지.
  10. 제9항에 있어서, 상기 용기는 상기 가열기를 수용하는 용기 본체와, 상기 용기 본체의 상부에 설치되고, 상기 배출구를 갖는 덮개를 포함한 것을 특징으로 하는 페리클 박리장치.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5953107A (en) * 1997-03-07 1999-09-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask pellicle remove tool
US5976307A (en) * 1998-03-13 1999-11-02 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for removing a pellicle frame from a photomask plate
US6610168B1 (en) * 1999-08-12 2003-08-26 Sipec Corporation Resist film removal apparatus and resist film removal method
US6491083B2 (en) * 2001-02-06 2002-12-10 Anadigics, Inc. Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
US6911283B1 (en) 2001-02-07 2005-06-28 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for coupling a pellicle to a photomask using a non-distorting mechanism
US6841312B1 (en) 2001-04-11 2005-01-11 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for coupling a pellicle assembly to a photomask
US6765645B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd De-pellicle tool
US7285003B2 (en) 2005-12-30 2007-10-23 Ocean Design, Inc. Harsh environment connector including end cap and latching features and associated methods
US7182617B1 (en) 2005-12-30 2007-02-27 Ocean Design, Inc. Harsh environment sealing apparatus for a cable end and cable termination and associated methods
JP4637053B2 (ja) * 2006-05-15 2011-02-23 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクル剥離装置
DE102007063383B4 (de) * 2007-12-18 2020-07-02 HAP Handhabungs-, Automatisierungs- und Präzisionstechnik GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Entfernung von Pelliclen von Masken
JP2009154407A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tdk Corp 剥離装置、剥離方法および情報記録媒体製造方法
JP2011034020A (ja) * 2009-08-06 2011-02-17 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクル収納容器
KR102061359B1 (ko) 2011-10-31 2019-12-31 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. 본딩된 웨이퍼 구조물 절개를 위한 클램핑 장치 및 절개 방법
US9924897B1 (en) * 2014-06-12 2018-03-27 Masimo Corporation Heated reprocessing of physiological sensors
KR102293215B1 (ko) * 2017-03-27 2021-08-24 삼성전자주식회사 펠리클의 제조 방법 및 펠리클 조립 장치
US10670959B2 (en) * 2017-05-10 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle and method of using the same
US20220155675A1 (en) * 2019-02-28 2022-05-19 Asml Netherlands B.V. Apparatus for assembly of a reticle assembly
US20220214612A1 (en) * 2019-04-16 2022-07-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Agglutinant for Pellicle, Pellicle, Exposure Original Plate with Pellicle, Method for Producing Semiconductor Device, Method for Producing Liquid Crystal Display Board, Method for Regenerating Exposure Original Plate, and Peeling Residue Reduction Method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3873080A (en) * 1973-10-03 1975-03-25 James A Bostic Stamp soaker
JPS5087651A (ko) * 1973-12-06 1975-07-14
US4317986A (en) * 1978-10-10 1982-03-02 Sullivan Daniel A Convertible electrically heated tool for removing wooden or metal golf club heads
US4255216A (en) * 1980-01-14 1981-03-10 International Business Machines Corporation Pellicle ring removal method and tool
JPS60210687A (ja) * 1984-04-04 1985-10-23 Shigeo Matsui 接着剤で接着された被着体同士のはく離を促進する方法
DE3643446A1 (de) * 1986-12-19 1988-06-30 Henkel Kgaa Verfahren zum abloesen eines geklebten belags und vorrichtung zum durchfuehren des verfahrens
US4898058A (en) * 1987-12-24 1990-02-06 Intel Corporation Apparatus for removing pellicles
JPH06175356A (ja) * 1992-12-11 1994-06-24 Nikon Corp ペリクル剥離装置

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Publication number Publication date
US5772842A (en) 1998-06-30
JP3408000B2 (ja) 2003-05-19
JPH08152709A (ja) 1996-06-11
KR960019478A (ko) 1996-06-17

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