KR100192517B1 - 모스 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 채널영역이 감소되는 것을 방지할 수 있는 모스 트랜지스터 제조방법을 제공하기 위한 것으로 이와 같은 모스 트랜지스터의 제조방법은 기판위에 통상의 방법으로 필드산화막을 형성하고 액티브영역상에 에피층과 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막상에 게이트용 폴리실리콘막을 형성하고 게이트마스크를 형성한 다음 건식에치 공정을 실시하여 상기 절연막과 폴리실리콘막의 불필요한 부분을 제거하므로써 게이트절연막과 게이트전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 마스크를 마스크로 상기 에피층상에 이온주입을 실시하여 소오스/드레인을 형성하는 단계가 차례로 포함된다.

Description

모스 트랜지스터 제조방법
제1도는 종래의 공정단면도.
제2도는 본 발명의 공정단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 필드산화막
3 : 에피층 4 : 제1산화막
6 : 제2산화막 5 : 폴리실리콘막
PR1 : 감광제
본 발명은 모스 트랜지스터(MOS Transistor) 제조 방법에 관한 것으로, 특히 모스 채널폭을 확장하므로써 서브미크론(Sub-micron) VLSI의 내로우 채널(Narrow Channel)에 대한 문제점을 개선할 수 있도록 한 것이다.
종래의 제조공정을 첨부된 제1a도 내지 제1e도를 참조하여 상술하면 다음과 같다.
먼저 제1a도와 같이 기판(10)위에 LOCOS(Local Oxidation of Silicon) 필드산화막(11)을 형성하고 액티브(Active) 영역위에 게이트용 산화막(12)을 형성한다.
그리고 제1b도와 같이 게이트용 폴리실리콘막(13)과 게이트 캡(Cap)용 산화막(14)을 형성한 다음 제1c도와 같이 감광제(PR10)로서 게이트마스크를 형성하고 건식에치 공정을 거쳐 상기 폴리실리콘막(13)과 산화막(12) 및 게이트캡용 산화막(14)의 불필요한 부분을 제거하므로써 제1d도와 같이 게이트를 형성한다.
이어 상기 게이트 마스크인 감광제(PR10)을 마스크로서 소오스/드레인 이온주입(n+또는 n-)을 실시하여 소오스/드레인(S/D)을 형성한 다음 감광제(PR10)을 제거하므로써 공정일 완료된다. 그러나 상기 종래기술은 채널폭이 너무 좁게 형성되므로 전류의 구동도(Drivability)가 감소되는 단점이 있었다.
본 발명은 상기 단점을 제거키 위한 것으로 이를 첨부된 제2a도 내지 제2e도를 참조하여 상술하면 다음과 같다.
먼저 제2a도와 같이 기판(1)위에 통상의 방법으로 필드산화막(2)을 형성하고 제2b도와 같이 한정된 액티브영역위에 에피(Epi)층(3)을 형성한 다음 게이트산화막을 형성하기 위한 제1산화막(4)을 형성한다. 그리고 제2c도와 같이 게이트를 형성하기 위한 폴리실리콘막(5)과 게이트캡을 형성하기 위한 제2산화막(6)을 증착한 다음 감광제(PR1)를 이용하여 상기 폴리실리콘막(5)위에 게이트 마스크를 형성한다. 이어 제2d도와 같이 건식에치공정을 실시하여 상기 제1산화막(4)과 게이트용 폴리실리콘막(5)과 제2산화막(6)의 불필요한 부분을 제거하므로써 게이트를 형성하고 상기 게이트 마스크인 감광제(PR1)를 마스크로 소오스/드레인 이온주입(n+또는 n-)을 상기 에피층(3)위에 실시하여 소오스/드레인(S/D)을 형성한다. 그리고 제2e도와 같이 상기 감광제(PR1)를 제거하므로써 공정이 완료된다.
이와 같이 필드산화막을 형성한 후에 기판상에 에피층을 형성하므로 네로우 채널을 형성할 경우 채널폭방향에서 필드산화막이 게이트 하부로 점유되어 들어오는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 소자의 폭이 작아질수록 게이트 하부의 채널폭방향에서 필드산화막이 게이트 하부로 점유되어 들어오는 비중이 증가하여 소자의 채널폭이 실질적으로 감소하게 되지만 본 발명과 같이 필드산화막을 형성한 후 기판상에 에피층을 형성하면 필드산화막이 채널폭방향에서 게이트 하부로 점유되어 들어오는 것을 방지할 수 있으므로 실질적으로 종래보다 채널폭(Channel Width)이 확장되는 효과가 나타난다. 이에 따라서 소자의 폭이 감소할수록 문턱전압이 증가되는 것을 방지하여서 전류구동도를 증가시킬 수 있다. 둘째, 펀치스루(Punch-Throug)효과가 방지된다.

Claims (1)

  1. 기판위에 통상의 방법으로 필드절연막을 형성하고 액티브영역상에 에피층과 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막상에 게이트용 폴리실리콘막을 형성하고 게이트 마스크를 형성한 다음 건식에치 공정을 실시하여 상기 절연막과 폴리실리콘막의 불필요한 부분을 제거하므로써 게이트절연막과 게이트전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 마스크를 마스크로 상기 에피층상에 이온주입을 실시하여 소오스/드레인을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100705233B1 (ko) * 2001-12-18 2007-04-06 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 제조 방법

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