KR100191178B1 - 열가소성 포화 노르보넨기 중합체 조성물 - Google Patents

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Abstract

열가소성 포화 노르보넨기 중합체의 고유성질인 탁월한 내열성 및 투명도를 저하시키지 않고, 아크릴계 자외선 경화 피복 재료 또는 막으로 피복하여 형성된 보호막 또는 경화 피복막에 대한 점착성 및 광학 디스크의 기록막에 대한 점착성이 탁월한 열가소성 포화 노르보넨기 중합체 기재 수지 조성물이 제공된다. 또한, 상기 조성물을 이용한 광학 디스크 기체 및 광학 디스크가 제공된다.
그 안에 내포된 3개 이상의 수산기를 지닌 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물 및 열가소성 포화 노르보넨기 중합체를 함유하는 조성물. 상기 조성물로 형성된 광학 디스크 기체 및 상기 광학 디스크 기체 및 기록 정보막 및 / 또는 광반사막 및 그 위에 적층된 보호막을 포함하는 광학 디스크.

Description

열가소성 포화 노르보넨기 중합체 조성물
본 발명은 광학 디스크 기체(substrate)등을 위한 광학 재료로서 유용한 수지 물질에 관한 것이다. 좀더 상세하게는, 본 발명은 광학 디스크의 정보 기록막(이후, 기록막으로 약술함) 및 아크릴계 자외선 경화 피복물질 등으로된 피막을 함유하는 보호막 또는 경화 피막(이들 막을 이후 보호막으로 약술함. )에 대한 점착성이 탁월한, 노르보넨기 단량체로 주로 형성된 열가소성 포화 중합체(이 중합체를 이후, 노르보넨기 중합체로 약술함. ) 기재 소성물에 관한 것이다.
열가소성 포화 노르보넨기 중합체는 광학 디스크 기체등을 위한 광학 재료로서 탁월한 특성을 보유하는 공지의 수지 물질이다(일본국 틀허출원 고까이 공개 제60-26024호, 60-168708호, 16-115912호, 61-120816호, 63-218727호, 63-317520호, 1-132628호, 1-168724호, 1-168725호, 1-172422호, 3-14882호, 3-122137호 및 기타 문헌).
열가소성 포화 노르보넨기 중합체로 형성된 광학 부분은 투명도, 내열성, 저흡습성, 저복굴절성 등에서 탁월하다. 더우기, 열가소성 포화 노르보넨기 중합체는 고유동성 및 양호한 이형성을 포함하는 탁월한 가공성을 나타낸다. 그러나, 종래 기술의 열가소성 포화 노르보넨기 중합체로 형성된 광학 디스크 기체상에 기록막을 형성한뒤, 보호막을 형성하기 위해 아크릴계 자외선 경화 피복물질을 그 위에 피복하였을 때, 열가소성 포화 노르보넨기 중합체 표면에 대한 보호막(즉, 피막)의 점착성은 충분히 양호하지 못하다.
다가 알코올의 부분 에스테르화 생성물을 열가소성 포화 노르보넨기 중합체에 배함으로써 고온 및 고습도 대기중에서의 광학 디스크 기체에 대한 기록막의 점착성 및 광학 디스크 기체에로의 가공성을 증가시키는 것이 제안 되어 왔다(일본국 특허출원 고까이 공개 제63-275645호). 그러나, 상기 특허출원에 예시된 글리세롤 또는 펜타에리트리톨의 지방산 에스테르는 몇가지 난점을 가지고 있다. 그들은 열가소성 포화 노르보넨기 중합체와 충분한 양립성이 없으며, 따라서 방출되기 쉬우며 유리 전이 온도를 크게 저하 시키기 쉽다. 그것들은 기록막에 대한 점착성을 증가시키기 위해 다량으로 가해져야만 한다. 더우기, 그것들은 아크릴계 자외선 경화 보호 피막에 대한 점착성을 증가시키는데에 있어서 비효과적이라는 것이 발견되었다.
반면, 폴리카르보네이트를 합성수지원료로 사용하여 광학 디스크 기체 및 렌즈를 성형하는데에 있어서, 글리세롤의 알킬에테르를 배합함으로써 성형에 있어서, 이형성을 증가시키는 것이 제안되었다(일본국 특허출원 고까이 공개 제 1-315460호). 그러나, 이 방법은 보호막 등에 대한 점착성을 증가시키기 위한 것은 아니다.
본 발명의 목적은 아크릴계 자외선 경화 피복물질 또는 막을 피복함으로써 형성된 경화피막 또는 보호막에 대한 점착성 및 광학 디스크의 기록막에 대한 점착성이 탁월한 열가소성 포화 노르보넨기 중합체기재 수지 조성물을 열가소성 포화 노르보넨기 중합체의 고유성질인 탁월한 내열성 및 투명도의 저하없이 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 언급한 종래 기술의 문제점을 극복하기 위하여 광범위한 연구를 수행하여 왔다. 그 결과로, 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물을 열가소성 포화 노르보넨기 중합체에 배합함으로써, 종래 기술의 글리세롤 또는 펜타에리트리톨의 지방산 에스테르와 다가 알코올의 지방산 에스테르를 배합한 것과 비교할 때, 탁월한 양립적 결과들, 즉 생성된 조성물의 가공성이 저하되지 않으면서 방출이 억제되고, 유리 전이 온도의 저하가 적으며, 기록막에 대한 점착이 소량의 배합에 의하여 크게 증진되고, 아크릴계 자외선 경화 피복물질로 피복함으로써 형성된 보호막에 대한 점착성이 또한 더 향상됨을 발견하였다. 본 발명은 상기 발견을 기초로 완성되었다.
그리하여, 본 발명에 따라 열가소성 포화 노르보넨기 중합체 및 그안에 배합된 3개 이상의 수산기를 지닌 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물을 함유하는 열가소성 포화 노르보넨기 중합체 조성물에 제공된다.
더우기, 본 발명에 따라, 상기 조성물을 사용한 광학 디스크 기체 및 상기 광학 디스크 기체를 사용한 광학 디스크가 제공된다.
하기에 본 발명을 상세히 기술할 것이다.
본발명에 사용되는 기재 중합체는 예를들면, 상기 인용된 특허출원으로 공지된 열가소성 포화 노르보넨기 중합체이다. 열가소성 포화 노르보넨기 중합체는 (a) 노르보넨기 단량체의 개환 중합체의 (공중합체 포함) 수소화생성물 및 (b) 노르보넨기 단량체와 에틸렌 및/또는 α-올레핀과 같은 올레핀계 단량체와의 공중합체이다. 그것들은 실질적으로 불포화 결합을 지니지 않는다.
노르보넨기 단량체는 상기 인용된 특허출원 및 일본국 특허출원 고까이 공개 제2-227424호 및 2-276842호로부터 공지된 것일 수 있다. 상세한 예로서, 노르보넨, 메타노옥타히드로나프탈렌, 디메타노옥타히드로나프탈렌, 디메타노도데카히드로안트라센, 프리메타노도데카히드로안트라센 및 그의 치환 유도체; 디시클로펜타디엔, 2, 3 - 디히드로디시클로펜타디엔, 메타노옥타히드로벤조인덴, 디메타노옥타히드로벤조인덴, 메타노데카히드로벤조인덴, 디메타노데카히드로펜조인덴, 메타노옥타히드로플루오렌, 디메타노옥타히드로플루오렌 및 그의 치환 유도체 등이 언급될 수 있다. 상기 치환 유도체중의 치환체는 당업계에 공지된 것인한, 탄화수소기 또는 극성기일 수 있다; 그의 예로는 알킬기, 알킬리덴기, 아릴기, 시아노기, 할로겐원자, 알콕시카르보닐기 및 피리딜기가 포함된다. 노르보넨기 단량체는 각각 단독으로 또는 둘이상의 조합으로 사용될 수 있다. 노르보넨기 단량체의 개환 중합체를 수소화한 생성물의 100℃이상의 유리 전이 온도를 얻기 위하여, 주성분으로서 사용되는 상기 언급된 단량체와 상기 언급된 단량체중에서, 4 고리 또는 5고리의 단량체 또는 2 또는 3 고리의 단량체를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 시클로프로펜, 시클로부텐, 시클로펜텐, 시클로헵텐, 시클로옥텐, 5, 6 - 디히드로디시클로펜타디엔 등과 같은 기타 시클로올레핀을 공중합 성분으로서 통상 30 중량 % 이하의 범위를 사용하는 것이 가능하다.
노르보넨기 단량체의 개환 중합체는 공지의 개환 중합화 방법으로 수득할 수 있으며 그 예를들면 , 티타늄 테트라클로라이드와 같은 전이 금속 화합물, 유기알루미늄 화합물과 같은 유기금속 화합물 및 3차 아민을 함유하는 촉매계를 사용하고 티타늄 성분 및 단량체를 연속적으로 가함으로써 수득할 수 있다. 기타 촉매로 제조된 중합체도 또한 사용할 수 있음은 언급할 필요도 없다. 개환 중합화가 용매를 사용하지 않고 수행될 수 있더라도, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등과 같은 방향족 탄화수소, 헥산, 헵탄 등과 같은 지방족 탄화수소 및 시클로헥산 등과 같은 지방족고리 탄화수소와 같은 예의 비활성 유기 용매 내에서 항상 수행된다. 중합온도 및 중합압력은 통상 -20℃ 내지 100℃ 및 0 내지 50㎏/㎠의 범위에서 각각 선택될 수 있다.
윌킨슨(Wilkinson) 착화합물, 코발트 아세테이트/트리에틸알루미늄, 니켈 아세틸아세테이트/트리이소부틸알루미륨, 팔라듐 - 카아본, 루테륨 - 카아본, 니켈 - 규조토 등과 같은 예의 올레핀계 화합물의 수소화에 공지의 수소화 촉매를 사용함으로써, 노르보넨기 단량체의 개환 중합체의 수소화 생성물을 제조할 수 있다. 수소화는 일반적으로 균일계 또는 비균일계에서 사용되는 촉매의 종류에 따라, 0~250℃ 에서 1~200atm의 수소기압하에 수행된다. 수소화 비율은 열적저하에 대한 내성 및 광분해에 대한 내성의 관점에서, 바람직하게는 90 % 이상, 더 바람직하게는 95%이상, 좀더 바람직하게는 99%이상이다.
노르보넨기 단량체의 에틸렌 및/또는 α-올레핀과의 공중합체는 또한 공지의 공중합화 방법에 의해 수득될 수 있다.
본 발명에 사용되는 올레핀계 화합물의 예로는 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐, 1-데켄, 3-메틸-1-부텐, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 비닐시클로헥산, 4-비닐시클로헥센 등과 같은 α-올레핀 및 에틸렌이 언급될 수 있다. 이들 올레핀계 단량체는 단독으로 또는 둘이상의 조합으로 사용될 수 있다. 본 발명의 목적을 저하시키지 않는 범위내에서, 공중합체의 제조단계시, 시클로올레핀, 디올레핀 등과 같은 부가적인 기타 단량체 성분을 공중합화하는 것 또한 허용된다. 생성된 공중합체가 포화중합체일 때, 그것은 그 자체로 사용될 수 있으며, 반면 그것이 불포화 결합을 보유할 때, 그것을 수소화하는 것이 바람직하다.
이들 열가소성 포화 노르보넨기 중합체의 분자량은 분자량 판정을 위한 척도로서, 80℃에서 데칼린 또는 클로로벤젠에서 결정된 고유점도의 조건으로 표시하면 일반적으로 0.3~3.0㎗/g, 바람직하게는 0.4~1.0㎗/g이다.
본발명에 사용되는 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물에서의 다가 알코올은 최저 3개의 수산기, 바람직하게는 3~8개의 수산기를 보유한다.
3개 이상의 수산기를 지닌 다가 알코올의 상세한 예로는, 글리세롤, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디글리세롤, 트리글리세롤, 디펜타에리드리톨, 1, 6, 7-트리히드록시-2, 2-디(히드록시메틸)-4-옥소헵탄, 솔비톨, 2-메틸, 1, 6, 7-트리히드록시-2-히드록시메틸-4-옥소헵탄, 1, 5, 6-트리히드록시-3-옥소헥산 등이 언급될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 언급한 다가 알코올의 알코올계 수산기 부분을 에테르화 함으로써 수득된 부분적으로 에테르화된 생성물을 사용한다. 본 발명의 조성물로부터 제조된 성형에서의 방출 증진을 억제하기 위하여, 부분 에테르화 생성물은 일반적으로 200~800, 바람직하게는 250~650의 분자량 및 최소한, 바람직하게는 2~16, 좀더 바람직하게는 2~10개의 자유, 즉 에테르화되지 않은 알코올계 수산기를 한분자내에 가지며, 10~50%, 좀더 바람직하게는 12~35%의 다가 알코올의 알코올계 수산기가 에테르화 된다. 에테르화에 사용되는 치환기는 특별히 제한되지 않으나, 일반적으로 탄소원자 4~100개; 바람직하게는, 탄소원자 4~30개, 특히 바람직하게는, 탄소원자 8~22개인 것이다. 그들의 바람직한 예로는 탄소수 4~30의 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알킬렌기 및 탄소수 6~30의 아릴 또는 아릴렌기가 포함된다. 탄소원자수가 너무 작을때, 부분 에테르화 생성물은 기화되기 쉬우며, 생성된 성형물은 방출을 증진하기 쉽다. 탄소수가 너무 클때, 부분 에테르화 생성물은 열가소성 포화 노르보넨기 중합체와 양립하기 힘들다.
알데히드 및/또는 케톤과 페놀과의 축합 생성물, 상기 축합 생성물의 수소화 생성물, 디올레핀 등과 같은 불포화 탄화수소와 페놀과의 프리델-크라프츠 반응에 의해 수득된 축합 생성물, 상기 축합 생성물의 수소화 생성물 및 그의 둘이상이 혼합물을 사용함으로써 에테르화를 수행할 수 있다. 상기 언급된 이들 화합물중, 노볼락-형 축합 생성물 잔기는 일반적으로 탄소수 13~100, 바람직하게는 탄소수 13~75, 좀더 바람직하게는 탄소수 13~30이며 그들의 수소화 생성물은 에테르화에서 치환체로서 사용된다. 그들중 특히 바람직한 것은, 4이하의 축합도를 갖는 것들이다.
축합도가 너무크면 양립성이 저하된다. 바람직한 축합도는 축합 생성물의 평균 분자수를 조건으로 1.5~4.0이다. 이 경우에서 에테르화된 생성물의 분자량은 일반적으로 280~2,000, 바람직하게는, 350~1,500이다.
페롤의 상세한 예로는 페놀, 부틸페놀, 옥틸페놀, 노닐페놀, 크레졸등이 포함된다. 알데히드의 예로는 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로피온알데히드, 부티르알데히드등이 포함된다. 케톤의 예로는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥산온, 아세토페논 등이 포함된다. 디올레핀의 예로는 부타디엔, 이소프렌, 1, 3-펜타디엔, 디시클로펜타디엔등이 포함된다.
알킬기의 예로는, 부틸, 이소부틸, t-부틸, 펜틸, 2-메틸부틸, 2, 2-디메틸프로필, 헥실, 시클로헥실, 벤질, 옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 데실, 세틸, 라우릴, 미리스틸, 팔미틸, 스테아릴, 아라키딜, 베헤닐, 오레일 등이 포함된다.
알킬렌기의 예로는 부틸렌, 옥틸에틸렌, 1, 4-시클로헥실렌, 옥타메틸렌, 데카메틸렌 등이 포함된다.
아릴기의 예로는 페닐, 2-메틸페닐, 4-메틸페닐, 4-옥틸페닐, 4-노닐페닐, 4-큐밀헥실, 나프틸, 4-페닐페닐 등이 포함된다.
아릴렌기의 예로는 1, 4-페닐렌, 4, 4'-비페닐렌, 1, 4-페닐렌-이소프로필리덴-1, 4-페닐렌, 1, 4-페닐렌옥시-1, 4-페닐렌, 1, 4-(2'-t-부틸-5'-메틸)페닐렌-부틸리덴-1, 4-(2'-메틸-5'-t-부틸)페닐렌 등이 포함된다.
알데히드 및/또는 케톤과 페놀의 축합 생성물의 예로서는 포름알데히드와 p-노닐페놀의 축합 생성물, 포름알데히드와 p-옥틸페놀과의 축합 생성물, 아세톤과 p-옥틸페놀과의 축합 생성물등이 언급될 수 있다. 디올레핀과 페놀과의 축합 생성물의 예로서는, 디시클로펜타디엔과 p-옥틸페놀의 축합 생성물이 언급될 수 있다. 이러한 축합 생성물 기재의 에테르화 생성물은 실질적 축합 뿐아니라 크레졸-노볼락형 에폭시 수지를 가수분해시킴으로써 수득될 수 있다.
글리세롤 또는 폴리글리세롤이 다가 알코올로 사용되는 본 발명에서, 사용되는 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물의 종류는 여러가지이다.
이들의 일부를 하기식으로 표시할 수 있다.
R[(O-CH2CH(OH)-CH2)n-OH]m
(식중, R은 C4~C30직쇄 또는 측쇄 알킬기, 알킬렌기, 아릴기, 아릴렌기, 노볼락형 축합 생성물의 잔기 또는 노볼락형 축합 생성물의 잔기의 수소화 생성물을 나타내며, n 및 m은 각각 자연수를 나타낸다).
단일 성분의 글리세롤 또는 폴리글리세롤의 부분 에테르화 생성물인 경우에, 상기식에서 n은 통상 1~4, 바람직하게는 1~3이고, m은 통상 1~6, 바람직하게는 1~4이다. 통상, 글리세롤 또는 폴리글리세롤의 부분 에테르화 생성물은 혼합물 및 정제되지 않은 것으로서 사용된다. 이러한 경우에 있어서, 전체적으로 볼 때 사용된 부분 에테르화 생성물의 평균으로서 n은 통상 1.0~4.0, 바람직하게는 1.0~3.0이며, m은 통상 1.0~6.0, 바람직하게는 1.5~4.0이다. n 또는 m이 너무클 때, 열가소성 포화 노르보넨기 중합체와의 양립성은 저하된다.
예를들면, 1가 내지 4가 알코올 또는 1가 내지 4가 페놀을 글리시돌과 반응시키거나 에폭시 화합물을 글리세롤 또는 폴리글리세롤과 반응시킴으로써 글리세롤 또는 폴리글리세롤의 이러한 부분 에테르화 생성물을 합성할 수 있다. 상세한 예로는 3-옥틸옥시-1, 2-프로판디올, 3-데실옥시-1, 2-프로판디올, 3-라우릴옥시-1, 2-프로판디올, 3-미리스틸옥시-1, 2-프로판디올, 3-팔미틸옥시-1, 2-프로판디올, 3-스테아릴옥시-1, 2-프로판디올, 3-아라키딜옥시-1, 2-프로판디올, 3-베헤닐옥시-1, 2-프로판디올, 3-올레일옥시-1, 2-프로판디올, 3-(2-에틸헥실옥시)-1, 2-프로판디올, 3-(2-헥실데실옥실)-1, 2-프로판디올, 3-페녹시-1, 2-프로판디올, 3-(4-메틸페닐옥시)-1, 2-프로판디올, 3-(4-i-프로필페닐옥시)-1, 2-프로판디올, 3-(4-옥틸페닐옥시)-1, 2-프로판디올, 3-(4-노닐페닐옥시)-1, 2-프로판디올, 3-[4-[1-메틸 -1-(4-히드록시페닐)에틸]페닐옥시]-1, 2-프로판디올, 1, 6-디(2, 3-디히드록시프로필옥시)헥산, 1, 4-디(2, 3-디히드록시프로필옥시)시클로헥산, 1, 4-디(2, 3-디히록시프로필옥시)벤젠, 2, 2-비스[4-(2, 3-디히드록시프로필옥시)페닐]프로판, 1-(4-노닐페닐)-2, 6, 7-트리히드록시-4-옥소헵탄, 폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)페닐에테르, 폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)옥틸페닐에테르, 폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)노닐페닐에테르, 폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)라우릴에테르, 폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)세틸에테르, 폴리(옥시-2-히드록시메틸렌)스테아릴에테르, p-노닐페놀 및 포름 알데히드와 글리시돌과의 생성물의 축합반응으로 생성된 에테르, p-옥틸페놀 및 포름알테히드와 글리시돌과의 생성물의 축합반응으로 생성된 에테르, p-노닐페놀 및 디시클로펜타디엔과 글리시돌과의 생성물의 축합반응으로 생성된 에테르 p-노닐페놀 및 디시클로펜타디엔과 글리시돌과의 생성물의 축합반응으로 생성된 에테르 등등이 언급될 수 있다.
3개 이상의 수산기를 지닌 다른 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물의 예로서 1, 6-디히드록시-2, 2-디(히드록시메틸)-7-(4-노닐페닐옥시)-4-옥소헵탄, 1,6-디히드록시-2-메틸-2-히드록시메틸-7-(4-노닐페닐옥시)-4-옥소헵탄, 2-히드록시메틸-2-(4-노닐페닐옥시)메틸-1, 3-프로판디올, 2-메틸-2-(4-노닐페닐옥시)메틸-1, 3-프로판디올, 2, 2, 6-트리(히드록시메틸)6-(4-노닐페닐옥시)메틸-1, 7-디히드록시-4-옥소헵탄 등이 언급될 수 있다.
이들 부분 에테르화 생성물은 각각 단독으로 또는 둘이상의 조합으로 사용될 수 있다. 배합되는 이들의 양은 일반적으로 열경화성 포화 노르보넨기 중합체 100 중량부에 대해 0.01~10 중량부, 바람직하게는 0.1~5중량부이다. 양이 너무 적으면 , 아크릴계 자외선 경화 피복물질의 도포에 의해 형성된 피막(즉, 보호막)에 대한 점착성을 증가시키는 효과가 작은 반면, 그의 양이 너무 많으면, 열변성 온도의 저하 및 역학 강도의 저하가 표시되는 결과를 가져온다.
이들 부분 에테르화 생성물은 그것을 열가소성 포화 노르보넨기 중합체와 혼합한뒤 그 혼합물을 이축 압출기 등으로 용융-반죽하거나 그것을 열가소성 포화 노르보넨기 중합체의 용액에 가하여 용해시킨뒤 용매를 증발시킴으로써 일반적으로 본 조성물에 배합된다.
본 발명의 수지 조성물은 산화방지제, 광안정화제, 자외선 흡수제, 염료, 방염제, 수소화 석유수지, 대전방지제, 열안정화제 등과 아크릴계 자외선 경화피복물질 등을 함유하는 보호막에 대한 점착성을 증가시키는 의도된 효과에 손상이 가지 않는 범위내에서 배합될 수 있다.
본 발명의 조성물이 공지 성형 방법에 의해 형성된 각종 물품으로 가공될 수 있으나, 광학 디스크 기체 등과 같은 투명한 기체를 사출성형에 의해 성형하는데에 특히 적당하다.
광학 디스크 기체 성형에 사용되는 방법은 특별히 한정되지는 않는다. 플라스틱을 성형하는 공지 방법의 예로는 사출성형, 압출, 압축성형 등이 사용될 수 있다.
광학 디스크는 이렇게 제조된 기체상에 정보 기록막 및/또는 광 반사막 및 보호막 등을 적층시킴으로써 제조될 수 있다.
정보 기록막 성형용으로 사용되는 기록 재료의 예로서 Tb-Fe 기재합금, Dy-Fe 기잡합금, Cd-Tb-Fe 기재합금, Cd-Td-Dy-Fe 기재합금, Cd-Co-기재합금 및 Tb-Fe-Co 기재합금과 같은 희토류 전이금속 무정형 합금; Ge-Te 기재합금, Sb-Te 기재합금, In-Sb 기재합금, Ge-Sb-Te 기재합금 및 In-Sb-Te 기재합금과 같은 상 변화형 기록재료; 메틴-폴리메틴-퀴논, 프탈로시아닌 및 디티올형과 같은 유기 안료형 기록재료; 및 Te-CS2, Pb-Te-Se, Te-C, TeO2, Sb-Se 및 Bi-Te 기재와 같은 1회 기록용 기록재료 등이 언급될 수 있다. 증착, 스패터링(spattering), 이온 플레이팅 등과 같은 수단에 의하여 이들 기록재료를 기체상의 막에 형성시킨다. 필름 두께는 통상 500~5,000Å이다.
더우기, 금, 백금, 알루미늄 등의 금속은 CD, CD-ROM, 레이져 디스크 등의 광반사 막으로서 사용될 수 있다. 또한 니켈, 등과 같은 금속의 진공증착에 의해 형성된 막은 광 반사 막으로서 유용하다.
디스크와 표면 보호층 또는 기록층, 보호층, 반사층, 유전체층 등으로 광학 디스크가 제공될 수 있다. 이러한 보호 및 기타 층을 위한 층-형성 물질의 예로는 Cds, ZnSe, SiO2, Si, Si3N, Si3N4, AlN, TiO2, TaO2, MgF 등과 같은 무기물질 또는 자외선 경화 피복 물질등과 같은 수지가 포함된다. 본 조성물을 사용하여 형성되는 기체는 특히, 종래 기술의 디스크와 비교할 때, 자외선 경화 코팅 물질등의 물질을 포함하는 보호 수지막에 대한 점착에서 탁월하다.
광학 디스크는 단일 기체로 된 것과 함께 합쳐된 두개의 기체를 함유하는 것이 포함된다.
본 발명의 조성물은 종래 성형 방법으로 형성된 각종 물품으로 가공될 수 있다. 특히, 본 조성물은, 광학 렌즈, 광학경, 광학 카드 기판, 투명한 커버, 창물질, 액정 디스플레이용기판, 투명박판, 투명 필름등을 포함하는 기타 광학 부품 및 광학 디스크를 사출 성형시켜 형성하는 데 적당하며 아크릴계 자외선 경화 피복 물질(즉, 보호 피복 물질), 경화 피복 물질 등으로부터 형성된 피복에 양호한 점착성을 보여주는 성형된 물품을 제공할 수 있다. 특히 이들 용도중에서, 광학 디스크용으로, 아크릴계 자외선 경화피복 물질등을 도포함으로써 형성된 피복은 정보 기록막용 보호 피복으로서 필수불가결하며 따라서 본 조성물은 상기 용도에 특히 유용하다.
본 발명은 실시예, 참고 실시예 및 비교실시예를 참고로하여 하기에서 좀더 상세히 기술될 것이나, 본 발명이 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 이들 실시예, 참고 실시예 및 비교 실시예에서, 부 및 %는 특별한 언급이 없는한 중량부 및 중량%이다.
[참고 실시예 1]
글리시돌 2몰 및 트리에틸아민 10-2몰을 1몰의 노닐페놀에 가하고, 생성된 혼합물을 80℃에서 1시간동안 반응시킨다. 톨루엔 50부를 반응혼합물 100부에 가하고, 그 혼합물을 동공 크기가 0.5㎛인 필터를 통해 진공하에서 여과하다. 그 여액 1ℓ을 10Torr 및 150℃에서 2시간동안 교반기로 교반하여 톨루엔 및 트리에틸아민을 제거시킴으로써 반응 생성물을 수득한다.
가스 크로마토그래피로 반응 생성물을 분석하여 노닐페놀 및 글리시돌 함량이 각각 검출 한계 이하임을 발견하였고 전체적으로 반응생성물은 폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)노닐페닐 에테르, HO[CH2CH(OH)CH2O]nC6H4C9H19(식중, n은 자연수이고 모든 분자에 대해 n의 평균은 2이다)이며, 노닐페놀이 글리시돌과 1분자 : 2분자의 비율로 반응함을 확인하였다.
[실시예 1]
6-에틸-1,4:5,8-디메타노-, 4, 4a, 5, 6, 7, 8, 8a -옥타히드로 나프탈렌의 개환 중합체의 수소화 생성물(80℃, 데칼린에서 결정된 고유점도 : 0.5㎗/g, 수소화 비율:99.5%이상)100부에 부분 에테르화 생성물로서, 참고 실시예 1에서 수득한 폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)노닐페닐 에테르 0.5부 및 열안정화제로서, 테트라키스[메틸렌-3-(3, 5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄 0.03부를 가하고, 그 혼합물을 이축 압출기(상표명; TEM-35; 제조원; TOSHIBA MACHINE CO., LTD)를 사용하여 230℃에서 반죽하여 펠릿을 형성한다. 시차 주사 열량계(DSC)를 사용하여 펠릿을 분석과 결과 그 조성물의 유리 전이 온도(Tg)가 137℃임을 발견하였다.
수지온도 350℃ 및 성형온도 110℃에서 사출성형기(상표명; DISC-5MIII, 제조원; SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD.)로 펠릿을 사출성형하여 직경 130㎜ 및 두께 1.2㎜의 광학 디스크 기체를 형성한다.
상기에서 형성된 광학 디스크 기체의 외관을 나안 및 현미경을 사용하여 검색한다. 방출(bleeding)을 포함하여, 이상이 없음을 관측하였다.
트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 75부, 헥사메틸렌글리콜디아크릴데이트 20부, 6-작용성 우레탄 아크릴레이트 5부(상표명;U-6HA, 제조원;SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD.) 및 벤질 디메틸 케탈 5부를 함유하는 자외선 경화 보호 피복 물질을 광학 디스크 기체상에, 스핀(spin)코팅을 이용하여 피복한뒤, 10㎝거리에서 5초동안, 80W/㎝의 고압 수은등을 조사(irradiation)하여 경화시킨다.
경화된 보호막의 표에 셀로판 접착 테이프(상표명; Cellotape CT 15M, 제조원; NICHIBAN CO., LT.)를 붙인뒤, 벗겨낸다. 보호막이 벗겨지지 않으면 점착성이 양호하다.
따로, 형성된 광학 디스크 기체상에 광반사막으로서 니켈을 진공증착시킨뒤, 니켈 증착막 부분 및 비증착 부분을 덮기 위하여 상기 언급한 것과 동일한 방식으로, 증착된 니켈 표면쪽에 아크릴계 수지 보호막을 형성시킨다. 그렇게 처리된 광학 디스크를 70℃ 온도, 90% 상대습도(RH)의 대기중에 2000시간동안 방치시킨뒤 그 외관을 검사한다. 보호막 표면 및 증착된 니켈 표면 모두에서 이상이 관측되지 않았으며 따라서 광반사막과 디스크 기체사이의 점착에서도 이상이 관측되지 않았다. 광학 디스크를 90℃오픈에서 100시간 동안 방치한뒤, 디스크 표면을 외관상 및 손의 감촉으로 검사한다. 방출을 포함하여, 이상이 없음을 관측하였다.
[비교 실시예 1]
폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)노닐페닐 에테르를 사용하지 않는다는 점을 제외하고 실시예 1에서와 동일한 방식으로, 열 안정화제로서 테트라키스[메틸렌-3-(3, 5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄올 6-에틸-1, 4 : 5, 8-디메타노-1, 4, 4a, 5, 6, 7, 8, 8a-옥타히드로나프탈렌의 개환 중합체의 수소화 생성물 100부에 가하여 펠릿을 형성한다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 결정된 유리 전이 온도는 138℃이다.
펠릿을 사출 성형하여 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크 기체를 형성한다. 그렇게 성형된 광학 디스크 기체의 외관을 나안 및 현미경으로 검색한다. 방출을 포함하여, 이상이 관측되지 않았다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크 기체상에 보호 피막을 형성시키고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 점착의 질을 검사한다.
결과적으로, 접착 테이프와 접촉하는 피막의 약90% 범위비가 벗겨져 나갔다.
따로, 광학 디스크 기체를 이용하여 보호막을 지닌 광학 디스크를 제조하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 내습성 시험및 내열성 시험을 한다. 광학 디스크의 외관을 검사하면, 방출이 관측되지는 않더라도 내습성 시험시 광반사막 표면상에 미소한 수포가 형성됨을 알 수 있다.
[참고 실시예 2]
노닐페놀 1몰당 글리시돌의 양을 1몰로 변화시킴을 제외하고, 참고 실시예 1에서와 동일한 방식으로 반응 생성물을 수득한다. 가스 크로마토그래피로 반응생성물을 분석하여 노닐페놀 및 글리시돌 함량이 각각 검출한계 이하임을 발견하였고 반응 생성물이 30(4-노닐페놀옥시)-1, 2-프로판디올임을 확인하였다.
[실시예 2]
부분 에테르화 생성물로서, 참고 실시예 2에서 수득한 3-(3-노닐페닐옥시)-1, 2-프로판디올 1부를 사용함을 제외하고 실시예 1에서와 동일한 방식으로 펠릿을 제조하였다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 결정된 유리전이온도는 135℃이다.
그런뒤, 실시예 1에서와 통일한 방식으로 광학 디스크 기체를 성형시키고, 그 위에 보호피막을 형성시킨다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학디스크 기체의 외관을 검색하여 방출을 포함하여, 이상이 없음을 발견하였다. 더우기, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 보호막의 점착의 질을 검사한다. 결과적으로, 보호막이 벗겨지지 않고, 따라서 점착성이 양호함을 발견하였다.
[참고 실시예 3]
글리시돌 1몰 및 트리에틸아민 10-2몰을 베헤닐 알코올에 가하고 생성된 액체를 반응시키는 것을 제외하고 참고 실시예 1에서와 동일한 방식으로 반응 생성물을 수득한다. 가스 크로마토 그래피로 반응 생성물을 분석하여 베헤닐 알코올 및 글리시돌 함량이 각각 검출한계 이하임을 발견하였고 전체적으로 반응 생성물은 3-(베헤닐옥시)-1, 2-프로판디올이며, 베헤닐 알코올이 글리시돌과 1분자 : 1분자의 비율로 반응함을 확인하였다.
[실시예 3]
부분 에테르화 생성물로서, 참고 실시예 3에서 수득한 3-(4-베헤닐옥시)-1, 2-프로판디올 1부를 사용함을 제외하고 실시예 1에서와 동일한 방식으로 펠릿을 제조하였다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 결정된 유리전이온도는 134℃이다.
그런뒤, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크 기체를 성형시키고, 그위에 보호피막을 형성시킨다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학디스크 기체의 외관을 검색하여 방출을 포함하여, 이상이 없음을 발견하였다. 더우기, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 보호막의 점착의 질을 검사한다. 보호막이 벗겨지지 않고, 따라서 점착성이 양호함을 발견하였다.
[참고 실시예 4]
글리시돌 2몰및 트리에틸아민 10-2몰을 1몰의 비스페놀 A에 가하고 생성된 액체를 반응시키는 것을 제외하고 참고 실시예 1에서와 동일한 방식으로 반응 생섕물을 수득한다. 가스 크로마토 그래피로 반응 생성물을 분석하여 비스페놀 A 및 글리시돌 함량이 각각 검출한계 이하임을 발견하였고 전체적으로 반응 생성물은 2, 2-비스[4-(2, 3-디히드록시프로필옥시)페닐]프로판이며, 비스페놀 A가 글리시돌과 1분자 : 2분자의 비율로 반응함을 확인하였다.
[실시예 4]
부분 에테르화 생성물로서, 참고 실시예 4에서 수득한 2, 2-비스[4-(2, 3-디히드록시프로필옥시)페닐]프로판 0.5부를 사용함을 제외하고 실시예 1에서와 동일한 방식으로 펠릿을 제조하였다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 결정된 유리전이온도는138℃이다.
그런뒤, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크기체를 성형시키고, 그 위에 보호피막을 형성시킨다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크 기체의 외관을 검색하여 방출을 포함하여, 이상이 없음을 발견하였다. 더우기, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 보호막의 점착의 질을 검사한다. 보호막이 벗겨지지 않고, 따라서 점착성이 양호함을 발견하였다.
[참고 실시예 5]
글리시돌 2몰및 트리에틸아민 10-2몰을 1몰의 스테아릴 알코올에 가하고 생성된 액체를 반응시키는 것을 제외하고 참고 실시예 1에서 와 동일한 방식으로 반응 생성물을 수득한다. 가스 크로마토 그래피로 반응 생성물을 분석하여 스테아릴 알코올 및 글리시돌 함량이 각각 검출한계 이하임을 발견하였고 전체적으로 반응 생성물은 폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)스테아릴 에테르, 즉 HO[CH2CH(OH)CH2O]nOC19H27(식중, n은 자연수이고 모든 분자에 대한 n의 평윤은 2이다)이며, 스테아릴 알코올이 글리시돌과 1분자 : 2분자의 비율로 반응함을 확인하였다.
[실시예 5]
부분 에테르화 생성물로서, 참고 실시예 4에서 수득한 폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)스테아릴 에테르 0.5부를 사용함을 제외하고 실시예 1에서와 동일한 방식으로 펠릿을 제조하였다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 결정된 유리전이온도는137℃이다.
그런뒤, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크 기체를 성형시키고, 그 위에 보호피막을 형성시킨다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크 기체의 외관을 검색하여 방출을 포함하여, 이상의 없음을 발견하였다. 더우기, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 보호막의 점착의 질을 검사한다. 보호막이 벗겨지지 않고, 따라서 점착성이 양호함을 발견하였다.
[비교 실시예 2]
폴리(옥시-2-히드록시트리메틸렌)노닐페닐에테르 대신 2, 3-디히드록시프로필 스테아레이트 1부를 사용한다는 점을 제외하고 실시예 1에서와 동일한 방식으로 펠릿을 제조한다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 결정된 유리전이온도는 매우 낮은 127℃이다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크기체를 성형시키고 그 기체의 외관을 검색하여 방출이 진전되었음을 발견했다. 더우기, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 보호피막을 형성시키고, 보호막의 점착의 질을 검사한다. 결과적으로, 접착 테이프와 접촉하는 보호막의 약 50% 범위비가 벗겨져 나갔다.
따로, 광학 디스크 기체를 이용하여 보호피막을 지닌 광학 디스크를 제조하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 내습성 시험을 한다. 광학 디스크의 외관을 검사하면, 광반사막 표면상에 미소한 수포가 형성됨을 알 수 있다.
[참고 실시예 6]
100℃에서 10부의 p-톨루엔술폰산 존재하에 2시간동안, 톨루엔 1,600부 중의 노닐페놀 1,540부 및 파라포름알데히드 105부의 혼합물을 축합 반응시킨다. 반응후, 물 200부를 반응 혼합물에 가한 뒤, 완전히 교반시켜 혼합물이 두개의 층으로 분리되도록 방치한뒤 수층을 제거한다. 분리된 물층이 중성이 될때까지 세척 조작을 4회 반복한다. 수득된 포름알데히드와 노닐페놀과의 축합 생성물의 톨루엔 용액을 액체 크로마토그래피로 분석한다. 노닐페놀 성분의 평균 축합수가 2.0임을 발견하였다.
포름알데히드와 노릴페놀과의 축합 생성물의 톨루엔 용액 3,100부에 황산 칼슘 50부를 가하여 탈수시킨 뒤, 황산칼슘을 여과하여 제거시킨다. 그런뒤, 글리시돌 610부 및 드리에틸아민 12부를 그 여액에 가하고 90℃에서 2시간동안 가열하여 에테르화시킨다. 반응액체를 동공 크기 0.5㎛의 필터를 통해 감압하에 여과시키고 그 여액을 190℃까지 서서히 가열하여 액체를 통해 질소가 송풍될 때, 톨루엔, 트리에틸아민 및 미반응 글리시돌을 제거하여 반응 생성물 1,510부를 수득한다. 반응 생성물을 1H-NMR 분광기로 분석하여 생성물이 글리시돌의 일부가 폴리글리시돌로 변화되었고 글리시돌이 노닐페놀로부터 유도된 하나의 반복 단위에 대해 평균 1.2분자의 비율로 반응한 화합물임을 확인하였다.
[실시예 6]
부분 에테르화 생성물로서, 참고 실시예 6에서 수득한 폼름알데히드와 P-노닐페놀의 축합 생성물과 글리시돌의 반응 생성물 0.5부를 사용함을 제외하고 실시예 1에서 와 동일한 방식으로 펠릿을 제조하였다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 결정된 유리전이온도는 138℃이다.
그런뒤, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크 기체를 성형시키고, 그 위에 보호피막을 형성시킨다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학디스크 기체의 외관을 검색하여 방출을 포함하여, 이상이 없음을 발견하였다. 더우기, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 보호막의 점착의 질을 검사한다. 보호막이 벗겨지지 않고, 따라서 점착성이 양호함을 발견하였다.
[참고 실시예 7]
파라포름알데히드의 양을 140부로 변경시킴을 제외하고 참고 실시예 6에서와 동일한 방식으로 포름알데히드와 노닐페놀의 축합 생성물의 톨루엔 용액을 수득한다. 수득된 포름알데히드와 노닐페놀과의 축합 생성물을 액체 크로마토그래피로 분석하여 노닐페놀성분의 평균 축합수가 2.9임을 발견하였다.
참고 실시예 6에서와 동일한 방식으로 포름알데히드와 노닐페놀의 축합생성물의 톨루엔 용액 3,100부를 글리시돌 610부와 반응시켜 반응 생성물1,490부를 수득한다. 반응 생성물을 1H-NMR 분광기로 분석하여 생성물이 글리디돌의 일부가 폴리글리시돌로 변화되었고 글리시돌이 노닐페놀로부터 유도된 나의 반복단위에 대해 평균 1.2 분자의 비율로 반응한 화합물임을 확인하였다.
[실시예 7]
부분 에테르화 생성물로서, 참고 실시예 7에서 수득한 포름알데히드와 p-노닐페놀의 축합 생성물과 글리시돌의 반응 생성물 0.4부를 사용함을 제외하고 실시예 1에서와 동일은 방식으로 펠릿을 제조하였다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 결정된 유리전이온도는 138℃이다.
그런뒤, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크 기체를 성형시키고, 그 위에 보호피막을 형성시킨다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학디스크 기체의 외관을 검색하여 방출을 포함하여, 이상이 없음을 발견하였다. 더우기, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 보호막의 점착의 질을 검사한다. 보호막이 벗져지지 않고, 따라서 점착성이 양호함을 발견하였다.
[참고 실시예 8]
100℃에서 10부의 p-톨루엔술폰산 존재하에 2시간동안, 톨루엔 1,600부 중의 옥틸페놀 1,440부 및 파라포름알데히드 105부의 혼합물을 축합 반응시킨다. 반응후, 물 200부를 반응 혼합물에 가한 뒤, 완전히 교반시켜 혼합물이 두개의 층으로 분리되도록 방치한뒤 수층을 제거한다. 분리된 물층이 중성이 될때까지 세척 조작을 4회 반복한다. 수득된 포름알데히드와 옥틸페놀과의 축합 생성물의 톨루엔 용액을 액체 크로마토그래피로 분석한다. 옥틸페놀 성분의 평균 축합수가 2.0임을 발견하였다.
포름알데히드와 옥틸페놀과의 축합 생성물의 톨루엔 용액 3,100 부에 황산칼슘 50부를 가하여 탈수시킨 뒤, 황산 칼슘을 여과하여 제거시킨다. 그런뒤, 글리시돌 610부 및 트리에틸아민 12부를 그 여액에 가하고 90℃에서 2시간동안 가열하여 에테르화시킨다. 반응액체를 동공 크기 0.5㎛의 필터를 통해 감압하에 여과시키고 그 여액을 190℃까지 서서히 가열하여 액체를 통해 질소가 송풍될 때, 톨루엔, 트리에틸아민 및 미반응 글리시돌을 제거하여 반응 생성물 1,480부를 수득한다. 반응 생성물을 1H-NMR 분광기로 분석하여 생성물이 글리시돌의 일부가 폴리글리시돌로 변화되었고 글리시돌이 옥틸페놀로부터 유도된 하나의 반복 단위에 대해 평균 1.2 분자의 비율로 반응한 화합물임을 확인하였다.
[실시예 8]
부분 에테르화 생성물로서, 참고 실실예 8에서 수득한 포름알데히드와 옥틸페놀의 축합 생성물과 글리시돌의 반응 생성물 0.5부를 사용함을 제외하고 실시예 1에서와 동일한 방식으로 펫릴을 제조하였다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 결정된 유리전이온도는 137℃이다.
그런뒤, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학 디스크 기체를 성형시키고, 그 위에 보호피막을 형성시킨다. 실시예 1에서와 동일한 방식으로 광학디스크 기체의 외관을 검색하여 방출을 포함하여, 이상이 없음을 발견하였다. 더우기, 실시예 1에서와 통일한 방식으로 보호막의 점착의 질을 검사한다. 보호막이 벗겨지지 않고, 따라서 점착성이 양호함을 발견하였다.
따라서, 본 발명에 따라, 열가소성 포화 노르포넨기 중합체의 고유성질인 탁월한 내열성 및 투명도를 저하시키지 않고, 아크릴계 자외선 경화 피복 재료로 피복하여 형성된 보호막 또는 경화 피복막에 대한 점착성 및 광학 디스크의 정보 기록막에 대한 점착성이 탁월한 열가소성 포화 노르보넨기 중합체 기재 수지 조성물이 제공된다. 더우기, 본 발명에 따라 상기 조성물을 이용한 광학 디스크 기체 및 상기 광학 디스크 기체를 이용한 광학 디스크가 제공된다.

Claims (8)

  1. 열가소성 포화 노르보넨기 중합체 및 그 안에 배합된 3개 이상의 수산기를 지닌 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물을 함유하는 열가소성 포화 노르보넨기 중합체 조성물.
  2. 제2항에 있어서, 3개 이상의 수산기를 지닌 다가 알코올이 3~8개의 수산기를 지닌 다가 알코올인 조성물.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 3개 이상의 수산기를 지닌 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물이, 에테르화를 위해 이용된 치환기가 탄소수 4~100인 생성물인 조성물.
  4. 제1항 또는 2항에 있어서, 3개 이상의 수산기를 지닌 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물이, 에테르화를 위해 이용된 치환기가 탄소수 4~30인 생성물인 조성물.
  5. 제1항 또는 2항에 있어서, 3개 이상의 수산기를 지닌 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물이 한 분자내에 2 내지 16개의 유리 알코올계 수산기를 지니는 생성물인 조성물.
  6. 제1항 또는 2항에 있어서, 3개 이상의 수산기를 지닌 다가 알코올의 부분 에테르화 생성물이 (a) 알데히드 및 / 또는 케톤과 페놀과의 축합 생성물, (b) 디올레핀과 페놀과의 축합 생성물 및 (c) 이들 축합 생성물의 수소화 생성물로 구성된 군으로부터 선택된 1개 이상의 화합물과 3개 이상의 수산기를 지닌 다가 알코올과의 부분 에테르화 생성물인 조성물.
  7. 제1항 내지 6항에서 청구된 조성물로 형성된 광학 디스크 기체(substrate).
  8. 제7항에서 청구된 광학 디스크 기체 및 정보 기록막 및 / 또는 광 반사막 및 그 위에 적층된 보호막을 포함하는 광학 디스크.
KR1019920001623A 1991-02-04 1992-02-01 열가소성 포화 노르보넨기 중합체 조성물 KR100191178B1 (ko)

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