KR0160390B1 - 반도체 식각공정의 가스분사기구 - Google Patents

반도체 식각공정의 가스분사기구 Download PDF

Info

Publication number
KR0160390B1
KR0160390B1 KR1019950034557A KR19950034557A KR0160390B1 KR 0160390 B1 KR0160390 B1 KR 0160390B1 KR 1019950034557 A KR1019950034557 A KR 1019950034557A KR 19950034557 A KR19950034557 A KR 19950034557A KR 0160390 B1 KR0160390 B1 KR 0160390B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
gas injection
injection
etching process
bolt
Prior art date
Application number
KR1019950034557A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970023776A (ko
Inventor
오재영
정석용
김한성
박진호
Original Assignee
김광호
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950034557A priority Critical patent/KR0160390B1/ko
Priority to JP8026533A priority patent/JP2851576B2/ja
Priority to US08/716,775 priority patent/US5783023A/en
Publication of KR970023776A publication Critical patent/KR970023776A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0160390B1 publication Critical patent/KR0160390B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means

Abstract

본 발명은 중앙부에 공정가스가 분사되는 다수의 분사구멍이 형성되고, 가장자리부에는 가스분사장치에 고정하기 위한 보울트 구멍이 형성되며, 상기 보울트 구멍으로 관통되는 보울트의 머리가 삽입되는 보울트머리홈이 가스 분사면측에 형성된 반도체 식각공정의 가스분사기구에 관한 것으로, 상기 보울트 머리가 삽입되는 보울트머리홈을 분사면의 반대면측에도 형성하여 가스분사기구를 반대로 뒤집어 가스분사장치에 고정할 수 있도록 구성된 것이다.
따라서 반복적인 식각공정으로 분사면이 식각되어 사용할 수 없게 되면, 반대로 뒤집어 사용할 수 있게 되므로 수명을 2배로 연장할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 식각공정의 가스분사기구
제1도는 종래의 가스분사기구가 설치된 반도체 식각공정의 가스공급장치를 개략적으로 나타낸 단면구조도이다.
제2도는 종래의 가스분사기구 분사면이 식각된 상태를 나타내는 단면도이다.
제3a도는 정상적인 식각공정에 의한 식각상태를 나타내는 웨이퍼의 단면도이다.
제3b도는 종래의 가스분사기구에 의한 비정상적인 식각공정으로 불량상태를 나타내는 웨이퍼의 단면도이다.
제4도 및 제5도는 본 발명에 따른 가스분사기구의 설치상태를 나타내는 단면구조도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 가스분사기구 10a : 분사구멍
10b : 관통구멍 10c : 분사면
10d : 반대면 10e,10f : 제1 및 제2보울트머리홈
11 : 가스공급장치 12 : 보울트
본 발명은 반도체 식각공정의 가스분사기구에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반복적인 장기간의 사용으로 가스분사기구의 분사면이 식각됨으로써 단축되는 수명을 2배로 연장할 수 있도록 한 반도체 식각공정의 가스 분사기구에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정중 식각(Etching)공정은 포토 레지스터(PR)층의 구멍을 통해 웨이퍼의 최상단층을 선택적으로 제거하는 것으로, 제1도에 이러한 식각 공정을 설명하기 위한 식각장치를 도시하였다.
식각공정은 밀폐된 챔버(도시안됨) 내에서 수행되고, 이 챔버내에 웨이퍼(1)를 식각시키기 위한 CF4, CHF3, He, Ar 등의 공정가스가 주입되며, 이 공정가스의 활성화를 위해 RF(Radio Frequency)가 챔버내에 조사됨으로써 웨이퍼(1)에 식각이 이루어지게 된다.
이때 상기 공정가스를 챔버내에 주입시키기 위한 가스공급장치는 제1도에 도시된 바와 같이 가스공급원(도시안됨)으로부터 공정가스를 공급받을 수 있도록 연결된 상,하판(2)(3)이 구비되고, 상기 하판(3)에 고정되어 실제로 챔버내에 공정가스가 분사되는 다수개의 분사구멍(4a)을 갖고 비정질 탄소(Amorphous Carbon)로 제조되는 가스분사기구(4)가 구비되어 있다.
또한 상기 가스분사기구(4)의 가장자리부에는 복수개의 관통구멍(4c)이 형성되고, 이 관통구멍(4c)을 통해 보울트(5)로 가스분사기구(4)와 하판(3)이 고정되며, 상기 체결된 보울트의 머리가 분사면(4b)으로부터 돌출되지 않도록 분사면(4b)측에 보울트머리홈(4d)이 형성된 구성이다.
따라서, 가스공급원으로부터 공급되는 공정가스는 상,하판(2)(3)의 가스통로(2a)(3a)를 통해 가스분사기구(4)의 분사구멍(4a)으로 분사된다. 이때 식각하고자 하는 웨이퍼(1)의 표면과 상기 가스분사기구(4)의 분사면(4b)과의 거리(H)는 실제로 웨이퍼(1)에 식각되는 깊이와 관련된 것이므로 이 분사거리(H)를 정확하게 유지해야 한다.
그러나 식각공정을 반복적으로 수행하는 과정에서 비정질 탄소로 제조된 가스분사기구(4)의 공정가스 분사면(4b)이 식각공정 분위기하의 챔버내에 노출되는 것이므로 표면이 아주 미세하게 식각되었던 것이고, 반복적으로 오래 사용하게 되면, 제2도에 도시된 바와 같이 가스분사기구(4)의 분사면(4b)이 식각되어 분사면(4b)과 웨이퍼(1) 표면의 거리(H')가 식각된 깊이 만큼 멀어지게 되며, 식각되는 형태가 곡면형상으로 식각되므로 실제로 공정가스가 분사되는 분사구멍(4a)의 면적이 커지게 된다.
제3a도는 정상적인 분사거리로 식각공정을 행하였을 때의 웨이퍼 식각 상태를 나타낸 것으로, 이와 같이 가스분사기구(4)의 분사면(4b)과 웨이퍼(1)의 표면과의 거리(가스 분사거리)가 정상적으로 유지된 상태에서는 도시된 바와 같이 도전층(1a)이 원하는 깊이로 식각된다. 그러나 가스분사기구(4)의 분사면(4b)이 식각되어 가스 분사거리가 멀어지게 되면, 제3b도에 도시된 바와 같이 멀어진 만큼 도전층(1a)을 원하는 만큼 식각하지 못하게 된다.
또한 가스분사기구(4)의 분사면(4b)이 식각되는 것에 의해 분사구멍(4a)이 커지게 되면 가스 분사압에 변화가 생기게 되고 이는 곧 챔버내의 분위기에 영향을 주어 식각특성을 저하시키는 원인이 된다.
따라서 종래의 가스분사기구(4)의 분사면(4b)이 식각되는 것에 의해 식각특성이 저하되고, 원하는 만큼 식각이 이루어지지 않아 불량을 발생하게 되어 수율을 저하시키는 문제점이 있었으며, 가스분사기구의 분사면이 식각 특성을 저하시킬 정도의 깊이로 식각되기 전에 교체해야 하므로 교체주기가 빨라 경제적인 손실을 가져오는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은, 반도체 식각공정에 사용되는 가스분사기구의 분사면이 식각되어 사용할 수 없게 되면, 분사면의 반대면을 분사면으로 사용할 수 있도록 함으로써 가스분사기구의 수명을 2배로 연장시킬 수 있는 반도체 식각공정의 가스분사기구를 제공하는데 있다.
상기의 목적은 중앙부에 공정가스가 분사되는 다수의 분사구멍이 형성되고, 가장자리부에는 가스분사장치에 고정하기 위한 보울트 구멍이 형성되며, 상기 보울트 구멍으로 관통되는 보울트의 머리가 삽입되는 보울트머리 홈이 가스 분사면측에 형성된 반도체 식각공정의 가스분사기구에 있어서, 상기 보울트 머리가 삽입되는 보울트머리홈을 분사면의 반대면측에도 형성하여 가스분사기구를 반대로 뒤집어 가스분사장치에 고정할 수 있도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 식각공정의 가스분사기구에 의해 달성될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 식각공정의 가스분사기구를 첨부도면에 의하여 상세하게 설명한다. 제4도 및 제5도는 본 발명에 따른 가스분사기구(10)의 설치상태를 나타낸 것으로, 가스분사기구(10)는 중앙부에 공정가스를 분사하기 위한 다수개의 분사구멍(10a)이 수직방향으로 관통되어 형성되고, 가장자리부에는 가스공급장치(11)와 고정하기 위한 복수개의 관통구멍(10b)이 형성된다.
상기 가스분사기구(10)는 보울트(12)에 의해 가스공급장치(10)와 고정되는 것으로, 분사면(10c)의 반대면(10d)이 가스공급장치(11)와 맞닿도록 하여 관통구멍(10b)을 통해 보울트(12)로 고정하는 구조이다. 그리고 상기 관통구멍(10b)은 분사면(10c)측에 보울트(12) 머리가 삽입되는 제1보울트머리홈(10e)이 형성되어 보울트(12)의 체결시 보울트(12)의 머리가 분사면(10c)으로 돌출되지 않도록 되어 있다.
또한 본 발명의 가스분사기구(10)는 상기 가스 분사면(10c)에 형성된 제1보울트머리홈(10c)과 동일한 제2보울트머리홈(10f)이 분사면(10c)의 반대면(10d) 쪽에도 형성된 것으로, 이는 가스분사기구(10)를 뒤집어서, 즉 가스 분사면(10c)을 가스공급장치(11)와 맞닿도록 하여 고정시킬 수 있도록 한 것이다.
이러한 구성의 본 발명은 제4도에 도시된 바와 같이 가스분사기구(10)의 가스 분사면(10c)을 챔버 내부로 향하게 하고, 반대면(10d)은 가스공급장치(10)와 맞닿도록 설치한 후, 가장자리부에 형성된 관통구멍(10b)을 통해 보울트(12)로 가스공급장치(11)와 고정하여 사용한다.
이때 상기 보울트(12)는 제1보울트머리홈(10e)에 삽입되어 가스 분사면(10c)으로부터 돌출되지 않게 된다. 따라서 가스공급장치(11)로 부터 공급되는 가스는 다수의 분사구멍(10a)을 통해 챔버 내부로 분사되어 식각공정을 수행할 수 있게 된다.
그리고 이와 같이 사용되는 가스분사기구(10)의 분사면(10c)은 식각공정의 분위기에 노출되는 것이므로 장기간 반복적으로 사용하게 되면 제4도에 가상선으로 도시된 바와 같이 식각되어 웨이퍼와의 가스 분사거리가 멀어지게 되고, 분사구멍(10a)의 단면적이 커져 가스의 분사압이 낮아지게 된다. 따라서 식각공정 분위기의 변화로 식각불량을 발생하게 되므로 이러한 불량이 발생되기 전에 새로운 가스분사기구를 교체해야 한다.
이때 본 발명은 새로운 가스분사기구로 교체하지 않고 기존의 가스분사기구(10)를 반대로 뒤집어 가스공급장치(11)에 고정함으로써 새로운 가스분사기구를 교체한 것과 동일한 가스 분사기능을 수행할 수 있다.
즉 제5도에 도시된 바와 같이 가스공급장치(11)로부터 가스분사기구(10)를 분리한 후 식각된 분사면(10c)을 가스공급장치(11)와 맞닿게 하여 관통구멍(10b)을 통해 보울트(12)로 고정한다. 이때 보울트(12)의 머리는 반대면(10d)에 형성된 제2보울트머리홈(10f)에 삽입되므로 반대면(10d)으로부터 돌출되지 않는 것이고, 반대면(10d)은 식각되지 않았을 때의 분사면(10c)과 동일한 형상이므로 분사면(10c)과 동일한 분사기능을 수행할 수 있게 되는 것이며, 식각되어 가스공급장치(11)와 맞닿은 분사면(10c)은 반대면(10d)으로 분사되는 가스의 분사압에 전혀 영향을 주지 않게 된다.
따라서 새로운 가스분사기구로 교체한 것과 같이 웨이퍼와의 가스 분사거리 및 가스 분사압을 식각특성에 맞도록 유지할 수 있는 것이고, 이로써 정상적인 식각공정을 수행할 수 있게 되는 것이다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 식각공정의 가스분사기구에 의하면, 가스분사기구의 양쪽면으로 공정가스가 분사될 수 있도록 하고, 한쪽면이 식각공정 분위기하에서 식각되어 사용하지 못하게 될 때 가스분사기구를 뒤집어서 식각되지 않은 다른 면으로 가스를 분사시킬 수 있게 됨으로써 가스분사기구의 수명이 2배로 연장됨은 물론 반도체 제조설비의 비용이 절감되는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 중앙부에 공정가스가 분사되는 다수의 분사구멍이 형성되고, 가장자리부에는 가스분사장치에 고정하기 위한 보울트 구멍이 형성되며, 상기 보울트 구멍으로 관통되는 보울트의 머리가 삽입되는 보울트머리홈이 가스 분사면측에 형성된 반도체 식각공정의 가스분사기구에 있어서, 상기 보울트 머리가 삽입되는 보울트머리홈을 분사면의 반대면측에도 형성하고, 가스분사기구를 반대로 뒤집어 분사면이 가스공급장치에 맞닿게 하여 고정할 수 있도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 식각공정의 가스분사기구.
KR1019950034557A 1995-10-09 1995-10-09 반도체 식각공정의 가스분사기구 KR0160390B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950034557A KR0160390B1 (ko) 1995-10-09 1995-10-09 반도체 식각공정의 가스분사기구
JP8026533A JP2851576B2 (ja) 1995-10-09 1996-02-14 半導体エッチング工程のガス噴射器具
US08/716,775 US5783023A (en) 1995-10-09 1996-09-24 Gas injector for use in semiconductor etching process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950034557A KR0160390B1 (ko) 1995-10-09 1995-10-09 반도체 식각공정의 가스분사기구

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970023776A KR970023776A (ko) 1997-05-30
KR0160390B1 true KR0160390B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19429625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950034557A KR0160390B1 (ko) 1995-10-09 1995-10-09 반도체 식각공정의 가스분사기구

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5783023A (ko)
JP (1) JP2851576B2 (ko)
KR (1) KR0160390B1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6342135B1 (en) * 1995-11-02 2002-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Sputter etching chamber with improved uniformity
KR100452525B1 (ko) 2001-12-26 2004-10-12 주성엔지니어링(주) Ａｌｄ 공정에 적합한 가스 인젝터
US6656284B1 (en) 2002-06-28 2003-12-02 Jusung Engineering Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing apparatus having rotatable gas injector and thin film deposition method using the same
US20050220568A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method and system for fastening components used in plasma processing
US7679024B2 (en) * 2005-12-23 2010-03-16 Lam Research Corporation Highly efficient gas distribution arrangement for plasma tube of a plasma processing chamber
US7562638B2 (en) * 2005-12-23 2009-07-21 Lam Research Corporation Methods and arrangement for implementing highly efficient plasma traps
US7554053B2 (en) * 2005-12-23 2009-06-30 Lam Research Corporation Corrugated plasma trap arrangement for creating a highly efficient downstream microwave plasma system
US10658161B2 (en) * 2010-10-15 2020-05-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4612077A (en) * 1985-07-29 1986-09-16 The Perkin-Elmer Corporation Electrode for plasma etching system
DE4011933C2 (de) * 1990-04-12 1996-11-21 Balzers Hochvakuum Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür

Also Published As

Publication number Publication date
US5783023A (en) 1998-07-21
KR970023776A (ko) 1997-05-30
JP2851576B2 (ja) 1999-01-27
JPH09115892A (ja) 1997-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4495220A (en) Polyimide inter-metal dielectric process
KR0160390B1 (ko) 반도체 식각공정의 가스분사기구
Khare et al. CH4/H2/Ar/Cl2 electron cyclotron resonance plasma etching of via holes for InP‐based microwave devices
KR920004538B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
US5756367A (en) Method of making a spacer based antifuse structure for low capacitance and high reliability
GB2331624A (en) Plasma etching of a nitride layer over an oxide layer
KR100461335B1 (ko) 반도체 소자의 콘택 형성 방법
KR0144429B1 (ko) 반도체 소자 제조용 반응성 이온 식각 장비 및 이를 이용한 반응성 이온 식각방법
KR960015486B1 (ko) 플라즈마 장치를 이용한 비아(Via)콘택홀 형성방법
KR200256909Y1 (ko) 반도체제조를위한웨이퍼식각공정용정전척의웨이퍼냉각장치
KR0184055B1 (ko) 반도체 소자의 콘택부 및 그의 형성방법
KR100281276B1 (ko) 미세콘택 형성방법
KR100216577B1 (ko) 반도체 장치의 미세 금속 구조물 형성방법
KR100410992B1 (ko) 플라즈마 식각 설비 및 이를 이용한 플라즈마 식각 방법
KR100487644B1 (ko) 반도체 소자의 스토리지 노드 콘택 형성방법
KR100268796B1 (ko) 반도체소자 제조방법
KR100226216B1 (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
KR100249169B1 (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
KR100425935B1 (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
KR19980067785U (ko) 반도체 텅스텐 식각장치
KR20030035370A (ko) 화학기상증착 장치의 가스 인젝터
KR19990059092A (ko) 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법
KR100192555B1 (ko) 초밀도 반도체 제조방법
KR200167583Y1 (ko) 스페이서 제조용 플라즈마 식각장치
KR19990085248A (ko) 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080729

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee