KR100192555B1 - 초밀도 반도체 제조방법 - Google Patents
초밀도 반도체 제조방법 Download PDFInfo
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
Abstract
내용 없음.
Description
제1도와 제2도는 종래 방법에 의해 제조된 반도체의 단면도.
제3도는 종래 포커스 이온 빔 방법을 나타낸 개략도.
제4도는 본 발명에 사용되는 장치의 구성도.
제5도는 본 발명에 의한 제조공정을 나타낸 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 이온 빔 소오스 2, 3 : 콘덴서 마그네틱 렌즈
4 : 웨이퍼 5 : 마스크
6, 11 : 금속막 7 : 기판
8 : 절연막 9, 12 : 배선막
10 : 중간 절연막
본 발명은 초밀도 반도체 제조방법에 관한 것으로, 특히 소자간이나 배선간의 연결구멍(콘택트 홀이나 비어홀)에 가속된 이온 빔을 선택적으로 투과시켜 통과된 이온의 에너지가 유기금속을 분해하여 도전체층을 형성할 수 있도록 한 것이다.
종래에는 배선막을 형성하기 위하여 제1도에 도시된 바와같이 기판(7)위에 절연막(8)을 형성하고 이 절연막(8)에 연결구멍을 형성하여 배선막(9)(예를들어 A1 또는 Tu)을 스피터링 방법으로 디포지션하였다.
다른 방븝으로는 제2도에 도시된 바와같이 기판(70위에 절연막(8)을 형성하고 연결구멍을 형성하여 화학적으로 불안정한 가스를 저압 및 고온 또는 플라즈마 상태에서 분해시켜 금속막(6) (예를들어 Tu)을 형성하고 그위에 배선막(9)을 형성하였다.
또 다른 방법으로는 마스크를 사용하지 않는 포커스 이온빔 방법이 있어 기판(7)위에 절연막(8)을 형성하고 연결구멍을 형성하여 이온빔 소오스(1)로부터 이온빔을 상기 연결구멍에 집중 주사함과 함께 금속유기물질을 주입하여 이온빔에 의해 불안정한 가스가 분해되어 배선막이 형성되도록 하였다.
그러나 상기 제1도와 같은 종래 기술에 있어서는 배선막(9)이 연결 구멍속으로 완전히 채워지지않아 단선되기가 쉬웠고, 제2도의 경우 고온에서 공정을 진행해야하며 일부는 절연막(8)위에 쌓일 수가 있을 뿐만 아니라 마스크를 사용하지 않아 선택도가 낮으며 제3도의 경우에는 전체 칩중 특정한 하나의 패턴에만 이온빔을 집중시켜야 하기 때문에 생산성이 저하되는 결점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 결점을 해결하기 위한 것으로 이온빔용 마스크를 이용하여 이온이 선택적으로 투과되게 하므로써 투과된 특정부위의 이온에 의해 화학반응이 일어나도록 하여 연결구멍에 텅스텐 등의 중간물질을 채워 넣을 수 있는 방법을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.
이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명을 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 제4도는 본 발명에 사용되는 장치를 나타낸 것으로 이온빔 소오스(1)와 콘덴서 마그네틱 렌즈(2)(3)로 구성되어 하부에 웨이퍼(4)가 놓인 상태에서 관을 통하여 금속유기물을 주입하면 웨이퍼(4)가 금속분위기하에 있게된다.
이상태에서 이온빔 소오스(1)로부터 이온빔이 주사되면 콘덴서 마그네틱렌즈(2)(3) 사이를 통하면서 확대 및 균일화되어 일정방향으로 유지되는데 이때 이온빔이 제5도의 (A)와 같이 마스크(5)에 의해 선택적으로 부과된다.
또한, 웨이퍼(4)가 유기금속 분위기에 있으므로 상기의 투과된 이온빔에 의해 이 유기금속이 분해되어 금속막(6)을 형성하여 이때의 유기금속으로는 예를들어 W(CO)6를 사용한다.
여기서, 원하는 금속막이 원하는 두께만큼 크도록 이온에너지 및 주사시간을 조정가능하다.
상기에서 설명한 바와같이 기판(7) 위의 절연막(8)에 형성된 연결구멍에 선택적으로 금속막(6)이 형성된 후의 후공정은 제5도 (B) 내지 (D)에 도시된 바와같이 배선막(9)을 증착하고 중간절연막(10)을 형성하여 사진식각법에 의해 선택적 제거한 후 선택적으로 금속막(11)을 주입하고 이어 배선막(12)을 증착한다.
이상에서 설명한 바와같은 본 발명은 저온공정이 가능하고 마스크를 사용하기 때문에 선택도가 커서 원하는 부위에만 금속막을 형성할 수 있으며 포토/에치공정이 필요없어져 공정을 단축시킬 수 있는 장점이 있다.
Claims (1)
- 이온빔 소오스로부터 주사된 이온빔이 콘덴서 마그네틱 렌즈에 의해 일정방향으로 유지되게 하고 이온빔용 마스크를 이용하여 이온빔이 선택적으로 투과되도록 하므로 특정부위에만 이온에 의해 화학반응이 일어나도록 하여 연결구멍을 금속막으로 채워넣을 수 있게함을 특징으로 하는 초밀도 반도체 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900010422A KR100192555B1 (ko) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 초밀도 반도체 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900010422A KR100192555B1 (ko) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 초밀도 반도체 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920003478A KR920003478A (ko) | 1992-02-29 |
| KR100192555B1 true KR100192555B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19301090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900010422A KR100192555B1 (ko) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 초밀도 반도체 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100192555B1 (ko) |
-
1990
- 1990-07-10 KR KR1019900010422A patent/KR100192555B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920003478A (ko) | 1992-02-29 |
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