JPH09115892A - 半導体エッチング工程のガス噴射器具 - Google Patents
半導体エッチング工程のガス噴射器具Info
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- JPH09115892A JPH09115892A JP8026533A JP2653396A JPH09115892A JP H09115892 A JPH09115892 A JP H09115892A JP 8026533 A JP8026533 A JP 8026533A JP 2653396 A JP2653396 A JP 2653396A JP H09115892 A JPH09115892 A JP H09115892A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 78
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 78
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/3244—Gas supply means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反復的な長時間の使用でガス噴射器具の噴射
面がエッチングされることにより短縮される寿命を二倍
に延ばすことにある。 【解決手段】 略中央部に工程ガスが噴射される多数の
噴射孔が形成され、縁部にはガス噴射装置に固定するた
めの多数のボルト孔が形成され、前記ボルト孔に貫通さ
れるボルトの頭が挿入される多数のボルト頭溝が噴射面
側に形成された半導体エッチング工程のガス噴射器具に
おいて、前記多数のボルト頭が挿入される前記多数のボ
ルト頭溝１０ｅ、１０ｆを前記噴射面に対して反対面側
にも形成し、ガス噴射器具１０を反対に裏返して当該反
対面側の当該噴射面１０ｃが前記ガス供給装置１１に当
接させて固定されうることを特徴とする。
面がエッチングされることにより短縮される寿命を二倍
に延ばすことにある。 【解決手段】 略中央部に工程ガスが噴射される多数の
噴射孔が形成され、縁部にはガス噴射装置に固定するた
めの多数のボルト孔が形成され、前記ボルト孔に貫通さ
れるボルトの頭が挿入される多数のボルト頭溝が噴射面
側に形成された半導体エッチング工程のガス噴射器具に
おいて、前記多数のボルト頭が挿入される前記多数のボ
ルト頭溝１０ｅ、１０ｆを前記噴射面に対して反対面側
にも形成し、ガス噴射器具１０を反対に裏返して当該反
対面側の当該噴射面１０ｃが前記ガス供給装置１１に当
接させて固定されうることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体エッチング工
程のガス噴射器具に係り、さらに詳しくは反復的な長時
間の使用でガス噴射器具の噴射面がエッチングされるこ
とにより短縮される耐用年数を二倍に延ばすことのでき
る半導体エッチング工程のガス噴射器具に関する。
程のガス噴射器具に係り、さらに詳しくは反復的な長時
間の使用でガス噴射器具の噴射面がエッチングされるこ
とにより短縮される耐用年数を二倍に延ばすことのでき
る半導体エッチング工程のガス噴射器具に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体工程のうち、エッチング
工程はフォトレジスト層の孔を通じてウェ−ハの最上端
層を選択的に取り除くもので、図３にこのようなエッチ
ング工程を説明するためのエッチング装置を示した。
工程はフォトレジスト層の孔を通じてウェ−ハの最上端
層を選択的に取り除くもので、図３にこのようなエッチ
ング工程を説明するためのエッチング装置を示した。
【０００３】前記エッチング工程は、密閉されたチャン
バ−（図示せず）内で行われ、該チャンバ−内にウェ−
ハ１をエッチングさせるためのＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｈ
ｅ、Ａｒなどの工程ガスが注入される。そして、該工程
ガスの活性化のためＲＦ(RadioFrequency)がチャンバ−
内に照射されることによりウェ−ハ１にエッチングがな
される。
バ−（図示せず）内で行われ、該チャンバ−内にウェ−
ハ１をエッチングさせるためのＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｈ
ｅ、Ａｒなどの工程ガスが注入される。そして、該工程
ガスの活性化のためＲＦ(RadioFrequency)がチャンバ−
内に照射されることによりウェ−ハ１にエッチングがな
される。
【０００４】この際、前記工程ガスをチャンバ−内に注
入させるためのガス供給装置は図３に示されたように、
ガス供給源（図示せず）から工程ガス(process gas) が
供給されうるように連結された上板２、下板３が備えら
れ、前記下板３に固定され実際にチャンバ−内に工程ガ
スが噴射される多数個の噴射孔４ａを有し、非晶質炭素
から製造されるガス噴射器具４が備えられている。
入させるためのガス供給装置は図３に示されたように、
ガス供給源（図示せず）から工程ガス(process gas) が
供給されうるように連結された上板２、下板３が備えら
れ、前記下板３に固定され実際にチャンバ−内に工程ガ
スが噴射される多数個の噴射孔４ａを有し、非晶質炭素
から製造されるガス噴射器具４が備えられている。
【０００５】さらに、前記ガス噴射器具４の縁部には複
数個の貫通孔４ｃが形成され、該貫通孔４ｃを通じてボ
ルト５でガス噴射器具４と下板３とが固定される。そし
て、前記締結されたボルトの頭が噴射面４ｂから突出さ
れないように噴射面４ｂ側にボルト頭溝４ｄが形成され
た構成である。
数個の貫通孔４ｃが形成され、該貫通孔４ｃを通じてボ
ルト５でガス噴射器具４と下板３とが固定される。そし
て、前記締結されたボルトの頭が噴射面４ｂから突出さ
れないように噴射面４ｂ側にボルト頭溝４ｄが形成され
た構成である。
【０００６】従って、ガス供給源から供給される工程ガ
スは、上板２と下板３とのガス通路２ａ，３ａを通じて
ガス噴射器具４の多数のガス噴射孔４ａから噴射され
る。ここで、エッチングしようとするウェ−ハ１の表面
と前記ガス噴射器具４の噴射面４ｂとの距離Ｈは実際に
ウェ−ハ１にエッチングされる深さとかかわるので、こ
の噴射距離Ｈを正確に保つべきである。
スは、上板２と下板３とのガス通路２ａ，３ａを通じて
ガス噴射器具４の多数のガス噴射孔４ａから噴射され
る。ここで、エッチングしようとするウェ−ハ１の表面
と前記ガス噴射器具４の噴射面４ｂとの距離Ｈは実際に
ウェ−ハ１にエッチングされる深さとかかわるので、こ
の噴射距離Ｈを正確に保つべきである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、エッチング工
程を反復的に行う過程において、非晶質炭素から製造さ
れたガス噴射器具４の工程ガス噴射面４ｂは、エッチン
グ工程雰囲気下のチャンバ−内に露出されるので、ガス
噴射面４ｂの表面が非常に微細にエッチングされる。ガ
ス噴射面４ｂが反復的に長く使用するようになれば、図
４に示されたように、ガス噴射器具４の噴射面４ｂがエ
ッチングされ、当該噴射面４ｂとウェ−ハ１の表面の距
離（Ｈ’）がエッチングされた深さだけ遠くなるように
なる。更に、エッチングされる形態が内面形状にエッチ
ングされるので実際に工程ガスが噴射される噴射孔４ａ
の面積が大きくなる。
程を反復的に行う過程において、非晶質炭素から製造さ
れたガス噴射器具４の工程ガス噴射面４ｂは、エッチン
グ工程雰囲気下のチャンバ−内に露出されるので、ガス
噴射面４ｂの表面が非常に微細にエッチングされる。ガ
ス噴射面４ｂが反復的に長く使用するようになれば、図
４に示されたように、ガス噴射器具４の噴射面４ｂがエ
ッチングされ、当該噴射面４ｂとウェ−ハ１の表面の距
離（Ｈ’）がエッチングされた深さだけ遠くなるように
なる。更に、エッチングされる形態が内面形状にエッチ
ングされるので実際に工程ガスが噴射される噴射孔４ａ
の面積が大きくなる。
【０００８】図５（Ａ）は正常な噴射距離でエッチング
工程が行われる時のウェ−ハエッチング状態を示す。こ
のようにガス噴射器具４の噴射面４ｂとウェ−ハ１の表
面との距離（ガス噴射距離）が正常に保たれた状態では
図示されたように導電層１ａが所望の深さにエッチング
される。しかし、ガス噴射器具４の噴射面４ｂがエッチ
ングされガス噴射距離が遠くなれば、図５（Ｂ）に示し
たように、遠くなっただけ導電層１ａも所望の程度にエ
ッチングできなくなる。
工程が行われる時のウェ−ハエッチング状態を示す。こ
のようにガス噴射器具４の噴射面４ｂとウェ−ハ１の表
面との距離（ガス噴射距離）が正常に保たれた状態では
図示されたように導電層１ａが所望の深さにエッチング
される。しかし、ガス噴射器具４の噴射面４ｂがエッチ
ングされガス噴射距離が遠くなれば、図５（Ｂ）に示し
たように、遠くなっただけ導電層１ａも所望の程度にエ
ッチングできなくなる。
【０００９】また、ガス噴射器具４の噴射面４ｂがエッ
チングされることにより噴射孔４ａが大きくなれば、ガ
ス噴射圧に変化が起こるようになる。これは、直ぐチャ
ンバ−内の雰囲気に影響を及ぼしてエッチング特性を低
下させる原因となる。
チングされることにより噴射孔４ａが大きくなれば、ガ
ス噴射圧に変化が起こるようになる。これは、直ぐチャ
ンバ−内の雰囲気に影響を及ぼしてエッチング特性を低
下させる原因となる。
【００１０】従って、従来のガス噴射器具４は噴射面４
ｂがエッチングされることによりエッチング特性が低下
され、所望の程度にエッチングがなされないので不良を
発生するようになり、収率を低下させる問題点があり、
ガス噴射器具の噴射面がエッチング特性を低下させるほ
どの深さにエッチングされる前に交替しなければならな
いので交替周期が早くなって経済的な損失を招く問題点
もあった。
ｂがエッチングされることによりエッチング特性が低下
され、所望の程度にエッチングがなされないので不良を
発生するようになり、収率を低下させる問題点があり、
ガス噴射器具の噴射面がエッチング特性を低下させるほ
どの深さにエッチングされる前に交替しなければならな
いので交替周期が早くなって経済的な損失を招く問題点
もあった。
【００１１】本発明は前述した従来の問題点を解決する
ために案出されたもので、その目的は、半導体エッチン
グ工程に用いられるガス噴射器具の噴射面がエッチング
され使用することができなくなれば、噴射面の反対面を
噴射面に使えるようになることによりガス噴射器具の耐
用年数を二倍に延長させうる半導体エッチング工程のガ
ス噴射器具を提供することである。
ために案出されたもので、その目的は、半導体エッチン
グ工程に用いられるガス噴射器具の噴射面がエッチング
され使用することができなくなれば、噴射面の反対面を
噴射面に使えるようになることによりガス噴射器具の耐
用年数を二倍に延長させうる半導体エッチング工程のガ
ス噴射器具を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述した本発明の目的
は、請求項１記載の第１の発明により、略中央部に工程
ガスが噴射される多数の噴射孔が形成され、縁部にはガ
ス噴射装置に固定するための多数のボルト孔が形成さ
れ、前記ボルト孔に貫通されるボルトの頭が挿入される
多数のボルト頭溝が噴射面側に形成された半導体エッチ
ング工程のガス噴射器具において、前記多数のボルト頭
が挿入される前記多数のボルト頭溝を前記噴射面に対し
て反対面側にも形成し、ガス噴射器具を反対に裏返して
当該反対面側の当該噴射面が前記ガス供給装置に当接さ
せて固定されうるように構成されることを特徴とする半
導体エッチング工程のガス噴射器具により達成されう
る。
は、請求項１記載の第１の発明により、略中央部に工程
ガスが噴射される多数の噴射孔が形成され、縁部にはガ
ス噴射装置に固定するための多数のボルト孔が形成さ
れ、前記ボルト孔に貫通されるボルトの頭が挿入される
多数のボルト頭溝が噴射面側に形成された半導体エッチ
ング工程のガス噴射器具において、前記多数のボルト頭
が挿入される前記多数のボルト頭溝を前記噴射面に対し
て反対面側にも形成し、ガス噴射器具を反対に裏返して
当該反対面側の当該噴射面が前記ガス供給装置に当接さ
せて固定されうるように構成されることを特徴とする半
導体エッチング工程のガス噴射器具により達成されう
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体エッチ
ング工程のガス噴射器具を添付した図面に基づきさらに
詳しく説明する。
ング工程のガス噴射器具を添付した図面に基づきさらに
詳しく説明する。
【００１４】図１及び図２は本発明によるガス噴射器具
１０の設置状態を示す。ガス噴射器具１０は略中央部に
工程ガスを噴射するための多数個の噴射孔１０ａが図中
垂直方向に貫通されて形成され、縁部にはガス供給装置
１１と固定するための複数個の貫通孔１０ｂが形成され
ている。
１０の設置状態を示す。ガス噴射器具１０は略中央部に
工程ガスを噴射するための多数個の噴射孔１０ａが図中
垂直方向に貫通されて形成され、縁部にはガス供給装置
１１と固定するための複数個の貫通孔１０ｂが形成され
ている。
【００１５】前記ガス噴射器具１０は、ボルト１２によ
りガス供給装置１１と固定されるもので、噴射面１０ｃ
の反対面１０ｄがガス供給装置１１と当接されるように
して貫通孔１０ｂを通じてボルト１２で固定する構造で
ある。そして、前記貫通孔１０ｂは、噴射面１０ｃ側に
ボルト１２の頭が挿入される第１ボルト頭溝１０ｅが形
成され、ボルト１２の締結の際ボルト１２の頭が噴射面
１０ｃに突出されないようになっている。
りガス供給装置１１と固定されるもので、噴射面１０ｃ
の反対面１０ｄがガス供給装置１１と当接されるように
して貫通孔１０ｂを通じてボルト１２で固定する構造で
ある。そして、前記貫通孔１０ｂは、噴射面１０ｃ側に
ボルト１２の頭が挿入される第１ボルト頭溝１０ｅが形
成され、ボルト１２の締結の際ボルト１２の頭が噴射面
１０ｃに突出されないようになっている。
【００１６】また、本発明のガス噴射器具１０は、前記
噴射面１０ｃに形成された第１ボルト頭溝１０ｅと同一
の形状を有する第２ボルト頭溝１０ｆが噴射面１０ｃの
反対面１０ｄ側にも形成されたもので、これはガス噴射
器具１０を裏返して、すなわち，ガス噴射面１０ｃをガ
ス供給装置１１と当接させ固定しうるようにしたもので
ある。
噴射面１０ｃに形成された第１ボルト頭溝１０ｅと同一
の形状を有する第２ボルト頭溝１０ｆが噴射面１０ｃの
反対面１０ｄ側にも形成されたもので、これはガス噴射
器具１０を裏返して、すなわち，ガス噴射面１０ｃをガ
ス供給装置１１と当接させ固定しうるようにしたもので
ある。
【００１７】このような構成の本発明は図１に示したよ
うに、ガス噴射器具１０の噴射面１０ｃをチャンバ−の
内部に向かうようにし、反対面１０ｄはガス供給装置１
１と当接されるように設けた後、縁部に形成された貫通
孔１０ｂを通じてボルト１２でガス供給装置１１と固定
して用いる。
うに、ガス噴射器具１０の噴射面１０ｃをチャンバ−の
内部に向かうようにし、反対面１０ｄはガス供給装置１
１と当接されるように設けた後、縁部に形成された貫通
孔１０ｂを通じてボルト１２でガス供給装置１１と固定
して用いる。
【００１８】この際、前記ボルト１２は第１ボルト頭溝
１０ｅに挿入されガス噴射面１０ｃから突出されないよ
うになる。従って、ガス供給装置１１から供給されるガ
スは、多数の噴射孔１０ａを通じてチャンバ−内部へ噴
射されエッチング工程を行うようになる。
１０ｅに挿入されガス噴射面１０ｃから突出されないよ
うになる。従って、ガス供給装置１１から供給されるガ
スは、多数の噴射孔１０ａを通じてチャンバ−内部へ噴
射されエッチング工程を行うようになる。
【００１９】そして、このように使用されるガス噴射器
具１０の噴射面１０ｃは、エッチング工程の雰囲気に露
出されるので、長時間反復的に使用するようになれば、
図１に点線で示したようにエッチングされ、ウェ−ハと
のガス噴射距離が遠くなり、噴射孔１０ａの断面積が大
きくなるので噴射圧が低くなる。従って、エッチング工
程雰囲気の変化でエッチング不良を発生させることにな
るので、このような不良が発生される前に新たなガス噴
射器具に交替すべきである。
具１０の噴射面１０ｃは、エッチング工程の雰囲気に露
出されるので、長時間反復的に使用するようになれば、
図１に点線で示したようにエッチングされ、ウェ−ハと
のガス噴射距離が遠くなり、噴射孔１０ａの断面積が大
きくなるので噴射圧が低くなる。従って、エッチング工
程雰囲気の変化でエッチング不良を発生させることにな
るので、このような不良が発生される前に新たなガス噴
射器具に交替すべきである。
【００２０】この際、本発明は新たなガス噴射器具に交
替せず、既存のガス噴射器具１０を反対面に裏返してガ
ス供給装置１１に固定することにより、新たなガス噴射
器具を交替したものと同一なガス噴射機能を行わせられ
る。
替せず、既存のガス噴射器具１０を反対面に裏返してガ
ス供給装置１１に固定することにより、新たなガス噴射
器具を交替したものと同一なガス噴射機能を行わせられ
る。
【００２１】すなわち、図２に示したように、ガス供給
装置１１からガス噴射器具１０を分離してからエッチン
グされた噴射面１０ｃをガス供給装置１１と当接させて
貫通孔１０ｂを通じてボルト１２で固定する。この際、
ボルト１２の頭は反対面１０ｄに形成された第２ボルト
頭溝１０ｆに挿入されるので、反対面１０ｄから突出さ
れないものであり、反対面１０ｄはエッチングされなか
った時の噴射面１０ｃと同一な形状なので、噴射面１０
ｃと同一な噴射機能を行うようになる。よって、エッチ
ングされたガス供給装置１１と当接する噴射面１０ｃは
反対面１０ｄに噴射されるガスの噴射圧に全く影響を及
ぼさない。
装置１１からガス噴射器具１０を分離してからエッチン
グされた噴射面１０ｃをガス供給装置１１と当接させて
貫通孔１０ｂを通じてボルト１２で固定する。この際、
ボルト１２の頭は反対面１０ｄに形成された第２ボルト
頭溝１０ｆに挿入されるので、反対面１０ｄから突出さ
れないものであり、反対面１０ｄはエッチングされなか
った時の噴射面１０ｃと同一な形状なので、噴射面１０
ｃと同一な噴射機能を行うようになる。よって、エッチ
ングされたガス供給装置１１と当接する噴射面１０ｃは
反対面１０ｄに噴射されるガスの噴射圧に全く影響を及
ぼさない。
【００２２】従って、新たなガス噴射器具に交替したも
ののようにウェ−ハとのガス噴射距離及びガス噴射圧を
エッチング特性に合わせて保つものであり、これにより
正常なエッチング工程が行える。
ののようにウェ−ハとのガス噴射距離及びガス噴射圧を
エッチング特性に合わせて保つものであり、これにより
正常なエッチング工程が行える。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による半導体
エッチング工程のガス噴射器具によれば、ガス噴射器具
の両側面に工程ガスが噴射されうるようにし、一方側の
面がエッチング工程雰囲気下でエッチングされ使用でき
ないようになる時、ガス噴射器具を裏返してエッチング
されなかった他方側の面でガスを噴射させうるようにな
ることにより、ガス噴射器具の耐用年数が二倍に延長さ
れるのみならず、半導体製造設備のコストが低減され
る。
エッチング工程のガス噴射器具によれば、ガス噴射器具
の両側面に工程ガスが噴射されうるようにし、一方側の
面がエッチング工程雰囲気下でエッチングされ使用でき
ないようになる時、ガス噴射器具を裏返してエッチング
されなかった他方側の面でガスを噴射させうるようにな
ることにより、ガス噴射器具の耐用年数が二倍に延長さ
れるのみならず、半導体製造設備のコストが低減され
る。
【図１】本発明によるガス噴射器具の設置状態を示す断
面構造図である。
面構造図である。
【図２】本発明によるガス噴射器具の設置状態を示す断
面構造図である。
面構造図である。
【図３】従来のガス噴射器具が設けられた半導体エッチ
ング工程のガス供給装置を概略的に示した断面構造図で
ある。
ング工程のガス供給装置を概略的に示した断面構造図で
ある。
【図４】従来のガス噴射器具の噴射面がエッチングされ
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図５】（Ａ）は正常なエッチング工程によるエッチン
グ状態を示すウェ−ハの断面図であり、（Ｂ）は従来の
ガス噴射器具による非正常なエッチング工程であって不
良状態を示すウェ−ハの断面図である。
グ状態を示すウェ−ハの断面図であり、（Ｂ）は従来の
ガス噴射器具による非正常なエッチング工程であって不
良状態を示すウェ−ハの断面図である。
１０ ガス噴射器具 １０ａ 噴射孔 １０ｂ 貫通孔 １０ｃ 噴射面 １０ｄ 反対面 １０ｅ 第１ボルト頭溝 １０ｆ 第２ボルト頭溝 １１ ガス供給装置 １２ ボルト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 晋 浩 大韓民国京畿道龍仁郡器興邑農書里山24番 地
Claims (1)
- 【請求項１】 略中央部に工程ガスが噴射される多数の
噴射孔が形成され、縁部にはガス噴射装置に固定するた
めの多数のボルト孔が形成され、前記ボルト孔に貫通さ
れるボルトの頭が挿入される多数のボルト頭溝が噴射面
側に形成された半導体エッチング工程のガス噴射器具に
おいて、 前記多数のボルト頭が挿入される前記多数のボルト頭溝
を前記噴射面に対して反対面側にも形成し、前記ガス噴
射器具を反対に裏返して当該反対面側の当該噴射面が前
記ガス供給装置に当接させて固定されうるように構成さ
れることを特徴とする半導体エッチング工程のガス噴射
器具。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1995-34557 | 1995-10-09 | ||
| KR1019950034557A KR0160390B1 (ko) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 반도체 식각공정의 가스분사기구 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115892A true JPH09115892A (ja) | 1997-05-02 |
| JP2851576B2 JP2851576B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=19429625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8026533A Expired - Fee Related JP2851576B2 (ja) | 1995-10-09 | 1996-02-14 | 半導体エッチング工程のガス噴射器具 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5783023A (ja) |
| JP (1) | JP2851576B2 (ja) |
| KR (1) | KR0160390B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342135B1 (en) * | 1995-11-02 | 2002-01-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Sputter etching chamber with improved uniformity |
| KR100452525B1 (ko) | 2001-12-26 | 2004-10-12 | 주성엔지니어링(주) | Ａｌｄ 공정에 적합한 가스 인젝터 |
| US6656284B1 (en) | 2002-06-28 | 2003-12-02 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing apparatus having rotatable gas injector and thin film deposition method using the same |
| US20050220568A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for fastening components used in plasma processing |
| US7554053B2 (en) * | 2005-12-23 | 2009-06-30 | Lam Research Corporation | Corrugated plasma trap arrangement for creating a highly efficient downstream microwave plasma system |
| US7562638B2 (en) * | 2005-12-23 | 2009-07-21 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for implementing highly efficient plasma traps |
| US7679024B2 (en) * | 2005-12-23 | 2010-03-16 | Lam Research Corporation | Highly efficient gas distribution arrangement for plasma tube of a plasma processing chamber |
| US10658161B2 (en) * | 2010-10-15 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4612077A (en) * | 1985-07-29 | 1986-09-16 | The Perkin-Elmer Corporation | Electrode for plasma etching system |
| DE4011933C2 (de) * | 1990-04-12 | 1996-11-21 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür |
-
1995
- 1995-10-09 KR KR1019950034557A patent/KR0160390B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-02-14 JP JP8026533A patent/JP2851576B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-24 US US08/716,775 patent/US5783023A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970023776A (ko) | 1997-05-30 |
| KR0160390B1 (ko) | 1999-02-01 |
| JP2851576B2 (ja) | 1999-01-27 |
| US5783023A (en) | 1998-07-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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