KR19990085248A

KR19990085248A - 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조

Info

Publication number: KR19990085248A
Application number: KR1019980017532A
Authority: KR
Inventors: 강종대; 김병규
Original assignee: 김영환; 현대반도체 주식회사
Priority date: 1998-05-15
Filing date: 1998-05-15
Publication date: 1999-12-06

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조에 관한 것으로, 베이스 스테이지(13)의 개구부(13a) 상측에 상,하측이 개방된 원통형 챔버 블록(14)를 설치하고, 그 챔버 블록(14)의 상측에 가스라인어셈블리(16)가 구비된 석영재질의 캡 플레이트(15)를 복개가능토록 설치하여, 웨이퍼의 식각작업 진행시 구조적으로 챔버의 일정부분에 식각이 집중적으로 발생될 수 있는 반구형의 챔버구조를 배제함으로서, 집중적인 식각에 의한 챔버의 파손을 방지하는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조

본 발명은 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조에 관한 것으로, 특히 챔버의 일정부분에 집중적으로 식각(ETCHING)이 발생되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 웨이퍼 제조공정 중 포토공정을 마친 다음에는 노광된 부분을 제거하기 위한 식각공정을 실시하게 되는데, 이와 같은 식각공정을 진행하기 위한 식각장비가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조를 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼 식각장비는 베이스 스테이지(BASE STAGE)(1)의 개구부(1a) 하측에 웨이퍼(2)가 탑재되는 웨이퍼 스테이지(WAFER STAGE)(3)가 설치되어 있고, 상기 개구부(1a) 상측에 복개가능하도록 반구형의 쿼츠 챔버(QUARTZ CHAMBER)(4)가 설치되어 있으며, 그 쿼츠 챔버(4)의 상단부 중앙에는 수직방향으로 가스라인어셈블리(GAS LINE ASSEMBLY)(5)가 설치되어 있다.

그리고, 상기 가스라인어셈블리(5)는 쿼츠 챔버(4)의 상단부에 수직방향으로 설치되어 쿼츠 챔버(4)의 내측으로 가스를 공급하기 위한 가스공급라인(6)과, 그 가스공급라인(6)을 쿼츠 챔버(4)의 상단부 중앙에 고정시키기 위한 콘넥터(CONNECTOR)(7) 및 상기 가스공급라인(6)의 하단부에 연결되도록 쿼츠 챔버(4)의 내측에 설치되는 원형의 평판전극(8)으로 구성되어 있다.

도면중 미설명 부호 9는 가스공급라인(6)의 하단부에 형성된 가스분사공이고, 10은 오-링(O-RING)이다.

상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 식각장비는 쿼츠 챔버(4)가 베이스 스테이지(1)의 상측에 설치된 상태에서 트랜스퍼 로봇(TRANSFER ROBOT)에 의하여 웨이퍼(2)가 웨이퍼 스테이지(3)의 상면에 탑재되면, 가스공급라인(6)을 통하여 공정가스가 공급되고, 이와 같이 공급된 공정가스가 가스공급라인(6)의 하단부에 형성된 가스분사공(9)을 통하여 쿼츠 챔버(4)의 내측에 분사되는 상태에서 평판전극(8)에 알에프 파워(RF POWER)를 인가하면 쿼츠 챔버(4)의 내측에 플라즈마(PLASMA)가 형성되며, 그 형성되는 플라즈마에 의하여 웨이퍼(2)의 식각이 이루어진다.

그러나, 상기와 같은 종래 반도체 웨이퍼 식각장비는 웨이퍼(2)의 식각이 진행됨과 동시에 쿼츠 챔버(4)의 내측면도 미소량 식각이 발생되는데, 이와 같은 쿼츠 챔버(4)의 식각이 구조상으로 콘넥터(7)가 설치되어 있는 상단부 중앙에 집중이되므로, 장기간 반복작업시 쿼츠 챔버(4)가 파손되는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 식각공정 진행시 챔버의 일정부분이 집중적으로 식각되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조를 보인 단면도.

도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조를 보인 단면도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

13 : 베이스 스테이지 13a : 개구부

14 : 챔버 블록 14a : 알루미늄 막

15 : 캡 플레이트 16 : 가스라인어셈블리

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 베이스 스테이지의 개구부 상측에 상,하방향으로 개방된 원통형 챔버 블록을 설치하고, 그 챔버 블록의 상측에 석영재질의 캡 플레이트를 복개가능토록 설치하며, 그 캡 플레이트의 중앙에는 수직방향으로 가스라인어셈블리를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조를 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 발명 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조는 웨이퍼(11)가 탑재되는 웨이퍼 스테이지(12)가 설치되어 있으며, 상측에 개구부(13a)가 형성되어 있는 베이스 스테이지(13)의 상측에 상,하측에 개방된 챔버 블록(CHAMBER BLOCK)(14)이 설치되어 있고, 그 챔버 블록(14)의 상측에는 복개가능토록 석영재질의 캡 플레이트(CAP PLATE)(15)가 설치되어 있으며, 그 캡 플레이트의 중앙에는 수직방향으로 가스라인어셈블리(16)가 설치되어 있다.

상기 챔버 블록(14)은 원통형의 몸체 내측에 알루미늄 막(14a)이 일정두께로 어노다이징되어 있다.

상기 가스라인어셈블리(16)는 캡 플레이트(15)의 중앙에 수직방향으로 설치되어 쿼챔버 블록(14)의 내측으로 가스를 공급하기 위한 가스공급라인(17)과, 그 가스공급라인(17)을 캡 플레이트(15)에 고정시키기 위한 콘넥터(18) 및 상기 가스공급라인(17)의 하단부에 연결되도록 챔버 블록(14)의 내측에 설치되는 평판전극(19)으로 구성되어 있다.

도면중 미설명 부호 20은 오-링이고, 21은 가스분사공이다.

상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 챔버설치구조를 갖는 반도체 웨이퍼 식각장비는 베이스 스테이(13)의 개구부(13a) 상측에 챔버 블록(14)이 설치되고, 그 챔버 블록(14)의 상측에 캡 플레이트(15)가 복개된 상태에서 트랜스퍼 로봇에 의하여 웨이퍼(11)가 웨이퍼 스테이지(12)의 상면에 탑재되면, 가스공급라인(17)을 통하여 챔버 블록(14)의 내측으로 공정가스가 공급되고, 이와 같이 공급된 공정가스가 가스공급라인(17)의 하단부에 형성된 가스분사공(21)을 통하여 쿼츠 블록(14)의 내측에 분사되는 상태에서 평판전극(19)에 알에프 파워(RF POWER)를 인가하면 챔버 블록(14)의 내측에 플라즈마가 형성되며, 그 형성되는 플라즈마에 의하여 웨이퍼(11)의 식각이 이루어지는데, 이때 챔버 블록(14) 및 캡 플레이트(15)에 발생되는 식각은 한곳에 집중적으로 발생되지 않고, 내측 전면에 균일하게 발생되며, 챔버 블록(14)의 내측면에 일정두께의 알루미늄 막(14a)이 어노다이징되어 있으므로 식각은 미미하게 발생하게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조에서는 베이스 스테이지의 개구부 상측에 상,하측이 개방된 원통형 챔버 블록이 설치하고, 그 챔버 블록의 상측에 가스라인어셈블리가 구비된 석영재질의 캡 플레이트를 복개가능토록 설치하여, 웨이퍼의 식각작업 진행시 구조적으로 챔버의 일정부분에 식각이 집중적으로 발생될 수 있는 반구형의 챔버구조를 배제함으로서, 집중적인 식각에 의한 챔버의 파손을 방지하는 효과가 있다.

Claims

베이스 스테이지의 개구부 상측에 상,하방향으로 개방된 원통형 챔버 블록을 설치하고, 그 챔버 블록의 상측에 석영재질의 캡 플레이트를 복개가능토록 설치하며, 그 캡 플레이트의 중앙에는 수직방향으로 가스라인어셈블리를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조.
제 1항에 있어서, 상기 챔버 블록의 내측면에는 일정두께로 알루미늄 막이 어노다이징되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 식각장비의 챔버설치구조.