KR19980021870U - 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리에 관한 것으로, 종래에는 장기간 반복사용시 링 페데스탈의 상면에 마모되어 웨이퍼와 링 페데스탈 사이에 공간이 형성되고, 그 공간에 플라즈마가 형성되어 링 페데스탈과 페데스탈을 마모시키는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리는 페데스탈의 단턱부에 수직방향볼트를 설치하여 링 페데스탈의 마모시 상승시켜서 웨이퍼에 밀착시키고, 링 페데스탈에 수평방향볼트를 설치하여 실링 오링과 링 페데스탈의 수평위치를 조절함으로서, 링 페데스탈과 페데스탈의 에칭에 의한 마모를 방지하게 되는 효과가 있고, 헬륨가스의 누출을 방지하여 웨이퍼의 불량을 방지하는 효과가 있다.
Description
본 고안은 반도체 에칭(ETCHING)장치의 페데스탈(PEDESTAL)어셈블리에 관한 것으로, 특히 링 페데스탈(RING PEDESTAL)의 위치를 조정할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼 제조공정 중 포터(PHOTO)공정이 완료되면 타겟이 되는 부분을 에칭으로 제거하는 에칭공정을 실시하게 되는데, 이와 같은 에칭공정을 진행시에 웨이퍼가 얹혀지는 페데스탈어셈블리가 제1도에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.
도 1a는 종래 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 보인 평면도이고, 도 1b는 종래 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 보인 종단면도이다.
도시된 바와 같이, 종래 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리는 웨이퍼가 얹혀지며 알 에프 파워(RF POWER)를 웨이퍼에 전달되도록 하는 페데스탈(1)과, 상기 웨이퍼의 일정부분이 얹혀지며 웨이퍼에 알 에프 파워가 절달되지 않는 부위를 절연시키는 링 페데스탈(2)과, 웨이퍼의 뒷면으로 헬륨가스가 새어나오지 않도록 하기 위한 실링 오링(SEALING O-RING)(3)으로 구성되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 페데스탈어셈블리는 페데스탈(1)과 링 페데스탈(2)의 상면에 웨이퍼를 얹어 놓고, 공정 쳄버의 내부에 반응가스를 공급하며, 일렉트로드에 알 에프 파워를 공급하면 플라즈마가 발생되는데, 이와 같이 발생된 플라즈마에 의해 웨이퍼의 노광된 부분을 제거하게 된다.
그러나, 상기와 같은 링 페데스탈(2)은 장기간 반복사용시 과잉에칭으로 인하여 상면이 마모되고, 이와 같이 마모된 링 페데스탈(2)과 웨이퍼 사이에 공간이 발생하여 냉각가스인 헬륨가스가 누출되며, 웨이퍼가 타는 불량이 발생하는 문제점이 있었다. 그리고, 링 페데스탈(2)과 웨이퍼 사이에 발생된 공간에 반응가스가 유입되고 플라즈마가 발생하여 페데스팔(1) 및 링 페데스탈(2)의 마모를 가속화시켜서 페데스탈(1)과 링 페데스탈(2)을 교체하여야 하는 문제점이 있었다.
본 고안의 주목적은 상기와 같은 여러 문제점을 갖지 않는 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 제공함에 있다.
본 고안의 다른 목적은 헬륨가스의 누출로 인하여 웨이퍼가 타는 불량이 발생하는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 제공함에 있다.
본 고안의 또다른 목적은 페데스탈과 링 페데스탈의 마모를 방지하도록 하는데 적합한 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 제공함에 있다.
도 1a는 종래 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 보인 평면도.
도 1b는 종래 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 보인 종단면도.
도 2a는 본 고안 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈브릴를 보인 평면도.
도 2b는 본 고안 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 보인 종단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
11 : 페데스탈11b, 12a : 나사공
12 : 링 페데스탈13 : 실링 오링
14 : 수직방향볼트15 : 수평방향볼트
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 알 에프 파워가 웨이퍼가 전달되도록 하기 위한 페데스탈과, 알 에프 파워가 웨이퍼에 전달되지 않는 부위를 절연시키기 위한 링 페데스탈과, 헬륨가스의 누출을 차단하기 위한 실링 오링으로 구성되어 있는 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리에 있어서, 상기 링 페데스탈을 지지하는 페데스탈의 단턱부에 하방으로 수개의 나사공을 형성하고, 그 나사공의 하측에서 상방으로 각각 수직방향볼트를 설치하며, 링 페데스탈의 측면에는 내측방향으로 수개의 나사공을 형성하고, 그 나사공에 각각 외측으로 내측방향으로 수평방향볼트를 설치하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성된 본 고안 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a는 본 고안 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 보인 평면도이고, 도 2b는 본 고안 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리를 보인 종단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리는 웨이퍼가 얹혀지며 알 에프 파워를 웨이퍼에 전달되도록 하는 페데스탈(11)과, 상기 웨이퍼의 일정부분이 얹혀지며 웨이퍼에 알 에프 파워가 전달되지 않는 부위를 절연시키는 링 페데스탈(12)과, 웨이퍼의 뒷면으로 헬륨가스가 새어나오지 않도록 하기 위한 실링 오링(13)으로 구성된다.
그리고, 상기 페데스탈(12)의 외주연부에 형성된 단턱부(11a)에는 상, 하방향으로 일정간격으로 두고 수개의 나사공(11b)가 형성되도록 하였으며, 그 나사공(11b)에 각각 수직방향볼트(14)를 설치하여 장기간 반복사용시 상면이 에칭된 링 페데스탈(12)을 수직방향볼트(14)를 이용하여 하측에서 밀어서 웨이퍼에 밀착시킬 수 있도록 구성된다.
또한, 상기 페데스탈(12)의 측면에 일정간격을 두고 외측에서 내측방향으로 수개의 나사공(12a)을 형성하고, 그 나사공(12a)에 각각 수평방향볼트(15)를 설치하여 링 패데스탈(12)의 내측에 위치하는 실링 오링(13)의 위치를 수평방향볼트(15)로 조절할 수 있도록 구성된다.
이와 같이 구성되는 본 고안 반도체 에칭장치의 페데스털어셈블리의 작용효과는 다음과 같다.
페데스탈(11)과 링 페데스탈(12)의 상면에 웨이퍼를 얹어 놓고, 공정 챔버의 내부에 반응가스를 공급하여, 일렉트로드에 알 에프 파워를 공급하면 플라즈마가 발생되는데, 이와 같이 발생된 플라즈마에 의해 웨이퍼의 노광된 부분을 제거하는 에칭공정을 진행하는 것은 종래와 동일하다. 이와 같은 에칭작업을 장기간 반복하여 실시할 경우에 링 페데스탈(12)의 상면이 에칭되어 링 페데스탈(12)과 웨이퍼 하면사이에 공간이 발생하는데, 이때 수직방향볼트(14)를 상승시켜서 링 페데스탈(12)과 웨이퍼 사이에 공간이 발생하지 않도록 함으로서, 그 공간에서 플라즈마의 발생으로 에칭이 진행되는 것을 차단한다. 그리고, 링 페데스탈(12)의 측면에 설치되는 수평방향볼트(15)를 조절하여 실링 오링(13)의 수평위치를 조절함으로서 링 페데스탈(12)이 수직방향볼트(14)에 의하여 상승시 실링 오링(13)과 링 페데스탈(12)의 수평을 유지하게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리는 수직방향볼트를 설치하여 링 페데스탈의 마모시 상승시켜서 웨이퍼에 밀착시키고, 수평방향볼트를 설치하여 실링 오링과 링 페데스탈의 수평위치를 조절함으로서, 링 페데스탈과 페데스탈의 에칭에 의한 마모를 방지하게 되는 효과가 있고, 헬륨가스의 누출을 방지하여 웨이퍼의 불량을 방지하는 효과가 있다.
Claims (1)
- 알 에프 파워가 웨이퍼에 전달되도록 하기 위한 페데스탈과 ,알 에프 파워가 웨이퍼에 전달되지 않는 부위를 절연시키기 위한 링 페데스탈과, 헬륨가스의 누출을 차단하기 위한 실링 오링으로 구성되어 있는 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리에 있어서, 상기 링 페데스탈을 지지하는 페데스탈의 단턱부에 하방으로 수개의 나사공을 형성하고, 그 나사공의 하측에서 상방으로 각각 수직방향볼트를 설치하며, 링 페데스탈의 측명네는 내측방향으로 수개의 나사공을 형성하고, 그 나사공에 각각 외측에서 내측방향으로 수평방향볼트를 설치하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리.
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Cited By (2)
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| KR100734776B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2007-07-04 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 처리장치 |
| KR20160079689A (ko) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 |
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1996
- 1996-10-24 KR KR2019960035192U patent/KR19980021870U/ko not_active Application Discontinuation
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| KR100734776B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2007-07-04 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 처리장치 |
| KR20160079689A (ko) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 |
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